CN109427693B - 封装薄膜、电子装置及其制备方法 - Google Patents

封装薄膜、电子装置及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109427693B
CN109427693B CN201710747617.3A CN201710747617A CN109427693B CN 109427693 B CN109427693 B CN 109427693B CN 201710747617 A CN201710747617 A CN 201710747617A CN 109427693 B CN109427693 B CN 109427693B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
glass glaze
parts
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710747617.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427693A (zh
Inventor
朱佩
曹蔚然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710747617.3A priority Critical patent/CN109427693B/zh
Publication of CN109427693A publication Critical patent/CN109427693A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427693B publication Critical patent/CN109427693B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种封装薄膜和电子装置及其制备方法。本发明封装薄膜包括陶瓷膜层与所述陶瓷膜层层叠结合的玻璃釉膜层。本发明电子装置包括用于封装电子元件的封装薄膜。本发明封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复合封装膜层结构，其阻隔水氧作用优异，结构稳定，保证了电子装置电化学性能的稳定，延长了工作寿命。

Description

封装薄膜、电子装置及其制备方法
技术领域
本发明属于包封膜技术领域，具体涉及一种封装薄膜、包含所述封装薄膜的电子装置及其制备方法。
背景技术
封装薄膜可以用于保护对外部因素如水分或氧气敏感的电子元件(如二极管)、太阳能电池或者二次电池。
电子元件的寿命是非常重要的一项参数。提高电子元件的寿命，使其达到商用水平，封装是至关重要的一个环节。对于电子元件而言，封装不仅仅是防止划伤等物理保护，更重要的是防止外界环境中水汽，氧气的渗透。这些环境中的水汽渗透到器件内部，会加速器件的老化。因此电子元件的封装结构必须具有良好的渗透阻挡功能。
当前，商用的电子元件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。相对比于传统的盖板封装，薄膜封装能够明显降低器件的厚度与质量，约节省50％的潜在封装成本，同时薄膜封装能适用于柔性器件。薄膜封装技术将是发展的必然趋势。如在欧司朗OLED有限责任公司的一份专利中公开了采用膜层封装，具体是采用有机或无机封装层，并在膜层封装层外表面还增设一金属层。因此，根据其封装层的作用，其主要起到将热传递至金属层以便散热。而且其没有具体公开有机或无机为何种材料以及形成的工艺条件。
虽然陶瓷膜具有良好的水、氧阻隔性，良好的阶梯型覆盖以及极佳的厚度均匀性，可以尝试用于电子元件封装阻挡层材料，但是，在生成陶瓷薄膜的过程中缺陷(针孔、裂纹等)会不可避免地产生，缺陷的存在大大降低了其阻隔能力。同时陶瓷膜会产生较大的应力，严重影响封装质量。另外，当设置多层多层陶瓷膜本体结构时，热膨胀系数的差异，使得多层陶瓷膜在叠加时容易产生兼容性的问题，进而影响封装薄膜质量。
因此，如何提高电子元件如电子元件的封装效果目前本行业一直在努力解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的所述不足，提供一种封装薄膜，以解决现有如采用陶瓷作为封装薄膜质量不稳定，而且水氧阻隔能力差的技术问题。
本发明另一目的在于提供一种电子装置和其制备方法，以解决现有电子装置由于封装构件水氧阻隔性差，结构不稳定等因素造成的电子装置性能稳定性差，寿命不理想的技术问题。
