KR20210048012A - 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름 - Google Patents

반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름에 관한 것으로, 구체적으로 피착물과 접착제 사이에 발생하는 보이드를 제거하고 블리드 아웃을 방지할 수 있는 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.

Description

반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름{ADHISIVE COMPOUND FOR SEMICONDUCTOR AND FILM USING THE SAME}
본 발명은 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름에 관한 것으로, 구체적으로 피착물과 접착제 사이에 발생하는 보이드를 제거하고 반도체용 접착제 조성물의 블리드 아웃을 방지할 수 있는 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
최근 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라, 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택 패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.
반도체 패키지 개발 동향에 있어서는 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화 및 고성능화가 급격히 진행되고 있으며, 더불어 패키지 대용량화를 목적으로 동일한 패키지 내에 더 많은 칩을 적층할 수 있도록 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 20 ㎛ 이하로 점차 극박화되고 있다.
한편 반도체 패키지의 통신 속도가 저하되는 문제와 반도체의 소형 박형화로 인한 반도체 패키지의 품질 및 생산 수율이 저하되는 문제점을 극복하기 위하여 컨트롤러를 기판 상에 고정하고, 접착제로 덮어 그 위에 칩을 적층하는 방법을 적용하고 있다.
그러나 상술한 것과 같이 컨트롤러 위에 칩을 부착시킬 때 접착제가 컨트롤러의 상부 및 측면에 충분히 밀착하지 않게 되면 가압오븐 처리가 된 이후에도 보이드(viod)가 잔류하는 문제점이 발생하게 된다.
나아가, 컨트롤러 위에 칩을 접착시키는 과정에서 접착제가 칩의 가장자리 밖으로 스며나오는 블리드 아웃(bleed out)가 발생하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 칩의 3차원 실장 과정에서 발생하는 보이드 및 블리드 아웃을 방지하기 위한 반도체용 접착제 조성물 및 반도체용 접착 필름을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예는 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제 및 친수성 첨가제를 포함하는 반도체용 접착제 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시예는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체용 접착 조성물의 혼합물을 포함하는 반도체용 접착 필름을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체용 접착제 조성물은 친수성 첨가제를 첨가함으로써, 상기 반도체용 접착제 조성물의 표면 장력이 향상될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체용 접착 필름은 상기 반도체용 접착 필름을 이용함으로써, 다이 본딩에서 발생할 수 있는 보이드와 접착제의 블리드 아웃을 방지할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 따른 반도체 패키지의 측면 절단면도 및 정면도이다.
도 2은 비교예 1에 따른 반도체 패키지의 측면 절단면도 및 정면도이다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 유리 전이 온도는 시차주사 열량측정법(differential scanning calorimetry)에 의해 측정된 것을 의미한다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제 및 친수성 첨가제를 포함하는 반도체용 접착제 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 반도체용 접착제 조성물은 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제 및 친수성 첨가제를 첨가함으로써, 상기 반도체용 접착제 조성물의 중합체의 표면 장력이 향상되며, 반도체용 접착제의 젖음성이 감소하여 필렛 길이를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 친수성 첨가제를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 상기 친수성 첨가제의 함량은 상기 반도체용 접착제 조성물 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부인 것일 수 있다. 구체적으로 상기 반도체용 접착제 조성물 100 중량부 대비 1 중량부 내지 19 중량부, 2 중량부 내지 18 중량부, 3 중량부 내지 18 중량부, 4 중량부 내지 17 중량부, 5 중량부 내지 16 중량부, 6 중량부 내지 15 중량부, 7 중량부 내지 14 중량부, 8 중량부 내지 13 중량부, 9 중량부 내지 12 중량부 또는 10 중량부 내지 11 중량부일 수 있다. 상술한 범위 내에서 상기 친수성 첨가제의 함량을 조절함으로써, 반도체용 접착제의 표면 장력을 향상시키는 동시에 젖음성을 저감시켜, 반도체 패키기 형성과정에서 발생하는 컨트롤러와 접착제 사이의 보이드(void) 발생을 방지하고, 접착제가 블리드 아웃되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 친수성 첨가제는 친수성 중합체, 음이온계 계면활성제, 비이온 계면활성제, 당알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다. 상술한 것으로부터 상기 친수성 첨가제가 선택됨으로써, 반도체용 접착제의 표면 장력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 친수성 중합체는 폴리비닐피롤리돈 유도체 화합물, 폴리비닐알코올 유도체 화합물, 폴리에테르 유도체 화합물, 다당 유도체 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 음이온계 계면활성제는 라우릴산칼륨, 나트륨 라우릴 설페이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 비이온 계면활성제는 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 올레인산디에탄올아미드, 폴리소르베이트, 폴리에틸렌 글리콜, 하이드록시 에틸 셀룰로오스 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 당알코올은 만니톨, 크실리톨, 에리트리톨, 솔비톨, 트레할로스, 말티톨 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것일 수 있다.
