JPS6395617A - 非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法 - Google Patents
非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6395617A JPS6395617A JP62248198A JP24819887A JPS6395617A JP S6395617 A JPS6395617 A JP S6395617A JP 62248198 A JP62248198 A JP 62248198A JP 24819887 A JP24819887 A JP 24819887A JP S6395617 A JPS6395617 A JP S6395617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- dihalosilane
- dihalosilanes
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 12
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N difluorosilane Chemical compound F[SiH2]F PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 5
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 2
- VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N dibromosilane Chemical compound Br[SiH2]Br VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000006120 scratch resistant coating Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitro-1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229920005565 cyclic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 monosilane compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- WPPVEXTUHHUEIV-UHFFFAOYSA-N trifluorosilane Chemical compound F[SiH](F)F WPPVEXTUHHUEIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ある種のジハロゲン化モノシランまりｉｔジ
ハロゲン化モノシランの混合体を熱分解することによっ
て基体上に極めて安定で、高耐摩耗性、光電導性かつ不
純物の添加ができる半導体膜を形成させることができる
という発見に関する。
ハロゲン化モノシランの混合体を熱分解することによっ
て基体上に極めて安定で、高耐摩耗性、光電導性かつ不
純物の添加ができる半導体膜を形成させることができる
という発見に関する。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点シリコン
および水素の非晶形重合体材料（以下ＳｉＨと記す）が
、最近新しい種類の半導体として出現した。かかる材料
は、例えば１９７６年１２月２０日付は米国特許第４．
０６４．５２１号に記載されている。かかる材料は、放
電下においてシランの分解、又は頻度は低いけれどもシ
ランや高水素含有シラン（例えば、Ｓ ｉｌ Ｈ６ｒ
Ｓ １３ Ｈ８’等）の熱分解から薄膜として生成され
る（例えば、１９８２年９月１６日付は国際公開番号Ｗ
０ 、８２１０３０６９として公開されたＭａａＤｉａ
ｒｍｉｄおよびＫ１５ｓによるＰＣｉＴ特許出願に記載
されている）。
および水素の非晶形重合体材料（以下ＳｉＨと記す）が
、最近新しい種類の半導体として出現した。かかる材料
は、例えば１９７６年１２月２０日付は米国特許第４．
０６４．５２１号に記載されている。かかる材料は、放
電下においてシランの分解、又は頻度は低いけれどもシ
ランや高水素含有シラン（例えば、Ｓ ｉｌ Ｈ６ｒ
Ｓ １３ Ｈ８’等）の熱分解から薄膜として生成され
る（例えば、１９８２年９月１６日付は国際公開番号Ｗ
０ 、８２１０３０６９として公開されたＭａａＤｉａ
ｒｍｉｄおよびＫ１５ｓによるＰＣｉＴ特許出願に記載
されている）。
非晶形膜に、さらに別の元素成分を含ませる必要がある
ときは、出発材料にホスフィン（ＰＨ３）またはジボラ
ン（Ｂ２Ｈ１ｌ）のような共反応物を添加する。非晶形
膜にフッ素を添加するときは、その反応物混合体にテト
ラフルオロシラン（ＳＩＦ、）を添加するのが最も一般
的である。これは、例えば１９８０年８月１２日付は米
国特許第４，２１７，３７４号に記載されている。同様
に、塩素原子は四塩化ケイ素（ｓｓｃｚ、）とシランま
たは水素の混合体の分解を介して膜に添加することがで
きる（例えば、を参照）。
ときは、出発材料にホスフィン（ＰＨ３）またはジボラ
ン（Ｂ２Ｈ１ｌ）のような共反応物を添加する。非晶形
膜にフッ素を添加するときは、その反応物混合体にテト
ラフルオロシラン（ＳＩＦ、）を添加するのが最も一般
的である。これは、例えば１９８０年８月１２日付は米
国特許第４，２１７，３７４号に記載されている。同様
に、塩素原子は四塩化ケイ素（ｓｓｃｚ、）とシランま
たは水素の混合体の分解を介して膜に添加することがで
きる（例えば、を参照）。
ＳｉＨの生成用出発材料としてシラン、ジシランまたは
ポリシラン（”’ｎＨ２ｎ＋２）を使用することの欠点
