JP2009215425A - ジナフトフラン単位を有するπ共役電子系ポリアリーレンエチニレン及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主鎖が、特定式で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするジナフトフラン誘導体と芳香族ジアセチレン化合物との重縮合反応により高分子量化して製造される、ポリアリーレンエチニレン。
【選択図】なし
Description
[1] 主鎖が、以下の一般式(1)
で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするポリアリーレンエチニレン。
[2] 主鎖が、以下の一般式(2)
で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするポリアリーレンエチニレン。
[3] 前記一般式(1)及び(2)中、Zは、以下の一般式で表される群から選ばれることを特徴とする[1]又は[2]に記載のポリアリーレンエチニレン。
[4] 前記一般式(2)中、Yは、水素原子であり、Zは、芳香族ジエチニル基であることを特徴とする[2]に記載のポリアリーレンエチニレン。
[5] 分子構造が、以下の一般式(3)
で表されることを特徴とするジナフトフラン誘導体。
[6] 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であることを特徴とする[5]に記載のジナフトフラン誘導体。
[7] 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、アシル基であることを特徴とする[6]に記載のジナフトフラン誘導体。
[8] 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、アルキル基であることを特徴とする[6]に記載のジナフトフラン誘導体。
[9] 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、水素原子であることを特徴とする[6]に記載のジナフトフラン誘導体。
[10] [8]に記載のジナフトフラン誘導体の製造方法であって、以下の工程、
(a)ビナフトールをジハロゲン化し、ジハロビナフトールとする工程、
(b)前記ジハロビナフトールを脱水反応により、ジハロジナフトフランとする工程、
(c)前記ジハロジナフトフランを酸塩化物と反応させ、ジアシルジハロジナフトフランとする工程、
(d)前記ジアシルジハロナフトフランの水素添加により、ジアルキルジハロナフトフランとする工程
を含むことを特徴とするジナフトフラン誘導体の製造方法。
[11] [8]に記載のジナフトフラン誘導体の製造方法であって、
以下の工程、
(a) ビナフトールを脱水反応によりジナフトフランとする工程、
(b)前記ジナフトフランをジハロゲン化し、ジハロジナフトフランとする工程、
(c)前記ジハロジナフトフランを酸塩化物と反応させ、ジアシルジハロジナフトフランとする工程、
(d)前記ジアシルジハロナフトフランの水素添加により、ジアルキルジハロナフトフランとする工程
を含むことを特徴とするジナフトフラン誘導体の製造方法。
[12] [1]ないし[4]のいずれか1に記載のポリアリーレンエチニレンの製造方法であって、[5]に記載のジナフトフラン誘導体と、
以下の一般式(4)
<ポリエチレンアリーニレンについて>
本発明のポリアリーレンエチニレンは、その主鎖が、以下の一般式(1)及び(2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするπ電子共役系高分子化合物である。
本発明のポリアリーレンエチニレンの繰り返し単位を構成するジナフトフラン誘導体について説明する。本発明においてジナフトフラン化合物誘導体は、以下の一般式(3)で表されることを特徴とする。
本発明においてジナフトフラン誘導体の製造方法について説明する。ジナフトフラン誘導体の製造方法は、(a)ないし(d)工程を含んでなるものである。
ジナフトフラン誘導体の製造方法は、目的とするジナフトフラン誘導体によりそれぞれ製造ルートが異なるものである。大別すると、出発原料である(a)1,1'―ビ−2−ナフトールを最初にジハロゲン化し、(b)その後1,1'―ビ−2−ナフトールに存在する2つの水酸基を脱水縮合してジハロナフトフランとし、その後の各種反応を行うルートを採用する製造方法と、その製造工程の順序入れ替えて、出発原料である1,1'―ビ−2−ナフトールを最初に2つの水酸基を脱水縮合してジハロナフトフランとし、その後ハロゲン化して、ジハロナフトフランとし、その後の各種反応を行うルートを採用する製造方法がある。具体的には、ジナフトフランの6位と6’位の置換基Xをハロゲン原子とし、その3位と3’位に置換基Yに置換基を導入する場合には、最初にジハロゲン化を行い、置換基Xを導入した後、その脱水縮合によりジナフトフラン骨格を形成し、最後に親電子芳香族置換反応により置換基Yを導入する。また、ジナフトフランの3位と3’位の置換基Yをハロゲン原子とし、その6位と6’位に置換基Xを導入する場合には、脱水縮合してジナフトフラン骨格を構築したあと、ジハロゲン化することで置換基Yを導入するものである。6位と6’位への置換基Xの導入は脱水縮合前又は置換基Yの導入後に行う。
次に、本発明のポリエチレンアリーニレンの製造方法について説明する。本発明のポリエチレンアリーニレンは、図1に示すように、前述したジハロジナフトフラン誘導体とアセチレン又は以下一般式で表されるジアセチレン化合物を触媒存在下、薗頭カップリング重合反応を行い、高分子量化することにより製造することができる。以下に薗頭カップリング重合反応の一例を示した反応スキームを示す。
(3,3’-ジブロモジナフトフランの製造)
