KR20200141427A - Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil - Google Patents

Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil Download PDF

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KR20200141427A KR1020200171634A KR20200171634A KR20200141427A KR 20200141427 A KR20200141427 A KR 20200141427A KR 1020200171634 A KR1020200171634 A KR 1020200171634A KR 20200171634 A KR20200171634 A KR 20200171634A KR 20200141427 A KR20200141427 A KR 20200141427A
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Abstract

The present invention provides a copper foil for a flexible printed circuit with an excellent etching property and a copper foil laminate, a flexible printed circuit, and an electronic device using the copper foil. The copper foil comprises: at least 99.0 wt% of Cu; and a remaining of inevitable impurities. The copper foil has 0.5-4.0 μm of an average crystal grain size, an X-ray diffraction intensity of a surface of the copper foil indicated as I (220)/I_0 (220), 1.3-7.0 of an aggregation degree, and at least 80% of conductivity.

Description

플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기{COPPER FOIL FOR FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT, AND COPPER CLAD LAMINATE, FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING COPPER FOIL}Copper foil for a flexible printed circuit board, a copper clad laminate using the same, a flexible printed circuit board, and an electronic device TECHNICAL FIELD TECHNICAL FIELD [0002] TECHNICAL FIELD [0002]

본 발명은 플렉시블 프린트 기판 등의 배선 부재에 사용하기에 바람직한 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 배선판, 및 전자 기기에 관한 것이다.The present invention relates to a copper foil suitable for use in wiring members such as flexible printed circuit boards, a copper clad laminate using the same, a flexible wiring board, and an electronic device.

플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판, 이하, 「FPC」라고 칭한다) 은 플렉시블성을 갖기 때문에 전자 회로의 절곡부나 가동부에 널리 사용되고 있다. 예를 들어, HDD 나 DVD 및 CD-ROM 등과 같은 디스크 관련 기기의 가동부나, 접이식 휴대전화기의 절곡부 등에 FPC 가 이용되고 있다Flexible printed circuit boards (flexible wiring boards, hereinafter referred to as "FPC") are widely used in bent portions and movable portions of electronic circuits because they have flexibility. For example, FPCs are used for moving parts of disk-related devices such as HDD, DVD, and CD-ROM, and bending parts of foldable mobile phones.

FPC 는 동박과 수지를 적층한 Copper Clad Laminate (구리 피복 적층체, 이하 CCL 이라고 칭한다) 를 에칭함으로써 배선을 형성하고, 그 위를 커버레이라고 불리는 수지층에 의해 피복한 것이다. 커버레이를 적층하는 전 단계에서, 동박과 커버레이의 밀착성을 향상시키기 위한 표면 개질 공정의 일환으로서 동박 표면의 에칭이 행해진다. 또, 동박의 두께를 저감하여 굴곡성을 향상시키기 위해, 두께 감소 에칭을 실시하는 경우도 있다.In the FPC, wiring is formed by etching Copper Clad Laminate (copper-clad laminate, hereinafter referred to as CCL) in which copper foil and resin are laminated, and the top is covered with a resin layer called coverlay. In the previous step of laminating the coverlay, etching of the surface of the copper foil is performed as part of a surface modification process for improving the adhesion between the copper foil and the coverlay. Further, in order to reduce the thickness of the copper foil and improve the flexibility, thickness reduction etching is sometimes performed.

그런데, 전자 기기의 소형, 박형, 고성능화에 수반하여, FPC 의 회로폭, 스페이스폭의 미세화 (예를 들어, 20 ∼ 30 ㎛ 정도) 가 요구되고 있다. FPC 의 회로가 미세화하면, 에칭에 의해 회로를 형성할 때에 에칭 팩터나 회로 직선성이 열화하기 쉬워진다는 문제가 있다 (특허문헌 1, 2).By the way, as electronic devices become smaller, thinner, and higher in performance, miniaturization of the circuit width and space width of the FPC (for example, about 20 to 30 μm) is required. If the circuit of the FPC is miniaturized, there is a problem that the etching factor and circuit linearity tend to deteriorate when a circuit is formed by etching (Patent Documents 1 and 2).

