RU2659030C2 - Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение - Google Patents
Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2659030C2 RU2659030C2 RU2016101886A RU2016101886A RU2659030C2 RU 2659030 C2 RU2659030 C2 RU 2659030C2 RU 2016101886 A RU2016101886 A RU 2016101886A RU 2016101886 A RU2016101886 A RU 2016101886A RU 2659030 C2 RU2659030 C2 RU 2659030C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- indium
- composition according
- layers
- paragraphs
- alkyl
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 32
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- -1 indium alkoxide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims description 11
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 108700031620 S-acetylthiorphan Proteins 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 239000012669 liquid formulation Substances 0.000 abstract 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSISVHKEUJHDC-UHFFFAOYSA-N ClC[O-].[In+3].ClC[O-].ClC[O-] Chemical compound ClC[O-].[In+3].ClC[O-].ClC[O-] ZBSISVHKEUJHDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical class CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical class C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical class CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов. Также предложены способ получения состава, его применение для получения содержащих оксид индия или (полу)проводящих слоев и способ получения содержащих оксид индия слоев. Изобретение позволяет улучшить свойства формирования слоя и свойства полученных слоев. 5 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.
Description
Изобретение относится к составам для получения содержащих оксид индия слоев, способу их получения и их применению.
Получение полупроводниковых электронных структурных слоев посредством способов осаждения давлением и другими способами осаждения из жидкой фазы в сравнении со многими другими способами, такими как химическое осаждение из газовой фазы (CVD), позволяет достигать гораздо более низкой стоимости продукта, так как осаждение полупроводника в данном случае можно осуществлять непрерывным способом. В дополнение, в случае довольно низких рабочих температур, открывается возможность работы также на гибких подложках и необязательно достигать оптического светопропускания печатных слоев (прежде всего в случае очень тонких слоев и особенно в случае оксидных полупроводников). Термин «полупроводниковые слои» тут и далее по тексту применяют для обозначения слоев, которые обладают подвижностью носителей заряда от 1 до 50 см2/Вс в структурном элементе с длиной канала 20 мкм при напряжении затвор-исток 50 В и напряжении исток-сток 50 В.
Поскольку материал структурного слоя, подлежащий получению посредством печатных способов, в значительной степени определяет соответствующие свойства слоя, выбор данного материала имеет значительное влияние на каждый структурный элемент, содержащий данный структурный слой. Важными параметрами для печатных полупроводниковых слоев являются их соответствующие подвижности носителей заряда, а также пригодность к обработке и температуры обработки пригодных для печатания предшественников, применяемых при изготовлении слоев. Материалы должны обладать хорошей подвижностью носителей заряда и быть пригодными к получению из раствора и при температурах значительно ниже 500°C для того, чтобы подходить для множества задач и подложек. Также для многих задач нового типа было бы желательно оптическое светопропускание полученных полупроводниковых слоев.
Оксид индия (оксид индия (III), In2O3) в связи с широкой запрещенной зоной в интервале от 3,6 до 3,75 эВ (измерено для осажденных из паровой фазы слоев, H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581) является очень перспективным и, таким образом, востребованным проводником. Тонкие пленки толщиной в несколько сотен нанометров могут дополнительно обладать высоким светопропусканием в видимой области спектра более чем 90% при 550 нм. Кроме того, можно измерить подвижность носителей заряда до 160 см2/Вс в обладающих чрезвычайно высокой упорядоченностью монокристаллах оксида индия. Однако до сих пор такие значения все еще не могут быть достигнуты посредством обработки из раствора (H. Nakazawa, Y. Ito, E. Matsumoto, K. Adachi, N. Aoki, Y. Ochiai; J. Appl. Phys. 2006, 100, 093706, и A. Gupta, H. Cao, Parekh, K.K.V. Rao, A.R. Raju, U.V. Waghmare; J. Appl. Phys. 2007, 101, 09N513).
Оксид индия часто применяют прежде всего вместе с оксидом олова (IV) (SnO2), в качестве полупроводникового смешанного оксида ITO. В связи с относительно высокой проводимостью слоев ITO при одновременном светопропускании в видимой области спектра он находит применение, в числе прочего, в области жидкокристаллических дисплеев (LCD), в особенности в качестве «прозрачного электрода». Подобные, чаще всего легированные, слои оксидов металлов в промышленности получают в основном посредством дорогостоящих способов осаждения из газовой фазы в высоком вакууме. В связи с большим экономическим интересом к подложкам с нанесенным ITO в настоящее время существуют некоторые, основанные прежде всего на золь-гель технологии, способы покрытия для содержащих оксид индия слоев.
