CN109427692B - 封装薄膜及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种封装薄膜及其制备方法和应用。本发明封装薄膜包括陶瓷和填充在陶瓷晶粒之间的金属。本发明的封装薄膜具有优异的水氧阻隔作用和优异的导热性，保证了被封装电子元件电化学性能的稳定，延长了电子元件工作寿命。其制备方法保证了封装薄膜的结构稳定和隔水氧性能优异。其应用包括在电子装置中的应用。
Description
技术领域
本发明属于包封膜技术领域，具体涉及一种封装薄膜、包含所述封装薄膜的电子装置和及其制备方法和应用。
背景技术
封装薄膜可以用于保护对外部因素如水分或氧气敏感的电子元件(如二极管)、太阳能电池或者二次电池。
电子元件的寿命是非常重要的一项参数。提高电子元件的寿命，使其达到商用水平，封装是至关重要的一个环节。对于电子元件而言，封装不仅仅是防止划伤等物理保护，更重要的是防止外界环境中水汽，氧气的渗透。这些环境中的水汽渗透到器件内部，会加速器件的老化。因此电子元件的封装结构必须具有良好的渗透阻挡功能。
电子元件的老化过程主要表现为非发光区域(黑点)的形成和恒流驱动下亮度随时间的衰减，主要因为发光层的多数有机物质对大气中的污染物、氧气以及潮气都十分敏感。在实际工作时，阴极被腐蚀10％就会严重影响器件的工作。因此，发展高性能的封装材料将对提高器件的效率和延长器件的寿命起到事半功倍的作用。
当前，商用电子元件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。相对比于传统的盖板封装，薄膜封装能够明显降低器件的厚度与质量，约节省50％的潜在封装成本，同时薄膜封装能适用于柔性器件。由于薄膜封装将不再使用金属或玻璃盖板、密封胶和干燥剂，可使电子元件薄膜产品更加轻便，与基底结合更紧密，更符合柔性要求。薄膜封装技术将是发展的必然趋势。
目前，薄膜封装技术所用的材料有以陶瓷为代表的无机膜层。虽然陶瓷膜具有良好的水、氧阻隔性，良好的阶梯型覆盖以及极佳的厚度均匀性。但是，在生成陶瓷薄膜如碳化硅薄膜的过程中缺陷(针孔、裂纹等)会不可避免地产生，缺陷的存在大大降低了其阻隔能力，对水氧阻隔性达不到器件的封装要求。同时陶瓷膜会产生较大的应力，严重影响封装质量。另外，当设置多层多层陶瓷膜本体结构时，热膨胀系数的差异，使得多层陶瓷膜在叠加时容易产生兼容性的问题，进而影响封装薄膜质量。
正因现有无机膜层具有上述封装缺陷，在一专利中，将无机或有机膜层主要用于热传递层作用，如在欧司朗OLED有限责任公司的一份专利中公开了采用膜层封装，具体是采用有机或无机封装层，并在膜层封装层外表面还增设一金属层。因此，根据其封装层的作用，其主要起到将热传递至金属层以便散热。而且其没有具体公开有机或无机为何种材料以及形成的工艺条件。因此，如何提高电子元件如电子元件的封装效果目前本行业一直在努力解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种封装薄膜及其制备方法，以解决现有如采用陶瓷作为封装薄膜水氧阻隔能力差的技术问题。
本发明另一目的在于提供一种电子装置和其制备方法，以解决现有电子装置由于封装构件水氧阻隔性差，结构不稳定等因素造成的电子装置性能稳定性差，寿命不理想的技术问题。
为了实现上述发明目的，本发明一方面，提供了一种封装薄膜。所述封装薄膜包括陶瓷和金属，所述金属填充在陶瓷晶粒之间。
本发明另一方面，提供了一种电子装置。所述电子装置包括：
衬底；
在衬底上形成的电子元件；和
本发明封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件。
本发明又一方面，提供了一种电子装置的制备方法。所述电子装置的制备方法包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在基材上形成本发明的封装薄膜，对所述电子元件进行封装。
