KR940001624B1 - 저온 형성 다중층 세라믹의 백금 및 로듐 촉매화 - Google Patents

저온 형성 다중층 세라믹의 백금 및 로듐 촉매화 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

저온 형성 다중층 세라믹의 백금 및 로듐 촉매화
본 발명은 수소 실세스퀴옥산 수지의 백금 또는 로듐 촉매화된 예비 세라믹의 혼합물을 용매중에 희석시켜 제조된 물질에 관한 것이다.
다양한 주변 조건하에서 사용할 수 있는 전자 장치는 다른 스트레스중에서도 습기, 열에 견딜 수 있어야하며 내마모성을 가져야만 한다. 발표된 많은 연구가 장치의 신뢰성을 증가시킬 수 있는 전자 장치에 대한 피복물의 제조에 관심을 갖게 되었다. 세라믹 및 금속 페케이징을 포함하여 오늘날 유용하게 사용하는 어떤 통상의 피복물도 모든 주변 스트레스에 대해 자체적으로 전자 장치를 충분하게 보호할 수가 없다.
전자 장치의 이러한 일반적인 단점 원인은 불순물 개입을 허용하는 반도체 칩의 표면 수동성에서 미세 균열 또는 공극에 있다. 따라서 전자 장치의 무기 피복물에서 미세 균열, 공극 또는 핀홀(pinhole)의 형성을 억제하는 방법이 필요하다.
전자 장치상의 수동화 피복물은 전자 장치내에 들어가 전자적 신호의 전달을 방해할 수 있는 이온성 불순물(예 : 염소 이온(Cl-) 및 나트륨 이온(Na+))에 대해 장애물을 제공할 수 있다. 또한 수동화 피복물을 전자 장치에 적용하여 습기 및 휘발성 유기 화학물에 대한 약간의 보호를 제공할 수 있다.
무정형 실리콘(이후부터는 a-Si로 칭함) 필름이 전자 공업에서 다양한 적용을 위한 핵심적 조사 대상물이지만, 전자 장치의 주변 또는 밀봉 보호용으로서 a-Si 필름의 용도에 대해서는 알려지지 않았다. a-Si 필름을 제조하기 위한 다수의 가능한 방법들이 이미 기술되어 있다. 예를 들어, 무정형 실리콘의 필름을 제조하기 위해, 다음 침착 방법을 사용한다 : 화학적 증기 침작(CVD), 플라즈마 보강 CVD(PECVD), 반응성 스퍼터링(reactive sputtering), 이온 도금 및 광-CVD등 : 통상적으로, 플라즈마 보강 CVD 방법이 공업화되었고 a-Si 필름을 침착하는데 널리 사용되고 있다.
전자 장치의 몸체내 및 금속화층 사이의 내층으로서 기질 평면화의 용도는 당해 기술의 숙련가에게 알려져 있다. 겁타(Gupta) 및 친(Chin)(참조 : Microelectronics Processing, Chapter 22, "Characteristics of Spin-on Glass Films as a Planarizing Dielectric", pp 349-65, American Chemical Society, 1986)은 도우프(dope)된 또는 도우프 안된 SiO2유리 필름의 통상적인 내부 레벨 유전 절연체 층에 의해 금속화 레벨이 분리된 다중 레벨 상호 접속 시스템을 보여준다. 그러나 CVD 유전체 필름은 기껏해야 중첩 금속화층에 의해 연속적이고 균일한 스텝 범위(step coverage)에 전도되지 않은 기질 특성의 상응적 범위만을 제공한다. 빈약한 스텝 범위는 도선에 금속화 수율의 감소 및 장치 신뢰성 문제점을 야기시키는 불연속적인 얇은 반점을 발생시킨다. 스핀-온(Spin-on) 유리 필름은 금속화 층사이에 내층 분리를 제공하는데 이용되며, 금속화 층의 최상 층은 후에 석판 인쇄술에 의해 패턴화된다. 그러나 내부 레벨 유전체 층의 평면화와 대조적으로 전자 장치의 표면상의 상부 피복 평면화는 알려져 있지 않다.
선행기술에 있어서, 단일 재료는 전자 공업에서 알 수 있는 바와 같이 특정 피복 적용물의 증가하는 요구에 부합하기에 충분하지 못하다. 다수의 피복물 특성(예 : 미소 경도, 내습윤성, 이온 장벽, 점착성, 연성, 인장강도, 열팽창 계수 등)이 상이한 피복물의 연속 층에 의해 제공될 필요가 있다.
실이잔과 같은 실리콘 및 질소-함유 예비 세라믹 중합체는 1983년 9월 13일자 허여된 가울(Gaul)의 미합중국 특허 제4,404,153호를 포함하여 다수의 특허 문헌에 기재되어 있으며, 상기 특허 문헌에는 염소-함유 디실란과 (R3'Si)2NH(여기서 R'는 비닐, 수소, C1내지 C3의 알킬 라디칼 또는 페닐 그룹이다)를 접촉 및 반응시켜 R3'SiNH-함유 실아잔 중합체를 제조하는 방법이 기술되어 있다. 또한 상기 문헌에서 가울은 실리콘-탄소-질소-함유 세라믹 물질을 제조하기 위해 예비 세라믹 실아잔 중합체의 사용에 대해서도 기술하고 있다.
1982년 1월 26일자 허여된 미합중국 특허 제4,312,970호에서 가울은 예비 세라믹 실아잔 중합체의 열분해에 의해 세라믹 물질을 얻었으며, 상기 중합체는 오가노클로로실란과 디실아잔의 반응에 의해 제조된다.
1982년 7월 20일자 허여된 미합중국 특허 제4,340,619호에서 가울은 예비 세라믹 실아잔 중합체의 열분해에 의해 세라믹 물질을 얻었으며, 상기 중합체는 염소-함유 디실란과 디실아잔의 반응에 의해 제조된다.
1985년 9월 10일자 허여된 미합중국 특허 제4,540,803호에서 캐내디(Cannady)는 예비 세라믹 실아잔 중합체의 열분해에 의해 세라믹 물질을 얻었으며, 상기 중합체는 트리클로로실란과 디실아잔의 반응에 의해 제조된다.