Принципиально существует две возможности получения полупроводников на основе оксида индия посредством печатных способов 1) концепции частиц, в которых (нано)частицы присутствуют в виде пригодной для печатания дисперсии и после процесса печати посредством способов спекания преобразовываются в необходимый полупроводниковый слой и 2) концепции предшественников, в которых по меньшей мере одно растворимое или диспергируемое промежуточное соединение после печати соответствующей композиции преобразовывается в содержащий оксид индия слой. Концепция частиц имеет два значительных недостатка по сравнению с применением предшественников: во-первых, дисперсии частиц обладают коллоидной нестабильностью, что делает необходимым применение диспергирующих добавок (которые невыгодны в отношении будущих свойств слоя), а во-вторых, многие из частиц, которые можно применять, формируют посредством спекания лишь неполные слои (например, исходя из пассивирующих слоев), так что в слоях до некоторой степени все еще встречаются структуры, состоящие из частиц. На границах частиц наблюдается значительное сопротивление частица-частица, и это снижает подвижность носителей заряда и повышает общее сопротивление слоя.
Существуют различные содержащие предшественники составы для получения слоев оксида индия. Так, наряду с солями индия можно применять алкоксиды индия (гомолептические соединения, т.е. соединения, содержащие только индий и алкоксидные радикалы) в качестве предшественников в растворе для получения содержащих оксид индия слоев.
Например, Marks и др. описывают компоненты, при получении которых применяют содержащую предшественник композицию, включающую соль InCl3, а также основание, моноэтаноламин (МЕА), в виде раствора в метоксиэтаноле. После нанесения композиции при помощи ротационного отложения соответствующий слой оксида индия получают посредством термической обработки при 400°C (H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581 и дополнительная информация).
В WO 2011/072887 A1 описывают способ получения галогендиалкоксидов индия (III) и их применение для получения содержащих оксид индия слоев. Способы получения содержащих оксид индия слоев из данных галогендиалкоксидов индия (III) раскрыты в WO 2011/073005 A2.
Однако галогендиалкоксиды индия (III) в растворе до настоящего времени не привели к содержащим оксид индия слоям с достаточно хорошими электрическими свойствами. Оксоалкоксиды индия, такие как соединения общей формулы In6O2X6(OR)6(R'CH(O)COOR'')2(HOR)x(HNR'''2)y, In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x и MxOy(OR)z[O(R'O)eH]aXbYc[R''OH]d, раскрытые в WO 2012/010427 A1, WO 2012/010464 A1 и в пока еще не опубликованной немецкой заявке DE 102012209918, приводят к лучшим свойствам слоя.
Несмотря на уже известные улучшения все еще существует потребность в улучшениях относительно свойств формирования слоя и свойств полученных слоев. В частности, подходящий раствор, содержащий предшественник, должен
- легко обрабатываться, особенно на воздухе,
- однородно преобразовываться в оксид,
- преобразовываться в оксид при очень низких температурах и
- приводить к слоям с отличными электрическими свойствами.
Данный комплексный профиль требований выполняют при помощи жидкого состава в соответствии с настоящим изобретением, который может быть получен путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое можно получать путем реакции
- тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I,
- со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=алкил,
- в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия,
- в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=алкил,
по меньшей мере в одном растворителе.
Особенно хорошие слои можно получать с использованием составов, содержащих соединения алкоксида индия, в получении которых использовали вторичный амин в молярном соотношении от 8:1 до 15:1, даже лучше от 8:1 до 12:1, к тригалогениду индия в реакции.
Для целей настоящего изобретения соединение алкоксида индия в данном случае представляет собой соединение, которое имеет по меньшей мере один атом индия и по меньшей мере один алкоксидный радикал и может быть получено с помощью описанной выше реакции тригалогенида со вторичным амином в присутствии спирта. Определение структуры данных растворенных соединений, которые можно получать посредством способа в соответствии с настоящим изобретением, является сложным. Тем не менее, предполагают, что конечными соединениями являются соединения оксоалкоксида индия, содержащие галоген. Твердотельные структуры этого типа можно было определить с помощью рентгеноструктурного анализа. Предполагается, что подобные структуры данных соединений также присутствуют в растворе. Оксоалкоксиды индия представляют собой кластеры индия, которые соединены посредством оксо-радикалов и могут присутствовать в ионной форме и в которых валентности, которые не скоординированы оксо-радикалами, по меньшей мере частично координируемы алкоксидными радикалами. В случае соединений алкоксида индия, которые можно получать посредством способа в соответствии с настоящим изобретением, предполагается их присутствие в виде соли, в частности в виде анионов оксоалкоксида индия, содержащего галоген, координированных катионами, после синтеза.