与现有技术相比，本发明封装薄膜采用陶瓷晶粒作为封装薄膜的骨架结构，将金属填充在陶瓷晶粒之间。这样，由于金属填充在陶瓷晶粒之间，物理性堵住了水氧渗透的入口，通过金属与陶瓷协同作用，使得封装薄膜的水氧阻隔性明显增强。另外，金属填充在陶瓷颗粒之间，从而在封装膜中的陶瓷颗粒处形成导热网络通道，赋予所述封装薄膜的导热性能，能够将被封装的电子元件工作中产生的热量迅速导出，从而有效提高了被封装的电子元件工作的稳定性，延长了电子元件的使用寿命。
本发明电子装置采用所述本发明封装膜层封装所述电子元件。这样本发明电子装置所含的封装膜层能够有效隔绝空气中水氧对被封装电子元件的损害，并能有效将工作热量导出，从而保证被封装电子元件的电化学性能稳定。因此，本发明电子装置工作性能稳定，导热性能优异，且工作寿命长。
本发明电子装置的制备方法直接在电子元件需要封装的部位形成所述本发明封装薄膜，因此，制备的电子装置封装效果好，能够有效阻隔水氧对被封装的电子元件损害，同时能够有效起到导热作用，将被封装电子元件工作中产生的热量有效导出，使得制备的电子装置工作性能稳定，且工作寿命长。另外，本发明制备方法工艺条件易控，保证了制备的封装薄膜的性能稳定，降低了制备成本。
附图说明
图1是本发明实施例封装薄膜结构示意图；
图2是本发明实施例电子装置一种结构示意图；
图3是本发明实施例电子装置另一种结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例中，对下文名词做出如下说明。
本发明所用术语“电子装置”指具有如下结构的电子元件，所述电子元件在一对彼此面对的电极之间包括利用与电子产生电荷交换的材料层，作为举例包括光伏器件、整流器、发射机、电学发光器件，但本申请不限于此。所述电学发光器件包括OLED、QLED但不限于此。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的功能，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。
一方面，本发明实施例提供一种含有阻隔水氧效果优异，结构稳定的封装薄膜。所述封装薄膜结构如图1所示，封装薄膜20包括陶瓷晶粒21与金属22形成的复合物层结构。在所述封装薄膜20中，由于陶瓷晶粒21紧密堆积形成封装薄膜20的陶瓷晶粒骨架，但是由于无论陶瓷颗粒如何紧密堆积，在相邻陶瓷晶粒21之间也即是相邻陶瓷晶粒21晶界之间或多或少存在间隙，此时，在所述间隙内填充也即是相邻陶瓷晶粒21晶界之间填充有所述金属22。需要说明的是，金属22填充在陶瓷晶粒21中陶瓷晶粒晶界之间，进一步的，在一些具体的实施例中，金属22在填充陶瓷晶粒晶界之间后溢出至陶瓷晶粒21形成的骨架表面。这样，陶瓷晶粒21与金属22两者形成一复合物膜层，在发挥各自特性的基础上，发挥两者增效作用，赋予封装薄膜20优异阻隔水氧渗透和导热性。
具体地，所述陶瓷晶粒21堆积作为封装薄膜20的膜层骨架。因此，所述陶瓷晶粒21形成的膜层骨架赋予封装薄膜20良好的阶梯型覆盖以及极佳的厚度均匀性。一实施例中，所述形成所述陶瓷晶粒21材料可以选用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铜、氧化镁和氧化锌等中的至少一种。采用所述材料制备得到的所述封装薄膜均匀、致密。
所述金属22起到堵塞修复剂和导热剂的作用，其填充在陶瓷晶粒21晶界之间，一方面物理性堵住了陶瓷晶粒21形成的膜层骨架中存在的缺陷和孔洞的入口，也即是水氧渗透的入口，通过与陶瓷晶粒21的协同作用，使得封装薄膜20的水氧阻隔性明显增强。另一方面，填充在陶瓷晶粒21的晶界之间的金属22在陶瓷晶粒21形成的陶瓷晶粒21中形成导热网络通道，起到很好的导热作用，能够将所述封装薄膜20在工作中产生的热量迅速导出，保证所述封装薄膜20的工作稳定性。一实施例中，金属22优选为低熔点的金属，如低于陶瓷晶粒21中陶瓷材料熔点的金属。这样，在成膜过程中，能够在烧结或退火处理过程中，金属22能够熔融，有效填充在陶瓷晶粒21晶界之间。因此，一实施例中，为了使金属22充分填充于陶瓷晶粒21之间，充分消除所述陶瓷晶粒21之间的间隙，所述金属22的熔点等于或低于1000℃，优选的，所述金属22的熔点低于700℃。所述金属22包括碱金属，稀土金属，考虑到碱金属如钠、钾稳定性相对较差，所述金属22可以优选除钠、钾之外的其他金属。部分稀土金属如铷等也具有熔点低的特点，但是由于成本和环境保护等原因，所述金属22可以优选除铷等成本高的部分稀土金属之外的其他金属。因此，在具体实施例中，所述低熔点金属22选用为铝、镁、锡中的至少一种。
在所述各实施例的基础上，根据陶瓷晶粒21和金属22各自的作用和两者协同作用，所述金属22在封装薄膜20中的含量至少是能够填充陶瓷晶粒21晶界之间的间隙。如在一实施例中，金属22的质量占所述金属22与陶瓷晶粒21总质量的1％以上，具体的如1％-5％。以充分发挥金属22的作用和两者之间的所述协同作用，从而使得两者形成具有优异阻隔水氧作用和导热作用的封装薄膜20。
所述各实施例中的封装薄膜20的厚度可以控制为50nm-1μm。通过对封装薄膜20厚度控制，提高阻隔水氧作用效果，从而保证了被封装的电子元件10的电化学性能稳定，延长了电子元件10的工作寿命。
另一方面，本发明实施例提供了一种电子装置。所述电子装置包括衬底01、在所述衬底01上形成的电子元件10和用于封装所述电子元件10的封装薄膜20，如图2-3所示。
其中，衬底01可以是电子元件常用的衬底，具体可以根据电子元件的类型进行灵活选用。如当本发明实施例电子装置为电学发光器件具体为OLED和QLED时，所述衬底01可以选用但不能仅仅为玻璃。
所述电子装置所含的电子元件10可以是需要隔绝氧和水的任何电子元件，如电子元件元件、太阳能电池等。其中，电子元件可以是包括光伏器件、整流器、发射机、电学发光器件等。所述电学发光器件可以是OLED和QLED。
在一实施例中，所述电子元件10为OLED和QLED时，电子元件10可以包括依次层叠结合的底电极11、发光单元层12和顶电极13，如图2-3所示。
一实施例中，所述底电极11可以现有QLED和OLED等底电极。另外，所述底电极11可以是层叠结合在衬底01上，如图2-3。
一实施例中，所述发光单元层12包括空穴功能层121、发光层122和电子功能层123等结构，如图3所示。
其中，所述空穴功能层121可以包括空穴注入层1211、空穴传输层1212中的一层或彼此层叠结合的两层。当空穴功能层121为空穴注入层1211或空穴传输层1212时，是层叠结合在底电极11和发光层122之间；当空穴功能层121为空穴注入层1211和空穴传输层1212复合层时，由底电极11至发光层122方向，空穴注入层1211和空穴传输层1212依次层叠，也即是空穴注入层1211与底电极11层叠结合，空穴传输层1212与发光层122层叠结合。通过增设空穴功能层121，能够有效提高底电极11端的空穴的注入和传输至发光层22中，提高其与电子复合形成激子量，从而提高发光层22的发光效率。在具体实施例中，空穴注入层1211的厚度可以为30-40nm，空穴注入层1211的材料可以但不仅仅为PEDOT：PSS；所述空穴传输层1212的厚度可以为30-50nm，空穴传输层1212的材料可以但不仅仅为poly-TPD、TFB中的至少一种有机物，或者为NiO、MoO3中的至少一种无机物。
所述发光层122的厚度可以是30-60nm，发光层122的材料为不限于核壳量子点、基于渐变壳的量子点、有机磷光或者萤光发光材料。当发光层122的材料为量子点材料发光材料时，所述电学发光器件为量子点发光二极管；当发光层122的材料有机发光材料如萤光发光材料时，所述电学发光器件为有机发光二极管。