상술한 것으로부터 친수성 중합체를 선택함으로써, 접착제 조성물의 젖음성을 감소시켜 반도체 패키지의 필렛 길이를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 열가소성 수지를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무, (메트)아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 열가소성 수지는 에폭시계 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 포함한 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고, -10 ℃ 내지 30 ℃의 유리 전이 온도를 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위 0.1 중량% 내지 30 중량%를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열가소성 수지는 에폭시계 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 중량% 내지 30 중량% 포함한 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태는 열경화성 수지를 포함한다. 구체적으로 상기 반도체용 접착제 조성물은 에폭시 수지일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지, 바이페닐계 에폭시 수지, 나프탈렌계 에폭시 수지, 플로렌계 에폭시 수지, 페놀노볼락계 에폭시 수지, 크레졸노볼락계 에폭시 수지, 트리스하이드록실페닐메탄계 에폭시 수지, 테트라페닐메탄계 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 여기서, 상기 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 상기 열경화성 수지는 20 ℃ 내지 25 ℃의 온도 하에서 1 mPa·s 내지 20,000 mPa·s의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 상술한 범위 내에서 액상 에폭시의 점도를 조절함으로써, 다이 어태치 공정시 수지가 과다하게 흘러나와 오염이 발생되는 것과 접착층의 끈적임이 강하여 픽업 특성이 현저히 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 열경화성 수지로 2 종의 에폭시 수지가 적용되는 경우, 10 ℃ 내지 35 ℃ 하에서 액상인 에폭시 수지와 10 ℃ 내지 35 ℃ 하에서 고상인 에폭시 수지를 1: 0.4 내지 1: 2의 중량비로 혼합하여 사용될 수 있다. 상술한 범위 내에서 액상 에폭시와 고상 에폭시 수지의 중량비를 조절함으로써, 다이 어태치 공정시 수지가 과다하게 흘러나와 오염이 발생되는 것과 접착층의 끈적임이 강하여 픽업 특성이 현저히 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 열가소성 수지와의 상용성, 반응성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지는 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지와 함께 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지는 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지 대비 상기 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 50 ℃ 내지 100 ℃의 연화점을 갖는 비스페놀A 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 에폭시 수지를 0.25 내지 1.25, 또는 0.3 내지 1.1의 중량비로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다. 상기 평균 에폭시 당량은 상기 에폭시 수지에 포함되는 각각의 에폭시 수지의 중량 비율 및 에폭시 당량을 바탕으로 구할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착제 조성물은 상기 경화제로 노볼락계 페놀 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화제는 60 ℃ 내지 150 ℃의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지를 포함하는 것일 수 있다.
상기 노볼락계 페놀 수지는 반응성 작용기 사이에 고리가 위치하는 화학 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특성으로 인하여, 상기 노볼락계 페놀 수지는 상기 접착 필름의 흡습성을 보다 낮출 수 있으며, 고온의 IR 리플로우 공정에서 안정성을 보다 높일 수 있어서, 접착 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지하는 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 노볼락계 페놀 수지의 구체적인 예로는 노볼락 페놀 수지, 자일록 노볼락 페놀 수지, 크레졸 노볼락 페놀 수지, 바이페닐 노볼락 페놀 수지, 비스페놀A 노볼락 페놀 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 노볼락계 페놀 수지는 60 ℃ 이상, 또는 60 ℃ 내지 150 ℃, 또는 105 ℃ 내지 150 ℃, 또는 70 ℃ 내지 120 ℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 60 ℃ 이상의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지는 접착 필름의 경화 후 충분한 내열성, 강도 및 접착성을 가질 수 있도록 한다. 하지만, 상기 노볼락계 페놀 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 접착 필름의 유동성이 낮아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간(void)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시킬 수 있다.