はシランと空気の混合体の爆発の危険が極めて高いこと
である。この爆発の危険に対する操作上の対策はこれら
の系に希釈剤として不活性キャリヤー・ガスをしばしば
使用することである、シランからＳｉＨにする放電（プ
ラズマ）および化学蒸着（ａｖＤ）の手段も共に欠点が
ある。従来の放電システムは、反応副生物を除去するた
めに比較的複雑で高価な装置を必要とする。シランを主
成分とするＯＶＤシステムは、単純であるけれども、圧
力が非常に低くない限シ蒸気の核発生を起こす傾向があ
る。この挙動は、かかる熱分解に対する許容される操作
条件の範囲を限定する。
ポリシラン（”’ｎＨ２ｎ＋２）を使用することの欠点
はシランと空気の混合体の爆発の危険が極めて高いこと
である。この爆発の危険に対する操作上の対策はこれら
の系に希釈剤として不活性キャリヤー・ガスをしばしば
使用することである、シランからＳｉＨにする放電（プ
ラズマ）および化学蒸着（ａｖＤ）の手段も共に欠点が
ある。従来の放電システムは、反応副生物を除去するた
めに比較的複雑で高価な装置を必要とする。シランを主
成分とするＯＶＤシステムは、単純であるけれども、圧
力が非常に低くない限シ蒸気の核発生を起こす傾向があ
る。この挙動は、かかる熱分解に対する許容される操作
条件の範囲を限定する。
１９８５年５月３０日付けのＨｌｒｏｏｋａ らによ
るグレートプリテンおよび北部アイルランド連合王国特
許第２．１４８．３２８号は、ハロシラン（ｓｉｘ、）
％環状重合体ハロシラン（Ｓ Ｉ Ｘ、） （ｎは３
または３以上）、” ’ ｎ Ｈｘ２ｎ＋１および５１
ｎＨ２Ｘ２ｎのようなジシランおよびポリシランを含む
種々のシランの分解を教示している。これらの材料は放
電。
るグレートプリテンおよび北部アイルランド連合王国特
許第２．１４８．３２８号は、ハロシラン（ｓｉｘ、）
％環状重合体ハロシラン（Ｓ Ｉ Ｘ、） （ｎは３
または３以上）、” ’ ｎ Ｈｘ２ｎ＋１および５１
ｎＨ２Ｘ２ｎのようなジシランおよびポリシランを含む
種々のシランの分解を教示している。これらの材料は放
電。
光分解、高渦または触媒的に分解され、Ｈ２Ｓ１Ｈ，、
５ｉＨ３Ｂｒまたは５ｉＨ３１から成る群から選んだ気
相材料からなる必要な第２の流（該第２の流も分解され
ている）と混合される。かかる先行技術の明白な欠点、
すなわち本発明と明確に区別できる欠点は２種類の材料
を分解する必要あることである。Ｈｌｒｏｏｋａ ら
はハロシランの非晶質シリコンへの還元を促進するため
の水素源として第２の流を必要とする。しかしながら、
本発明は、所望。
５ｉＨ３Ｂｒまたは５ｉＨ３１から成る群から選んだ気
相材料からなる必要な第２の流（該第２の流も分解され
ている）と混合される。かかる先行技術の明白な欠点、
すなわち本発明と明確に区別できる欠点は２種類の材料
を分解する必要あることである。Ｈｌｒｏｏｋａ ら
はハロシランの非晶質シリコンへの還元を促進するため
の水素源として第２の流を必要とする。しかしながら、
本発明は、所望。
の非晶形シリコン膜を生成するのに単一成分のジハロモ
ノシランに十分な水素を有する。（ｓｔｈｘ、）。
ノシランに十分な水素を有する。（ｓｔｈｘ、）。
や（ＳｉＸ、）、（ここでＸはＦまたはａｔ）のような
Ｈｌｒｏｏｋａ らによって特許請求された分子前駆
物質のいくつかは、どこか外の文献に調製されたと報告
されておらず、また合成が極めて困難であることがわか
っている。Ｈｌｒｏｏｋａらはこれらの逃げやすい分子
の合成を教示していない。
Ｈｌｒｏｏｋａ らによって特許請求された分子前駆
物質のいくつかは、どこか外の文献に調製されたと報告
されておらず、また合成が極めて困難であることがわか
っている。Ｈｌｒｏｏｋａらはこれらの逃げやすい分子
の合成を教示していない。
田中らによる１９８５年ｌθ月９日付はグレートプリテ
ンおよび北部アイルランド連合王国特許第２，１５６．
３８５号は、プラズマ状態の反応物質フルオロシラン・
ガスから加熱基体上にケイ素膜を蒸着させることを教示
している。しかしながら。
ンおよび北部アイルランド連合王国特許第２，１５６．
３８５号は、プラズマ状態の反応物質フルオロシラン・
ガスから加熱基体上にケイ素膜を蒸着させることを教示
している。しかしながら。
田中らはジハロシランの化学的蒸着法によって非晶形ケ
イ素含有膜の形成を教示していない。
イ素含有膜の形成を教示していない。
従って、本発明はシラン、ポリシランの化学的蒸着、お
よび２種類の出発材料流を必要とする還元システムを利
用する先行技術とは異なる。また、本発明はプラズマ蒸
着システムを利用する先行技術と区別される。
よび２種類の出発材料流を必要とする還元システムを利
用する先行技術とは異なる。また、本発明はプラズマ蒸
着システムを利用する先行技術と区別される。
間馳点を解決するための手段
本発明は、ジハロシランの熱分解（しばしば化学蒸着（
ＯＶＤ）と呼ばれる）から調製された非晶形ケイ素膜の
形成法に関する。用語「ジハロシラン」はケイ素原子が
２つのハロゲン原子および２つの水素原子に結合されて
いるモノシラン化合物を意味する。用語「非晶形」は非
晶質と微品質の両方を含み、結晶の寸法が５０Ａ以下で
あって、画定された粒界を形成する程連続的でないこと
を意味する。膜は高温において気相のジハロモノシラン
（ｘ＊５１Ｈｚ）の分解によって形成される。本発明に
おいては、さらに別の水素源も必要とせず、また放電（
プラズマ）の使用も必要としない。ジハロシラン出発材
料は、ジシラン（又は高分子量の）出発材料よシも重要
な精製能力を提供する。
ＯＶＤ）と呼ばれる）から調製された非晶形ケイ素膜の
形成法に関する。用語「ジハロシラン」はケイ素原子が
２つのハロゲン原子および２つの水素原子に結合されて
いるモノシラン化合物を意味する。用語「非晶形」は非
晶質と微品質の両方を含み、結晶の寸法が５０Ａ以下で
あって、画定された粒界を形成する程連続的でないこと