为了实现所述发明目的，本发明一方面，提供了一种封装薄膜。所述封装薄膜包括陶瓷膜层和与所述陶瓷膜层层叠结合的玻璃釉膜层；其中，所述玻璃釉膜层的材料包括如下质量份的组分：
二氧化硅 50-80份
氧化钙 10-30份
添加剂 10-18份。
本发明另一方面，提供了一种电子装置。所述电子装置包括：
衬底；
在衬底上形成的电子元件；和
本发明封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件，其中，
所述玻璃釉膜层形成在所述电子元件表面或衬底和电子元件表面；
所述陶瓷膜层层叠结合在所述玻璃釉膜层表面。
本发明又一方面，提供了一种电子装置的制备方法。所述电子装置的制备方法包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在所述基材上形成本发明封装薄膜，对所述电子元件进行封装；
其中，所述玻璃釉膜层形成在所述基材表面；
所述陶瓷膜层层叠结合在所述玻璃釉膜层表面。
与现有技术相比，本发明封装薄膜通过对玻璃釉膜层组分的控制，并将其与陶瓷膜层构成复合封装膜层结构。其中，玻璃釉膜层不仅起到活化阻隔水氧的作用，同时其表面能够达到原子级的平滑度(粗糙度)，孔洞和缺陷少。与玻璃釉膜层层叠结合的陶瓷膜层作为钝化阻隔层，不仅有着很少的缺陷和孔洞，而且与玻璃釉膜层一起协同作用，赋予封装薄膜优异的阻隔水氧作用，而且结构稳定，从而有效提高了被封装的电子元件工作的稳定性，延长了电子元件的使用寿命。
本发明电子装置采用所述本发明封装膜层封装所述电子元件。这样本发明电子装置所含的封装膜层能够有效隔绝空气中水氧对被封装电子元件的损害，保证电子元件的电化学性能稳定。因此，本发明电子装置工作性能稳定，且工作寿命长。
本发明电子装置的制备方法直接在设置有电子元件的基材上形成本发明封装薄膜对电子元件进行封装，因此，制备的电子装置封装效果好，能够有效阻隔水氧对被封装的电子元件损害，使得制备的电子装置工作性能稳定，且工作寿命长。另外，本发明制备方法工艺条件易控，保证了制备的封装薄膜的性能稳定，降低了制备成本。
附图说明
图1是本发明实施例电子封装薄膜结构示意图；
图2是本发明实施例电子装置一种结构示意图；
图3是本发明实施例电子装置另一种结构示意图；
图4是本发明实施例玻璃釉膜层浆料的制备方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例中，对下文名词作出如下说明。
本发明所用术语“电子装置”包括具有如下结构的电子元件，所述电子元件在一对彼此面对的电极之间包括利用与电子产生电荷交换的材料层，作为举例包括光伏器件、整流器、发射机、电学发光器件，但本申请不限于此。所述电学发光器件包括OLED、QLED但不限于此。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的功能，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。
一方面，本发明实施例提供一种含有阻隔水氧效果优异，结构稳定的封装薄膜。所述封装薄膜结构如图1所示，所述封装薄膜20包括层叠结合的玻璃釉膜层21和陶瓷膜层22，也即是陶瓷膜层22结合于玻璃釉膜层21表面上。这样，所述封装薄膜20通过两层构成的复合封装膜层结构，通过各层之间的协同作用，阻隔水氧作用优异，而且结构稳定，从而保证了被封装电子元件10(图2、3所示)的电化学性能的稳定，延长了电子元件10工作寿命。
其中，所述玻璃釉膜层21的玻璃釉材料包括如下质量份的组分：
二氧化硅 50-80份；
氧化钙 10-30份；
添加剂 10-18份。
这样由于玻璃釉膜层21所含的特定组分，从而使得玻璃釉膜层21不仅起到活化阻隔水氧的作用，同时其表面能够达到原子级的平滑度(粗糙度)，孔洞和缺陷少。另外，当所述玻璃釉膜层21与被封装的电子元件10表面结合时，其还能增强陶瓷膜层22的结合强度。其中，所述玻璃釉膜层21所含的二氧化硅作为玻璃釉的主要成分。所含的氧化钙与二氧化硅协同作用，起到玻璃釉膜层21的防水气渗透性作用。结合所述封装薄膜20的防水氧作用，在一实施例中，相对玻璃釉膜层21而言，所述的添加剂包括如下质量份的组分：氧化锌3-7份、氧化钡4-7份、氧化镁2-4份。其中，氧化锌作用为助熔剂，且能在很大的温度范围内对玻璃釉起到强助熔作用；另外，氧化锌还能可降低玻璃釉的热膨胀系数，提高玻璃釉面弹性、机械强度，并能使釉面光泽度和热稳定性得到改善。氧化镁高温熔融状态下提供游离态氧，能有效降低熔体的粘度，起到助熔剂的作用；同时还具有抑制结晶倾向与降低结晶速度的作用；另外氧化镁能减弱玻璃釉面龟裂、降低玻璃釉的热膨胀系数和增强玻璃釉的热稳定性。氧化钡能有效降低玻璃釉的高温粘度，并能显著提高玻璃釉面光泽；所述范围内的氧化钡还可增加玻璃釉的抗化学侵蚀能力；同时Ba2+可以以任何比例取代锌离子和钙离子，所述范围含量的氧化钡有效改善釉面的光泽度和机械强度。因此，所述组分的添加剂能够与二氧化硅和氧化钙作用，改善成膜质量，如提高玻璃釉膜层21均匀性、平滑度和机械强度，从而提高玻璃釉膜层21的活化阻隔水氧的作用，同时赋予玻璃釉膜层21的抗化学侵蚀能力。