상기 노볼락계 페놀 수지는 80 g/eq 내지 300 g/eq의 수산기 당량 및 60 ℃ 내지 150 ℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착제 조성물은 경화 촉매 및 무기 충전재를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체용 접착제 조성물의 경화를 촉진시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 경화 촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 충전재는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그네슘, 규산 칼슘, 탄산 칼슘, 산화 칼슘, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 충전재는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛, 혹은 0.1 ㎛ 내지 5.0 ㎛, 혹은 0.1 ㎛ 내지 2.0 ㎛의 평균 입경(최장 외경 기준)을 갖는 것이 바람직하게 적용될 수 있다. 상기 무기 충전재의 입경이 너무 작을 경우 상기 접착 필름 내에서 쉽게 응집될 수 있다. 반면에, 상기 무기 충전재의 입경이 너무 클 경우 상기 무기 충전재에 의한 반도체 회로의 손상 및 접착 필름의 접착성 저하가 유발될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 충전재는 실리카 및 탄산 마그네슘을 1 : 0.001 내지 1 : 1의 중량비로 포함하는 것일 수 있다. 상술한 범위 내에서 실리카 및 탄산 마그네슘의 중량비를 조절함으로써, 상기 반도체용 접착 필름의 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름에는 도료 또는 안료가 적용될 수 있다. 상기 도료 또는 안료의 적용을 통해 상기 반도체용 접착 필름에 검은 색상을 부여함으로써, 소재의 필렛 등을 명확하게 관찰할 수 있어 불량률 감소 및 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 상기 도료 또는 안료의 적용을 통해 패키지 외부에서도 내부 접착체가 비추어 보이지 않도록 하는 접착 필름이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름의 검은색 구현을 위해, 통상적인 검은색화하는 물질, 예를 들어, 반응성 염료(dye), 아조 염료, 니그로신(nigrosines), 페릴렌 안료(pigment), 혼합된-상 안료(고체-용액 안료), 아닐렌 블랙, 페릴렌 블랙, Brilliant Black BN, Reactive Black 5, SulphurBlackT, 카본 블랙 등이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 커플링제의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 2-(3,4 에폭시사이클로헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸-디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필-트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필-트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등이 바람직하게 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태는 반도체용 접착 조성물의 혼합물을 포함하는 반도체용 접착 필름을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시상태에 따른 반도체용 접착 필름은 상기 반도체용 접착 필름을 이용함으로써, 다이 본딩에서 발생할 수 있는 보이드와 접착제의 블리드 아웃을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 혼합물의 물에 대한 접촉각이 150도 이하인 것일 수 있다. 구체적으로 상기 혼합물의 물애 대한 접촉각은 0도 초과 150도 이하, 10도 이상 140도 이하, 20도 이상 130도 이하, 30도 이상 120도 이하, 40도 이상 110도 이하, 50도 이상 100도 이하, 60도 이상 90도 이하, 70도 이상 80도 이하인 것이 바람직하다. 상술한 범위 내에서 상기 혼합물의 물에 대한 접촉각을 조절함으로써, 상기 반도체용 접착제 조성물의 젖음성이 저하되어 필렛 길이를 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실시예 1
(1) 열가소성 수지 제조
톨루엔 100 g에 부틸 아크릴레이트 40 g, 에틸 아크릴레이트 26 g, 아크릴로니트릴 25 g, 메틸 메타크릴레이트 5g, 글리시딜 메타크릴레이트 10 g, 열개시제 Azobisisobutyronitrile (AIBN) 0.1g을 혼합하여 100 ℃에서 약 12 시간 동안 반응시켜, 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 열가소성 아크릴레이트계 수지를 제조하였다.
(2) 접착 필름용 수지 조성물 용액의 제조
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH-6021(DIC사 제품, 비스페놀A 노볼락 수지, 수산기 당량 121 g/eq, 연화점: 133 ℃) 50g, 액상 에폭시 수지 RE-310S(일본 화약 제품, 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq,점도[25℃]: 15,000 mPa·s) 30g, 고상 에폭시 수지 EOCN-104S(일본 화약 제품, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 92 ℃) 30g, 상기 열가소성 아크릴레이트계 수지 40g, 실란 커플링제(KBM-403, 센에츠 화학, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란) 1g, 경화 촉매 2PZ(시코쿠 화성, 2-페닐 이미다졸) 0.2g 및 충진제 SC-2050(아드마텍, 구상 실리카, 평균 입경 약 400㎚) 90g 및 용매인 메틸 에틸 케톤에 혼합하여 혼합물을 준비하고 상기 혼합물 100 중량부 대비 약 3 중량부로 친수성 첨가제인 폴리소르베이트(TCI CHEMICALS사, TWEEN 80)을 접착 필름용 수지 조성물 용액(고형분 농도 40 중량%)을 얻었다.
제조된 상기 접착 필름용 수지 조성물 용액을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110 ℃에서 3분간 건조하여 반도체용 접착 필름을 얻었다.
상기 반도체용 접착 필름은 각각 10㎛의 두께(제 1 반도체 소자 접착용 필름) 및 110㎛의 두께(제 2 반도체 소자 접착 및 제 1 반도체 소자 매립용 필름)로 제조되었다.
(3) 반도체 장치의 제조
70 ℃의 온도 하에서 한 변이 3 mm인 정사각형의 제 1 반도체 소자(두께 50㎛)의 일 면에 상기 두께 10㎛의 반도체용 접착 필름을 부착하였다. 상기 제 1 반도체 소자를 상기 접착 필름을 매개로 BGA 기판에 접착하였다.