1971년 10월 26일자 허여된 미합중국 특허 제3,615,272호 및 문헌[참조 ; Frye et al., J. Am. Chem. Soc., 92, p.5586, 1970]에서 프라이(Frye) 및 콜린즈(Collins)는 수소 실세스퀴옥산 수지의 형성을 교시 하였다.
본 발명은 저온에서 장치의 표면상에 얇은 다중층 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치의 보호를 증진시키는 것에 관한 것이다. 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 하나 이상의 실리콘-및 질소-함유 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물로부터 전자 장치상에 피복물을 형성하는 방법이 발명되었다.
본 발명은 전자 장치의 보호를 위한 단일층 및 다중층 피복물의 저온 형성에 관한 것이다. 본 발명의 단일층 피복물은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n의 백금 또는 로듐 촉매화된 용매 용액을 전자 장치상에 침착시켜 제조한 피복물을 특징으로 한다.
본 발명의 이중층 피복물은 (1) 수소 실세스퀴옥산 수지(HSiO3/2)의 백금 또는 로듐 촉매화된 용매 용액을 전자 장치상에 침착시켜 제조한 피복물, 및 (2) 실리콘-함유 물질, 실리콘 질소-함유 물질, 또는 실리콘 탄소-함유 물질, 또는 실리콘 탄소 질소-함유 물질의 상부 피복물을 포함함을 특징으로 한다. 제1층은 유동 피복, 스핀 피복, 디프(dip) 피복 및 분무 피복 등과 같은 공지된 방법에 의해 전자 장치상에 적용되는 SiO2평면화 및 수동화 피복물이다. 제2층은 할로실란 또는 할로디실란, 실아잔, 또는알칸, 실란 및 암모니아 혼합물을 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD하여 유도한 실리콘-함유 물질의 장벽 피복물이다.
본 발명은 또한 전자 장치를 보호하기 위한 3중층 피복 시스템의 형성에 관한 것이며, 여기에서 제1층은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n의 용매 용액에서 수득한 백금 및/또는 로듐 촉매화된 SiO2-함유 평면화 피복물이고, 열처리시에 물질은 세라믹화하여 필수적으로 SiO2-함유 물질을 형성한다. 수동화에 사용되는 제2층은 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 피복물의 세라믹화로 수득한 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물이거나, 열처리, UV, CVD, 플라즈마 보강 CVD, 또는 레이저 기술에 의해 침착된 실리콘 질소-함유, 실리콘 탄소 질소-함유, 또는 실리콘 탄소-함유 층이다.
본 발명의 3중층 피복물에서 제3층은 (a) 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물을 CVD, 플라즈마 보강 CVD, 또는 금속 보조 CVD로 적용한 실리콘-함유 물질, 또는 (b) 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물, 및 알칸 또는 알킬실란을 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD로 적용한 실리콘 탄소-함유 물질, 또는 (c) 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물, 및 암모니아를 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD로 적용한 실리콘 질소-함유 물질, 또는 (d) 헥사메틸디실아잔 또는 실란, 알칸, 알킬실란 및 암모니아의 혼합물을 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD로 적용한 실리콘 탄소 질소-함유 물질의 상부 피복물이다.
본 발명의 촉매화된 평면화 SiO2층은 촉매되지 않은 SiO2평면화 층보다 개선된 중량 손실 감소를 나타낸다.
본 발명은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n가 백금 및/또는 로듐 촉매 존재하 저온에서 불균일한 전자 장치 표면을 평면화하는 피복물로서 유용한 세라믹 물질로 전환될 수 있는 신규한 전구(precursor) 중합체의 제조에 유용하다는 것을 밝혀내었다.
본 발명은 예를 들어 (CH3CH2S)2PtCl2, 및 Pt(CH3CH(O)CHCH(O)CH3)2와 같은 백금 촉매, 또는 RhCl3(CH3CH2CH2CH2S)3와 같은 로듐 촉매를 사용함으로써 (HSiO3/2)n 수지의 산화 및 경화를 증진시킨다. 이외에도, 본 발명의 백금 및/또는 로듐 촉매화는 (HSiO3/2)n 수지상의 작용기인 잔류 SiH를 환원 또는 제거하고 추가로 SiO2의 생성을 증가시키는 것에 일조한다. 또한, 백금 및/또는 로듐 착화합물을 사용한 수소 실세스퀴옥산 수지 평면화 층의 촉매화로 경화시에 관찰되는 중량 손실이 현저히 감소되었다. 본 발명의 방법으로 제조한 이산화규소 세라믹 피복물은 집적회로의 불균일 분포상태(topograply)에서 야기된 기계적인 스트레스를 최소화 하고, 또한 그후의 열적 사이클링 조건하에서 연속적인 다중층 피복물을 미세 균열로부터 보호하는 것을 돕는다.
탄소-유리 전구 물질로부터 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 제조하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 이는 백금 및/또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 전자 장치상에 침착시키고 세라믹화함으로써 본 발명의 방법에 따라 성취할 수 있다.
본 발명은 또한 이들 촉매화된 이산화규소(SiO2-함유) 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물이 전자 장치 및 다른 집적회로의 보호를 위해 다양한 실리콘, 탄소 및/또는 질소-함유 물질로 피복될 수 있는 발명에 관한 것이다.
본 발명에서, "세라믹-유사(ceramic-like)"의 용어는 잔류 탄소 및/또는 수소가 완전히 유리되지는 않았지만 특성에서 세라믹과 유사한 열분해 물질을 의미한다. "전자 장치"의 용어는 전자 장치, 실리콘 기재장치, 비소화 갈륨 장치, 촛점면 배열, 광-전자 장치, 광 전지, 광학 장치 등을 포함하는 장치를 의미하나 이에 제한되지는 않는다. 또한 본 발명의 피복물은 트랜지스터형 장치를 제조하는 유도 전자층, 도우프된 유도 전자층, 커페시터 및 커페시터형 장치, 다층장치, 3-D장치, 실리콘-온(silicon-on) 절연체(SOI)장치, 초격자 장치 등을 제조하는 실리콘 함유 안료 로오딩된 바인더 시스템으로 유용하다.