另一实施例中，控制所述玻璃釉膜层21的厚度为100nm-2μm。在又一实施例中，经测得玻璃釉膜层21的均方根粗糙度为1-10nm。通过对玻璃釉膜层21厚度结合成分的控制，优化玻璃釉膜层21的阻隔水氧作用效果，表面更加平滑，孔洞和缺陷小，从而增强陶瓷膜层22与玻璃釉膜层21的结合强度。
所述陶瓷膜层22层叠在玻璃釉膜层21外表面，因此，其起到钝化阻隔层作用，不仅有着很少的缺陷和孔洞，而且与玻璃釉膜层一起协同作用，赋予封装薄膜20优异的阻隔水氧作用，而且结构稳定，从而保证了电子元件10的电化学性能稳定，延长了电子元件10工作寿命。所述陶瓷膜层22的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝和氧化钛中的至少一种。一实施例中，控制陶瓷膜层22的厚度为100nm-1μm。通过对陶瓷膜层22厚度和材料的选用，优化陶瓷膜层22的钝化阻隔层作用，减少缺陷和孔洞，提高复合封装薄膜20结构的阻隔水氧的封装效果和结构的稳定性。
基于上文所述的，所述封装薄膜20通过所含各层陶瓷膜层的协同作用，赋予封装薄膜20孔洞和缺陷小，层结构平滑，阻隔水氧作用优异，机械性能优异，而且结构稳定，从而保证了如图2、3中被封装电子元件10的电化学性能稳定，延长了电子元件10工作寿命。
另一方面，本发明实施例提供了一种电子装置。所述电子装置包括衬底01、在所述衬底01上形成的电子元件10和用于封装所述电子元件10的封装薄膜20；其中，所述玻璃釉膜层21形成在所述电子元件10表面或衬底01和电子元件10表面，所述陶瓷膜层22层叠结合在所述玻璃釉膜层21表面。如图2-3所示。
其中，衬底01可以是电子元件常用的衬底，具体可以根据电子元件的类型进行灵活选用。
所述电子元件10可以是需要隔绝氧和水的任何电子元件，包括光伏器件、整流器、发射机、电学发光器件等。所述电学发光器件可以是发光二极管如OLED或QLED。
在一实施例中，所述电子元件10为OLED和QLED时，电子元件10可以包括层叠结合的底电极11、发光单元层12和顶电极13，如图2-3所示。
一实施例中，所述底电极11可以为现有QLED和OLED等底电极。另外，所述底电极11可以是层叠结合在衬底01上，如图2-3。
一实施例中，所述发光单元层12包括空穴功能层121、发光层122和电子功能层123等结构，如图3所示。
其中，所述空穴功能层121可以包括空穴注入层1211、空穴传输层1212中的一层或彼此层叠结合的两层。当空穴功能层121为空穴注入层1211或空穴传输层1212时，是层叠结合在底电极11和发光层122之间；当空穴功能层121为空穴注入层1211和空穴传输层1212复合层时，由底电极11至发光层122方向，空穴注入层1211和空穴传输层1212依次层叠，也即是空穴注入层1211与底电极11层叠结合，空穴传输层1212与发光层122层叠结合。通过增设空穴功能层121，能够有效提高底电极11端的空穴的注入和传输至发光层22中，提高其与电子复合形成激子量，从而提高发光层22的发光效率。在具体实施例中，空穴注入层1211的厚度可以为30-40nm，空穴注入层1211的材料可以但不仅仅为PEDOT：PSS；所述空穴传输层1212的厚度可以为30-50nm，空穴传输层1212的材料可以但不仅仅为poly-TPD、TFB中的至少一种有机物，或者为NiO、MoO3中的至少一种无机物。
所述发光层122的厚度可以是30-60nm，发光层122的材料为不限于核壳量子点、基于渐变壳的量子点、磷光或者萤光发光材料。当发光层122的材料为量子点材料发光材料时，所述发电器件为量子点发光二极管，在具体实施例中，量子点材料可以但不仅仅为CdSe/ZnS、CdS/ZnSe、CdZnS/ZnSe等核壳量子点或者基于渐变壳的量子点材料；当发光层122的材料有机发光材料如萤光发光材料时，所述发电器件为有机发光二极管。
