RU2567142C2 - Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение - Google Patents
Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2567142C2 RU2567142C2 RU2012130174/02A RU2012130174A RU2567142C2 RU 2567142 C2 RU2567142 C2 RU 2567142C2 RU 2012130174/02 A RU2012130174/02 A RU 2012130174/02A RU 2012130174 A RU2012130174 A RU 2012130174A RU 2567142 C2 RU2567142 C2 RU 2567142C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- indium
- halogen
- indium oxide
- composition
- alkoxide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- -1 indium halogen alkoxide Chemical group 0.000 claims description 54
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical group [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims 1
- 238000007755 gap coating Methods 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 125000006732 (C1-C15) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-3-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1 OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N CC(C)[Na] Chemical compound CC(C)[Na] HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical class CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 108700031620 S-acetylthiorphan Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical class C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CCCO1 YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical class CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000035899 viability Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Изобретение относится к получению содержащих оксид индия слоев из безводного раствора. В способе безводную композицию, содержащую по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR)2, в которой R=алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X=F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду, в определенной последовательности в безводной атмосфере наносят на подложку, облучают нанесенную на подложку композицию электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм и при необходимости сушат и затем термически преобразуют в слой, содержащий оксид индия. Предложенный способ получения содержащих оксид индия слоев пригоден для получения тонких структур, при этом не требует высоких плотностей потока энергии в течение более длительного времени и аппаратно мало затратный. Изобретение обеспечивает образование упомянутых слоев с лучшими электрическими свойствами. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 3 пр.
Description
Изобретение относится к способу получения слоев, содержащих оксид индия, слоям, содержащим оксид индия, получаемым способом согласно изобретению, а также их применению.
Изготовление полупроводниковых электронных структурных слоев в процессах печати и в других процессах жидкостного осаждения в сравнении со многими другими способами, такими как метод химического осаждения из газовой фазы (CVD), делает возможными упрощение технологического процесса и удешевление продукции, так как осаждение полупроводника здесь может происходить в непрерывном процессе. Кроме того, в случае более низких температур процесса открывается возможность работать также на гибких подложках и при необходимости (прежде всего в случае очень тонких слоев и особенно при оксидных полупроводниках) достигать оптического светопропускания печатных слоев. Под полупроводниковыми слоями здесь и в дальнейшем можно понимать слои, которые имеют подвижности носителей заряда от 1 до 50 см2/B·c у структурного элемента с длиной канала 20 мкм при напряжении затвор-исток 50 B и напряжении сток-исток 50 B.
Так как материал структурного слоя, получаемого печатью или другими способами жидкостного осаждения, в значительной степени определяет соответствующие свойства слоя, его выбор имеет существенное влияние на каждый структурный элемент, содержащий этот структурный слой. Важными параметрами для печатных полупроводниковых слоев являются их соответствующие подвижности носителей заряда, а также обрабатываемость и температуры обработки примененных при их изготовлении пригодных для печатания прекурсоров. Материалы должны были бы иметь хорошую подвижность носителей заряда и быть пригодными к получению из раствора и при температурах четко ниже 500°C, чтобы подходить для множества задач и подложек. Также для многих задач нового типа желательно оптическое светопропускание полученных полупроводниковых слоев.
Оксид индия (оксид индия (III), In2O3), по причине большой энергетической щели между 3,6 и 3,75 эВ (измерено для напыленных слоев, H.S.Kim, P.D.Byrne, A.Facchetti, T.J.Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581), является перспективным и, таким образом, охотно применяемым полупроводником. Тонкие пленки толщиной в несколько сотен нанометров могут иметь, кроме того, высокое светопропускание в видимом диапазоне спектра более 90% при 550 нм. В крайне высоко упорядоченных монокристаллах оксида индия к тому же можно измерить подвижности носителей заряда до 160 см2/B·c. Однако до сих пор такие значения все еще не могут быть достигнуты посредством переработки из раствора (Н.Nakazawa, Y.Ito, Е.Matsumoto, К.Adachi, N.Aoki, Y.Ochiai; J. Appl. Phys. 2006, 100, 093706, и A.Gupta, Н.Cao, Parekh, K.K.V.Rao, A.R.Raju, U.V.Waghmare; J. Appl. Phys. 2007, 101, 09N513).
Оксид индия часто применяется прежде всего вместе с оксидом олова (IV) (SnO2) в качестве полупроводникового смешанного оксида ITO. В связи со сравнительно высокой проводимостью ITO-слоев при одновременном светопропускании в видимой области спектра он находит применение, в числе прочего, в области жидкокристаллических экранов (LCD; liquid crystal display), особенно в качестве "прозрачных электродов". Эти преимущественно легированные слои оксидов металлов в промышленности получают прежде всего дорогостоящими методами напыления в высоком вакууме. В связи с большим экономическим интересом к ITO-покрытым подложкам между тем существуют некоторые основанные прежде всего на технологии золь-гель способы покрытия для содержащих оксид индия слоев.