또한 본 발명은 세라믹 또는 세라믹-유사 피복 전자 장치를 위한 실리콘-함유 상부 피복물의 형성방법에 관한 것으로, 최상부 피복물이 플라즈마 보강 CVD, 금속 촉매화된 CVD 방법, 또는 다른 CVD 방법에 의해 제조된다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치에 적용시킴으로써 전자 장치를 평면화(planarizing) 피복물로 피복하고; (B) 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로서 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비 세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 SiO2피복물을 전자 장치상에 생성시킴을 특징으로 하여, 기질상에 세라믹 또는 세라믹-유사 SiO2피복물을 제공하는 방법에 관한 것이다.
이외에도, 본 발명은 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 적용시킴으로써, 전자 장치를 피복물로 피복하고; 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자 장치상에 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비 세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비 세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 SiO2피복물을 형성시키고; (B) 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물을 반응 챔버내에서 분해하는 수단을 사용하여 실리콘-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자 장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 제공하는 방법에 관한 것이다. 전자 장치상에 평면화 또는 수동화 피복물을 적용하는 방법은 유동 피복, 스핀 피복, 분무 피복 또는 디프 피복 또는 디프 피복 기술등이 있으나 이에 제한되지는 않는다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 침착시킴으로써 전자 장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자 장치상에 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석하고 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 장치를 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로서 용매을 증발시켜 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 대기 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 제조된 실리콘-질소-함유 물질을 포함하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복 장치에 적용시켜 전자 장치상에 세라믹 또는 세라믹-유사 실리콘 질소-함유-피복물을 생성시킴으로써 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 침착시킴으로써 전자 장치를 피복물로 피복하고 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자 장치상에 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란, 알킬실란, 할로실린, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물 및 탄소수 1 내지 6의 알칸, 알킬실란, 및 알킬할로실란 중에서 선택한 물질을 반응 챔버내에서 분해하는 수단을 사용하여 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자 장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중화층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 적용시킴으로써, 전자 장치를 피복물로 피복하고 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 물질 피복물을 전자 장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 물질 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하며, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치상에 침착시키고 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹 유사물 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물을 반응 챔버내에 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자 장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 적용시킴으로써, 전자 장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 물질 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하며, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치상에 침착시키고 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹 유사물 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물 및 암모니아를 반응 챔버내에 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자 장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자 장치상에 적용시킴으로써, 전자 장치를 피복물로 피복하고; 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하며, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-유사물 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 알킬실란 또는 이의 혼합물, 및 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란을 반응 챔버내에 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자 장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n를 n-헵탄 또는 톨루엔과 같은 용매로 희석한다(예 : 0.1 내지 10중량%), 실세스퀴옥산 수지 용액에 예를 들어 톨루엔 0.01g중의 (CH3CH2S)2PtCl260ppm의 백금 촉매 또는 로듐 촉매를 가한다. 촉매화된 예비 세라믹 용매 용액을 그후 전자 장치상에 피복시키고 주위 조건에서 건조시켜 용매를 증발시킨다. 촉매화된 예비 세라믹 중합체 용액을 전자 장치상에 피복시키는 방법은 스핀 피복, 디프 피복, 분무 피복, 또는 유동 피복 등이 있으나 이에 제한되지는 않는다. 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 예비 세라믹 물질을 공기중에서 SiO2-함유 물질로 산화시킨다. 이 방법에 의해, 예를 들어 피복된 장치를 400℃에서 약 1시간동안 가열함으로써 침착된 예비 세라믹 중합체 피복물이 세라믹화 된다. 따라서 2μ(또는 대략 3000 내지 5000Å) 미만의 얇은 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 장치상에 형성시킨다. 따라서 형성된 평면화 피복물을 이어서 본 발명에 따른 수동화 실리콘 질소-함유 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물 또는 CVD 적용 실리콘-함유 피복물, 실리콘 탄소-함유 피복물, 또는 실리콘 질소-함유 피복물 또는 이러한 피복물을 혼합하여 피복한다.
실세스퀴옥산 수지를 백금 및/또는 로듐 촉매로 촉매화함으로써 야기된 또다른 현저한 결과는 증가하는 온도에 노출시에 관찰되는 중량 손실량을 감소시키는 유익한 것이다. 그러므로, 헬륨 대기하 및 백금 촉매 부재하에서 온도가 증가할때 노출된 실세스퀴옥산 수지의 열중량 분석(TGA)에서 중량 손실이 20%로 나타난 반면, 백금 촉매로 촉매화된 실세스퀴옥산 수지는 단지 14%의 중량 손실를 나타내었다. 백금 촉매로 인하여 현저히 개선된 6%의 중량 손실 감소는 수지의 가교결합이 개선되어, 세라믹화에 있어 중요한 특성인 높은 카아(Char) 수율을 갖는 고분자량 중합체를 형성시키게 된다.
또한, 비촉매화된 및 백금 촉매화된 실세스퀴옥산 수지에 대한 공기중 TGA 실험 수행은 전자의 경우 9% 중량 손실을 보였고, 후자의 경우 6% 중량 수득을 보였다. 즉, 촉매화된 샘플은 초기에 미반응 물질이 휘발되어 4% 손실을 보였으나, 약 400℃ 내지 1000℃로 계속하여 가열하였을때 샘플은 산화의 결과로서 출발 중량보다 6% 중량을 더 수득하였다.
로듐 촉매를 사용할때, 수소 실세스퀴옥산 수지의 다른 샘플을 헬륨하에 1000℃까지 가열하면 30% 중량 손실을 나타내나, 동일 조건하에서 로듐 촉매 없이 가열하면 68% 중량 손실을 나타낸다. 로듐의 촉매화하고 공기중에 산화하였을때, 수소 실세스퀴옥산 수지는 산소 혼입 때문에 백금 촉매에서 관찰된 수득과 유사한 7% 중량 수득을 나타낸다. 그러나, 로듐 촉매 부재시에 동일한 수지를 공기중에 1000℃까지 가열하였을때 28% 중량 손실을 보였다.
