JPH09304947A - 金属酸化膜形成用塗布膜剥離液、剥離方法および基板の回収方法 - Google Patents
金属酸化膜形成用塗布膜剥離液、剥離方法および基板の回収方法Info
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- JPH09304947A JPH09304947A JP14802396A JP14802396A JPH09304947A JP H09304947 A JPH09304947 A JP H09304947A JP 14802396 A JP14802396 A JP 14802396A JP 14802396 A JP14802396 A JP 14802396A JP H09304947 A JPH09304947 A JP H09304947A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属酸化膜形成用塗布膜の剥離が容易で、しか
も該塗布膜の析出物の発生がなく、剥離液寿命を長く維
持できる剥離液、剥離方法および剥離基板の回収方法を
提供すること。 【解決手段】有機アルカリ化合物を含有する溶液からな
る金属酸化膜形成用塗膜剥離液、該剥離液で基板上に形
成された金属酸化膜形成用塗膜を剥離する剥離方法およ
び剥離して得られた基板を再使用する基板の回収方法。
も該塗布膜の析出物の発生がなく、剥離液寿命を長く維
持できる剥離液、剥離方法および剥離基板の回収方法を
提供すること。 【解決手段】有機アルカリ化合物を含有する溶液からな
る金属酸化膜形成用塗膜剥離液、該剥離液で基板上に形
成された金属酸化膜形成用塗膜を剥離する剥離方法およ
び剥離して得られた基板を再使用する基板の回収方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属酸化膜形成用塗布
膜剥離液に関し、特に半導体素子や液晶表示素子の製造
工程で用いられるシリコンウェーハやガラスなどの基板
上に形成される金属酸化膜形成用塗布膜を剥離する剥離
液、剥離方法および基板の回収方法に関する。
膜剥離液に関し、特に半導体素子や液晶表示素子の製造
工程で用いられるシリコンウェーハやガラスなどの基板
上に形成される金属酸化膜形成用塗布膜を剥離する剥離
液、剥離方法および基板の回収方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、金属酸化膜はその用途が多種多様
に広がり、例えば半導体素子の絶縁膜や液晶表示素子の
絶縁膜、配向制御膜または電極保護膜、セラミックスや
金属に対する保護膜などに使用されている。特に液晶表
示素子の絶縁膜としての金属酸化膜が有用であり、ガラ
スなどの絶縁基板上にパターン化された透明電極を付
け、その上に形成される。この液晶表示素子の製造方法
の一例として、具体的にガラス基板上に形成された酸化
ケイ素膜基板の上に、例えばインジウムおよびスズの酸
化物からなるＩＴＯ膜のパターン化した透明電極を付
け、得られた基板の全面に金属酸化膜形成用塗布液を塗
布し、それを乾燥したのち焼成して電極基板を構成し、
その一対の周辺部にスペーサを介してセルを形成し、そ
の内部に液晶を封入する方法などがある。
に広がり、例えば半導体素子の絶縁膜や液晶表示素子の
絶縁膜、配向制御膜または電極保護膜、セラミックスや
金属に対する保護膜などに使用されている。特に液晶表
示素子の絶縁膜としての金属酸化膜が有用であり、ガラ
スなどの絶縁基板上にパターン化された透明電極を付
け、その上に形成される。この液晶表示素子の製造方法
の一例として、具体的にガラス基板上に形成された酸化
ケイ素膜基板の上に、例えばインジウムおよびスズの酸
化物からなるＩＴＯ膜のパターン化した透明電極を付
け、得られた基板の全面に金属酸化膜形成用塗布液を塗
布し、それを乾燥したのち焼成して電極基板を構成し、
その一対の周辺部にスペーサを介してセルを形成し、そ
の内部に液晶を封入する方法などがある。
【０００３】上記液晶表示素子に形成される金属酸化膜
は、基板や透明導電膜との高い密着性が必要である上
に、封入される液晶と接触するところからその表面の均
一性が要求される。この金属酸化膜は、上述のとおりパ
ターン化された透明電極が付けられた基板に金属酸化膜
形成用塗布液を全面に塗布し、乾燥し、焼成処理を施し
て形成されるが、該金属酸化膜には高い均一性が要求さ
れることから、金属酸化膜形成用塗布膜を乾燥した段階
で乾燥塗布膜の均一性や塗布ムラの有無のチェックがな
され、均一な金属酸化膜形成用塗布膜を有する基板はそ
のまま焼成工程に送られ金属酸化膜に焼成されるが、乾
燥した塗布膜の均一性が悪い基板や塗布ムラが確認され
た基板は焼成処理工程に進むことなく剥離工程に送られ
剥離され、基板を回収しその上に再度金属酸化膜形成用
塗布液を塗布するのが一般的である。
は、基板や透明導電膜との高い密着性が必要である上
に、封入される液晶と接触するところからその表面の均
一性が要求される。この金属酸化膜は、上述のとおりパ
ターン化された透明電極が付けられた基板に金属酸化膜
形成用塗布液を全面に塗布し、乾燥し、焼成処理を施し
て形成されるが、該金属酸化膜には高い均一性が要求さ
れることから、金属酸化膜形成用塗布膜を乾燥した段階
で乾燥塗布膜の均一性や塗布ムラの有無のチェックがな
され、均一な金属酸化膜形成用塗布膜を有する基板はそ
のまま焼成工程に送られ金属酸化膜に焼成されるが、乾
