JPS5992916A - ４ａ族金属の透明酸化物膜形成用組成物 - Google Patents
４ａ族金属の透明酸化物膜形成用組成物Info
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- JPS5992916A JPS5992916A JP20201182A JP20201182A JPS5992916A JP S5992916 A JPS5992916 A JP S5992916A JP 20201182 A JP20201182 A JP 20201182A JP 20201182 A JP20201182 A JP 20201182A JP S5992916 A JPS5992916 A JP S5992916A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は９ガラス等の基板にＩＶＡ族金属（Ｔ１゜Ｚｒ
、Ｈ，ｆ）の酸化物の透明薄膜を形成する組成物に関す
る。
、Ｈ，ｆ）の酸化物の透明薄膜を形成する組成物に関す
る。
酸化チタン薄膜は、高屈折率誘′！ｆ４体層として透明
導電性被膜あるいは選択透過性被膜の責重な構成要素で
ある。又酸化ジルコニウム薄膜はカメラレンズの色収差
補正用、メガネレンズの乱反射防止用等の用途がある。
導電性被膜あるいは選択透過性被膜の責重な構成要素で
ある。又酸化ジルコニウム薄膜はカメラレンズの色収差
補正用、メガネレンズの乱反射防止用等の用途がある。
酸化ノ・フニウム簿膜についても、酸化ジルコニウムと
同様な用途が考えらＪｌ。
同様な用途が考えらＪｌ。
る。
従来これらの薄膜の形成は９例えば真空蒸着。
スパッタリング、ＣＶＤ法等によって実施されているが
、これらの方法は原料利用率が悪く、かつ装置が高価で
あり、生産技術としては不満足なものであるため、簡易
外装置で大川生産に適する。
、これらの方法は原料利用率が悪く、かつ装置が高価で
あり、生産技術としては不満足なものであるため、簡易
外装置で大川生産に適する。
ＩＶＡ族金属の化合物の溶液を浸漬゛またに塗布によっ
て基板に適用し、これを加熱して酸化物に転化す・る方
法が種々試みられている。
て基板に適用し、これを加熱して酸化物に転化す・る方
法が種々試みられている。
この塗布液としては、これまでに金属アルコキシドの有
機溶剤溶液が４月案さハているが、アＪ・コキシドは強
打水分解性のために吸洋により沈）股が発生するなど保
存寿命が短いこと、あるいは操作性が悪く脱液塗布の際
に沈殿等が発、生し均一３１ｉ＠ができ々いなどの欠点
があった。この改善のために、アルコキシドを錯塩に変
換し７て、安定な溶液を得る方法も試みられている。例
えば、チタンアルコキシドにアセチルアセトンを添加す
る方法である。この塗布液は水に対する安定性、操作性
は改善されるが、塗布後の加熱処理により得られる膜中
には、金属アセチルアセトン塩の針状結晶が残るという
欠点がある。またアルコール等への溶解度が小さく、厚
い膜ができないという欠点がある。
機溶剤溶液が４月案さハているが、アＪ・コキシドは強
打水分解性のために吸洋により沈）股が発生するなど保
存寿命が短いこと、あるいは操作性が悪く脱液塗布の際
に沈殿等が発、生し均一３１ｉ＠ができ々いなどの欠点
があった。この改善のために、アルコキシドを錯塩に変
換し７て、安定な溶液を得る方法も試みられている。例
えば、チタンアルコキシドにアセチルアセトンを添加す
る方法である。この塗布液は水に対する安定性、操作性
は改善されるが、塗布後の加熱処理により得られる膜中
には、金属アセチルアセトン塩の針状結晶が残るという
欠点がある。またアルコール等への溶解度が小さく、厚
い膜ができないという欠点がある。
ＩＶＡ族金属のβ−ジケトン錯体の含水アルコール溶液
は、ＩＶＡ族金属酸化物透明膜を形成するだめの塗布工
程において吸湿による変質がなく安定で、まだ塗布液の
金属錯体の濃度を高めることができ、加熱処理工程にお
いては速かにＩＶＡ族金属酸化物透明膜を形成する。
は、ＩＶＡ族金属酸化物透明膜を形成するだめの塗布工
程において吸湿による変質がなく安定で、まだ塗布液の