일본 공개특허공보 2017-141501호Japanese Patent Application Publication No. 2017-141501 일본 공개특허공보 2017-179390호Japanese Patent Application Publication No. 2017-179390

그러나, 종래의 기술에서는, 에칭성을 개선하는 방책으로서 평균 결정 입경 등을 최적화하는 것이 행해지고 있지만, 미세 회로의 형성에 있어서의 에칭성에 개선의 여지가 있다.However, in the prior art, while optimizing the average crystal grain size and the like as a measure to improve the etching property, there is room for improvement in the etching property in the formation of a fine circuit.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 에칭성이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기의 제공을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a copper foil for a flexible printed circuit board having excellent etching properties, a copper clad laminate using the same, a flexible printed circuit board, and an electronic device.

본 발명자들은 다양하게 검토한 결과,〈220〉방위의 에칭 속도가 큰 것을 알아냈다. 특히, 염화 제 2 구리 에천트에 의한 에칭에서는 방위에 의한 에칭 속도의 차이가 존재하지 않는다고 여겨져 왔다. 그래서〈220〉방위의 결정립을 많게 함으로써 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 을 더욱 향상시키는 데에 성공하였다.As a result of various investigations by the present inventors, it was found that the etching rate in the <220> orientation was large. In particular, it has been considered that there is no difference in the etching rate depending on the orientation in the etching with the cupric chloride etchant. Therefore, it succeeded in further improving the etching property (especially soft etching property and etching factor) by increasing the number of crystal grains in the <220> orientation.

즉, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 압연 동박으로서, 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 도전율이 80 % 이상이다.That is, the copper foil for a flexible printed circuit of the present invention is a rolled copper foil composed of 99.0% by mass or more of Cu and the remainder of inevitable impurities, and has an average crystal grain size of 0.5 to 4.0 µm, and the X-ray diffraction intensity I(220)/I on the surface of the copper foil The degree of aggregation represented by 0 (220) is 1.3 or more and less than 7.0, and the electrical conductivity is 80% or more.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 것이 바람직하다.The copper foil for flexible printed circuit boards of the present invention is preferably made of tough pitch copper standardized in JIS-H3100 (C1100) or oxygen-free copper made in JIS-H3100 (C1020).

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.The copper foil for a flexible printed circuit of the present invention further contains at least one or two or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn, and Sb as an additive element in total of 0.7 It is preferable to contain it by mass% or less.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박에 있어서, 300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 후에, 상기 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 상기 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 상기 도전율이 80 % 이상인 것이 바람직하다.In the copper foil for a flexible printed circuit of the present invention, after annealing at 300° C. x 30 min (however, after annealing at a heating rate of 100° C./min to 300° C./min), the average crystal grain size is 0.5 to 4.0 μm, and the aggregate degree is 1.3 or more. It is preferable that it is less than 7.0 and the said electrical conductivity is 80% or more.

본 발명의 구리 피복 적층체는, 상기 플렉시블 프린트 기판용 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다.The copper clad laminate of the present invention is formed by laminating the copper foil for flexible printed circuit boards and a resin layer.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판은, 상기 구리 피복 적층체에 있어서의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.The flexible printed circuit board of the present invention is formed by forming a circuit on the copper foil in the copper clad laminate.

본 발명의 전자 기기는 상기 플렉시블 프린트 기판을 사용하여 이루어진다.The electronic device of the present invention is made using the above flexible printed circuit board.

본 발명에 의하면, 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박이 얻어진다.According to the present invention, a copper foil for a flexible printed circuit board excellent in etching properties (especially soft etching properties and etching factor) can be obtained.

도 1 은 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 도면이다.
도 2 는 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 다른 도면이다.
1 is a diagram showing a method of measuring an etching factor EF.
2 is another diagram showing a method of measuring an etching factor EF.

이하, 본 발명에 관련된 동박의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서 % 는 특별한 언급이 없는 이상 질량% 를 나타내는 것으로 한다.Hereinafter, an embodiment of the copper foil according to the present invention will be described. In addition, in the present invention,% is assumed to represent mass% unless otherwise specified.

먼저, 에칭성에 있어서의 소프트 에칭성과 에칭 팩터 EF 에 대해 설명한다.First, the soft etching property in the etching property and the etching factor EF will be described.