を意味する。膜は高温において気相のジハロモノシラン
（ｘ＊５１Ｈｚ）の分解によって形成される。本発明に
おいては、さらに別の水素源も必要とせず、また放電（
プラズマ）の使用も必要としない。ジハロシラン出発材
料は、ジシラン（又は高分子量の）出発材料よシも重要
な精製能力を提供する。
先行技術のジシラン出発材料におけるシロキサン不純物
は、許容できない高い景の酸素を被蒸着膜に導入する恐
れがある。シロキサン不純物はジハロモノシランから容
易に除去される。テトラクロロシランやテトラフルオロ
シランのようなテトラハロモノシランおよび対応するト
リハロシランは。
は、許容できない高い景の酸素を被蒸着膜に導入する恐
れがある。シロキサン不純物はジハロモノシランから容
易に除去される。テトラクロロシランやテトラフルオロ
シランのようなテトラハロモノシランおよび対応するト
リハロシランは。
本発明に従った満足な膜を提供するための分解に出発材
料として使用できない。また、本発明は、さらに別の水
素源を必要としないから反応物を２つから１つに減じる
ことによって、分解される材料の供給プロセスを簡潔に
する。ジノ・ロシランの水素は最初膜において５ｉ−Ｈ
結合をもたらす、そして該５ｉ−Ｈ結合は非晶形ケイ素
膜における欠点の密度を下げるということが技術的に知
られている。
料として使用できない。また、本発明は、さらに別の水
素源を必要としないから反応物を２つから１つに減じる
ことによって、分解される材料の供給プロセスを簡潔に
する。ジノ・ロシランの水素は最初膜において５ｉ−Ｈ
結合をもたらす、そして該５ｉ−Ｈ結合は非晶形ケイ素
膜における欠点の密度を下げるということが技術的に知
られている。
また、本発明は基体上に非晶形重合体ケイ素含有膜の形
成法に関し、該方法はフッ素、塩素、臭素およびヨウ素
から成る群からそれぞれジノ・ロシランまたはジハロシ
ランの混合体のハロゲンを選ぶところの気相におけるジ
ハロシランまたはジハロシランの混合体を、反応室の雰
囲気内の分解湿度において熱的および化学的に安定な基
体を含む反応室におりで４００〜６００℃の温度で分解
させて、前記基体上に前記膜を形成させることからなる
。本発明の熱分解に望ましい温度範囲は４５０〜５７０
℃である。
成法に関し、該方法はフッ素、塩素、臭素およびヨウ素
から成る群からそれぞれジノ・ロシランまたはジハロシ
ランの混合体のハロゲンを選ぶところの気相におけるジ
ハロシランまたはジハロシランの混合体を、反応室の雰
囲気内の分解湿度において熱的および化学的に安定な基
体を含む反応室におりで４００〜６００℃の温度で分解
させて、前記基体上に前記膜を形成させることからなる
。本発明の熱分解に望ましい温度範囲は４５０〜５７０
℃である。
さらに本発明は利用するジハロモノシランが高圧下で蒸
気の核生成を受けにくいという特徴を有する。シランか
ら非晶形のケイ素含有膜が生成されるとき、気相に微粒
物質の形成（従って、蒸着材料の劣化）を回避するため
に系の圧力を限定する注意が必要である。
気の核生成を受けにくいという特徴を有する。シランか
ら非晶形のケイ素含有膜が生成されるとき、気相に微粒
物質の形成（従って、蒸着材料の劣化）を回避するため
に系の圧力を限定する注意が必要である。
さらに本発明は、例えば太陽光電池、薄膜トランジスタ
、または光学データ記憶媒体を含む電子。
、または光学データ記憶媒体を含む電子。
電気−光学的、および光電池装置、運びに耐食性被膜、
耐摩耗性被膜およびそれらから得られる装置および品物
の形成に関する。本発明から得られる非晶形ケイ素含有
膜をベースにした種々の装置は当業者には明らかである
。
耐摩耗性被膜およびそれらから得られる装置および品物
の形成に関する。本発明から得られる非晶形ケイ素含有
膜をベースにした種々の装置は当業者には明らかである
。
本発明は、ジハロシランの熱分解によって半導体の微量
不純物添加可能、空気安定性、ケイ素含有非晶形膜を生
成する。本発明によって生成された膜は基体に強く接着
し、耐摩耗性で、高温で安定であシ、可視光の強い吸収
体である。
不純物添加可能、空気安定性、ケイ素含有非晶形膜を生
成する。本発明によって生成された膜は基体に強く接着
し、耐摩耗性で、高温で安定であシ、可視光の強い吸収
体である。
ジフルオロシラン（Ｈ，ｓｉＦ、 ）やジクロロシラ・
ン（Ｈ，５ｉｃｔ２）のようなジハロシランは、非晶形
ケイ素膜をコーティングする基体と共に真空排気したガ
ラスまたは金属容器に入れる。その反応容器の材質はガ
ラスや金属に限定されなくて、ＣＶＤ法の温度および減
圧条件に耐えうる容器材質は全て可能である。基体の選
択は分解容器の雰囲気内の分解温度における熱および化
学的安定性に対する要求のみによって限定される。従っ
て、コーティングされる基体は、例えば限定ではないが
、反応温度に耐えうる鋼、アルミニウム、プラスチック
のような各種のガラス、金属、および酸化アルミニウム
、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のようなセラミック材
料にすることができる。
ン（Ｈ，５ｉｃｔ２）のようなジハロシランは、非晶形
ケイ素膜をコーティングする基体と共に真空排気したガ
ラスまたは金属容器に入れる。その反応容器の材質はガ
ラスや金属に限定されなくて、ＣＶＤ法の温度および減
圧条件に耐えうる容器材質は全て可能である。基体の選
択は分解容器の雰囲気内の分解温度における熱および化
学的安定性に対する要求のみによって限定される。従っ
て、コーティングされる基体は、例えば限定ではないが
、反応温度に耐えうる鋼、アルミニウム、プラスチック
のような各種のガラス、金属、および酸化アルミニウム
、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のようなセラミック材
料にすることができる。
最も簡単な実施において、ガラス・アンプルは反応容器
