KR20220149612A - 전자부품의 제조 방법 및 전자부품의 제조 장치 - Google Patents

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KR20220149612A
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에이지 사토
히토시 사카모토
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가부시키가이샤 크리에이티브 코팅즈
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Abstract

프리프레스 공정은 지그(20)에 마련된 평판 재료(22)의 노출 표면에 있는 접착면에 복수개의 전자부품 본체(10) 각각의 제1 단부(12A)를 접착시키는 제1 공정과, 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시키는 제2 공정과, 평판 재료(22)가 연화 상태에 있을 때에, 복수개의 전자부품 본체(10) 각각의 제1 단부(12A)와는 반대 측의 각각의 제2 단부(12B)가 정반(30)에 접촉함으로써 평판 재료(22)를 변형시켜서 각각의 제2 단부(12B)의 단면(12B1)의 위치를 가지런하게 하는 제3 공정과, 단면(12B1)의 위치가 가지런해진 상태로 평판 재료(22)를 경화시키는 제4 공정과, 그 후, 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시켜서, 단면(12B1)의 위치가 가지런해진 복수개의 전자부품 본체(10)를 정반(30)으로부터 분리하는 제5 공정을 가진다.

Description

전자부품의 제조 방법
본 발명은 복수개의 전자부품 본체에 도전성 페이스트를 도포하는 도포 공정과, 도포 공정 전에 실시되는 프리프레스(prepress) 공정을 포함하는 전자부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본원 출원인은 예를 들면 적층 세라믹 콘덴서·인덕터·서미스터 등의 전자부품 본체의 단면(端面)에 도전 페이스트층을 침지 도포하고, 전자부 본체품에 외부전극을 형성하여 전자부품을 제조하는 장치 및 방법을 제안했다(특허문헌 1). 특허문헌 1의 도 1(B)에는 전자부품 본체의 단면에 도전 페이스트층을 침지 도포하는 도포 공정의 전(前) 공정으로서 프리프레스 방법이 개시되어 있다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 프리프레스 공정에서는 주면(主面)(1)에 도전 페이스트가 피복되지 않은 정반(定盤)(2)에 대하여 전자부품 본체(3)를 하강시키고, 전자부품 본체(3)의 단면(4)을 정반(2)의 주면(1)에 접촉시킨다. 그 후, 전자부품 본체(3)는 상승된다. 동시에 프리프레스되는 복수개의 전자부품 본체(3)를 유지하는 지그(jig)(캐리어 플레이트)(5)는 예를 들면 고무제의 지그 본체(6)에 전자부품 본체(3)가 끼워 넣어지는 관통 구멍(7)을 가진다. 복수개의 전자부품 본체(3)는 전체 길이가 L1, L2로 다르며, 전체 길이 차(ΔL)의 불균일을 가진다. 프리프레스 공정의 실시에 의해, 복수개의 전자부품 본체(3) 각각이 관통 구멍(7)으로부터 돌출되는 길이(L), 즉, 지그 본체(6)로부터 복수개의 전자부품 본체(3) 각각의 단면(4)에 이르는 높이(L)가 균일해진다. 그로써, 전체 길이 차(ΔL)의 존재에 상관 없이 복수개의 전자부품 본체(3) 각각의 단면(4)의 위치를 가지런하게 할 수 있다.
일본 특허공보 특허제6633829호
동시에 배치(batch) 처리되는 전자부품 본체(3)의 수가 많아지면, 도 19에 나타내는 지그 본체(6)의 구멍(7)에 전자부품 본체(3)가 끼워 넣게 하는 것이 곤란해진다. 따라서, 복수개의 전자부품 본체(3)를 유지하는 다른 지그로서, 강체인 기재(基材)에 형성된 접착층에 전자부품 본체(3)를 접착하여 유지하는 것을 생각할 수 있다. 그러나 지그에 접착 유지된 전자부품 본체(3)의 단면(4)을 정반(2)에 접촉시켜서 프리프레스해도, 도 19에 나타내는 지그(5)의 구멍(7)의 기능이 없기 때문에, 복수개의 전자부품 본체(3) 각각의 단면(4)의 위치를 가지런하게 할 수 없다.
본 발명의 몇 가지 양태는 복수개의 전자부품 본체를 접착하여 유지하면서, 복수개의 전자부품 본체 각각의 단면의 위치를 가지런하게 할 수 있는 전자부품의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(1) 본 발명의 한 양태는
복수개의 전자부품 본체 각각에 페이스트를 도포하는 도포 공정과, 상기 도포 공정 전에 실시되는 프리프레스 공정을 포함하는 전자부품의 제조 방법으로서,
상기 프리프레스 공정은
지그에 마련된 평판 재료의 노출 표면에 있는 접착면에 상기 복수개의 전자부품 본체 각각의 제1 단부(端部)를 접착시키는 제1 공정과,
상기 지그를 정반에 대하여 상대적으로 이동시키는 제2 공정과,
상기 평판 재료를 연화 상태로 하여, 상기 복수개의 전자부품 본체의 상기 각각의 제1 단부와는 반대 측의 각각의 제2 단부를 상기 정반에 접촉시킴으로써, 상기 평판 재료를 변형시켜서 상기 각각의 제2 단부의 단면의 위치를 가지런하게 하는 제3 공정과,
상기 각각의 제2 단부의 단면의 위치가 가지런해진 상태로 상기 평판 재료를 경화 상태로 하는 제4 공정과,
그 후, 상기 지그를 상기 정반에 대하여 상대적으로 이동시켜서, 상기 단을 가지는 전자부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 지그에 마련된 평판 재료가 연화 상태에 있을 때에, 정반에 접촉되는 복수개의 전자부품 본체 각각의 제2 단부의 단면의 위치를 가지런하게 할 수 있고, 그 후 평판 재료가 경화된다. 그로써, 접착에 의해 지그에 유지되는 복수개의 전자부품 본체는 각각의 제2 단부의 단면의 위치를 가지런하게 할 수 있어 지그에 유지된다. 이렇게, 복수개의 전자부품 본체를 접착하여 유지하면서 복수개의 전자부품 본체 각각의 단면의 위치를 가지런하게 할 수 있다. 이 프리프레스 공정 후에 도포 공정을 실시하면, 복수개의 전자부품 본체 각각의 단면에 도포되는 페이스트의 막 두께를 균일화할 수 있다. 연화와 경화로 상변화되는 평판 재료로서 열가소성 수지(열가소성 접착제), 열경화성 수지, 열가소성 엘라스토머, 열경화성 엘라스토머 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 수지 또는 엘라스토머 중, 특히 형상기억 수지나, 연화 및 경화가 가능한 자극 응답성 재료(겔, 수지, 엘라스토머 등) 등을 사용할 수 있다.