В частности, предпочтительным готовым продуктом является соединение алкоксида индия общей формулы [In6(O)(OR)12X6]2-Am z (ROH)x, где R=алкил, X=F, Cl, Br, I, A=катион, z=валентность катиона, m⋅z=2, и x=0-10, которое можно получать, в том числе, применяя вторичные амины в соотношении от 9:1 до 10:1. Соединение может быть координировано молекулами спирта ROH и, возможно, также другими растворителями, присутствующими в реакции.
Типичные катионы представляют собой ионы аммония [NHyR4-y]+, предпочтительно ионы аммония формулы [NH2R2]+ .
Наиболее предпочтительным соединением является [In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+ 2 (MeOH)2, которое может быть получено с использованием InCl3, Me2NH (последнего в соотношении от 9:1 до 10:1) и MeOH (метанола). На фигуре 1 показана структура, определенная рентгеноструктурным анализом.
Состав в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно содержит соединение алкоксида индия в процентном содержании от 0,1 до 10% по весу, предпочтительно 0,5-5% по весу, особенно предпочтительно 1-2% по весу исходя из общей массы состава для того, чтобы получить особенно хорошие полупроводниковые слои.
Состав в соответствии с настоящим изобретением дополнительно содержит по меньшей мере один растворитель. Для получения особенно хороших составов по меньшей мере один растворитель предпочтительно выбран из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов (особенно предпочтительными спиртами являются метанол, этанол, бутанол, тетрагидрофурфуриловый спирт и фенол), простых эфиров (особое предпочтение отдается гликолевым простым эфирам общей формулы ROCH2CH(R')OR'', где R=-H или -C1-C10алкил, R'=-H или -CH3, и R''=-H или -C1-C10алкил, и циклическим простым эфирам, в частности 2-метоксиэтанолу, 1-метокси-2-пропанолу и тетрагидрофурану, а также анизолу), сложных эфиров (особое предпочтение отдается сложным эфирам карбоновых кислот и алкиллактатам, в частности бутилацетату, 1-метокси-2-пропилацетату (PGMEA), этилбензоату, этиленгликольдиацетату, этиллактату и бутиллактату), ароматических углеводородов (особое предпочтение отдается толуолу и ксилолу) и нитрилов (особое предпочтение отдается ацетонитрилу).
По меньшей мере один растворитель предпочтительно выбран из группы, состоящей из метанола, этанола, бутанола, тетрагидрофурфурилового спирта, фенола, 2-метоксиэтанола, 1-метокси-2-пропанола, тетрагидрофурана, анизола, бутилацетата, 1-метокси-2-пропилацетата (PGMEA), этилбензоата, этиленгликольдиацетата, этиллактата, бутиллактата, толуола, ксилола и ацетонитрила.
Состав в соответствии с настоящим изобретением более предпочтительно содержит по меньшей мере два, еще более предпочтительно по меньшей мере три растворителя, выбранных из группы, состоящей из вышеуказанных классов растворителей.
Состав в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно содержит по меньшей мере три растворителя, один из которых выбран из группы, состоящей из этиллактата, анизола, тетрагидрофурфурилового спирта, бутилацетата, этиленгликольдиацетата и этилбензоата, а два других имеют разницу температур кипения по меньшей мере 30°С в условиях SATP. Особенно хороших результатов можно достигать при помощи соответствующих составов.
Наилучших результатов можно достигать с использованием составов, содержащих три растворителя: этанол, 1-метокси-2-пропанол и тетрагидрофурфуриловый спирт.
Состав в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно содержит растворитель или растворители в процентном содержании 90-99,9% по весу, предпочтительно 95-99,5% по весу, особенно предпочтительно 98-99% по весу исходя из общей массы композиции для нанесения покрытия.
Кроме того, композиция в соответствии с настоящим изобретением может содержать добавки, в частности смачивающие добавки (в частности поверхностно-активные вещества), противовспенивающие вещества, сшивающие добавки, добавки, уменьшающие поверхностное натяжение, и выравнивающие добавки, для достижения полезных свойств. В случае присутствия добавок их процентное содержание по весу исходя из общей массы композиции для нанесения покрытия менее 5% по весу, предпочтительно менее 2% по весу. Однако композиция в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно не содержит любые другие добавки, т.е. она получена с использованием исключительно растворителя или растворителей и соединения(ий) алкоксида индия.
Для достижения особенно хороших свойств состав является практически безводным, т.е. имеет менее 200 ppm (частей на миллион) Н2О. Кроме того, состав более предпочтительно получен с использованием практически безводных растворителей и соединений.