所述电子功能层123可以包括电子传输层1231、电子注入层1232中的一层或彼此层叠结合的两层。当电子功能层123为电子传输层1231或电子注入层1232时，是层叠结合在发光层122和顶电极13之间；当电子功能层123为电子传输层1231和电子注入层1232的复合层时，由发光层122至顶电极13方向，电子传输层1231和电子注入层1232依次层叠，也即是电子传输层1231与发光层122层叠结合，电子注入层1232与顶电极13层叠结合。通过增设电子功能层123，能够有效提高顶电极13端的电子的注入和传输至发光层122中，提高其与空穴复合形成激子量，从而提高发光层122的发光效率。在具体实施例中，电子传输层1231的厚度可以为50-150nm，电子传输层1231的材料可以但不仅仅为ZnO、Cs2CO3、Alq3中的至少一种；所述电子注入层的厚度和电子注入层的材料可以是本领域中常规的材料。另外，由于常规的QLED和OLED所含的电子传输层所选的材料如ZnO与电极的能级匹配比较好，通常情况不需要电子注入层。
因此，通过对发光单元层12所含的各功能层结构以及各功能层厚度及材料种类的控制和优化，能够有效提高发光单元层12的发光效率。
所述顶电极13可以是常规的发光二极管的顶电极，如在一实施例中，如为金属银层负极或者铝金属负极。顶电极13的厚度可以是常规的厚度，如为但不仅仅为50-150nm。
所述电子装置所含的封装薄膜20为上文所述的如图1所示封装薄膜20。具体的其包括玻璃釉膜层21和层叠结合在玻璃釉膜层21表面上的陶瓷膜层22。所述玻璃釉膜层21、陶瓷膜层22的结构特点如膜层厚度、材料等均如上文所述，为了节约篇幅，在此不再对玻璃釉膜层21和陶瓷膜层22特性进行赘述。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的特性或工作的需要，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。以本发明实施例中的发光二极管为例：
所述电子元件10(发光二极管)设置在衬底上，发光二极管的底面与衬底结合，所述封装薄膜层叠结合在所述发光二极管的顶面发光二极管对进行封装，具体地，如图2、图3所示，封装薄膜20可以层叠结合在所述发光二极管10所含的顶电极13的顶面上。这样，避免封装薄膜20对发光二极管10的出光率的影响。
具体地，在采用本发明所述的封装薄膜20封装电子元件10时，所述玻璃釉膜层21与所述电子元件10结合设置，即所述玻璃釉膜层21作为内层形成于所述电子元件10表面(即顶电极13的顶面)，所述陶瓷膜层22作为外层形成于所述玻璃釉膜层21的表面，实现两层结构的封装。
基于上述可知，所述电子装置通过含的封装薄膜20所具有的优异阻隔水氧性和结构稳定性，从而保证了所述电子装置如发光二极管电化学性能的稳定，延长了所述电子装置的工作寿命。
又一方面，在上文所述电子装置的基础上，本发明实施例提供了所述电子装置的一种制备方法。结合图1-3，所述电子装置的制备方法包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在所述基材上形成所述的封装薄膜20，对所述电子元件进行封装。
本发明所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的特性或工作的需要，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。另外，所述封装薄膜20对电子元件进行封装时，所述封装薄膜20所含的玻璃釉膜层21形成于基材表面上如电子元件表面上，那么所述陶瓷膜层22层叠结合在所述玻璃釉膜层21表面。
以本发明实施例中的发光二极管为例：所述发光二极管设置在衬底上，发光二极管的底面与衬底结合，所述封装薄膜层20叠结合在所述发光二极管的顶面对发光二极管进行封装。具体地，如图2、图3所示，封装薄膜20可以层叠结合在所述发光二极管10所含的顶电极13的顶面上。这样，避免封装薄膜20对发光二极管10的出光率的影响。
一实施例中，在所述基材上形成所述封装薄膜20对所述电子元件进行封装的方法步骤包括：
在所述基材上形成所述玻璃釉膜层21；
在所述玻璃釉膜层21表面所述形成陶瓷膜层22。
在一实施例中，采用丝网印刷的方法在所述基材上形成所述玻璃釉膜层21。具体地，在所述基材上形成所述玻璃釉膜层21的步骤包括：提供一种玻璃釉浆料，以玻璃釉浆料为原料，采用丝网印刷的方法在所述基材上具体如所述电子元件10表面或衬底01和电子元件10表面形成所述玻璃釉膜层21。具体实施例中，所述丝网印刷的工艺条件为：刮刀压力为40-160N/m，刮刀速度为30-90m/min，固化温度80-110℃。在所述温度下固化应该是充分的，如固化时间控制在5-40min。所述丝网印刷工艺条件能够形成膜层孔洞和缺陷少、平滑的玻璃釉膜层21，以及与基材结合强度高，具体如与电子元件10表面或衬底01和电子元件10表面结合强度高。另外，通过膜层时间的控制，实现对玻璃釉膜层21厚度的调节和控制。具体的如将玻璃釉膜层21的厚度为100nm-2μm。