として役立つ。反応容器および基体は共に最初、例えば
アルカリ性洗剤で浄化し、高純度の溶媒、望ましくは水
または電子品位のメタノールですすぐ。次にその反応容
器は真空管路に接続し、内容物を真空排気し、容器を真
空下で、例えばガスー酸素トーチで十分に加熱する。ジ
ハロシランは大気にさらさないようにして反応容器に導
入する。反応容器は天然ガス−酸素トーチで密封し、炉
内で４００〜６００℃の範囲、望ましくは４５０〜５７
０℃の範囲内の温度において１０〜９０分間加熱する。
として役立つ。反応容器および基体は共に最初、例えば
アルカリ性洗剤で浄化し、高純度の溶媒、望ましくは水
または電子品位のメタノールですすぐ。次にその反応容
器は真空管路に接続し、内容物を真空排気し、容器を真
空下で、例えばガスー酸素トーチで十分に加熱する。ジ
ハロシランは大気にさらさないようにして反応容器に導
入する。反応容器は天然ガス−酸素トーチで密封し、炉
内で４００〜６００℃の範囲、望ましくは４５０〜５７
０℃の範囲内の温度において１０〜９０分間加熱する。
この時間中に、出発材料は分解して基体上にケイ素の膜
を形成する。次の反応副生成物のトリハロシランおよび
水素（存在する場合は全ての未反応出発材料を含む）は
、反応容器を真空管路に再接続した後、真空排気によっ
て除去するのが便利である。次に上に分解したジハロシ
ラン出発材料が非晶形ケイ素膜を蒸着している基体を除
去する。この方法によってジクロロシランおよびジクロ
ロシランは気相に熱分解して各種の基体上に非晶形ケイ
素膜を蒸着する。得られた被膜は反射性、空気安定性、
耐摩耗性、耐水性、光伝導性、そして半導体の非晶形ケ
イ素含有膜である。
を形成する。次の反応副生成物のトリハロシランおよび
水素（存在する場合は全ての未反応出発材料を含む）は
、反応容器を真空管路に再接続した後、真空排気によっ
て除去するのが便利である。次に上に分解したジハロシ
ラン出発材料が非晶形ケイ素膜を蒸着している基体を除
去する。この方法によってジクロロシランおよびジクロ
ロシランは気相に熱分解して各種の基体上に非晶形ケイ
素膜を蒸着する。得られた被膜は反射性、空気安定性、
耐摩耗性、耐水性、光伝導性、そして半導体の非晶形ケ
イ素含有膜である。
膜生成の別の様式は全てが金属の高真空反応器を利用す
ることができる。その反応容器はステンレス鋼で作られ
、油を含まない操作、圧力および流量の精密な制御およ
び多重反応物質入ロチヤンネルを提供するためにターボ
分子ポンプを特徴とする。ジハロモノシランは静的（非
流動）または動的（流動）粂件下で分解される。いずれ
の方式の場合にも、反応器は１０ トール以下に真空
排気する、そして基体の表面湿度を４００〜６００℃に
すべく、基体の加熱体に電力を供給する静的蒸着の場合
には、基体に近い方の反応器の領域に反応体ガスと必要
な微量添加物を１トール以下から５００トールの全圧力
にチャージし、ポンプから隔離し、蒸着反応を１０〜９
０分間進行させる。
ることができる。その反応容器はステンレス鋼で作られ
、油を含まない操作、圧力および流量の精密な制御およ
び多重反応物質入ロチヤンネルを提供するためにターボ
分子ポンプを特徴とする。ジハロモノシランは静的（非
流動）または動的（流動）粂件下で分解される。いずれ
の方式の場合にも、反応器は１０ トール以下に真空
排気する、そして基体の表面湿度を４００〜６００℃に
すべく、基体の加熱体に電力を供給する静的蒸着の場合
には、基体に近い方の反応器の領域に反応体ガスと必要
な微量添加物を１トール以下から５００トールの全圧力
にチャージし、ポンプから隔離し、蒸着反応を１０〜９
０分間進行させる。
膜は同じ反応器内の流動反応物流から蒸着する。
この場合、系は真空排気して前述のように基体を加熱す
る、そして所望のジハロモノシランまたはジハロモノシ
ランの混合体および必要な微量添加物の流量を５〜１０
０標準立方センチメートル／分（Ｓｃｏｍ）Ｉｃする。
る、そして所望のジハロモノシランまたはジハロモノシ
ランの混合体および必要な微量添加物の流量を５〜１０
０標準立方センチメートル／分（Ｓｃｏｍ）Ｉｃする。
その蒸着反応は１０〜９０分間進行させる。未反応の出
発材料または副生物のガスは全て、窒素パージで蒸着領
域から化学スクラツバー装置内へ一掃する。
発材料または副生物のガスは全て、窒素パージで蒸着領
域から化学スクラツバー装置内へ一掃する。
本発明によって生成された膜は、例えば光電池、不動態
の光学層、耐食性被膜、密封バリヤー被膜、耐摩耗性被
膜１等として有用である。テトラハロシラン（Ｘ４Ｓｉ
）およびトリハロシラン（ｘ、 ５ｉＨ）（ここでＸは
フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素からなる群から選ぶ
）は共に、他の水素源なしにこれらの用途に対して非晶
形ケイ素膜の有効な熱源でないので、ジハロモノシラン
を使用する本発明は狂特で新規なものである。ＳｉＨ３
Ｆ および５ｉＨ３ｃｚのようなモノハロシランは合成
が困難であって、再分配反応を通して極めて分解しやす
い（Ｈ，Ｅｍｅｌｅｕｓ ａｎｄ Ａ、 Ｍａｄｄｏａ
ｋ、 Ｊ、Ｏｈｅｍ。
の光学層、耐食性被膜、密封バリヤー被膜、耐摩耗性被
膜１等として有用である。テトラハロシラン（Ｘ４Ｓｉ
）およびトリハロシラン（ｘ、 ５ｉＨ）（ここでＸは
フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素からなる群から選ぶ
）は共に、他の水素源なしにこれらの用途に対して非晶
形ケイ素膜の有効な熱源でないので、ジハロモノシラン
を使用する本発明は狂特で新規なものである。ＳｉＨ３
Ｆ および５ｉＨ３ｃｚのようなモノハロシランは合成
が困難であって、再分配反応を通して極めて分解しやす
い（Ｈ，Ｅｍｅｌｅｕｓ ａｎｄ Ａ、 Ｍａｄｄｏａ
ｋ、 Ｊ、Ｏｈｅｍ。
Ｓｏｃ、 １９４４．２９３ 参冊）。
実施例１（可変ｌＢ度蒸着）
