KR20220134009A - 실리콘 결정 제조용 석영 유리 도가니 및 석영 유리 도가니의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 초크랄스키법에 의해 실리콘 단결정을 인상하기 위한 석영 유리 도가니로서, 표면을 형성하는 석영 유리의 내층이 배열된 내면을 갖고, 내층에는 결정화 촉진제가 제공되며, 결정화 촉진제는, 석영 유리 도가니가 결정 인상에서 의도된 대로 사용되면서 가열될 때, 석영 유리의 결정화를 일으켜 β-크리스토발라이트를 형성하고, 표면으로부터의 거리 d에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가, 표면으로부터의 거리 d2에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도보다 크며, 여기서 d2는 d보다 큰 것을 특징으로 하는 석영 유리 도가니를 제공한다.
Description
본 발명은 도가니 벽을 갖는 결정 인상용 융해 석영 도가니에 관한 것이다. 본 발명은 또한 초크랄스키법(Czochralski process)에 의해 이 도가니를 사용하여 결정을 인상하는 기술에 관한 것이다.
융해 석영 도가니는, 예를 들어 초크랄스키법으로 공지된 공정에 따른 단결정의 인상시에 금속 용융물을 유지하는 데 사용된다. 이 공정에서는, 소정 배향을 갖는 시드 결정을 용융물에 침지시킨 다음, 서서히 위쪽으로 인상한다. 이 과정에서, 시드 결정과 용융물은 반대 방향으로 회전한다. 시드 결정과 용융물 사이의 표면 장력의 결과로, 용융물이 시드 결정과 함께 인상되고, 이 용융물은 점차 냉각되어 응고됨으로써 지속적으로 더 성장하는 단결정을 형성한다.
인상된 잉곳은, 예를 들어 와이어 톱과 같은 기계적 방법에 의해 반도체 웨이퍼로 절단되는 데 사용될 수 있다. 후속의 연마 후, 이 방식으로 수득된 웨이퍼는 선택적 에피택시 단계 후에 전자 부품의 제조에 사용될 수 있다.
결정 인상 처리 과정에서, 융해 석영 도가니는 수 시간에 걸쳐 높은 기계적, 화학적 및 열적 부하를 받으며, 이를 상당한 소성 변형 없이 견뎌야 한다. 도가니가 클수록 그 안에 수용되는 용융물의 부피가 크며, 일반적으로 용융 시간이 길어진다.
융해 석영 도가니의 열 안정성을 증가시키기 위해, EP 07 48 885 A1에서는 상기 도가니에 크리스토발라이트의 표면층을 제공하는 제안을 한다. 크리스토발라이트의 융점은 약 1720℃로, 일반적인 반도체 재료의 융점보다 훨씬 높다(예를 들어, 실리콘 용융물의 경우, 융점은 약 1420℃임). 크리스토발라이트 표면층을 생성하기 위해서, 기포를 함유하는 불투명 융해 석영의 표준형 시판 도가니의 유리질 외벽을, 융해 석영의 실투를 촉진하여 크리스토발라이트를 형성하는 물질("결정화 촉진제")을 포함하는 화학 용액으로 처리한다. 권장되는 결정화 촉진제는 실질적으로 붕소, 알칼리 토금속 및 인의 화합물이며, 수산화바륨을 사용하는 것이 바람직하다. 융해 석영 도가니가 1420℃ 초과의 온도로 가열되는 경우에(예를 들어, 결정 인상 작업에서 사용되는 동안에) 사전 처리된 도가니 벽은 표면 결정화를 거쳐 크리스토발라이트를 형성하며, 이는 융해 석영 도가니의 부분의 기계적 및 열적 강도를 높이는 데 기여한다.