그러므로, 백금 촉매 또는 로듐 촉매는 잔류하는 어떤 SiH 잔기를 먼저 SiOH로, 그후 추가로 SiOSi로 산화하는 것을 촉진한다. 이러한 산화 중량 수득 현상은 촉매화되지 않은 실세스퀴옥산 수지 샘플에서 관찰되지 않는다.
본 발명에 의해 성취할 수 있는 고분자량 및 중량 손실의 감소는 이후에 수행되는 고분자량 중합체를 세라믹화할때 세라믹 수율을 고수율로 제공하므로 선행 기술에 비해 중요한 개선점이다.
수소 실세스퀴옥산 수지의 경화는 본 발명에서 공기중 산화성 경화로 제한되지 않는다. 상기 토의는 공기 부재하에 백금 촉매 또는 로듐 촉매로 수소 실세스퀴옥산 수지를 경화하기 위한 본 발명의 유용성을 나타낸다. 이외에도, 수지는 암모니아-함유 대기중에서 백금 또는 로듐 촉매를 사용하여 경화될 수도 있다.
본 발명에서 사용한 백금 촉매 및 로듐 촉매는 (CH3CH2S)2PtCl2, 백금 아세틸 아세토네이트, 및 로듐 촉매 RhCl3(CH3CH2CH2CH2S)3이며, 이들은 다우 코닝 코포레이션에서 시판되나 이들로서 제한되지는 않는다. 어떠한 백금 또는 로듐 화합물 또는 수소 실세스퀴옥산 수지에서 용해될 수 있는 착화합물도 경화 반응을 촉매화하는데 조력할 수 있으며, 이는 본 발명의 영역에 포함된다.
본 발명에서 합성 피복물의 제2 및 수동성 실리콘 질소-함유 층은 이온성 불순물에 대해 내성을 제공한다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체는 당해 분야의 숙련가에게는 잘 알려져 있는 실아잔, 디실아잔, 폴리실아잔, 사이클릭 실아잔, 및 다른 실리콘 질소-함유 물질을 포함하나 이에 제한되지는 않는다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체는 승온에서 세라믹 또는 세라믹-유사 물질로 전환될 수 있어야만 한다. 또한 에비 세라믹 실아잔 중합체 및/또는 다른 실리콘- 및 질소-함유 물질의 혼합물도 본 발명에서 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 예비 세라믹 실아잔 중합체 및 폴리실아잔의 예는 가울(Gaul)의 미합중국 특허 제4,312,970호(1982년 1월 26일자로 허여); 제4,340,619호(1982년 7월 20일자 허여); 제4,395,460호(1983년 7월 26일자 허여) 및 제4,404,153호(1983년 9월 13일자 허여)에 기술된 바와 같은 폴리실아잔을 포함한다. 또한 적합한 폴리실아잔은 할루스카(Haluska)의 미합중국 특허 제4,482,689호(1984년 11월 13일자 허여) 및 세이페르드(Seyferth) 등의 미합중국 특허 제4,397,828호(1983년 8월 9일자 허여) 및 제4,482,669호(1984년 11월 13일자 허여)에 기술된 폴리실아잔이 있다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 다른 폴리실아잔은 캐내디(Cannady)의 미합중국 특허 제4,540,803호(1985년 9월 10일자 허여); 제4,535,007호(1985년 8월 13일자); 제4,543, 344호(1985년 9월 24일자 허여); 및 바네이(Baney)등의 미합중국 특허원 제652,939호(1984년 9월 21일자 출원)에 기술되어 있다. 또한, H2SiX2의 반응(여기서, X는 할로겐 원자 및 NH3이다.)에 의해 제조된 디하이드리도실아잔 중합체가 본 발명에서 사용하기에 적합하다. 이러한 (H2SiNH)n 중합체는 당해 기술분야에 공지되어 있지만 전자장치의 보호용으로 사용되지는 않았다(참조 : 예를 들어, 1983년 8월 9일 허여된 세이페르드의 미합중국 특허 제4,397,828호).
전자 장치의 보호를 위한 본 발명의 영역내에 유용한 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 물질로서 또한 사이클릭 실아잔과 할로겐화 디실란의 반응으로부터 유도된 신규 예비세라믹중합체, 및 사이클릭 실아잔과 할로실란과의 반응으로부터 유도된 신규 예비 세라믹 중합체가 포함된다. 이러한 물질은 로렌 에이 할루스카(Loren A. Haluska)의 명의로 출원된 특허원 제926,145호(발명의 명칭 : 사이클릭 실아잔과 할로겐화 디실란으로부터 유도된 신규 예비세라믹중합체 및 이의 제조 방법) 및 제926,607호(발명의 명칭 : 사이클릭 실아잔과 할로실란으로부터 유도된 신규 예비 세라믹 중합체 및 이의 제조 방법)에 기술되어 있고 특허청구되어 있다. 사이클릭 실아잔 및 할로실란 및/또는 할로겐화 디실란으로부터 유도된 상기의 신규 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체는 또한 예비 세라믹 중합체의 세라믹화에 필요한 온도에서 온도에 견딜 수 있는 어떠한 기질의 보호에 유용하다. 더욱이 다른 실리콘- 및 질소-함유 물질이 본 발명에 사용하기에 적합하다.
본 발명에 있어서, 실리콘 및 질소를 함유하는 예비 세라믹 중합체를 톨루엔 또는 n-헵탄과 같은 용매중에서 저급 고체(예를 들어, 0.1 내지 5중량%)로 희석시킨다. 실리콘 질소-함유 중합체 용매액을 상술한 어떠한 방법에 의해, 세라믹화된 SiO2-함유 물질로 이미 피복된 전자 장치상에 피복시키고 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 건조시켜 용매를 건조시킨다. 이러한 방법에 의해 아르곤하에 400℃까지 온도로 대략 1시간동안 피복된 장치를 가열시켜 세라믹화된 예비 세라믹 중합체 피복물을 침착시킨다. 따라서 2μ(또는 대략 3000 내지 5000Å) 미만의 얇은 세라믹 또는 세라믹-유사 수동화 피복물이 장치상에 형성된다.