(2) 본 발명의 한 양태(1)에서는, 상기 도포 공정 후에, 상기 지그에 유지된 상기 복수개의 전자부품 본체의 상기 각각의 제2 단부에 도포된 상기 페이스트로부터 여분의 페이스트를 제거하여 페이스트층을 형성하는 페이스트 제거 공정을 더 가질 수 있다. 이 공정의 추가에 의해, 복수개의 전자부품 본체에 도포 형성되는 페이스트의 막 두께의 균일성을 높일 수 있다.
(3) 본 발명의 한 양태(1) 또는 (2)에서는, 상기 도포 공정 또는 상기 페이스트 제거 공정 후에, 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어내는 떼어냄 공정을 더 가지며, 상기 떼어냄 공정은 상기 제3 공정에서 변형되면서 상기 제4 공정에서 경화된 상기 평판 재료를 다시 연화시킴으로써 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어낼 수 있는 상태로 할 수 있다. 이로써, 지그로부터 복수개의 전자부품 본체를 떼어낼 때의 부하를 저감할 수 있다. 한편, 떼어냄 공정에 의해 연화된 평판 재료를 재이용하기 위해서는 예를 들면, 지난번 제1 공정에서 이용되는 본래의 형상(예를 들면 평판)으로 정형되어서 경화시킬 수 있다. 한편, 열경화성 수지와 같이 연화와 경화의 가역상을 가지지 않는 경우에는 전자부품 본체를 떼어낸 후의 평판 재료를 재이용하지 않고 재료를 재활용해도 된다. 이와 같이 평판 재료가 일회용이면, 평판 재료를 강제로 변형시켜서 형상을 파괴해도 된다. 따라서, 떼어냄 공정에서 평판 재료를 다시 연화시키는 것은 필수가 아니다.
(4) 본 발명의 한 양태(1) 또는 (2)에서는, 상기 도포 공정 또는 상기 페이스트 제거 공정 후에 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어내는 떼어냄 공정을 더 가지며, 상기 떼어냄 공정은 상기 제3 공정에서 변형되면서 상기 제4 공정에서 경화된 상기 평판 재료를, 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어낼 수 있는 상태로 하여, 상기 연화 상태 및 상기 경화 상태 이외의 보형(保形) 상태로 변형시킬 수 있다. 이렇게 하면, 떼어냄 공정 후의 평판 재료를 그대로 재이용할 수 있다.
(5) 본 발명의 한 양태(4)에서는, 상기 평판 재료는 형상기억 수지로 할 수 있고, 상기 제1 공정, 상기 제2 공정 및 상기 떼어냄 공정에서는 상기 형상기억 수지는 형상 기억된 1차 부형(賦形)인 평판 형상으로 설정되며, 상기 제3 공정, 상기 제4 공정 및 상기 제5 공정에서는 상기 형상기억 수지는 각각 상기 각각의 제2 단부의 상기 단면의 위치를 가지런하게 하는 상기 연화 상태 또는 상기 경화 상태인 임의의 2차 부형으로 설정할 수 있다. 형상기억 수지의 형상기억 상태(1차 부형)를 연화 상태 및 경화 상태(2차 부형) 이외의 보형 상태로 하여 유효하게 이용할 수 있다.
(6) 본 발명의 한 양태(5)에서는, 상기 제2 공정에서는 상기 형상기억 수지가 상기 연화 상태로 옮겨가는 것이 개시되어도 된다. 이렇게 하면, 전자부품 본체가 정반과 접촉함과 동시에 형상기억 수지가 변형되므로, 프리프레스 공정을 단축할 수 있다. 물론, 제2 공정 전의 제1 공정에서 형상기억 수지가 연화 상태로 옮겨가는 것이 개시되어도 된다.
(7) 본 발명의 한 양태(3)에서는, 상기 평판 재료는 열가소성 수지로 할 수 있고, 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서는 상기 열가소성 수지는 경화 상태이며, 상기 제3 공정 및 상기 떼어냄 공정에서는 유리 전이점 이상의 온도로 설정되어 상기 열가소성 수지는 연화 상태가 되고, 상기 제4 공정 및 상기 제5 공정에서는 상기 열가소성 수지는 경화 상태로 할 수 있다. 시장에 제공되어 입수하기 쉬운 열가소성 수지를, 지그 중의 변형이 가능한 부재로서 유효하게 이용할 수 있다.
(8) 본 발명의 한 양태(5) 내지 (7)에서는, 상기 지그는 기재와 상기 접착면을 형성하는 접착층을 포함하고, 상기 평판 재료가 상기 기재와 상기 접착층 사이에 개재 배치되며, 상기 제3 공정은 상기 평판 재료의 변형에 따라 상기 접착층을 변형시킬 수 있다. 이렇게 접착층이 변형됨으로써, 접착하여 유지되는 복수개의 전자부품 본체 각각의 단면의 위치를 가지런하게 할 수 있다.
(9) 본 발명의 한 양태(7)에서는, 상기 열가소성 수지는 열가소성 접착제로 할 수 있다. 평판 재료로서 열가소성 접착제를 사용하면, 평판 재료와 접착층의 2층 구조로 할 필요가 없다.
(10) 본 발명의 한 양태(7) 또는 (9)에서는, 상기 떼어냄 공정은 상기 열가소성 수지를 형재(型材) 내에서 연화시킬 수 있다. 이렇게 하면, 열가소성 수지를 재이용할 수 있는 형상으로 확실하게 회복시킬 수 있다.