ジフルオロシラン（２０）−ル）ヲガラス基体（商品名
コーニング７０５９）と共に清浄化したパイレックス・
アングルに入れた。そのアンプルを密封して４００℃の
温度において６０分間加熱した。この時点で、薄膜の形
成がアンプル内に明らかに見られた。次にそのアンプル
は順次高温に、すなわち４５０℃および４７５℃でそれ
ぞれ３０分、５００℃および５５０℃でそれぞれ１５分
加熱した。次にアンプルを室温に冷却し、真空管路に接
続して反応副産物を除去した。そのアンプルを壊して膜
を被膜した基体を取り出した。粉末の生成は見られなか
った。膜の厚さは表面プロフィロメータで測定したとこ
ろ約１０９ＯＡであった。
コーニング７０５９）と共に清浄化したパイレックス・
アングルに入れた。そのアンプルを密封して４００℃の
温度において６０分間加熱した。この時点で、薄膜の形
成がアンプル内に明らかに見られた。次にそのアンプル
は順次高温に、すなわち４５０℃および４７５℃でそれ
ぞれ３０分、５００℃および５５０℃でそれぞれ１５分
加熱した。次にアンプルを室温に冷却し、真空管路に接
続して反応副産物を除去した。そのアンプルを壊して膜
を被膜した基体を取り出した。粉末の生成は見られなか
った。膜の厚さは表面プロフィロメータで測定したとこ
ろ約１０９ＯＡであった。
その膜は黄金色で高反射性であった。
膜の暗導電率は１． Ｉ Ｘ １０ シーメンス／ｃ
ＴＬ、ＡＭＩ照射下の導電率は１．１ Ｘ １０ シ
ーメンス／ｃｍであった。暗導電率の温度依存性を測定
したところ０．７８５ ｅ Ｖの活性化エネルギーを示
した。
ＴＬ、ＡＭＩ照射下の導電率は１．１ Ｘ １０ シ
ーメンス／ｃｍであった。暗導電率の温度依存性を測定
したところ０．７８５ ｅ Ｖの活性化エネルギーを示
した。
実施例２（定高度蒸着）
系の初圧力が１００トールそして蒸着温度を５５０℃に
一定に保ったこと以外は、実施例１の方法で膜試料を調
勢した。蒸着後の系の残留ガス分析は水素とトリフルオ
ロシランおよび未反応のジフルオロシランの存在を示し
た。蒸気の核生成や粉末の生成は見られなかった。
一定に保ったこと以外は、実施例１の方法で膜試料を調
勢した。蒸着後の系の残留ガス分析は水素とトリフルオ
ロシランおよび未反応のジフルオロシランの存在を示し
た。蒸気の核生成や粉末の生成は見られなかった。
実施例３（金属反応器）
全てが金属の高真空反応器内の５００℃に加熱したガラ
ス基体（高品名コーニング７０５９）の近くにジフルオ
ロシランの２５０トールを入れた。
ス基体（高品名コーニング７０５９）の近くにジフルオ
ロシランの２５０トールを入れた。
蒸着を９０分間させて、なめらかで光沢のある空気安定
性の膜（厚さｓ ｏ ｏＸ）を得た。
性の膜（厚さｓ ｏ ｏＸ）を得た。
実施例４（流動反応物流からの蒸着）
ジフルオロシランを金属反応器の加熱室に流量５ ＳＯ
Ｑｍ＋圧力Ｚｏｏトールで流通させた。５５０℃に維持
されたコーニング７ｏ５９ガラス基体上への蒸着を１２
０分間行って、なめらかで、空気安定性の着色膜を得た
。
Ｑｍ＋圧力Ｚｏｏトールで流通させた。５５０℃に維持
されたコーニング７ｏ５９ガラス基体上への蒸着を１２
０分間行って、なめらかで、空気安定性の着色膜を得た
。
実施例５（機械的性質）
実施例２の方法でジフルオロシランをコーニング７０５
９ガラスの片にコーティングした。耐摩耗性被膜用の膜
の性能を次の試験から決定した：光学膜に対する陸軍の
規格試験Ｃ−６７５Ａを膜に適用した。一般にこすり消
し試験と呼ばれるこの試験はかかる膜に対して激しい耐
摩耗性試験である。その試験は膜にはつきりした変化を
与えなかった。接着性に対する陸軍の規格試験をその膜
について行ったが、膜に変化は見られず、ガラス基体へ
の優れた接着性を示した。
９ガラスの片にコーティングした。耐摩耗性被膜用の膜
の性能を次の試験から決定した：光学膜に対する陸軍の
規格試験Ｃ−６７５Ａを膜に適用した。一般にこすり消
し試験と呼ばれるこの試験はかかる膜に対して激しい耐
摩耗性試験である。その試験は膜にはつきりした変化を
与えなかった。接着性に対する陸軍の規格試験をその膜
について行ったが、膜に変化は見られず、ガラス基体へ
の優れた接着性を示した。
テレダイン（Ｔｅ ｌ ｅｄｙｎｅ ）−テエイバ−（
ＴａｂＯｒ）のせん断／引っかき試験機を使用して耐摩
耗性を試験した。試験機にダイヤモンド針に１０．９の
荷重を与えて入れ、膜の表面を引っかいた。表面の顕微
鏡検査で、膜には実質的に全く損傷が見られなかった。
ＴａｂＯｒ）のせん断／引っかき試験機を使用して耐摩
耗性を試験した。試験機にダイヤモンド針に１０．９の
荷重を与えて入れ、膜の表面を引っかいた。表面の顕微
鏡検査で、膜には実質的に全く損傷が見られなかった。
実施例６（ｎ−ドープド材料）
ガス状微量添加物として１モル％のホスフィン（ＰＨ３
）を添加したことを除いて、実施例２の方法でジフルオ
ロシランをコーニング７０５９のガラス片に被覆した。
）を添加したことを除いて、実施例２の方法でジフルオ
ロシランをコーニング７０５９のガラス片に被覆した。
得られた膜は１×１０ シーメンス／ｃＩｒＬの暗導電
率と０．１４ ｅ Ｖの活性化エネルギーを示した。こ
れらのデータは、ドーピングをしないものに比べてドー
プド材料の導電性が８桁も増大したことを示す。
率と０．１４ ｅ Ｖの活性化エネルギーを示した。こ
れらのデータは、ドーピングをしないものに比べてドー
プド材料の導電性が８桁も増大したことを示す。
実施例７（１）−ドープド材料）
ガス状微量添加物として１モル％のジボラン（Ｅ！Ｈ，
）を添加し、系の圧力と温度をそれぞれ５０トールと４
５０℃にしたことを除いて、実施例２の方法でコーニン
グ７０５９ガラスの片にジフルオロシランをコーティン
グした。得られた膜は３．７ Ｘ １０ シーメンス
／ｃｍの暗導電率を示した。
）を添加し、系の圧力と温度をそれぞれ５０トールと４
５０℃にしたことを除いて、実施例２の方法でコーニン