燥した塗布膜の均一性が悪い基板や塗布ムラが確認され
た基板は焼成処理工程に進むことなく剥離工程に送られ
剥離され、基板を回収しその上に再度金属酸化膜形成用
塗布液を塗布するのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記乾燥した塗布膜の
剥離には、従来、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリ
ウム水溶液などの無機アルカリ水溶液、メチルアルコー
ルやイソプロピルアルコールなどの有機溶剤が剥離液と
して用いられているが、これらの剥離液では乾燥した塗
布膜を完全に剥離することができず、剥離残りが生じや
すく、また剥離液中に溶解されない塗布膜の析出物が浮
遊し、剥離液の寿命を短いものにするなど実用上、大き
な問題があった。
剥離には、従来、水酸化ナトリウム水溶液や水酸化カリ
ウム水溶液などの無機アルカリ水溶液、メチルアルコー
ルやイソプロピルアルコールなどの有機溶剤が剥離液と
して用いられているが、これらの剥離液では乾燥した塗
布膜を完全に剥離することができず、剥離残りが生じや
すく、また剥離液中に溶解されない塗布膜の析出物が浮
遊し、剥離液の寿命を短いものにするなど実用上、大き
な問題があった。
【０００５】こうした問題点を解決すべく本発明者等
は、鋭意研究を重ねた結果、有機アルカリ化合物を含有
する剥離液により、乾燥した金属酸化膜形成用塗布膜を
容易に剥離でき、かつ剥離液中に前記塗布膜の析出物を
遊離することがなく剥離液寿命の長い剥離液が得られる
こと、前記剥離液を特定の温度範囲で乾燥した金属酸化
膜形成用塗布膜に適用することで塗布膜を容易に、かつ
完全に剥離できること、および前記剥離した基板を回収
し再度金属酸化膜形成用塗布液を塗布することで基板の
再利用ができることを見出して、本発明を完成したもの
である。すなわち、
は、鋭意研究を重ねた結果、有機アルカリ化合物を含有
する剥離液により、乾燥した金属酸化膜形成用塗布膜を
容易に剥離でき、かつ剥離液中に前記塗布膜の析出物を
遊離することがなく剥離液寿命の長い剥離液が得られる
こと、前記剥離液を特定の温度範囲で乾燥した金属酸化
膜形成用塗布膜に適用することで塗布膜を容易に、かつ
完全に剥離できること、および前記剥離した基板を回収
し再度金属酸化膜形成用塗布液を塗布することで基板の
再利用ができることを見出して、本発明を完成したもの
である。すなわち、
【０００６】本発明は、乾燥した金属酸化膜形成用塗布
膜の剥離が容易で、しかも前記塗布膜の析出物の浮遊が
なく剥離液寿命を長く維持できる金属酸化膜形成用塗布
膜剥離液を提供することを目的とする。
膜の剥離が容易で、しかも前記塗布膜の析出物の浮遊が
なく剥離液寿命を長く維持できる金属酸化膜形成用塗布
膜剥離液を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、乾燥した金属酸化膜形成
用塗布膜の良好な剥離方法を提供することを目的とす
る。
用塗布膜の良好な剥離方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】さらに、本発明は、金属酸化膜形成用塗布
膜を剥離した基板を回収する基板の回収方法を提供する
ことを目的とする。
膜を剥離した基板を回収する基板の回収方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、有機アルカリ化合物を含有する金属酸化膜形成用
塗膜剥離液、乾燥した金属酸化膜形成用塗膜の剥離に前
記剥離液を適用する剥離方法および基板の回収方法に係
る。
明は、有機アルカリ化合物を含有する金属酸化膜形成用
塗膜剥離液、乾燥した金属酸化膜形成用塗膜の剥離に前
記剥離液を適用する剥離方法および基板の回収方法に係
る。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
金属酸化膜形成用塗膜剥離液は、上述のとおり有機アル
カリ化合物を含有する剥離液であるが、好ましくは前記
有機アルカリ化合物を含有する溶液がよい。有機アルカ
リ化合物としては、低級アルキル第４級アンモニウム塩
が好適であり、具体的にはテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド（コリン）などが挙げらる。ま
た、有機アルカリ化合物を含有する溶液の調製に使用さ
れる溶媒としては、水、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテル
類を挙げることができ、これらの溶媒は単独でも、２種
以上混合して用いてもよい。
金属酸化膜形成用塗膜剥離液は、上述のとおり有機アル
カリ化合物を含有する剥離液であるが、好ましくは前記
有機アルカリ化合物を含有する溶液がよい。有機アルカ
リ化合物としては、低級アルキル第４級アンモニウム塩
が好適であり、具体的にはテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド（コリン）などが挙げらる。ま
た、有機アルカリ化合物を含有する溶液の調製に使用さ
れる溶媒としては、水、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテル
類を挙げることができ、これらの溶媒は単独でも、２種
以上混合して用いてもよい。
【００１１】上記金属酸化膜形成用塗膜剥離液中の有機
アルカリ化合物の含有量は０．５〜１０重量％、好まし