В настоящем изобретении дополнительно предусматривают способ получения состава в соответствии с настоящим изобретением, в котором по меньшей мере одно из упомянутых соединений алкоксида индия смешивали по меньшей мере с одним растворителем.
Соединения алкоксида индия, используемые для получения состава в соответствии с настоящим изобретением, получали посредством способа, в котором
- тригалогенид индия InX3, где X=F, Cl, Br, I,
- реагирует со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=алкил,
- в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия,
- в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=алкил.
Специалистам в данной области техники известны тригалогениды индия формулы InX3, и они являются коммерчески доступными.
Вторичные амины формулы R'2NH, где R'=алкил, аналогичны известному уровню техники. Алкильный радикал R' является предпочтительно линейным, разветвленным или циклическим C1-C10алкильным радикалом формулы CnH2n+1, где n=1-10. Два радикала R' вторичного амина или два отличных вторичных амина могут также вместе формировать алкильный радикал CnH2n. Соединения, которые, соответственно, могут быть применимы, представляют собой, например, диметиламин, диэтиламин, дипропиламин, пирролидин, пиперидин и пиррол. Предпочтительными радикалами R' являются радикалы метил, этил, н-пропил и изопропил. Особое предпочтение отдается радикалу R', который является метилом, поскольку это приводит к чрезвычайно хорошим выходам и особенно стабильным соединениям.
В качестве спирта ROH предпочтение отдается применению спиртов, имеющих линейные, разветвленные или циклические С1-С10алкильные радикалы формулы CnH2n+1, где n=1-10. В данном документе также предпочтительными радикалами R являются метил, этил, н-пропил и изопропил. Более предпочтительно радикалами R является метил.
При осуществлении способа тригалогенид индия предпочтительно применяют в соотношениях от 0,1 до 50% по весу, особенно предпочтительно от 1 до 25% по весу, наиболее предпочтительно от 2 до 10% по весу исходя из общей массы всех компонентов.
Тригалогенид индия может быть растворенным, т.е. диссоциированным или образованным в комплекс на молекулярном уровне с помощью молекул растворителя/молекул спирта или диспергирован в жидкой фазе.
При осуществлении способа спирт ROH предпочтительно применяют в соотношениях от 50 до 99,9% по весу, особенно предпочтительно от 75 до 99% по весу, наиболее предпочтительно от 80 до 96% по весу исходя из общей массы всех компонентов.
Реакционная смесь в соответствии со способом может дополнительно содержать по меньшей мере один жидкий растворитель или дисперсионную среду, которая является инертной в отношении реакции, т.е. растворитель/дисперсионная среда или смесь различных растворителей/дисперсионных сред, которые не вступают в реакцию с тригалогенидами индия в условиях реакции. Предпочтение отдавали применению апротонных растворителей, в частности растворителей, выбранных из группы, состоящей из апротонных неполярных растворителей, т.е. алканов, замещенных алканов, алкенов, алкинов, ароматических веществ без алифатических или ароматических заместителей или с ними, галогензамещенных углеводородов и тетраметилсилана, а также группы, состоящей из апротонных полярных растворителей, т.е. простых эфиров, ароматических простых эфиров, замещенных простых эфиров, сложных эфиров или ангидридов кислот, кетонов, третичных аминов, нитрометана, DMF (диметилформамида), DMSO (диметилсульфоксида) и пропиленкарбоната.
В случае присутствия в реакционной смеси такого жидкого растворителя или дисперсионной среды, которая инертна в отношении реакции, их предпочтительным соотношением является соотношение от 1 до 50% по весу, особенно предпочтительным от 1 до 25% по весу, наиболее предпочтительным от 1 до 10% по весу исходя из общей массы всех компонентов.
Вторичный амин предпочтительно применяют в молярном соотношении от 8:1 до 15:1, даже лучше в соотношении от 8:1 до 12:1 к тригалогениду индия в реакции, поскольку соединения алкоксида индия, которые в особенности пригодны для получения слоев, могут затем быть получены с чрезвычайно высоким выходом.
Способ в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно осуществляют путем сначала введения тригалогенида индия в спирт ROH. Вторичный амин добавляют в форме газа, жидкости или в виде раствора в растворителях (содержащих, в частности, ROH в качестве растворителя).
Добавление также желательно осуществлять в условиях SATP (25°C и 1,013 бар).
Так как реакцию можно при практическом осуществлении легко контролировать таким образом, и она приводит к особенно хорошим соединениям алкоксида индия, диалкиламин предпочтительно добавляют со скоростью от 0,5 до 5 моль в час и моль галогенида индия, предпочтительно от 1,15 до 2,60 моль в час и моль галогенида индия.
