DE3782605T2 - Herstellungsverfahren von halbleiterschichten aus amorphem silizium durch thermische zersetzung von dihalosilanen. - Google Patents

Herstellungsverfahren von halbleiterschichten aus amorphem silizium durch thermische zersetzung von dihalosilanen.

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Description

  • Die Erfindung richtet sich auf die Tatsache, daß Pyrolyse von verschiedenen dihalogenierten Monosilanen oder Mischungen von dihalogenierten Monosilanen zur Bildung eines sehr stabilen hochabriebbeständigen, fotoleitenden, dotierbaren Halbleiterfilms auf einem Träger führen kann.
  • Amorphe polymere Materialien aus Silizium und Wasserstoff (nachfolgend als a-SiH bezeichnet) tauchten als eine neue Klasse von Halbleitern in zurückliegenden Jahren auf. Solche Materialien sind beispielsweise beschrieben von D. Carlson in U.S.-Patent Nr. 4,064,521, erteilt am 20. Dezember 1976. Diese Stoffe wurden entwickelt als dünne Filme aus der Zersetzung von Silan (SiH&sub4;) in elektrischen Entladungen oder weniger häufig durch thermische Zersetzung von Silan oder höheren, Wasserstoff enthaltenden Silanen (z. B. Si&sub2;H&sub6;, Si&sub3;H&sub8; usw.), wie es in einer PCT-Patentanmeldung von A. MacDiarmid und Z. Kiss beschrieben ist, wobei diese Anmeldung am 16. September 1982 unter WO 82/03069 veröffentlicht wurde.
  • Wenn es erwünscht ist, zusätzliche elementare Bestandteile in den amorphen Film einzubringen, werden Co-Reagenzien wie Phosphin (PH&sub3;) oder Diboran (B&sub2;H&sub6;) den Ausgangsstoffen zugesetzt. Wenn Fluor in den amorphen Film eingebracht werden soll, wird der Reaktionsmischung am häufigsten Tetrafluorsilan (SiF&sub4;) zugesetzt. Dies ist beispielsweise beschrieben in U.S.-Patent Nr. 4,217,374, das Ovshinsky und Izu am 12. August 1980 erteilt wurde. In gleicher Weise können Chloratome in die Filme eingeschlossen werden durch Zersetzung einer Mischung von Siliziumtetrachlorid (SiCl&sub4;) und Silan oder Wasserstoff (vgl. beispielsweise V. Augelli und R. Murri, Material Chem. und Phys. (Schweiz) 9, 301-5 (1983)).
  • Ein Nachteil der Verwendung von Silan, Disilanen oder Polysilanen (SinH2n+2) als Ausgangsmaterial zur Erzeugung von a-SiH liegt in der hohen Explosionsgefahr von Silan/ Luft-Mischungen. Eine durchführbare Konsequenz dieser Explosionsgefahr ist häufig die Verwendung von inerten Trägergasen als Verdünnungsmittel in diesen Systemen. Beide Wege, Entladung (Plasma) und chemische Dampfphasenabscheidung (CVD) zu a-SiH aus Silan haben ebenfalls nachteilige Eigenschaften. Konventionelle Entladungssysteme erfordern relativ aufwendige und teure Apparaturen, um die Reaktionsnebenprodukte zu entfernen. Auf Silan basierende CVD- Systeme sind zwar einfach, haben jedoch die Neigung zur Keimbildung in der Dampfphase, wenn der Druck nicht sehr niedrig ist. Dieses Verhalten begrenzt den Bereich zulässiger Betriebsbedingungen für derartige thermische Zersetzungen.