Принципиально существует две возможности для производства полупроводников на основе оксида индия способом печати: 1) «концепции частиц», при которых (нано)частицы представлены в виде пригодной для печатания дисперсии и в результате процесса печати посредством метода спекания превращаются в требуемый полупроводниковый слой, и 2) «концепции прекурсоров», при которых по меньшей мере один растворимый или диспергируемый продукт-предшественник в результате печати соответствующей композиции превращается в содержащий оксид индия слой. Под прекурсором при этом можно понимать соединение, разрушаемое термически или с помощью электромагнитного излучения, при помощи которого в присутствии или в отсутствие кислорода или других окислителей могут образовываться содержащие оксид металла слои. «Концепция частиц» имеет два значительных недостатка по сравнению с применением прекурсоров: с одной стороны, дисперсии частиц имеют коллоидную нестабильность, которая делает необходимым применение (невыгодных относительно будущих свойств) диспергирующих добавок, с другой стороны, многие из применяемых частиц (например, на основании пассивирующих слоев) посредством спекания формируют только не полностью покрытые слои, так что в слоях встречаются частично еще обособленные структуры, на границах частиц которых наблюдается значительное сопротивление частица-частица, которое понижает подвижность носителей заряда и повышает общее сопротивление слоя.
Существуют различные прекурсоры для получения слоев оксида индия. Так, наряду с солями индия в качестве прекурсоров для получения слоев, содержащих оксид индия, могут применяться также алкоксиды индия (гомолептические, то есть соединения, имеющие только индий и остатки алкоксидов) и индий-галоген-алкоксиды (т.е. соединения индия, имеющие как остатки галогена, так и остатки алкоксида, особенно трехвалентные соединения индия типа InXm(OR)3-m с X=галоген, R=алкильный или оксиалкильный остаток и m=1, 2).
Например, Marks и др. описывают структурные элементы, при получении которых применяется содержащая прекурсор композиция, включающая соль InCl3, а также основание моноэтаноламин (МЕА), растворенное в метоксиэтаноле. После нанесения покрытия композиции методом центрифугирования (Spin-coating) посредством термической обработки при 400°C получают соответствующий слой оксида индия (H.S.Kim, P.D.Byrne, А.Facchetti, T.J.Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 730, 12580-12581, и дополнительная информация (supplemental informations)).
По сравнению с композициями, содержащими соль индия, композиции, содержащие алкоксид индия или индий-галоген-алкоксид, обнаруживают то преимущество, что они при более низких температурах могут превращаться в содержащие оксид индия пленки. Кроме того, до сих пор исходили из того, что галогенсодержащие прекурсоры потенциально имеют недостаток приводить к галогенсодержащим слоям с пониженным качеством. По этой причине в прошлом эксперименты для образования слоя проводили с алкоксидами индия.
Алкоксиды индия, а также индий-галоген-алкоксиды и их синтез описаны еще с семидесятых годов прошлого столетия.
Так, например, Carmalt и др. в обзорной статье обобщают известные к этому моменту времени данные для синтеза, структуры и активностей в том числе алкоксидов и алкилалкоксидов индия (III) (Carmalt et al., Coord. Chem Rev. 250 (2006), 682-709).
Один из наиболее давно известных синтезов алкоксидов индия описывают Chatterjee и др. Они описывают получение трисалкоксида индия ln(OR)3 из хлорида индия (III) (InCl3) с алкоксидом натрия Na-OR, причем R означает остатки -метила, -этила, изопропила, н-, в-, т-бутила и -пентила (S.Chatterjee, S.R.Bindal, R.C.Mehrotra; J. Indian Chem. Soc. 1976, 53, 867).
Bradley и др. сообщают о подобной реакции, как Chatterjee и др., и получают при примерно идентичных эдуктах (InCl3, изопропил-натрий) и условиях реакции индий-оксо-алкоксидный кластер с кислородом в качестве центрального атома (D.C.Bradley, Н.Chudzynska, D.M.Frigo, М.Е.Hammond, М.В.Hursthouse, М.А.Mazid; Polyhedron 1990, 9, 719).
Особенно хороший вариант этого способа, который приводит к особенно малой примеси хлора в продукте, описывается в US 2009-0112012 A1. Стремление достичь по возможности малой степени примесей хлора в продукте сводится при этом к тому, что до сих пор исходили из того, что примеси хлора способствуют понижению производительности или технического ресурса/срока службы электронных структурных элементов (ср., например, US 6426425 B2).
Также на галогениде индия, однако на других основаниях, основывается описанный в US 5237081 A способ получения чистых алкоксидов индия, у которых галогенид индия (III) взаимодействует со спиртом в основной среде. Основание должно быть сильным основанием с низкой нуклеофильностью. Наряду с названными в качестве примера комплексными циклическими гетероциклами упомянутые основания являются, например, третичными аминами.