くは１〜７重量％の範囲がよい。前記有機アルカリ化合
物の含有量が０．５重量％未満では、剥離効果が低下す
る恐れがあり、また１０重量％を超えると剥離液として
の安定性が低下して好ましくない。
アルカリ化合物の含有量は０．５〜１０重量％、好まし
くは１〜７重量％の範囲がよい。前記有機アルカリ化合
物の含有量が０．５重量％未満では、剥離効果が低下す
る恐れがあり、また１０重量％を超えると剥離液として
の安定性が低下して好ましくない。
【００１２】本発明の剥離液の対象となる塗布膜は、絶
縁性基板上に塗布され、乾燥処理されたのち、焼成によ
り金属酸化膜に形成できる塗布膜であれば、特に限定さ
れないが、例えば前記塗布膜を形成する塗布液として
は、安定性に優れ、かつ均一な金属酸化膜が形成できる
（１）（イ）β−ジケトンと錯体を形成する金属元素、
該金属元素の塩およびアルコキシドの加水分解物の中か
ら選ばれる少なくとも１種を、（ロ）β−ジケトンおよ
び（ハ）非プロトン性極性溶剤とからなる混合液に溶解
してなる塗布液、（２）β−ジケトンの錯体をβ−ジケ
トンと非プロトン性極性溶剤からなる混合液に溶解して
なる塗布液および（３）β−ジケトンの金属錯体を非プ
ロトン性極性溶剤に溶解してなる塗布液が使用できる。
縁性基板上に塗布され、乾燥処理されたのち、焼成によ
り金属酸化膜に形成できる塗布膜であれば、特に限定さ
れないが、例えば前記塗布膜を形成する塗布液として
は、安定性に優れ、かつ均一な金属酸化膜が形成できる
（１）（イ）β−ジケトンと錯体を形成する金属元素、
該金属元素の塩およびアルコキシドの加水分解物の中か
ら選ばれる少なくとも１種を、（ロ）β−ジケトンおよ
び（ハ）非プロトン性極性溶剤とからなる混合液に溶解
してなる塗布液、（２）β−ジケトンの錯体をβ−ジケ
トンと非プロトン性極性溶剤からなる混合液に溶解して
なる塗布液および（３）β−ジケトンの金属錯体を非プ
ロトン性極性溶剤に溶解してなる塗布液が使用できる。
【００１３】上記（１）の塗布液で使用されるβ−ジケ
トンと錯体を形成する金属元素としては、銅などの周期
律表第Ｉｂ族元素、ベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、バリウムなどの周期律表第ＩＩ
ａ族元素、亜鉛、カドミウムなどの周期律表第ＩＩｂ族
元素、ランタン、セリウム、スカンジウム、イットリウ
ムなどの周期律表第ＩＩＩａ族元素、アルミニウム、ガ
リウム、インジウム、タリウムなどの周期律表第ＩＩＩ
ｂ族元素、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの周
期律表第ＩＶａ族元素、ゲルマニウム、スズ、鉛などの
周期律表第ＩＶｂ族元素、バナジウム、ニオブ、タンタ
ルなどの周期律表第Ｖａ族元素、アンチモン、ビスマス
などの周期律表第Ｖｂ族元素、クロム、モリブデン、タ
ングステンなどの周期律表第ＶＩａ族元素、マンガン、
レニウムなどの周期律表第ＶＩＩａ族元素、鉄、コバル
ト、ニッケルなどの周期律表第ＶＩＩＩ族元素を挙げる
ことができ、また前記金属元素の塩酸塩、硝酸塩、硫酸
塩などの無機塩および酢酸塩、オクチル酸塩などの有機
塩類、アセチルアセトン錯塩などのβ−ジケトン錯塩
類、ビスシクロペンタジエニル錯塩類なども使用するこ
とができる。さらに前記金属元素の少なくとも１種の金
属元素のアルコキシドの加水分解物も使用できる。前記
金属元素、その塩およびアルコキシド加水分解物は単独
でも、また２種以上混合しても用いることができる。
トンと錯体を形成する金属元素としては、銅などの周期
律表第Ｉｂ族元素、ベリリウム、マグネシウム、カルシ
ウム、ストロンチウム、バリウムなどの周期律表第ＩＩ
ａ族元素、亜鉛、カドミウムなどの周期律表第ＩＩｂ族
元素、ランタン、セリウム、スカンジウム、イットリウ
ムなどの周期律表第ＩＩＩａ族元素、アルミニウム、ガ
リウム、インジウム、タリウムなどの周期律表第ＩＩＩ
ｂ族元素、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどの周
期律表第ＩＶａ族元素、ゲルマニウム、スズ、鉛などの
周期律表第ＩＶｂ族元素、バナジウム、ニオブ、タンタ
ルなどの周期律表第Ｖａ族元素、アンチモン、ビスマス
などの周期律表第Ｖｂ族元素、クロム、モリブデン、タ
ングステンなどの周期律表第ＶＩａ族元素、マンガン、
レニウムなどの周期律表第ＶＩＩａ族元素、鉄、コバル
ト、ニッケルなどの周期律表第ＶＩＩＩ族元素を挙げる
ことができ、また前記金属元素の塩酸塩、硝酸塩、硫酸
塩などの無機塩および酢酸塩、オクチル酸塩などの有機
塩類、アセチルアセトン錯塩などのβ−ジケトン錯塩
類、ビスシクロペンタジエニル錯塩類なども使用するこ
とができる。さらに前記金属元素の少なくとも１種の金
属元素のアルコキシドの加水分解物も使用できる。前記
金属元素、その塩およびアルコキシド加水分解物は単独
でも、また２種以上混合しても用いることができる。
【００１４】また、上記塗布液の成分であるβ−ジケト
ンとしては、具体的にアセチルアセトン、トリフルオロ
アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、
ベンゾイルアセトン、ベンゾイルトリフルオロアセト
ン、ジベンゾイルメタン、アセト酢酸メチルエステル、
アセト酢酸エチルエステル、アセト酢酸ブチルエステル
などを挙げることができる。前記β−ジケトンは単独で
