KR830001668A - 고온으로 가열된 썹스트레이트 표면에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 방법과 상기 방법을 실시하는 설비 - Google Patents

고온으로 가열된 썹스트레이트 표면에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 방법과 상기 방법을 실시하는 설비 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

고온으로 가열된 썹스트레이트 표면에 고체물질의 층을 연속적으로 용착시키는 방법과 상기 방법을 실시하는 설비
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 계통도임. 도면 1a와 1b는 제1도를 변형한 것임. 제2도는 제1도중 부분품을 확대한 수직 단면도임.

Claims (26)

  1. 상기 유체가 직선 가스막 형태를 하고 있으며 모든 유체에 보통 있는 가상 끝으로 각각 전환하는 횡측면도를 갖는것. 이들 막 및 썹스트레이트는 상기 끝부분이 사기 썹스트레이트 표면의 평면에 포함된 방법에서 배지되고 썹스트레이트에 미치는 상기 유체의 영향으로부터 나오는 반응으로부터 발생한 가스가 상기 양끝부분으로 펼쳐져 있는 이 썹스트레이트의 신정된 부분 위에 흐르게 하며, 이 가스들은 상기 막의 상기 가성선의 끝부분 반대쪽에 위치한 상기 썹스트레이트 부분에서 빠져나가는 것을 특징으로 하고 상기 유체가 썹스트레이트의 분산 지역에 연속적으로 적응되는 방법에서 상기 유체와 썹스트레이트가 비교저 이동되는 동시에 분산 라미나 유체가 형성되고, 이 유레들은 상호 접촉해서 함께 운반함으로써 썹스트레이트에 적응되며, 가스에 희석된 반응물이나 적어도 2개의 가스상 반응물의 반응으로부터 발생하는 고체물질층을 고온까지 가열되는 썹스트레이트 표면에 연속적으로 응착시키는 방법.
  2. 상기 가스상 막이 적어도 3개이고, 쌍으로 접촉해서 다른 첫 옆에서 배지되고, 중간 막이 첫번째 반응물의 흐름에 의해서 형성되고 측면막은 다른 반응물의 가스상 흐름에 의해서 형성되는 것을 특징으로하는 청구범위 1에 의한 방법.
  3. SnCl4나 TiCl4의 희석유체가 중간막을 형성하고 측면막이 희석된 수중기에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하고 SnCl4의 반응에 의한 SnO2층이나 불활성 담체가스에 희석된 수증기와 TiCl4와의 반응에 의한 TiO2층을 용착시키는 청구범위 2이 의한 방법.
  4. 안티몬 도우핑한 SnO2층을 얻기 위해서 불활성 가스에 희석된 SbCl5형태로 부가만응물을 사용하며, 상기 희석된 SbCl5가 상기 중간 가스상막을 형성하기 전에 희석된 SnCl4에 첨가하는 것을 특징으로 하는 청구범위 3에 의한 방법.
  5. 불소를 모우핑간 SnO2층을 얻을 목적으로 가스상 HF에 의해서, 생성되는 첨가반응물을 이용하고 이반응물이, 상기 측면막을 형성하기 전에 상기 희석된 수증기에 첨가되는 것을 특징으로 하는 청구범위 3에 의한 방법.
  6. 반응을 약하게 하기 위해서 SnCl4와 수증기를 환원제 존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 청구범위 3에 의한 방법.
  7. 상기 환원제를 적절히 얻을 목적으로 메탄올 CH3OH가 희석된 수증기에 도입되는 것을 특징으로 하는 청구범위 6에 의한 방법.
  8. 상기 담체가스가 질소 및 수소 혼합물에 의해서 형성되고 수소가 상기 환원제 역활을 하는 것을 특징으로 하는 청구범위 6에 의한 방법.
  9. 담체가스가 질소 60%와 수소 40%로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 8에 의한 방법.
  10. 청구범위 4와 6, 7 혹은 8에 의한 방법.
  11. 청구범위 5와 6, 7 혹은 8에 의한 방법.
  12. 실비가 적어도,
  13. -담체가스에 희석된 반응물이나 첫번째 가스상 반응물에 대한 공급원,
  14. -담체가스에 희석된 반응물 혹은 두번째 가스상 반응물에 대한 공급원,
  15. -직선형 구멍을 갖고 각 구멍의 세로 끝을 규정하는 측면벽이 모든 분사도관에 공통되는 신으로 전환되고, 이 분사도관들중 첫번째 것은 배출수의 첫번째 세로 끝부분과 함께 두번째 분사도관의 세로 배출수 끝부분과 연결되고, 상기 구멍의 두번째 세로 끝부분과 세번째 분사도관의 배출구멍의 세로 구멍과 연결되어 있는 노즐,
  16. -두번째 및 세번째 분사도관의 배출구멍의 두번째 세로 끝부분으로부터 상기 분사도관 약측까지 선정된 길이에 걸쳐 확장되고, 디플렉팅 표면이 노즐의 분사도관 구멍의 세로 끝부분과 서로 동일평면이고 이 노즐과 함께 운동학적으로 통합한 첫번째 및 두번째 디플렉팅 표면,
  17. -첫번째 반응물의 공급원을 노즐의 첫번째 분사도관과 연결하는 첫번째 분배기 조직망, 두번째 반응물의 공급된을 노즐의 두번째 및 세번째 분사도관 연결하는 두번째 분배기 조직망,
  18. -상대운동에서 썹스트레이트를 설치하고 상기 가상선에 수직방향으로 노즐을 설치하는 수단,
  19. -상기 상대운동 과정에서 노즐의 상기 분사도관 구멍을 함유하는 평면과 상기 디플렉팅 표면을 썹스트리이트의 상기 표면과 분리시키는 거리를 일정하게 유지하고 이 거리가 노즐의 분사도관과 상기 가상선사이에 구성된 것과 실제적으로 똑같은 수단,
  20. -상기 디플렉팅 표면과 썹스트레이트 표면 사이의 공간에서 형성된 반응가스를 상기 노즐 구멍으로부터 가장 먼 이 공간으로부터 배출시키기 위한 적어도의 한 개의 장치를 구성하고 있는 것을 특징으로 하며 청구범위 2에 의한 방법을 실시하기 위한 설비.
  21. 노즐의 분사도관의 배출구멍을 구성하는 슬럿(slot)의 넓이가 1/10mm 이상이고 2/10mm보다는 작은 것을 특징으로 하는 청구범위 12에 의한 설비.
  22. 첫번째 및 두번째 디플렉팅 표면이 화학적으로 불황성인 금속이나 그러한 금속의 합금층으로 피복된 것을 특징으로 하는 청구범위 12에 의한 설비.
  23. 첫번째 및 두번째 디플렉팅 표면이 화학적으로 불활성인 금속 산화물층으로 피복된 것을 특징으로하는 청구범위 12에 의한 설비.
  24. 첫번째 및 두번째 디플렉팅 표면이 분사도관의 배출구멍을 구성하는 슬럿의 분사도관 양측까지 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 청구범위 13에 의한 설비.
  25. 상기 디플렉팅 표면과 썹스트레이트 표면을 분리시키는 거리가 3-6mm인 것을 특징으로 하는 청구범위 16에 의반 설비.
  26. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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