  • Britisches Patent Nr. 2,148,328, erteilt am 30. Mai 1985 an M. Hirooka et al., lehrt die Zersetzung verschiedener Silane einschließlich Halosilanen (SiX&sub4;), zyklischen polymeren Halosilanen (SiX&sub2;)n, wobei n größer oder gleich 3 ist, Di- und Polysilanen, wie SinHX2n+1 und SinH&sub2;X2n. Diese Stoffe werden zersetzt durch elektrische Entladung, Photolyse, hohe Temperatur oder katalytisch und gemischt mit einem erforderlichen zweiten Strom, bestehend aus Materialien der Dampfphase, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus H&sub2;, SiH&sub4;, SiH&sub3;Br oder SiH&sub3;J, wobei der zweite Strom ebenso zersetzt wird. Der offensichtliche Nachteil dieses Standes der Technik, der sich von der vorliegenden Erfindung eindeutig unterscheidet, ist die Notwendigkeit, zwei Stoffe zu zersetzen. Hirooka et al. beansprucht den zweiten Strom als Quelle für Wasserstoff, um die Reduktion des Halosilans in amorphes Silizium zu bewirken. Die vorliegende Erfindung hat jedoch ausreichend Wasserstoff in dem Einzelbestandteil Dihalomonosilan, um den gewünschten amorphen Siliziumfilm zu erzeugen. Verschiedene molekulare Vorläufer, die von Hirooka et al. beansprucht werden, wie (SiH&sub2;)&sub3; oder (SiX&sub2;)&sub3;, in denen X Fluor oder Chlor ist, wurden jedoch bezüglich ihrer Herstellung in der Literatur nirgends beschrieben, oder es ist angegeben, daß sie extrem schwierig zu synthetisieren sind. Hirooka et al. lehrt die Synthese dieser schwer erhältlichen Moleküle nicht.
  • Britisches Patent Nr. 2,156,385, erteilt an Tanaka et al. am 9. Oktober 1985, beschreibt die Ablagerung eines Siliziumfilmes auf einem erwärmten Träger aus einem reaktiven Fluorsilangas im Plasmazustand. Tanaka et al. beschreibt jedoch nicht die Verwendung chemischer Dampfphasenabscheidung von Dihalosilanen, um amorphes Silizium enthaltende Filme herzustellen.
  • Dadurch ist die vorliegende Erfindung gegenüber dem Stand der Technik abgegrenzt, der die chemische Dampfphasenabscheidung von Disilanen, Polysilanen und ein Reduziersystem beschreibt, das zwei Ströme von Ausgangsstoffen erfordert. Die vorliegende Erfindung ist auch gegenüber dem Stand der Technik, der Plasmaabscheidungssysteme verwendet, abgegrenzt.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Bildung von amorphen Siliziumfilmen, hergestellt durch thermische Zersetzung, häufig auch als chemische Dampfabscheidung (CVD) bezeichnet, von Dihalosilan. Unter Dihalosilan wird hier eine Monosilanverbindung verstanden, in der das Siliziumatom mit zwei Halogenatomen und zwei Wasserstoffatomen verbunden ist. Die Bezeichnung amorph wird hier verwendet, um beides einzuschließen, nichtkristalline und mikrokristalline Stoffe, in denen die Kristallite kleiner als 5 nm (50 ngström) in der Ausdehnung sind und nicht benachbart sind, um gut definierte Korngrenzen auszubilden. Die Filme werden gebildet durch Zersetzung von Dihalosilanen, X&sub2;SiH&sub2;, in der Dampfphase in einem verschlossenen Zersetzungsbehälter bei erhöhten Temperaturen. Bei der vorliegenden Erfindung ist weder eine zusätzliche Wasserstoffquelle erforderlich, noch ist die Verwendung von elektrischen Entladungen (Plasma) erforderlich. Das Dihalosilan-Ausgangsmaterial ergibt eine wesentliche Reinigungsmöglichkeit gegenüber Disilan (oder solche mit höherem Molekulargewicht) als Ausgangsmaterialien. Siloxan-Verunreinigungen in dem Disilan und höheren Ausgangsstoffen des Standes der Technik können nicht akzeptable hohe Mengen von Sauerstoff in den abzulagernden Film einbringen. Siloxanverunreinigungen lassen sich leicht aus Dihalomonosilanen entfernen. Es bleibt festzuhalten, daß Tetrahalomonosilane, wie Tetrachlor- oder Tetrafluorsilane und die entsprechenden Trihalosilane nicht als Ausgangsstoffe für die erfindungsgemäße Zersetzung zur Ausbildung von zufriedenstellenden Filmen verwendet werden können. Die vorliegende Erfindung vereinfacht auch das Zuführverfahren der Stoffe, die zersetzt werden durch Verringern der Zahl der Reagenzien von zwei auf eine, weil eine zusätzliche Wasserstoffquelle nicht erforderlich ist. Der anfangs im Dihalosilan vorhandene Wasserstoff ergibt SiliziumWasserstoff-Bindungen in dem Film. Von diesen Silizium-Wasserstoff-Bindungen ist im Stand der Technik bekannt, daß sie die Fehlerdichte in dem amorphen Siliziumfilm verringern.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen amorpher, Silizium enthaltender Polymerfilme auf einem Träger durch Zersetzen eines Dihalosilans oder Mischung von Dihalosilanen in der Dampfphase, wobei Dihalogene des Dihalosilans oder Mischung von Dihalosilanen unabhängig ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus Fluor, Chlor, Brom und Jod bei einer Temperatur zwischen 400º und 600ºC in einem Reaktionsbehälter, der einen Träger enthält, der thermisch und chemisch bei Zersetzungstemperatur stabil ist in der Atmosphäre der Reaktionskammer, während die Filme auf dem Träger gebildet werden. Der bevorzugte Temperaturbereich für die erfindungsgemäße thermische Zersetzung liegt zwischen 450º und 570ºC.