グ７０５９ガラスの片にジフルオロシランをコーティン
グした。得られた膜は３．７ Ｘ １０ シーメンス
／ｃｍの暗導電率を示した。
実施例８（ジクロロシランからの蒸着）実施例２の方法
で膜前駆物質としてジクロロシランを利用して、５６０
℃において２０分の反応で非晶形ケイ素含有膜を生成し
た。その膜は光沢のある金色を有し、ガラス基体への優
れた接着性を示した。
で膜前駆物質としてジクロロシランを利用して、５６０
℃において２０分の反応で非晶形ケイ素含有膜を生成し
た。その膜は光沢のある金色を有し、ガラス基体への優
れた接着性を示した。
実施例９（光学的性質）
実施例２の方法で生成した膜の、同視および近赤外波長
における光学吸収スペクトルを検査した。
における光学吸収スペクトルを検査した。
タウ２（Ｔａｕｃ ）プロットを用いて、１．５５ ｅ
Ｖの光学バンド・ギャップを測定した。５００ｎｍに
おける吸収係数は３Ｘ１０（ｍ であった。
Ｖの光学バンド・ギャップを測定した。５００ｎｍに
おける吸収係数は３Ｘ１０（ｍ であった。
実施例１０（膜形成の限界）
系の圧力１．０トールでジフルオロシランを、５２５℃
に加熱したコーニング７０５９ガラス基体上に３ｓａａ
ｍの流量で流がした。６０分の反応期間後にも基体上に
膜は観察されなかった。
に加熱したコーニング７０５９ガラス基体上に３ｓａａ
ｍの流量で流がした。６０分の反応期間後にも基体上に
膜は観察されなかった。
実施例１１（光応答限界）
実施例４の方法で生成した１３５０Ａ厚さの膜の電気的
性質を評価した。暗導電率はａ ｘ ｔ ｏ−７Ｓ／Ｃ
ＴＬ、そして光導電性は３．１５ｘ １０ ｓ７／ＣＩ
ｒＬであった。
性質を評価した。暗導電率はａ ｘ ｔ ｏ−７Ｓ／Ｃ
ＴＬ、そして光導電性は３．１５ｘ １０ ｓ７／ＣＩ
ｒＬであった。
実施例１２（塩浴浸漬後の接着力試験）実施例２の方法
でコーニング７０５９ガラスの片上にジフルオロシラン
を蒸着した。蒸着したガラスを室温で０．１ Ｍ Ｎ
ａ０Ａ’溶液に３日間浸漬した。
でコーニング７０５９ガラスの片上にジフルオロシラン
を蒸着した。蒸着したガラスを室温で０．１ Ｍ Ｎ
ａ０Ａ’溶液に３日間浸漬した。
そのガラスを取り出し、乾燥し、膜にかみそシの刃で交
差平行線を付けた。引っかき線の上にセロファン・スコ
ッチ・テープを貼ｐ、７’Ｌ／スＬテ、除去した。膜は
接着性の不足を示さなかった。
差平行線を付けた。引っかき線の上にセロファン・スコ
ッチ・テープを貼ｐ、７’Ｌ／スＬテ、除去した。膜は
接着性の不足を示さなかった。
実施例１３（セラミック基体への蒸着）ジフルオロシラ
ン（５０トール）を、２種類の基体、すなわちサファイ
ア（ＡＪ、 ｏ３）とＢｅＯの薄板と共に石英の取外し
自在反応器に入れた。
ン（５０トール）を、２種類の基体、すなわちサファイ
ア（ＡＪ、 ｏ３）とＢｅＯの薄板と共に石英の取外し
自在反応器に入れた。
次にその反応器を５２５℃の温度において６０分間加熱
し、真空管路に接続して反応副産物を除去した。反応器
を開けて、膜をコーティングした基体を除去した。
し、真空管路に接続して反応副産物を除去した。反応器
を開けて、膜をコーティングした基体を除去した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ジハロシランまたはジハロシランの混合体のハロゲ
ンをそれぞれフッ素、塩素、臭素およびヨウ素から成る
群から選ぶところの気相のジハロシランまたはジハロシ
ランの混合体を、基体を含む反応室内において４００℃
〜６００℃の温度で分解させることから成ることを特徴
とする基体上に非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法
。 ２、基体を含む反応室において、気相のジフルオロシラ
ンを４００℃〜６００℃の温度で分解させることから成
ることを特徴とする基体上に非晶形、重合体ケイ素含有
膜の形成方法。 ３、基体を含む反応室において、気相のジクロロシラン
を４００℃〜６００℃の温度で分解させることから成る
ことを特徴とする基体上に非晶形、重合体ケイ素含有膜
の形成方法。 ４、基体を含む反応室において、気相のジブロモシラン
を４００℃〜６００℃の温度で分解させることから成る
ことを特徴とする基体上に非晶形、重合体ケイ素含有膜
の形成方法。 ５、基体を含む反応室において、気相のジョードシラン
を分解させることから成ることを特徴とする基体上に非
晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法。 ６、特許請求の範囲第１項の方法によつて製造された非
晶形ケイ素含有膜。 ７、特許請求の範囲第６項の膜を含む電子装置。 ８、特許請求の範囲第６項の膜を含む光電池装置。 ９、ジハロシランまたはジハロシランの混合体のハロゲ
ンをそれぞれフッ素、塩素、臭素およびヨウ素から成る
群が選ぶところの気相のジハロシランまたはジハロシラ
ンの混合体を、基体を含む反応室内において４００℃〜
６００℃の温度で分解させることによつて基体上に膜を
形成させることから成ることを特徴とする、基体上に耐
引つかき性の保模膜を作る方法。 １０、特許請求の範囲第９項の方法で作つた耐引つかき
性被膜を有する基体。 １１、ジハロシランまたはジハロシランの混合体のハロ
ゲンをそれぞれフッ素、塩素、臭素およびヨウ素から成
る群から選ぶところの気相のジハロシランまたはジハロ
シランの混合体を、基体を含む反応室内において４００
℃〜６００℃の温度で分解させることによつて基体上に
耐食性保護被膜を形成させることから成ることを特徴と
する、基体上に耐食性保護被膜を作製する方法。 １２、特許請求の範囲第１１項に記載の方法によつて作
つた耐食性保護膜。 １３、ジハロシランまたはジハロシランの混合体のハロ
ゲンをそれぞれフッ素、塩素、臭素およびヨウ素から成
る群から選ぶところの気相のジハロシランまたはジハロ