另一具体实施例中，所述玻璃釉浆料包括如下质量份的组分：
Figure GDA0002594438620000101
在具体实施例中，所述玻璃釉浆料所含的所述添加剂包括氧化锌、氧化钡和氧化镁中的至少一种，具体如上文所述的所述添加剂包括氧化锌、氧化钡和氧化镁三组分，且三组分的质量份数为：氧化锌3-7份、氧化钡4-7份、氧化镁2-4份。所述玻璃釉浆料所含的所述溶剂为松节醇和醋酸酯中的至少一种，但不限于此。所述玻璃釉浆料所含的所述增稠剂可以选用乙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素和羟丙基纤维素等中的至少一种。
一实施例中，所述玻璃釉浆料可以按照如下方法并参照图4工艺流程制备获得：
步骤S01：称取原材料包括二氧化硅50-80份、氧化钙10-30份、添加剂10-18份，其中添加剂包括：氧化锌3-7份、氧化钡4-7份、氧化镁2-4份；
步骤S02：将原材料进行球磨后烘干，得到混合料；
步骤S03：将混合料进行熔融处理后进行高温淬灭，得到玻璃釉料；
步骤S04：将玻璃釉料进行球磨处理后烘干，加入溶剂50-80份、增稠剂0-10份混合得到所述玻璃釉浆料。
其中，为使步骤S02和步骤S04中的球磨混合充分、均匀，两次球磨时间为12-24h，球磨转速为120-300rad/min，液体介质为去离子水但不限于此，球磨介质为玛瑙球。
所述步骤S03中的熔融处理的温度为1000-1600℃，实现原料混合料向玻璃态的转变，淬灭处理可以是玻璃常规的高温淬灭处理，如直接进行水淬灭处理。
在所述玻璃釉膜层21表面所述形成陶瓷膜层22的步骤中，作为本发明一实施例中，形成所述陶瓷膜层22的方法包括如下步骤：
提供陶瓷材料靶材；
以所述陶瓷材料靶材为原材料，采用磁控溅射的方法，在所述玻璃釉膜层表面形成陶瓷膜层。
其中，所述陶瓷材料靶材的材料包括氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝和氧化钛中的至少一种。这样陶瓷膜层22形成于所述玻璃釉膜层21表面上，其孔洞和缺陷小，而且与玻璃釉膜层21一起起到优异的阻隔水氧作用，且结构稳定。
一实施例中，磁控溅射形成所述陶瓷膜层22的条件为射频功率50-200W之间，溅射压力在0.5-2Pa之间，镀膜速率为0.5-1nm/s，所述磁控溅射条件能够使得形成的陶瓷膜层22孔洞和缺陷少、平滑度达到原子级，与玻璃釉膜层21结合强度高。另外，通过膜层时间的控制，实现对陶瓷膜层22厚度的调节和控制。具体的，如将陶瓷膜层22的厚度为100nm-1μm。
另外，当所述电子装置的制备方法中的电子元件10为如图2和图3所示的发光二极管10时，则所述发光二极管10的制备方法可以按照如上文如图2、图3所述的发光二极管10所含的层结构按照常规的方法制备形成。
这样，所述电子装置制备方法在基材形成用于封装电子元件10的封装薄膜20，各膜层发挥协同增效作用，使得封装薄膜20中孔洞和缺陷少，而且与被封装的电子元件10结合力强，从而赋予封装薄膜20优异的阻隔水氧作用，膜层平滑，而且结构稳定等特性，从而保证了电子装置的工作稳定性。另外，所述电子装置制备方法工艺条件易控，能够通过控制各层的工艺条件优化各膜层的质量，保证了制备的封装薄膜20结构的性能稳定，降低了制备成本。
由于所述电子装置所含的封装薄膜20具有如上文所述优异的阻隔水氧特性，而且结构稳定，赋予所述电子装置电化学性能的稳定，工作寿命长。因此，上文所述电子装置能够被广泛的得到应用。
当上文电子装置所含的电子元件10为发光二极管时，则上文所述电子装置为发光二极管装置。由于所述发光二极管装置的封装膜层为上文所述封装薄膜20结构，因此，所述发光二极管装置发光等电化学性能的稳定，工作寿命长。由此，所述发光二极管装置可以用于显示屏或固态照明灯具领域，从而提高了相应器件显示或者发光性能的稳定性，使用寿命长。
现结合具体实例，对本发明进行进一步详细说明。其中，下文各实施例中的“/”表示的是层叠结合的意思。
实施例1
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/玻璃釉膜层(1μm)/陶瓷膜层(300nm)。其中，玻璃釉膜层所含的组分有二氧化硅62份、氧化钙20份、氧化锌7份、氧化钡7份、氧化镁4份。
本实施例电子装置按照如下方法制备：