소프트 에칭성은, 동박 표면과 레지스트의 밀착성에서 기인한 에칭에 의한 회로의 정밀도를 나타내는 지표로, 레지스트의 밀착성이 좋아 레지스트가 동박 표면을 추종할수록, 양자 사이에 에칭액이 침입하여 회로의 일부가 결손되는 문제가 억제되고, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상된다.Soft etchability is an index indicating the accuracy of the circuit by etching due to the adhesion between the surface of the copper foil and the resist. The better the adhesion of the resist is, the more the resist follows the surface of the copper foil, the more the etchant enters between the two and part of the circuit is damaged. The problem is suppressed, a uniform circuit pattern is obtained over the entire copper foil, and the yield is improved.

에칭 팩터 EF 는 에칭으로 형성한 회로의 단면 형상의 지표이며, EF 가 높을수록, 에칭으로 형성한 회로의 단면이 샤프해지므로, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.The etching factor EF is an index of the cross-sectional shape of the circuit formed by etching, and the higher the EF is, the sharper the cross section of the circuit formed by etching becomes, and thus the accuracy of the circuit pattern is improved when the circuit is miniaturized.

소프트 에칭성이 양호해도, 에칭 팩터 EF 가 열등한 경우, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되지만, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.Even if the soft etching property is good, when the etching factor EF is inferior, a uniform circuit pattern is obtained on the entire surface of the copper foil and the yield is improved, but when the circuit is refined, the accuracy of the circuit pattern is lowered.

반대로, 에칭 팩터 EF 가 양호해도, 소프트 에칭성이 열등한 경우, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상되지만, (동박 표면과 레지스트 사이에 에칭액이 침입하기 쉽기 때문에) 회로의 일부가 결손되는 문제가 생겨 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하여 수율이 저하된다.Conversely, even if the etching factor EF is good, if the soft etching property is inferior, the accuracy of the circuit pattern is improved when the circuit is refined, but a part of the circuit is damaged (because the etching liquid easily penetrates between the copper foil surface and the resist). Occurs, and a uniform circuit pattern cannot be obtained on the entire surface of the copper foil, resulting in a decrease in yield.

<조성><Composition>

본 발명에 관련된 동박은, 99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어진다.The copper foil according to the present invention is composed of 99.0 mass% or more of Cu and residual unavoidable impurities.

본 발명의 실시예에서는, 동박의 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 미세화함으로써, 냉간 압연 중에 동박의 전위 (轉位) 의 축적이 촉진되고, 재결정시에는 재결정립이 미세해진다. 또, 냉간 압연의 최종 패스에 있어서 변형 속도를 극단적으로 높이면, 재결정시에는 재결정립이 특정 방위로 배향하고, 즉{200}면 집합도가 억제되고, 또한{220}면 집합도를 높일 수 있어 에칭성이 향상된다.In the embodiment of the present invention, by miniaturizing the crystal grain size before the final cold rolling of the copper foil, the accumulation of dislocations of the copper foil during cold rolling is promoted, and the recrystallized grains become fine during recrystallization. In addition, if the deformation rate is extremely high in the final pass of cold rolling, the recrystallized grains are oriented in a specific orientation at the time of recrystallization, that is, the "200" plane aggregation degree is suppressed, and the "220" plane aggregation degree can be increased. Etchability is improved.

또, 동박의 재결정 후에 있어서의 결정립을 미세화하기 위해서는, 어닐링과 압연을 반복하는 공정 전체 중에서, 최종 어닐링 후에 실시하는 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하로 하면 바람직하다.In addition, in order to refine the crystal grains after recrystallization of the copper foil, it is preferable to set the crystal grain size before the final cold rolling performed after the final annealing into 5 µm or more and 20 µm or less in the entire process of repeating annealing and rolling.

구체적으로는, 최종 어닐링의 온도, 및 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도를 조정하면, 상기 입경을 제어할 수 있다. 최종 어닐링의 온도는 동박의 제조 조건에 따라서도 변하고, 한정되지 않지만, 예를 들어 300 ∼ 400 ℃ 로 하면 된다. 또, 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도도 한정되지 않지만, 예를 들어 가공도 η 를 1.6 ∼ 3.0 으로 하면 된다.Specifically, the particle diameter can be controlled by adjusting the temperature of the final annealing and the degree of workability of cold rolling before the final annealing. The temperature of the final annealing also varies depending on the production conditions of the copper foil, and is not limited, but may be, for example, 300 to 400°C. In addition, the working degree of cold rolling before final annealing is also not limited, but, for example, the working degree η may be 1.6 to 3.0.

