KR20220029590A - 화합물, 폴리머 및 유기 재료, 및 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치 - Google Patents

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히사야 하라
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Abstract

유기 재료의 고기능화를 실현할 수 있는 화합물을 제공하는 것. 본 기술은 하기 일반식(1)로 표현되는 화합물을 제공한다.
Figure pct00053

일반식(1) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. R1∼R3은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다.

Description

화합물, 폴리머 및 유기 재료, 및 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치
본 기술은 화합물, 폴리머 및 유기 재료, 및 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
고기능성 유기 재료는, 무기 재료와 비교하여 설계 자유도나 내충격성이 우수하고, 경량인 점에서, 유기 박막이나 유기 렌즈, 홀로그램 등의 광학 재료에의 응용 검토가 현재 활발하게 행해지고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에서는, 디벤조티오펜 골격을 갖는 화합물을 사용하여 물품의 굴절률을 부여하는 방법이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 2에서는, 디나프토티오펜 골격을 갖는 화합물을 포함하는 굴절률 향상제가 제안되어 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개 제2011-162584호 공보 특허문헌 2: 일본특허공개 제2011-178985호 공보
그러나, 유기 재료에 있어서는, 추가적인 고기능화가 요구되고 있다. 이에, 본 기술은, 유기 재료의 추가적인 고기능화를 실현할 수 있는 화합물 및 폴리머, 및 고기능성을 갖는 유기 재료, 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치를 제공하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명자들은, 상술한 과제를 해결하기 위해 면밀히 연구를 행한 결과, 고기능화를 실현할 수 있는 화합물 및 폴리머, 및 고기능성을 갖는 유기 재료, 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치의 개발에 성공하여, 본 기술을 완성하는 것에 이르렀다.
즉, 본 기술은 하기 일반식(1)로 표현되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pct00001
일반식(1) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. X1이 산소 원자인 경우, a는 0이며, X1이 질소 원자 또는 인 원자인 경우, a는 1이며, X1이 탄소 원자 또는 규소 원자인 경우, a는 2이다.
Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. Y1 또는 Y2가 벤젠환인 경우, 상기 벤젠환인 Y1 또는 Y2에 대응하는 b 또는 c는 4이다. Y1 및/또는 Y2가 나프탈렌환인 경우, 상기 나프탈렌환인 Y1 및/또는 Y2에 대응하는 b 및/또는 c는 6이다.
R1∼R3은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1∼R3이 각각 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1∼R3은 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R1∼R3이 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
상기 일반식(1)의 X1은 질소 원자이어도 된다.
또한, 상기 화합물은, 하기 일반식(1-1)로 표현되는 화합물이어도 된다.
[화학식 2]
Figure pct00002
일반식(1-1) 중, R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 서로 동일해도 달라도 된다. 단, 일반식(1-1) 중의 R1, R21∼R26, 및 R31∼R36이 모두 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1-1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
단, R1이 *-CH=CH2이며, R21∼R26 및 R31∼R36이 모두 수소인 것을 제외한다.
본 기술은 상기 화합물을 함유하는 유기 재료도 제공한다.
해당 유기 재료는, 유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램이어도 된다.
또한, 해당 유기 재료는, 유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물이어도 된다.
본 기술은 상기 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 폴리머도 제공한다.
또한, 본 기술은, 상기 화합물과, 그 밖의 중합성 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 공중합 폴리머도 제공한다.
나아가, 본 기술은, 상기 폴리머를 함유하는 유기 재료도 제공한다.
해당 유기 재료는, 유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램이어도 된다.
또한, 해당 유기 재료는, 유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물이어도 된다.
본 기술은, 상기 유기 재료를 포함하는 광학 장치도 제공한다.
또한, 본 기술은, 상기 유기 재료를 포함하는 광학 부품도 제공한다.
나아가, 본 기술은, 상기 유기 재료를 포함하는 화상 표시 장치도 제공한다.
본 기술은, 상기 화합물과, 라디칼 중합성 모노머를 함유하는 조성물도 제공한다.
해당 라디칼 중합성 모노머는, 카르바졸계 모노머, 디나프토티오펜계 모노머, 플루오렌계 모노머, 디벤조푸란계 모노머로부터 선택되는 1종 이상이어도 된다.
본 기술에 의하면, 유기 재료의 추가적인 고기능화가 실현될 수 있다.
도 1은 본 기술의 일 실시형태에 따른 홀로그램 기록 매체의 일례를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 본 기술을 실시하기 위한 바람직한 형태에 대해 설명한다. 한편, 이하에 설명하는 실시형태는, 본 기술의 대표적인 실시형태를 나타낸 것으로, 본 기술의 범위가 이들 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 기술의 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 본 기술의 개요
2. 제1 실시형태(화합물의 예)
3. 제2 실시형태(폴리머의 예)
4. 제3 실시형태(유기 재료의 예)
4-1. 유기 박막 및 유기 박막용 조성물
4-2. 유기 렌즈 및 유기 렌즈용 조성물
4-3. 홀로그램 기록용 조성물, 홀로그램 기록 매체 및 홀로그램
5. 제4 실시형태(광학 장치의 예) 및 제5 실시형태(광학 부품의 예)
6. 제6 실시형태(화상 표시 장치의 예)
7. 제7 실시형태(조성물의 예)
<1. 본 기술의 개요>
먼저, 본 기술의 개요에 대해 설명한다.
본 기술은 화합물, 폴리머 및 유기 재료, 및 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.
유기 화합물 및 폴리머는, 예를 들면 굴절률이 1.5를 초과하면 고굴절률 재료라고 불린다. 그러나, 고굴절률을 갖는 화합물을 광학 재료에 응용하는 경우에는, 하기와 같은 사실이 존재한다.
·유기 용제에 대한 용해성이 낮아, 용액을 사용한 막 형성이 곤란하다.
·수지와의 상용성(相溶性)이 나쁘고, 혼합물 중의 화합물 농도를 크게 할 수 없다.
·일부 화합물은 착색되어 있어, 투명 박막이나 렌즈에의 응용에 적합하지 않다.
이상과 같이, 고기능성, 예를 들면, 높은 굴절률을 가지며, 투명성이나 유기 용제에 대한 용해성도 양호한 화합물이 요구되고 있다. 본 발명자들은, 면밀히 검토한 결과, 특정 골격을 가지며, 또한 중합성 치환기를 갖는 유기 화합물이, 높은 굴절률을 가지며, 투명성이나 유기 용제에 대한 용해성도 양호한 것을 발견하였다.
<2. 제1 실시형태(화합물의 예)>
본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은, 하기 일반식(1)로 표현되는 화합물이다. 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은, 유기 재료의 추가적인 고기능화를 실현할 수 있다. 즉, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은, 높은 굴절률을 가지며, 투명성이나 유기 용제에 대한 용해성도 양호하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
일반식(1) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. X1이 산소 원자인 경우, a는 0이며, X1이 질소 원자 또는 인 원자인 경우, a는 1이며, X1이 탄소 원자 또는 규소 원자인 경우, a는 2이다.
Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. Y1 또는 Y2가 벤젠환인 경우, 상기 벤젠환인 Y1 또는 Y2에 대응하는 b 또는 c는 4이다. Y1 및/또는 Y2가 나프탈렌환인 경우, 상기 나프탈렌환인 Y1 및/또는 Y2에 대응하는 b 및/또는 c는 6이다.
R1∼R3은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1∼R3이 각각 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1∼R3은 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R1∼R3이 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
상기 일반식(1)에 있어서, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. 또한, 상기 이외의 14족 원소, 15족 원소 및 16족 원소(단, 전이 금속을 제외함)에 있어서도, 본 기술의 효과를 기대할 수 있다고 생각된다.
상기 원자 중에서도, 화합물의 합성의 용이성의 측면에서 유기 화합물의 대표적인 원소인 산소 원자, 질소 원자, 탄소 원자가 바람직하고, 각각의 원자 굴절은, 산소 원자: 1.6∼2.2, 질소 원자: 3.5∼4.4, 탄소 원자: 1.7∼2.4이다(광학, 제44권 제8호, 2015년, p298-303). 본 실시형태에 있어서, 굴절률이 높은 화합물을 얻는 관점에서, 일반식(1)의 X1은 원자 굴절의 값이 높은 질소 원자인 것이 바람직하다.
즉, 본 실시형태의 화합물은 이하의 구조를 가질 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
일반식(2-1)∼(2-5) 중, Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. Y1 또는 Y2가 벤젠환인 경우, 상기 벤젠환인 Y1 또는 Y2에 대응하는 b 또는 c는 4이다. Y1 및/또는 Y2가 나프탈렌환인 경우, 상기 나프탈렌환인 Y1 및/또는 Y2에 대응하는 b 및/또는 c는 6이다.
R1, R2, R3, R11 및 R12는 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄) 로 표현되는 치환기이다. R1∼R3이 각각 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1∼R3은 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(2-1)∼(2-5) 중의 R1, R2, R3, R11 및 R12의 모두가 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(2-1)∼(2-5) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
또한, 상기 일반식(1)에 있어서, Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다.
페닐(C6H5) 및 나프틸(C10H7)의 분자 굴절은, 페닐(C6H5): 25.5, 나프틸(C10H7): 43.3이다(광학, 제44권 제8호, 2015년, p298-303). 본 실시형태에 있어서, 굴절률이 높은 화합물을 얻는 관점에서, Y1 및 Y2는 각각 분자 굴절의 값이 높은 나프탈렌환인 것이 바람직하다.
즉, 본 실시형태의 화합물은 이하의 구조를 가질 수 있다.
[화학식 5]
Figure pct00005
[화학식 6]
Figure pct00006
일반식(3-1)∼(3-3) 및 (4-1)∼(4-6) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. X1이 산소 원자인 경우, a는 0이며, X1이 질소 원자 또는 인 원자인 경우, a는 1이며, X1이 탄소 원자 또는 규소 원자인 경우, a는 2이다.
R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 서로 동일해도 달라도 된다. 또한, R1이 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1은 서로 동일해도 달라도 된다. 단, 일반식(3-1)∼(3-3) 및 (4-1)∼(4-6) 중의 R1, R21∼R26, 및 R31∼R36이 모두 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(3-1)∼(3-3) 및 (4-1)∼(4-6) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
상기 일반식(1)에 있어서, Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타낸다. 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다.
Z1이 2가 이상의 포화 탄화수소기인 경우, 해당 포화 탄화수소기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 치환 또는 무치환의 탄화수소기이어도 된다. 일반적으로, 유기 화합물은 단순 탄소사슬 수가 길수록 용해도를 얻기 쉬운 경향이 있지만, 한편 단순 탄소사슬 수가 길수록 굴절률이 낮아지는 경향이 있다. 그 때문에, 해당 포화 탄화수소기는 단순 탄소사슬 수가 1∼15인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하다.
또한, Z1이 2가 이상의 불포화 탄화수소기인 경우, 해당 불포화 탄화수소기는, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 치환 또는 무치환의 탄화수소기 또는 방향족기이어도 된다. 해당 불포화 탄화수소기는 단순 탄소사슬 수가 1∼15인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하다. 해당 불포화 탄화수소기가 방향족기를 포함하는 경우, 해당 방향족기는 하기 화학식(5-1)∼(5-8)로 표현되는 치환 또는 무치환의 2가 이상의 방향족기인 것이 바람직하다. 벤젠환이 4개 이상 직선상으로 이어지면, 가시광 영역에 흡수를 가지며, 색을 가지도록 되기 때문에, 투명성의 관점에서 바람직하지 않은 경우가 있다. 그 때문에, 해당 방향족기는, 벤젠환이 4개 이상 직선상으로 배열되어 있지 않은 구조인 것이 바람직하고, 직선 형상으로서는 벤젠환, 나프탈렌환 또는 안트라센환까지인 것이 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
상기 일반식(1)에 있어서, R4가 나타내는 중합성 치환기로서는, 중합성의 불포화기를 갖는 것, 또는 반응 활성인 치환기를 갖는 것을 들 수 있다. 중합성의 불포화기를 갖는 것으로서는, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 아크릴아미드기, 메타크릴아미드기, 시아노아크릴레이트기, 시아노메타크릴레이트기, 비닐에테르기, 시안화 비닐기, 니트로화 비닐기, 공액 폴리엔기, 할로겐화 비닐기, 비닐 케톤기, 스티릴기 등을 들 수 있다. 반응 활성인 치환기를 갖는 것으로서는, 에폭시기, 옥세탄기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 산무수물기, 산 할라이드기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.
상기 일반식(1)에 있어서, X1이 질소 원자이며, 또한, Y1 및 Y2가 각각 나프탈렌환인 것이 바람직하다. 즉, 상기 화합물은, 하기 일반식(1-1)로 표현되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
일반식(1-1) 중, R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 서로 동일해도 달라도 된다. 단, R1, R21∼R26, 및 R31∼R36이 모두 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1-1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
단, R1이 *-CH=CH2이며, R21∼R26 및 R31∼R36이 모두 수소인 것을 제외한다.
일반식(1-1)에 있어서, R1이 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이며, R21∼R26 및 R31∼R36이 수소인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 화합물에 있어서, 바람직한 단관능 및 다관능(2관능) 모노머의 예시 화합물의 화학 구조식은 이하와 같다.
[화학식 9]
Figure pct00009
[화학식 10]
Figure pct00010
[화학식 11]
Figure pct00011
[화학식 12]
Figure pct00012
[화학식 13]
Figure pct00013
[화학식 14]
Figure pct00014
[화학식 15]
Figure pct00015
[화학식 16]
Figure pct00016
[화학식 17]
Figure pct00017
본 실시형태의 화합물의 굴절률은, 바람직하게는 1.60 이상이며, 보다 바람직하게는 1.65 이상이며, 더욱 바람직하게는 1.70 이상이다. 한편, 제1 실시형태의 화합물의 굴절률은, 예를 들면 1.80 이하인데, 1.80 초과이어도 된다.
한편, 굴절률은 임계각법 또는 분광 엘립소메트리법(spectroscopic ellipsometry method)으로 측정할 수 있다. 예를 들면, 임계각법에 있어서는, 에르마 판매 주식회사제 아베 굴절률계 ER-1을 사용하여 측정할 수 있다(측정 파장은 가시광 영역에서, 486nm, 589nm, 656nm 등을 사용하여 측정한다).
<3. 제2 실시형태(폴리머의 예)>
본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머는, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 폴리머이다.
본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은, 단관능 모노머 또는 다관능(2관능) 모노머이기 때문에, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물을 중합시켜, 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머를 제작할 수 있다. 한편, 중합물의 굴절률, 경화도 및 점도 등의 물성을 조정하기 위해, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물과, 그 밖의 중합성 화합물을 공중합시켜도 된다. 즉, 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머는, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물과, 그 밖의 중합성 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 공중합 폴리머이어도 된다.
본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머는, 유기 재료의 추가적인 고기능화를 실현할 수 있다. 즉, 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머는, 높은 굴절률을 가지며, 투명성이나 유기 용제에 대한 용해성도 양호하다.
<4. 제3 실시형태(유기 재료의 예)>
본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료는, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물을 함유하거나, 또는 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머를 함유하는 재료이다.
본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료는, 예를 들면, 유기 박막, 유기 렌즈, 홀로그램, 유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물, 홀로그램 기록용 조성물 등을 들 수 있다. 이하에, 유기 박막 및 유기 박막용 조성물, 유기 렌즈 및 유기 렌즈용 조성물 및 홀로그램 및 홀로그램 기록용 조성물에 대해 상세하게 설명한다.
[4-1. 유기 박막 및 유기 박막용 조성물]
본 실시형태의 유기 박막용 조성물은, 적어도, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물을 함유한다. 해당 유기 박막은, 유기 박막용 조성물에 광 조사나 가열 등의 중합 처리를 실시함으로써 얻을 수 있다. 즉, 유기 박막은 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머를 함유한다. 유기 박막은, 이른바 폴리머 필름이며, 액정 표시 장치(이하, LCD(Liquid Crystal Display)라고도 함) 등의 플랫 패널 디스플레이에는, 통상, 1층 이상 포함되어 있다.
유기 박막은, 예를 들면, LCD에 있어서의 보호 필름, 반사 방지 필름을 구성하는 층 등으로서, 플랫 패널 디스플레이에 포함된다. 또한, 플랫 패널 디스플레이 이외에도, 표면의 보호나 반사 방지 등을 필요로 하는 각종 분야에 있어서, 유기 박막은 널리 사용되고 있다.
본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은 높은 굴절률을 가지며, 투명성이나 유기 용제에 대한 용해성도 양호하므로, 고굴절률 표면을 갖는 유기 박막(예를 들면, 굴절률 경사 필름)에 사용할 수 있다. 고굴절률 표면을 갖는 유기 박막(예를 들면, 굴절률 경사 필름)을 얻기 위해서는, 굴절률이 1.60 이상인 제1 실시형태의 화합물의 폴리머를, 유기 박막(폴리머 필름)의 일방의 표면측(고굴절률 표면측)의 표층부에 국지화시키는 것이 바람직하다. 또한, 제1 실시형태의 화합물로서는, 다른 2종 이상을 임의의 비율로 혼합하여 사용할 수도 있다.
[4-2. 유기 렌즈 및 유기 렌즈용 조성물]
본 실시형태의 유기 렌즈용 조성물은, 적어도, 본 기술에 따른 제1 화합물을 함유한다. 해당 유기 렌즈는, 유기 렌즈용 조성물에 광 조사나 가열 등의 중합 처리를 실시함으로써 얻을 수 있다. 즉, 유기 렌즈는, 본 기술에 따른 제2 실시형태의 폴리머를 함유한다.
유기 렌즈는, 무기 재료에 비해 경량이며, 깨지기 어렵고, 가공하기 쉽다고 하는 이점이 있어, 유기 렌즈는 안경이나 카메라용으로서 사용된다. 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물은 높은 굴절률을 가지며, 투명성도 양호하므로, 유기 렌즈로서 사용하는 경우에, 유리보다 렌즈의 두께를 얇게 할 수 있는 등, 광학 용도에서의 편리성이 우수하다고 하는 이점이 있다.
[4-3. 홀로그램 기록용 조성물, 홀로그램 기록 매체 및 홀로그램]
(4-3-1. 홀로그램 기록용 조성물)
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물은, 광중합성 모노머와, 광중합 개시제와, 바인더 수지와, 중합 금지제를 적어도 포함하는 조성물이다. 해당 광중합성 모노머로서, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 해당 광중합성 모노머로서, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물 이외의 라디칼 중합성 모노머를 포함해도 된다.
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물은 고기능성을 가지며, 예를 들면, 높은 굴절률 변조량(Δn)을 가지며, 우수한 회절 특성의 효과가 나타난다.
본 실시형태의 광중합성 모노머로서, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물 이외의 모노머가 사용되는 경우에는, 임의의 광중합성 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들면, 단관능 또는 다관능의 카르바졸계 모노머, 디나프토티오펜계 모노머, 플루오렌계 모노머, 디벤조푸란계 모노머 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물에 포함되는 광중합 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 임의의 광중합 개시제를 사용할 수 있지만, 바람직하게는, 이미다졸계, 비스이미다졸계, N-아릴글리신계, 유기 아지드 화합물계, 유기 붕소 화합물계, 티타노센류계, 알루미네이트 착체계, 유기 과산화물계, N-알콕시피리디늄염계, 티오잔톤 유도체계, 술폰산 에스테르계, 이미드 술포네이트계, 디알킬-4-히드록시 술포늄염계, 아릴 술폰산-p-니트로벤질 에스테르계, 실라놀-알루미늄 착체계, (η6-벤젠)(η5-시클로펜타디에닐)철(II)계, 케톤계, 디아릴요오도늄염계, 디아릴요오도늄 유기 붕소 착체계, 방향족 술포늄염계, 방향족 디아조늄염계, 방향족 포스포늄염계, 트리아진 화합물계, 철 아렌 착체계 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 라디칼 중합 개시제(라디칼 발생제) 또는 양이온 중합 개시제(산 발생제), 또는 그 양쪽 모두의 기능을 갖는 것을 들 수 있다. 또한, 해당 광중합 개시제로서, 음이온 중합 개시제(염기 발생제)를 사용해도 된다.
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물에 포함되는 바인더 수지로서는, 특별히 한정되지 않고, 임의의 바인더 수지를 사용할 수 있지만, 아세트산비닐계 수지인 것이 바람직하고, 폴리아세트산비닐 또는 그 가수분해물이 바람직하게 사용되고, 또한, 아크릴계 수지가 바람직하고, 폴리(메타)아크릴산 에스테르 또는 그 부분 가수분해물이 바람직하게 사용된다.
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물에 포함되는 중합 금지제로서는, 특별히 한정되지 않고, 임의의 중합 금지제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 히드로퀴논 등의 퀴논계 화합물; 힌더드 페놀계 화합물; 벤조트리아졸 화합물; 페노티아진 등의 티아진계 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물은, 나아가, 무기 미립자, 가소제, 증감 색소, 연쇄 이동제, 용매 등을 포함해도 된다.
한편, 증감 색소는, 가시광 영역에 흡수를 갖는 색소, 및 UV 조사 시의 광 효율을 향상시킬 목적으로 첨가하는 UV 증감 색소(안트라센 화합물 등) 중 어느 하나 또는 그 양쪽 모두를 포함하고 있어도 된다. 또한, 증감 색소는 1종뿐이어도 되고, 복수의 파장에 대응하기 위해 복수 종의 증감 색소를 사용해도 된다.
(4-3-2. 홀로그램 기록용 조성물의 제조 방법)
본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물은, 광중합성 모노머와, 광중합 개시제와, 바인더 수지와, 중합 금지제를 소정량으로, 전술한 용매에 상온 등에서 첨가하고, 용해 혼합시켜, 예를 들면 제조할 수 있다. 또한, 용도나 목적 등에 따라, 전술한 무기 미립자, 가소제, 증감 색소, 연쇄 이동제 등을 첨가해도 된다. 후술하는 홀로그램 기록 매체에 포함되는 투명 기재 상에, 본 실시형태의 홀로그램 기록용 조성물이 형성될 때에는, 해당 홀로그램 기록용 조성물은 도포액으로서 사용되어도 된다.
(4-3-3. 홀로그램 기록 매체)
본 실시형태의 홀로그램 기록 매체는, 전술한 홀로그램 기록용 조성물을 포함하는 광경화성 수지층과, 적어도 하나의 투명 기재를 적어도 포함하고, 광경화성 수지층이 적어도 하나의 투명 기재 상에 형성되는 홀로그램 기록 매체이다. 본 실시형태의 홀로그램 기록 매체는, 광경화성 수지층이 1번째의 투명 기재 상에 형성되고, 나아가, 1번째의 투명 기재가 형성되어 있지 않은, 광경화성 수지층의 주면에 2번째의 투명 기재가 형성되어 3층 구조로 구성되어도 된다.
여기서, 본 실시형태의 홀로그램 기록 매체의 일례의 단면 모식도를 도 1에 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 보호 필름(제1 투명 기재라고 칭하는 경우가 있음)(11)과, 유리 또는 필름 기판(제2 투명 기재라고 칭하는 경우가 있음)(13)의 사이에 광경화성 수지층(12)이 형성되어, 홀로그램 기록 매체(1)는 3층 구조로 구성되어 있다.
본 실시형태의 홀로그램 기록 매체는 고기능성을 가지며, 예를 들면, 높은 굴절률 변조량(Δn)을 가지며, 우수한 회절 특성의 효과가 나타난다.
(4-3-4. 홀로그램 기록 매체의 제조 방법)
본 실시형태의 홀로그램 기록 매체는, 투명 기재 상에, 전술한 홀로그램 기록용 조성물로 이루어지는 도포액을, 스핀 코터, 그라비어 코터, 콤마 코터 또는 바 코터 등을 사용하여 도포하고, 그 후 건조하여 광경화성 수지층을 형성함으로써, 예를 들면 얻을 수 있다.
(4-3-5. 홀로그램)
본 실시형태의 홀로그램은 고기능성을 가지며, 예를 들면, 높은 굴절률 변조량(Δn)을 가지며, 우수한 회절 특성을 갖는 것이다.
(4-3-6. 홀로그램의 제조 방법)
본 실시형태의 홀로그램은, 전술한 홀로그램 기록 매체에 대하여, 가시광 영역의 반도체 레이저를 사용하여 2광속 노광을 행한 후, UV(자외선)를 전체면에 조사함으로써 미경화의 모노머 등을 경화시켜, 굴절률 분포를 홀로그램 기록 매체에 고정시킴으로써 얻을 수 있다. 2광속 노광의 조건은, 홀로그램의 용도나 목적 등에 따라 당업자에 의해 적절히 설정되어도 되지만, 바람직하게는, 홀로그램 기록 매체 상에서의 한쪽 광속의 광 강도를 0.1∼100mW/㎠으로 하고, 1∼1000초간의 노광을 행하여, 2광속이 이루는 각도가 0.1∼179.9도가 되도록 하여 간섭 노광을 행하는 것이 바람직하다.
<5. 제4 실시형태(광학 장치의 예) 및 제5 실시형태(광학 부품의 예)>
본 기술에 따른 제4 실시형태의 광학 장치는, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하는 장치이다. 본 실시형태의 광학 장치는, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하므로, 우수한 광학 특성 및 우수한 광학 안정성의 효과를 나타낸다.
또한, 본 기술에 따른 제5 실시형태의 광학 부품은, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하는 부품이다. 본 실시형태의 광학 부품은, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하므로, 우수한 광학 특성 및 우수한 광학 안정성의 효과를 나타낸다.
본 기술에 따른 제4 실시형태의 광학 장치 및 본 기술에 따른 제5 실시형태의 광학 부품의 예로서는, 촬상 장치, 촬상 소자, 컬러 필터, 회절 렌즈, 도광판, 분광 소자, 홀로그램 시트, 광디스크 및 광자기 디스크 등의 정보 기록 매체, 광 픽업 장치, 편광 현미경, 센서 등을 예시할 수 있다.
<6. 제6 실시형태(화상 표시 장치의 예)>
본 기술에 따른 제6 실시형태의 화상 표시 장치는, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하는 장치이다. 본 실시형태의 화상 표시 장치는, 본 기술에 따른 제3 실시형태의 유기 재료를 포함하므로, 우수한 화상 표시 성능의 효과를 나타낸다.
본 실시형태의 화상 표시 장치의 예로서는, 아이웨어(eyewear), 홀로그래픽 스크린, 투명 디스플레이, 헤드마운트 디스플레이, 헤드업 디스플레이 등의 화상 표시 장치를 예시할 수 있다.
<7. 제7 실시형태(조성물의 예)>
본 기술에 따른 제7 실시형태의 조성물은, 본 기술에 따른 제1 실시형태의 화합물과, 라디칼 중합성 모노머를 함유하는 조성물이다.
본 실시형태의 조성물은, 고굴절률을 가지므로, 고굴절률 경화 수지로서, 예를 들면, 유기 박막, 유기 렌즈, 광학 필름, 홀로그램 등에 사용할 수 있다.
한편, 라디칼 중합성 모노머로서는, 임의의 라디칼 중합성 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들면, 단관능 또는 다관능의 카르바졸계 모노머, 디나프토티오펜계 모노머, 플루오렌계 모노머, 디벤조푸란계 모노머 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
실시예
이하에, 실시예를 들어, 본 기술의 효과에 대해 구체적으로 설명한다. 한편, 본 기술의 범위는 본 실시예에 한정되는 것이 아니다.
<시험예 1>
[화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물을 시험예 1의 화합물로 하였다.
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 19]
Figure pct00019
(A 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 수산화칼륨(칸토 화학사제) 20g을 혼합한 N,N-디메틸포름아미드(칸토 화학사제) 용액 110mL를 조제하고, 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제)) 15g을 첨가하여 1시간 교반한 후, 2-브로모에탄올(도쿄 화성 공업사제)을 25g 첨가하여 20시간 반응시켰다. 물을 첨가하여 ??칭하고, 분액 깔대기를 사용하여 톨루엔으로 추출하여 컬럼 정제를 행함으로써, 목적물인 중간체 1을 10g 얻었다.
(B 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B 공정에 대해 설명한다.
염화메틸렌(칸토 화학사제) 50mL에 트리에틸아민(칸토 화학사제)을 혼합한 용액에 중간체 A를 9g 용해시켜, 빙욕에서 냉각시켰다. 그 후, 염화아크릴(도쿄 화성 공업사제) 3mL를 조금씩 첨가하고, 자연 승온으로 실온으로 하여, 4시간 반응시켰다. 물을 첨가하여 ??칭하고, 분액 깔대기를 사용하여 염화메틸렌(칸토 화학사제)으로 추출한 후, 유기층을 식염수로 세정하고, 실리카 여과 후, 컬럼 정제를 행하여, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물을 6g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 1의 화합물(화학식(6-3)으로 표현되는 화합물)의 구조를 동정(同定)하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
1H NMR (CDCl3): 4.60-4.64(2H), 4.85-4.89(2H), 5.74-5.76(1H), 5.95-6.05(1H), 6.25-6.31(1H), 7.49-7.55(2H), 7.65-7.69(2H), 7.70-7.77(2H), 7.91-7.94(2H), 8.03-8.06(2H), 9.18-9.22(2H).
<시험예 2>
[화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(6-8)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(6-8)로 표현되는 화합물을 시험예 2의 화합물로 하였다.
[화학식 20]
Figure pct00020
[화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 21]
Figure pct00021
(A1 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A1 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 1-브로모-3,5-디메톡시벤젠(도쿄 화성 공업사제) 24g, 인산 삼칼륨(칸토 화학사제) 36g, 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제)) 15g의 톨루엔(칸토 화학사제) 용액 300mL를 조제한 후, 1,2-시클로헥산디아민(도쿄 화성 공업사제) 25mL, 요오드화구리(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 20g을 첨가하고, 가열 환류에서 반응시켜, 중간체 2를 10g 얻었다.
(B1 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에 대해 설명한다.
중간체 2의 9g을 클로로포름(칸토 화학사제) 125mL에 용해시키고, 빙수로 냉각시킨 후, 삼브롬화붕소를 용해시킨 디클로로메탄 용액(농도 1 mol/L)을 100 mL 적하하고, 빙냉 하에서 교반한 후, 실온에서 1시간 반응시켰다. 빙수를 첨가하여 ??칭하고, 헵탄(칸토 화학사제)을 첨가하여 냉장고에서 재결정을 행하여, 중간체 3을 8g 얻었다.
(C1 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 C1 공정에 대해 설명한다.
테트라히드로푸란(칸토 화학사제) 50mL, 트리에틸아민(칸토 화학사제) 8.5mL 및 부틸히드록시톨루엔(도쿄 화성 공업사제) 30mg을 혼합한 용액에 중간체 3을 5g 용해시켰다. 그 후, 염화아크릴(도쿄 화성 공업사제) 3.5mL를 조금씩 첨가하고, 실온에서 30분 반응시킨 후, 물을 첨가하여 ??칭하고, 여과 처리와 컬럼 정제에 의해, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물을 3.5g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 2의 화합물(화학식(6-8)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
1H NMR (CDCl3): 6.05-6.08(2H), 6.29-6.39(2H), 6.63-6.69(2H), 7.25-7.27(1H), 7.35-7.36(2H), 7.53-7.54(2H), 7.69-7.72(4H), 7.86-7.90(2H), 8.03-8.06(2H), 9.21-9.24(2H).
<시험예 3>
[화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-1)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-1)로 표현되는 화합물을 시험예 3의 화합물로 하였다.
[화학식 22]
Figure pct00022
[화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 23]
Figure pct00023
(A3 공정)
화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A3 공정에서는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A1 공정에 있어서의 1-브로모-3,5-디메톡시벤젠(도쿄 화성 공업사제)을 3,5-디메톡시벤질 브로마이드로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A1 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-1A를 얻었다.
(B3 공정)
화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B3 공정에서는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-1B를 얻었다.
(C3 공정)
화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C3 공정에서는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C1 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화학식(10-1)로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 3의 화합물(화학식(10-1)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 5.78-5.79(2H), 5.92-5.97(2H), 6.14-6.23(2H), 6.48-6.54(2H), 6.77-6.78(2H), 6.95-6.96(1H), 7.51-7.56(2H), 7.63-7.73(4H), 7.88-7.92(2H), 8.03-8.06(2H), 9.22-9.26(2H).
<시험예 4>
[화학식(10-2)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-2)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-2)로 표현되는 화합물을 시험예 4의 화합물로 하였다.
[화학식 24]
Figure pct00024
[화학식(10-2)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-2)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 25]
Figure pct00025
(A4 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A4 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제)) 20g, 1-에티닐 3,5-디메톡시벤젠 36.3g, 탈수 DMSO 300mL, 수산화칼륨 4.20g(74.9mmol, 1.00eq)을 넣고, 가열을 한 상태에서 몇 시간 교반하였다. 그 후, 분액 로트에 의한 추출 및 컬럼 정제를 행한 후, 감압 하에서 농축 건고함으로써, 중간체 10-2A를 17.6g 얻었다.
(B4 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B4 공정에 대해 설명한다.
화학식(10-2)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B4 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 2L 중간체 10-2A 17.6g을 THF 900 mL에 용해시켜 10% Pd/C(55% 수분 함유)(도쿄 화성 공업사제) 4.82g을 첨가하고, 수소 가스를 반응시킨 후, 여과 및 감압 하에 의한 농축으로 백색 결정으로서 중간체 10-2B를 16g 얻었다.
(C4 공정)
화학식(10-2)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C4 공정에서는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에 있어서의 중간체 2를 중간체 10-2B로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-2C를 5g 얻었다.
(D4 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 D4 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 중간체 10-2C 5g, 탈수 톨루엔(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 21mL, DMAP 291mg, 아크릴산 1.9mL를 혼합하고, 빙욕 냉각한 상태에서, 디이소프로필카르보디이미드(도쿄 화성 공업사제) 4.15mL를 첨가하여 교반한 후, 탈수 클로로포름(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 41.5mL를 반응액에 첨가하였다. 실온에서 교반한 후, 클로로포름에 의해 분액한 후, 감압 하에 의한 농축 건고 및 컬럼 정제를 행함으로써, 화학식(10-2)로 표현되는 화합물을 2g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 4의 화합물(화학식(10-2)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 3.18-3.23(2H), 4.76-4.82(2H), 5.97-6.01(2H), 6.19-6.29(2H), 6.50-6.57(2H), 6.83-6.89(2H), 6.89-6.90(1H), 7.48-7.54(2H), 7.61-7.70(4H), 7.87-7.91(2H), 8.03-8.06(2H), 9.18-9.21(2H).
<시험예5>
[화학식(10-3)으로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-3)으로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-3)으로 표현되는 화합물을 시험예 5의 화합물로 하였다.
[화학식 26]
Figure pct00026
[화학식(10-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 27]
Figure pct00027
먼저, 화학식(10-1)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A3 공정 및 B3 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 10-1B를 얻었다.
(B5 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B5 공정에 대해 설명한다.
화학식(10-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B5 공정에 대해 설명한다. 불활성 분위기 하에서, 수산화나트륨 수용액(농도 8.0mol/L, 후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 360mL, 테트라부틸암모늄 브로마이드(도쿄 화성 공업사제) 13g, 40g의 중간체 10-1B를 혼합하고, 빙수로 냉각한 후, 2-(2-클로로에톡시)테트라히드로-2H-피란(도쿄 화성 공업사제) 70mL를 적하하였다. 빙수를 제거하고 80℃로 가열한 상태에서 2시간 교반하였다. 물을 사용하여 ??칭을 행하고, 클로로포름을 사용하여 추출하였다. 얻어진 유기층으로부터 등색(橙色) 오일 140g을 얻었다. 이것에 디클로로메탄(도쿄 화성 공업사제) 400mL, 메탄올(도쿄 화성 공업사제) 400mL, 농염산(도쿄 화성 공업사제) 8.0mL를 첨가하고, 실온 하에서 교반 후, 반응액에 메탄올을 첨가하고, 침전을 생기게 하여 백색 고체 37g을 얻었다. 이것을 테트라히드로푸란(도쿄 화성 공업사제) 2.1L에 용해하여 감압 하에서 농축 후, 잔사에 헵탄을 첨가하여 석출한 결정을 여과하였다. 또한, 감압 하에서 건조하여, 목적물인 중간체 10-3C를 35g 얻었다.
(C5 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 C5 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 탈수 테트라히드로푸란(도쿄 화성 공업사제) 450mL, 4-디메틸아미노피리딘(도쿄 화성 공업사제) 1.6g, 아크릴산 11mL와 30g의 중간체 10-2C를 혼합하고, 빙수로 냉각한 상태에서 N,N'-디이소프로필카르보디이미드(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 1.8mL를 적하하였다. 빙수를 제거하고 실온에서 교반을 행한 후 셀라이트 여과(Celite filtration)를 행하고, 여과액을 감압 농축함으로써 옅은 황색 오일 65g을 얻었다. 얻어진 오일과 탈수 테트라히드로푸란(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 380mL, 4-디메틸아미노피리딘(도쿄 화성 공업사제) 2.1g, 아크릴산(도쿄 화성 공업사제)을 13mL 혼합하고, 빙수로 냉각한 상태에서 N,N'-디이소프로필카르보디이미드 35mL를 적하하였다. 빙수를 제거하고 실온에서 교반한 후, 감압 농축하여 잔사에 클로로포름과 물을 첨가하여 분액하였다. 분액에 의해 얻어진 유기층으로부터 황색 오일을 얻은 후, 컬럼 정제를 행하고 냉각에 의해 고착화한 물질을, 헵탄/아세트산 에틸(도쿄 화성 공업사제) 혼합 용매로 슬러리 형상으로 하여 여과를 행하였다. 결정을 헵탄/아세트산 에틸 혼합 용매로 세정을 행하여, 얻어진 백색 고체를 클로로포름에 용해하고, 0.04mg/mL의 페노티아진-클로로포름 용액 10mL를 첨가하였다. 그 후, 농축 건고에 의해, 화학식(10-3)으로 표현되는 화합물을 1g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 5의 화합물(화학식(10-3)으로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 4.00-4.04(4H), 4.36-4.39(4H), 5.68-5.70(2H), 5.77-5.81(2H), 6.03-6.12(2H), 6.29-6.41(5H), 7.53-7.55(2H), 7.64-7.70(4H), 7.87-7.89(2H), 8.02-8.05(2H), 9.22-9.26(2H).
<시험예 6>
[화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-4)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-4)로 표현되는 화합물을 시험예 6의 화합물로 하였다.
[화학식 28]
Figure pct00028
[화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 29]
Figure pct00029
(A6 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A6 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 하에서, 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제)) 26g, 탈수 N,N-디메틸포름아미드(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 400mL, 탄산 세슘 44.5g(도쿄 화성 공업사제)을 혼합하여 교반한 후, 글리시돌 10mL(도쿄 화성 공업사제)를 첨가하고, 70℃에서 몇 시간 교반 후, 방랭(放冷)하였다. 물과 아세트산 에틸을 사용하여 분액한 후, 컬럼 정제를 행함으로써 중간체 10-4A를 11g 얻었다.
(B6 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B6 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 중간체 10-4A 4g, 탈수 톨루엔(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 20mL, 4-디메틸아미노피리딘 300mg(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제), 아크릴산 1.80mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)를 혼합하고, 빙냉 조건에서 N,N'-디이소프로필카르보디이미드 4.0mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)를 혼합한 후, 실온에서 반응시켰다. 그 후, 물을 첨가하고 클로로포름에 의해 분액하고, 농축 건고와 컬럼 정제를 행하여, 목적물인 화학식(10-4)로 표현되는 화합물을 2.06g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 6의 화합물(화학식(10-4)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 4.15-4.25(1H), 4.41-4.45(1H), 4.83-4.86(2H), 5.82-5.93(2H), 6.08-6.24(2H), 5.61-5.69(1H), 6.34-6.43(2H), 7.50-7.55(2H), 7.65-7.68(2H), 7.82-7.85(2H), 7.91-79.5(2H), 8.03-8.06(2H), 9.17-9.20(2H).
<시험예 7>
[화학식(10-5)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-5)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-5)로 표현되는 화합물을 시험예 7의 화합물로 하였다.
[화학식 30]
Figure pct00030
[화학식(10-5)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-5)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 31]
Figure pct00031
먼저, 화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A6 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 10-4A를 얻었다.
(B7 공정)
화학식(10-5)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B7 공정에서는, 화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B6 공정에서 사용되는 아크릴산을 메타크릴산(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)으로 바꾼 것 이외에는, 화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B6 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화합물 10-5를 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 7의 화합물(화학식(10-5)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 1.86-1.87(3H), 1.98-1.99(3H), 4.18-4.23(1H), 4.42-4.40(1H), 4.84-4.87(2H), 5.56-5.57(1H), 5.64-5.65(2H), 6.07-6.18(2H), 7.50-7.55(2H), 7.66-7.71(2H), 7.83-7.86(2H), 7.92-7.95(2H), 8.03-8.06(2H), 9.17-9.20(2H).
<시험예 8>
[화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물을 시험예 8의 화합물로 하였다.
[화학식 32]
Figure pct00032
[화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 33]
Figure pct00033
먼저, 화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A6 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 10-4A를 얻었다.
(B8 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B8 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 10g의 중간체 10-4A, 8mol 수산화나트륨 100mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제), 테트라부틸암모늄 브로마이드 4g(도쿄 화성 공업사제)을 넣고 빙욕에서 냉각한 후, 2-(2-클로로에톡시)테트라히드로-2H-피란 20mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)를 혼합하고, 냉각을 정지하고, 80℃에서 반응을 진행하였다. 물과 클로로포름에 의해 분액 후, 농축 건고를 행하고, 디클로로메탄 100mL, 메탄올 100mL에 용해시켜, 빙냉 하에서, 농염산 2mL를 첨가하고, 실온 하에서 1시간 교반하였다. 물과 클로로포름에 의해 분액 후, 감압 하에서 농축 건고와 컬럼 정제를 행함으로써 중간체 10-6B를 6g 얻었다.
(C8 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 C8 공정에 대해 설명한다.
불활성 가스 분위기 하에서, 4g의 중간체 10-6B, 탈수 톨루엔(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 20mL, 4-디메틸아미노피리딘 300mg(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제), 아크릴산 1.80mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)를 혼합하고, 빙냉 조건에서 N,N'-디이소프로필카르보디이미드 4.0mL(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)를 혼합한 후, 실온에서 반응시켰다. 그 후, 물을 첨가하고 클로로포름에 의해 분액하고, 농축 건고와 컬럼 정제를 행하여, 목적물인 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물을 1.7g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 8의 화합물(화학식(10-6)으로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 3.37-3.44(1H), 3.60-3.63(3H), 3.75-3.79(2H), 4.00-4.02(3H), 4.40-4.46(2H), 4.59-4.83(2H), 5.60-5.61(1H), 5.79-5.87(2H), 6.13-6.20(2H), 6.44-6.51(1H), 7.49-7.54(2H), 7.63-7.70(2H), 7.80-7.91(4H), 8.01-8.05(2H), 9.18-9.21(2H).
<시험예 9>
[화학식(10-7)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-7)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-7)로 표현되는 화합물을 시험예 9의 화합물로 하였다.
[화학식 34]
Figure pct00034
[화학식(10-7)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-7)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 35]
Figure pct00035
먼저, 화학식(10-4)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A6 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 10-4A를 얻고, 이어서, 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B8 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 10-6B를 얻었다.
(C9 공정)
화학식(10-7)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C9 공정에서는, 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C8 공정에서 사용되는 아크릴산을 메타크릴산(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)으로 바꾼 것 이외에는, 화학식(10-6)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 C8 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화합물 10-7을 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 9의 화합물(화학식(10-7)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 1.75-1.76(3H), 1.96-1.97(3H), 3.49-3.59(1H), 3.60-3.63(3H), 3.76-3.78(2H), 3.93-4.04(3H), 4.38-4.42(2H), 4.61-4.80(2H), 5.34-5.35(1H), 5.57-5.58(1H), 5.84-5.85(1H), 6.16-6.17(1H), 7.50-7.53(2H), 7.65-7.68(2H), 7.79-7.90(4H), 8.01-8.05(2H), 9.18-9.21(2H).
<시험예 10>
[화학식(10-8)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-8)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-8)로 표현되는 화합물을 시험예 10의 화합물로 하였다.
[화학식 36]
Figure pct00036
[화학식(10-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 37]
Figure pct00037
]
(A10 공정)
화학식(10-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A10 공정에서는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A 공정에서 사용되는 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제))을 화합물 2(7H-벤조[c]카르바졸(도쿄 화성 공업사제))로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-8A를 얻었다.
(B10 공정)
화학식(10-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B10 공정에서는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B 공정에서 사용되는 중간체 1을 중간체 10-8A로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화학식(10-8)로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 10의 화합물(화학식(10-8)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 5.74-5.78(1H), 5.97-6.04(1H), 6.23-6.30(1H), 4.74-4.78(2H), 4.57-4.62(2H), 7.40-7.58(4H), 7.68-7.72(2H), 7.90-7.93(1H), 7.99-8.03(1H), 8.58-8.62(1H), 8.78-8.81(1H).
<시험예 11>
[화학식(10-9)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-9)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-9)로 표현되는 화합물을 시험예 11의 화합물로 하였다.
[화학식 38]
Figure pct00038
[화학식(10-9)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-9)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 39]
Figure pct00039
(A11 공정)
화학식(10-9)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A11 공정에서는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A 공정에서 사용되는 화합물 1(7H-디벤조[c,g]카르바졸(도쿄 화성 공업사제))을 화합물 3(11H-벤조[a]카르바졸(도쿄 화성 공업사제))로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-9A를 얻었다.
(B11 공정)
화학식(10-9)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B11 공정에서는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B 공정에서 사용되는 중간체 1을 중간체 10-9A로 바꾼 것 이외에는, 화학식(6-3)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화학식(10-9)로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 11의 화합물(화학식(10-9)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 4.75-4.80(2H), 5.12-5.17(2H), 5.76-5.81(1H), 5.98-6.26(1H), 6.31-6.32(1H), 7.29-7.36(1H), 7.48-7.71(5H), 8.04-8.20(3H), 8.57-8.60(1H).
<시험예 12>
[화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물을 시험예 12의 화합물로 하였다.
[화학식 40]
Figure pct00040
[화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 41]
Figure pct00041
먼저, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A1 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 2를 얻고, 이어서, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 3을 얻었다.
(A12 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A12 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 수산화나트륨 수용액(농도 8.0mol/L, 후지필름 와코 준야쿠 주식회사제) 230mL, 테트라부틸암모늄 브로마이드(도쿄 화성 공업사제) 8.5g, 25g의 중간체 3을 혼합하여 빙수로 냉각한 후, 2-(2-클로로에톡시)테트라히드로-2H-피란(도쿄 화성 공업사제) 46mL를 첨가하였다. 80℃에서 교반한 후에 실온까지 방랭하고, 물, 클로로포름(도쿄 화성 공업사제)을 첨가하여 분액하였다. 얻어진 유기층에 대해 농축 건고 등을 행하여, 갈색 오일 66g을 얻었다. 얻어진 오일에 대해 컬럼 정제 등을 행함으로써, 목적물인 중간체 10-10C를 17g 얻었다.
(B12 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B12 공정에 대해 설명한다.
50mL의 초탈수 테트라히드로푸란(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)에 페노티아진(도쿄 화성 공업사제) 10mg을 첨가하여 페노티아진 조제액을 제작하였다. 불활성 분위기 하에서 16g의 중간체 10-10C와 페노티아진 조제액 5.0mL를 혼합하고, 4-디메틸아미노피리딘(도쿄 화성 공업사제) 0.87g, 아크릴산(도쿄 화성 공업사제) 2.4mL를 첨가하였다. 빙수로 냉각 후, N,N'-디이소프로필카르보디이미드(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 15mL를 첨가하고, 실온으로 되돌려서 하룻밤 동안 교반하였다. 반응액을 여과하여, 얻어진 여과액에 초탈수 테트라히드로푸란 210mL, 4-디메틸아미노피리딘 1.1g, 아크릴산 7.3mL를 혼합하였다. 빙수로 냉각 후, N,N'-디이소프로필카르보디이미드 19mL를 첨가한 후, 실온으로 되돌려서 하룻밤 동안 교반을 행하였다. 반응액을 여과하고, 여과액을 감압 하에서 농축한 후에 컬럼 정제를 행하여, 얻어진 프랙션(fraction)에 페노티아진 조제액 5.0mL를 첨가하여 농축 건고를 행함으로써, 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물을 5.9g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 12의 화합물(화학식(10-10)으로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 4.24-4.26(4H), 4.52-4.56(4H), 5.84-5.88(2H), 6.12-6.21(2H), 6.42-6.49(2H), 6.71-6.78(3H), 7.51-7.73(6H), 7.83-7.85(2H), 8.02-8.05(2H), 9.23-9.25(2H).
<시험예 13>
[화학식(10-11)으로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-11)으로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-11)으로 표현되는 화합물을 시험예 13의 화합물로 하였다.
[화학식 42]
Figure pct00042
[화학식(10-11)으로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-11)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 43]
Figure pct00043
먼저, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A1 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 2를 얻고, 이어서, 화학식(6-8)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B1 공정에서 나타내어지는 수법을 사용하여 합성을 진행하여, 중간체 3을 얻었다.
(A13 공정)
화학식(10-11)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A13 공정에서는, 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A12 공정에서 사용되는 2-(2-클로로에톡시)테트라히드로-2H-피란을, 2-(4-클로로 부톡시)테트라히드로피란으로 바꾼 것 이외에는, 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 A12 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 중간체 10-11C를 얻었다.
(B13 공정)
화학식(10-11)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B13 공정에서는, 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B12 공정에서 사용되는 중간체 10-10C를 중간체 10-11C로 바꾼 것 이외에는, 화학식(10-10)으로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)의 B12 공정에서 나타내어지는 수법과 마찬가지의 수법을 사용하여, 화학식(10-11)으로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 13의 화합물(화학식(10-11)으로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 1.90-1.92(8H), 4.02-4.06(4H), 4.22-4.27(4H), 5.77-5.81(2H), 6.06-6.14(2H), 6.37-6.41(2H), 6.63-6.71(3H), 7.52-7.70(6H), 7.83-7.85(2H), 8.02-8.05(2H), 9.23-9.26(2H).
<시험예 14>
[화학식(10-12)로 표현되는 화합물의 제작]
하기 화학식(10-12)로 표현되는 화합물을 합성하고, 하기 화학식(10-12)로 표현되는 화합물을 시험예 14의 화합물로 하였다.
[화학식 44]
Figure pct00044
[화학식(10-12)로 표현되는 화합물의 합성 방법]
화학식(10-12)로 표현되는 화합물의 합성 방법(합성 루트)은 이하와 같다.
[화학식 45]
Figure pct00045
(A14 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 A14 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 탈산소 톨루엔(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 738mL에 화합물 2(7H-벤조[c]카르바졸(도쿄 화성 공업사제)) 30g, 1-브로모-3,5-디메톡시벤젠(도쿄 화성 공업사제) 60g, 인산 삼칼륨(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 88g을 혼합한 후, 1,2-시클로헥산디아민(도쿄 화성 공업사제) 33.0mL, 요오드화구리(I)(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 26g을 첨가하여 120℃에서 50시간 교반하고, 1-브로모-3,5-디메톡시벤젠 8.6g, 1,2-시클로헥산디아민 4.7mL, 요오드화구리(I) 3.8g을 추가하고, 120℃에서 6시간 교반하였다. 방랭 후, 물, 클로로포름(도쿄 화성 공업사제)을 첨가하고, 분액에 의해 추출한 유기층을 감압 하에서 농축하고, 얻어진 잔사에 대해 컬럼 정제를 행함으로써, 목적물인 중간체 10-12A를 38g 얻었다.
(B14 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 B14 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 클로로포름 420mL에 37g의 중간체 10-12A를 첨가하고, 빙수로 냉각한 후, 삼브롬화붕소-디클로로메탄 용액(농도 1.0mol/L, 후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 420mL를 첨가하여 3시간 교반하였다. 실온으로 되돌려서 하룻밤 동안 교반하고, 40℃로 가열하여 30분간 교반하였다. 실온으로 되돌려서 물로 ??칭하고 클로로포름으로 추출하고, 유기층을 감압 농축하였다. 잔사를 컬럼 정제하고, 감압 농축 등을 행하여, 목적물인 중간체 10-12B를 23g 얻었다.
(C14 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 C14 공정에 대해 설명한다.
불활성 분위기 하에서, 수산화나트륨 수용액(농도 8.0mol/L, 후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 243mL, 테트라부틸암모늄 브로마이드(도쿄 화성 공업사제) 9.0g, 23g의 중간체 10-12B를 혼합시켰다. 빙수로 냉각한 후에 2-(2-클로로에톡시)테트라히드로-2H-피란(도쿄 화성 공업사제) 49mL를 첨가하였다. 80℃에서 7시간 교반한 후, 실온까지 방랭하여 물, 클로로포름(도쿄 화성 공업사제)을 첨가하여 분액하였다. 추출한 유기층을 농축 건고하여 갈색 오일 87g을 얻었다. 얻어진 오일에 대해 컬럼 정제 등을 행함으로써, 목적물인 중간체 10-12C를 20g 얻었다.
(D14 공정)
상기에 나타내어지는 합성 방법(합성 루트)의 D14 공정에 대해 설명한다.
50mL의 초탈수 테트라히드로푸란(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제)에 페노티아진(도쿄 화성 공업사제) 6.6mg을 첨가하여 페노티아진 조제액을 제작하였다. 불활성 분위기 하에서 16g의 중간체 10-12C와 페노티아진 조제액 9mL를 혼합하고, 4-디메틸아미노피리딘(도쿄 화성 공업제) 1.0g, 아크릴산(도쿄 화성 공업제) 6.7mL를 첨가한 후, 빙수로 냉각하고 N,N'-디이소프로필카르보디이미드(후지필름 와코 쥰야쿠 주식회사제) 17mL를 첨가한 후, 실온으로 되돌려서 2시간 교반을 행하였다. 반응액을 여과하고, 얻어진 여과액에, 초탈수 테트라히드로푸란 240mL, 4-디메틸아미노피리딘 1.3g 및 아크릴산 8.4mL를 혼합하였다. 빙수로 냉각 후, N,N'-디이소프로필카르보디이미드 22mL를 첨가한 후, 실온으로 되돌려서 19시간 교반을 행하였다. 반응액에 물, 클로로포름, 포화 식염수를 첨가하여 유기층을 추출 후, 얻어진 유기층을 농축 건고하고, 얻어진 잔사를 컬럼 정제하여, 얻어진 프랙션에 페노티아진 조제액 5.0mL를 첨가하여 농축 건고를 행함으로써, 화학식(10-12)로 표현되는 화합물을 9.6g 얻었다.
NMR을 사용하여, 시험예 14의 화합물(화학식(10-12)로 표현되는 화합물)의 구조를 동정하였다. NMR의 결과는 이하와 같다.
(NMR의 결과)
1H NMR (CDCl3): 4.26-4.27(4H), 4.53-4.55(4H), 5.85-5.88(2H), 6.13-6.21(2H), 6.44-6.48(2H), 6.67-6.78(3H), 7.43-7.60(4H), 7.61-7.63(1H), 7.70-7.72(1H), 7.84-7.85(1H), 7.98-8.01(1H), 8.62-8.65(1H), 8.83-8.85(1H).
<시험예 15>
하기 화학식(11-1)으로 표현되는 EACz(아크릴산 2-(9H-카르바졸-9-일) 에틸(SIGMA ALDRICH사제의 시판품))를 시험예 15의 화합물로 하였다.
[화학식 46]
Figure pct00046
[굴절률의 측정 방법 및 결과]
이하에, 굴절률의 측정 방법 및 결과에 대해 설명한다.
시험예 1∼15의 각각의 화합물의 아세톤 용액 또는 클로로포름 용액을 제작하고, 각각 실온 25±1℃에 있어서의 589nm의 광에 대한 평균 굴절률을 아베 굴절률계(에르마 판매 주식회사제, ER-1)로 측정하고, 각 화합물의 체적 분률에 대하여 플롯함으로써 검량선을 제작하였다. 한편, 각 화합물의 밀도는 건식 밀도계(아큐픽 II 1340-10CC(시마즈 제작소사제))로 구한 값을 사용하였다. 검량선을 외삽하고, 각 화합물의 체적 분률이 1이 될 때의 굴절률을 각 화합물의 굴절률로 하였다. 시험예 1∼15의 각각의 화합물의 굴절률 및 밀도(g/㎤)의 측정 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[투명성의 평가 방법 및 결과]
시험예 1∼14의 각각의 화합물 단체(單體)의 색미를 눈으로 평가하였더니, 착색이 없고, 투명성이 양호하였다.
[용해도의 측정 방법 및 결과]
시험예 1∼15의 각각의 화합물을 바이알 병에 20mg 계량하여 넣고, 아세톤을 첨가하여 전체량 10mg로 한 후, 초음파로 30초간 교반을 행하였다. 눈으로 봐서 용해되지 않고 남은 부분이 있는 경우에는 아세톤을 소량 추가한 후 30초간 교반을 더 행하였다. 상기 작업을 반복 행하여, 전부 용해되었을 때의 총 용제량으로부터 용해도를 산출하였다. 한편, 시험예 2∼5, 7 및 10∼11은 클로로포름에 대한 용해도도 마찬가지로 하여 산출하였다. 시험예 1∼15의 각각의 화합물의 용해도(wt%)의 측정 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
Figure pct00047
시험예 1의 화합물(6-3), 시험예 2의 화합물(6-8), 시험예 3의 화합물(10-1) 및 시험예 12의 화합물(10-10)은, 굴절률이 1.75 이상으로 높기 때문에, 고굴절률 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 시험예 1의 화합물(6-3), 시험예 2의 화합물(6-8), 시험예 3의 화합물(10-1), 시험예 4의 화합물(10-2), 시험예 5의 화합물(10-3), 시험예 6의 화합물(10-4), 시험예 7의 화합물(10-5), 시험예 8의 화합물(10-6), 시험예 9의 화합물(10-7), 시험예 10의 화합물(10-8), 시험예 11의 화합물(10-9), 시험예 12의 화합물(10-10), 시험예 13의 화합물(10-11) 및 시험예 14의 화합물(10-12)의 각각의 굴절률은, 시험예 15의 화합물(11-1)의 굴절률보다 높고, 양호하였다.
또한, 예를 들면, 홀로그램의 모노머 재료로서 사용하는 유기 화합물의 경우, 유기 용매에 대한 용해도는 20wt%보다 큰 것이 바람직하다.
시험예 1의 화합물(6-3), 시험예 6의 화합물(10-4), 시험예 8의 화합물(10-6), 시험예 9의 화합물(10-7), 시험예 12의 화합물(10-10), 시험예 13의 화합물(10-11) 및 시험예 14의 화합물(10-12)의 각각은, 범용 유기 용매인 아세톤에 대한 용해도가 20wt%보다 크므로, 홀로그램의 모노머 재료로서 바람직하게 사용할 수 있고, 또한, 시험예 2의 화합물(6-8), 시험예 4의 화합물(10-2) 및 시험예 10의 화합물(10-8)의 각각은, 범용 유기 용매인 클로로포름에 대한 용해도가 20wt%보다 크므로, 홀로그램의 모노머 재료로서 바람직하게 사용할 수 있고, 나아가, 시험예 5의 화합물(10-3)은, 범용 유기 용매인 아세톤 및 클로로포름에 대한 용해도가 20wt%보다 크므로, 홀로그램의 모노머 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
[홀로그램 기록용 조성물 및 홀로그램의 제작, 및 홀로그램의 평가]
시험예 1의 화합물(6-3), 시험예 4의 화합물(10-2), 시험예 5의 화합물(10-3), 시험예 10의 화합물(10-8), 시험예 12의 화합물(10-10), 시험예 13의 화합물(10-11), 시험예 14의 화합물(10-12) 및 시험예 15의 화합물(11-1)을 사용하여, 홀로그램 기록용 조성물 및 홀로그램을 제작하고, 제작된 홀로그램의 평가를 행하였다.
<실시예 1>(홀로그램 기록용 조성물 1의 조제)
이하에 나타내는 표 2의 양에 따라, 광중합성 모노머로서 시험예 1의 화합물(6-3) 및 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62), 바인더 수지로서 폴리아세트산비닐(덴키 화학공업사제, 「SN-77T」), 가소제로서 1,6-헥산디올 디글리시딜 에테르(나가세 켐테크사제, 「EX-212L」), 증감 색소로서 로즈 벵갈(Rose Bengal)(SIGMA ALDRICH사제, 「RB」), 중합 개시제로서 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오도늄 테트라키스(펜타플루오로페닐) 보레이트(도쿄 화성 공업사제, 「I0591」), 연쇄 이동제로서 2-메르캅토벤조옥사졸(도쿄 화성 공업사제, 「2-MBO」)을 아세톤 용매 중에서, 상온에서 혼합하여, 홀로그램 기록용 조성물 1을 조제하였다.
(홀로그램 기록 매체 1의 제작)
상기 홀로그램 기록용 조성물 1을, 두께 2.5㎛의 폴리비닐알콜 필름 상에 바 코터로 건조막 두께가 3㎛가 되도록 도포하고, 이어서, 두께 1.0mm의 유리 기판 상에 광경화성 수지층의 박막면을 압착하고, 유리 기판, 광경화성 수지층 및 폴리비닐알콜 필름을 이 순서로 적층하여 되는 홀로그램 기록 매체 1을 얻었다.
(홀로그램 1의 제작)
상기 홀로그램 기록 매체 1에 대하여, 노광 파장 532nm의 반도체 레이저를 사용하여 노광량 180mJ/㎠로 2광속 노광을 행한 후, UV(자외선)을 전체면에 조사함으로써 미경화의 모노머를 경화시켜, 굴절률 분포를 매체 1에 고정하였다. 2광속 노광의 조건은, 기록 매체 상에서의 한쪽 광속의 광 강도를 3.0mW/㎠로 하여, 30초간 노광을 행하고, 2광속이 이루는 각도가 5.0도가 되도록 간섭 노광을 행하였다. 이에 의해, 홀로그램 기록 매체 1에 굴절률 분포를 형성하여, 홀로그램 1을 얻었다.
(홀로그램 1의 평가)
제작된 홀로그램 1의 굴절률 변조량(Δn)의 평가를 이하의 방법으로 행하였다.
굴절률 변조량(Δn)은, 홀로그램에 입사하여 얻어지는 투과율 스펙트럼의 최대 투과율 및 반치폭으로부터, Kogelnik의 결합파 이론(Bell System Technical Journal, 48, 2909(1969))을 이용하여 평가하였다. 투과율 스펙트럼은, 광원으로서 하마마츠 포토닉스사제의 스폿 광원을, 분광기로서 오션 옵틱스사제의 소형 파이버 광학 분광기 USB-4000을 사용하여, 400-700nm에 있어서의 투과율을 측정함으로써 얻었다.
<실시예2∼5>
실시예 2에서는, 광중합성 모노머의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 2를 얻었다.
실시예 3에서는, 광중합성 모노머 및 연쇄 이동제의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경하고, 증감 색소로서 아스트라존 오렌지 G(SIGMA ALDRICH사제, 「AOG」)를 사용하고, 중합 개시제로서 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오도늄 테트라키스(펜타플루오로페닐) 보레이트(도쿄 화성 공업사제, 「I0591」)에 첨가하여 테트라부틸암모늄=부틸트리페닐보레이트(쇼와 전공사제, 「P3B」)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 3을 얻었다.
실시예 4에서는, 광중합성 모노머의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 4를 얻었다.
실시예 5에서는, 광중합성 모노머의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경하고, 바인더 수지로서 폴리아세트산비닐(덴키 화학공업사제, 「SN-55T」)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 5를 얻었다.
(홀로그램 기록 매체 2∼5의 제작)
상기 홀로그램 기록용 조성물 2∼5를 사용하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록 매체 2∼5를 제작하였다.
(홀로그램 2∼5의 제작)
상기 홀로그램 기록 매체 2∼5를 사용하여, 표 2에 나타낸 노광 조건에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 2∼5를 제작하였다.
(홀로그램 2∼5의 평가)
제작된 홀로그램 2∼5의 굴절률 변조량(Δn)을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
<실시예 6∼13>
실시예 6에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-3)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 6을 얻었다.
실시예 7에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-2)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 7을 얻었다.
실시예 8에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-10)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 8을 얻었다.
실시예 9에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)의 양을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-12)를 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 9를 얻었다.
실시예 10에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)을 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-8)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)의 양을 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 10을 얻었다.
실시예 11에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3) 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-8) 및 화합물(10-10)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 11을 얻었다.
실시예 12에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3) 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-8) 및 화합물(10-12)를 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 12를 얻었다.