S11：在ITO衬底上按照本实施例QLED结构依次形成各层，从而形成QLED；
S12：在QLED的银电极表面上采用真空中丝网印刷玻璃釉膜层；其中，
丝印工艺为：刮印压力的最为100N/m左右，刮刀角度应40°，固化温度为150℃，固化时间应处于200min；
印刷玻璃釉膜所用的玻璃釉浆料包括如下组分和含量：
二氧化硅62份、氧化钙20份、氧化锌7份、氧化钡7份、氧化镁4份、松节醇溶剂55份。其可以按照上文浆料制备方法制备；
S13：在所述玻璃釉膜层表面上采用磁控溅射制备陶瓷膜层，其中，镀膜的工艺条件为射频功率60W之间，溅射压力在0.6Pa之间，镀膜速率为20nm/s。
实施例2
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/玻璃釉膜层(1.5μm)/陶瓷膜层(300nm)。其中，玻璃釉膜层所含的组分有二氧化硅62份、氧化钙20份、氧化锌7份、氧化钡7份、氧化镁4份。
本实施例电子装置制备的方法参照实施例1的制备方法，其中，丝印工艺为：刮印压力的最为60N/m左右，刮刀角度应20°，固化温度为150℃，固化时间应处于200min。
实施例3
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/玻璃釉膜层(2μm)/陶瓷膜层(300nm)。其中，玻璃釉膜层所含的组分有二氧化硅62份、氧化钙20份、氧化锌7份、氧化钡7份、氧化镁4份。
本实施例电子装置制备的方法参照实施例1的制备方法，其中，丝印工艺为：刮印压力的最为80N/m左右，刮刀角度应30°，固化温度为150℃，固化时间应处于200min。
实施例4
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/玻璃釉膜层(300nm)/陶瓷膜层(1μm)。其中，玻璃釉膜层所含的组分有二氧化硅58份、氧化钙33份、氧化锌3份、氧化钡4份、氧化镁2份。
本实施例电子装置制备的方法参照实施例1的制备方法。
实施例5
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/银(70nm)/玻璃釉膜层(600nm)/陶瓷膜层(500nm)。其中，玻璃釉膜层所含的组分有二氧化硅75份、氧化钙12份、氧化锌5份、氧化钡5份、氧化镁3份。
本实施例电子装置制备的方法参照实施例1的制备方法。
测试结果得知，测试结果得知，本实施例电子装置所含的电子元件采用所述封装薄膜进行封装，赋予所述封装薄膜优异的水氧阻隔作用和机械性能，从而使得本实施例电子装置的电化学性能的稳定，提高器件工作寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括陶瓷膜层和与所述陶瓷膜层层叠结合的玻璃釉膜层；
其中，所述玻璃釉膜层的材料由如下质量份的组分组成：
二氧化硅 50-80份
氧化钙 10-30份
添加剂 10-18份；
其中，所述添加剂包括氧化锌、氧化钡和氧化镁。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述玻璃釉膜层的厚度为100nm-2μm；和/或
所述玻璃釉膜层的均方根粗糙度为1-10nm；和/或
所述陶瓷膜层的厚度为100nm-1μm；和/或
所述添加剂包括如下质量份的组分：氧化锌3-7份、氧化钡4-7份、氧化镁2-4份。
3.根据权利要求1或2所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜层的材料包括氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝和氧化钛中的至少一种。
4.一种电子装置，其特征在于，包括：
衬底；
在衬底上形成的电子元件；和
权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件；
其中，所述玻璃釉膜层形成在所述电子元件表面或衬底和电子元件表面；
所述陶瓷膜层层叠结合在所述玻璃釉膜层表面。
5.一种电子装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；
在所述基材上形成权利要求1至3任一项所述的封装薄膜，对所述电子元件进行封装；
其中，所述玻璃釉膜层形成在所述基材表面；
所述陶瓷膜层层叠结合在所述玻璃釉膜层表面。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述基材上形成所述封装薄膜，对所述电子元件进行封装的步骤包括：
在所述基材上形成所述玻璃釉膜层；