EP 1 497 484 A1 명세서에는 불투명 융해 석영의 외층 및 내층을 포함하는 도가니 벽을 갖는 결정 인상용 융해 석영 도가니가 기술되어 있으며, 상기 도가니에서 외층은 내부 영역 및 외부 영역을 갖고, 여기에 결정화 촉진제가 제공되며, 결정화 촉진제는, 융해 석영 도가니가 그의 지정된 용도의 과정에서 결정 인상에서 가열될 때, 융해 석영의 결정화를 생성하여 크리스토발라이트를 형성한다. 상기 결정화 촉진제는 (실리콘 이외에) 융합 석영에서 망상 형성제로서 작용하고/하거나 융합 석영에서 망상 개질제로 작용하는 제1 성분, 및 융합 석영에서 분리점 형성제로 작용하고 알칼리 금속을 함유하지 않는 제2 성분을 포함한다.
US 2019 145 019 A1 특허 명세서에는 결정화 촉진제-함유 코팅 필름의 두께가 바람직하게는 0.3∼100 마이크로미터인 것으로 기재되어 있다. 따라서, 결정화 촉진제 함유 코팅 필름의 두께를 변화시킴으로써, 그에 도포되는 바륨 농도를 제어한다. 결정화 촉진제로서 작용할 수 있는 성분은 융해 석영 도가니 본체에 의도적으로 첨가되지 않으며, 도가니 본체가 예를 들어 천연 석영 분말로 이루어진 경우에는 바륨 농도가 0.10 ppm 미만, 마그네슘 농도가 0.10 ppm 미만, 칼슘 농도가 2.0 ppm 미만인 것이 바람직하다는 것을 유념해야 한다. 합성 석영 분말이 도가니 본체의 내면의 원료로서 사용되는 경우, 도가니 본체에서 마그네슘 및 칼슘 농도가 모두 0.02 ppm 미만인 것이 바람직하다.
본 발명자들은, 현재의 기술에 따라 제조된 도가니를 사용하는 것이, 계속해서 불리한 영향을 받는다는 것을 인지하였다. 특히, 도가니로부터 다수의 결정을 인상하는 것은 흔히 손상을 수반하는데, 그 결정은 전위율이 증가하여 반도체 산업에서 사용될 수 없거나 부분적으로만 사용할 수 있기 때문이다. 본 발명자들은 또한, 도가니가 고온에 장시간 노출되면 전위가 야기된다는 것을 인지하였다. 이는, 특히 큰 직경 및 큰 중량의 투입물의 경우이다. 그러나, 정확히 이러한 조건 하에서, 언급된 단점을 나타내지 않는 도가니를 사용할 수 있다는 것은 경제적인 관점에서 특히 매력적일 것이다.
또한, 도가니로부터 연속적으로 인상된 결정이 품질면에서 상당한 차이를 보이는 것을 발견하였다. 예를 들어, 도가니로부터 이미 인상된 결정의 수가 증가함에 따라, 결정의 소수 전하 캐리어의 특징적인 평균 자유 행로 길이가 감소한다. 도가니로부터 이미 인상된 결정의 수에 따른 이러한 품질 차이는 반도체 산업에서 용납될 수 없다.
기술한 문제들은 본 발명의 목적, 즉, 언급한 단점을 결정 인상에서 발생시키지 않는 석영 도가니를 제공하는 것을 위한 토대였다. 또 다른 목적은 적합한 석영 도가니를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 청구범위에 기재된 방법 및 제품에 의해 달성된다.
본 발명의 방법의 전술한 실시양태와 관련하여 언급된 특징들은, 본 발명에 따른 제품에 상응하게 바뀔 수 있다. 역으로, 본 발명에 따른 제품의 전술한 실시양태와 관련하여 언급된 특징들은, 본 발명의 방법에 상응하게 바뀔 수 있다. 본 발명의 실시양태의 상기 특징 및 그 밖의 특징은 도면의 설명 및 청구범위에서 설명된다. 개개의 특징은 본 발명의 실시양태로서 개별적으로 또는 조합으로 실현될 수 있다. 추가로, 이들은 독립적인 보호 능력이 있는 유리한 구현예를 설명할 수 있다.
도 1은 석영 도가니의 내면으로부터의 거리 d의 함수로서의, 합성으로 수득된 SiO2의 본 발명에 따른 최소 및 최대 농도 C를 도시한다. 바람직한 농도 프로파일은 곡선 1과 곡선 2 사이에 위치하고, 특히 바람직한 농도 프로파일은 곡선 3과 곡선 4 사이에 위치한다.
각각의 한계에 대한 실증적 이미징 프로토콜은 실험 데이터로부터 개발되었다.
따라서, 곡선 1은 이미징 프로토콜 C [%] ≤ 100 - (d [mm] - 0.25) × 30으로, 그리고 곡선 2는 이미징 프로토콜 C [%] ≥ 100 - (d [mm] + 0.25) × 80으로 수학적으로 설명될 수 있다.
본 발명자들은 곡선 3과 곡선 4 사이의 영역에서 훨씬 더 큰 효과가 발견될 수 있음을 인지하였다. 이들 곡선 3 및 4는 각각의 수학적 프로토콜 C [%] ≥ 100 - (d [mm] - 0.05) × 36 및 C [%] ≤ 100 - (d [mm] + 0.1) × 80을 사용하여 잘 설명될 수 있다.
도 2, 3 및 4의 그래프는, 도가니로부터 다수의 결정(가로 좌표)을 인상할 때에 얻은 측정 결과를 도시한다.
"SPV"로 표시된 세로 좌표는, 각각의 결정(가로 좌표)의 소수 전하 캐리어의 특징적인 평균 자유 행로 길이(SPV)를, 최대값을 기준으로 하는 상대적 단위로 나타낸다.
"L"로 표시된 세로 좌표는, 각각의 결정(가로 좌표)의 무전위 부분의 길이를 나타낸다.
도 2a 및 2b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 자연적으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
결정의 무전위 부분의 길이가 높게 유지되는 것으로 확인되지만, 그럼에도 불구하고 평균 자유 행로 길이에 명백하게 상당한 감소가 있다. 그러면, 평균 자유 행로 길이는 평균적으로 초기값의 70%로 감소한다. 따라서, 균일한 품질의 결정이 도가니로 제조될 수 있다는 보장은 없다.
도 3a 및 3b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 합성으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
자유 행로 길이에 대한 정규화된 값(도 3a)은, 현저히 증가한 산란을 보여준다. 사용된 도가니로부터의 첫 번째 결정조차도 평균 10% 작은 평균 자유 행로 길이를 보인다. 이 품질의 결정은 반도체 산업에 부적합하다. 결정의 무전위 부분의 길이(도 3b)도 허용 불가한 산란을 나타내며, 상응하는 경제적 피해를 초래할 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따라 제조된 도가니로 인출된 결정에 대한 결과를 도시한다.
평균 자유 행로 길이(도 4a)뿐만 아니라 결정의 무전위 길이 부분(도 4b)도 최소(0) 초과의 산란을 나타내지 않는다는 것이 명백하다. 품질 및 경제성의 측면에서, 본 발명의 도가니는 최적이다.
각각의 한계에 대한 실증적 이미징 프로토콜은 실험 데이터로부터 개발되었다.
따라서, 곡선 1은 이미징 프로토콜 C [%] ≤ 100 - (d [mm] - 0.25) × 30으로, 그리고 곡선 2는 이미징 프로토콜 C [%] ≥ 100 - (d [mm] + 0.25) × 80으로 수학적으로 설명될 수 있다.
본 발명자들은 곡선 3과 곡선 4 사이의 영역에서 훨씬 더 큰 효과가 발견될 수 있음을 인지하였다. 이들 곡선 3 및 4는 각각의 수학적 프로토콜 C [%] ≥ 100 - (d [mm] - 0.05) × 36 및 C [%] ≤ 100 - (d [mm] + 0.1) × 80을 사용하여 잘 설명될 수 있다.
도 2, 3 및 4의 그래프는, 도가니로부터 다수의 결정(가로 좌표)을 인상할 때에 얻은 측정 결과를 도시한다.
"SPV"로 표시된 세로 좌표는, 각각의 결정(가로 좌표)의 소수 전하 캐리어의 특징적인 평균 자유 행로 길이(SPV)를, 최대값을 기준으로 하는 상대적 단위로 나타낸다.
"L"로 표시된 세로 좌표는, 각각의 결정(가로 좌표)의 무전위 부분의 길이를 나타낸다.
도 2a 및 2b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 자연적으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
결정의 무전위 부분의 길이가 높게 유지되는 것으로 확인되지만, 그럼에도 불구하고 평균 자유 행로 길이에 명백하게 상당한 감소가 있다. 그러면, 평균 자유 행로 길이는 평균적으로 초기값의 70%로 감소한다. 따라서, 균일한 품질의 결정이 도가니로 제조될 수 있다는 보장은 없다.
도 3a 및 3b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 합성으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
자유 행로 길이에 대한 정규화된 값(도 3a)은, 현저히 증가한 산란을 보여준다. 사용된 도가니로부터의 첫 번째 결정조차도 평균 10% 작은 평균 자유 행로 길이를 보인다. 이 품질의 결정은 반도체 산업에 부적합하다. 결정의 무전위 부분의 길이(도 3b)도 허용 불가한 산란을 나타내며, 상응하는 경제적 피해를 초래할 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따라 제조된 도가니로 인출된 결정에 대한 결과를 도시한다.
평균 자유 행로 길이(도 4a)뿐만 아니라 결정의 무전위 길이 부분(도 4b)도 최소(0) 초과의 산란을 나타내지 않는다는 것이 명백하다. 품질 및 경제성의 측면에서, 본 발명의 도가니는 최적이다.
각각의 경우에, 초크랄스키 인상법에 의해 도가니로부터 복수의 결정을 인상하고, 소수 전하 캐리어의 평균 자유 행로 길이(SPV)와 전위되지 않은 결정의 길이 모두를 측정하였다. 결정의 전위되지 않은 부분의 길이를, 이론적으로 얻을 수 있는 전체 길이와 대조하였다.
유사하게, 소수 전하 캐리어의 특징적인 평균 자유 행로 길이를, 측정된 최대 평균 자유 행로 길이와 대조하였다. 이하에서는 이 통계를, 결정에 존재하여 이후에 실리콘에서 제조되는 구성요소에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 불순물에 대한 품질 기준으로 사용한다. 이론적으로는, 결정의 품질에 대해 다른 통계를 이용하는 것도 가능하다. 그의 예로는 μPCD 수명 측정, 또는 ICP-MS에 의한 생성된 실리콘의 화학 분석이 있다. 여기서, 다수의 적합한 방법이 당업자에게 이용 가능하다.
본 발명자들은 전술한 측정 기술이 가장 적합하고, 특히 쉽게 접근 가능한 것으로 확인하였다.
본원에서 본 발명자들은, 초크랄스키 기법에 따라 연속적으로 다수의 결정을 인상하는 데 도가니를 사용하는 경우에는, 선행 기술에 따라 제조된 도가니의 사용에 뚜렷한 단점이 있음을 인지하였다. 또한, 결정 인상은, 인상 공정이 오래 지속될수록 더 어려운 것으로 나타났다.
연구 결과는 도 2 및 도 3에 나타나 있다.
도 2a 및 2b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 자연적으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
결정의 무전위 부분의 길이가 높게 유지되는 것으로 확인되지만, 그럼에도 불구하고 평균 자유 행로 길이에 명백하게 상당한 감소가 있다. 그러면, 평균 자유 행로 길이는 평균적으로 초기값의 70%로 감소한다. 따라서, 균일한 품질의 결정이 도가니로 제조될 수 있다는 보장은 없다.
도 3a 및 3b에 데이터가 도시된 결정은, 선행 기술에서 설명된 바와 같이 합성으로 수득된 SiO2로부터 제조되고 내부가 바륨 함유 성분으로 코팅된 도가니를 사용하여 인상하였다.
자유 행로 길이에 대한 정규화된 값(도 3a)은, 현저히 증가한 산란을 보여준다. 사용된 도가니로부터의 첫 번째 결정조차도 평균 10% 작은 평균 자유 행로 길이를 보인다. 이 품질의 결정은 반도체 산업에 부적합하다. 결정의 무전위 부분의 길이(도 3b)도 허용 불가한 산란을 나타내며, 상응하는 경제적 피해를 초래할 수 있다.
본 발명자들은, 도가니 재료를 측정된 결함의 원인인 것으로 인식하였으며, 결함을 제거하기 위한 광범위한 시도를 수행하였다.
β-크리스토발라이트가 석영보다 높은 용융 온도를 갖는다는 것이 문헌에 공지되어 있다. 때때로 β-크리스토발라이트의 생성을 촉진하는 특정한 결정화 촉진제가 있다는 것도 공지되어 있다.
또 다른 지식은, 합성으로 수득된 SiO2로부터 제조된 석영 도가니가, 자연적으로 수득된 SiO2로부터 제조된 석영 도가니와 특성이 상이하다는 것이다. 실험 결과는, 예를 들어 도 2 및 3에 도시되어 있다.
놀랍게도 본 발명자들은, 융해 석영 도가니로서, 표면을 형성하는 융해 석영의 내층이 위치하는 내면을 가지며, 내층에 결정화 촉진제가 제공되어 있는 융해 석영 도가니가, 특히 표면으로부터 한 거리에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가 표면으로부터 다른 거리에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도보다 클 경우에, 도가니로부터의 복수의 결정 인상에 대해 긍정적인 특성을 나타냄을 발견하였다.
본원에서 특히 바람직하게 작용하는 결정화 촉진제는 물질 바륨 또는 스트론튬이며, 바륨이 특히 바람직하다.
본 발명자들은, 표면까지의 거리가 0.4 mm 미만인 경우에, 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가 90% 초과인 것이 바람직하다고 인지하였다.
추가의 시험은, 예기치 않게, 거리 d의 함수로서의 합성적으로 수득된 SiO2의 농도에 다음의 관계식이 적용되며:
C [%] ≤ 100 - (d [mm] - 0.25) × 30, 및
C [%] ≥ 100 - (d [mm] + 0.25) × 80,
품질(SPV)과 결정의 무전위 길이의 부분 모두와 관련하여 이점이 있음을 보여주었다. 방금 설명한 범위는 도 1에 도시되어 있으며, 곡선 1과 곡선 2 사이의 음영 영역과 관련이 있다.
결과는, 예를 들어 도 4a 및 4b에 도시되어 있다.
본 발명자들은 추가의 실험을 통해 상기 영역을 다소 좁힐 수 있었고, 거리 d의 함수로서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도에 다음의 관계식이 적용되며:
C [%] ≤ 100 - (d [mm] + 0.1) × 80, 및
C [%] ≥ 100 - (d [mm] - 0.05) × 36,
품질(SPV) 및 결정의 무전위 길이 부분 모두와 관련하여 추가의 이점이 있음을 발견하였다.
이 기술된 영역은 도 1에도 도시되어 있으며, 곡선 3과 곡선 4 사이의 음영 영역과 관련이 있다.
특히 바람직하게는, 본원에서 결정화 촉진제의 농도는 실리콘을 기준으로 1 ppba 미만 0.05 ppba 초과이다.
결정화 촉진제를 포함하는, 본 발명의 융해 석영 도가니를 제조하는 데 바람직한 것은, 내면을 갖고 자연적으로 수득된 SiO2를 포함하는 도가니 본체를 제조하는 단계, 및 합성으로 수득된 SiO2를 포함하는 층으로 상기 내면을 코팅하는 단계로서, 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가 층 두께의 증가에 따라 증가하는 것인 단계를 포함하는 방법이다.
본원에서, 결정화 촉진제가 도가니 본체의 실제 제조 동안에 첨가되는 경우가 특히 바람직하다.
상기 방법에 있어서, 코팅 목적의 물질은 분리를 방지하기 위해서 혼합 용기에서 연속적으로 혼합되는 것이 바람직하다. 본원에서, 혼합 용기 내의 합성으로 수득된 SiO2 및 자연적으로 수득된 SiO2의 분율은 시간이 경과함에 따라 변화한다. 동시에, 상기 코팅용 물질은 혼합 용기로부터 배출된다. 용기 내의 합성으로 수득된 물질의 분율은, 이상적으로는 시간이 경과함에 따라 증가한다.