所述电子功能层123可以包括电子传输层1231、电子注入层1232中的一层或彼此层叠结合的两层。当电子功能层123为电子传输层1231或电子注入层1232时，是层叠结合在发光层122和顶电极13之间；当电子功能层123为电子传输层1231和电子注入层1232的复合层时，由发光层122至顶电极13方向，电子传输层1231和电子注入层1232依次层叠，也即是电子传输层1231与发光层122层叠结合，电子注入层1232与顶电极13层叠结合。通过增设电子功能层123，能够有效提高顶电极13端的电子的注入和传输至发光层122中，提高其与空穴复合形成激子量，从而提高发光层122的发光效率。在具体实施例中，电子传输层1231的厚度可以为50-150nm，电子传输层1231的材料可以但不仅仅为ZnO、Cs2CO3、Alq3中的至少一种；所述电子注入层的厚度和电子注入层的材料可以是本领域中常规的材料。另外，由于常规的QLED和OLED所含的电子传输层所选的材料如ZnO与电极的能级匹配比较好，通常情况不需要电子注入层。
因此，通过对发光单元层12所含的各功能层结构以及各功能层厚度及材料种类的控制和优化，能够有效提高发光单元层12的发光效率。
所述顶电极13可以是常规的发光二极管的顶电极，如在一实施例中，如为金属银层负极或者铝金属负极。顶电极13的厚度可以是常规的厚度，如为但不仅仅为50-100nm。
所述电子装置所含的封装薄膜20为上文所述的如图1所示封装薄膜20。具体的其包括陶瓷晶粒21与金属22形成的复合物层结构。所述封装薄膜20结构特点如膜层厚度及封装薄膜20所含的陶瓷晶粒21与金属22材料等均如上文所述，为了节约篇幅，在此不再对封装薄膜20和陶瓷晶粒21与金属22特性进行赘述。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的特性或工作的需要，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。以本发明实施例中的发光二极管为例：
所述发光二极管设置在衬底上，发光二极管的底面与衬底结合，所述封装薄膜层叠结合在所述发光二极管的顶面发光二极管对进行封装，具体地，如图2、图3所示，封装薄膜20可以层叠结合在所述发光二极管10所含的顶电极13的顶面上。这样，避免封装薄膜20对发光二极管10的出光率的影响。
另外，本发明实施例所述的封装可以只覆盖电子元件10的所有顶面和/或侧面等需要覆盖部位。具体在采用上文所述的封装薄膜20封装电子元件10时，可以将封装薄膜20与电子元件10需要封装的部位接触。
所述电子装置通过含的封装薄膜20所具有的优异阻隔水氧性和结构稳定性以及优异的导热性，从而保证了所述电子元件如发光二极管电化学性能的稳定，延长了所述电子装置的工作寿命。
又一方面，在上文所述电子装置的基础上，本发明实施例提供了所述电子装置的一种制备方法。结合图1-3，所述电子装置的制备方法包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在所述基材上形成所述的封装薄膜20，对所述电子器件进行封装。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的特性或工作的需要，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。以本发明实施例中的发光二极管为例：
所述发光二极管设置在衬底上，发光二极管的底面与衬底结合，所述封装薄膜层叠结合在所述发光二极管的顶面发光二极管对进行封装，具体地，如图2、图3所示，封装薄膜20可以层叠结合在所述发光二极管10所含的顶电极13的顶面上。这样，避免封装薄膜20对发光二极管10的出光率的影响。