も、また２種以上混合しても用いることができる。
ンとしては、具体的にアセチルアセトン、トリフルオロ
アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、
ベンゾイルアセトン、ベンゾイルトリフルオロアセト
ン、ジベンゾイルメタン、アセト酢酸メチルエステル、
アセト酢酸エチルエステル、アセト酢酸ブチルエステル
などを挙げることができる。前記β−ジケトンは単独で
も、また２種以上混合しても用いることができる。
【００１５】さらに、β−ジケトンの金属錯体として
は、上記金属元素と上記β−ジケトンとからなる金属錯
体が挙げられ、金属元素、その塩（β−ジケトンの金属
錯体は除く）またはアルコキシドの加水分解物とβ−ジ
ケトンとの反応で製造できる。
は、上記金属元素と上記β−ジケトンとからなる金属錯
体が挙げられ、金属元素、その塩（β−ジケトンの金属
錯体は除く）またはアルコキシドの加水分解物とβ−ジ
ケトンとの反応で製造できる。
【００１６】上記塗布液で使用する非プロトン性極性溶
剤としては、Ｎ，Ｎ'−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ'
−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラエチルスルファ
ミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモル
ホロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ
−メチルピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチル
ピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチル
イミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチ
ル−２−ピペリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ
メチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンなどを
挙げることができ、これらの単独でも、また２種以上混
合して用いてもよい。
剤としては、Ｎ，Ｎ'−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ'
−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラエチルスルファ
ミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモル
ホロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ
−メチルピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチル
ピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチル
イミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチ
ル−２−ピペリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ
メチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンなどを
挙げることができ、これらの単独でも、また２種以上混
合して用いてもよい。
【００１７】上記塗布液の配合割合は、（１）の塗布液
の場合には、（イ）成分１〜６０重量％、（ロ）成分１
〜６０重量％および（ハ）成分１０〜８０重量％、好ま
しくは（イ）成分１〜５０重量％、（ロ）成分１〜５０
重量％および（ハ）成分１０〜７０重量％の範囲がよ
い。また、（２）および（３）の塗布液の場合には、β
−ジケトンの金属錯体成分１〜６０重量％および（ハ）
成分４０〜９９重量％の範囲が好ましい。
の場合には、（イ）成分１〜６０重量％、（ロ）成分１
〜６０重量％および（ハ）成分１０〜８０重量％、好ま
しくは（イ）成分１〜５０重量％、（ロ）成分１〜５０
重量％および（ハ）成分１０〜７０重量％の範囲がよ
い。また、（２）および（３）の塗布液の場合には、β
−ジケトンの金属錯体成分１〜６０重量％および（ハ）
成分４０〜９９重量％の範囲が好ましい。
【００１８】上記金属酸化膜形成用塗布液にはさらに、
得られる金属酸化膜の特性を向上させるために必要に応
じてシリコン、セレン、テルルなどの非金属元素のハロ
ゲン化物、水酸化物、酸化物、無機酸塩、有機酸塩、ア
ルコキシ化合物、アルコキシ化合物の加水分解物、キレ
ート化合物および有機金属化合物を添加することができ
る。
得られる金属酸化膜の特性を向上させるために必要に応
じてシリコン、セレン、テルルなどの非金属元素のハロ
ゲン化物、水酸化物、酸化物、無機酸塩、有機酸塩、ア
ルコキシ化合物、アルコキシ化合物の加水分解物、キレ
ート化合物および有機金属化合物を添加することができ
る。
【００１９】さらに、上記塗布液は金属酸化膜形成用塗
布膜の塗膜性を向上させるため有機溶媒に溶解して使用
するのがよい。前記有機溶媒としては、例えばメチルア
ルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、
エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレン
グリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコ
ール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコー
ル、ジヘキシレングリコール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチ
レングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコー
ルジブチルエーテル、エチレングリコールジフェニルエ
ーテル、エチレングリコールジベンジルエーテル、プロ
ピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコ
ールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチル
エーテル、メチルカルビトール、エチルカルビトール、
ブチルカルビトール、フェニルカルビトール、ベンジル
カルビトール、ジメチルカルビトール、ジエチルカルビ
トール、ジブチルカルビトール、ジフェニルカルビトー
ル、ジベンジルカルビトール、メチルエチルカルビトー
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリ
コールジブチルエーテルなどが挙げることができる。前
記有機溶剤は単独でも、また２種以上混合しても用いる
ことができる。
布膜の塗膜性を向上させるため有機溶媒に溶解して使用
するのがよい。前記有機溶媒としては、例えばメチルア
ルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、
エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレン
グリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコ
ール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコー
ル、ジヘキシレングリコール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチ
レングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコー
ルジブチルエーテル、エチレングリコールジフェニルエ
ーテル、エチレングリコールジベンジルエーテル、プロ
ピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコ
ールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチル
エーテル、メチルカルビトール、エチルカルビトール、
ブチルカルビトール、フェニルカルビトール、ベンジル
カルビトール、ジメチルカルビトール、ジエチルカルビ
トール、ジブチルカルビトール、ジフェニルカルビトー
ル、ジベンジルカルビトール、メチルエチルカルビトー
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリ
コールジブチルエーテルなどが挙げることができる。前
記有機溶剤は単独でも、また２種以上混合しても用いる
ことができる。
【００２０】上記有機溶媒は、（イ）、（ロ）および
（ハ）の各成分またはβ−ジケトンの金属錯体と非プロ
トン性極性溶剤の混合液に対して、８０重量％以下、好
ましくは、３０〜７０重量％の範囲で添加するのがよ
い。前記範囲を逸脱すると、塗布膜の密着性の低下、膜
強度の低下、塗膜性の低下などが発生して好ましくな
い。
（ハ）の各成分またはβ−ジケトンの金属錯体と非プロ
トン性極性溶剤の混合液に対して、８０重量％以下、好
ましくは、３０〜７０重量％の範囲で添加するのがよ
い。前記範囲を逸脱すると、塗布膜の密着性の低下、膜
強度の低下、塗膜性の低下などが発生して好ましくな
い。
【００２１】本発明の金属酸化膜形成用塗膜剥離液を使
用した剥離方法および基板の回収方法は以下の工程で実
施される。すなわち、
用した剥離方法および基板の回収方法は以下の工程で実
施される。すなわち、
【００２２】金属酸化膜形成用塗布液をプラスチック
ス、ガラス、セラミックスなどの基板、金属ナイトライ
ドや金属カーボンなどの粉末を焼結した基板、金属基
板、パターン化された透明導電膜などからなる電極が形
成された各種表示素子用基板、半導体基板などに、浸漬
引上げ法、スプレー法、スピンコート法、刷毛塗り法、
ロールコート法、印刷法などの慣用手段で塗布したの
ち、５０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃の温度
で乾燥して乾燥塗布膜を形成し、その乾燥塗布膜の表面
に、不均一部分や塗布不良部分があるものについては本
発明の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液に適用して、乾燥
塗布膜を剥離して基板を回収し、その上に再度金属酸化
膜形成用塗布液を塗布する工程からなる。前記金属酸化
膜形成用塗布膜の形成において乾燥温度を５０〜２５０
℃、好ましくは５０〜２００℃の範囲で実施することが
重要であり、乾燥温度が５０℃未満では塗布膜の乾燥が