Реакционную смесь более предпочтительно нагревали после добавления всех компонентов в соответствии с настоящим способом. Реакционную смесь предпочтительно нагревали в течение периода от 1 до 10 часов до температуры в пределах от 40 до 70°C. Реакционную смесь более предпочтительно нагревали в течение периода от 1 до 5 часов до температуры в пределах от 45 до 60°C. Реакционную смесь затем охлаждали.
После завершения реакции продукт или смесь продуктов, которые обычно осаждаются, предпочтительно отделяют от других составляющих реакционной композиции. Это обычно осуществляют фильтрованием. Кроме того, отделенную смесь продуктов предпочтительно сушат и промывают при помощи подходящих растворителей.
В частности, хорошие соединения алкоксида индия, которые можно применять для получения составов в соответствии с настоящим изобретением, получают в результате, если полученные продукт или смесь продуктов перекристаллизовывают после отделения и зачастую высушивания и/или промывания. Перекристаллизацию предпочтительно осуществляют в спирте ROH, который также использовали в синтезе соединения. Перекристаллизацию предпочтительно осуществляют растворением выделенного продукта или смеси продуктов в кипящем спирте и последующей его выкристаллизовывания при температуре от -30 до 0°C. Надосадочный раствор отбрасывают, и кристаллический продукт можно использовать для дальнейшего применения.
Составы в соответствии с настоящим изобретением являются в особенности предпочтительно пригодными для получения покрытий, содержащих оксид индия, с улучшенными электрическими свойствами, в частности посредством способов, в которых применяют жидкие реактивы. Такое улучшение является неожиданным, так как вещества, которые имеют очень низкую склонность к кристаллизации, обычно рассматривают в качестве предшественников для получения оксидов металлов. Однако соединения в соответствии с настоящим изобретением обычно являются кластерными соединениями, которые, таким образом, уже имеют микрокристаллическую структуру. Необходимый слой оксида металла должен обычно иметь скорее аморфный, чем кристаллический характер для того, чтобы обладать хорошими электрическими свойствами. Вопреки ожиданиям слои, которые являются, в особенности, гомогенными, могут быть получены с использованием соединения в соответствии с настоящим изобретением.
В данном случае термин «покрытия, содержащие оксид индия» относится как к слоям оксида индия, так и к слоям, которые содержат преимущественно оксид индия и дополнительные металлы и/или оксиды металлов. Для целей настоящего изобретения слой оксида индия представляет собой слой содержащий металл, который можно получать из упомянутых алкоксидов индия, и содержит преимущественно атомы или ионы индия, при этом атомы или ионы индия присутствуют преимущественно в оксидной форме. Слой оксида индия может необязательно также содержать части галогена или алкоксида в результате неполного преобразования азота, и/или водорода, и/или углерода. Аналогичная ситуация применима также к слоям, которые содержат преимущественно оксид индия и дополнительные металлы и/или оксиды металлов, при условии, что данный слой дополнительно содержит дополнительные металлы и/или оксиды металлов.
Кроме того, составы в соответствии с настоящим изобретением имеют неожиданное преимущество, так как могут быть исключительно легко использованы для получения проводящих или полупроводящих слоев, содержащих оксид индия, для электронных компонентов, в частности при производстве (тонкопленочных) транзисторов, диодов или солнечных элементов.
Настоящее изобретение дополнительно предусматривает способ получения слоев, содержащих оксид индия, в котором состав в соответствии с настоящим изобретением применяют к (необязательно предварительно покрытой или предварительно обработанной) подложке, необязательно высушенной или преобразованной с помощью нагревания и/или электромагнитного облучения.
Подложка, используемая в данных способах в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой подложку, предпочтительно выбранную из подложек, включающих стекло, кремний, диоксид кремния, оксид металла, или оксид переходного металла, или полимерный материал, в частности PE, PEN, PI или PET.
После нанесения покрытия и перед преобразованием покрытая подложка также может быть высушена. Подходящие показатели и условия для этого хорошо известны специалистам в данной области техники. Однако покрытая подложка не обязательно должна быть высушена перед преобразованием.
Композиции в соответствии с настоящим изобретением особенно хорошо подходят для способов покрытия, выбранных из способов печати (в частности, флексографической/глубокой печати, чернильно-струйной печати, (обратной) офсетной печати, цифровой офсетной печати и трафаретной печати), способов нанесения распылением («нанесения покрытия распылением»), способов нанесения покрытия при вращении («нанесение покрытия способом центрифугирования»), способов покрытия погружением («нанесение покрытия способом погружения») и других жидкофазных способов покрытия, таких как способы нанесения покрытия при помощи щелевой экструзионной головки, способов нанесения покрытия через щель, способов нанесения покрытия наливом и ракельного способа.