실리콘 질소-함유 예비 세라믹 중합체를 세라믹화하거나 부분적으로 세라믹화하는데 바람직한 온도 범위는 200 내지 400℃이다. 실리콘 질소-함유 예비 세라믹 중합체를 세라믹화하는데 더욱 바람직한 온도 범위는 300 내지 400℃이다. 그러나, 실리콘 질소-함유 피복물의 세라믹화 또는 부분적 세라믹화를 위해 열을 적용시키는 방법은 통상적인 열적 방법에 제한되지 않는다.
본 발명에서 평면화 및 수동화 피복물로서 유용한 실리콘 질소-함유 중합체 피복물을 또한, 예를 들어 레이져 빔에 노출시키는 바와 같이 다른 조사 방법에 노출시키는 바와 같이 다른 조사 방법에 의해 경화될 수도 있다. 그러나 본 발명은 400℃ 미만의 세라믹화 온도로 한정되지는 않는다. 1000℃ 이하의 온도를 이용한 세라믹화 기술이 당해 기술분야의 숙련가에게는 자명할 것이며, 상기 온도에서 기질이 견딜수 있는 본 발명에 있어서 유용할 것이다.
본 발명에서 '경화'란 용어는 고형 중합체 세라믹, 또는 세라믹-유사 피복물을 형성할 수 있을 정도로 가열하는 출발 물질의 공반응 및 세라믹화 반응 또는 부분적 세라믹화 반응을 의미한다.
다른 방법으로는, 본 발명의 3층 피복물에서 제2 및 수동화 피복물은 실리콘 질소-함유 물질, 실리콘 탄소 질소-함유 물질, 및 실리콘 탄소-함유 물질로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 실리콘 질소-함유 물질은 실란, 할로실란, 할로폴리실란, 또는 할로디실란 및 암모니아의 반응에 의해 형성된 반응 생성물의 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD에 이해 침착된다. 실리콘 탄소-함유 물질은 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로폴리실란, 또는 할로디실란 및 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 반응에 의해 형성된 반응 생성물의 CVD 또는 플라즈마 보강 CVD에 의해 침착된다. 실리콘 탄소 질소-함유 물질은 헥사메틸디실아잔의 CVD 또는 PECVD 또는 실란, 알킬실란, 알칸 및 암모니아를 함유하는 혼합물의 CVD 또는 PECVD에 의해 침착된다.
본 발명의 실리콘-함유 제3층 또는 합성 피복물의 상부 피복물은 상술한 바와 유사한 미합중국 특허원 제835,029호(1986년 2월 26일 출원, Sudarasanan Varaprath의 "실리콘-함유 피복물 및 이의 제조 방법"이란 명칭의 특허출원)에 청구된 금속 보조 CVD 방법 또는 통상적인 비금속-보조 CVD 방법 또는 플라즈마 보강 CVD 방법에 의해 비교적 저온 반응에서 얻어질 수 있다. 금속-보조 CVD 방법은 SiCl4, SiBr4, HSiI3, HSiCl3및 HSiBr3로부터 피복물의 침착에 특히 적합하다.
본 발명에 의해 피복되어지는 기질 및 장치의 선택은 분해 용기의 대기중 저분해 온도에서 기판의 열적 및 화학적 안정도의 요구에 의해서만 한정된다.
본 발명의 방법은 세라믹화된 수소 실세스퀴옥산 수지 (HSiO3/2)n 물질 및 세라믹화된 실리콘 질소-함유 물질로 피복된 전자 장치상에, 감소된 실리콘 할라이드의 농도에 의존하여 원하는 대로 변형시킬 수 있는 두께의 실리콘-함유 상부 피복물을 제공한다. 본 발명의 상부 피복물은 당해 분야에서 공지된 특정의 방법에 의해 침착시킬수 있다.
본 발명에 의해 형성된 피복물은 저결함 밀도를 가지며 보호 피복물로서 내부식성 및 내마모성 피복물로서, 내온성 및 내습성 피복물로서, 및 Na+및 Cl-와 같은 이온성 불순물에 대한 확산 장애물로서, 및 유전층으로서 전자장치상에 유용하다. 또한 피복물은 유전체, 트랜지스터형 장치를 제조하는 도우프된 유전체층, 커페시터 및 커페시터형 장치를 제조하는 실리콘 함유 안료 로우딩된 바인더 시스템, 다층장치, 3-D장치, 실리콘-온-절연체(SOI) 장치, 및 초격자 장치로서 유용하다. 또한 본 발명의 SiO2및 실리콘 질소-함유 세라믹 또는 세리믹-유사 피복물은 전자장치의 몸체내 및 금속화층 사이의 상호레벨 절연체로서 유용하며, 스핀-온 글래스(Spin-on glass) 필름을 대체할 수 있다.
본 발명에 의해 형성된 피복물의 다른 유일한 양상은 전자선에 대한 이의 투명도이다. 따라서 본 발명의 피복물의 특이한 이점은 전자선이 통과할 수 있거나 피복된 장치로 부터 방사될 수 있는 촛점면 배열, 광전자 또는 광전자 장치상에 유용한 것이다.
본 발명을 추가로 예시하기 위해 하기 실시예를 제공하나 이들로서 본 발명을 제한하지 않는다.
[실시예 1]
[비촉매화된 평면화 피복물]
1971년 10월 26일자 허여된 프라이 등의 미합중국 특허 제3,615,272호의 방법으로 제조한 예비 세라믹 중합체 함유 수소 실세스퀴옥산 수지(HSiO3/2)n를 n-헵탄중에 5중량% 저급 고체로 희석한다. 그후 예비 세라믹 중합체 용매 용액을 CMOS 전자장치상에 유동피복시키고, 건조시켜 용매를 증발시킨다. (HSiO3/2)n 수지를 공기중에 60분간 산화시켜 SiO2를 형성한다. 이로써 피복된 전자장치를 400℃의 2인치 린드버그(Lindberg) 용광로에서 약 1시간 동안 가열함으로써 세라믹화된 전자장치상에 예비 세라믹 중합체 피복물을 침착시킨다. 이리하여 2μ(또는 약 400Å) 미만의 얇은 세라믹 평면화 피복물을 전자장치상에 제공한다. 중량분석 결과 산화성 경화중에 야기된 수소 실세스퀴옥산 수지의 중량손실이 20%임을 알았다.