不十分で塗布膜の不均一部分や不良部分の発見が難し
く、また乾燥温度が２５０℃を超えると乾燥塗布膜の剥
離性が劣る。前記金属酸化膜形成用塗布膜剥離液の適用
においては、乾燥塗布膜を有する基板を前記剥離液に浸
漬するか、またはスプレーし洗浄する手段が用いられ
る。
ス、ガラス、セラミックスなどの基板、金属ナイトライ
ドや金属カーボンなどの粉末を焼結した基板、金属基
板、パターン化された透明導電膜などからなる電極が形
成された各種表示素子用基板、半導体基板などに、浸漬
引上げ法、スプレー法、スピンコート法、刷毛塗り法、
ロールコート法、印刷法などの慣用手段で塗布したの
ち、５０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃の温度
で乾燥して乾燥塗布膜を形成し、その乾燥塗布膜の表面
に、不均一部分や塗布不良部分があるものについては本
発明の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液に適用して、乾燥
塗布膜を剥離して基板を回収し、その上に再度金属酸化
膜形成用塗布液を塗布する工程からなる。前記金属酸化
膜形成用塗布膜の形成において乾燥温度を５０〜２５０
℃、好ましくは５０〜２００℃の範囲で実施することが
重要であり、乾燥温度が５０℃未満では塗布膜の乾燥が
不十分で塗布膜の不均一部分や不良部分の発見が難し
く、また乾燥温度が２５０℃を超えると乾燥塗布膜の剥
離性が劣る。前記金属酸化膜形成用塗布膜剥離液の適用
においては、乾燥塗布膜を有する基板を前記剥離液に浸
漬するか、またはスプレーし洗浄する手段が用いられ
る。
【００２３】本発明の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液
は、上記温度範囲で乾燥した塗布膜を容易に、かつ完全
に剥離でき、しかも塗布膜の析出物が剥離液中に遊離す
ることがなく、剥離液寿命を長く維持できる。そして回
収した基板には再度金属酸化膜形成用塗布液が塗布され
基板の再利用が図られる。
は、上記温度範囲で乾燥した塗布膜を容易に、かつ完全
に剥離でき、しかも塗布膜の析出物が剥離液中に遊離す
ることがなく、剥離液寿命を長く維持できる。そして回
収した基板には再度金属酸化膜形成用塗布液が塗布され
基板の再利用が図られる。
【００２４】
【発明の実施の態様】以下、実施例および比較例により
本発明をを具体的に説明するが、本発明はこれらの例に
よってなんら限定されるものではない。
本発明をを具体的に説明するが、本発明はこれらの例に
よってなんら限定されるものではない。
【００２５】
実施例１ 間隔が１００μｍにパターン化されたインジウムおよび
スズの酸化物からなるＩＴＯ膜透明電極が付けられた１
ｍｍ厚のガラス基板上に、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2系被膜形成
用塗布液のＭＯＦ−Ｔｉ−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東
京応化工業製）をスピンコート法で塗布し、次いで１４
０℃で１５分間乾燥して、膜厚１６００ÅのＴｉＯ2−
ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜を形成した。得られたＴｉ
Ｏ2−ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜を、２５℃で１重量％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液剥離液
中に５分間浸漬し、純水で洗浄したのち、乾燥したとこ
ろ、前記ＴｉＯ2−ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜は完全に
剥離され、ガラス基板やＩＴＯ電極には変質や損傷が全
くみられず、再利用ができるガラス基板が回収できた。
前記剥離処理における剥離液を交換することなく１０枚
のガラス基板の回収を行ったが、剥離性が低下すること
はなく、また剥離液中にＴｉＯ−ＳｉＯ膜形成用乾燥塗
布膜などの析出物の発生が確認されなかった。
スズの酸化物からなるＩＴＯ膜透明電極が付けられた１
ｍｍ厚のガラス基板上に、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2系被膜形成
用塗布液のＭＯＦ−Ｔｉ−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東
京応化工業製）をスピンコート法で塗布し、次いで１４
０℃で１５分間乾燥して、膜厚１６００ÅのＴｉＯ2−
ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜を形成した。得られたＴｉ
Ｏ2−ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜を、２５℃で１重量％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液剥離液
中に５分間浸漬し、純水で洗浄したのち、乾燥したとこ
ろ、前記ＴｉＯ2−ＳｉＯ2膜形成用乾燥塗布膜は完全に
剥離され、ガラス基板やＩＴＯ電極には変質や損傷が全
くみられず、再利用ができるガラス基板が回収できた。
前記剥離処理における剥離液を交換することなく１０枚
のガラス基板の回収を行ったが、剥離性が低下すること