Преобразование полученных структуры или слоя в оксид индия или слой или структуру, содержащие оксид индия, может быть осуществлено с помощью термической обработки и/или облучением UV-, IR- или видимым излучением.
Однако особенно хорошие результаты могут быть достигнуты в случае, если для преобразования применяют температуры от 20°C до 550°C, предпочтительно от 100 до 400°C, особенно предпочтительно от 150 до 350°C.
Кроме того, наносимый состав можно, в качестве альтернативы или дополнения, преобразовывать с использованием электромагнитного излучения, в частности UV-излучения. Предпочтение отдается преобразованию с использованием электромагнитного излучения с длиной волны в диапазоне от 160 до 300 нм. Преобразование можно выполнять предпочтительно при помощи UVO-излучения со значительными компонентами излучения в диапазоне от 250 до 258 и от 180 до 190 нм, которое можно получать, например, при помощи отдельной ртутной лампы. Также возможно преобразование с использованием излучения эксимерной лампы или эксимерного лазера, в частности с использованием излучения с длиной волны в диапазоне от 160 до 190 нм.
Особенно хорошие слои получаются в случае, если наносимый состав преобразовывали при помощи нагревания (в частности при температуре от 100 до 400°C, особенно предпочтительно от 150 до 350°C) и с использованием электромагнитного излучения (в частности электромагнитного излучения с длиной волны в диапазоне от 160 до 300 нм).
Обычно применимое время преобразования находиться в диапазоне от нескольких секунд до нескольких часов. Время преобразования обычно составляет от 1 с до 24 ч, предпочтительно от 10 с до 2 ч, более предпочтительно от 1 минуты до 40 минут, особенно предпочтительно от 1 минуты до 20 минут.
Преобразованию также может способствовать то, что слой, полученный после этапа нанесения покрытия, приводили в контакт с водой и/или пероксидом водорода до термической обработки, так что этот слой сначала преобразовывается в гидроксид металла на промежуточном этапе перед осуществлением термического преобразования.
Кроме того, преобразование наносимой композиции для покрытия можно осуществлять при нормальном содержании воды в атмосфере.
Качество слоя, полученного способом в соответствии с настоящим изобретением, может быть дополнительно улучшено при помощи следующей за этапом преобразования комбинированной температурной и газовой обработки (с использованием Н2 или O2), плазменной обработки (плазма Ar, N2, O2 или Н2), микроволновой обработки, лазерной обработке (с использованием длины волн в UV-, VIS- или IR-диапазоне), UV-света, инфракрасного излучения или обработки озоном.
Следующие примеры наглядно иллюстрируют объект настоящего изобретения, но без ограничения.
Пример согласно настоящему изобретению
Синтез
В реактор на 30 л, который был освобожден от остаточной влаги, 1,30 кг хлорида индия (III) (InCl3, 5,9 моля) суспендировали в атмосфере защитного газа в 17,38 кг сухого метанола путем перемешивания. Посредством регулятора массового расхода (0,86 кг/ч, около 4 ч) отмеряют диметиламин (2,57 кг, 57 моль) при комнатной температуре, при этом наблюдают слегка экзотермическую реакцию. Реакционную смесь затем нагревали до 50°C в течение 2 часов, охлаждали до комнатной температуры и фильтровали. Остаток на фильтре промывали 4×500 мл сухого метанола и сушили при пониженном давлении (0,1 мбар) в течение 8 часов. Материал растворяли в кипящем метаноле и выкристаллизовывали при -20°C.
Получение состава
Полученный материал растворяли в концентрации 50 мг/мл в 1-метокси-2-пропаноле. Полученный концентрат составляли в следующем порядке: 1 часть концентрата к 2 частям 1-метокси-2-пропанола к одной части этанола. К данному составу дополнительно добавляли 3% по весу тетрагидрофурфурилового спирта (THFA). Все применяемые растворители были безводными (<200 ppm H2O) и смешивание осуществляли в инертных условиях (подобно безводным условиям). Полученный состав в конце фильтровали через 200 нм фильтр PTFE.
Покрытие
Подложку из легированного кремния с длинами сторон в приблизительно 15 мм и толщиной покрытия оксида кремния в приблизительно 200 нм и пальцевыми структурами, состоящими из ITO/золота, смачивали 100 мкл вышеуказанного состава. Затем осуществляли нанесение покрытия способом центрифугирования при 2000 об/мин (30 секунд). Покрытую подложку немедленно облучали после данного процесса нанесения покрытия UV-излучением с диапазоном длин волн 150-300 нм, исходящим от ртутной лампы в течение 10 минут. Затем подложку нагревали при температуре в 350°C на электрической плитке в течение одного часа. После преобразования значение дрейфовой подвижности (в линейном диапазоне) μFET=14 см2/Вс при 2 VDS может быть определено в перчаточном боксе.