金属錯体の濃度を高めることができ、加熱処理工程にお
いては速かにＩＶＡ族金属酸化物透明膜を形成する。
ＩＶＡ族金属のβ−ジケトン錯体ｆｄ、アルコールへの
溶解度は小さいが２本発明者等はこの系に水を嗜入する
ことにより、溶解度が増大することを見出した。
溶解度は小さいが２本発明者等はこの系に水を嗜入する
ことにより、溶解度が増大することを見出した。
キレート化合物として、β−ジケトン錯体はよく知られ
ている。本発明者等はＩＶＡ族金属のβ−ジケトン錯体
ケ使用して該金属の酸化物膜形成用の塗布液を調製し、
塗布液中の０度を高め、何れた酸化物透明膜を形成すべ
く鋭意（ｄＦ究していたが必ずしも満足な結果を得てい
なかった。
ている。本発明者等はＩＶＡ族金属のβ−ジケトン錯体
ケ使用して該金属の酸化物膜形成用の塗布液を調製し、
塗布液中の０度を高め、何れた酸化物透明膜を形成すべ
く鋭意（ｄＦ究していたが必ずしも満足な結果を得てい
なかった。
ところがたまたま良好な結果が得らす１．だので。
その原因を究明したところ、使用したアルコールが可な
り多量の水を含んでいたことが分った。一般にβ−ジケ
トン錯体もオだ、加水分解しやすく。
り多量の水を含んでいたことが分った。一般にβ−ジケ
トン錯体もオだ、加水分解しやすく。
水は禁物であると信ぜられていたので２発明者にとって
これは意外な経験であった。これを端著として研究を進
めたところ、β−ジケトン船体はアルコールへの溶解度
は小さいが、水を加えることによって溶解度が上り、か
つ加水分解に対して意外に安定であることが判明した。
これは意外な経験であった。これを端著として研究を進
めたところ、β−ジケトン船体はアルコールへの溶解度
は小さいが、水を加えることによって溶解度が上り、か
つ加水分解に対して意外に安定であることが判明した。
本発明はこれらの知見に基づいている。
本発明によね、ば、ＩＶＡ族金属のβ−ジケトン臼ｉ体
を４５市量係１での水を含む１．１；素原子数４以下の
ｆ迎、和１価アルカノールと水の混合物に７８解してな
る該金属の透明酸化物膜形成用Ａ１［１成物が１是（１
、される。
を４５市量係１での水を含む１．１；素原子数４以下の
ｆ迎、和１価アルカノールと水の混合物に７８解してな
る該金属の透明酸化物膜形成用Ａ１［１成物が１是（１
、される。
β−ジケトン錯体が水凍たは含水アルコ−Ｊ・に溶解さ
れて使用された例を知らない。
れて使用された例を知らない。
本発明において１史用されるＩＶＡ族金属のβ−ジケト
ン錯体とはアセチルアセトン錯体、ベンゾイルアセトン
錯体（ベンゾイルトリフルオロアセトン斜体、トリフル
オロアセチルアセトン錯体、ジベンゾイルメタン錯体）
等であるにの錯体とアノＩ・コールおよび水を混合する
と本発明の塗布液が得られる。混合の仕方は順不同であ
る。本発明において使用されるアＪ・コールはメチル、
エチル、プロピル、ブチルアルコール等水と相溶性のあ
ル炭素数４までの飽オＤ １１＋Ｉｌｉアルカノールで
ある。これを単独またはこれらの混合液として便用する
。アルコ−Ｊ・中の水の重量濃度は０５〜４５％で好ま
しくは１〜４０チ、より好ましくけ１５〜ろ５チの範囲
である。それ以外では、健全な膜ができない。またとの
錯体の濃度は、目的とする膜厚により決定される。この
ようにして得られた塗布液は。
ン錯体とはアセチルアセトン錯体、ベンゾイルアセトン
錯体（ベンゾイルトリフルオロアセトン斜体、トリフル
オロアセチルアセトン錯体、ジベンゾイルメタン錯体）
等であるにの錯体とアノＩ・コールおよび水を混合する
と本発明の塗布液が得られる。混合の仕方は順不同であ
る。本発明において使用されるアＪ・コールはメチル、
エチル、プロピル、ブチルアルコール等水と相溶性のあ
ル炭素数４までの飽オＤ １１＋Ｉｌｉアルカノールで
ある。これを単独またはこれらの混合液として便用する
。アルコ−Ｊ・中の水の重量濃度は０５〜４５％で好ま
しくは１〜４０チ、より好ましくけ１５〜ろ５チの範囲
である。それ以外では、健全な膜ができない。またとの
錯体の濃度は、目的とする膜厚により決定される。この
ようにして得られた塗布液は。
保存寿命が長い。この塗布液を試薬びんにいれ。
６チ月放置後も何の変化も起こらなかった。同様な条件