[실시예 2]
[백금 촉매화된 평면화 피복물]
실시예 1의 방법으로 제조한 예비 세라믹 중합체 함유 수소 실세스퀴옥산 수지(HSiO3/2)n를 n-헵탄중에 5중량% 저급 고체로 희석한다. 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 (CH3CH2S)2PtCl260ppm이 용해되어 있는 톨루엔 0.01g으로 촉매화한다. 그후 촉매화된 예비 세라믹 중합체 용매 용액을 CMOS 전자장치상에 유동피복시키고, 건조시켜 용매를 증발시킨다. (HSiO3/2)n 수지를 공기중에 60분간 산화하여 SiO2를 형성한다. 이로써 피복된 전자장치를 400℃에서 약 1시간 동안 가열함으로써 세라믹화된 전자장치상에 예비 세라믹 중합체 피복물을 침착시킨다. 이리하여 2μ(또는 약 4000Å)미만의 얇은 세라믹 평면화-피복물을 전자장치상에 제공한다. 중량 분석 결과 산화성 경화중에 야기된 수소 실세스퀴옥산 수지의 중량손실이 14%임을 알았다. 백금 촉매로 인한 수소 실세스퀴옥산 수지의 산화성 경화 도중의 중량손실 감소에서의 현저한 개선은 수지의 가교결합이 개선된, 세라믹화에서 중요한 특성인 고분자량 중합체의 형성을 의미한다.
[실시예 3]
[로듐 촉매]
예비 세라믹 중합체 함유 수소 실세스퀴옥산 수지를 n-헵탄중에 1중량% 저급 고체로 희석한다. 예비 세라믹 중합체 용액을 로듐 촉매 RhCl3(CH3CH2CH2CH2S)3(미시간 미들랜드 소재의 다우 코닝 코포레이션에서 DC 2-7039로 시판)의 n-헵탄중의 0.5% 용액 0.01g을 가하여 촉매화한다. 그후 촉매화된 용액을 전자장치상에 유동피복하고 60분간 건조시켜 용매를 증발시킨다. 그후 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 산화시키고 피복된 전자장치를 2인치 린드버그 용광로에서 400℃로 1시간 가열하여 세라믹화하여 장치상에 SiO2-함유 피복물을 형성시킨다.
[실시예 4]
미합중국 특허 제4,540,803호의 실시예 1에 있는 캐내디의 방법에 의해 제조된 예비 세라믹 실아잔 중합체를 톨루엔에 1.0중량%로 희석시킨다. 그런 후 예비 세라믹 실아잔 중합체 용매액을 실시예 2 및 3의 방법에 의해 피복된 전자장치상에 유동 피복시키고 공기의 부재하에 건조시켜 용매를 증발시킨다. 이러한 방법에 의해서 아르곤하에 400℃에서 대략 1시간 동안 피복된 장치를 가열하여 세라믹화시킨 예비 세라믹 중합체 수동화 피복물을 침착시킨다. 따라서 2μ(또는 대략 3000Å)미만의 얇은 실리콘-질소-함유 세라믹 또는 세라믹-유사 수동화 피복물을 장치상에 형성시킨다.
[실시예 5]
실시예 4의 방법을 사용하여 미합중국 특허 제4,482,689호의 실시예 13에 있는 할루스카의 방법에 의해 제조된 약 5% 티타늄을 함유하는 예비 세라믹 실아잔 중합체를 SiO2-함유 피복된 실시예2의 전자장치상에 유동 피복시키고 건조에 의해 용매를 증발시킨다. 이러한 방법에 의해서 아르곤하에 400℃ 미만에서 대략 1시간 동안 피복된 장치를 가열하여 세라믹화시킨 실리콘 질소-함유 예비 세라믹 중합체 피복물을 침착시킨다. 따라서 2μ(또는 대략 3000Å)미만의 얇은 실리콘 질소-함유 세라믹 또는 세라믹-유사 수동화 피복물을 장치상에 형성시킨다.
[실시예 6]
실시예 4의 방법을 사용하여, 미합중국 특허 제4,395,460호의 실시예 1에 있는 가을의 방법에 의해 제조된, 예비 세라믹 실아잔 중합체를 SiO2-함유 피복된 실시예2의 방법으로 제조한 전자장치상에 피복시키고 건조시켜 용매를 증발시킨다. 이러한 방법에 의해서 아르곤하에 400℃ 미만의 온도에서 대략 1시간 동안 피복된 장치를 가열하여 세라믹화시킨 예비 세라믹 중합체 피복물을 침착시킨다. 따라서 2μ(또는 약 3000Å)미만의 얇은 실리콘 질소-함유 세라믹 또는 세라믹-유사 수동화 피복물의 장치상에 형성시킨다.
[실시예 7]
미합중국 특허 제4,397,828호의 실시예 1에 있는 세이페르드의 방법에 의해 제조된 디하이드리도 실아잔 중합체의 디에틸 에테르중 1 내지 2중량% 용액을 상기 실시예 2의 방법에 의해 이미 피복된 CMOS 장치상에 유동 피복시킨다. 피복된 장치를 400℃에서 1시간 동안 질소하에 가열시킨다. 피복 및 열분해 처리는 CMOS 회로 측정기에 의해 측정한 바에 따르면, 장치기능에 역효과를 주지 않는다. 피복된 장치는 회로 파괴 전까지 4.5시간 이상 동안 0.1M NaCl 노출을 견디었다. 비보호된 CMOS 장치는 1분 미만 동안 0.1M NaCl 용액에 노출된 후에도 기능이 파괴된다.