가공도 η 는, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직전의 재료의 두께를 A0, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직후의 재료의 두께를 A1 로 하고, η = ln(A0/A1) 로 나타낸다.In the workability η, the thickness of the material immediately before cold rolling before the final annealing is A0, the thickness of the material immediately after cold rolling before the final annealing is A1, and is represented by η = ln (A0/A1).

최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 20 ㎛ 초과인 경우, 가공시의 전위의 엉킴이 작아지고, 변형의 축적이 적어지기 때문에, 재결정 후에 변형이 해방되지 않고 결정립의 미세화가 불충분해지는 경향이 있다. 최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 5 ㎛ 보다 작은 경우에는, 가공시의 전위의 엉킴이 동박의 거의 전영역에서 생겨 더 이상의 엉킴이 생기지 않고, 동박의 재결정시에 재결정립이 미세화하는 효과가 포화된다. 따라서 최종 냉간 압연 전의 결정 입경의 하한을 5 ㎛ 로 하였다.When the crystal grain size before the final cold rolling is more than 20 µm, the entanglement of dislocations at the time of processing becomes small, and the accumulation of strain decreases, so that after recrystallization, the strain is not released and the refinement of the crystal grains tends to be insufficient. When the crystal grain size before the final cold rolling is less than 5 µm, entanglement of dislocations during processing occurs in almost the entire region of the copper foil, no further entanglement occurs, and the effect of recrystallization of recrystallized grains at the time of recrystallization of the copper foil is saturated. Therefore, the lower limit of the grain size before the final cold rolling was set to 5 µm.

또, 첨가 원소로서 상기 조성에 대해, P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하면 재결정립을 미세화할 수 있다.In addition, as an additive element, if at least one or two or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn, and Sb are contained in a total of 0.7% by mass or less with respect to the above composition, recrystallization The sizing can be refined.

상기 첨가 원소는, 냉간 압연시에 전위의 엉킴의 빈도를 증가시키므로, 재결정립을 미세화할 수 있다.The additive element increases the frequency of entanglement of dislocations during cold rolling, so that recrystallized grains can be refined.

상기 첨가 원소를 합계로 0.7 질량% 를 초과하여 함유시키면, 도전율이 저하되어, 플렉시블 기판용 동박으로서 적합하지 않은 경우가 있으므로, 0.7 질량% 를 상한으로 하였다. 상기 첨가 원소의 함유량의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 각 원소에 대해 0.0005 질량% 보다 작게 제어하는 것은 공업적으로 어렵기 때문에, 각 원소의 함유량의 하한을 0.0005 질량% 로 하면 된다.When the total amount of the additional elements exceeds 0.7% by mass, the electrical conductivity is lowered, which may not be suitable as a copper foil for flexible substrates. Therefore, 0.7% by mass was used as the upper limit. The lower limit of the content of the additional element is not particularly limited, but it is industrially difficult to control the content of each element to be less than 0.0005% by mass. Therefore, the lower limit of the content of each element may be set to 0.0005% by mass.

본 발명에 관련된 동박을, JIS-H3100(C1100) 에 규격하는 터프 피치동 (TPC) 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동 (OFC) 으로 이루어지는 조성으로 해도 된다.The copper foil according to the present invention may be a composition made of tough pitch copper (TPC) standardized in JIS-H3100 (C1100) or oxygen-free copper (OFC) of JIS-H3100 (C1020).

또, 상기 TPC 또는 OFC 에 대해, P 를 함유시켜 이루어지는 조성으로 해도 된다.Moreover, it is good also as a composition which contains P with respect to said TPC or OFC.

<평균 결정 입경><Average grain size>

동박의 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이다. 평균 결정 입경이 0.5 ㎛ 미만이면, 강도가 너무 높아져 굽힘 강성이 커지고, 스프링 백이 커져 플렉시블 프린트 기판 용도에 적합하지 않다. 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하면 소프트 에칭성이 열화한다.The average crystal grain size of the copper foil is 0.5 to 4.0 µm. If the average grain size is less than 0.5 µm, the strength becomes too high, the bending stiffness becomes large, and the spring back becomes large, which is not suitable for the use of a flexible printed circuit board. When the average grain size exceeds 4.0 µm, soft etching property deteriorates.

평균 결정 입경의 측정은, 오차를 피하기 위해, 박 표면을 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 시야에서 3 시야 이상을 관찰하여 실시한다. 박 표면의 관찰은, SIM (Scanning Ion Microscope) 또는 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 이용하고, JIS-H0501 에 기초하여 평균 결정 입경을 구할 수 있다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정한다.The measurement of the average crystal grain size is performed by observing three or more fields of view on the surface of the foil in a field of view of 100 µm × 100 µm in order to avoid errors. Observation of the foil surface can use a SIM (Scanning Ion Microscope) or SEM (Scanning Electron Microscope), and obtain an average crystal grain size based on JIS-H0501. However, twin crystals are measured by considering them as different crystal grains.

<집합도><Community chart>

동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만이다.The degree of aggregation represented by the X-ray diffraction intensity I(220)/I 0 (220) on the surface of the copper foil is 1.3 or more and less than 7.0.

집합도가 1.3 미만이면, 두께 방향의 에칭 속도가 작아져, 동박의 후술하는 에칭 팩터가 저하된다. 집합도가 7.0 이상이 되는 변형 속도의 경우, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 압연 동박의 형상이 나빠져 FPC 용 동박으로서 사용하기 어려워지는 경우가 있다.When the degree of aggregation is less than 1.3, the etching rate in the thickness direction decreases, and the etching factor to be described later of the copper foil decreases. In the case of the strain rate at which the degree of aggregation is 7.0 or more, although the etching factor is good, the shape of the rolled copper foil deteriorates, and it may become difficult to use as a copper foil for FPC.

집합도는 이하와 같이 측정한다. 먼저, 동박의 압연면에 대해{220}면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I(220) 으로 한다.The degree of aggregation is measured as follows. First, the X-ray diffraction intensity of the "220" plane with respect to the rolled surface of the copper foil is measured to be I(220).

또, 동일한 조건에서, 순구리 분말 (325 mesh (JIS Z8801, 순도 99.5 %), 수소 기류중에서 300 ℃ 에서 1 시간 가열하고 나서 사용) 에 대해{220}면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I0(220) 으로 한다.In addition, under the same conditions, the net copper powder (325 mesh (JIS Z8801, purity: 99.5%), after 1 hours heating at 300 ℃ in a hydrogen gas stream using) I 0 by measuring the X-ray diffraction intensity of the {220} for Let it be (220).

그리고, 다음과 같이 규격화한다.And, it is standardized as follows.

·{220}면 집합도:I(220)/I0(220)·Attachment drawing on page 220: I(220)/I 0 (220)

X 선 회절의 측정 조건은, 다음과 같다.The measurement conditions for X-ray diffraction are as follows.

·입사 X 선원:Co,· Incident X-ray source: Co,

·가속 전압:25 kV,· Acceleration voltage: 25 kV,

·관전류:20 mA,Tube current: 20 mA,

·발산 슬릿:1 도,· Divergence slit: 1 degree,

·산란 슬릿:1 도,· Scattering slit: 1 degree,

·수광 슬릿:0.3 mm,· Receiving slit: 0.3 mm,

·발산 세로 제한 슬릿:10 mm,· Divergence length limiting slit: 10 mm,

·모노크롬 수광 슬릿 0.8 mm・Monochrome light receiving slit 0.8 mm

<300 ℃ 에서 30 분간의 열처리><Heat treatment at 300°C for 30 minutes>

본 발명에 관련된 동박은 플렉시블 프린트 기판에 이용되고, 그 때, 동박과 수지를 적층한 CCL 은, 200 ∼ 400 ℃ 에서 수지를 경화시키기 위한 열처리를 실시하기 때문에, 평균 결정 입경, 및 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 변화된다.The copper foil according to the present invention is used for a flexible printed circuit board, and in that case, the CCL obtained by laminating the copper foil and the resin is subjected to heat treatment for curing the resin at 200 to 400°C, so the average crystal grain size and I(220) /I 0 (220) changes the aggregation.