(11) 본 발명의 한 양태(1) 내지 (10)에서는, 상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 온도 조절부에 의해, 상기 평판 재료가 상기 연화 상태 및 상기 경화 상태로 설정되어도 된다. 온도 조절부는 가열부와 냉각부 쌍방을 가져도 되고, 예를 들면 펠티어 소자와 같이 가열부와 냉각부에 겸용되는 것이어도 된다. 온도 조절부를 지그 또는 기반에 마련함으로써 평판 재료를 효율적으로 온도 조절할 수 있다.
(12) 본 발명의 한 양태(5) 또는 (6)에서는, 상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 온도 조절부에 의해, 상기 형상기억 수지가 상기 1차 부형 및 상기 2차 부형의 각 상태로 설정되어도 된다. 온도 조절부를 지그 또는 기반에 마련함으로써, 형상기억 수지를 1차 부형 및 2차 부형 쌍방으로 전환하여 설정하도록 온도 조절할 수 있다.
(13) 본 발명의 한 양태(1) 내지 (10)에서는, 상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 가열부에 의해 상기 평판 재료가 상기 연화 상태로 설정되고, 상기 정반에 마련된 냉각부에 의해 상기 평판 재료가 상기 경화 상태로 설정되어도 된다. 가열부를 지그 또는 기반에 마련함으로써 평판 재료를 효율적으로 가열할 수 있고, 냉각부를 정반에 마련함으로써 복수개의 전자부품 본체를 통해 평판 재료를 냉각할 수 있다. 또한 가열부와 냉각부를 이격하여 배치함으로써, 한쪽이 다른 쪽에 끼치는 악영향을 저감할 수 있다.
(14) 본 발명의 한 양태(5) 또는 (6)에서는, 상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 가열부에 의해 상기 형상기억 수지가 상기 연화 상태 및 상기 1차 부형으로 설정되고, 상기 정반에 마련된 냉각부에 의해 상기 형상기억 수지가 상기 경화 상태로 설정되어도 된다. 가열부를 지그 또는 기반에 마련함으로써 형상기억 수지를 효율적으로 가열하여 연화 상태 또는 1차 부형으로 설정할 수 있고, 냉각부를 정반에 마련함으로써 복수개의 전자부품 본체를 통해 형상기억 수지를 냉각하여 경화시킬 수 있다.
도 1(A) 및 도 1(B)는 프리프레스 공정을 나타내는 도면이다.
도 2(A)~도 2(C)는 도포 공정을 나타내는 도면이다.
도 3(A)~도 3(C)는 여분의 페이스트를 제거하는 공정을 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 및 제3 실시형태의 제1 공정을 나타내는 도면이다.
도 5는 제1 및 제3 실시형태의 제2 공정을 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 및 제3 실시형태의 제3 및 제4 공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 및 제3 실시형태의 제5 공정을 나타내는 도면이다.
도 8은 제1 실시형태의 떼어냄 공정을 나타내는 도면이다.
도 9(A), (B)는 제1 실시형태에 의해 제조되는 페이스트층의 막 두께를 나타내는 도면이다.
도 10은 제1 및 제3 실시형태의 제1 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태의 제2 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 제2 실시형태의 제3 및 제4 공정을 나타내는 도면이다.
도 13은 제2 실시형태의 제5 공정을 나타내는 도면이다.
도 14는 제2 실시형태의 떼어냄 공정을 나타내는 도면이다.
도 15는 지그의 기재에 온도 조절부를 마련한 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 16은 지그를 고정하는 기반에 온도 조절부를 마련한 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 17은 지그의 기재에 가열부를, 정반에 냉각부를 각각 마련한 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 18은 지그를 고정하는 기반에 가열부를, 정반에 냉각부를 각각 마련한 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 19는 종래의 프리프레스 방법을 나타내는 도면이다.
이하의 개시에서, 제시된 주제의 다른 특징을 실시하기 위한 많은 다른 실시형태나 실시예를 제공한다. 물론 이들은 단순한 예이며, 한정적인 것을 의도하는 것은 아니다. 또한 본 개시에서는 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복하는 경우가 있다. 이와 같이 반복하는 것은 간결 명료하게 하기 위함이며, 그 자체가 다양한 실시형태 및/또는 설명되어 있는 구성과의 사이에 관계가 있는 것을 필요로 하는 것이 아니다. 제1 요소가 제2 요소에 "접속되어 있다" 또는 "연결되어 있다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소와 제2 요소가 서로 직접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태를 포함함과 함께, 제1 요소와 제2 요소가 그 사이에 개재하는 1개 이상의 다른 요소를 가져서 서로 간접적으로 접속 또는 연결되어 있는 실시형태도 포함한다. 또한, 제1 요소가 제2 요소에 대하여 "이동한다"라고 기술할 때, 그와 같은 기술은 제1 요소 및 제2 요소 중 적어도 한쪽이 다른 쪽에 대하여 이동하는 상대적인 이동의 실시형태를 포함한다.
1. 전자부품의 제조 방법
본 실시형태에 따른 전자부품의 제조 방법은 지그에 전자부품 본체를 유지하여 실시되는 프리프레스 공정과 도포 공정을 포함하고, 필요에 따라 도포 공정 후에 실시되는 페이스트 제거 공정을 포함할 수 있다. 도포 공정 또는 페이스트 제거 공정 후에 전자부품 본체가 지그로부터 떼어내진다. 이하, 각 공정에 대해 개설(槪說)한다.
도 1~도 3은 전자부품의 제조 방법으로서, 콘덴서의 외부전극 성형 방법의 주된 공정을 모식적으로 나타낸다. 전자부품 본체(10)의 프리프레스 공정, 도포 공정 및 페이스트 제거 공정에 겸용할 수 있는 정반(30)은 예를 들면 세라믹, 화강암, 금속 등으로 형성된다. 정반(30) 상에는 스퀴지 유닛(40)이 마련된다. 스퀴지 유닛(40)은 정반(30)의 표면(31)을 따라 이동이 가능하다. 스퀴지 유닛(40)은 도전 페이스트의 딥층(50)을 균일한 높이로 피복하는 예를 들면 금속제 블레이드(42)와, 정반(30)의 표면(31)으로부터 도전 페이스트를 긁어내는 예를 들면 고무제 블레이드(44)를 각각 독립적으로 승강이 가능하게 지지한다.