[실시예 8]
실시예 5, 6 및 7의 평면화 및/또는 수동화 피복물로 피복된 전자장치를 다음과 같이 본 발명의 제3피복물로 오버코팅(overcoating)시킨다.; 500 Torr 헥사플루오로디실란을 촉매화된 SiO2피복물 및 세라믹화 실리콘 질소-함유 물질로 미리 처리된 전자장치와 함께 파이렉스 유리 반응용기에 넣는다. 헥사플루오로디실란을 대기에 노출을 배제하는 방식으로 유리용기에 옮긴다. 그런 후 반응 용기를 진공라인에 연결하여, 내용물로 배기화시키고, 진공하에서 산소 가스 토오치로 용기를 완전히 가열시킨다. 용기를 천연 산호 가스 토오치로 봉하고 대약 360℃의 온도에서 30분 동안 오븐에서 가열시킨다. 상기 시간 동안, 헥사플루오로디실란 출발물질은 분해되어 미리 피복된 전자장치상에 실리콘-함유 상부 피복물이 형성된다. 반응 부산물, 다양한 할로실란의 혼합물 및 미반응 출발물질은 용기를 진공라인에 재연결한 후 배기에 의해 제거한다. 그런 후 분해된 헥사플루오로디실란 출발물질이 실리콘-함유 상부피복물로 침착된 상기 세라믹 피복된 전자 장치를 분리한다.
[실시예 9]
실시예 8에 기술한 방법을 사용하여, 디클로로디실란을 세라믹 또는 세라믹-유사 SiO2 및 실리콘 질소 피복 전자장치의 존재하에서 열로 분해시킨다. 따라서 무정형 실리콘-함유 상부피복물이 세라믹 또는 세라믹-유사 피복 전자장치상에 침착된다. 피복된 장치를 시험하면 모든 전자회로가 작동한다.

Claims (29)

  1. (Ⅰ) (A) 수소 실세스퀴옥산 수지를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자장치에 적용시킴으로써, 전자장치를 평면화(planarizing) 피복물로 피복하고; (B) 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 침착시키고; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) (ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, 및 (ⅲ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물 중에서 선택된 수동화(passivating) 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물에 적용(여기에서, 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, (b) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, 및 (c) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹화 중에서 선택된 방법으로, 전자장치의 평면화 피복물상에 적용시키고; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸디실아잔의 화학적 증기 침착, (2) 헥사메틸디실아잔의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, (3) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (4) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로, 전자장치의 평면화 피복물상에 적용시키며; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (ⅰ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (ⅱ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기침착 중에서 선택된 방법으로 침착시킨다)시켜 수동화 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (Ⅲ) (ⅰ) 실리콘 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, (ⅲ) 실리콘 질소-함유 피복물, 및 (ⅳ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물 중에서 선택된 실리콘-함유 피복물을 수동화 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물에 적용(여기에서, 실리콘 피복물은 (a) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, (b) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, 및 (c) 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 금속-보조 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로 수동화 피복물상에 적용시키고; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (1) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (2) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 알킬실란, 할로실란 할로디실란 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로 적용시키며; 실리콘 질소-함유 피복물은 (A) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, (B) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, 및 (C) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹화 중에서 선택된 방법으로 침착시키고; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (ⅰ) 헥사메틸디실아잔의 화학적 증기 침착, (ⅱ) 헥사메틸디실아잔의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, (ⅲ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (ⅳ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로 침착시킨다)시켜 실리콘-함유 피복물을 생성함으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  2. (Ⅰ) (A) 수소 실세스퀴옥산 수지를 용매를 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자장치상에 적용시킴으로써, 전자장치를 평면화 피복물로 피복하고; (B) 촉매화된 묽은 수지 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 침착시키고; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도에서 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) (ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, 및 (ⅲ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물 중에서 선택된 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물에 적용(여기에서, 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, (b) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, 및 (c) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹 중에서 선택된 방법으로, 전자장치의 평면화 피복물상에 적용시키고; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸디실아잔의 화학적 증기 침착, (2) 헥사메틸실아잔의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착, (3) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (4) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로, 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 적용시키며; 실리콘 탄소-함유 피복물을 (ⅰ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 알킬실란, 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (ⅱ) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 알킬실란, 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마-보강 화학적 증기 침착 중에서 선택된 방법으로 침착시킨다)시켜 수동화 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시킴으로써 이중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 이중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  3. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지을 용매로 희석하고 희석된 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매한 후 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 전자장치에 적용시킴으로써, 전자장치를 평면화 피복물로 피복하고; (B) 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 침착시키고; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 생성시킴으로써 단일층의 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 단일층의 세라믹 또는 세라믹-유사 평면화 피복물을 형성시키는 방법.
  4. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고, (B) 세라믹 피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃에서 중기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물을 반응 챔버내에서 분해하는 수단을 사용하여 실리콘-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중충의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사피복물을 형성시키는 방법.
  5. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스 퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 암모니아를 반응 챔버내에서 분해하는 수단을 사용하여 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사를-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  6. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 알킬실란, 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물 및, 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란을 반응 챔버내에 분해하는 수단을 사용하여 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사피복물을 형성시키는 방법.
  7. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃중에서 증기상의 헥사메틸디실아잔을 반응 챔버내에서 분해하는 수단을 사용하여 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  8. 제1항의 방법으로 제조된 피복물.
  9. 제2항의 방법으로 제조된 피복물.
  10. 제3항의 방법으로 제조된 피복물.
  11. 제4항의 방법으로 제조된 피복물.
  12. 제5항의 방법으로 제조된 피복물.
  13. 제6항의 방법으로 제조된 피복물.
  14. 제7항의 방법으로 제조된 피복물.
  15. 제1항의 방법으로 제조된 전자장치.
  16. 제2항의 방법으로 제조된 전자장치.
  17. 제3항의 방법으로 제조된 전자장치.
  18. 제4항의 방법으로 제조된 전자장치.
  19. 제5항의 방법으로 제조된 전자장치.
  20. 제6항의 방법으로 제조된 전자장치.
  21. 제7항의 방법으로 제조된 전자장치.
  22. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 200 내지 6000℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 이의 혼합물을 반응 챔버내에서 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘-함유 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  23. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물을 및 암모니아를 반응 챔버내에서 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  24. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-유사 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란을 반응 챔버내에서 분해시키는 수단을 사용하여 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  25. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹 유사 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 헥사메틸디실아잔을 화학적 증기 침착시키는 수단을 사용하여 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사피복물을 형성시키는 방법.