  • Die vorliegende Erfindung hat weiterhin den Vorteil, daß die verwendeten Dihalomonosilane nicht empfindlich sind für Dampfkeimbildung bei höheren Drucken. Bei der Herstellung von amorphen siliziumhaltigen Filmen, die aus einem Silan hergestellt werden, muß dafür gesorgt werden, daß der Druck in dem System begrenzt wird, um die Bildung von Teilchen in der Dampfphase zu vermeiden mit anschließender Zersetzung des abgeschiedenen Materials.
  • Ein weiterer Gesichtspunkt des beanspruchten Verfahrens ist die Bildung von elektronischen Vorrichtungen, elektrooptischen Vorrichtungen und Photozellen einschließlich beispielsweise Solarzellen, dünnschichtigen Transistoren oder optischen Datenspeichern ebenso wie korrosionsbeständigen Beschichtungen, abriebbeständigen Beschichtungen und Vorrichtungen und Gegenständen, die davon abgeleitet sind. Dem Fachmann ist die Vielzahl der möglichen Vorrichtungen, die den erfindungsgemäßen amorphen, Silizium enthaltenden Filmen aufweisen können, klar.
  • Die vorliegende Erfindung schafft halbleitende, dotierbare, luftstabile, Silizium enthaltende amorphe Filme durch thermische Zersetzung von Dihalosilanen. Die erfindungsgemäß hergestellten Filme weisen starke Haftung auf Trägern auf, sind abriebbeständig und stabil bei höheren Temperaturen und absorbieren sichtbares Licht stark.
  • Dihalosilane, wie Difluorsilan, H&sub2;SiF&sub2; und/oder Dichlorsilan, H&sub2;SiCl&sub2;, werden in einem evakuierten Glas- oder Metallbehälter zusammen mit dem mit einem amorphen Siliziumfilm zu beschichtenden Träger angeordnet. Das Material des Reaktionsbehälters ist nicht begrenzt auf Glas oder Metall und kann jegliches Behältermaterial sein, das der Temperatur und den verringerten Druckbedingungen des CVD-Verfahrens standhält. Die Auswahl der Träger wird lediglich begrenzt durch das Erfordernis thermischer und chemischer Stabilität bei Zersetzungstemperatur in der Atmosphäre des Zersetzungsbehälters. Deshalb können beispielsweise folgende Träger beschichtet werden, zahlreiche Typen von Glas, Metallen, wie Stahl und Aluminium, Kunststoffe, die den Reaktionstemperaturen standhalten, und keramische Stoffe, wie Aluminiumoxid, Siliziumnitrid und Siliziumoxynitrid.
  • In der einfachsten Ausführungsform dient eine Glasampulle als Reaktionsbehälter. Beides, der Reaktionsbehälter und der Träger, werden zuerst gereinigt (beispielsweise mit einem alkalischen Mittel) und mit einem hochreinen Lösemittel gespült, vorzugsweise Wasser oder Methanol mit elektronischen Reinheitsgrad. Der Reaktionsbehälter wird dann mit einer Vakuumleitung verbunden und die Inhalte evakuiert und der Kessel unter Vakuum ausgeheizt, beispielsweise mit einem Gas-Sauerstoff-Brenner. Das Dihalosilan wird in den Reaktionsbehälter in einer solchen Weise eingebracht, daß es nicht der Atmosphäre ausgesetzt wird. Der Reaktionsbehälter wird mit einem Erdgas- Sauerstoff-Brenner verschlossen und in einem Ofen erwärmt für eine Zeit im allgemeinen im Bereich von 10 bis 90 Minuten bei einer Temperatur im Bereich von 400ºC bis 600ºC, vorzugsweise im Bereich von 450ºC bis 570ºC. Während dieser Zeit zersetzt sich das Ausgangsmaterial und bildet einen Siliziumfilm auf dem Träger. Dann können die Reaktionsnebenprodukte, Trihalosilan und Wasserstoff (und jedes nicht umgesetzte Ausgangsmaterial, falls vorhanden) durch Evakuieren einfach entfernt werden, nachdem der Reaktionsbehälter wieder an eine Vakuumleitung angeschlossen ist. Das Trägermaterial, auf dem das zersetzte Dihalosilan-Ausgangsmaterial einen amorphen Siliziumfilm abgelagert hat, wird dann entfernt. Nach diesem Verfahren werden Difluorsilan und Dichlorsilan thermisch in der Dampfphase zersetzt, um amorphe Siliziumfilme auf verschiedenen Trägern abzuschieden. Die erhaltenen Beschichtungen sind reflektierende, an Luft stabile, abriebbeständige, feuchtigkeitsbeständige, photoleitende, halbleitende, amorphes Silizium enthaltende Filme.