정반(30)의 상방에는 고정반(34)에 대하여 승강이 가능한 가동반(可動盤)(32)이 배치되어 있다. 지그(20)는 가동반(32)에 탈착이 자유롭게 지지되기 때문에, 가동반(32)을 기반이라고도 부른다. 고정반(34)에는 승강 모터(36)가 지지되고, 승강 모터(36)에 의해 회전 구동되는 나사 축(38)에 의해 가동반(32)이 승강된다.
1.1. 프리프레스 공정
도 1(A)에 나타내는 바와 같이, 사전에 복수개의 전자부품 본체(10)가 유지된 지그(20)가 외부전극 형성 장치에 반입된다. 전자부품 본체(10)는 제1 단부(12A)가 지그(20)에 유지되는 고정 단부가 되고, 제2 단부(12B)가 자유단이 된다. 반입된 지그(20)는 가동반(32)에 고정된다. 도 1(B)는 전자부품 본체(10)의 단면 높이의 조정 공정(프리프레스 공정)을 나타낸다. 도 1(B)에서는 도전 페이스트가 피복되지 않은 정반(30)에 대하여, 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)를 상대적으로 하강시키고, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)의 단면(12B1)을 정반(30)에 접촉시킨다. 그 후, 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)는 상대적으로 상승된다. 그로써, 전자부품 본체(10)의 단면(12B1)의 높이가 균일해진다.
1.2. 도포 공정
도 2(A)~도 2(C)는 도전 페이스트의 도포 공정을 나타낸다. 도 2(A)에서는 소정 높이로 설정된 블레이드(42)를 스퀴지 유닛(40)에 의해 수평 이동시켜서, 정반(30) 상에 도전 페이스트에 의한 일정 높이의 딥층(50)을 형성한다. 도 2(B)에서는 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)를 하강시키고, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)를 정반(30) 상의 딥층(50)에 침지시킨다. 이 때, 전자부품 본체(10)의 단면(12B1)을 정반(30)의 표면(31)에 접촉시켜도 되고, 혹은 접촉시키지 않아도 된다. 그 후, 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)는 상승된다. 그로써, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 도전 페이스트층(14)이 형성된다.
1.3. 페이스트 제거 공정
도 3(A)~도 3(C)는 페이스트 제거 공정(블롯 공정)을 나타낸다. 도 3(A)는 정반(30)의 표면(31)과 접촉하도록 하강된 블레이드(44)를 스퀴지 유닛(40)에 의해 수평 이동시켜서, 정반(30) 상의 도전 페이스트를 긁어내는 공정을 나타낸다. 도 3(B)에서는 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)를 하강시키고, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 형성된 도전 페이스트층(14)을 정반(30)에 접촉시킨다. 그 후, 가동반(32)에 의해 전자부품 본체(10)는 상승된다. 그로써, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)의 여분의 페이스트가 정반(30)에 전사(轉寫)되어, 평탄화된 도전 페이스트층(14A)이 형성된다. 한편, 도 3(A)~도 3(C)에 나타내는 종래의 페이스트 제거 공정 대신, 본원 출원인에 의해 제안된 일본 특허공보 특허제6633829호(주: 슬라이드 블롯), 일본 특허출원 2019-125369(주: 헬리컬 블롯) 또는 PCT/JP2020/010448 등에 기재된 페이스트 제거 공정을 이용하면, 도전 페이스트층(14A)이 더 개선된다.
2. 제1 실시형태
다음으로, 제1 실시형태에 따른 프리프레스 공정 및 떼어냄 공정의 상세에 대해, 도 4~도 8을 참조하여 설명한다. 도 4에서 지그(20)는 기재(21)와 평판 재료(22)를 포함한다. 기재(21)는 보형성을 가지는 강체이며, 도 1(A) 등에 나타내는 가동반(32)에 탈착이 자유롭게 지지된다. 기재(21)는 평판 재료(22)를 지지하는 지지부로서도 기능한다. 기재(21) 및 평판 재료(22)는 정반(30)의 표면(31)과 평행하게 배치된다. 평판 재료(22)는 예를 들면 형상기억 수지로 할 수 있다. 형상기억 수지(22)가 접착 기능을 가지지 않는 경우에는 형상기억 수지(22)의 노출 표면에 접착층(23)이 형성된다. 접착층(23)은 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)를 접착하는 접착면을 형성한다.
형상기억 수지(22)는 형상기억 수지를 몰드 내에서 성형했을 때의 성형품의 형상을 고정하는 "고정상"과, 온도 변화에 따른 연화와 경화가 가역적으로 일어나는 "가역상"의 2상 구조로 이루어진다. 이하, 본 명세서에서는 고정상을 형상기억 상태, 가역상 중 한쪽을 연화 상태, 가역상 중 다른 쪽을 경화 상태라 칭한다. 또한, 고정상에서의 형상을 1차 부형이라 칭하고, 연화 후에 경화했을 때의 형상을 2차 부형이라 칭한다. 형상기억 수지(22)는 분말 형상 혹은 펠릿 형상으로 공급된 수지를 가열·용융하고, 금형 등에 주입·부형한 후에 냉각 공정을 거쳐 1차 부형의 형태로 성형된다. 형상기억 수지(22)는 1차 부형된 것을 적절한 2차 부형 온도로 임의의 형상으로 변형시키고, 응력을 가한 채 실온까지 냉각하면 2차 부형의 형태로 고정된다. 형상기억 수지(22)는 2차 부형된 것을 다시 적절한 온도까지 가열하면, 1차 부형되었을 때의 형상으로 회복된다. 형상기억 수지는 예를 들면, 색재, 63[6]353-359.1990에 기재되어 있다.
2.1. 제1 공정
도 4는 프리프레스 공정 중의 제1 공정을 나타낸다. 제1 공정에서는 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)가 지그(20)의 접착층(23)에 접착된다. 한편, 복수개의 전자부품 본체(10)를 일괄적으로 지그(20)의 접착층(23)에 접착하기 위해, 복수개의 전자부품 본체(10)를 정렬하여 유지하는 정렬 지그가 이용된다. 여기서, 본 실시형태에서 이용된 형상기억 수지(22)는 시판되는 Jmade 형상기억 플라스틱(면 형상 유지 타입, 평판의 두께는 0.4㎜, 형상회복 온도 60℃)이다. 형상기억 수지(22)를 상온으로 하여 실시되는 제1 공정에서는 형상기억 수지(22)의 형상은 1차 부형된 0.4㎜ 두께의 평판(형상기억 상태)이다. 지그(20)에 유지되는 복수개의 전자부품 본체(10)는 접착층(23)으로부터 단면(12B1)에 이르는 길이가 L1, L2로 다르며, 불균일(ΔL=L2-L1)을 가지는 경우가 있다. 이 경우, 2개의 전자부품 본체(10)의 단면(12B1)의 위치가 가지런하지 않다.