シランの混合体を、基体を含む反応室内において４００
℃〜６００℃の温度で分解させることによつて基体上に
密封用バリヤー被膜を形成させるから成ることを特徴と
する、基体上に密封用バリヤー被膜を作製する方法。 １４、特許請求の範囲第１３項の方法によつて調製され
た密封用バリヤー被膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US91489886A | 1986-10-03 | 1986-10-03 | |
| US914898 | 1986-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395617A true JPS6395617A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=25434927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248198A Pending JPS6395617A (ja) | 1986-10-03 | 1987-10-02 | 非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0262980B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6395617A (ja) |
| KR (1) | KR960006683B1 (ja) |
| CA (1) | CA1335950C (ja) |
| DE (1) | DE3782605T2 (ja) |
| ES (1) | ES2008897A6 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03190283A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の形成方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1116838A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Nec Corp | 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置 |
| KR100933503B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2009-12-23 | 연세대학교 산학협력단 | 비정질 실리콘박막의 제조방법 |
| KR101135898B1 (ko) | 2007-12-05 | 2012-04-13 | 삼성전자주식회사 | 리모트 컨트롤러 및 그 제어방법과 이를 가지는영상처리장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5465474A (en) * | 1977-11-04 | 1979-05-26 | Kokusai Electric Co Ltd | Method of growing silicon membrane in gas phase |
| JPS6057617A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-04-03 | Shunpei Yamazaki | 半導体装置作製方法 |
| JPS61208826A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4409605A (en) * | 1978-03-16 | 1983-10-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| JPS5767020A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Thin silicon film and its manufacture |
| JPS58219732A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Tokyo Inst Of Technol | フツ素含有アモルフアス半導体の製造方法 |
-
1987
- 1987-09-04 CA CA000546170A patent/CA1335950C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-25 ES ES8702751A patent/ES2008897A6/es not_active Expired
- 1987-10-02 JP JP62248198A patent/JPS6395617A/ja active Pending
- 1987-10-02 KR KR1019870011030A patent/KR960006683B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-10-02 EP EP87308751A patent/EP0262980B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-02 DE DE8787308751T patent/DE3782605T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5465474A (en) * | 1977-11-04 | 1979-05-26 | Kokusai Electric Co Ltd | Method of growing silicon membrane in gas phase |
| JPS6057617A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-04-03 | Shunpei Yamazaki | 半導体装置作製方法 |