Сравнительный пример
Синтез
В круглодонной колбе на 500 мл, которую освобождали от остаточной влаги, 5,0 г хлорида индия (III) (InCl3, 22,5 ммоль) растворяли в атмосфере защитного газа в 250 мл сухого метанола путем перемешивания, оставляя остаточное количество InCl3<10% по весу (исходя из взвешенного перед обработкой количества). Отмеренное добавление основания диметиламина (5,0 г, соответственно 111 ммоль) обеспечивали при помощи регулятора массового расхода и основание добавляли в стехиометрическом количестве исходя из InCl3 при комнатной температуре в течение периода в пять часов, при этом наблюдали слегка экзотермическую реакцию в начале. Затем раствор полностью выпаривали, твердое вещество, которое осталось, помещали в 250 мл сухого метанола, смесь фильтровали в атмосфере защитного газа (N2), твердое вещество промывали несколько раз (10 операций) сухим метанолом и высушивали при комнатной температуре при пониженном давлении в течение 12 часов (менее 10 мбар). Выход продукта составлял >80 мол. % хлордиметоксида индия (III).
Получение состава
Полученный материал растворяли в концентрации 50 мг/мл в 1-метокси-2-пропаноле. Полученный концентрат составляли в следующем порядке: 1 часть концентрата к 2 частям 1-метокси-2-пропанола к одной части этанола. К данному составу дополнительно добавляли 3% по весу тетрагидрофурфурилового спирта (THFA). Все применяемые растворители были безводными (<200 ppm H2O) и смешивание осуществляли в инертных условиях (подобно безводным условиям). Полученный состав в конце фильтровали через 200 нм фильтр PTFE.
Покрытие с длинами сторон в приблизительно 15 мм и толщиной покрытия оксида кремния в приблизительно 200 нм и пальцевыми структурами, состоящими из ITO/золота, смачивали 100 мкл вышеуказанного состава. Затем осуществляли нанесение покрытия способом центрифугирования при 2000 об/мин (30 секунд). Покрытую подложку немедленно облучали после данного процесса нанесения покрытия UV-излучением с диапазоном длин волн 150-300 нм, исходящим от ртутной лампы в течение 10 минут. Затем подложку нагревали при температуре в 350°C на электрической плитке в течение одного часа. После преобразования значение дрейфовой подвижности (в линейном диапазоне) μFET=8 см2/Вс при 2 VDS может быть определено в перчаточном боксе.
Claims (25)
1. Жидкий состав для получения содержащих оксид индия слоев, который может быть получен путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции
- тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I,
- со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил,
в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия,
- в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил,
по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов.
2. Состав по п. 1, отличающийся тем, что соединение имеет общую формулу
[In6(O)(OR)12X6]2-[NH2R2]+ 2 (ROH)x,
где R=C1-C10-алкил, X=F, Cl, Br, I, и х=1-10.
3. Состав по п. 2, отличающийся тем, что соединение имеет общую формулу [In6(O)(OMe)12Cl6]2-[NH2R2]+ 2(MeOH)2.
4. Состав по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что содержит соединение алкоксида индия в доле, составляющей от 0,1 до 10% по весу, исходя из общей массы состава.
5. Состав по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что по меньшей мере один растворитель выбран из группы, состоящей из метанола, этанола, бутанола, тетрагидрофурфурилового спирта, фенола, 2-метоксиэтанола, 1-метокси-2-пропанола.
6. Состав по п. 5, отличающийся тем, что содержит по меньшей мере три растворителя, один из которых представляет собой тетрагидрофурфуриловый спирт, а два других имеют разницу температуры кипения по меньшей мере 30°C в условиях SATP.
7. Состав по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что содержит три растворителя: этанол, 1-метокси-2-пропанол и тетрагидрофурфуриловый спирт.
8. Состав по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что является практически безводным.
9. Способ получения состава по любому из предыдущих пунктов, где по меньшей мере одно соединение алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции
- тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I,
- со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1-C10-алкил,
- в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия,
- в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1-C10-алкил,
смешивают по меньшей мере с одним растворителем.
10. Применение состава по любому из пп. 1-8 для получения содержащих оксид индия слоев.