2.2. 제2 공정
도 5는 프리프레스 공정 중의 제2 공정을 나타낸다. 제2 공정에서는 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시킨다. 도 5에서는 고정된 정반(30)에 대하여 지그(20)를 하강시킨다. 이 제2 공정에서도 형상기억 수지(22)의 형상은 1차 부형된 0.4㎜ 두께의 평판(형상기억 상태)이다.
2.3. 제3 공정 및 제4 공정
도 6은 프리프레스 공정 중의 제3 공정 및 제4 공정을 나타낸다. 제3 공정에서는 형상기억 수지(22)를 유리 전이점보다도 높은 예를 들면 70~120℃로 가열하여 연화 상태로 하고, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)를 정반(30)에 소정 시간에 걸쳐 접촉시킨다. 연화 온도는 유리 전이점 이상이며 융점 미만으로 할 수 있다. 그로써, 형상기억 수지(22) 및 접착층(23)을 가압 변형시킨다. 형상기억 수지(22)의 형상은 2차 부형이 된다. 한편, 제2 공정 중에 형상기억 수지(22)의 강제 가열을 개시해도 된다. 제4 공정에서는 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)를 정반(30)에 접촉시킨 채, 형상기억 수지(22)를 유리 전이점 미만에서 상온의 범위로 예를 들면 강제 냉각시켜 경화 상태로 한다. 형상기억 수지(22)는 2차 부형인 채로 경화된다. 제3 공정 및 제4 공정의 실시에 의해, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)의 단면(12B1)의 위치는 정반(30)의 표면과 면일하게 가지런하게 할 수 있다.
2.4. 제5 공정
도 7은 프리프레스 공정 중의 제5 공정을 나타낸다. 제5 공정에서는 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시켜서, 단면(12B1)의 위치가 가지런해진 전자부품 본체(10)를 정반(30)으로부터 분리한다. 이로써, 프리프레스 공정은 완료된다. 한편, 도 7에서는 고정된 정반(30)에 대하여 지그(20)를 상승시킨다. 또한, 이 제5 공정은 2차 부형된 형상기억 수지(22)를 상온으로 하여 실시할 수 있다.
2.5. 떼어냄 공정
프리프레스 공정 완료 후에, 상술된 도포 공정과, 필요에 따라 추가로 페이스트 제거 공정이 실시된다. 어느 쪽이든, 지그(20)에 유지된 전자부품 본체(10)에 대한 처리가 완료되면, 전자부품 본체(10)는 지그(20)로부터 떼어내진다. 그 때문에, 떼어냄 공정에서는 지그(20)로부터 전자부품 본체(10)를 떼어낼 수 있는 상태로 하여, 연화 상태 및 경화 상태의 형상(2차 부형) 이외의 보형 상태로 형상기억 수지(22)를 변형시킨다. 형상기억 수지(22)의 경우, 2차 부형 이외의 보형 상태로 하여 1차 부형으로 회복시킬 수 있다. 형상기억 수지(22)는 형상회복 온도 예를 들면 60℃ 이상으로 재가열함으로써 2차 부형에서 1차 부형으로 회복됨으로써, 도 8에 나타내는 바와 같이 평판이 된다. 그로써, 접착층(23)도 평탄화되므로, 접착층(23)으로부터 전자부품 본체(10)를 용이하게 떼어낼 수 있다.
2.6. 평가
제1 실시형태의 제조 방법에 의해 제조된 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 형성된 페이스트층(14A)의 막 두께를 평가했다. 한편, 도포 공정 후에 실시되는 페이스트 제거 공정은 본원 출원인에 의해 제안된 일본 특허공보 특허제6633829호에 개시된 블롯 공정을 이용했다.
평가함에 있어, 도 4(A)에 나타내는 길이(L1, L2)에 대응하는 규격 길이가 603㎜인 것을 한 쌍으로 2종류씩 준비하고, 한 쌍마다 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일을 평가했다. 각 2종류의 길이의 전자부품 본체(10)에 대해, 제1 실시형태의 제조 방법을 이용하여 형성된 페이스트층(14A)의 막 두께(실시예)와, 제1 실시형태의 제조 방법을 이용하지 않고 형성된 페이스트층(14A)의 막 두께(비교예)를 비교했다. 비교예는 제1 실시형태의 프리프레스 공정으로 제3 및 제4 공정에서 형상기억 수지(22)의 가열/냉각을 정지했다. 도 4(A)에 나타내는 길이(L1)의 전자부품 본체(10)를 비교예 1 또는 실시예 1로 한다. 도 4(A)에 나타내는 길이(L2)의 전자부품 본체(10)를 비교예 2 또는 실시예 2로 한다. 한 쌍의 비교 대상인 비교예 1, 2에서는 도 4(A)에 나타내는 전자부품 본체(10)의 길이(L1, L2)의 불균일(ΔL)이 페이스트층(14A)에도 반영되어 있다. 한편, 전자부품 본체(10)의 길이(L1, L2)의 불균일(ΔL)이 큰 것을 한 쌍의 평가 대상으로 하기 위해, 다른 제조사의 제품을 한 쌍의 평가 대상으로 했다.
페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일은 비교예 1, 2 사이에서는 39~88㎛이었던 것이, 실시예 1, 2 사이에서는 2~18㎛이었다. 즉, 도 4(A)에 나타내는 전자부품 본체(10)의 길이(L1, L2)의 불균일(ΔL)이 39~88㎛이어도, 제1 실시형태의 방법에 의해 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일이 2~18㎛로 억제되는 것을 알 수 있었다.