  • Alternative Verfahren der Filmherstellung können in einem metallischen Hochvakuumreaktor ausgeführt werden. Der Reaktionsbehälter wird dann aus rostfreiem Stahl hergestellt und weist eine Turbomolekularpumpe auf, um einen ölfreien Betrieb zu ermöglichen, genaue Drucksteuerung und zahlreiche Einlaßkanäle für Reagenzien sind vorhanden. Dihalomonosilane werden zersetzt unter statischen (nicht fließenden) Bedingungen. Der Reaktor wird evakuiert auf weniger als 0,13·10&supmin;³ Pa (10&supmin;&sup6; Torr) und Spannung an die Heizvorrichtung für den Träger angelegt, um die Temperatur der Oberfläche des gewünschten Trägers in den Bereich von 400ºC bis 600ºC zu bringen. Für die statische Abscheidung wird der Bereich des Reaktors über dem Träger dann mit dem Reaktionsgas beschickt und jedem gewünschten Dotierungsmittel bei einem Gesamtdruck von weniger als 133,3 Pa bis 66,7 kPa (1 bis 600 Torr) von der Pumpe abgetrennt und die Abscheidungsreaktion während 10 bis 90 Minuten ausgeführt.
  • Alle nicht umgesetzten Ausgangsstoffe oder Nebenproduktgase werden aus dem Ablagerungsbereich mit einem Stickstoffstrom entfernt in eine chemische Abscheidereinheit.
  • Die erfindungsgemäß hergestellten Filme sind geeignet als halbleitende Stoffe in Photozellen, als passive optische Schichten, korrosionsbeständige Beschichtungen, hermetisch sperrende Beschichtungen, abriebbeständige Beschichtungen und für andere dem Fachmann bekannte Verwendungszwecke. Weil beide, die Tetrahalosilane (X&sub4;Si) und Trihalosilane (X&sub3;SiH), in denen X ausgewählt ist aus der Klasse, bestehend aus Fluor, Chlor, Brom und Jod, keine wirksamen thermischen Quellen für amorphe Siliziumfilme für diese Anwendungszwecke sind, ohne zusätzliche Wasserstoffquelle, ist die Verwendung der Dihalomonosilane gemäß der vorliegenden Erfindung einheitlich und nicht naheliegend. Monohalosilane, wie SiH&sub3;F und SiH&sub3;Cl, sind schwer zu synthetisieren und hochempfindlich gegen Zersetzu:g durch Verteilungsreaktionen (siehe H. Emeleus und A. Maddock, J. Chem. Soc. 1944, 293).
    • Beispiel 1 - Abscheidung bei variabler Temperatur
  • Difluorsilan wurde bei einem Druck von 2,67 kPa (20 Torr) in einem sauberen Pyrex-Behälter zusammen mit einem Träger aus Corning 7059 - Glas angeordnet. Der Behälter wurde verschlossen und 60 Minuten auf eine Temperatur von 400ºC erwärmt. Zu diesem Zeitpunkt war die Bildung eines dünnen Filmes im Behälter sichtbar. Der Behälter wurde dann schrittweise auf höhere Temperaturen erwärmt, jeweils 30 Minuten auf 450ºC und 475ºC und 15 Minuten auf jeweils 500ºC und 550ºC. Der Behälter wurde dann auf Raumtemperatur abgekühlt und an eine Vakuumleitung angeschlossen, um Reaktionsnebenprodukte zu entfernen. Der Behälter wurde geöffnet und der mit einem Film beschichtete Träger entfernt. Es war eine Pulverbildung sichtbar. Die Filmdicke wurde mit einem Oberflächenprofilmeßgerät ermittelt zu etwa 100 nm (1000 ngström). Der Film wies eine goldbraune Farbe mit hoher Reflexion auf.