在所述玻璃釉膜层表面形成所述陶瓷膜层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：在所述基材上形成所述玻璃釉膜层的步骤包括：
提供玻璃釉浆料；
以所述玻璃釉浆料为原材料，采用丝网印刷的方法，在所述基材上形成所述玻璃釉膜层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：在所述玻璃釉膜层表面形成陶瓷膜层的方法包括如下步骤：
提供陶瓷材料靶材；
以所述陶瓷材料靶材为原材料，采用磁控溅射的方法，在所述玻璃釉膜层表面形成陶瓷膜层。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：
所述玻璃釉浆料包括如下重量份的组分：二氧化硅50-80份；氧化钙10-30份；添加剂10-18份；溶剂50-80份；增稠剂0-10份；
其中，所述溶剂为松节醇溶剂和酯类溶剂中的至少一种；
和/或所述增稠剂为乙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：
提供陶瓷材料靶材的材料包括氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝和氧化钛中的至少一种。
CN201710747617.3A 2017-08-25 2017-08-25 封装薄膜、电子装置及其制备方法 Active CN109427693B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710747617.3A CN109427693B (zh) 2017-08-25 2017-08-25 封装薄膜、电子装置及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710747617.3A CN109427693B (zh) 2017-08-25 2017-08-25 封装薄膜、电子装置及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427693A CN109427693A (zh) 2019-03-05
CN109427693B true CN109427693B (zh) 2020-11-13

Family

ID=65502265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710747617.3A Active CN109427693B (zh) 2017-08-25 2017-08-25 封装薄膜、电子装置及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109427693B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111446215A (zh) * 2020-05-11 2020-07-24 苏州融睿电子科技有限公司 封装器件的封装结构、方法及封装器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050285513A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Choi Dong-Soo Organic electroluminescent display device having improved water absorbing capacity and method of manufacturing the same
CN103346163A (zh) * 2013-06-19 2013-10-09 青岛海信电器股份有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法
CN106025095A (zh) * 2016-06-07 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性oled器件的封装结构及显示装置
CN106206992A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜封装结构及有机发光二极管器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050285513A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Choi Dong-Soo Organic electroluminescent display device having improved water absorbing capacity and method of manufacturing the same