일례로서, 도 4(A)의 길이(L1)에 상당하는 비교예 1의 페이스트층(14A)의 최대 막 두께가 79㎛이었던 것이, 실시예 1에서는 도 9(A)에 나타내는 바와 같이 페이스트층(14A)의 최대 막 두께는 37㎛이었다. 도 4(A)의 길이(L2)에 상당하는 비교예 2의 페이스트층(14A)의 최대 막 두께가 24㎛이었던 것이, 실시예 2에서는 도 9(B)에 나타내는 바와 같이 페이스트층(14A)의 최대 막 두께는 38㎛이었다. 한 쌍의 비교예 1, 2 사이에서의 페이스트층(14A)의 불균일은 55㎛(79~24)이었던 것이, 한 쌍의 실시예 1, 2 사이에서의 페이스트층(14A)의 불균일은 불과 1㎛(38~37)까지 억제되었다.
상술된 평가는 도 4(A)에 나타내는 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 형성되는 페이스트층(14A)에 관한 것이다. 제2 단부(12B)에 페이스트층(14A)이 형성된 전자부품 본체(10)는 상술된 떼어냄 공정에 의해 지그(20)로부터 떼어내진다. 그 후, 페이스트층(14A)이 형성된 제2 단부(12B)가 지그(20)에 유지되어서, 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)에 마찬가지로 하여 페이스트층(14A)이 형성된다.
따라서, 도 4(A)에 나타내는 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)에 형성되는 페이스트층(14A)에 대해서도 평가했다. 그 때, 제1 실시형태의 방법에 의해 제조된 평가 대상 중, 도 4(A)의 길이(L1)에 상당하는 실시예 1의 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께가 32~40㎛의 범위인 것을 선택했다. 이 실시예 1의 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)에, 제1 실시형태의 방법에 의해 형성된 페이스트층(14A)의 막 두께는 32~45㎛이었다. 즉, 제2 단부(12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일이 8㎛(40~32)이고, 제1 단부(12A)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일이 13㎛(45~32)이며, 양 단부(12A, 12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일은 동일한 정도이었다.
다음으로, 도 4(A)의 길이(L2)에 상당하는 실시예 2의 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께가 31~38㎛의 범위인 것을 선택했다. 이 실시예 2의 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)에, 제1 실시형태의 방법에 의해 형성된 페이스트층(14A)의 막 두께는 35~40㎛이었다. 즉, 제2 단부(12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일이 7㎛(38~31)이고, 제1 단부(12A)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일이 5㎛(40~35)이며, 양 단부(12A, 12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께의 불균일은 동일한 정도이었다.
이상의 평가 결과에 의해, 제1 실시형태에 따르면, 도 4(A)에 나타내는 복수개의 전자부품 본체(10)의 길이(L1, L2)의 불균일(ΔL)이 복수개의 전자부품 본체(10)의 제1, 제2 단부(12A, 12B)에 형성되는 페이스트층(14A)의 막 두께 차에 반영되는 정도를 저감할 수 있는 것을 알 수 있다. 그로써, 복수개의 전자부품 본체(10)의 각 페이스트층(14A)의 막 두께 차를 대폭적으로 저감할 수 있다.
3. 제2 실시형태
다음으로, 제2 실시형태에 따른 프리프레스 공정 및 떼어냄 공정의 상세에 대해, 도 10~도 14를 참조하여 설명한다. 도 10에서 지그(20)는 기재(21)와 평판 재료(24)를 포함한다. 평판 재료(24)는 예를 들면 열가소성 수지로 할 수 있다. 열가소성 수지(24)는 열가소성 접착제로 할 수 있다. 이렇게 하면, 도 4에 나타내지만 접착층(23)은 불필요해지고, 열가소성 접착제(24)의 노출 표면이 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)를 접착하는 접착면을 형성한다.
열가소성 접착제(24)는 온도 변화에 따른 연화와 경화가 가역적으로 일어나는 "가역상"을 가진다. 열가소성 접착제(24)는 유리 전이점 이상의 온도에서 임의의 형상으로 변형되고, 응력을 가한 채로 냉각하면 경화된다. 열가소성 접착제(24)는 주성분이 열가소성 수지인 고형 접착제를 용융 도포하는 것이며, 식음으로써 고화(固化)되고 접착 강도를 발현하는, 예를 들면 열가소성 폴리에스테르계 핫멜트 접착제 등의 핫멜트형을 알맞게 이용할 수 있다.
3.1. 제1 공정
도 10은 프리프레스 공정 중의 제1 공정을 나타낸다. 제1 공정에서는 전자부품 본체(10)의 제1 단부(12A)가 지그(20)의 열가소성 접착제(24)에 접착된다. 제1 공정에서 사용되는 열가소성 접착제(24)는 상온이며, 평판에서 고화되어 있다. 지그(20)에 유지되는 복수개의 전자부품 본체(10)는 접착층(23)으로부터 단면(12B1)에 이르는 길이가 L1, L2로 다르며, 불균일(ΔL=L2-L1)을 가지는 경우가 있다. 이 경우, 2개의 전자부품 본체(10)의 단면(12B1)의 위치가 가지런하지 않다.
3.2. 제2 공정
도 11은 프리프레스 공정 중의 제2 공정을 나타낸다. 제2 공정에서는 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시킨다. 도 5에서는 고정된 정반(30)에 대하여 지그(20)를 하강시킨다. 이 제2 공정에서도 열가소성 접착제(24)는 상온이며, 평판에서 고화되어 있다.
3.3. 제3 공정 및 제4 공정
도 12는 프리프레스 공정 중의 제3 공정 및 제4 공정을 나타낸다. 제3 공정에서는 열가소성 접착제(24)를 유리 전이점 이상의 온도로 가열하여 연화 상태로 하여, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)를 정반(30)에 접촉시킨다. 그로써, 열가소성 접착제(24)를 압력으로 변형시킨다. 제4 공정에서는 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)를 정반(30)에 접촉시킨 채, 열가소성 접착제(24)를 유리 전이점 미만의 상온으로 예를 들면 강제 냉각하여 경화 상태로 한다. 열가소성 접착제(24)는 제3 공정에서 부여된 형상인 채로 경화된다. 제3 공정 및 제4 공정의 실시에 의해, 전자부품 본체(10)의 제2 단부(12B)의 단면(12B1)의 위치는 정반(30)의 표면과 면일하게 가지런하게 할 수 있다.
3.4. 제5 공정
도 13은 프리프레스 공정 중의 제5 공정을 나타낸다. 제5 공정에서는 지그(20)를 정반(30)에 대하여 상대적으로 이동시켜서, 단면(12B1)의 위치가 가지런해진 전자부품 본체(10)를 정반(30)으로부터 분리한다. 이로써, 프리프레스 공정은 완료된다. 한편, 도 7에서는 고정된 정반(30)에 대하여 지그(20)를 상승시킨다. 또한, 이 제5 공정은 제3 공정 및 제4 공정에서 변형된 열가소성 접착제(24)의 형상을 상온하에서 유지하여 실시할 수 있다.
3.5. 떼어냄 공정
떼어냄 공정에서는 지그(20)로부터 전자부품 본체(10)를 떼어낼 수 있도록 하기 위해, 열가소성 접착제(24)를 연화시킨다. 이 때문에, 열가소성 접착제(24)를 유리 전이점 이상의 온도로 가열한다. 그 때, 열가소성 접착제(24)의 예기치 않은 변형을 방지하기 위해, 도 14에 나타내는 바와 같이 형재(60)를 사용할 수 있다. 형재(60)는 열가소성 수지(24)의 노출면, 특히 도 14에 나타내는 열가소성 접착제(24)의 아랫면을 덮을 수 있다. 형재(60)는 전자부품 본체(10)와의 간섭을 방지하는 구멍(61)을 가진다. 형재(60) 내에서 연화되는 열가소성 접착제(24)는 제3 공정 및 제4 공정에서 부여된 형상으로부터 본래의 평판으로 회복된다. 그로써, 평탄화된 열가소성 접착제(24)로부터 전자부품 본체(10)를 용이하게 떼어낼 수 있다.
4. 제3 실시형태
제3 실시형태는 지그(20) 내의 평판 재료로서, 열가소성 접착제(24)가 아닌 열가소성 수지(25)를 사용한다. 도 4~도 9에서는 제1 실시형태의 형상기억 수지(22) 대신, 기재(21)와 접착층(23) 사이에 열가소성 수지(25)를 배치한 것을 도시한다. 따라서, 제1 실시형태 중의 형상기억 수지(22)를 열가소성 수지(25)로 변경하면, 제1 공정~제5 공정에서 열가소성 수지(25)를 제2 실시형태와 마찬가지로 상변화시켜서 프리프레스 공정을 실시할 수 있다.
떼어냄 공정은 도 14에 나타내는 형재(60)를 도 9의 접착층(23)을 덮도록 배치하여 실시할 수 있다. 혹은, 형재(60)를 배치하지 않아도 되고, 접착층(23)이 형재(60)의 기능을 해도 된다.
5. 제4 실시형태
다음으로, 지그(20) 내의 평판 재료(22, 24 또는 25)의 온도 조정부에 대해 설명한다. 한편, 도 15~도 18은 제1 실시형태에 대하여 온도 조정부를 설명한 것인데, 제2 실시형태 및 제3 실시형태에도 마찬가지로 적용이 가능하다.
도 15에서는 지그(20)의 기재(21)에 온도 조절부(100)를 마련했다. 온도 조절부(100)는 가열부와 냉각부 쌍방을 가져도 되며, 예를 들면 펠티어 소자와 같이 가열부와 냉각부에 겸용되는 것이어도 된다. 이렇게 하면, 온도 조절부(100)는 예를 들면 금속 등의 도전성이 높은 재료로 형성할 수 있는 기재(21)를 통해 형상기억 수지(22)를 효율적으로 가열 또는 냉각할 수 있다. 도 16에서는 지그(20)를 고정하는 기반(32)에 온도 조절부(100)를 마련했다. 이렇게 하면, 온도 조절부(100)는 예를 들면 금속 등의 도전성이 높은 재료로 형성할 수 있는 기반(32) 및 기재(21)를 통해 형상기억 수지(22)를 효율적으로 가열 또는 냉각할 수 있다. 이렇게, 온도 조절부(100)를 지그(20) 또는 기반(32)에 마련함으로써, 형상기억 수지(22)를 1차 부형 및 2차 부형 쌍방으로 전환하여 설정하도록 온도 조절할 수 있다.
제2 및 제3 실시형태에서는 지그(20) 또는 기반(32)에 마련된 온도 조절부(100)에 의해, 열가소성 수지(열가소성 접착제)(24, 25)를 연화 상태 및 경화 상태로 설정할 수 있다.
도 17에서는 지그(20)의 기재(21)에 가열부(110)를, 정반(30)에 냉각부(120)를 각각 마련했다. 도 18에서는 지그(20)를 고정하는 기반(32)에 가열부(110)를, 정반(30)에 냉각부(120)를 각각 마련했다. 지그(20) 또는 기반(32)에 마련된 가열부(110)에 의해 형상기억 수지(22)가 연화 상태 및 형상기억 상태로 설정된다. 정반(30)에 마련된 냉각부(120)에 의해 형상기억 수지(22)가 복수개의 전자부품 본체(10)를 통해 냉각되어 경화 상태로 설정된다. 또한 가열부(110)와 냉각부(120)를 이격하여 배치함으로써, 한쪽이 다른 쪽에 끼치는 악영향을 저감할 수 있다.
제2 및 제3 실시형태에서는 지그(20) 또는 기반(32)에 마련된 가열부(110)에 의해, 열가소성 수지(열가소성 접착제)(24, 25)를 연화 상태로 설정할 수 있다. 정반(30)에 마련된 냉각부(120)에 의해, 형상기억 수지(22)가 복수개의 전자부품 본체(10)를 통해 냉각되어 경화 상태로 설정된다.
한편, 상기와 같이 본 실시형태에 대해 상세하게 설명했는데, 본 발명의 신규사항 및 효과로부터 실체적으로 일탈하지 않는 많은 변형이 가능한 것은 당업자에게는 용이하게 이해될 것이다. 따라서, 이와 같은 변형예는 모두 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 한다.