  • Die Leitfähigkeit des Filmes im Dunkeln wurde bestimmt zu 1,1·10&supmin;&sup9; Siemens/cm und die Leitfähigkeit unter AM1- Strahlung betrug 1,1·10&supmin;&sup7; Siemens/cm. Die Messung der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit in Dunkelheit ergab eine Aktivierungsenergie von 0,785 eV.
    • Beispiel 2 - Abscheidung bei konstanter Temperatur
  • Eine Filmprobe wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, ausgenommen, daß der Anfangsdruck im System 13,3 kPa (100 Torr) betrug und die Zersetzungstemperatur konstant bei 550ºC gehalten wurde. Die Analyse der verbleibenden Gase im System nach der Abscheidung ergab die Anwesenheit von Wasserstoff und Trifluorsilan, zusammen mit nicht umgesetztem Difluorsilan. Keine Anzeichen von Dampfkeimbildung oder Pulverbildung wurden gefunden.
    • Beispiel 3 - Metallreaktor
  • 33,3 kPa (250 Torr) Difluorsilan wurden in einem Ganzmetallhochvakuumreaktor angeordnet in der Nähe eines auf 500ºC erwärmten Trägers aus Corning 7059 - Glas. Die Abscheidung erfolgte während 90 Minuten und ergab einen glatten, glänzenden, an Luft stabilen Film, dessen Dicke mit 80 nm (800 ngström) bestimmt wurde.
    • Beispiel 4 - Mechanische Eigenschaften
  • Difluorsilan wurde beschichtet auf ein Corning 7059 - Glas, wie in Beispiel 2 beschrieben. Die Beständigkeit des Filmes gegenüber Abrieb wurde mit folgenden Prüfungen ermittelt: die militärische Prüfvorschrift C-675A für optische Filme wurde mit der Beschichtung ausgeführt. Üblicherweise als Auslöschtest bezeichnet, ist dies eine rigorose Prüfung der Abriebbeständigkeit solcher Filme. Die Prüfung ergab keine sichtbare Änderung des Films. Auch die militärische Prüfung M-13508 für die Haftung wurde mit dem Material ausgeführt. Die Prüfung ergab keine Änderung des Filmes. Dies ist ein Anzeichen ausgezeichneter Haftung auf dem Glasträger.
  • Ein Teledyne-Tabor Scher-/Kratzprüfer wurde für die Prüfung der Abriebbeständigkeit eingesetzt. Der Diamantkopf im Prüfer wurde mit 10 g belastet und über die Oberfläche des Filmes gezogen. Bei mikroskopischer Prüfung der Oberfläche waren keine sichtbaren Zerstörungen des Filmes erkennbar.
    • Beispiel 5 - n-dotiertes Material
  • Difluorsilan wurde auf ein Glasstück aus Corning 7059 - Glas in gleicher Weise wie in Beispiel 2 aufgebracht, ausgenommen, daß 1 Mol-% Phosphin (PH&sub3;) als gasförmiges Dotierungsmittel zugesetzt wurde. Der erhaltene Film wies eine Dunkelleitfähigkeit von 1·10&supmin;¹ Siemens/cm und eine Aktivierungsenergie von 0,14 eV auf. Diese Daten zeigen einen Anstieg um 8 Zehnerpotenzen der Größenordnung der Leitfähigkeit des dotierten Materials im Verhältnis zum nicht dotierten Material an.
    • Beispiel 6 - p-dotiertes Material
  • Difluorsilan wurde auf ein Glasstück aus Corning 7059 - Glas in gleicher Weise wie in Beispiel 2 aufgebracht, ausgenommen, daß 1 Mol-% Diboran (B&sub2;H&sub6;) als gasförmiges Dotierungsmittel zugesetzt wurde, und der Systemdruck und die Temperatur waren 6,67 kPa (50 Torr) und 450ºC. Der erhaltene Film wies eine Dunkelleitfähigkeit von 3,7·10&supmin;&sup5; Siemens/cm auf.
