JPH01286998A - ３−ｖ族混晶結晶の製造方法 - Google Patents
３−ｖ族混晶結晶の製造方法Info
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- JPH01286998A JPH01286998A JP11628588A JP11628588A JPH01286998A JP H01286998 A JPH01286998 A JP H01286998A JP 11628588 A JP11628588 A JP 11628588A JP 11628588 A JP11628588 A JP 11628588A JP H01286998 A JPH01286998 A JP H01286998A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液体封止チョクラルスキー法（以下。
ｒＬＥＣ法」という）による■−■族混晶結晶の製造方
法に関する。
法に関する。
［従来の技術］
ｍ−ｖ族混晶結晶は、高速素子、光素子等を製造する際
の基板材料として多く用いられている。
の基板材料として多く用いられている。
一般に、■−■族混品結晶の製造方法としては、ＬＥＣ
法が工業的に利用されている。このＬＥＣ法は、原料を
るつぼ内に入れるとともに、この原料をＢ２０１等の液
体封止剤で封止し、これをＮ２ガスや不活性ガス等の高
圧ガス雰囲気とした高圧容器内で加圧し、ＡｓやＰの飛
散を防止しながら。
法が工業的に利用されている。このＬＥＣ法は、原料を
るつぼ内に入れるとともに、この原料をＢ２０１等の液
体封止剤で封止し、これをＮ２ガスや不活性ガス等の高
圧ガス雰囲気とした高圧容器内で加圧し、ＡｓやＰの飛
散を防止しながら。
原料を抵抗加熱または高周波加熱で加熱して融解し、融
液（溶融原料）に種結晶を浸漬し、るつぼと種結晶とを
相対的に回転させながら、種結晶を引上げることにより
、結晶を製造するもので、ある。
液（溶融原料）に種結晶を浸漬し、るつぼと種結晶とを
相対的に回転させながら、種結晶を引上げることにより
、結晶を製造するもので、ある。
従来、上記ＬＥＣ法を用いて■−■族混晶結晶を製造す
る場合、用意する原料の重量は、得ようとする■−■族
混晶結晶の重量とほぼ等しい量であり、用意した原料の
ほとんど全量を結晶成長させて所望の成長結晶体を製造
していた。
る場合、用意する原料の重量は、得ようとする■−■族
混晶結晶の重量とほぼ等しい量であり、用意した原料の
ほとんど全量を結晶成長させて所望の成長結晶体を製造
していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来のＬＥＣ法においては、成分元素の偏
析係数に差があるため、結晶の成長につれて成長結晶体
内の組成が大きく変動し、均一組成の混晶結晶を得るこ
とができないという問題があった。
析係数に差があるため、結晶の成長につれて成長結晶体
内の組成が大きく変動し、均一組成の混晶結晶を得るこ
とができないという問題があった。
第２図に、（Ａ １−−Ｂχ″）ＣＶ混晶結晶を従来法
により製造した場合の成長結晶体内の組成の変動の例を
示す、第２図は、横軸に成長結晶体重量／全原料重量Ｘ
１００ （％）をとり、縦軸に成長結晶体内の成分Ｂに
ついてのモル分率χをとったもので、同図より結晶成長
開始から終了までに成長結晶体内での組成が著しく変化
してしまうことが判る。
により製造した場合の成長結晶体内の組成の変動の例を
示す、第２図は、横軸に成長結晶体重量／全原料重量Ｘ
１００ （％）をとり、縦軸に成長結晶体内の成分Ｂに
ついてのモル分率χをとったもので、同図より結晶成長
開始から終了までに成長結晶体内での組成が著しく変化
してしまうことが判る。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、成長結晶体内の組成変動が極めて少ないｍ−ｖ族混晶
結晶の製造方法を提供することを目的とする。
、成長結晶体内の組成変動が極めて少ないｍ−ｖ族混晶
結晶の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明は、ＬＥＣ法によっ
て■−■族混晶結晶を製造するにあたり、引上げた成長
結晶体の重量が結晶成長開始前における全原料重量の２
０％となる以前に結晶成長を停止し、その後結晶丸部を
形成し、成長結晶体と原料融液との切離しを行なうこと
とした。
て■−■族混晶結晶を製造するにあたり、引上げた成長
結晶体の重量が結晶成長開始前における全原料重量の２
０％となる以前に結晶成長を停止し、その後結晶丸部を
形成し、成長結晶体と原料融液との切離しを行なうこと
とした。
具体的には、得ようとする成長結晶体の寸法等から、予
めその重量を求めておき、その成長結晶体の重量の５倍
程度の重量を有する原料を準備する。そして、その全原
料をるつぼ内に入れ、ＬＥＣ法によって結晶成長を行な
う。この際、引上げた成長結晶体の重量をモニターしつ
つ、その重量が結晶成長開始前における全原料重量の２
ｏ％となった時点またはそれ以前に結晶成長を停止し、
その後結晶丸部を形成し、成長結晶体と原料融液との切
離しを行なう。
めその重量を求めておき、その成長結晶体の重量の５倍
程度の重量を有する原料を準備する。そして、その全原
料をるつぼ内に入れ、ＬＥＣ法によって結晶成長を行な
う。この際、引上げた成長結晶体の重量をモニターしつ
つ、その重量が結晶成長開始前における全原料重量の２
ｏ％となった時点またはそれ以前に結晶成長を停止し、
その後結晶丸部を形成し、成長結晶体と原料融液との切
離しを行なう。
［作用］
上記構成の■−■族混晶結晶の製造方法においては、成
長結晶体の重量が結晶成長開始前における全原料重量の
２０％となる以前に結晶成長を停止するので、成長結晶
体内での組成変動はほとんどなくなる。
長結晶体の重量が結晶成長開始前における全原料重量の
２０％となる以前に結晶成長を停止するので、成長結晶
体内での組成変動はほとんどなくなる。
［実施例］
ＧＧａＡｓ９０ａｔ％およびＧａＰｌｏａｔｍ％からな
る原料を１ｋｇ用意し、この原料を石英製のるつぼ内に
入れるとともに、原料をＢ、Ｏ，からなる液体封止剤で
封止し、炉内をＡｒガスで満たし、６５ｋｇ／ａＪとし
て１２８０℃に加熱した０種結晶には、＜１１１＞方向
のＧａＰを用い、種結晶とるつぼとを相対的に３ Ｏｒ
、ｐ、ｍで回転させながら、引上げ速度０．１１１１／
ｈｒで引上げた。引上げた成長結晶体の重量が約１００
ｇに達したところで結晶成長を停止し、その後結晶丸部
を形成し、成長結晶体を原料融液から切離し、炉外に成
長結晶体（インゴット）を取出した。
る原料を１ｋｇ用意し、この原料を石英製のるつぼ内に
入れるとともに、原料をＢ、Ｏ，からなる液体封止剤で
封止し、炉内をＡｒガスで満たし、６５ｋｇ／ａＪとし
て１２８０℃に加熱した０種結晶には、＜１１１＞方向
のＧａＰを用い、種結晶とるつぼとを相対的に３ Ｏｒ
、ｐ、ｍで回転させながら、引上げ速度０．１１１１／
ｈｒで引上げた。引上げた成長結晶体の重量が約１００
ｇに達したところで結晶成長を停止し、その後結晶丸部
を形成し、成長結晶体を原料融液から切離し、炉外に成
長結晶体（インゴット）を取出した。
このようにして得られた成長結晶体をＸＭＡ法（Ｘ線マ
イクロアナリシス法）により分析したところ、第１図に
示すような結果を得た。第１図は、横軸に成長結晶体重
量／全原料重量Ｘ１００ （％）をとり、縦軸に成長結
晶体内のＰについてのモル分率χをとったものである。
イクロアナリシス法）により分析したところ、第１図に
示すような結果を得た。第１図は、横軸に成長結晶体重
量／全原料重量Ｘ１００ （％）をとり、縦軸に成長結
晶体内のＰについてのモル分率χをとったものである。
第１図から判るように、上記実施例では、引上げた成長
結晶体の重量が全原料重量の１０％となった時点で結晶
成長を停止したので、得られた成長結晶体内での組成は
ほぼ均一となっている。これに対し、第１図において破
線で示すように、全原料を結晶成長させて成長結晶体を
得ようとすると、組成変動が著しくなってしまう。
結晶体の重量が全原料重量の１０％となった時点で結晶
成長を停止したので、得られた成長結晶体内での組成は
ほぼ均一となっている。これに対し、第１図において破
線で示すように、全原料を結晶成長させて成長結晶体を
得ようとすると、組成変動が著しくなってしまう。
一方、上記実施例で得られた成長結晶体を、格子定数に
ついて検討したところ、種結晶直下となる結晶頭部では
５．６００人であり、結晶丸部は５．６０５人であった
。したがって、成長結晶体内の格子定数の変動は、０．
１％以内となり、混晶結晶上へのエピタキシャル成長に
おける転位の発生を防止でき、成長表面（モホロジー）
を平坦化することができる。また、上記成長結晶体には
、クラックの発生がなく、ウェハを作成した場合でもク
ラックの発生はなかった。
ついて検討したところ、種結晶直下となる結晶頭部では
５．６００人であり、結晶丸部は５．６０５人であった
。したがって、成長結晶体内の格子定数の変動は、０．
１％以内となり、混晶結晶上へのエピタキシャル成長に
おける転位の発生を防止でき、成長表面（モホロジー）
を平坦化することができる。また、上記成長結晶体には
、クラックの発生がなく、ウェハを作成した場合でもク
ラックの発生はなかった。
なお、本発明において、■−■族混晶結晶は上記実施例
（ＧａＡｓ ９０ａｔｍ％、 ＧａＰ １０ａｔａ
＋％）に限定されるものではなく、種々の■族、■族元
素の組合せに適用できる。この場合、組成変動の割合は
、成分元素により多少異なるが、どの元素の組合せであ
っても、引き上げた成長結晶体の重量が全原料重量の２
０％となる以前に結晶成長を停止すれば、はぼ均一な組
成とすることができる。
（ＧａＡｓ ９０ａｔｍ％、 ＧａＰ １０ａｔａ
＋％）に限定されるものではなく、種々の■族、■族元
素の組合せに適用できる。この場合、組成変動の割合は
、成分元素により多少異なるが、どの元素の組合せであ
っても、引き上げた成長結晶体の重量が全原料重量の２
０％となる以前に結晶成長を停止すれば、はぼ均一な組
成とすることができる。
［発明の効果コ
以上のように、本発明の■−■族混晶結晶の製造方法に
よれば、引上げた成長結晶体の重量が結晶成長開始前に
おける全原料重量の２０％となる以前に結晶成長を停止
することとしたので、得られた成長結晶体内での組成が
ほぼ均一となり、これによって、格子定数の変動を０．
１％以内に抑えることができ、クラックの発生や転位を
防止でき、成長表面（モホロジー）を平坦化することが
できる。
よれば、引上げた成長結晶体の重量が結晶成長開始前に
おける全原料重量の２０％となる以前に結晶成長を停止
することとしたので、得られた成長結晶体内での組成が
ほぼ均一となり、これによって、格子定数の変動を０．
１％以内に抑えることができ、クラックの発生や転位を
防止でき、成長表面（モホロジー）を平坦化することが
できる。
しかも、予め所望の結晶体重量の５倍程度の重量を有す
る原料をるつぼに仕込むようにしたので、同化率が２０
％に達した時点で結晶の成長を停止させても従来に比べ
て小さな結晶しか得られないということはない。つまり
、単に所定の固化率に達した時点で成長を止める場合に
比べて１回の引上げで得られる結晶を大きくでき、これ
によって生産性を向上させることができる。
る原料をるつぼに仕込むようにしたので、同化率が２０
％に達した時点で結晶の成長を停止させても従来に比べ
て小さな結晶しか得られないということはない。つまり
、単に所定の固化率に達した時点で成長を止める場合に
比べて１回の引上げで得られる結晶を大きくでき、これ
によって生産性を向上させることができる。
第１図は本発明に係る■−Ｖ族混晶結晶の製造方法の一
実施例で得られた成長結晶体をＸＭＡ法により分析した
結果を示すグラフ、 第２図は従来法により（Ａニー、ＩＢｚＩ）ＣＶを製造
した場合の成長結晶体の分析結果を示すグラフである。 第１図 ０２０ ４０’ ６０ ８０（％） 戚我銘絹童／嬢片ＸＩＯ○ 第２図 ０ ２０ ５０
ｔｏｏ（％）成表綴皇量／始所×１００
実施例で得られた成長結晶体をＸＭＡ法により分析した
結果を示すグラフ、 第２図は従来法により（Ａニー、ＩＢｚＩ）ＣＶを製造
した場合の成長結晶体の分析結果を示すグラフである。 第１図 ０２０ ４０’ ６０ ８０（％） 戚我銘絹童／嬢片ＸＩＯ○ 第２図 ０ ２０ ５０
ｔｏｏ（％）成表綴皇量／始所×１００
Claims (1)
- 液体封止チョクラルスキー法によってIII−Ｖ族混晶
結晶を製造するにあたり、引上げた成長結晶体の重量が
結晶成長開始前における全原料重量の２０％となる以前
に結晶成長を停止し、その後結晶尾部を形成し、成長結
晶体と原料融液との切離しを行なうことを特徴とするI
II−Ｖ族混晶結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11628588A JPH01286998A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ３−ｖ族混晶結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11628588A JPH01286998A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ３−ｖ族混晶結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286998A true JPH01286998A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14683278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11628588A Pending JPH01286998A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | ３−ｖ族混晶結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286998A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004069923A1 (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-19 | Kaneka Corporation | 重合体及び貯蔵安定性が改善された硬化性組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155599A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Nec Corp | ３−５族混晶結晶の成長方法 |
| JPS6221790A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶成長装置および方法 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11628588A patent/JPH01286998A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155599A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Nec Corp | ３−５族混晶結晶の成長方法 |
| JPS6221790A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶成長装置および方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004069923A1 (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-19 | Kaneka Corporation | 重合体及び貯蔵安定性が改善された硬化性組成物 |
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