예를 들면, 연화와 경화로 상변화되는 평판 재료로서, 형상기억 수지 또는 열가소성 수지(열가소성 접착제) 외에 열경화성 수지나, 연화 및 경화가 가능한 자극 응답성 재료 등을 사용할 수 있다. 자극 응답성 수지에 대해서는 예를 들면 일본기계학회지 2004.11 Vol.107 No.1032에 기재되어 있다. 자극 응답성 재료는 물리적 자극(온도, 광, 자장, 전류)에 의해 성질이 변화되는 겔, 수지 또는 엘라스토머 등인데, 최근 물리적 자극에 의해 가역적으로 연화/경화되는 것이 산업기술 종합연구소, 홋카이도 대학, 쓰쿠바 대학, 야마가타 대학, 게이오 대학 등으로부터 보고되었다. 따라서, 평판 재료로서 가역적으로 연화/경화되는 자극 응답성 수지를 사용해도 된다. 이 경우, 도 15~도 18에 나타내는 온도 조절부(100), 가열부(110) 및 냉각부(120)는 각각 물리적 자극부로 변경된다.
10: 전자부품 본체 12A: 제1 단부
12B: 제2 단부 12B1: 단면
14, 14A: 페이스트층 20: 지그
21: 기재 22: 평판 재료(형상기억 수지)
23: 접착층 24: 평판 재료(열가소성 접착제)
25: 평판 재료(열가소성 수지) 30: 정반
32: 기반(가동반) 50: 형재
100: 온도 조절부 110: 가열부
120: 냉각부

Claims (14)

  1. 복수개의 전자부품 본체 각각에 페이스트를 도포하는 도포 공정과, 상기 도포 공정 전에 실시되는 프리프레스(prepress) 공정을 포함하는 전자부품의 제조 방법으로서,
    상기 프리프레스 공정은
    지그(jig)에 마련된 평판 재료의 노출 표면에 있는 접착면에 상기 복수개의 전자부품 본체 각각의 제1 단부(端部)를 접착시키는 제1 공정과,
    상기 지그를 정반(定盤)에 대하여 상대적으로 이동시키는 제2 공정과,
    상기 평판 재료를 연화 상태로 하여, 상기 복수개의 전자부품 본체의 상기 각각의 제1 단부와는 반대 측의 각각의 제2 단부를 상기 정반에 접촉시킴으로써, 상기 평판 재료를 변형시켜 상기 각각의 제2 단부의 단면(端面)의 위치를 가지런하게 하는 제3 공정과,
    상기 단면의 위치가 가지런해진 상태로 상기 평판 재료를 경화 상태로 하는 제4 공정과,
    그 후, 상기 지그를 상기 정반에 대하여 상대적으로 이동시켜서, 상기 단면의 위치가 가지런해진 상기 복수개의 전자부품 본체를 상기 정반으로부터 분리하는 제5 공정을 가지는 전자부품의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포 공정 후에, 상기 지그에 유지된 상기 복수개의 전자부품 본체의 상기 각각의 제2 단부에 도포된 상기 페이스트로부터 여분의 페이스트를 제거하여 페이스트층을 형성하는 페이스트 제거 공정을 더 가지는 전자부품의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도포 공정 또는 상기 페이스트 제거 공정 후에 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어내는 떼어냄 공정을 더 가지며,
    상기 떼어냄 공정은 상기 제3 공정에서 변형되면서 상기 제4 공정에서 경화된 상기 평판 재료를 다시 연화시킴으로써 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어낼 수 있는 상태로 하는 전자부품의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도포 공정 또는 상기 페이스트 제거 공정 후에 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어내는 떼어냄 공정을 더 가지며,
    상기 떼어냄 공정은 상기 제3 공정에서 변형되면서 상기 제4 공정에서 경화된 상기 평판 재료를, 상기 지그로부터 상기 복수개의 전자부품 본체를 떼어낼 수 있는 상태이며, 상기 연화 상태 및 상기 경화 상태 이외의 보형(保形) 상태로 변형시키는 전자부품의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 평판 재료는 형상기억 수지이며, 상기 제1 공정, 상기 제2 공정 및 상기 떼어냄 공정에서는, 상기 형상기억 수지는 형상기억된 1차 부형(賦形)인 평판 형상으로 설정되고, 상기 제3 공정, 상기 제4 공정 및 상기 제5 공정에서는 상기 형상기억 수지는 각각 상기 각각의 제2 단부의 상기 단면의 위치를 가지런하게 하는 상기 연화 상태 또는 상기 경화 상태인 임의의 2차 부형으로 설정되는 전자부품의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 공정에서는 상기 형상기억 수지가 상기 연화 상태로 옮겨가는 것이 개시되는 전자부품의 제조 방법.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 평판 재료는 열가소성 수지이고, 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정에서는 상기 열가소성 수지는 경화 상태이며, 상기 제3 공정 및 상기 떼어냄 공정에서는 유리 전이점 이상의 온도로 설정되어 상기 열가소성 수지는 연화 상태가 되고, 상기 제4 공정 및 상기 제5 공정에서는 상기 열가소성 수지는 경화 상태가 되는 전자부품의 제조 방법.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지그는 기재(基材)와 상기 접착면을 형성하는 접착층을 포함하고, 상기 평판 재료가 상기 기재와 상기 접착층 사이에 개재 배치되며,
    상기 제3 공정은 상기 평판 재료의 변형에 따라 상기 접착층이 변형되는 전자부품의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 열가소성 접착제인 전자부품의 제조 방법.
  10. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 떼어냄 공정은 상기 열가소성 수지를 형재(型材) 내에서 연화시키는 전자부품의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 온도 조절부에 의해 상기 평판 재료가 상기 연화 상태 및 상기 경화 상태로 설정되는 전자부품의 제조 방법.
  12. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 온도 조절부에 의해 상기 형상기억 수지가 상기 1차 부형 및 상기 2차 부형의 각 상태로 설정되는 전자부품의 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 가열부에 의해 상기 평판 재료가 상기 연화 상태로 설정되고,
    상기 정반에 마련된 냉각부에 의해 상기 평판 재료가 상기 경화 상태로 설정되는 전자부품의 제조 방법.
  14. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 지그, 또는 상기 지그를 유지하는 기반에 마련된 가열부에 의해 상기 형상기억 수지가 상기 연화 상태 및 상기 1차 부형으로 설정되고,
    상기 정반에 마련된 냉각부에 의해 상기 형상기억 수지가 상기 경화 상태로 설정되는 전자부품의 제조 방법.
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