KR870002584A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 다른 ECL 메모리 장치의 개략적 회로도,
제2도내지 2D도는 본 발명 실시예의 주요부의 다이어 그램과 그의 레벨 다이어 그램.
제3도는 ECL 회로에서 온도 제수를 설명 하기 위한 접속 다이어 그램,
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
WD:위드선 드라이버부 6:메모리셀
Claims (9)
- 고전위원(V cc ),
- 저전위원(VEE),
- 상기 고전위원보다 소정 전위 만큼 더 낮은 선택레벨로 선택 위드선의 전위를 만들기 위해 어드레스 신호를 수신하고 상기 고전위원에 접속된 위드선 드라이버부, 및 상기 위드선에 접속된 다수의 메모리셀로 구성되어, 상기 저전위원이 제1 지전위원 또는 더 낮은 제2 저전위원에 접속될수 있고, 다수의 드라이버 트랜지스터는 다수단의 구조를 가능하게 하도록 상기 위드선 드라이버부에 제공되며, 상기 제1 저전위원이 상기 저전위원에 접속될 경우의 드라이버 트랜지스터 단의 수는 상기 제2 전위원이 접속될 경우의 수보다 더작게 이루어지고, 상기 제1 지전위원이 접속될 경우의 위드선의 선택 레벨은 상기 제2 저전위원이 접속될 경우보다 더 높게 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 선택 신호를 상기 위드선 드라이버부에 공급하기 위한 드라이버 게이트 회로를 더 갖추고 있으며, 상기 드라이버 트랜지스터의 각각은 상기 고전위원에 접속된 콜렉터, 상기 선택 신호를 수신하도록 선택된 베이스, 및 상기 위드선에 접속된 에미터로 이루어져 있고, 상기 드라이버 게이트 회로는 고전력 소자 수단(R1, R2)및 저전력 소자 수단(R1′, R2′)으로 이루어져 있으며, 상기 고전력 소자 수단은 상기 제1저전위원이 상기 저전위원에 접속될 경우 접속되어 사용되며, 상기 저전력 소자 수단은 상기 제2저전위원이 상기 저전위원에 접속될 경우 접속되어 사용되어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 레벨 시프트 수단(D)은 비트선 드라이버에 제공되며, 상기 레벨 시프트 수단은 상기 제2 저원위원이 접속될 경우 사용되고 상기 제1 저전위원이 접속될 경우 사용되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 고전위원(V cc )
- 저전위원,
- 상기 고전위원 보다 소정전위만큼 더 낮은 선택레벨로 선택 위드선의 전위를 만들기 위해 어드레스 신호를 수신하고 상기 고전위원에 접속된 위드선 드라이버부, 및 상기 위드선에 접속된 다수의 메모리셀로 구성되어, 상기 저전위원이 제1 저전위원 또는 더 낮은 제2 저전위원에 접속될 수 있고, 다수의 드라이버 트랜지스트는 나중에 제공된 배선에 의해 다수단의 구조를 가능하게 하도록 상기 위드선 드라이버부에 제공되며, 상기 제1 저전위원이 사용된 제품에서의 드라이버 트랜지스터 단의 수는 상기 제2 전위원이 사용되는 제폼보다 더 작게 이루어질 수 있는 것을 특징으로 하는 반완성된 반도체 메모리 장치.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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