下で、金属アルコキシド溶液には沈殿が発生した。
下で、金属アルコキシド溶液には沈殿が発生した。
この塗布液をガラス等の基板に塗る方法は、浸漬、スプ
レースピンナー、はけ塗り等用いることができるが、好
ましくは浸漬方法がよい。
レースピンナー、はけ塗り等用いることができるが、好
ましくは浸漬方法がよい。
次に、溶媒を乾燥する方法は、大気中に放置した後９強
制加熱（５０°Ｃ〜１５０°Ｃ）することによって行々
われる（例えば、大気中に３０分間放置し、１００℃で
約１５分間乾燥する）。（、ｊｌ、 ｌ、 。
制加熱（５０°Ｃ〜１５０°Ｃ）することによって行々
われる（例えば、大気中に３０分間放置し、１００℃で
約１５分間乾燥する）。（、ｊｌ、 ｌ、 。
乾燥時間は限定されるもので々い。次に空気雰囲気ある
いは酸素雰囲気中で、３００″′Ｇ〜６００℃で基板と
ともに塗布物を焼成し、酸化物の焼付けを行うことによ
りＩＶＡ族金属酸化物の透明膜が得られる。ろ００℃以
下ではアセチルアセトン等が残り完全々酸化物膜が得に
くい。焼付は時間は、塗布厚、焼付は温度にもよるが１
０秒から１時間程度であればよい。
いは酸素雰囲気中で、３００″′Ｇ〜６００℃で基板と
ともに塗布物を焼成し、酸化物の焼付けを行うことによ
りＩＶＡ族金属酸化物の透明膜が得られる。ろ００℃以
下ではアセチルアセトン等が残り完全々酸化物膜が得に
くい。焼付は時間は、塗布厚、焼付は温度にもよるが１
０秒から１時間程度であればよい。
々お本梵明の組成物の被膜形成用下地対象（基板）とし
ては、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラ
ス、石英、アルミナ、各種光学ガラス等、該糾成物に濡
れ性がありかつ塗膜の酸化焼成温度に酎えるものであれ
ばよく、特に限定はない。次に本発明を実験例および実
施例により具対的に説明する。
ては、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラ
ス、石英、アルミナ、各種光学ガラス等、該糾成物に濡
れ性がありかつ塗膜の酸化焼成温度に酎えるものであれ
ばよく、特に限定はない。次に本発明を実験例および実
施例により具対的に説明する。
第１図はアセチルアセトン−Ｚｒ堪のイソプロピルアル
コール−水２元系溶媒中での、組成と溶解度の関係を示
す図である。Ｔｉ 、Ｉｌｆのアセチルアセトン塩につ
いても同様の傾向が認められた。また水は溶解度を増大
させるだけでなく、膜生成の際にアセチルアセトン塩の
粗大な針状結晶の析出を抑えることも判明した。
コール−水２元系溶媒中での、組成と溶解度の関係を示
す図である。Ｔｉ 、Ｉｌｆのアセチルアセトン塩につ
いても同様の傾向が認められた。また水は溶解度を増大
させるだけでなく、膜生成の際にアセチルアセトン塩の
粗大な針状結晶の析出を抑えることも判明した。
（実施例１〜６）
２００ｍｌビー力を用いてＺｒのｒセチＪ・アセトン塩
Ｚｒ（Ｃ，Ｈ７０ｚ）＊を表１に示（７たイソプロピノ
ドアＪ・コールと蒸留水との混合液１００ｍ／に溶し、
塗布液を調整した。Ｚ［のアセチルアセトン塩の重量濃
度は９表１に示すように、２，４，６．８．１ ［３チ
と変化させた、この塗布液に＋ ２５ Ｘ７５ ｍｍ
の表面を良く洗浄したソーダライムガラスプレートを浸
漬して引き上げ大気中で５０分間放ＩＬ１［）［］℃で
１５分間乾燥後、５００℃で６０分間加熱した結果、ガ
ラスグレートの表面に酸化ジルコニウムの被膜が形成さ
れた。形成を第１た被膜の性状は表１に記号で表示しで
ある。
Ｚｒ（Ｃ，Ｈ７０ｚ）＊を表１に示（７たイソプロピノ
ドアＪ・コールと蒸留水との混合液１００ｍ／に溶し、
塗布液を調整した。Ｚ［のアセチルアセトン塩の重量濃
度は９表１に示すように、２，４，６．８．１ ［３チ
と変化させた、この塗布液に＋ ２５ Ｘ７５ ｍｍ
の表面を良く洗浄したソーダライムガラスプレートを浸
漬して引き上げ大気中で５０分間放ＩＬ１［）［］℃で
１５分間乾燥後、５００℃で６０分間加熱した結果、ガ
ラスグレートの表面に酸化ジルコニウムの被膜が形成さ
れた。形成を第１た被膜の性状は表１に記号で表示しで