CN103346163A (zh) * 2013-06-19 2013-10-09 青岛海信电器股份有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法
CN106025095A (zh) * 2016-06-07 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性oled器件的封装结构及显示装置
CN106206992A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜封装结构及有机发光二极管器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427693A (zh) 2019-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Effect and mechanism of encapsulation on aging characteristics of quantum-dot light-emitting diodes
TWI304706B (zh)
US9478761B2 (en) Optoelectronic component having a UV-protecting substrate and method for producing the same
KR101757861B1 (ko) 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법
CN101359722A (zh) 一种顶发射有机电致发光器件的封装方法
WO2018040294A1 (zh) 一种薄膜封装结构及有机发光二极管器件
KR20140026647A (ko) 광전자 부품을 위한 캡슐화 구조물 및 광전자 부품을 캡슐화하는 방법
CN103730598A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN100505961C (zh) 有机电致发光器件
CN109423049A (zh) 封装薄膜及其应用
CN201243391Y (zh) 一种有机电致发光显示器
CN109427693B (zh) 封装薄膜、电子装置及其制备方法
CN109950412A (zh) 一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法
CN105261706A (zh) 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法
CN102842683A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN109427692B (zh) 封装薄膜及其应用
CN109427991B (zh) 封装薄膜、电子装置及其制备方法
CN104183742A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
WO2018227659A1 (zh) 一种柔性oled及其制作方法
CN109524361B (zh) 封装薄膜、电子装置及电子装置的制备方法
CN104078614A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
WO2023082970A1 (zh) 复合材料及制备方法、电致发光器件
CN103904233B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103137884B (zh) 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法
CN104638119A (zh) 一种透明有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL technology building, No.17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant