KR20230006034A - 웨트 에칭 방법 및 에칭액 - Google Patents

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Abstract

기판 상의 금속 함유막을, 에칭액을 이용하여 에칭하는 웨트 에칭 방법으로서, 상기 에칭액이, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤의 유기 용매 용액로서, 상기 금속 함유막이 상기 β-디케톤과 착체를 형성 가능한 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

웨트 에칭 방법 및 에칭액{WET ETCHING METHOD AND ETCHING SOLUTION}
본 발명은, 반도체 제조 공정 등에서 사용되는 금속 함유막의 웨트 에칭 방법이나 에칭액에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 메탈게이트 재료, 전극 재료, 또는 자성 재료 등으로서의 금속막이나, 압전 재료, LED 발광 재료, 투명 전극 재료, 또는 유전 재료 등으로서의 금속 화합물막 등의 금속 함유막을, 원하는 패턴을 형성하기 위해 에칭 처리를 행한다.
금속 함유막의 에칭 방법으로서는, β-디케톤을 이용한 드라이 에칭 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 천이 금속으로 이루어지는 시드층을, 이방적으로 산화하고, HFAc 등의 가스를 이용하여 제거하는 드라이 에칭 공정을 구비한 패턴화 금속막의 형성 방법이 개시되어 있다(특허 문헌 1). 또한, β-디케톤과 H2O를 포함하는 에칭 가스를 이용하여, 기판 상에 형성된 Co, Fe, Zn, Mn, Ni 등의 금속막을 드라이 에칭하는 방법이 개시되어 있다(특허 문헌 2).
그런데, 특허 문헌 1~2에 기재된, 가스를 이용하는 드라이 에칭 이외에, 약액을 이용하는 웨트 에칭이 있다. 반도체 소자의 제조 공정에 있어서의 웨트 에칭은, 무기산이나 유기산, 산화성 물질을 포함하는 에칭액을 이용하고 있었다(예를 들면, 특허 문헌 3, 4, 5).
그 밖에도, 유기 아민 화합물과 염기성 화합물과 산화제를 수성 매체 중에 포함하고, pH가 7~14인 에칭액을 이용하여, Ti를 선택적으로 에칭하는 방법이 개시되어 있었다(특허 문헌 6).
일본 공개특허 특개2012-114287호 공보 일본 공개특허 특개2014-236096호 공보 일본 공개특허 특개2013-149852호 공보 일본 공표특허 특표2008-541447호 공보 일본 공표특허 특표2008-512869호 공보 일본 공개특허 특개2013-33942호 공보
드라이 에칭과 비교해 웨트 에칭은, 장치나 약액의 비용이 낮아, 한번에 대량의 기판을 처리할 수 있다고 하는 점에서 유리하다. 그러나, 종래의 에칭액에서는, 에칭 대상인 금속 함유막뿐만 아니라, 에칭 대상이 아닌 기판 등과도 반응해버리는 경우도 있어, 금속 함유막이 내장된 디바이스의 특성이 악화된다고 하는 문제점이 있었다.
본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 에칭액을 이용하여, 기판 상의 금속 함유막을 효율적으로 에칭하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤의 유기 용매 용액을 에칭액으로서 이용하면, β-디케톤이 금속과 착체를 형성하여, 기판 상의 금속 함유막을 에칭할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명의 제 1 양태는, 기판 상의 금속 함유막을, 에칭액을 이용하여 에칭하는 웨트 에칭 방법으로서, 상기 에칭액이, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤과, 유기 용매와의 용액이며, 상기 금속 함유막이, 상기 β-디케톤과 착체를 형성 가능한 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법이다.
또한, 본 발명의 제 2 양태는, 이소프로필알코올, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 메틸에틸케톤(MEK), 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 유기 용매와, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액이다.
본 발명에 의해, 에칭액을 이용하여, 기판 상의 금속 함유막을 효율적으로 에칭하는 방법을 제공할 수 있다.
(금속 함유막의 웨트 에칭 방법)
본 발명의 웨트 에칭 방법에서는, 기판 상의 금속 함유막을, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤을 포함하는 에칭액을 이용하여 에칭한다.
본 발명의 웨트 에칭 방법에서 에칭 대상으로 하는 금속 함유막은, 상기 β-디케톤과 착체를 형성 가능한 금속 원소를 포함하고 있다. 예를 들면, 금속 함유막이 포함하는 금속 원소로서, Ti, Zr, Hf ,V, Nb, Ta, Cr, Mo ,W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Sn, Pb, 및 As를 들 수 있다. 이들 금속은, β-디케톤과 착체를 형성하는 것이 가능하고, 에칭액 중의 β-디케톤과 착체를 형성하여, 에칭액 중에 용해된다. 또한, 금속 함유막이 포함하는 금속 원소로서는, Ti, Zr, Hf ,V, Cr, Mn, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Zn, Al, Ga, In, Sn, Pb, 및 As가 바람직하고, Ti, Zr, Hf, Cr, Fe, Ru, Co, Ni, Pt, Cu, Zn, Al, Ga, In, Sn, 및 Pb가 보다 바람직하다.
금속 함유막은, 1종류의 금속 원소로 이루어지는 단체(單體)의 막이나, 금속 원소를 포함하는 합금의 막, 금속 원소를 포함하는 화합물의 막 중 어느 것인 것이 바람직하다. 이들 금속 함유막이 적층된 막을 에칭해도 된다. 상기의 금속 원소의 복수 종류를 포함하는 합금의 막으로서는, NiCo, CoFe, CoPt, MnZn, NiZn, CuZn, FeNi 등의 합금막뿐만 아니라, CoFeB 등의, 다른 원소를 도프한 합금막이어도 된다. 또한, 상기의 금속 원소의 화합물막으로서는, 상기의 금속 원소를 복수 포함하는 금속간 화합물, 하프늄 산화물, 루테늄 산화물, 티탄 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물, 티탄산 지르콘산납 등의 산화물막, GaN, AlGaN 등의 질화물막, NiSi, CoSi, HfSi 등의 규화물막, InAs, GaAs, InGaAs 등의 비화물막, InP나 GaP 등의 인화물막 등을 들 수 있다. 또한, 복수의 원소를 포함하는 금속 함유막에 있어서는, 각 원소의 조성비는 임의의 값을 취할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 기판은, 금속 함유막을 성막할 수 있어, 웨트 에칭 시에 에칭액과 반응하지 않는 재료로 구성되면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 산화 실리콘이나 폴리 실리콘, 질화 실리콘, 산질화 실리콘, 탄화 규소 등의 실리콘계 반도체 재료 기판이나, 소다 석회 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 규산염 유리 재료 기판을 이용할 수 있다. 또한, 기판 상에는 금속 함유막 이외에, 실리콘계 반도체 재료의 막 등을 가지고 있어도 된다.
본 발명의 에칭액은, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤의 유기 용매 용액이다. 트리플루오로메틸기(CF3)와 카르보닐기(C=O)가 결합되어 있는 β-디케톤은, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합되어 있지 않은 β-디케톤에 비해, 고속으로 에칭 가능하며, 또한, 금속과의 착체가 응집하기 어려워 고체가 석출되기 어렵다. 이 때문에, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤은, 에칭액에 산 등을 첨가하지 않더라도, 현실적인 에칭 속도를 달성할 수 있다. 에칭액에 포함되는 β-디케톤은, 트리플루오로메틸기(CF3)와 카르보닐기(C=O)가 결합하고 있는 부위(트리플루오로아세틸기)를 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 헥사플루오로아세틸아세톤(1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디온), 트리플루오로아세틸아세톤(1,1,1-트리플루오로-2,4-펜탄디온), 1,1,1,6,6,6-헥사플루오로-2,4-헥산디온, 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-1,3-부탄디온, 4,4,4-트리플루오로-1-페닐-1,3-부탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-3-메틸-2,4-펜탄디온, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디온 및 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸-2,4-헥산디온으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 이들 조합인 것이 바람직하다.
에칭액에 이용되는 유기 용매로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1급 알코올, 2급 알코올, 3급 알코올, 벤질알코올, 에테르, 에스테르, 케톤, 아민, 아미드, 글리콜, 글리콜에테르, 할로겐화 알칸 또는 이들 조합을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 유기 용매로서, 이소프로필알코올, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤 또는 이들 조합을 사용할 수 있다. 이들 유기 용매는, 일반적으로 이용되어 저가인 데다가, β-디케톤과의 상용성이 우수하기 때문이다.
또한, β-디케톤은, 수화물을 형성하면 고체로서 석출되기 때문에, 용매로서 물을 이용하면, 다수의 고체가 석출되어, 에칭액으로서 사용할 수 없다. 이 때문에, 에칭액에 포함되는 수분은, 1질량% 이하인 것이 바람직하다. β-디케톤은, 수화물을 형성하면, 고체로서 석출되기 때문에, 수분이 많이 포함되면 에칭액 중에 고체 성분이 파티클로서 생성되어 버린다. 파티클을 가지는 에칭액은, 처리 대상에 파티클이 잔존해버려, 디바이스에 문제가 발생할 수 있기 때문에, 바람직하지 못하다.
또한, 에칭액 중의 β-디케톤의 농도가 1~80질량%인 것이 바람직하고, 5~50질량%인 것이 보다 바람직하며, 10~20질량%인 것이 더 바람직하다. β-디케톤이 지나치게 많으면, 일반적으로 β-디케톤은 유기 용매보다 고가이기 때문에 에칭액이 지나치게 고가가 된다. 한편, β-디케톤이 지나치게 적으면 에칭이 진행되지 않게 될 우려가 있다.
에칭액은, 유기 용매와 β-디케톤만으로 구성되어 있어도 되지만, 또한, 에칭 속도를 향상시키거나, 에칭 선택성을 높이거나 하기 위해, 에칭액이 과산화물을 첨가제로서 더 포함해도 된다. 특히, 첨가제가, 과산화 수소, 과아세트산, 과탄산 나트륨, 과황산 암모늄, 과황산 나트륨, 과황산 칼륨 및 퍼옥시 황산 칼륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 과산화물인 것이 바람직하다. 이들 첨가제는, 일반적으로 입수 가능한 데다가, 금속 함유막을 구성하는 금속 원소의 산화를 진행시켜, 금속 원소와 β-디케톤과의 착화 반응을 촉진시킬 수 있기 때문에, 에칭액에 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 에칭액에는, 처리 대상물에 악영향을 주지 않는 한, 에칭 속도를 향상시키거나, 에칭 선택성을 높이거나 하기 위해, 각종의 산을 첨가제로서 더 포함해도 된다. 특히, 첨가제가, 구연산, 포름산, 아세트산 및 트리플루오로아세트산으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
첨가제의 첨가량은, 에칭액에 대하여 0.01~20질량%인 것이 바람직하고, 0.5~15질량%인 것이 보다 바람직하며, 1~10질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 에칭액을, 유기 용매와 β-디케톤과 첨가제만으로 구성할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 금속 함유막을 가지는 처리 대상물을 에칭액 중에 침지하거나, 또는, 금속 함유막을 가지는 처리 대상물을 배치한 에칭 장치 내에 에칭액을 넣는 등 하여, 에칭액을 처리 대상물의 금속 함유막에 접촉시켜 반응시키고, 금속 착체를 형성함으로써 금속 함유막을 에칭액 중에 용해시켜, 에칭한다.
따라서, 본 발명의 에칭액은, β-디케톤과 착체를 형성하는 금속을 함유하는 재료를 에칭하지만, β-디케톤과 착체를 형성하지 않는 실리콘계 반도체 재료나 규산염 유리 재료를 에칭하지 않기 때문에, 본 발명의 웨트 에칭 방법을 이용하면, 금속 함유막만을 기판에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있다. 또한, 기판 상에 2종 이상의 금속 함유막을 가지는 경우, 포함되는 금속 등에 의한 에칭 속도의 차를 이용하여, 어느 금속 함유막을 다른 금속 함유막에 대하여 선택적으로 에칭할 수도 있다.
본 발명의 웨트 에칭 방법에 있어서, 에칭 시의 에칭액의 온도에 대해서는, 에칭액이 액체 상태를 유지할 수 있는 온도이면 특별히 한정되지 않지만, -10~100℃ 정도로 적절히 설정할 수 있다. 예를 들면, 헥사플루오로아세틸아세톤이나 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디온은, 비등점이 약 70℃이며, 트리플루오로아세틸아세톤은, 비등점이 약 105~107℃이다. 또한, 헥사플루오로아세틸아세톤과, 트리플루오로아세틸아세톤의 융점은, 엄밀히 측정된 값은 알려져 있지 않지만, 일반적으로 유기물은 불소화되면 융점과 비등점이 저하되기 때문에, 아세틸아세톤의 비등점이 140℃이며, 융점이 -23℃이기 때문에, 불소화된 헥사플루오로아세틸아세톤과, 트리플루오로아세틸아세톤의 융점은 더 낮다고 생각된다.
에칭 시간은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 반도체 디바이스 제조 프로세스의 효율을 고려하면, 60분 이내인 것이 바람직하다. 여기에, 에칭 시간이란, 처리 대상물과 에칭액이 접촉하고 있는 시간이며, 예를 들면, 에칭액에 처리 대상물인 기판을 침지하고 있는 시간이나, 에칭 처리가 행해지는 내부에 기판이 설치되어 있는 프로세스 챔버의 내부에 에칭액을 도입하고, 그 후, 에칭 처리를 끝내기 위해 당해 프로세스 챔버 내의 에칭액을 배출할 때까지의 시간을 가리킨다.
본 발명의 웨트 에칭 방법을 이용하면, 에칭 대상 외의 기판이나, 실리콘계 반도체 재료의 막을 에칭하지 않고, 에칭 대상의 금속 함유막을 에칭할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨트 에칭 방법을 이용하면, 드라이 에칭 장치에 비해 저렴한 웨트 에칭 장치를 사용하여, 금속 함유막을 에칭할 수 있기 때문에, 반도체 디바이스를 저렴하게 제조할 수 있다.
(디바이스)
본 발명과 관련된 웨트 에칭 방법에 의해, 종래의 반도체 제조 프로세스에 의해 제조되는 디바이스의 금속 함유막을 에칭 가능하다. 본 발명과 관련된 디바이스는, 본 발명과 관련된 웨트 에칭 방법에 의해 에칭한 금속 함유막을 이용함으로써, 저렴하게 제조할 수 있다. 이러한 디바이스로서, 예를 들면, 태양 전지, 하드디스크 드라이브, 로직 IC, 마이크로 프로세서, 다이나믹·랜덤·액세스·메모리, 상(相) 변화형 메모리, 강유전체 메모리, 자기 저항 메모리, 저항 변화형 메모리, MEMS 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 관련된 실시예에 한정되는 것은 아니다.
샘플로서, 두께 0.1mm의 각종의 막을 가지는 2cm×2cm의 실리콘 기판을 이용했다. 각종의 금속의 단체, 합금, 화합물의 막은 스퍼터링 또는 화학적 기상 성장법(CVD)으로 제막했다.
또한, p-Si는, 폴리 실리콘의 약칭이며, 다결정 실리콘을 의미한다. SiN은, 질화 실리콘이며, 화학식으로는 SiNx로 나타난다. SiON은, 산질화 실리콘이며, 화학식으로는 SiOxNy로 나타난다. ITO는, 인듐 주석 산화물이며, 산화 인듐에 산화 주석이 소량 포함되어 있는 복합 산화물이다. IZO는, 인듐 아연 산화물이며, 산화 인듐에 산화 아연이 소량 포함되어 있는 복합 산화물이다. PZT는, 티탄산 지르콘산납이며, 화학식으로는 Pb(ZrxTi1-x)O3으로 나타난다. CoFe, GaN, NiSi, CoSi, HfSi는, 각 원소가 1대1의 조성비인 것은 의미하지 않고, 각 조성비는 임의의 값을 취할 수 있다.
웨트 에칭 시험에 있어서, β-디케톤으로서, 헥사플루오로아세틸아세톤(HFAc)과 트리플루오로아세틸아세톤(TFAc), 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디온(HFPD), 아세틸아세톤(AcAc)을 이용하여, 유기 용매로서 이소프로필알코올(IPA)과 아세톤, 메탄올, 첨가제로서 과산화 수소(H2O2)를 이용하고, 또한 물을 소량 첨가하는 등 한 각종의 조성으로 에칭액을 제조했다. 실시예 6-1 등에서는, 농도 35질량%의 과산화 수소 수용액을 에칭액 전체에 대하여 1질량%가 되도록 가했다.
또한, 비교예 12-1~12-3에서는, 1질량%의 희(稀)초산을 이용하여, SiN과 SiOx와 Co의 막을 웨트 에칭했다.
에칭 속도는, 각종의 막의 웨트 에칭 전후의 막 두께와 에칭 처리 시간으로부터 산출했다.
이하에, 실험 결과를 표 1~3에 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
실시예 1-1과 1-2와, 비교예 1-1과 1-2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 에칭액에서, Co와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 33 이상이 되고, Fe와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 52 이상이 되었다. 또한, 실시예 1-1~1-23과 비교예 1-1~1-5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 에칭액은, 소정의 금속 원소를 포함하는 금속 함유막을, 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭 가능했다.
또한, 실시예 2-1, 2-2, 비교예 2-1, 2-2에 나타내는 바와 같이, β-디케톤으로서 TFAc를 이용해도, Co와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 25 이상이 되고, Fe와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 46 이상이 되며, 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있었다.
또한, 실시예 3-1, 3-2, 비교예 3-1, 3-2에 나타내는 바와 같이, β-디케톤으로서 HFPD를 이용해도, Co와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 28 이상이 되고, Fe와 SiN 또는 SiOx와의 선택비는 48 이상이 되며, 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있었다.
실시예 4-1, 4-2, 비교예 4-1, 4-2에 나타내는 바와 같이, 유기 용매로서 아세톤을 이용해도, 마찬가지로 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있었다.
실시예 5-1, 5-2, 비교예 5-1, 5-2에 나타내는 바와 같이, 유기 용매로서 메탄올을 이용해도, 마찬가지로 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있었다.
실시예 6-1, 6-2, 비교예 6-1, 6-2에 나타내는 바와 같이, 첨가제로서 과산화 수소를 가함으로써, Co와 Fe의 에칭 속도가 높아져, 금속 함유막과 실리콘계 재료의 선택비는 더 높아졌다.
실시예 7-1, 8-1, 비교예 7-1, 8-1에 나타내는 바와 같이, HFAc의 양이 5질량%여도 50질량%여도 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택적으로 에칭할 수 있었다.
또한, 실시예 9-1, 비교예 9-1에서는, 수분이 1질량% 포함하는 에칭액을 이용해도, 금속 함유막을 실리콘계 재료에 대하여 선택 에칭이 가능했다. 실시예 10-1, 비교예 10-1에서는 에칭액에 수분을 5질량% 포함하기 때문에, 에칭액 중에 파티클을 발생시켜, 피에칭물에도 파티클이 잔존해버렸다. 이와 같이 파티클이 남아버리는 에칭액은, 반도체 디바이스에 이용하는 금속 함유막의 에칭에는 사용할 수 없다.
한편, 비교예 11-1, 11-2에 나타내는 바와 같이, β-디케톤으로서, 아세틸아세톤을 이용하는 경우, Co에 비해서도 SiO2에 비해서도 에칭 속도가 느려, 에칭액으로서의 사용이 곤란했다.
또한, 비교예 12-1~12-3에 나타내는 바와 같이, 희초산은 SiN 및 SiOx와도 반응하기 때문에, 실리콘계 재료도 에칭해버렸다. Co와 SiN의 선택비는 6 정도이며, Co와 SiOx의 선택비는 3 정도로, 선택비도 양호하지 않았다.