ある。
（実施例７〜１２）
２００ ｍｅビーカを用いてＴｉのアセチルアセトン塩
Ｔ １Ｏ（ＣＪ１７（、）２）２を表１に示したエチル
ア／ｌ／ コールと蒸留水との混合液１００ｍ１に、溶
し、塗布液を調整した。Ｔｉのアセチルアセトン塩の重
量濃度は。
Ｔ １Ｏ（ＣＪ１７（、）２）２を表１に示したエチル
ア／ｌ／ コールと蒸留水との混合液１００ｍ１に、溶
し、塗布液を調整した。Ｔｉのアセチルアセトン塩の重
量濃度は。
表１に示すように２．４，６，８．１０％と変化させた
。以下実施例１と同じ操作をＴ−工っだ結果。
。以下実施例１と同じ操作をＴ−工っだ結果。
ガラスプレートの表面に酸化チタンの被膜１１が形成さ
れた。形成された被膜の性状は表１に記号で表示しであ
る。
れた。形成された被膜の性状は表１に記号で表示しであ
る。
（実施例１６〜１Ｂ）
Ｈｆのアセチルアセトン塩）Ｔｆ（ｒ＋、１１□０２）
４’４−表１に示したイソプロピルアノＩ／ ’、’１
／ｌ’とＸＮ留水との混合液１００Ｔｎｌに、２０（１
＋Ｊビーカを用Ｉ／′Ｉて溶し、塗布液を調整した。Ｈ
ｆのアセチＪ・アセトン３２ ｙ）重（〒４７農度は２
表１に示すように２．、 ４． ６．８．１０係と変化
させた。
４’４−表１に示したイソプロピルアノＩ／ ’、’１
／ｌ’とＸＮ留水との混合液１００Ｔｎｌに、２０（１
＋Ｊビーカを用Ｉ／′Ｉて溶し、塗布液を調整した。Ｈ
ｆのアセチＪ・アセトン３２ ｙ）重（〒４７農度は２
表１に示すように２．、 ４． ６．８．１０係と変化
させた。
表 １
×可（白濁不透明膜）−実施せず
以下、実、怖例１と同じ）・“、１７作を行った結果、
ガラスプレートの表面に力１１色透明な１１夕化ハフニ
ウムの被膜が形成さＪｌだ。形ＦＭされた核１１’、％
の性状（寸前１中に記号で表示し、である。
ガラスプレートの表面に力１１色透明な１１夕化ハフニ
ウムの被膜が形成さＪｌだ。形ＦＭされた核１１’、％
の性状（寸前１中に記号で表示し、である。
（実施例１９〜２２）
２００ ｍｌビー力を用いて、Ｚｒのベンゾイルアセト
ン４ Ｚｒ （Ｃ１ｎ１４ｇ０２ ）４を表１に示した
イソ７′ロビルアルコーＪ・と蒸留水との混合液１００
ｍ６に溶し。
ン４ Ｚｒ （Ｃ１ｎ１４ｇ０２ ）４を表１に示した
イソ７′ロビルアルコーＪ・と蒸留水との混合液１００
ｍ６に溶し。
塗布液を〆周差した。Ｚｒのベンゾイルアセトン重ｈ１
一度は，表１に示すように，２，４，６．８。
一度は，表１に示すように，２，４，６．８。
１Ｄ係と変化させた。以下実励例１と同じ抄作を行った
結果，ガラスプレートの表面に酸化ジルコニウムの被膜
が形成さねた。形１１（６された被膜の１′Ｕ：状は表
１に記号で表示しである。
結果，ガラスプレートの表面に酸化ジルコニウムの被膜
が形成さねた。形１１（６された被膜の１′Ｕ：状は表
１に記号で表示しである。
以上に記したように低級飽和１１１１１１アルカノール
に水を加えた溶媒を使用するこみにより，ＩＶＡ族金族
金属酸化膜薄膜形成用定性と薄膜形ｒｉν、性に例れた
塗布液が得られる。
に水を加えた溶媒を使用するこみにより，ＩＶＡ族金族
金属酸化膜薄膜形成用定性と薄膜形ｒｉν、性に例れた
塗布液が得られる。
添付図面はイソプロピルアルコール−水２元系における
水の含有厭とＺｒアセチルアーシ・トン塙の溶解度の関
係を示すグラフである。 特許用１項人 三菱金属株式会社 代理人 弁理士 松 井 政 赤 水（ ｗ ｔ ％）
水の含有厭とＺｒアセチルアーシ・トン塙の溶解度の関
係を示すグラフである。 特許用１項人 三菱金属株式会社 代理人 弁理士 松 井 政 赤 水（ ｗ ｔ ％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＩＶＡ族金属のβ−ジケトン錯体を４５重量係
までの水を含む炭素原子数４月下の飽和１価アルカノー
ルと水の混合物に溶解してなる該金属の透明酸化物膜形
成用組成物。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の組成物であって、該
アルカノール−水混合物中の水の量が１〜４０重量係で
ある組成物。 ３、％許請求の範囲第２項に記載の組成物であって、該
アルカノール−水混合物中の水の量が１５〜６５重量％
である組成物。 ４ 特許請求の範囲第１項ないし第２項のいずれかの項
に記載の組成物であって、ｉＶＡ族金属のβ−ジケトン
錯体が１．’ｉ、Ｚｒ、Ｈｆのアセチルアセトン錯体、
ベンゾイルアセトン錯体、ベンゾイルフルオロアセトン
錯体、トリフルオロアセチルアセトン錯体、ジベンゾイ
ルメタン錯体から選ばれるものである組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20201182A JPS5992916A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ４ａ族金属の透明酸化物膜形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20201182A JPS5992916A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ４ａ族金属の透明酸化物膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992916A true JPS5992916A (ja) | 1984-05-29 |
| JPS6339670B2 JPS6339670B2 (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=16450440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20201182A Granted JPS5992916A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ４ａ族金属の透明酸化物膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0301104A1 (en) * | 1987-02-10 | 1989-02-01 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Coating fluid for forming electroconductive coat |
| WO2017013988A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20201182A patent/JPS5992916A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0301104A1 (en) * | 1987-02-10 | 1989-02-01 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Coating fluid for forming electroconductive coat |
| EP0301104A4 (en) * | 1987-02-10 | 1989-06-13 | Catalysts & Chem Ind Co | COATING LIQUID FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER. |
| WO2017013988A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
| JP2017028257A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
| CN107533971A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-01-02 | 中央硝子株式会社 | 湿式蚀刻方法和蚀刻液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339670B2 (ja) | 1988-08-05 |
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