US 4681959 A описывает общий двухступенчатый способ получения алкоксидов металлов (особенно тетраалкокси-соединений, таких как тетраметилтитанат), при котором галогенид по меньшей мере двухвалентного металла взаимодействует со спиртом, при необходимости в присутствии ароматического растворителя, сначала с образованием промежуточного продукта (галоген-алкокси-соединения металла). Затем промежуточный продукт взаимодействует со спиртом в присутствии галогенводородного акцептора (особенно третичным амином) с образованием алкоксида металла.
Альтернативные пути синтеза с образованием гомолептических комплексов алкоксидов индия описываются Seigi Suh et al. в J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396-9404. Описанные там способы являются, однако, очень дорогостоящими и/или основаны не на коммерчески доступных (и, следовательно, лишь невыгодно синтезируемых на предшествующей стадии) исходных продуктах.
Общий способ получения соединений галоген-алкокси-металл описан в US 4681959 A: там в общих чертах описывается двухступенчатый способ получения алкоксидов металлов (особенно тетраалкоксисоединений, таких как тетраметилтитанат), при котором галогенид по меньшей мере двухвалентного металла взаимодействует со спиртом, при необходимости в присутствии ароматического растворителя, сначала с образованием промежуточного продукта (галоген-алкокси-соединения металла). Образующийся при этом галоген водород предпочтительно удаляют с инертным газом, таким как азот.
Галогеналкоксиды индия и их синтез описаны в JP 02-113033 A и JP 02-145459 A. Так, JP 02-113033 A раскрывает, что хлорсодержащие алкоксиды индия могут быть получены после растворения хлорида индия в спирте, соответствующем встраиваемому алкоксидному остатку, посредством последующего добавления определенной доли щелочного металла или оксида щелочного металла. Соответствующий способ описывает также JP 02-145459 A.
Получение слоев оксида индия из алкоксидов индия и индий-галоген-алкоксидов может происходить принципиально i) посредством процессов золь-гель, при которых использованные прекурсоры реагируют в присутствии воды через гидролиз и последующую конденсацию сначала с образованием гелей и затем превращаются в оксиды металлов, или ii) из безводных растворов.
Изготовление слоев, содержащих оксид индия, из алкоксидов индия способом золь-гель в присутствии значительных количеств воды относится к уровню техники. Например, WO 2008/083310 A1 описывает способ получения неорганических слоев или органических/неорганических гибридных слоев на подложке, при котором алкоксид металла (например, общей формулы R1M (OR2)y-x) или преполимер из него наносят на подложку и затем полученный слой алкоксида металла отверждают в присутствии и в реакции с водой при подаче тепла. У примененных алкоксидов металлов речь может идти, среди прочего, об алкоксиде индия.
JP 01-115010 A также имеет дело с термическим превращением при процессе золь-гель. В этом документе описываются композиции для светопроницаемых, проводящих тонких слоев, которые имеют большую жизнеспособность, когда композицию не гидролизовали, и имеют хлорсодержащие алкоксиды индия формулы In(OR)xCl3-x. Эти композиции могут быть превращены при температурах 400-600°C после нанесения на подложку, гелеобразования алкоксида на подложке благодаря содержанию воды в воздухе и последующей сушки при 200°C.
JP 02-113033 A описывает способ нанесения антистатического покрытия на неметаллический материал, при котором неметаллический материал покрывается композицией, включающей хлорсодержащий алкоксид индий, композиция застывает на воздухе и в дальнейшем кальцинируется.
JP 09-157855 A описывает золь-гель-способ получения слоя оксида металла, при котором золь оксида металла, полученный гидролизом, наносится на поверхность подложки из оксида металла или соли металла (например, алкоксида или соли индия), при необходимости при температуре, при которой гель еще не кристаллизуется, сушится и облучается УФ-излучением менее 360 нм.
JP 2000-016812 A также описывает способ получения слоя оксида металла золь-гель-способом. При нем подложка покрывается покрывающей композицией золя оксида металла из соли металла или алкоксида металла, в частности композицией In2O3-SnO2, и облучается УФ-излучением длиной волны меньше 360 нм и термически обрабатывается.
JP 59-198606 A описывает композиции для образования светопроницаемых, проводящих электричество слоев, которые имеют InClx(OR)3-x и органический растворитель и имеют часть воды 0,1-10% в пересчете на органический растворитель. Таким образом, при этой композиции речь идет о золе индий-галоген-алкоксида. Для образования светопроницаемого, проводящего электричество слоя композицию после нанесения на подложку и сушки обычно при 150°C обжигают при температуре предпочтительно 300°C.
Недостатком применения золь-гель-способа, однако, является то, что реакция гидролиза-конденсации автоматически запускается в присутствии воды и после ее начала плохо контролируема. Если процесс гидролиза-конденсации начинается уже перед нанесением на подложку, как в случае JP 09-157855 A, JP 2000-016812 A и JP 59-198606 A, полученные за это время гели часто не годятся для способа получения тонких оксидных слоев по причине их высокой вязкости. Если процесс гидролиза-конденсации, напротив, начинается лишь после нанесения на подложку посредством подачи воды в жидкой форме или в качестве пара, как в случае WO 2008/083310 A1, JP 01-115010 A или JP 02-113033 A, получаемые таким образом плохо перемешанные и негомогенные гели часто приводят к соответственно негомогенным слоям с невыгодными свойствами.