    • Beispiel 7 - Abscheidung von Dichlorsilan
  • Dichlorsilan wurde verwendet als Filmvorläufer in gleicher Weise wie in Beispiel 2, um einen amorphen, Silizium enthaltenden Film bei 560ºC in 20 Minuten Reaktionszeit herzustellen. Der Film wies ein glänzendes, goldenes Aussehen auf und haftete ausgezeichnet auf dem Glasträger.
    • Beispiel 8 - Optische Eigenschaften
  • Ein in gleicher Weise wie in Beispiel 2 hergestellter Film wurde bezüglich des optischen Absorptionsspektrums im sichtbaren Bereich und im nahen infraroten Wellenlängenbereich geprüft. Ein Schreiber wurde verwendet, um eine optische Bandbreite von 1,55 eV zu ermitteln. Der Absorptionskoeffizient bei 500 nm ist 3·10&sup5; cm&supmin;¹.
    • Beispiel 9 - Grenzen der Filmbildung, Vergleichsbeispiel
  • Difluorsilan wurde bei einem Systemdruck von 133,3 Pa (1,0 Torr) mit einer Fließgeschwindigkeit von 3 sccm über einen Glasträger aus Corning 7059 - Glas, der auf 525ºC erwärmt war, geleitet. Nach einer Reaktionszeit von 60 Minuten konnte kein Film auf dem Träger beobachtet werden.
    • Beispiel 10 - Haftprüfung mit anschließendem Eintauchen in Salzbad
  • In gleicher Weise wie in Beispiel 2 wurde Difluorsilan aufgebracht auf ein Glasstück aus Corning 7059 - Glas. Das beschichtete Glas wurde eingetaucht in 0,1 M NaCL- Lösung während drei Tagen bei Raumtemperatur. Das beschichtete Glas wurde dann entfernt, getrocknet und der Film mit einer Rasierklinge eingeschnitten. Ein Haftklebeband der Type Cellophane Scotch wurde auf den eingeschnittenen Teil aufgebracht, angepreßt und dann entfernt. Es konnte kein Haftungsversagen des Filmes gezeigt werden.
    • Beispiel 11 - Ablagerung auf einem keramischen Träger
  • Bei einem Druck von 6,67 kPa (50 Torr) wurde Difluorsilan in einem zerlegbaren Quarzreaktor zusammen mit zwei keramischen Trägern, d. h. Saphir (Al&sub2;O&sub3;) und einer dünnen BeO-Platte angeordnet. Der Reaktor wurde dann 60 Minuten auf eine Temperatur von 525ºC erwärmt, dann auf Raumtemperatur gekühlt und mit Vakuum die Nebenprodukte der Reaktion entfernt. Der Reaktor wurde geöffnet und die mit einem Film beschichteten Träger entfernt.

Claims (7)

1. Verfahren zur Ausbildung eines amorphen, Silizium enthaltenden Polymerfilms auf einem Träger durch: Plazieren eines Trägers in einen abgedichteten Zersetzungsbehälter, Entfernen von Luft aus dem Zersetzungsbehälter, Einbringen eines Ausgangsgases bei einem Druck von 133,3 Pa bis 66,7 kPa (1-500 Torr) in den Zersetzungsbehälter, wobei das Ausgangsgas aus einem Dihalogensilan oder einer Mischung von Dihalogensilanen besteht, wobei jedes Halogen des Dihalogensilans oder der Mischung von Dihalogensilanen unabhängig voneinander aus Fluor, Chlor, Brom und Jod ausgewählt ist; Erwärmen des Trägers in dem Zersetzungsbehälter auf eine Temperatur von 400 bis 600ºC, um ohne Glühen oder Plasmaentladung einen amorphen, Silizium enthaltenden Polymerfilm auf dem Träger auszubilden, und Entfernen des Trägers aus dem Zersetzungsbehälter.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus Glas, Metall, keramischem Werkstoff und Kunststoff ausgewählt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zusätzlich die Zugabe eines Dotierungsmittels in den Zersetzungsbehälter beinhaltet, wobei der Film, der auf dem Träger ausgebildet wird, mit dem Dotierungsmittel dotiert wird.
4. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangsgas Difluorsilan ist.
5. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck des Ausgansgases in dem Zersetzungsbehälter zwischen 2,67 und 66,7 kPa (20-500 Torr) beträgt.
6. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck des Ausgangsgases in dem Zersetzungsbehälter 6,67-66,7 kPa (50-500 Torr) beträgt.
7. Verfahren nach jedem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger in dem Zersetzungsbehälter auf eine Temperatur von 450-570ºC erwärmt wird.
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