이때 접착은 125℃의 온도 하에서 1 kgf의 압력으로 1 초 동안 가압하는 방법으로 수행되었다. 제 1 반도체 소자가 접착된 BGA 기판을 건조기로 125 ℃의 온도 하에서 1 시간 동안 열 처리하여 상기 접착 필름을 열경화시켰다. 이어서, 150 ℃의 온도 하에서 와이어 본더((주)신가와, 상품명 UTC-1000)를 이용하여 지름 23㎛ 와이어를 100㎛ 피치로 제 1 반도체 소자 상에 와이어 본딩을 수행하였다.
이와 별도로, 70 ℃의 조건 하에서, 한 변이 10 mm인 정사각형의 제 2 반도체 소자(두께 80 ㎛)의 일 면에 상기 두께 110㎛의 반도체용 접착 필름을 부착하였다. 상기 제 2 반도체 소자를 상기 접착 필름을 매개로 상기 BGA 기판 상의 상기 제 1 반도체 소자가 매립되도록 접착하였다. 즉, 상기 접착에 의해 상기 제 2 반도체 소자와 상기 BGA 기판 사이에 상기 제 1 반도체 소자가 매립되도록 하였다. 이때 접착은 110 ℃의 온도 하에서 2 kgf의 압력으로 1 초 동안 가압하는 방법으로 수행되었다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 친수성 첨가제를 포함하지 않은 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 상기 반도체용 접착 필름을 제조하였다.
도 1은 실시예 1에 따른 반도체 패키지의 측면 절단면도 및 정면도이다. 상기 도 1과 같이 기판(15) 상에 컨트롤러(17)를 위치하고, 접착제 조성물(111)을 도포한다. 이후 그 위에 칩(13)을 적층하여 접착시켜 반도체 패키지를 형성한다. 상기 도 1에 따르면, 컨트롤러(17)와 접착 필름 사이에 보이드(1)가 발생하지 않으며, 접착제 조성물(111)의 블리드아웃이 발생하지 않은 것을 확인하였다.
이에 비하여, 도 2는 비교예 1에 따른 반도체 패키지의 측면 절단면도 및 정면도이다. 상기 도 2를 참조하면, 비교예 1은 컨트롤러(17)와 접착 필름(11) 사이에 보이드(1)가 발생하였으며, 접착제의 블리드아웃이 발생하여 필렛의 길이가 증가한 것을 확인하였다.
1: 보이드
11: 종래의 접착 필름
13: 칩
15: 기판
17: 컨트롤러
111: 접착제 조성물

Claims (15)

  1. 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화제 및 친수성 첨가제를 포함하는 반도체용 접착제 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 친수성 첨가제의 함량은 상기 반도체용 접착제 조성물 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 친수성 첨가제는 친수성 중합체, 음이온계 계면활성제, 비이온 계면활성제, 당알코올 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 친수성 중합체는 폴리비닐피롤리돈 유도체 화합물, 폴리비닐알코올 유도체 화합물, 폴리에테르 유도체 화합물, 다당 유도체 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 음이온계 계면활성제는 라우릴산칼륨, 나트륨 라우릴 설페이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 비이온 계면활성제는 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 올레인산디에탄올아미드, 폴리소르베이트, 폴리에틸렌 글리콜, 하이드록시 에틸 셀룰로오스 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 당알코올은 만니톨, 크실리톨, 에리트리톨, 솔비톨, 트레할로스, 말티톨 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것인 반도체용 접착제 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 에폭시계 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 중량% 내지 30 중량% 포함한 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 열경화성 수지는 20 ℃ 내지 25 ℃의 온도 하에서 1 mPa·s 내지 20,000 mPa·s의 점도를 갖는 액상 에폭시 수지를 포함하는 것이고,
    상기 경화제는 60 ℃ 내지 150 ℃의 연화점을 갖는 노볼락계 페놀 수지를 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체용 접착제 조성물은 경화 촉매 및 무기 충전재를 더 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 경화 촉매는 인계 화합물, 붕소계 화합물, 인-붕소계 화합물, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 무기 충전재는 알루미나, 실리카, 황산바륨, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 규산 마그네슘, 산화 마그 네슘, 규산 칼슘, 탄산 칼슘, 산화 칼슘, 수산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 무기 충전재는 실리카 및 탄산 마그네슘을 1 : 0.001 내지 1 : 1의 중량비로 포함하는 것인 반도체용 접착제 조성물.
  14. 청구항 1 내지 13의 반도체용 접착 조성물의 혼합물을 포함하는 반도체용 접착 필름.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 혼합물의 물에 대한 접촉각이 150도 이하인 것인 반도체용 접착 필름.
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