По этой причине представляют интерес безводные, основанные на прекурсорах способы получения слоев, содержащих оксид индия, т.е. способы, которые протекают не через золь-гель-процесс.
Так, JP 2007-042689 A описывает растворы алкоксидов металлов, которые могут содержать алкоксиды индия, а также способы получения полупроводниковых структурных элементов, которые применяют эти растворы алкоксидов металлов.
JP 02-145459 A описывает композиции покрытий, содержащие индий-галоген-алкоксид, которые при хранении не могут гидролизоваться и которые посредством кальцинирования могут быть превращены в слой, содержащий оксид индия.
JP 59-198607 A описывает способ получения светопроницаемых проводящих слоев, которые могут иметь защитную пленку из различных смол. Светопроницаемый проводящий слой может быть содержащим оксид индия слоем и может быть получен жидкофазным способом, при котором соответствующая композиция наносится на подложку, сушится и термически преобразовывается. Согласно примерам может применяться композиция, содержащая InCl(OC3H7)2.
JP 11-106935 A описывает способ получения светопроницаемой проводящей пленки на основе оксида, при котором среди прочего безводная композиция, включающая алкоксид металла (например, индия), наносится на подложку и нагревается. Кроме того, пленка затем может быть преобразована в тонкий слой на основе оксида металла с помощью УФ- и видимого излучения.
Однако известные до сих пор способы безводного получения слоев, содержащих оксид индия, также имеют недостатки: чисто термически проведенное преобразование имеет тот недостаток, что с его помощью не могут быть получены тонкие структуры и что, наряду с этим, с его помощью невозможна высокоточная регуляция результирующих свойств слоя. Кроме того, исключительно благодаря излучению происходящие преобразования имеют тот недостаток, что они в течение более длительного времени требуют очень высоких плотностей потока энергии и в этом отношении аппаратно очень затратные. Далее, все имеющиеся до сих пор в распоряжении безводные способы получения слоев, содержащих оксид индия, имеют тот недостаток, что получающиеся слои имеют недостаточно хорошие электрические свойства, особенно подвижность в электрическом поле µFET.
Таким образом, задача состоит в том, чтобы предоставить способ получения слоев, содержащих оксид индия, который избежит известных недостатков уровня техники и который также особенно пригоден для получения тонких структур, не требует высоких плотностей потока энергии в течение более длительного времени, аппаратно мало затратный и приводит к образованию слоев с лучшими электрическими свойствами, особенно подвижностью в электрическом поле.
Эта задача согласно изобретению решается посредством жидкофазного способа получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора по п.1, при котором безводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR)2 с R=алкилный и/или алкоксиалкильный остаток и X=F, Cl, Br или I и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду, в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфере
a) наносится на подложку,
b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм и
c) при необходимости сушится и затем
d) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.
При жидкофазном способе получения слоев, содержащих оксид индия, согласно изобретению из безводного раствора речь идет о способе, включающем по меньшей мере одну стадию способа, при которой покрываемая подложка покрывается жидким безводным раствором, содержащим по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид, облучается электромагнитным излучением, далее при необходимости сушится и затем термически преобразуется. При этом процессе речь особенно не идет о процессе ионного напыления, химического осаждения из газовой фазы или золь-гель-процессе. Под жидкими композициями согласно настоящему изобретению следует понимать такие, которые при SATP-условиях ("Standard Ambient Temperature and Pressure", стандартные температура и давление окружающей среды; T=25°C и p=1013 гПа) и при нанесении на покрываемую подложку существуют в жидком состоянии. При этом под безводным раствором или безводной композицией здесь и в дальнейшем следует понимать раствор или композицию, которая имеет не более 500 ч./млн H2O.
Далее, для достижения особенно хороших результатов способ согласно изобретению особенно предпочтительно можно проводить в безводной атмосфере, т.е. в атмосфере с содержанием воды максимум 500 ч./млн.
Под продуктом способа согласно изобретению, слоем, содержащим оксид индия, следует понимать слой, содержащий металл или полуметалл, который имеет атомы или ионы индия, которые преимущественно представлены в окисленной форме. При необходимости содержащий оксид индия слой может также иметь еще доли азота (из реакции), углерода (особенно карбена), галогена и/или алкоксида по причине неполного превращения или неполноценного удаления образующихся побочных продуктов. Слой, содержащий оксид индия, может быть при этом чистым слоем оксида индия, т.е. при непринятии во внимание возможных долей азота, углерода (особенно карбена), алкоксида или галогена могут существовать главным образом из существующих в окисленной форме атомов или ионов индия или иметь еще соразмерно доле участия дополнительные металлы, полуметаллы или неметаллы, которые сами могут быть представлены в элементарной или окисленной форме. Для получения чистых слоев оксида индия по способу согласно изобретению должны были бы применяться только индий-галоген-алкоксиды, предпочтительно только один индий-галоген-алкоксид. В противоположность этому для получения следует применять также другие металлы, полуметаллы и/или неметаллы имеющихся слоев наряду с индий-галоген-алкоксидами также предшественники этих элементов в степени окисления 0 (для получения слоев, содержащих дополнительные металлы в нейтральной форме) или кислородсодержащие прекурсоры, содержащие элементы в положительной степени окисления (такие как, например, другие оксиды металлов или галогеналкоксиды металлов).