  26. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-유사 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 전자장치상에 적용시키고; (C) 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치의 존재하에 150 내지 1000℃에서 헥사메틸디실아잔을 플라즈마-보강 화학적 증기침착시키는 수단을 사용하여 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물 피복된 전자장치상에 적용시킴으로써 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 전자장치상에 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 다중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  27. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 물질을 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후, 전자장치를 상기의 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액으로 피복함으로써 전자장치를 피복물로 피복하고, 촉매화된 묽은 예비세라믹 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 침착시키고, 피복된 장치를 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지를 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시키고; (B) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치를 피복하고, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 전자장치상에 침착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 150 내지 1000℃로 가열하여 수동화 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질을 함유하는 수동화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 장치상에 적용시킴으로써 전자장치상에 이중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 제공함을 특징으로 하여, 기질상에 이중층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
  28. (1) 사이클릭실아잔 또는 사이클릭실아잔의 혼합물을 할로디실란 및 할로실란 중에서 선택된 실리콘-함유 물질과 반응시켜 제조한 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체를 용매로 희석시키고; (2) 희석된 예비세라믹 중합체 용매 용액으로 기질을 피복시키고; (3) 희석된 예비세라믹 중합체 용매 용액을 공기 부재하 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 예비세라믹 중합체 피복물을 기질상에 침착시키고; (4) 피복된 기질을 공기부재하 가열하여 세라믹 또는 세라믹-유사물-피복된 기질을 생성시킴을 특징으로 하여, 기질을 세라믹 또는 세라믹-유사 실리콘 질소-함유물질로 피복하는 방법.
  29. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지를 용매로 희석하고 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화한 후 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 기질에 적용시킴으로써, 기질을 평면화 피복물로 피복하고; (B) 촉매화된 묽은 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 건조시킴으로써 용매를 증발시켜 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 기질상에 침착시키고; (C) 피복된 기질을 150 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 예비세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 생성시킴을 특징으로 하여, 기질상에 단일층의 세라믹 또는 세라믹-유사 피복물을 형성시키는 방법.
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128494A (en) * 1985-04-26 1992-07-07 Sri International Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products
US4898907A (en) * 1986-12-03 1990-02-06 Dow Corning Corporation Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin
US4756977A (en) * 1986-12-03 1988-07-12 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane
US4826733A (en) * 1986-12-03 1989-05-02 Dow Corning Corporation Sin-containing coatings for electronic devices
US5008320A (en) * 1986-12-04 1991-04-16 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
US4753855A (en) * 1986-12-04 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
DE3906405A1 (de) * 1989-03-01 1990-09-06 Leybold Ag Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstands
CA2027031A1 (en) * 1989-10-18 1991-04-19 Loren A. Haluska Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5059448A (en) * 1990-06-18 1991-10-22 Dow Corning Corporation Rapid thermal process for obtaining silica coatings
US5380553A (en) * 1990-12-24 1995-01-10 Dow Corning Corporation Reverse direction pyrolysis processing
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
US5339211A (en) * 1991-05-02 1994-08-16 Dow Corning Corporation Variable capacitor
US5300322A (en) * 1992-03-10 1994-04-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride
US5567661A (en) * 1993-08-26 1996-10-22 Fujitsu Limited Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound
US5508238A (en) * 1995-05-11 1996-04-16 Dow Corning Corporation Monolithic ceramic bodies using modified hydrogen silsesquioxane resin
US5635240A (en) * 1995-06-19 1997-06-03 Dow Corning Corporation Electronic coating materials using mixed polymers
US5661092A (en) * 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
US6143855A (en) 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
TW392288B (en) 1997-06-06 2000-06-01 Dow Corning Thermally stable dielectric coatings
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US5906859A (en) * 1998-07-10 1999-05-25 Dow Corning Corporation Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin
JP3543669B2 (ja) 1999-03-31 2004-07-14 信越化学工業株式会社 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法
WO2000077575A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6440550B1 (en) 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6572974B1 (en) 1999-12-06 2003-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins
JP2001214127A (ja) 2000-01-31 2001-08-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 電気絶縁性薄膜形成性樹脂組成物、および電気絶縁性薄膜の形成方法
US6913796B2 (en) * 2000-03-20 2005-07-05 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing process for porous low-k materials
US7011868B2 (en) * 2000-03-20 2006-03-14 Axcelis Technologies, Inc. Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials
US6759098B2 (en) 2000-03-20 2004-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials
US6576300B1 (en) 2000-03-20 2003-06-10 Dow Corning Corporation High modulus, low dielectric constant coatings
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6764958B1 (en) 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US20030194496A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US7288205B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
DE102005059303A1 (de) * 2005-12-09 2007-06-21 Basf Ag Nanoporösen Polymerschaumstoffe aus Polykondensations-Reaktivharzen
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
JP4961371B2 (ja) * 2008-02-29 2012-06-27 日立アプライアンス株式会社 空気調和機の熱源機
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
WO2016167892A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4404153A (en) * 1981-01-15 1983-09-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4340619A (en) * 1981-01-15 1982-07-20 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4312970A (en) * 1981-02-20 1982-01-26 Dow Corning Corporation Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes
US4395460A (en) * 1981-09-21 1983-07-26 Dow Corning Corporation Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom
JPS5866335A (ja) * 1981-10-16 1983-04-20 Fujitsu Ltd 集積回路
US4397828A (en) * 1981-11-16 1983-08-09 Massachusetts Institute Of Technology Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process
JPS60112683A (ja) * 1983-11-22 1985-06-19 日本曹達株式会社 セラミック基板の表面平滑化方法
US4543344A (en) * 1983-11-28 1985-09-24 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3
US4540803A (en) * 1983-11-28 1985-09-10 Dow Corning Corporation Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3
US4482669A (en) * 1984-01-19 1984-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Preceramic organosilazane polymers
US4482689A (en) * 1984-03-12 1984-11-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom
US4535007A (en) * 1984-07-02 1985-08-13 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramics

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Publication number Publication date
KR880007406A (ko) 1988-08-27
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