결정화 촉진제가 내면의 실제 코팅 동안에 첨가되는 것이 특히 유리한 것으로 입증되었다.
코팅 후에, 도가니는 폴리실리콘으로 채워지고, 폴리실리콘을 용융시키기 위해 1400℃ 초과로 가열되는 것이 특히 바람직하다.
폴리실리콘은, 폴리실리콘을 기준으로 0.5 ppba 초과 10 ppba 미만의 농도를 갖는, 바람직하게는 바륨을 포함하는 결정화 촉진제와 추가로 혼합되는 것이 특히 바람직하다.
Claims (15)
- 초크랄스키 기법에 따라 실리콘 단결정을 인상하기 위한 융해 석영 도가니로서,
표면을 형성하는 융해 석영의 내층이 위치하는 내면을 갖고,
내층에는 결정화 촉진제가 제공되며, 결정화 촉진제는, 융해 석영 도가니가 그의 지정된 용도의 상황에서 결정 인상에서 가열될 때, 융해 석영의 결정화를 일으켜 β-크리스토발라이트를 형성하고,
표면으로부터의 거리 d에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가, 표면으로부터의 거리 d2에서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도보다 크며, 여기서 d2는 d보다 큰 것을 특징으로 하는, 초크랄스키 기법에 따라 실리콘 단결정을 인상하기 위한 융해 석영 도가니. - 제1항에 있어서, 상기 결정화 촉진제는 바륨 또는 스트론튬을 포함하는 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C는, 표면까지의 거리 d가 0.4 mm 미만일 때, 90% 초과인 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 거리 d의 함수로서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C는 다음의 관계식이 적용되는 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니:
C [%] ≤ 100 - (d [mm] - 0.25) × 30, 및
C [%] ≥ 100 - (d [mm] + 0.25) × 80. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 거리 d의 함수로서의 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C는 다음의 관계식이 적용되는 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니:
C [%] ≤ 100 - (d [mm] + 0.1) × 80, 및
C [%] ≥ 100 - (d [mm]- 0.05) × 36. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 결정화 촉진제의 농도는, 융해 석영 도가니 내의 실리콘을 기준으로 1 ppba 미만 0.05 ppba 초과인 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 결정화 촉진제는 바륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 융해 석영 도가니.
- 결정화 촉진제를 포함하는 융해 석영 도가니의 제조 방법으로서,
내면을 갖고 자연적으로 수득된 SiO2를 포함하는 도가니 본체를 제조하는 단계, 및
합성으로 수득된 SiO2를 포함하는 층으로 상기 내면을 코팅하는 단계로서, 합성으로 수득된 SiO2의 농도 C가, 층 두께의 증가에 따라 증가하는 것인 단계
를 포함하는, 결정화 촉진제를 포함하는 융해 석영 도가니의 제조 방법. - 제8항에 있어서, 결정화 촉진제는 도가니 본체의 제조 동안에 첨가되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서, 코팅 목적의 물질은 분리를 방지하기 위해서 혼합 용기에서 연속적으로 혼합되고, 혼합 용기 내의 합성으로 수득된 SiO2 및 자연적으로 수득된 SiO2의 분율은 시간이 경과함에 따라 변화하며, 동시에 상기 물질은 코팅을 위해 그 혼합 용기로부터 배출되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 내면의 코팅 동안에, 결정화 촉진제가 첨가되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 후에, 도가니는 폴리실리콘으로 채워지고, 폴리실리콘을 용융시키기 위해 1400℃ 초과로 가열되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 폴리실리콘은, 폴리실리콘을 기준으로 0.5 ppba 초과 10 ppba 미만의 농도를 갖는 결정화 촉진제와 추가로 혼합되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 결정화 촉진제는 바륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 반도체 웨이퍼의 제조 방법으로서, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 융해 석영 도가니를 사용하여 결정 인상 유닛에서 잉곳이 인상되고, 잉곳은 와이어 톱에 의해 웨이퍼로 절단되며, 웨이퍼는 연마되고, 임의로 에피택시에 적용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
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