Кроме того, неожиданным образом было установлено, что прежнее предположение, что галогенсодержащие прекурсоры неизбежно приводят к образованию ущербных слоев, не всегда соответствует действительности. Так, в случае способа согласно изобретению, при котором жидкая композиция-прекурсор наносится на подложку и покрывающая пленка перед термическим превращением обрабатывается сначала УФ-излучением, в случае применения хлордиалкоксидов индия вместо алкоксидов индия получаются даже лучшие покрытия, так как последние имеют лучшие электрические свойства, особенно более высокую подвижность в поле. Кроме того, в случае применения галогендиалкоксидов индия вместо алкоксидов индия неожиданно могут быть получены аморфные слои. По сравнению со слоем из отдельных нанокристаллов аморфные слои имеют преимущество большей гомогенности, что дает о себе знать также в лучших электрических свойствах, особенно подвижностях в электрическом поле.
При этом под алкильными или алкоксиалкильными остатками R индий-галоген-алкоксидов предпочтительно следует понимать C1-C15-алкильные или алкоксиалкильные группы, т.е. алкильные или алкоксиалкильные группы с в целом 1-15 атомами углерода. Предпочтительно речь идет об алкильном или алкоксиалкильном остатке R, выбранном из -СН3, -СН2СН3, -CH2CH2OCH3, -СН(СН3)2 или -С(СН3)3.
Индий-галоген-алкоксид может иметь идентичные или различные остатки R. Однако для способа согласно изобретению предпочтительно применяются индий-галоген-алкоксиды, которые имеют одинаковый алкильный или алкоксиалкильный остаток R.
Принципиально в индий-галоген-алкоксиде могут применяться все галогены. Однако наиболее предпочтительно хорошие результаты достигаются, если применяются индий-хлор-алкоксиды.
Лучшие результаты достигаются, если примененный индий-галоген-алкоксид является InCl(OMe)2, InCl(OCH2CH2OCH3), InCl(OEt)2, InCl(OiPr)2 или InCl(OtBu)2.
Индий-галоген-алкоксид InX(OR)2 применяется предпочтительно с содержанием 0,1-10% масс., особенно предпочтительно 0,5-6% масс., наиболее предпочтительно 1-5% масс. в пересчете на общую массу композиции.
Композиция (A), включающая индий-галоген-алкоксид, может обнаруживать его растворенным, т.е. или диссоциированным в комплексе с молекулами растворителя на молекулярной поверхности, или диспергированным в жидкой фазе.
Способ согласно изобретению пригоден особенно хорошо для получения слоев In2O3 с высоким качеством и хорошими свойствами в том случае, когда применяются только прекурсоры, содержащие индий. Особенно хорошие слои получаются, если единственным использованным прекурсором является индий-галоген-алкоксид.
Однако наряду с индий-галоген-алкоксидом композиция может иметь также еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов в растворенной или диспергированной форме. Особенно предпочтительными являются алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb. Наиболее предпочтительно применяемые алкоксиды и галоген-алкоксиды являются соединениями Ga(OiPr)3, Ga(OtBu)3, Zn(OMe)2, Sn(OtBu)4. Соответственно, посредством применения этих соединений могут быть получены слои, содержащие оксид индия, которые, кроме того, имеют элементы B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb или их оксиды.
Кроме того, композиция имеет по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду. Таким образом, композиция может иметь также два или более растворителей или дисперсионных сред. Однако для получения особенно хороших слоев, содержащих оксид индия, в композиции должен был быть только один растворитель или дисперсионная среда.
Предпочтительно применяемыми растворителями или дисперсионными средами являются апротонные и слабо протонные растворители или дисперсионные среды, т.е. таковые, выбранные из группы апротонных неполярных растворителей/дисперсионных сред, т.е. алканов, замещенных алканов, алкенов, алкинов, ароматических соединений без или с алифатическими или ароматическими заместителями, галогенированных углеводородов, тетраметилсилана, из группы апротонных полярных растворителей/дисперсионных сред, т.е. эфиров, ароматических эфиров, замещенных эфиров, сложных эфиров или ангидридов кислот, кетонов, третичных аминов, нитрометана, ДМФ (диметиформамид), ДМСО (диметилсульфоксид) или пропиленкарбоната, и слабо протонных растворителей/дисперсионных сред, т.е. спиртов, первичных и вторичных аминов и формамида. Особенно предпочтительно применяемыми растворителями или дисперсионными средами являются спирты, а также толуол, ксилол, анизол, мезитилен, н-гексан, н-гептан, трис-(3,6-диоксагептил)амин (TDA), 2-аминометилтетрагидрофуран, фенетол, 4-метиланизол, 3-метиланизол, метилбензоат, бутилацетат, этиллактат, метоксиэтанол, бутоксиэтанол, N-метил-2-пирролидон (NMP), тетралин, этилбензоат и диэтиловый эфир. Наиболее предпочтительными растворителями или дисперсионными средами являются метанол, этанол, изопропанол, тетрагидрофурфуриловый спирт, трет-бутанол, бутилацетат, этиллактат, метоксиэтанол и толуол, а также их смеси.
Растворитель или дисперсионная среда предпочтительно применяется с содержанием от 99,9 до 90% масс. в пересчете на общую массу композиции.
Для достижения особенно хорошей возможности печати композиция, использованная в случае способа согласно изобретению, предпочтительно имеет вязкость от 1 мПа·с до 10 Па·с, особенно 1 мПа·с - 100 мПа·с, определенную в соответствии с DIN 53019, часть 1 -2, и измеренную при 20°C. Соответствующие вязкости могут быть заданы посредством добавления полимеров, производных целлюлозы или, например, SiO2, коммерчески доступным под фирменным/торговым наименованием Aerosil, особенно благодаря РММА, поливиниловому спирту, уретановому или полиакрилатному загустителю.
В случае подложки, которая применяется в способе согласно изобретению, речь идет предпочтительно о подложке, состоящей из стекла, кремния, оксида кремния, оксида металла или переходного металла, металла или полимерного материала, особенно PI, PEN, PEEK, PC или PET.
Способ согласно изобретению особенно предпочтительно является способом покрытия, выбранным из способов печати (особенно флексографии/глубокой печати, струйной печати - наиболее предпочтительно непрерывной, термической или пьезоструйной печати, офсетной печати, цифровой офсетной печати и трафаретной печати), распылительных способов, способов вращательного покрытия ("Spin-coating"), способов покрытия погружением ("Dip-coating"), и способом, выбранным из покрытия путем создания мениска, щелевого покрытия, Slot-Die-покрытия и наливного покрытия. Наиболее предпочтительно способ согласно изобретению является способом печати. В качестве способа печати особенно пригоден струйный способ и способ жидкого тонирования (такой как, например, HP Indigo), так как эти способы особенно хорошо годятся для структурированного нанесения печатного материала.
После нанесения безводной композиции на подложку последняя облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм. Особенно предпочтительно осуществляется облучение светом с длиной волны от 150 до 300 нм.
Далее, после покрытия и перед превращением покрытая подложка предпочтительно высушивается. Соответствующие приемы и условия для этого известны специалисту. Сушка отличается от преобразования тем, что при ней при температурах, которые по сути еще не вызывают превращения материала, растворитель или дисперсионная среда удаляется. Если сушка происходит термическим путем, температура составляет не более 120°C.
Завершающее преобразование с образованием слоя, содержащего оксид индия, происходит термическим путем. Завершающее преобразование предпочтительно происходит благодаря температурам менее 500°C и больше 120°C. Однако особенно хорошие результаты могут быть достигнуты, если для превращения применяют температуры от 150°C до 400°C. Способы достижения этих температур основываются предпочтительно на использовании печей, горячего воздуха, нагревательных пластин, ИК-излучателей и электронных пушек.
При этом обычно применяется время превращения от нескольких секунд до нескольких часов.
Кроме того, термическому превращению может содействовать то, что перед, в течение или после термической обработки происходит облучение УФ-, ИК- или видимым излучением или покрытая подложка обрабатывается воздухом или кислородом.
Далее, качество слоя, полученного способом согласно изобретению, может быть дополнительно улучшено благодаря следующей за стадией превращения комбинированной температурной и газовой обработке (Н2 или O2), плазменной обработке (Ar-, N2, O2 или Н2-плазма), лазерной обработке (длинами волн в УФ-, видимом или ИК-диапазоне) или обработке озоном.
Процесс покрытия может повторяться для увеличения толщины. При этом процесс покрытия может происходить таким образом, что после каждого единичного нанесения облучают электромагнитным излучением и затем преобразуют или происходит несколько нанесений, непосредственно за которыми соответственно следует электромагнитное облучение, с единичной термической стадией превращения после последнего нанесения.
Кроме того, объектами изобретения являются получаемые способом согласно изобретению слои, содержащие оксид индия. При этом особенно хорошие свойства имеют получаемые способом согласно изобретению слои, содержащие оксид индия, которые являются чистыми слоями оксида индия. Как было изложено ранее, при их получении применяются только прекурсоры, содержащие индий, предпочтительно только индий-галоген-алкоксиды, особенно предпочтительно только один индий-галоген-алкоксид.
Получаемые способом согласно изобретению слои, содержащие оксид индия, предпочтительно пригодны для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для электронных структурных элементов, особенно для изготовления транзисторов (особенно тонкопленочных транзисторов), диодов, сенсоров или солнечных элементов.
Следующий пример должен раскрыть предмет настоящего изобретения более детально.
Пример
На легированную кремниевую подложку с длиной кромки около 15 мм и с покрытием из оксида кремния толщиной около 200 нм и штыревой структурой из ITO/Gold наносили 100 мкл 2,5%-ного по массе раствора InCl(OMe)2 в этаноле. Затем осуществляется нанесение покрытия методом центрифугирования при 2000 оборотах в минуту (5 секунд). Непосредственно после этого процесса покрытия покрытая подложка в течение 5 минут облучается возникающим от ртутной лампы УФ-излучением в диапазоне длин волн 150-300 нм. Затем один час подложка нагревается на нагревательной пластине при температуре 350°C. После превращения можно в перчаточном боксе определить значение подвижности в поле µFET=5 см2/B·c при 30 VDS.
Сравнительный пример (алкоксид индия в качестве прекурсора)
На легированную кремниевую подложку с длиной кромки около 15 мм и с покрытием из оксида кремния толщиной около 200 нм и штыревой структурой из ITO/Gold наносили 100 мкл 2,5%-ного по массе раствора In(OiPr)3 в этаноле. Затем осуществляется нанесение покрытия методом центрифугирования при 2000 оборотах в минуту (5 секунд). Непосредственно после этого процесса покрытия покрытая подложка в течение 5 минут облучается возникающим от ртутной лампы УФ-излучением в диапазоне длин волн 150-300 нм. Затем один час подложка нагревается на нагревательной пластине при температуре 350°C. После превращения можно в перчаточном боксе определить значение подвижности в поле µFET=2,2 см2/B·c при 30 VDS.
Сравнительный пример (без УФ-излучения)
На легированную кремниевую подложку с длиной кромки около 15 мм и с покрытием из оксида кремния толщиной около 200 нм и штыревой структурой из ITO/Gold наносили 100 мкл 2,5%-ного по массе раствора InCl(OMe)2 в этаноле. Затем осуществляется нанесение покрытия методом центрифугирования при 2000 оборотах в минуту (5 секунд). Покрытая подложка нагревается один час на нагревательной пластине при температуре 350°C. После превращения можно в перчаточном боксе определить значение подвижности в поле µFET=1,7 см2/B·c при 30 VDS.
Claims (16)
1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора, отличающийся тем, что безводную композицию, содержащую по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR)2 с R=алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X=F, Cl, Br или I и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду, в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфере
a) наносят на подложку,
b) нанесенную на подложку композицию облучают электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм,
c) при необходимости сушат и затем
d) термически преобразовывают в слой, содержащий оксид индия.
a) наносят на подложку,
b) нанесенную на подложку композицию облучают электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм,
c) при необходимости сушат и затем
d) термически преобразовывают в слой, содержащий оксид индия.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что алкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что индий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe)2, InCl(OCH2CH2OCH3)2, InCl(OEt)2, InCl(OiPr)2 или InCl(OtBu)2.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что безводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что индий-галоген-алкоксид InX(OR)2 применяют с содержанием от 0,1 до 10% мас. в пересчете на общую массу композиции.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что растворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабо протонным растворителем или дисперсионной средой.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидрофурфуриловым спиртом, трет-бутанолом, бутилацетатом, метоксиэтанолом или толуолом.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда представлен/а с содержанием от 90 до 99,9% мас. в пересчете на общую массу композиции.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что композиция имеет вязкость от 1 мПа·с до 10 Па·с.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или переходного металла, металла или полимерного материала.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение безводной композиции на подложку осуществляют способом печати, способом распыления, способом центрифугирования, способом погружения или способом, выбранным из группы, состоящей из нанесения покрытия путем создания мениска, щелевого покрытия, нанесения покрытия с помощью щелевой экструзионной головки и наливного покрытия.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что нанесение осуществляют способом струйной печати, выбранным из непрерывной, термической и пьезоструйной печати.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение безводной композиции происходит электромагнитным излучением с длиной волны 150-300 нм.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что превращение осуществляют термически посредством температур выше 150°C.
15. Способ по одному из пп.1-14, отличающийся тем, что перед, в течение или после термической обработки происходит облучение УФ-, ИК- или видимым излучением.