形成所述封装薄膜20的方法包括将陶瓷材料和金属采用共溅射成膜、共蒸发成膜、射频溅射成膜、溶液掺杂后旋涂成膜、溶液掺杂后打印成膜中的任一种方法形成初始膜层，对所述初始膜层进行退火处理。
在其中一种具体的实施方式中，可以采用将陶瓷材料和金属共溅射的方法形成初始膜层，所述共溅射成膜的工艺条件为：射频溅射功率为30-60W，同时直流溅射功率为100-300W，溅射气压0.5-1Pa，共同沉积的速率0.5-1nm/s。
在其中一种具体的实施方式中，可采用射频溅射成膜的方法形成初始膜层，频溅射成膜的工艺条件为：射频溅射功率为30-80W，溅射气压0.5-1Pa溅射速率0.5-1nm/s。在所述工艺条件下制备得到封装薄膜中陶瓷晶粒粒径分布均匀、致密。
其中，所述射频溅射成膜的采用靶材可以采用如下方法制备得到：
S01：将金属颗粒与陶瓷粉体进行第一磨处理，后进行干燥处理，形成混合物粉末；
S02：将所述混合物粉末进行预烧结处理后进行二次球磨处理，获得靶材前驱体；
S03：将所述靶材前驱体模压成型处理后进行烧结处理。
其中，所述步骤S01中的第一次磨处理可以是先混合再进行球磨处理，当然也可以直接将金属颗粒与陶瓷粉体直接加入球磨机中进行球磨处理。一实施例中，所述球磨处理的球磨转速为200-500rad/min，球磨时间为4-12h。通过球磨处理，一方面能够有效对金属颗粒与陶瓷粉体粒径大小控制，还能提高金属颗粒与陶瓷粉体的混合度。
所述步骤S01的干燥处理是为了除去球磨处理后的混合物中的球磨溶剂。如一实施例中，所述干燥处理的温度为80℃-120℃，直至充分除去溶剂。
所述步骤S02中的对混合物粉末预烧结温度为800-1200℃，保温时间为2-8h，对混合物粉末进行预烧结处理。
所述步骤S02中的是二次球磨处理可以按照所述步骤S01中的球磨处理条件对预烧结处理的混合物粉末进行球磨，再次提高金属颗粒与陶瓷粉体的混合度。
所述步骤S03中的所述模压成型处理的成型压力为5-10MPa，保压时间2-10min，从而将经过球磨处理后的模压成靶材胚体。所述步骤S03中的所述烧结处理的1000-1300℃。
采用射频溅射成膜的方法或采用将陶瓷材料和金属共溅射的方法形成的初始膜层为上文所述的封装薄膜20的前驱体。退火处理的温度为400-700℃，退火时间为0.5-2h。所述退火处理，能够有效使得所述各方法制备的初始膜层中陶瓷晶粒21烧结，形成陶瓷晶粒骨架，此时，胚体中的金属22在退火处理过程中熔融，有效至少填充在陶瓷晶粒21的晶界之间，充分发挥金属22的堵塞修复陶瓷晶粒中孔洞和缺陷，起到阻隔水氧作用和导热作用。
在上文所述电子装置制备方法的各实施例基础上，优选的，所述金属22与陶瓷材料21之间的含量关系如上文所述，如一实施例，形成封装薄膜20中的金属22的质量分数为封装薄膜的1％以上，具体可以是1％-5％。另一实施例中，所用的陶瓷晶粒21如上文所述，可以为氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铜、氧化镁和氧化锌等中的至少一种；金属22的熔点等于或低于1000℃。在具体实施例中，所述低熔点金属22选用但不仅仅为铝、镁、锡等中的至少一种。在又一实施例中，所述各方法制备的封装薄膜20的厚度为50nm-1μm。
此外，当所述电子装置的制备方法中的电子元件10为如图2和图3所示的发光二极管10时，则所述发光二极管10的制备方法可以按照如上文如图2、图3所述的发光二极管10所含的层结构按照常规的方法制备形成。
因此，所述电子装置制备方法将陶瓷材料21形成封装薄膜20的骨架，并将金属22填充在陶瓷晶粒21的晶界之间，对陶瓷晶粒21之间的孔洞和缺陷进行修复，物理性堵住了水氧渗透的入口，通过金属22与陶瓷晶粒21的协同作用，使得封装薄膜20的水氧阻隔性明显增强。同时，金属22在陶瓷晶粒21晶界之间形成导热网络通道，将被封装的电子元件10工作中产生的热量迅速导出。另外，所述电子装置制备方法工艺条件易控，保证了制备的电子装置的封装性能稳定，降低了制备成本。