はなく、また剥離液中にＴｉＯ−ＳｉＯ膜形成用乾燥塗
布膜などの析出物の発生が確認されなかった。
【００２６】実施例２〜８、 比較例１〜２ 実施例１で使用した金属酸化膜形成用塗布液、乾燥条
件、乾燥塗布膜の膜厚、剥離液の種類および剥離時間を
それぞれ表１のように代えた以外は、実施例１と同様の
操作により、剥離性および剥離液中の析出物の有無を調
べた。その結果を表２に示す。
件、乾燥塗布膜の膜厚、剥離液の種類および剥離時間を
それぞれ表１のように代えた以外は、実施例１と同様の
操作により、剥離性および剥離液中の析出物の有無を調
べた。その結果を表２に示す。
【００２７】なお、剥離性は以下の評価基準で調べた。 ○：金属酸化膜形成用塗布膜が完全に剥離され、剥離残
りが全く確認されなかったもの。 ×：剥離残りが確認されたもの。 また、剥離液中の析出物の有無は、剥離液を交換するこ
となく１０枚のガラス基板の回収を行ったときの剥離液
中の析出物発生を調べたものである。
りが全く確認されなかったもの。 ×：剥離残りが確認されたもの。 また、剥離液中の析出物の有無は、剥離液を交換するこ
となく１０枚のガラス基板の回収を行ったときの剥離液
中の析出物発生を調べたものである。
【００２８】
【表１】
【００２９】金属酸化膜形成用塗布液 ＴｉＯ2−ＳｉＯ2系被膜形成用塗布液であるＭＯＦ−
Ｔｉ−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＴｉＯ2系被膜形成用塗布液であるＭＯＦ−Ｔｉ−Ｉ
ＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＺｒＯ2系被膜形成用塗布液であるＭＯＦ−Ｚｒ−Ｉ
ＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＴａＯ2−ＳｉＯ2系被膜形成用塗布液のＭＯＦ−Ｔａ
−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製）
Ｔｉ−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＴｉＯ2系被膜形成用塗布液であるＭＯＦ−Ｔｉ−Ｉ
ＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＺｒＯ2系被膜形成用塗布液であるＭＯＦ−Ｚｒ−Ｉ
ＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製） ＴａＯ2−ＳｉＯ2系被膜形成用塗布液のＭＯＦ−Ｔａ
−Ｓｉ−ＩＮＫ−Ｆｉｌｍ（東京応化工業製）
【００３０】剥離液の種類 Ａ：１重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液 Ｂ：５重量％トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド水溶液 Ｃ：５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
エチレングリコールモノブチルエーテル溶液 Ｄ：１重量％トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド水溶液 Ｅ：７重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液 Ｆ：５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液 Ｇ：５重量％水酸化ナトリウム水溶液 Ｈ：１重量％水酸化カリウム水溶液 なお、※１は２５℃の５重量％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液を用いたスプレー法による剥離を
示す。
溶液 Ｂ：５重量％トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド水溶液 Ｃ：５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
エチレングリコールモノブチルエーテル溶液 Ｄ：１重量％トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド水溶液 Ｅ：７重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液 Ｆ：５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液 Ｇ：５重量％水酸化ナトリウム水溶液 Ｈ：１重量％水酸化カリウム水溶液 なお、※１は２５℃の５重量％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液を用いたスプレー法による剥離を
示す。
【００３１】
【発明の効果】本発明の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液
は、乾燥した金属酸化膜形成用塗布膜を容易に、しかも
完全に剥離でき回収した基板の再利用ができる上に、そ
の剥離液中に金属酸化膜形成用塗布膜の析出物が浮遊す
ることがなく寿命長く使用でき実用上価値の高い剥離液
である。
は、乾燥した金属酸化膜形成用塗布膜を容易に、しかも
完全に剥離でき回収した基板の再利用ができる上に、そ
の剥離液中に金属酸化膜形成用塗布膜の析出物が浮遊す
ることがなく寿命長く使用でき実用上価値の高い剥離液
である。