11. Применение состава по любому из пп. 1-8 для получения полупроводящих или проводящих слоев для электронных компонентов, в частности для получения (тонкопленочных) транзисторов, диодов или солнечных элементов.
12. Способ получения содержащих оксид индия слоев, где состав по любому из пп. 1-8 наносят на подложку и преобразовывают при помощи нагревания и/или электромагнитного излучения.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что наносимый состав преобразовывают при помощи нагревания и электромагнитного излучения.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013212019.2A DE102013212019A1 (de) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212019.2 | 2013-06-25 | ||
| PCT/EP2014/058615 WO2014206599A1 (de) | 2013-06-25 | 2014-04-28 | Formulierungen zur herstellung indiumoxid-haltiger schichten, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016101886A RU2016101886A (ru) | 2017-07-28 |
| RU2659030C2 true RU2659030C2 (ru) | 2018-06-27 |
Family
ID=50639488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016101886A RU2659030C2 (ru) | 2013-06-25 | 2014-04-28 | Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9812330B2 (ru) |
| EP (1) | EP3013837B1 (ru) |
| JP (1) | JP6366702B2 (ru) |
| KR (1) | KR102123262B1 (ru) |
| CN (1) | CN105555790B (ru) |
| DE (1) | DE102013212019A1 (ru) |
| RU (1) | RU2659030C2 (ru) |
| TW (1) | TWI631100B (ru) |
| WO (1) | WO2014206599A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| CN109063980A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-21 | 北京科东电力控制系统有限责任公司 | 适用于电网分析的内存计算方法和系统 |
| CN112480906A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-12 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种铟氧簇合物及其制备方法、由其制备的量子点及该量子点的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2181389C2 (ru) * | 1999-06-29 | 2002-04-20 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова |
| KR20060092680A (ko) * | 2005-02-18 | 2006-08-23 | 한국화학연구원 | 휘발성 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 |
| WO2011072887A1 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von indiumchlordialkoxiden |
| DE102010031592A1 (de) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009028801B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
-
2013
- 2013-06-25 DE DE102013212019.2A patent/DE102013212019A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-04-28 EP EP14721312.8A patent/EP3013837B1/de not_active Not-in-force
- 2014-04-28 WO PCT/EP2014/058615 patent/WO2014206599A1/de active Application Filing
- 2014-04-28 CN CN201480035813.2A patent/CN105555790B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-28 KR KR1020167001619A patent/KR102123262B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-28 JP JP2016522346A patent/JP6366702B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-28 RU RU2016101886A patent/RU2659030C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2014-04-28 US US14/900,821 patent/US9812330B2/en active Active
- 2014-06-23 TW TW103121567A patent/TWI631100B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2181389C2 (ru) * | 1999-06-29 | 2002-04-20 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова |
| KR20060092680A (ko) * | 2005-02-18 | 2006-08-23 | 한국화학연구원 | 휘발성 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 |
| WO2011072887A1 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von indiumchlordialkoxiden |
| DE102010031592A1 (de) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3013837B1 (de) | 2017-05-31 |
| TW201516022A (zh) | 2015-05-01 |
| TWI631100B (zh) | 2018-08-01 |
| DE102013212019A1 (de) | 2015-01-08 |
| EP3013837A1 (de) | 2016-05-04 |
| JP2016534993A (ja) | 2016-11-10 |
| KR20160022887A (ko) | 2016-03-02 |
| WO2014206599A1 (de) | 2014-12-31 |
| CN105555790B (zh) | 2018-12-28 |
| US20160141177A1 (en) | 2016-05-19 |
| CN105555790A (zh) | 2016-05-04 |
| JP6366702B2 (ja) | 2018-08-01 |
| US9812330B2 (en) | 2017-11-07 |
| RU2016101886A (ru) | 2017-07-28 |
| KR102123262B1 (ko) | 2020-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101719853B1 (ko) | 산화인듐 함유 층의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 산화인듐 함유 층 및 그의 용도 | |
| TWI548642B (zh) | 用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｏ ａｌｋｏｘｉｄｅ） | |
| TWI567232B (zh) | 含氧化銦的層之製法 | |
| TWI519510B (zh) | 用以製備氯二烷醇銦之方法 | |
| KR101662980B1 (ko) | 산화 인듐을 함유하는 층의 제조 방법 | |
| US8546594B2 (en) | Indium oxoalkoxides for producing coatings containing indium oxide | |
| KR20120043770A (ko) | 금속 산화물-함유 층의 제조 방법 | |
| RU2659030C2 (ru) | Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение | |
| US9802964B2 (en) | Process for preparing indium alkoxide compounds, the indium alkoxide compounds preparable by the process and the use thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200429 |