KR20220073831A - 기판 지지부를 위한 통합 전극 및 접지 평면 - Google Patents

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KR20220073831A
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Abstract

본 명세서에서 설명되는 실시예들은 프로세스 챔버들에서의 RF(radio frequency) 접지를 위한 장치에 관한 것이다. 일 실시예에서, 가열기가 기판 지지부에 배치된다. 가열기는 접지 차폐 어셈블리에 의해 둘러싸인다. 기판 지지부는 또한 내부에 배치된 다중 구역 전극을 포함한다. 다중 구역 전극은 평면에 배치된 전극의 하나 이상의 부분들을 포함한다. 다중 구역 접지 평면의 하나 이상의 부분들은 전극의 하나 이상의 부분들에 개재된다. 즉, 다중 구역 접지 평면과 다중 구역 전극은 동일 평면 상에 있는데, 기판 지지부의 평면 전체에 걸쳐 전극의 하나 이상의 부분들이 다중 구역 접지 평면의 하나 이상의 부분들과 교번한다.

Description

기판 지지부를 위한 통합 전극 및 접지 평면
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 지지부의 통합 전극 및 접지 평면에 관한 것이다.
[0002] 집적 회로들 및 다른 전자 디바이스들의 제조 시, 다양한 재료 층들의 증착 또는 에칭에 플라즈마 프로세스들이 흔히 사용된다. 플라즈마 프로세싱은 열 프로세싱보다 많은 이점들을 제공한다. 예를 들어, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)는 유사한 열 프로세스들에서 달성할 수 있는 것보다 더 낮은 온도들에서 그리고 더 높은 증착률들로 증착 프로세스들이 수행될 수 있게 한다.
[0003] PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)와 같은 플라즈마 프로세싱은 기판들 상에 블랭킷(blanket) 유전체 막들과 같은 재료들을 증착하는 데 사용된다. RF(radio frequency) 전력은 프로세스 챔버에서 프로세스 가스들을 활성화하는 데 사용될 수 있다. RF 전력은 소스로 리턴하는 경향이 있다. 일부 경우들에는, 스트레이(stray) 플라즈마들의 형성으로 인해 챔버의 다양한 영역들에서 RF 전력이 손실된다. 프로세스 챔버 내의 RF 전력으로부터 아킹(arcing)이 발생할 수 있으며, 이는 챔버 및 챔버의 컴포넌트들을 손상시킬 수 있다. 미리 결정된 영역들에서 RF 전력을 보다 제어되는 방식으로 프로세스 챔버의 특정 영역들로부터 멀어지게 지향시키도록 접지 경로가 제공되어, 그 특정 영역들에 대한 손실 또는 손상이 방지되고 그리고 프로세스 챔버에서 스트레이 플라즈마들 또는 아킹의 발생을 감소시키려고 시도된다. 그러나 전류 접지 경로 설계들은 복잡하고, 아킹, 스트레이 플라즈마들 또는 비대칭 접지 경로들을 야기하여, 플라즈마 프로세싱의 변동들로 이어진다. 추가로, 전류 접지 경로 설계들은 RF 전류가 교번적인 경로들을 통해 이동하여, 프로세스 챔버의 보다 반복 가능한 성능을 야기할 수 있게 한다.
[0004] 따라서 개선된 기판 지지부 설계가 필요하다.
[0005] 일 실시예에서, 바디를 포함하는 기판 지지부가 제공된다. 전극 및 접지 차폐 어셈블리가 바디에 배치된다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들이 접지 차폐 어셈블리 내에 배치된다.
[0006] 다른 실시예에서, 제1 표면 및 제1 표면 반대편의 제2 표면을 갖는 바디를 포함하는 기판 지지부가 제공된다. 제1 표면은 복수의 메사(mesa)들 및 복수의 밸리(valley)들을 포함한다. 복수의 밸리들 각각은 복수의 메사들 중 적어도 2개의 메사들 사이에 배치된다. 전극이 바디에 배치된다. 전극의 복수의 부분들 각각은 복수의 메사들 중 하나와 정렬된다. 접지 차폐 어셈블리가 바디에 배치되고 격자 구조를 형성한다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들이 바디에 배치되고 접지 차폐 어셈블리에 의해 둘러싸인다.
[0007] 또 다른 실시예에서, 내부에 프로세스 볼륨을 한정하는 챔버 바디 및 덮개를 포함하는 프로세스 챔버가 제공된다. 샤워헤드가 프로세스 볼륨에 배치되고 덮개에 결합된다. 덮개 반대편의 챔버 바디의 최하부로부터 스템(stem)이 연장된다. 기판 지지부가 프로세스 볼륨 내에서 스템 상에 배치된다. 기판 지지부는 바디, 바디에 배치된 전극, 및 바디에 배치된 접지 차폐 어셈블리를 포함한다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들이 접지 차폐 어셈블리 내에 배치된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 본 개시내용은 다른 동등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문에, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들만을 예시하는 것이며 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 한다.
[0009] 도 1a는 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0010] 도 1b는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0011] 도 2는 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0012] 도 3은 일부 실시예들에 따른 기판 지지부를 형성하기 위한 방법이다.
[0013] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0014] 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 프로세스 챔버들에서의 RF(radio frequency) 접지를 위한 장치, 및 이를 형성하는 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 가열기가 기판 지지부에 배치된다. 가열기는 접지 차폐 어셈블리에 의해 둘러싸인다. 기판 지지부는 또한 내부에 배치된 다중 구역 전극을 포함한다. 다중 구역 전극은 평면에 배치된 전극의 하나 이상의 부분들을 포함한다. 다중 구역 접지 평면의 하나 이상의 부분들은 전극의 하나 이상의 부분들에 개재된다. 즉, 다중 구역 접지 평면과 다중 구역 전극은 동일 평면 상에 있는데, 기판 지지부의 평면 전체에 걸쳐 전극의 하나 이상의 부분들이 다중 구역 접지 평면의 하나 이상의 부분들과 교번한다.
[0015] 도 1a는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략도를 예시한다. 도 1b는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버(180)의 개략도를 예시한다. 프로세스 챔버(180)는 아래에서 논의되는 전극(120)의 극성을 제외하고는 프로세스 챔버(100)와 유사하다.
[0016] 프로세스 챔버(100)는 내부에 프로세스 볼륨(114)을 한정하는 챔버 바디(102) 및 덮개(104)를 포함한다. 챔버 바디(102)의 최하부(156)는 덮개(104) 반대편에 있다. 포트(106)가 덮개(104)를 관통하여 형성된다. 가스 소스(108)가 포트(106)와 유체 연통한다. 샤워헤드(110)가 덮개(104)에 결합된다. 복수의 개구들(112)이 샤워헤드(110)를 관통하여 형성된다. 가스 소스(108)는 포트(106) 및 개구들(112)을 통해 프로세스 볼륨(114)과 유체 연통한다.
[0017] 기판 지지부(116)가 덮개(104) 반대편에서 프로세스 볼륨(114)에 이동 가능하게 배치된다. 기판 지지부(116)는 스템(154) 상에 배치된 지지 바디(150)를 포함한다. 지지 바디(150)는, 스템(154) 반대편에 배치되며 샤워헤드(110)를 향하는 지지 표면(152)을 포함한다. 덮개(104)와 최하부(156) 사이의 챔버 바디(102)를 관통하여 개구(148)가 형성된다. 동작 중에, (도시되지 않은) 기판이 개구(148)를 통해 지지 표면(152) 상에 로딩된다. 액추에이터(142)가 기판 지지부(116)에 결합되어, 기판 지지부(116) 상에 기판을 로딩하고 프로세싱하기 위해 기판 지지부(116)를 샤워헤드(110) 쪽으로 그리고 샤워헤드(110)로부터 멀어지게 이동시킨다.
[0018] 지지 표면(152)은 하나 이상의 메사들(118)을 포함한다. 하나 이상의 메사들(118) 각각은 2개 이상의 밸리들(119) 사이에 형성된다. 하나 이상의 밸리들(119) 각각은 하나 이상의 메사들(118) 각각 사이의 지지 표면(152)으로부터 재료를 제거함으로써 형성될 수 있다.
[0019] 전극(120) 및 접지 플레이트(122)가 지지 바디(150) 내에 배치된다. 전극(120)의 하나 이상의 부분들은 지지 표면(152)에 실질적으로 수직인 평면에 배치된다. 접지 플레이트(122)의 하나 이상의 부분들(예컨대, 접지 평면 부분들)(123)이 또한 평면에 배치된다. 즉, 전극(120)의 하나 이상의 부분들과 접지 플레이트(122)의 하나 이상의 부분들(123)이 개재되어 평면에 걸쳐 교번한다. 위에서 논의된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 일 실시예에서, 전극(120)과 접지 플레이트(122)는 교번하고 동일 평면 상에 있다. 위에서 논의된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예에서는, 전극(120)과 접지 플레이트(122)는 서로 맞물리고 동일 평면 상에 있다. 일 실시예에서, 전극(120)은 (예컨대, 동축 구조로) 접지 부분들(123)에 의해 둘러싸인다. 하나 이상의 다른 실시예들에서, 전극(120)은 (예컨대, 동축 구조로) 접지 부분들(123)에 의해 둘러싸이는 동안 RF 전력 및 고전압 DC 전력과 결합된다.
[0020] 도 1a에 예시된 바와 같이, 전극(120)은 단극성이다. 위에서 논의된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에서, 전극(120)은 도 1b에 예시된 바와 같이 양극성이다. 전극(120)의 하나 이상의 부분들 각각은 하나 이상의 메사들(118) 중 하나와 수직으로 정렬된다. 즉, 전극(120)의 하나 이상의 부분들 각각은 하나 이상의 메사들(118) 중 하나와 챔버 바디(102)의 최하부(156) 사이에 배치된다. 접지 플레이트(122)의 하나 이상의 부분들(123) 각각은 하나 이상의 밸리들(119) 중 하나와 정렬된다.
[0021] 전극(120)의 하나 이상의 부분들 각각은 복수의 RF(radio frequency) 점퍼 리드(jumper lead)들(132) 중 하나에 결합된다. 각각의 RF 점퍼 리드(132)는 하나 이상의 RF 리드들(126)에 결합된다. RF 리드들(126)은 RF 전원(146)에 결합된다. RF 전원(146)은 전극(120)의 하나 이상의 부분들에 RF 전력을 제공한다.
[0022] 일 실시예에서, 전극(120)은 복수의 전극들(또는 전극 부분들)을 포함한다. 추가로, 접지 플레이트(122)는 복수의 접지 플레이트들(122)을 포함한다. 전극들(120) 각각은 RF 전력뿐만 아니라 DC 전원으로부터의 척킹 전압을 RF 전원(146) 및 전원(144)으로부터 각각 수신하도록 구성된다. 전극들(120)은 RF 점퍼 리드들(132)과 서로 맞물린다. RF 점퍼 리드들(132) 각각은 접지 플레이트(122)(예컨대, (예컨대, 동축 구조 내의) 접지 부분들(123))와 동축으로 정렬된다. RF 전력이 (기판 지지부(116)의 최상부 또는 최하부로부터) 기판 지지부(116)에 인가될 때, 대칭적인 접지 리턴 경로가 접지 플레이트(122)에 의해 제공된다. 이는 양호한 막 균일성을 제공하고 그리고/또는 기판 지지부(116) 아래의 스트레이 플라즈마 형성의 아킹을 최소화한다.
[0023] 전극(120)의 하나 이상의 부분들에 인가되는 DC 전력은 지지 표면(152) 상에 기판을 유지하기 위한 정전기력의 생성을 가능하게 한다. 즉, 기판이 지지 표면(152) 상에 로딩된 후에 그리고 프로세싱 동안 전극(120)의 하나 이상의 부분들에 RF 전력이 제공될 수 있다.
[0024] 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)이 지지 바디(150)에 배치된다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 저항성 가열기일 수 있다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 나선형 코일일 수 있거나 지지 바디(150)의 중심으로부터 반경 방향 외측으로 연장될 수 있다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 하나 이상의 가열기 전력 리드들(136)을 통해 전원(144)에 결합된다. 위에서 설명된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 전원(144)은 DC(direct current) 전원이다. 위에서 설명된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 지지 바디(150)의 다중 구역 가열 엘리먼트들이다. 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 접지 플레이트(122)의 평면과 실질적으로 평행한 평면에 그리고 접지 플레이트(122)의 평면 아래에 배열된다. 그러나 다른 구성들이 또한 고려된다.
[0025] 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 접지 차폐 어셈블리(160)로 둘러싸인다. 접지 차폐 어셈블리(160)는 제1 부재(162), 제2 부재(164) 및 제3 부재(166)를 포함한다. 부재들(162, 164, 166) 각각은 예를 들어, 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124) 주위에 패러데이 케이지(faraday cage)의 구성을 가능하게 하도록, 다른 전기 전도성 재료들 중에서도 전기 전도성 메시, 와이어 또는 시트일 수 있다. 제3 부재(166)는 제1 부재(162)에 대향하여 배치된다. 제3 부재(166)는 제1 부재(162) 및 제2 부재(164)에 실질적으로 평행하거나 또는 실질적으로 수직일 수 있는 하나 이상의 섹션들을 포함할 수 있다.
[0026] 접지 플레이트(122)의 하나 이상의 부분들(123) 각각은 하나 이상의 접지 점퍼들(138)을 통해 공통 접지(140)에 결합된다. 공통 접지(140)는 제1 부재(162)의 적어도 일부와 동일 평면 상에 있다. 접지 점퍼들(138) 중 하나 이상은 제1 부재(162)에 직접 결합될 수 있다. 제1 부재(162) 및 제3 부재(166)는 하나 이상의 접지 리드들(134)을 통해 접지에 직접 결합된다.
[0027] 접지 차폐 어셈블리(160)의 제1 부재(162)는 제2 부재(164)와 접지 리드(134)에 직접 결합되며 그 사이에서 연장된다. 제2 부재(164)는 제1 부재(162)와 제3 부재(166)에 결합되며 그 사이에서 연장된다. 제3 부재(166)는 제2 부재(164)와 접지 리드(134)에 결합되며 그 사이에서 연장된다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 제1 부재(162)와 제3 부재(166) 사이에 그리고 제2 부재(164)와 접지 리드(134) 사이에 배치된다. 제3 부재(166)는 기판 지지부(116)의 바디(150) 내에 배치된다. 위에서 설명된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제3 부재(166)는 기판 지지부(116)의 바디(150)의 최하부 표면(128) 외부에 그리고 그 최하부 표면(128)을 따라 배치된다.
[0028] 위에서 설명된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 부재(162), 제2 부재(164), 제3 부재(166) 및 접지 리드(134) 중 하나 이상은 케이블 또는 와이어와 같은 가요성 전도체이다. 위에서 설명된 하나 이상의 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에서, 제1 부재(162), 제2 부재(164), 제3 부재(166) 및 접지 리드(134) 중 하나 이상은 강성 전도체이다.
[0029] 동작 시에, 하나 이상의 가스들이 가스 소스(108)로부터 프로세스 볼륨(114)으로 제공된다. 가스는 덮개(104)의 포트(106)를 통해 그리고 샤워헤드(110)의 개구들(112)을 통해 유동한다. DC 전력이 전원(144)을 통해 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)에 공급된다. 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124)은 기판 지지부(116), 및 지지 표면(152) 상에 배치된 기판을 프로세스 온도까지 가열한다.
[0030] RF 전력이 RF 전원(146)을 통해 전극(120)에 공급된다. RF 전력은 프로세스 볼륨(114) 내의 가스를 활성화하고, 프로세스 볼륨(114) 내에 플라즈마를 생성한다. 플라즈마는 기판 상에 재료를 증착하는 데 사용된다. RF 전력은 RF 전원(146)으로 리턴하는 경향이 있다. 그러나 RF 리턴 전류는 프로세스 챔버(100)의 다른 컴포넌트들, 이를테면 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124) 및 그에 연결된 전원(144)으로 이동하여, 그러한 컴포넌트들 중 하나 이상에 대한 손상을 야기할 수 있다.
[0031] 접지 차폐 어셈블리(160)는 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124) 주위에 격자형 구조를 생성하고, 하나 이상의 가열 엘리먼트들(124), 가열기 전력 리드들(136) 및 전원(144)으로 이동하는 RF 리턴 전류의 발생을 실질적으로 감소시킨다. 즉, 접지 차폐 어셈블리(160)는 지지 바디(150)를 통해 이동하는 임의의 RF 전류가 접지 차폐 어셈블리(160)에서 유도되어 접지로 지향되도록 접지까지의 저 임피던스 경로를 제공한다.
[0032] 일부 실시예들에서, 접지 차폐 어셈블리(160)는 (도 1b에 도시된) 하나 이상의 접지 스트랩(strap)들(168)을 통해 챔버 바디(102)에 결합된다. 그 경우, 챔버 바디(102)는 접지에 결합된다. 접지 스트랩들(168)은 접지 차폐 어셈블리(160)를 통해 이동하는 임의의 RF 전류에 대해 저 임피던스 접지 경로를 제공한다.
[0033] 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 접지 플레이트(122)의 개략적인 평면도를 예시한다. 접지 플레이트(122)는 접지 플레이트(122)를 관통하여 형성된 복수의 홀들(202)을 포함한다. 즉, 복수의 홀들(202) 각각은 접지 플레이트(122)의 부분(204)으로 둘러싸인다.
[0034] 동작 시에, 도 1a 및 도 1b와 관련하여 논의된 전극(120)과 같은 전극의 부분들은, 전극(120)이 접지 플레이트(122)와 동일 평면 상에 있도록 홀들(202)에 포지셔닝된다. 전극(120)의 부분들 및 접지 플레이트(122)는, 전극(120)의 부분들이 접지 플레이트(122)와 접촉하지 않도록 (도시되지 않은) 공간에 의해 분리된다. 홀들(202) 각각은 기판 지지부의 메사, 이를테면 도 1a 및 도 1b와 관련하여 논의된 메사들(118) 및 기판 지지부(116)와 정렬된다.
[0035] 일부 실시예들에서, 전극(120)의 부분들은 접지 플레이트(122) 위에 포지셔닝된다. 이런 식으로, 접지 플레이트(122)(및 접지 차폐 어셈블리(160))에 의해 전극(120)이 션트(shunt)됨으로써 생성되는 전기장의 발생이 실질적으로 감소된다. 전극(120)이 접지 플레이트(122) 아래에 포지셔닝된다면, 전기장은 션트될 것이다.
[0036] 도 3은 일부 실시예들에 따른 기판 지지부를 형성하기 위한 방법(300)이다. 이 방법(300)은 동작(302)에서 시작되며, 여기서 제1 접지 평면이 예를 들어, 적층 제조 또는 스크린 인쇄를 통해 제1 세라믹 시트의 최상부 표면 상에 인쇄된다. 접지 평면은 전도성 재료로 제작될 수 있다. 동작(304)에서, 제1 세트의 비아들이 제1 세라믹 시트에 형성된다.
[0037] 동작(306)에서, 가열기 전극이 제2 세라믹 시트의 최상부 표면 상에 인쇄된다. 가열기 전극은 전도성 재료로 제작될 수 있다. 동작(308)에서, 제2 세트의 비아들이 제2 세라믹 시트에 형성된다. 제2 비아들은 제1 비아들과 수직으로 정렬된다. 동작(310)에서, 제2 접지 평면이 제3 세라믹 시트의 최상부 표면 상에 인쇄된다. 동작(312)에서, 제3 세트의 비아들이 제3 세라믹 시트에 형성된다. 제3 비아들은 제1 비아들과 수직으로 정렬된다.
[0038] 동작(314)에서, 제3 접지 평면 및 RF 전극이 제4 세라믹 시트의 최상부 표면 상에 인쇄된다. 제3 접지 평면과 RF 전극은 적어도 부분적으로 동일 평면 상에 있다. 동작(316)에서, 제4 세트의 비아들이 제4 세라믹 시트에 형성된다. 제4 비아들은 제1 비아들과 수직으로 정렬된다. 동작(318)에서, 기판 지지부의 바디를 형성하도록 제5 세라믹 시트가 제1 시트의 최상부 표면 상에 포지셔닝된다. 세라믹 시트들 각각은 알루미늄 질화물과 같은 세라믹 함유 재료로 제작될 수 있다.
[0039] 전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 세라믹 바디;
    상기 세라믹 바디에 배치된 전극;
    상기 전극과 동축 구조를 생성하는 접지 차폐 어셈블리 ― 상기 접지 차폐 어셈블리는 상기 세라믹 바디에 배치되고, 상기 접지 차폐 어셈블리는 하나 이상의 전기 전도성 엘리먼트들로 형성됨 ―; 및
    상기 접지 차폐 어셈블리 내에 배치된 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 바디에 배치된 접지 플레이트를 더 포함하며,
    상기 접지 플레이트의 적어도 일부는 상기 전극과 동일 평면 상에 있는,
    기판 지지부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는:
    하나 이상의 접지 리드(lead)들;
    상기 하나 이상의 접지 리드들에 대향하는 제1 전도성 부재;
    상기 하나 이상의 접지 리드들과 상기 제1 전도성 부재 사이에서 연장되는 제2 전도성 부재; 및
    상기 제2 전도성 부재에 대향하며 상기 하나 이상의 접지 리드들과 상기 제1 전도성 부재 사이에서 연장되는 제3 전도성 부재를 포함하는,
    기판 지지부.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 부재는 상기 하나 이상의 접지 리드들의 반경 방향 외측에 있고, 상기 제1 전도성 부재는 상기 제2 전도성 부재로부터 상기 제3 전도성 부재까지 연장되는,
    기판 지지부.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는:
    하나 이상의 접지 리드들;
    상기 하나 이상의 접지 리드들에 적어도 부분적으로 실질적으로 평행한 복수의 제1 전도성 부재들 ― 상기 복수의 제1 전도성 부재들은 상기 하나 이상의 접지 리드들의 반경 방향 외측에 배치됨 ―;
    상기 하나 이상의 접지 리드들과 상기 복수의 제1 전도성 부재들 사이에서 연장되는 복수의 제2 전도성 부재들; 및
    상기 복수의 제2 전도성 부재들에 대향하며 상기 하나 이상의 접지 리드들과 상기 복수의 제1 전도성 부재들 사이에서 연장되는 복수의 제3 전도성 부재들을 포함하는,
    기판 지지부.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는 상기 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 둘러싸는 격자 구조를 형성하는,
    기판 지지부.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 격자 구조는 패러데이 케이지(Faraday cage)인,
    기판 지지부.
  8. 제1 표면 및 상기 제1 표면 반대편의 제2 표면을 갖는 바디 ― 상기 제1 표면은 복수의 메사(mesa)들 및 복수의 밸리(valley)들을 포함하고, 상기 복수의 밸리들 각각은 상기 복수의 메사들 중 적어도 2개의 메사들 사이에 배치됨 ―;
    상기 바디에 배치된 전극 ― 상기 전극의 복수의 부분들 각각은 상기 복수의 메사들 중 하나와 정렬됨 ―;
    상기 바디에 배치된 접지 차폐 어셈블리 ― 상기 접지 차폐 어셈블리는 격자 구조를 형성함 ―; 및
    상기 바디에 배치되고 상기 접지 차폐 어셈블리에 의해 둘러싸인 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    기판 지지부.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는:
    하나 이상의 접지 리드들;
    상기 하나 이상의 접지 리드들에 대향하며 상기 하나 이상의 접지 리드들의 반경 방향 외측에 있는 복수의 제1 부재들;
    복수의 제2 부재들 ― 상기 복수의 제2 부재들 각각은 상기 하나 이상의 접지 리드들로부터 상기 복수의 제1 부재들까지 연장됨 ―; 및
    상기 복수의 제2 부재들에 대향하는 복수의 제3 부재들을 포함하며,
    상기 복수의 제3 부재들 각각은 상기 하나 이상의 접지 리드들로부터 상기 복수의 제1 부재들까지 연장되는,
    기판 지지부.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리의 임피던스는 상기 전극에 결합된 하나 이상의 전력 리드들의 임피던스 미만인,
    기판 지지부.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 전극은 단극성인,
    기판 지지부.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 전극은 양극성인,
    기판 지지부.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 바디에 배치되며 상기 접지 차폐 어셈블리에 결합되는 접지 플레이트를 더 포함하며,
    상기 접지 플레이트와 상기 전극은 동일 평면 상에 있는,
    기판 지지부.
  14. 내부에 프로세스 볼륨을 한정하는 챔버 바디 및 덮개;
    상기 프로세스 볼륨에 배치되며 상기 덮개에 결합되는 샤워헤드;
    상기 덮개 반대편의 상기 챔버 바디의 최하부로부터 연장되는 스템(stem); 및
    상기 프로세스 볼륨 내에서 상기 스템 상에 배치된 기판 지지부를 포함하며,
    상기 기판 지지부는:
    바디;
    상기 바디에 배치된 전극;
    상기 바디에 배치된 접지 차폐 어셈블리; 및
    상기 접지 차폐 어셈블리 내에 배치된 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    프로세스 챔버.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 바디에 배치된 접지 플레이트를 더 포함하며,
    상기 접지 플레이트의 적어도 일부는 상기 전극과 동일 평면 상에 있는,
    프로세스 챔버.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는:
    하나 이상의 접지 리드들;
    상기 하나 이상의 접지 리드들에 대향하며 상기 하나 이상의 접지 리드들의 반경 방향 외측에 있는 제1 부재;
    상기 하나 이상의 접지 리드들로부터 상기 제1 부재까지 연장되는 제2 부재; 및
    상기 하나 이상의 접지 리드들로부터 상기 제1 부재까지 연장되며 상기 제2 부재에 대향하는 제3 부재를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가열 엘리먼트들은 상기 접지 차폐 어셈블리 내에 둘러싸이는,
    프로세스 챔버.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 부재는 상기 제2 부재로부터 상기 제3 부재까지 연장되는,
    프로세스 챔버.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는:
    복수의 제1 부재들;
    복수의 제2 부재들; 및
    복수의 제3 부재들을 포함하는,
    프로세스 챔버.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 접지 차폐 어셈블리는 상기 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 둘러싸는 격자 구조를 형성하는,
    프로세스 챔버.
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