Claims (10)
- 【請求項１】有機アルカリ化合物を含有することを特徴
とする金属酸化膜形成用塗布膜剥離液。 - 【請求項２】有機アルカリ化合物を０．５〜１０重量％
含有することを特徴とする請求項１記載の金属酸化膜形
成用塗布膜剥離液。 - 【請求項３】有機アルカリ化合物が低級アルキル第４級
アンモニウム塩であることを特徴とする請求項１または
２記載の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液。 - 【請求項４】低級アルキル第４級アンモニウム塩がテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドおよびトリメチル
（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドか
ら選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求
項３記載の金属酸化膜形成用塗布膜剥離液。 - 【請求項５】基板上に金属酸化膜形成用塗布液を塗布
し、乾燥処理したのち有機アルカリ化合物含有剥離液を
適用することを特徴とする金属酸化膜形成用塗布膜の剥
離方法。 - 【請求項６】有機アルカリ化合物が低級アルキル第４級
アンモニウム塩であることを特徴とする請求項５記載の
金属酸化膜形成用塗布膜の剥離方法。 - 【請求項７】低級アルキル第４級アンモニウム塩がテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドおよびトリメチル
（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドか
ら選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求
項６記載の金属酸化膜形成用塗布膜の剥離方法。 - 【請求項８】乾燥処理を５０〜２５０℃の温度範囲で行
なうことを特徴とする請求項５記載の金属酸化膜形成用
塗布膜の剥離方法。 - 【請求項９】乾燥処理を５０〜２００℃の温度範囲で行
なうことを特徴とする請求項８記載の金属酸化膜形成用
塗布膜の剥離方法。 - 【請求項１０】基板上に形成された不均一な金属酸化膜
形成用塗布膜を有機アルカリ化合物含有剥離液で剥離
し、得られた基板を回収することを特徴とする基板の回
収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14802396A JPH09304947A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 金属酸化膜形成用塗布膜剥離液、剥離方法および基板の回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14802396A JPH09304947A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 金属酸化膜形成用塗布膜剥離液、剥離方法および基板の回収方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304947A true JPH09304947A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15443387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14802396A Pending JPH09304947A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | 金属酸化膜形成用塗布膜剥離液、剥離方法および基板の回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058615A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 분석 웨이퍼 재생방법 |
| WO2017013988A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP14802396A patent/JPH09304947A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058615A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 분석 웨이퍼 재생방법 |
| WO2017013988A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
| JP2017028257A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | セントラル硝子株式会社 | ウェットエッチング方法及びエッチング液 |
| CN107533971A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-01-02 | 中央硝子株式会社 | 湿式蚀刻方法和蚀刻液 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060508 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060529 |