| JPS61208826A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03190283A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3782605T2 (de) | 1993-05-13 |
| DE3782605D1 (de) | 1992-12-17 |
| CA1335950C (en) | 1995-06-20 |
| KR880005659A (ko) | 1988-06-29 |
| EP0262980A2 (en) | 1988-04-06 |
| KR960006683B1 (ko) | 1996-05-22 |
| EP0262980A3 (en) | 1989-01-25 |
| ES2008897A6 (es) | 1989-08-16 |
| EP0262980B1 (en) | 1992-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4696834A (en) | Silicon-containing coatings and a method for their preparation | |
| KR900000160B1 (ko) | 가스건조용 고분자 반투막의 제조방법 | |
| EP0152704B1 (en) | Polyhydridosilanes and their conversion to pyropolymers | |
| JPH0781186B2 (ja) | 非晶質炭化珪素を含むコーティングの形成方法 | |
| US5082696A (en) | Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decomposition of dihalosilanes | |
| EP0936282A3 (en) | Low-k fluorinated amorphous carbon dielectric and method of making the same | |
| KR910015011A (ko) | 금속 또는 금속 실리사이드막의 형성방법 | |
| JPS6043485A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| Kim et al. | Annealing effects on a-SiC: H and a-SiC: H (F) thin films deposited by PECVD at room temperature | |
| JPS5978919A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| CN113149017B (zh) | 一种多晶硅高沸物除铝用络合剂及其应用方法 | |
| US5061514A (en) | Chemical vapor deposition (CVD) process for plasma depositing silicon carbide films onto a substrate | |
| JPS6395617A (ja) | 非晶形、重合体ケイ素含有膜の形成方法 | |
| US5053255A (en) | Chemical vapor deposition (CVD) process for the thermally depositing silicon carbide films onto a substrate | |
| US5246734A (en) | Amorphous silicon hermetic coatings for optical wave guides | |
| CA1245109A (en) | Method of forming amorphous polymeric halosilane films and products produced therefrom | |
| AU610153B2 (en) | Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decomposition of fluorohydridodisilanes | |
| JPS63144526A (ja) | 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 | |
| CA1333146C (en) | Method of forming silicon dioxide glass films | |
| Chen et al. | Thermodynamics of amorphous SiN (O) H dielectric films synthesized by plasma‐enhanced chemical vapor deposition | |
| Morosanu et al. | Mechanism of the chemical vapour deposition of Si3N4 films from SiH2Cl2 and NH3 under diffusion-controlled conditions | |
| JPS60155508A (ja) | 耐湿性にすぐれた透明性非晶質窒化ホウ素組成物 | |
| JPH0331326A (ja) | ランダム共重合シラザン及びその製法 | |
| Lin et al. | New hydrogenated amorphous silicon alloys | |
| Jacobson | Chemical vapor deposition: applying the technology to optics |