KR850004002A - 블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법 - Google Patents
블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR850004002A KR850004002A KR1019840007286A KR840007286A KR850004002A KR 850004002 A KR850004002 A KR 850004002A KR 1019840007286 A KR1019840007286 A KR 1019840007286A KR 840007286 A KR840007286 A KR 840007286A KR 850004002 A KR850004002 A KR 850004002A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- channel
- conductive molding
- semiconductor
- image sensor
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 영상감지기 장치의 실시예에 대한 개략적인 설계도,
제2도는 제1도의 영상감지기 장치에서 선Ⅱ-Ⅱ을 따라 절취한 단면도,
제3도는 제1도의 영상감지기 장치에서 선Ⅲ-Ⅲ를 따라 절취한 단면도.
Claims (6)
- 제1도전성형의 반도체 기판을 구비하고 있으며, 이 기판은 전하가 집속되어 이동되는 동작중 표면상에 존재하는 전극시스템에 직각방향으로 향하고 제2반대도전성형의 표면 진접 채널분리영역에 의해, 상호 분리되고 또한 표면과 실제로 평행으로 연장하는 제2전도율형의 반도체 영역에 인접하는 제1도전성형의 다수의 표면인접채널 영역을 갖는 영상감지기 장치에 있어서, 채널영역은 반도체 영역의 도핑농도를 초과하는 도핑농도를 갖고 반도체 영역의 도핑농도는 반도체 기판의 도핑농도를 초구하고, 반도체 영역은 채널영역과 직각방향으로 채널영역의 중심에서 최소한의 변화를 하는 두께를 갖는것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제1항의 영상감지기 장치에 있어서, 반도체 영역은 채널영역의 중심에서 차단되어 이 면적에서 슬롯을 나타내는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제2항의 영상감지기 장치에 있어서, 슬롯은 채널영역과 직각방향으로 채널분리 영역바로 옆에서 측정된 반도체 영역두께의 절반을 초과하는 면적을 갖는것을 특징으로 하는 불루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제1,2 또는 3항의 영상감지기 장치에 있어서, 채널분리 영역은 채널분리 영역과 직각방향으로 채널분리 영역 바로옆에서 측정된 채널영역 두께의 4배보다 적은 면적을 갖는것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 선행된 항중 어느한항에 따른 영상감지기 장치 제조방법에 있어서, 제2도전성형의 영역은 제1도전성형의 반도체 기판에서 제1마스킹을 통하는 불순물의 확산에 의해서 고정된 상대중심거리에서 연장하는 창을 구비하고 채널영역을 형성하는 제1도전성형은 제2마스킹을 통하여 동일한 상대중심거리에서 연장하는 창을 구비하고 있으며, 제2마스킹은 채널영역이 제2도전성형의 영역사이의 중간에 형성되는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치 제조방법.
- 제5항의 방법에 있어서, 두가지 확산이 실행되어 제2도전성형의 영역은 서로 접촉하지 않고 제1도전성형의 영역에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8304035 | 1983-11-24 | ||
NL8304035A NL8304035A (nl) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | Blooming ongevoelige beeldopneeminrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR850004002A true KR850004002A (ko) | 1985-06-29 |
KR920007785B1 KR920007785B1 (ko) | 1992-09-17 |
Family
ID=19842766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019840007286A KR920007785B1 (ko) | 1983-11-24 | 1984-11-21 | 이미지 센서장치 및 그 제조방법 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4654682A (ko) |
EP (1) | EP0143496B1 (ko) |
JP (1) | JPS60134569A (ko) |
KR (1) | KR920007785B1 (ko) |
AT (1) | ATE32287T1 (ko) |
AU (1) | AU580272B2 (ko) |
CA (1) | CA1218443A (ko) |
DE (1) | DE3469113D1 (ko) |
ES (1) | ES537816A0 (ko) |
HK (1) | HK82891A (ko) |
IE (1) | IE56332B1 (ko) |
NL (1) | NL8304035A (ko) |
SG (1) | SG51290G (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3586452T2 (de) * | 1984-10-18 | 1993-03-18 | Matsushita Electronics Corp | Festkoerperbildsensor und verfahren zu seiner herstellung. |
FR2633455B1 (fr) * | 1988-06-24 | 1990-08-24 | Thomson Csf | Matrice photosensible a transfert de trame d.t.c., avec un systeme antieblouissement vertical, et procede de fabrication d'une telle matrice |
NL9000776A (nl) * | 1990-04-03 | 1991-11-01 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een ladingsgekoppelde beeldopneeminrichting, alsmede beeldopneeminrichting verkregen door deze werkwijze. |
JPH04335573A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Sony Corp | Ccd固体撮像素子 |
JPH04373274A (ja) * | 1991-06-21 | 1992-12-25 | Sony Corp | Ccd固体撮像素子 |
DE69329100T2 (de) * | 1992-12-09 | 2001-03-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Ladungsgekoppelte Anordnung |
JP3276005B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子及びその製造法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4025943A (en) * | 1976-03-22 | 1977-05-24 | Canadian Patents And Development Limited | Photogeneration channel in front illuminated solid state silicon imaging devices |
US4181542A (en) * | 1976-10-25 | 1980-01-01 | Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing junction field effect transistors |
CH616024A5 (ko) * | 1977-05-05 | 1980-02-29 | Centre Electron Horloger | |
US4173064A (en) * | 1977-08-22 | 1979-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Split gate electrode, self-aligned antiblooming structure and method of making same |
GB2023340B (en) * | 1978-06-01 | 1982-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuits |
US4344222A (en) * | 1979-05-21 | 1982-08-17 | Ibm Corporation | Bipolar compatible electrically alterable read-only memory |
GB2054961B (en) * | 1979-07-26 | 1983-07-20 | Gen Electric Co Ltd | Excess charge removal oin charge transfer devices |
US4322882A (en) * | 1980-02-04 | 1982-04-06 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for making an integrated injection logic structure including a self-aligned base contact |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
US4450464A (en) * | 1980-07-23 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state area imaging apparatus having a charge transfer arrangement |
US4373252A (en) * | 1981-02-17 | 1983-02-15 | Fairchild Camera & Instrument | Method for manufacturing a semiconductor structure having reduced lateral spacing between buried regions |
US4396438A (en) * | 1981-08-31 | 1983-08-02 | Rca Corporation | Method of making CCD imagers |
US4406052A (en) * | 1981-11-12 | 1983-09-27 | Gte Laboratories Incorporated | Non-epitaxial static induction transistor processing |
-
1983
- 1983-11-24 NL NL8304035A patent/NL8304035A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-11-13 US US06/671,154 patent/US4654682A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-20 EP EP84201684A patent/EP0143496B1/en not_active Expired
- 1984-11-20 DE DE8484201684T patent/DE3469113D1/de not_active Expired
- 1984-11-20 AT AT84201684T patent/ATE32287T1/de active
- 1984-11-21 JP JP59244685A patent/JPS60134569A/ja active Granted
- 1984-11-21 ES ES537816A patent/ES537816A0/es active Granted
- 1984-11-21 KR KR1019840007286A patent/KR920007785B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-11-22 IE IE2991/84A patent/IE56332B1/xx unknown
- 1984-11-22 CA CA000468453A patent/CA1218443A/en not_active Expired
- 1984-11-23 AU AU35837/84A patent/AU580272B2/en not_active Ceased
-
1986
- 1986-11-14 US US06/930,985 patent/US4697329A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-04 SG SG512/90A patent/SG51290G/en unknown
-
1991
- 1991-10-24 HK HK828/91A patent/HK82891A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IE842991L (en) | 1985-05-24 |
ES8600594A1 (es) | 1985-09-16 |
ATE32287T1 (de) | 1988-02-15 |
ES537816A0 (es) | 1985-09-16 |
SG51290G (en) | 1990-08-31 |
JPS60134569A (ja) | 1985-07-17 |
CA1218443A (en) | 1987-02-24 |
US4697329A (en) | 1987-10-06 |
IE56332B1 (en) | 1991-06-19 |
EP0143496A1 (en) | 1985-06-05 |
DE3469113D1 (en) | 1988-03-03 |
EP0143496B1 (en) | 1988-01-27 |
HK82891A (en) | 1991-11-01 |
JPH0527992B2 (ko) | 1993-04-22 |
KR920007785B1 (ko) | 1992-09-17 |
NL8304035A (nl) | 1985-06-17 |
AU580272B2 (en) | 1989-01-12 |
US4654682A (en) | 1987-03-31 |
AU3583784A (en) | 1985-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920001753A (ko) | 종형 mos 트랜지스터와 그 제조 방법 | |
KR840006872A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
KR910010713A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR920005345A (ko) | 터널 주입형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR840005920A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
KR920020731A (ko) | 범용 열 디코더를 이용한 신규한 무접점 플레시 eprom 셀 | |
KR850004002A (ko) | 블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법 | |
GB1335814A (en) | Transistor and method of manufacturing the same | |
KR870008395A (ko) | 절연게이트 전계효과 트랜지스터 | |
KR960036095A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 | |
JPS56162875A (en) | Semiconductor device | |
KR850000799A (ko) | 호출 전용 메모리 | |
KR970060477A (ko) | 반도체 장치 | |
KR910008844A (ko) | 반도체 장치 | |
KR970018753A (ko) | 수광소자 | |
KR910016061A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR910015067A (ko) | 반도체 장치 | |
KR840005278A (ko) | 3차원 구조 반도체장치(三次元構造半導體裝置) | |
KR910007131A (ko) | 마스터 슬라이스 집적 회로 장치 | |
KR920005391A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 · 절연 게이트형 트랜지스터 혼재 반도체장치 | |
KR910013565A (ko) | 래터럴형 반도체장치 | |
KR870009483A (ko) | 고체촬상장치 | |
KR910017656A (ko) | 반도체장치 | |
JPS5723282A (en) | Solid state image sensor | |
KR910008853A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020828 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |