KR101878908B1 - 젖음성이 우수한 에폭시 플럭스 페이스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 젖음성이 우수하여 솔더볼에 고르게 도포될 수 있는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 이용을 통해 기판과 솔더볼의 접착력 및 코팅성을 높일 수 있을 뿐 아니라, 플럭스의 잔사를 최소화하여 공정 효율성이 향상된 반도체 소자 실장방법의 제공 및 우수한 전기적 특성을 가진 전자 장치의 제조가 가능하다.

Description

젖음성이 우수한 에폭시 플럭스 페이스트 조성물{COMPOSITION FOR EPOXY FLUX PASTE HAVING BEST WETTABILITY}
본 발명은 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 젖음성이 우수하여 솔더볼에 고르게 도포될 수 있는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것이다.
최근 전자 기기의 소형화 및 고기능화에 따라 반도체 등의 고밀도화가 요구되어 왔으며, 이에 따라 솔더링 공정은 필수적인 접합 기술이 되었다. 납땜이라고도 알려져 있는 솔더링 공정은 450℃ 이하의 온도에서 2개의 이종 재료 사이에 저융점의 금속을 용융시켜 접합하는 방식이며, 최근 솔더링 공정은 솔더볼(solder ball) 또는 솔더 범프(solder bump)를 사용하는 방향으로 발전하고 있다. 솔더볼은 칩과 기판 간의 전기 및 기계적 연결을 하는 땜납 부속품으로, 최종 칩과 회로 기판 사이의 전기적 신호 전달을 가능하게 하는 작은 구슬 형태의 초정밀 납땜 재료를 칭하는 것이다.
한편 솔더링 공정 수행 시 접합하고자 하는 금속부재의 표면에 산화막이 형성되어있으면 접합용 용융금속이 순수금속을 적시지 못하게 방해하여 접합이 이루어지지 않는다. 이를 방지하기 위하여 통상의 접합 작업에서는 플럭스(flux)를 사용하고 있다. 플럭스는 땜납 표면의 산화층을 파괴하고, 접합도중에 금속 표면이 대기와 접촉하여 산화층이 생성되는 것을 방지함으로써 결합이 쉽게 이루어지도록 한다.
한편, 종래 솔더볼을 이용한 솔더링 방법은 기판이나 웨이퍼에 산화막을 제거하기 위해 플럭스를 도포한 후 솔더볼을 장착하여 솔더링을 수행하는 것이 통상적이다. 그러나 상기의 경우 솔더링 부위에 플럭스 잔사를 남기는데, 이는 회로의 부식과 단선을 야기할 수 있다. 이러한 잔사를 제거하기 위해서는 추가적인 세척 단계가 필요하나, 전자 기기의 소형화 및 고밀도화로 인해 솔더링 부위에 남은 플럭스 잔사를 제거하는 것은 매우 어렵다. 또한 세척이 용이하더라도, 세척 작업 동안 발생한 폐기물로 인하여 환경 문제를 야기할 수 있다.
이에 최근 기판이나 웨이퍼에 솔더볼을 장착한 후 상기 솔더볼 상부에 도팅장치를 이용하여 플럭스를 도팅하는 공정이 적용되고 있으나, 상기 경우 또한 전자기기의 소형화로 인하여 플럭스를 균일하게 도포하는데 어려움이 있다.
이에 본 발명자들은 젖음성이 우수하여 솔더볼에 고르게 도포되며, 플럭스 잔사를 실질적으로 최소화할 수 있는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하게 되었다.
대한민국 등록특허 제10-0321352호 (발명의 명칭 : 납땜 또는 주석 도금 전의 금속표면에 건식 플럭스를 도포하는 방법 및 장치, 출원인 : 레드 리뀌드, 등록일 : 2002년01월08일) 대한민국 등록특허 제10-1606360호 (발명의 명칭 : 경화성 플럭스 조성물 및 이를 포함하는 솔더 페이스트, 출원인 : 한국생산기술연구원, 등록일 : 2016년03월21일)
본 발명의 목적은 젖음성이 우수하여 솔더볼에 고르게 도포되며, 이에 플럭스 잔사를 최소화할 수 있는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제공하는 데에 있다.
본 발명은 에폭시계 수지를 포함하는 조성물로서, 점도가 10,000 ~ 30,000 cps이면서, 접촉각이 35° ~ 40°인 에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것이다.
상기 에폭시 플럭스 페이스트 조성물은 에폭시계 수지, 경화제, 환원제, 계면활성제 및 촉매제가 포함될 수 있다.
상기 에폭시계 수지는 2관능성 에폭시 수지, 3관능성 에폭시 수지 및 4관능성 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 경화제는 아민 계열(amine family) 물질 및 안하이드라이드 계열(anhydride family)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 경화제는 에폭시계 수지 대비 0.2 ~ 0.4 당량비로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 환원제는 글루타르산(glutaric acid), 말레산(malic acid), 아젤라인산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아디프산(adipic acid), 아스코르빈산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 및 시트르산(citric acid)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 플루오르화 알킬 에스테르, 퍼플루오로알칼아민 옥사이드, 불소 함유 오가노실록산 시스템 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 촉매제는 벤질 디메틸 아민(BDMA:Benzyl DiMethly Amine), BF3-모노 에틸 아민(BF3-MEA:BF3-Mono Ethyl Amine), 트리스(디메틸아미노메틸)페놀(DMP-30:tris(dimethylaminomethyl)phenol), 디메틸벤즈안트라센(DMBA:DiMethylBenzAnthracene) 및 메틸이미다졸(MI:MethylImidazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 함유되는 환원제, 계면활성제, 촉매제는 경화제 100 중량부 기준으로 환원제 5 ~ 15 중량부, 계면활성제 5 ~ 15 중량부, 촉매제 1 ~ 5 중량부가 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명은 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조 및 솔더볼이 접속된 소자기판, 배선기판을 준비하는 단계; 상기 솔더볼이 접속된 소자기판을 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조에 일부 침지시켜 솔더볼에 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 도포하는 단계; 및 조성물이 도포된 솔더볼이 접속된 소자기판과 배선기판을 접합시킨 후 가열하는 단계;를 포함하는 반도체 소장 실장방법이 제공된다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 에폭시계 수지를 포함하는 조성물로서, 점도가 10,000 ~ 30,000 cps이면서, 접촉각이 35° ~ 40°인 에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것이다.
상기 에폭시 플럭스 페이스트 조성물은 에폭시계 수지, 경화제, 환원제, 계면활성제 및 촉매제가 포함될 수 있다.
상기 에폭시계 수지로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 2관능성 에폭시 수지, 3관능성 에폭시 수지 및 4관능성 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 경화제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 아민 계열(amine family) 물질 및 안하이드라이드 계열(anhydride family)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 아민 계열 물질은 메타-페닐렌디아민(MPDA:Meta-PhenyleneDiAmine), 디아미노 디페닐 메탄(DDM:Diamino Diphenyl Methane) 및 디아미노디페닐 설폰(DDS:DiaminoDiphenyl Sulfone)로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하며, 상기 안하이드라이드 계열 물질은 2-메틸-4-니트로아닐린(MNA:2-Methyl-4-NitroAniline), 도데세닐 숙신 안하이드라이드(DDSA:DoDecenly Succinic Anhydride), 말레익 안하이드라이드(MA:Maleic Anhydride), 숙신 안하이드라이드(SA:Succinic Anhydride), 메틸테트라하이드로프탈릭 안하이드라이드(MTHPA:MethylTetraHydroPhthalic Anhydride), 헥사하이드로프탈릭안하이드라이드(HHPA:HexaHydro Phthalic Anhydride), 테트라하이드로프탈릭 안하이드라이드(THPA:Tetrahydrophthalic Anhydride) 및 피로멜리틱 안하이드라이드(PMDA:PyroMellitic DiAnhydride)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 경화제는 에폭시계 수지 대비 0.2 ~ 0.4 당량비로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 경화제가 에폭시계 수지 대비 0.2 당량비 미만이면 에폭시계 수지의 경화가 원활하지 않으며, 0.4 당량비를 초과하면 에폭시계 수지가 경화된 후 고온고습에 견딜 수 있는 특성이 저하되어 바람직하지 않다.
상기 환원제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 글루타르산(glutaric acid), 말레산(malic acid), 아젤라인산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아디프산(adipic acid), 아스코르빈산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 및 시트르산(citric acid)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 환원제는 경화제 100 중량부 대비 5 ~ 15 중량부가 포함되는 것이 바람직하다. 상기 환원제가 경화제 100 중량부 대비 5 중량부 미만이거나, 15 중량부를 초과하면, 솔더볼 표면에 산화가 진행되거나 에폭시 플럭스 페이스트 조성물로서의 기능이 저하되어 바람직하지 않다.
상기 계면활성제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 비이온성 계면활성제, 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 플루오르화 알킬 에스테르, 퍼플루오로알칼아민 옥사이드, 불소 함유 오가노실록산 시스템 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 상기 계면활성제는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 젖음성을 향상시키며, 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 계면 장력을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 계면활성제는 경화제 100 중량부 대비 5 ~ 15 중량부가 포함되는 것이 바람직하다. 상기 계면활성제가 경화제 100 중량부 대비 5 중량부 미만이면 에폭시 플럭스 페이스트의 젖음성이 낮아져 솔더볼에 도포되지 않으며, 15 중량부를 초과하면 에폭시 플럭스 페이스트의 흐름성이 높아져 솔더볼 주위를 균일하게 감싸 주지 못해 바람직하지 않다.
본 발명에서 요구되는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 점도 및 접촉각의 제어는 에폭시계수지 조성물에 첨가되는 계면활성제의 함량뿐만 아니라, 계면활성제를 혼합하는 공정제어가 보다 중요하다. 요구하는 접촉각을 달성하기 위해서 에폭시계 수지 조성물을 5 ~ 10 rpm의 속도로 교반하면서 계면활성제를 5 ~ 15 g/min의 속도로 적가하여 혼합 조성물을 제조하는 것을 특징으로 한다. 상기 교반 속도 또는 적가 속도가 너무 느리거나 빠르면 본 발명에서 요구되는 조성물의 점도 및 접촉각을 달성할 수 없는 문제가 발생한다.
상기 촉매제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는 벤질 디메틸 아민(BDMA:Benzyl DiMethly Amine), BF3-모노 에틸 아민(BF3-MEA:BF3-Mono Ethyl Amine), 트리스(디메틸아미노메틸)페놀(DMP-30:tris(dimethylaminomethyl)phenol), 디메틸벤즈안트라센(DMBA:DiMethylBenzAnthracene) 및 메틸이미다졸(MI:MethylImidazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 촉매제는 경화제 100 중량부 대비 1 ~ 5 중량부가 포함되는 것이 바람직하다. 상기 촉매제가 경화제 100 중량부 대비 1 중량부 미만이거나 5 중량부를 초과하면, 솔더볼 표면과 맞닿는 조성물 내에 기포가 형성될 수 있어 바람직하지 않다.
본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 제조 시 칙소제 및 희석제를 더 포함할 수 있다. 상기 칙소제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 수소 첨가 캐스터 왁스(hydrogenated castor wax), 카나우바 왁스(carnauba wax), 에틸렌글리콜(ethyleneglycol), 폴리글리콜(polyglycols), 폴리프로필렌 글리콜(polypropylene glycol), 아크릴레이트 올리고머(acrylate oligomer), 글리세라이드(glycerides), 시메티콘(simethicone), 트리부틸 포스페이트(tributyl phosphate) 및 실리카계 화합물(Silica compounds)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다. 또한 상기 희석제로서 사용될 수 있는 것들은 특별히 제한되지는 않으나, 브롬화 디페닐에테르(BDE:Brominated Diphenyl Ethers)와 같은 유기용매가 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명의 조성물은 커플링제, 도막 평활제 및 소포제로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
또한 유동개질제, 증점제 등과 같은 보조 첨가제를 더 포함할 수 있는데, 상기 유동개질제 또는 증점제는 공지된 것이라면 그 종류가 제한되지 않으며, 예를 들어 아크릴레이트 고분자 화합물, 변성 셀룰로오스 등이 있다. 또한 본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물은 CNT-Cu(Carbon Nano Tube-Copper)를 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조 및 솔더볼이 접속된 소자기판, 배선기판을 준비하는 단계; 상기 솔더볼이 접속된 소자기판을 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조에 일부 침지시켜 솔더볼에 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 도포하는 단계; 및 조성물이 도포된 솔더볼이 접속된 소자기판과 배선기판을 접합시킨 후 가열하는 단계;를 포함하는 반도체 소장 실장방법이 제공된다.
본 발명은 젖음성이 우수한 에폭시 플럭스 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 이용을 통해 기판과 솔더볼의 접착력 및 코팅성을 높일 수 있을 뿐 아니라, 플럭스의 잔사를 최소화하여 공정 효율성이 향상된 반도체 소자 실장방법의 제공 및 우수한 전기적 특성을 가진 전자 장치의 제조가 가능하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 내용이 철저하고 완전해지도록, 당업자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달하기 위해 제공하는 것이다.
<실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 9. 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 제조>
에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하기 위해 에폭시계 수지로는 2관능성 에폭시 수지(DGEBA:DiGlycidylEther of Bisphenol of A), 경화제로는 디아미노디페닐 설폰(DDS:DiaminoDiphenyl Sulfone), 환원제로는 말레산, 계면활성제로는 플로라드 FC-4430(스미모토쓰리엠(주)제), 촉매제로는 BF3-모노 에틸 아민(BF3-MEA:BF3-Mono Ethyl Amine), 희석제로는 브롬화 디페닐 에테르(BDE:Brominated Diphenyl Ethers)를 사용하였고, 각 실시예 및 비교예들의 조성물 제조조건에 따라 하기 표 1의 중량의 구성성분을 준비하였다.
조건 에폭시계 수지 대비 경화제의 당량비 경화제 (g) 환원제 (g) 계면활성제 (g) 촉매제 (g) 희석제 (g)
실시예 1 0.3 100 10 5 5 30
실시예 2 0.3 100 10 10 5 25
실시예 3 0.3 100 5 15 5 25
비교예 1 0.3 100 15 1 4 30
비교예 2 0.3 100 5 30 2 13
비교예 3 0.1 100 10 5 5 30
비교예 4 1 100 10 5 5 30
비교예 5 0.3 100 0.5 15 5 29.5
비교예 6 0.3 100 5 10 10 25
비교예 7 0.3 100 10 5 5 30
비교예 8 0.3 100 10 5 5 30
비교예 9 0.3 100 5 - 1 33
실시예 1
경화제인 디아미노디페닐 설폰 100g을 희석제인 브롬화 디페닐 에테르 30g에 첨가하고 상기 디아미노디페닐 설폰이 모두 용해될 때까지 130℃에서 20분간 혼합하였다. 이렇게 제조된 용액에 2관능성 에폭시 수지가 균일하게 혼합되도록 상온인 25℃에서 20분간 혼합하였다. 이 때 에폭시계 수지 대비 경화제가 0.3 당량비로 포함되게 하였다. 2관능성 에폭시 수지가 포함된 혼합물에 상온에서 촉매제인 BF3-모노 에틸 아민 5g을 첨가하고 5분간 혼합하였다. 이후, 상기 촉매제를 포함하는 혼합물에 환원제인 말레산 10g을 첨가하여 5분간 혼합한 후, 말레산이 첨가된 혼합물을 10 rpm의 속도로 교반하면서 계면활성제인 플로라드 FC-4430 5g을 10 g/min의 속도로 적가하여 최종적으로 본 발명의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하였다.
실시예 2 및 3과 비교예 1 내지 6
실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하되, 각 구성성분의 중량은 표 1을 참고하여 첨가하였다.
비교예 7
실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하되, 말레산이 첨가된 혼합물을 30 rpm의 속도로 교반하면서 계면활성제를 10 g/min의 속도로 적가하였다.
비교예 8
실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하되, 말레산이 첨가된 혼합물을 10 rpm의 속도로 교반하면서 계면활성제를 1 g/min의 속도로 적가하였다.
비교예 9
경화제인 디아미노디페닐 설폰 100g을 희석제인 브롬화 디페닐 에테르 33g에 첨가하고 상기 디아미노디페닐 설폰이 모두 용해될 때까지 130℃에서 20분간 혼합하였다. 이렇게 제조된 용액에 2관능성 에폭시 수지가 균일하게 혼합되도록 상온인 25℃에서 20분간 혼합하였다. 이 때 에폭시계 수지 대비 경화제가 0.3 당량비로 포함되게 하였다. 2관능성 에폭시 수지가 포함된 혼합물에 상온에서 촉매제인 BF3-모노 에틸 아민 1g을 첨가하고 5분간 혼합하였다. 이후, 상기 촉매제를 포함하는 혼합물에 환원제인 말레산 5g을 첨가하여 5분간 혼합한 후, 말레산이 첨가된 혼합물을 10 rpm의 속도로 교반하면서 칙소제 폴리디메틸실록산 30g을 15 g/min의 속도로 적가하여 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 제조하였다.
<실험예 1. 젖음성 평가>
구리 기판 위에 상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 9에서 제조된 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 적가 한 후 접촉각을 측정함으로써 젖음성을 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 정리하여 나타내었다.
조건 접촉각(°)
실시예 1 37 ~ 39
실시예 2 36 ~ 38
실시예 3 36 ~ 37
비교예 1 44 ~ 45
비교예 2 29 ~ 30
비교예 3 35 ~ 37
비교예 4 36 ~ 37
비교예 5 37 ~ 38
비교예 6 36 ~ 38
비교예 7 33 ~ 35
비교예 8 41 ~ 42
비교예 9 40 ~ 42
상기 표 2를 참고하여, 실시예 1 내지 3의 경우 비교예 1, 8, 9와 대비하여 접촉각이 낮음을 볼 수 있으며, 이를 통해 젖음성이 우수한 것으로 확인된다. 실제로 실시예 1 내지 3의 조성물을 이용할 경우 솔더볼에 조성물이 고르게 도포되었지만, 비교예 1, 8, 9의 경우 조성물이 솔더볼에 잘 도포되지 않았다.
비교예 2 내지 7의 경우 접촉각이 낮음을 볼 수 있으나, 비교예 2의 경우 흐름성이 높아서 솔더볼 주위를 균일하게 감싸주지 못하며, 비교예 3 내지 7의 경우 경화가 원활히 이루어지지 않거나, 산화가 진행되며, 기포가 발생하는 문제점 등이 발견되었다.
이때, 상기 실시예 1 내지 3의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물의 점도는 10,000 ~ 30,000 cps인 것으로 확인되었다.

Claims (10)

  1. 에폭시계 수지를 포함하는 조성물로서, 에폭시계 수지 대비 경화제 0.2 ~ 0.4 당량비 및 경화제 100 중량부 기준으로 환원제 5 ~ 15 중량부, 계면활성제 5 ~ 15 중량부, 촉매제 1 ~ 5 중량부를 포함하여,
    점도가 10,000 ~ 30,000 cps이면서, 접촉각이 35° ~ 40°인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 에폭시계 수지는 2관능성 에폭시 수지, 3관능성 에폭시 수지 및 4관능성 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 경화제는 아민 계열(amine family) 물질 및 안하이드라이드 계열(anhydride family)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 환원제는 글루타르산(glutaric acid), 말레산(malic acid), 아젤라인산(azelaic acid), 아비에트산(abietic acid), 아디프산(adipic acid), 아스코르빈산(ascorbic acid), 아크릴산(acrylic acid) 및 시트르산(citric acid)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 불소계 계면활성제, 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 플루오르화 알킬 에스테르, 퍼플루오로알칼아민 옥사이드, 불소 함유 오가노실록산 시스템 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 촉매제는 벤질 디메틸 아민(BDMA:Benzyl DiMethly Amine), BF3-모노 에틸 아민(BF3-MEA:BF3-Mono Ethyl Amine), 트리스(디메틸아미노메틸)페놀(DMP-30:tris(dimethylaminomethyl)phenol), 디메틸벤즈안트라센(DMBA:DiMethylBenzAnthracene) 및 메틸이미다졸(MI:MethylImidazole)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 플럭스 페이스트 조성물.
  9. 삭제
  10. 제 1항의 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조 및 솔더볼이 접속된 소자기판, 배선기판을 준비하는 단계; 상기 솔더볼이 접속된 소자기판을 에폭시 플럭스 페이스트 조성물이 담긴 수용조에 일부 침지시켜 솔더볼에 에폭시 플럭스 페이스트 조성물을 도포하는 단계; 및 조성물이 도포된 솔더볼이 접속된 소자기판과 배선기판을 접합시킨 후 가열하는 단계;를 포함하는 반도체 소장 실장방법.
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