실시예 13에서는, 광중합성 모노머인 화합물(6-3)의 양을 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것, 및 광중합성 모노머인 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용하지 않고, 광중합성 모노머인 화합물(10-11)을 표 2에 나타내는 양으로 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 13을 얻었다.
(홀로그램 기록 매체 6∼13의 제작)
상기 홀로그램 기록용 조성물 6∼13을 사용하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록 매체 6∼13을 제작하였다.
(홀로그램 6∼13의 제작)
상기 홀로그램 기록 매체 6∼13을 사용하여, 표 2에 나타낸 노광 조건에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 6∼13을 제작하였다.
(홀로그램 6∼13의 평가)
제작된 홀로그램 2∼5의 굴절률 변조량(Δn)을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
<비교예 1>
(홀로그램 기록용 조성물 101의 제작)
비교예 1에서는, 이하에 나타내어지는 표 2의 양에 따라, 광중합성 모노머로서 시험예 15의 화합물(11-1)((아크릴산 2-(9H-카르바졸-9-일)에틸(SIGMA ALDRICH사제, 「EACz」)) 및 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 101을 얻었다.
(홀로그램 기록 매체 101의 제작)
상기 홀로그램 기록용 조성물 101을 사용하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록 매체 101을 제작하였다.
(홀로그램 101의 제작)
상기 홀로그램 기록 매체 101을 사용하여, 표 2에 나타낸 노광 조건에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 101을 제작하였다.
(홀로그램 101의 평가)
제작된 홀로그램 101의 굴절률 변조량(Δn)을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
<비교예 2>
(홀로그램 기록용 조성물 102의 제작)
비교예 2에서는, 이하에 나타내어지는 표 2의 양에 따라, 광중합성 모노머로서 시험예 15의 화합물(11-1)((아크릴산 2-(9H-카르바졸-9-일)에틸(SIGMA ALDRICH사제, 「EACz」)) 및 비스페녹시에탄올 플루오렌 디아크릴레이트(오사카 가스 케미칼사제, 「EA-0200」, 굴절률: 1.62)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 표 2에 나타낸 양에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록용 조성물 102를 얻었다.
(홀로그램 기록 매체 102의 제작)
상기 홀로그램 기록용 조성물 102를 사용하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 기록 매체 102를 제작하였다.
(홀로그램 102의 제작)
상기 홀로그램 기록 매체 102를 사용하여, 표 2에 나타낸 노광 조건에 따라 실시예 1과 동일한 방법으로 홀로그램 102를 제작하였다.
(홀로그램 102의 평가)
제작된 홀로그램 102의 굴절률 변조량(Δn)을 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다.
<실험 결과>
상기 실시예 1∼13 및 비교예 1∼2의 홀로그램의 실험 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 표 2에 있어서 각 성분의 수치는 질량%로 나타내고 있다.
Figure pct00048
표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼13의 홀로그램 1∼13은, 비교예 1의 홀로그램 101 및 비교예 2의 홀로그램 102에 비해, 높은 굴절률 변조량(Δn)을 갖는 것을 알았다.
한편, 본 기술에 따른 실시형태는, 상술한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니고, 또한 다른 효과가 있어도 된다.
한편, 본 기술은, 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[1]
하기 일반식(1)로 표현되는 화합물.
[화학식 47]
Figure pct00049
(일반식(1) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. X1이 산소 원자인 경우, a는 0이며, X1이 질소 원자 또는 인 원자인 경우, a는 1이며, X1이 탄소 원자 또는 규소 원자인 경우, a는 2이다.
Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. Y1 또는 Y2가 벤젠환인 경우, 상기 벤젠환인 Y1 또는 Y2에 대응하는 b 또는 c는 4이다. Y1 및/또는 Y2가 나프탈렌환인 경우, 상기 나프탈렌환인 Y1 및/또는 Y2에 대응하는 b 및/또는 c는 6이다.
R1∼R3은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1∼R3이 각각 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1∼R3은 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R1∼R3이 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.)
[2]
상기 일반식(1)의 X1이 질소 원자인, [1]에 기재된 화합물.
[3]
상기 화합물이 하기 일반식(1-1)로 표현되는 화합물인, [1] 또는 [2]에 기재된 화합물.
[화학식 48]
Figure pct00050
(일반식(1-1) 중, R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 서로 동일해도 달라도 된다. 단, 일반식(1-1) 중의 R1, R21∼R26, 및 R31∼R36이 모두 동시에 수소인 경우는 없다.
Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1-1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
단, R1이 *-CH=CH2이며, R21∼R26 및 R31∼R36이 모두 수소인 것을 제외한다.)
[4]
[1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 함유하는 유기 재료.
[5]
유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램인, [4]에 기재된 유기 재료.
[6]
유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물인, [4]에 기재된 유기 재료.
[7]
[1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는 폴리머.
[8]
[7]에 기재된 폴리머를 함유하는, 유기 재료.
[9]
유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램인, [8]에 기재된 유기 재료.
[10]
유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물인, [8]에 기재된 유기 재료.
[11]
[4]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 장치.
[12]
[4]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 부품.
[13]
[4]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 화상 표시 장치.
[14]
[8]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 장치.
[15]
[8]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 부품.
[16]
[8]에 기재된 유기 재료를 포함하는, 화상 표시 장치.
[17]
[1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 화합물과, 라디칼 중합성 모노머를 함유하는 조성물.
[18]
상기 라디칼 중합성 모노머가, 카르바졸계 모노머, 디나프토티오펜계 모노머, 플루오렌계 모노머, 디벤조푸란계 모노머로부터 선택되는 1종 이상인, [17]에 기재된 조성물.

Claims (18)

  1. 하기 일반식(1)로 표현되는, 화합물.
    [화학식 1]
    Figure pct00051

    (일반식(1) 중, X1은 산소 원자, 질소 원자, 인 원자, 탄소 원자 또는 규소 원자이다. X1이 산소 원자인 경우, a는 0이며, X1이 질소 원자 또는 인 원자인 경우, a는 1이며, X1이 탄소 원자 또는 규소 원자인 경우, a는 2이다.
    Y1 및 Y2는 각각 벤젠환 또는 나프탈렌환이며, Y1 및 Y2가 동시에 벤젠환인 경우는 없다. Y1 또는 Y2가 벤젠환인 경우, 상기 벤젠환인 Y1 또는 Y2에 대응하는 b 또는 c는 4이다. Y1 및/또는 Y2가 나프탈렌환인 경우, 상기 나프탈렌환인 Y1 및/또는 Y2에 대응하는 b 및/또는 c는 6이다.
    R1∼R3은 각각 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1∼R3이 각각 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R1∼R3은 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R1∼R3이 동시에 수소인 경우는 없다.
    Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
    R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일반식(1)의 X1이 질소 원자인, 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화합물이 하기 일반식(1-1)로 표현되는 화합물인, 화합물.
    [화학식 2]
    Figure pct00052

    (일반식(1-1) 중, R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 수소 또는 *-Z1(R4)d(*은 결합 위치를 나타냄)로 표현되는 치환기이다. R1, R21∼R26, 및 R31∼R36은 서로 동일해도 달라도 된다. 단, 일반식(1-1) 중의 R1, R21∼R26, 및 R31∼R36이 모두 동시에 수소인 경우는 없다.
    Z1은 단결합, 2가 이상의 포화 탄화수소기 또는 2가 이상의 불포화 탄화수소기를 나타내고, 해당 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기는 에테르 결합 및/또는 티오에테르 결합을 포함해도 된다. Z1이 단결합인 경우, d는 1이며, Z1이 포화 탄화수소기 또는 불포화 탄화수소기인 경우, d는 1 이상의 정수이다.
    R4는 수소 또는 중합성 치환기를 나타낸다. R4가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 R4는 서로 동일해도 달라도 되지만, 일반식(1-1) 중의 모든 R4가 동시에 수소인 경우는 없다.
    단, R1이 *-CH=CH2이며, R21∼R26 및 R31∼R36이 모두 수소인 것을 제외한다.)
  4. 제1항에 기재된 화합물을 함유하는, 유기 재료.
  5. 제4항에 있어서,
    유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램인, 유기 재료.
  6. 제4항에 있어서,
    유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물인, 유기 재료.
  7. 제1항에 기재된 화합물을 중합시킴으로써 얻어지는, 폴리머.
  8. 제7항에 기재된 폴리머를 함유하는, 유기 재료.
  9. 제8항에 있어서,
    유기 박막, 유기 렌즈 또는 홀로그램인, 유기 재료.
  10. 제8항에 있어서,
    유기 박막용 조성물, 유기 렌즈용 조성물 또는 홀로그램 기록용 감광성 조성물인, 유기 재료.
  11. 제4항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 장치.
  12. 제4항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 부품.
  13. 제4항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 화상 표시 장치.
  14. 제8항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 장치.
  15. 제8항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 광학 부품.
  16. 제8항에 기재된 유기 재료를 포함하는, 화상 표시 장치.
  17. 제1항에 기재된 화합물과, 라디칼 중합성 모노머를 함유하는, 조성물.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 모노머가, 카르바졸계 모노머, 디나프토티오펜계 모노머, 플루오렌계 모노머, 디벤조푸란계 모노머로부터 선택되는 1종 이상인, 조성물.
KR1020217042887A 2019-07-08 2020-06-19 화합물, 폴리머 및 유기 재료, 및 이를 사용한 광학 장치, 광학 부품 및 화상 표시 장치 KR20220029590A (ko)

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