16. Применение по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид индия, получаемого способом по одному из пп.1-15, в качестве проводникового или полупроводникового слоев для электронных структурных элементов, в частности в качестве проводникового или полупроводникового слоев для транзисторов, диодов, сенсоров или солнечных элементов.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009054997A DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102009054997.8 | 2009-12-18 | ||
| PCT/EP2010/068185 WO2011073005A2 (de) | 2009-12-18 | 2010-11-25 | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-haltigen schichten, nach dem verfahren hergestellte indiumoxid-haltige schichten und ihre verwendung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012130174A RU2012130174A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2567142C2 true RU2567142C2 (ru) | 2015-11-10 |
| RU2567142C9 RU2567142C9 (ru) | 2016-10-27 |
Family
ID=43927323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130174/02A RU2567142C9 (ru) | 2009-12-18 | 2010-11-25 | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8841164B2 (ru) |
| EP (1) | EP2513355B1 (ru) |
| JP (1) | JP5864434B2 (ru) |
| KR (1) | KR101719853B1 (ru) |
| CN (1) | CN102652187B (ru) |
| DE (1) | DE102009054997B3 (ru) |
| RU (1) | RU2567142C9 (ru) |
| TW (1) | TWI509102B (ru) |
| WO (1) | WO2011073005A2 (ru) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009028801B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) * | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| JP5871263B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 非晶質酸化物薄膜の製造方法 |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| US9698386B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-07-04 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
| US8853070B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-10-07 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
| WO2013157715A1 (ko) * | 2012-04-16 | 2013-10-24 | 전자부품연구원 | 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법, 산화물 박막 및 그 전자소자 |
| DE102012209918A1 (de) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102013212019A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| EP3009402A1 (de) * | 2014-10-15 | 2016-04-20 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln |
| EP3350115A1 (en) | 2015-09-14 | 2018-07-25 | University College Cork | Semi-metal rectifying junction |
| JP6828293B2 (ja) | 2015-09-15 | 2021-02-10 | 株式会社リコー | ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| CN105836792B (zh) * | 2016-05-27 | 2017-08-25 | 洛阳瑞德材料技术服务有限公司 | 一种纳米氧化铟的生产方法 |
| JP2019057698A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237081A (en) * | 1990-03-16 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | Preparation of indium alkoxides soluble in organic solvents |
| RU2118402C1 (ru) * | 1994-05-17 | 1998-08-27 | Виктор Васильевич Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| DE102007013181A1 (de) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, elektrisch leitfähige Schicht, ein Verfahren zur Herstellung der Schicht sowie die Verwendung |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198607A (ja) | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| US4681959A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
| JPH01115010A (ja) | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| JPH09157855A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
| JPH11106935A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
| JP2000016812A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4264145B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2009-05-13 | 株式会社Ｋｒｉ | Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法 |
| JP4030243B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2008-01-09 | 日本電気株式会社 | 強誘電体薄膜形成用溶液及び強誘電体薄膜形成方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| JP2005272189A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法 |
| JP2008500151A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | パターン膜形成方法、装置と材料および製品 |
| JP4767616B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| JP5249240B2 (ja) | 2006-12-29 | 2013-07-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 金属アルコキシド含有フィルムの硬化方法 |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
-
2009
- 2009-12-18 DE DE102009054997A patent/DE102009054997B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-25 RU RU2012130174/02A patent/RU2567142C9/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-25 US US13/516,900 patent/US8841164B2/en active Active
- 2010-11-25 EP EP10785038.0A patent/EP2513355B1/de not_active Not-in-force
- 2010-11-25 WO PCT/EP2010/068185 patent/WO2011073005A2/de active Application Filing
- 2010-11-25 KR KR1020127015506A patent/KR101719853B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-25 CN CN201080057750.2A patent/CN102652187B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-25 JP JP2012543576A patent/JP5864434B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-15 TW TW099143972A patent/TWI509102B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237081A (en) * | 1990-03-16 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | Preparation of indium alkoxides soluble in organic solvents |
| RU2118402C1 (ru) * | 1994-05-17 | 1998-08-27 | Виктор Васильевич Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| DE102007013181A1 (de) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, elektrisch leitfähige Schicht, ein Verfahren zur Herstellung der Schicht sowie die Verwendung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130122647A1 (en) | 2013-05-16 |
| EP2513355B1 (de) | 2017-08-23 |
| JP5864434B2 (ja) | 2016-02-17 |
| KR101719853B1 (ko) | 2017-04-04 |
| TWI509102B (zh) | 2015-11-21 |
| CN102652187B (zh) | 2016-03-30 |
| EP2513355A2 (de) | 2012-10-24 |
| RU2567142C9 (ru) | 2016-10-27 |
| TW201137170A (en) | 2011-11-01 |
| WO2011073005A3 (de) | 2011-09-01 |
| KR20120095422A (ko) | 2012-08-28 |
| WO2011073005A2 (de) | 2011-06-23 |
| US8841164B2 (en) | 2014-09-23 |
| DE102009054997B3 (de) | 2011-06-01 |
| JP2013514246A (ja) | 2013-04-25 |
| RU2012130174A (ru) | 2014-01-27 |
| CN102652187A (zh) | 2012-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2567142C2 (ru) | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение | |
| US8859332B2 (en) | Process for producing indium oxide-containing layers | |
| JP5877832B2 (ja) | 酸化インジウム含有層を製造するためのインジウムオキソアルコキシド、その製造方法及びその使用 | |
| TWI485284B (zh) | 用以製造含有金屬氧化物之層的方法 | |
| US8546594B2 (en) | Indium oxoalkoxides for producing coatings containing indium oxide | |
| KR101662980B1 (ko) | 산화 인듐을 함유하는 층의 제조 방법 | |
| JP2015522509A (ja) | 酸化インジウム含有層の製造法 | |
| RU2659030C2 (ru) | Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TH4A | Reissue of patent specification | ||
| TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 31-2015 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201126 |