Claims (17)

  1. 기판 상의 금속 함유막을, 에칭액을 이용하여 에칭하는 웨트 에칭 방법으로서,
    상기 에칭액이, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤과, 유기 용매와, 첨가제로서 과산화물과, 1질량% 이하의 물만으로 이루어지고,
    상기 금속 함유막이, Co, Fe, Ti, Zr, Hf, Cr, Al, Ru, Ni, Pt, 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원소의 단체, 또는 상기 금속 원소를 포함하는 합금, 또는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 하프늄 산화물, 루테늄 산화물, 갈륨 산화물, GaN, NiSi, 및 HfSi로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1종으로 이루어지는 막이며,
    상기 기판의 재료가, 실리콘계 반도체 재료 또는 규산염 유리 재료이고,
    상기 에칭액은, 상기 기판의 재료인 실리콘계 반도체 재료 또는 규산염 유리 재료보다 금속 함유막에 대하여 높은 에칭 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 용매가, 1급 알코올, 2급 알코올, 3급 알코올, 벤질알코올, 에테르, 에스테르, 케톤, 아민, 아미드, 글리콜, 글리콜에테르, 및 할로겐화 알칸으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 유기 용매인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유기 용매가, 이소프로필알코올, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸에틸케톤, 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 유기 용매인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭액 중의 상기 β-디케톤의 농도가 1~80질량%인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 β-디케톤이, 헥사플루오로아세틸아세톤, 트리플루오로아세틸아세톤, 1,1,1,6,6,6-헥사플루오로-2,4-헥산디온, 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-1,3-부탄디온, 4,4,4-트리플루오로-1-페닐-1,3-부탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-3-메틸-2,4-펜탄디온, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디온 및 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸-2,4-헥산디온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 β-디케톤이, 헥사플루오로아세틸아세톤인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 과산화물이, 과산화 수소, 과아세트산, 과탄산 나트륨, 과황산 암모늄, 과황산 나트륨, 과황산 칼륨 및 퍼옥시 황산 칼륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 첨가제의 첨가량이, 에칭액에 대하여 0.01~20질량%인 것을 특징으로 하는 웨트 에칭 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    에칭할 때의 에칭액의 온도가 -10~100℃인 웨트 에칭 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    에칭할 때의 에칭 시간이 60분 이내인 웨트 에칭 방법.
  11. 실리콘계 반도체 재료 또는 규산염 유리 재료로 이루어지는 기판 상에 형성되고, Co, Fe, Ti, Zr, Hf, Cr, Al, Ru, Ni, Pt, 및 Cu로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원소의 단체, 또는 상기 금속 원소를 포함하는 합금, 또는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 하프늄 산화물, 루테늄 산화물, 갈륨 산화물, GaN, NiSi, 및 HfSi로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1종으로 이루어지는 금속 함유막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액으로서,
    이소프로필알코올, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸에틸케톤, 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 유기 용매와, 트리플루오로메틸기와 카르보닐기가 결합된 β-디케톤과, 첨가제로서 과산화물과, 1질량% 이하의 물만으로 이루어지고,
    상기 기판의 재료인 실리콘계 반도체 재료 또는 규산염 유리 재료보다 금속 함유막에 대하여 높은 에칭 속도를 갖는 에칭액.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 β-디케톤이, 헥사플루오로아세틸아세톤, 트리플루오로아세틸아세톤, 1,1,1,6,6,6-헥사플루오로-2,4-헥산디온, 4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-1,3-부탄디온, 4,4,4-트리플루오로-1-페닐-1,3-부탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-3-메틸-2,4-펜탄디온, 1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디온 및 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸-2,4-헥산디온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 β-디케톤이, 헥사플루오로아세틸아세톤인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 에칭액 중의 상기 β-디케톤의 농도가 1~80질량%인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 과산화물이, 과산화 수소, 과아세트산, 과탄산 나트륨, 과황산 암모늄, 과황산 나트륨, 과황산 칼륨 및 퍼옥시 황산 칼륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 첨가제의 첨가량이, 에칭액에 대하여 0.01~20질량%인 것을 특징으로 하는 에칭액.
  17. 기판 상의 금속 함유막에 대하여, 제 1 항에 기재된 웨트 에칭 방법을 이용하여, 웨트 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.

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