由于所述电子装置所含的封装薄膜20具有如上文所述优异的阻隔水氧特性，导热性能优异，而且结构稳定，赋予所述电子装置电化学性能的稳定，工作寿命长。因此，上文所述电子装置能够被广泛的得到应用。
当上文电子装置所含的电子元件10为发光二极管时，则上文所述电子装置为发光二极管装置。由于所述发光二极管装置的封装膜层为上文所述封装薄膜20结构，因此，所述发光二极管装置发光等电化学性能的稳定，工作寿命长。由此，所述发光二极管装置可以用于显示屏或固态照明灯具领域，从而提高了相应器件显示或者发光性能的稳定性，使用寿命长。
现结合具体实例，对本发明进行进一步详细说明。其中，下文各实施例中的“/”表示的是层叠结合的意思。
实施例1
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/封装薄膜(700nm)。其中，所述封装薄膜的材料为SiO2陶瓷晶粒与金属铝，金属铝填充在SiO2晶粒晶界之间，且铝为封装薄膜质量的1.5％。封装薄膜20的厚度为700nm。
本实施例电子装置按照如下方法制备：
S11：采用固相法将掺杂铝金属纳米颗的氧化硅纳米粉进行共混球磨，其中铝金属纳米颗粒质量占氧化硅/铝复合材料的1.5wt％，球磨转速为200-500rad/min，球磨时间为4-12h，然后110℃烘干掺杂金属铝的氧化硅粉末，接着进行预烧结，预烧结温度为900℃，保温时间为2-8h，预烧结完成之后进行二次球磨，二次球磨工艺条件与第一次工艺条件类似，然后进行层压成型，成型压力为8MPa，保压时间7min，然后进行烧结成为靶材，烧结温度1200℃制备成为靶材；
S12：在ITO衬底上按照本实施例QLED结构依次形成各层，从而形成QLED；
S13.在QLED的银电极顶面上将步骤S11制备的靶材采用射频低功率溅射的方法溅射成膜；溅射成膜的工艺条件为：射频溅射功率为60W，溅射气压0.6Pa，溅射速率0.8nm/s；镀膜完成之后进行退火处理，保证低熔点金属掺杂在陶瓷晶界之间，退火温度为500℃，退火时间0.5h之间。
实施例2
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/封装薄膜(700nm)。其中，所述封装薄膜的材料为包括SiO2陶瓷晶粒与金属铝，金属铝填充在SiO2晶粒晶界之间，铝占封装薄膜质量的5％。封装薄膜20的厚度为700nm。
其制备方法可以参照所述实施例1中方法，只需调整靶材中金属的含量进行调整，且镀膜完成之后进行退火处理，保证低熔点金属掺杂在陶瓷晶界之间，退火温度为700℃，退火时间1h之间。
实施例3
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/封装薄膜(700nm)。其中，所述封装薄膜的材料为包括SiO2陶瓷晶粒与金属铝，金属铝填充在SiO2晶粒晶界之间，铝占封装薄膜质量的3.5％。封装薄膜20的厚度为700nm。
其制备方法可以参照所述实施例1中方法，只需调整靶材中金属镁的含量进行调整，且镀膜完成之后进行退火处理，保证低熔点金属掺杂在陶瓷晶界之间，退火温度为400℃，退火时间2h之间。
实施例4
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/封装薄膜(900nm)。其中，所述封装薄膜的材料为包括碳化硅陶瓷晶粒与金属镁，金属镁填充在碳化硅晶粒晶界之间，镁占封装薄膜质量的3.5％。封装薄膜20的厚度为700nm。
其制备方法可以参照所述实施例1中方法，只需采用镁与碳化硅制备靶材，然后成膜后退火处理即可。