三方コック、セプタムを付し、減圧加熱乾燥した50mL二口ナスフラスコに、ジナフトフラン(268mg、1.0 mmol),塩化メチレン(3.0 mL) を加えた。この溶液に−78度で、臭素(3.0mmol)の塩化メチレン溶液(1.5 mL)溶液を15分かけて滴下し、さらに30分攪拌した。その後、塩化メチレン(6.0 mL)を加え、室温まで昇温し、3.0時間攪拌した。この反応溶液をチオ硫酸ナトリウム水溶液に滴下することで反応を停止させた後、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムを加え乾燥させた。乾燥剤をろ去したのち、溶媒を留去し、粗生成物を白色固体として、収率94モル%で得た。
以下に1H―NMR、IR、元素分析の測定結果を示す。なお、1H―NMR測定には、日本分光製AL-300を使用し、測定条件は、テトラメチルシランを基準物質として0.1%含む重クロロホルムに溶解し、室温にて行った。IR測定には、日本分光製FT-IR4100を、元素分析測定にはYANAKO製CHNコーダーMT―5をそれぞれ使用した。
(6,6’-ジブロモジナフトフランの製造)
ジムロー冷却器を付し、減圧加熱乾燥した30mLナスフラスコの中に、6,6’-ジブロモ-1,1’-ビナフトール(426 mg, 1.0mmol)、東ソー製ゼオライトHSZ-360(1 .0g), 1,2-ジクロロベンゼン(1.0 ml)を加え、180℃で4.0時間攪拌した。クロロホルムを加え、ゼオライトをろ去した。ろ液を留去し、生成物と1,2-ジクロロベンゼンの混合物を得た。得られた混合物をヘキサンに再沈澱することで、粗生成物を茶色固体として収率84モル%で得た。この粗生成物をクロロホルムにより再結晶して薄茶色針状結晶を収率12モル%で得た。以下に、1H―NMRおよび元素分析の測定結果を示す。なお、1H―NMRの測定は、実施例1と同様にして行った。
(6,6’−ジブロモ−3,3’−ジヘキサノイルジナフトフランの製造)
三方コック、セプタムを付し、減圧加熱乾燥した30mL二口ナスフラスコに、6,6’-ジブロモジナフトフラン(43 mg, 0.1 mmol),塩化ヘキサノイル(49 mg, 0.3 mmol)、1,2-ジクロロエタン(2 ml) を加えた。さらに、塩化アルミニウム(80mg, 0.6 mmol)を加え、室温で15時間かき混ぜた。その後、反応溶液を1.0M 水酸化ナトリウム水溶液に滴下することで反応を停止し、クロロホルムを用いて抽出した。有機層を飽和食塩水により洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加え乾燥させた。乾燥剤をろ去したのち、溶媒を留去し、粗生成物を赤色固体として収率100モル%で得た。シリカゲルクロマトグラフ(溶離液:クロロホルム)により単離を行うことで、純粋な生成物を収率51モル%で得た。以下に、1H―NMR、IR及び元素分析の測定結果を示す。各種測定は、実施例1と同様にして行った。また、13C―NMR測定には、日本分光製AL-300を使用し、測定条件は、テトラメチルシランを基準物質として0.1%含む重クロロホルムに溶解し、室温にて行った。
(6,6’-ジブロモ-3,3’−ジヘキサノイルジナフトフランと1,4-ジエチニルベンゼンとの薗頭カップリング重合によるポリアリーレンエチニレンの製造)
三方コック、セプタムを付し、減圧加熱乾燥した30mL二口ナスフラスコに、6,6’-ジブロモ-3,3’−ジヘキサノイルジナフトフラン(62 mg, 0.1 mmol), 1,4-ジエチニルベンゼン(13mg, 0.1 mmol)、ヨウ化銅(I)(2.8 mg, 0.015mmol), トリエチルアミン(1 mL) を加え室温でよくかき混ぜた。その後、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(12mg,0.01 mmol)を加え、70℃にて24時間かき混ぜた。その後、反応混合物をメタノール/クロロホルム(体積比1:1)溶液に滴下することで反応を停止した。1M塩酸で中和後、吸引ろ集することで茶色固体を得た。得られた固体を30 mLのジメチルスルホキシドに加え、一部を溶解させた。これを吸引ろ集することで、不溶分を除去し、アセトンを用いて再沈澱を行うことにより、薄黄色固体を収率56モル%で得た。
以下にIRの測定結果を示す。なおIR測定は、実施例1、実施例3と同様にして行った。
Claims (12)
- 前記一般式(2)中、Yは、水素原子であり、Zは、芳香族ジエチニル基であることを特徴とする請求項2に記載のポリアリーレンエチニレン。
- 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であることを特徴とする請求項5に記載のジナフトフラン誘導体。
- 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、アシル基であることを特徴とする請求項6に記載のジナフトフラン誘導体。
- 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、アルキル基であることを特徴とする請求項6に記載のジナフトフラン誘導体。
- 前記一般式(3)中、X、Yのうちいずれか一方のハロゲン原子は、臭素原子又はヨウ素原子であり、他の一方は、水素原子であることを特徴とする請求項6に記載のジナフトフラン誘導体。
- 請求項8に記載のジナフトフラン誘導体の製造方法であって、以下の工程、
(a)ビナフトールをジハロゲン化し、ジハロビナフトールとする工程、
(b)前記ジハロビナフトールを脱水反応により、ジハロジナフトフランとする工程、
(c)前記ジハロジナフトフランを酸塩化物と反応させ、ジアシルジハロジナフトフランとする工程、
(d)前記ジアシルジハロナフトフランの水素添加により、ジアルキルジハロナフトフランとする工程
を含むことを特徴とするジナフトフラン誘導体の製造方法。 - 請求項8に記載のジナフトフラン誘導体の製造方法であって、以下の工程、
(a) ビナフトールを脱水反応によりジナフトフランとする工程、
(b)前記ジナフトフランをジハロゲン化し、ジハロジナフトフランとする工程、
(c)前記ジハロジナフトフランを酸塩化物と反応させ、ジアシルジハロジナフトフランとする工程、
(d)前記ジアシルジハロナフトフランの水素添加により、ジアルキルジハロナフトフランとする工程
を含むことを特徴とするジナフトフラン誘導体の製造方法。
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