实施例5
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/封装薄膜(60nm)。其中，所述封装薄膜的材料为包括含氧化铝和氧化镁的陶瓷晶粒、金属镁、金属锡，而金属镁和金属锡填充在陶瓷晶粒的晶界之间，并且金属镁和金属锡部分溢出陶瓷晶粒形成的骨架表面，镁、锡为封装薄膜质量的5％；氧化铝与氧化镁的质量比为1:3、金属镁与金属锡的质量比为1:1，封装薄膜20的厚度为60nm。
其制备方法可以参照所述实施例1中方法，只需采用氧化铝、氧化镁、金属镁和金属锡制备靶材，然后成膜后退火处理即可。
测试结果得知，测试结果得知，本实施例电子装置所含的电子元件采用所述封装薄膜进行封装，赋予所述封装薄膜优异的水氧阻隔作用和机械性能以及导热性，从而使得本实施例电子装置的电化学性能的稳定，提高器件工作寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种封装薄膜，其特征在于：包括陶瓷晶粒和填充在陶瓷晶粒之间的金属，且所述金属溢出至所述陶瓷晶粒的骨架表面，形成复合物膜层。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述金属的质量为所述封装薄膜质量的1-5％；和/或
所述陶瓷晶粒的材料包括氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧化铜、氧化镁和氧化锌中的至少一种；和/或
所述金属的熔点等于或低于1000℃。
3.根据权利要求1或2所述的封装薄膜，其特征在于：所述金属为铝、镁和锡中的至少一种；和/或
所述封装薄膜的厚度为50nm-1μm。
4.一种电子装置，包括：
衬底；
在衬底上形成的电子元件；和
权利要求1至3任意一项所述的封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件。
5.一种电子装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在所述基材上形成权利要求1至3任意一项所述的封装薄膜，对所述电子元件进行封装。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在所述基材上形成所述封装薄膜的方法包括如下步骤：
采用射频溅射的方法或采用将陶瓷材料和金属共溅射的方法形成一层初始薄膜；
对形成的初始薄膜进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：采用射频溅射的方法形成一层初始薄膜的工艺条件为：射频溅射功率为30-80W，溅射气压为0.5-1Pa，溅射速率为0.5-1nm/s。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述采用射频溅射的方法形成一层初始薄膜的步骤中采用的靶材通过如下方法制备得到：
将金属颗粒与陶瓷粉体进行第一次球磨处理，后进行干燥处理，形成混合物粉末；
将所述混合物粉末进行预烧结处理后进行第二次球磨处理，获得靶材前驱体；
将所述靶材前驱体模压成型处理后进行烧结处理，制备得到所述靶材。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：采用将陶瓷材料和金属共溅射成膜形成一层初始薄膜的工艺条件为：射频溅射功率为30-60W，同时直流溅射功率为100-300W，溅射气压0.5-1Pa，共同沉积的速率0.5-1nm/s。
10.根据权利要求6-9任一所述的制备方法，其特征在于：所述对形成的初始薄膜进行火处理工艺条件为：温度400-700℃，退火时间0.5-2h。
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