따라서, 수지와 적층하기 전후에서, 평균 결정 입경, 및 집합도가 변한다. 그래서, 본원의 청구항 1 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층 후의 구리 피복 적층체가 되었을 때의 열처리를 받은 상태의 동박을 규정하고 있다. 요컨대, 이미 열처리를 받았기 때문에, 새로운 열처리를 실시하지 않는 상태의 동박이다.Therefore, before and after lamination with the resin, the average grain size and degree of aggregation are changed. Therefore, the copper foil for flexible printed circuit boards according to claim 1 of the present application stipulates a copper foil in a state that has undergone heat treatment when it becomes a copper clad laminate after lamination with resin. In short, since it has already undergone heat treatment, it is a copper foil in a state in which no new heat treatment is performed.

한편, 본원의 청구항 4 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층하기 전의 동박에 상기 열처리를 실시했을 때의 상태 (예를 들어, 열처리전의 동박 코일이 CCL 의 제조 공장에 납입되어 CCL 에 적층될 때의 가열된 상태) 를 규정하고 있다. 이 300 ℃ 에서 30 분간의 열처리는, CCL 의 적층시에 수지를 경화 열처리시키는 온도 조건을 본뜬 것이다. 또한, 열처리에 의한 동박 표면의 산화를 방지하기 위해서, 열처리의 분위기는, 환원성 또는 비산화성의 분위기가 바람직하고, 예를 들어, 진공 분위기, 또는 아르곤, 질소, 수소, 일산화탄소 등 혹은 이들의 혼합 가스로 이루어지는 분위기 등으로 하면 된다. 승온 속도는 100 ∼ 300 ℃/min 의 사이이면 된다.On the other hand, the copper foil for a flexible printed circuit according to claim 4 of the present application is in a state when the above-described heat treatment is performed on the copper foil before lamination with resin (for example, a copper foil coil before heat treatment is delivered to a CCL manufacturing plant and laminated on CCL. When heated) is specified. This heat treatment at 300° C. for 30 minutes mimics the temperature conditions for curing the resin at the time of lamination of CCL. In addition, in order to prevent oxidation of the copper foil surface due to heat treatment, the atmosphere of the heat treatment is preferably a reducing or non-oxidizing atmosphere, for example, a vacuum atmosphere, or argon, nitrogen, hydrogen, carbon monoxide, etc., or a mixed gas thereof What is necessary is just to set it as an atmosphere made up of. The rate of temperature increase may be between 100 and 300°C/min.

본 발명의 동박은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 먼저, 구리 잉곳을 용해, 주조한 후, 열간 압연하고, 냉간 압연과 어닐링을 실시하고, 바람직하게는 냉간 압연시의 초기에 재결정 어닐링을 실시함과 함께, 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시함으로써 박을 제조할 수 있다.The copper foil of this invention can be manufactured as follows, for example. First, after melting and casting the copper ingot, hot rolling, cold rolling and annealing, preferably recrystallization annealing at the beginning of cold rolling, and final recrystallization annealing and final cold rolling. You can make a gourd.

냉간 압연의 총 가공도 η, 최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경, 및 최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 조정함으로써, 평균 결정 입경, 및 집합도를 제어할 수 있다.By adjusting the total workability η of cold rolling, the average grain size before the final cold rolling and after the final recrystallization annealing, and the deformation rate of the final pass before the final cold rolling, the average grain size and the degree of aggregation can be controlled.

총 가공도 η 를 6.10 이상으로 하면, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.If the total machining degree η is 6.10 or more, the degree of aggregation represented by I(220)/I 0 (220) can be increased more reliably.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경을 5 ∼ 20 ㎛ 로 하면, 제품의 평균 결정 입경을 확실하게 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 로 할 수 있다.If the average crystal grain size before the final cold rolling and after the final recrystallization annealing is 5 to 20 µm, the average crystal grain size of the product can be reliably set to 0.5 to 4.0 µm.

최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 1000 (/초) 이상으로 하면 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.If the deformation rate of the final pass before the final cold rolling is 1000 (/sec) or more, the degree of aggregation can be increased more reliably.

<구리 피복 적층체 및 플렉시블 프린트 기판><Copper clad laminate and flexible printed circuit board>

또, 본 발명의 동박에 (1) 수지 전구체 (예를 들어 바니시로 불리는 폴리이미드 전구체) 를 캐스팅하여 열을 가하여 중합시키는 것, (2) 베이스 필름과 동종의 열가소성 접착제를 사용하여 베이스 필름을 본 발명의 동박에 라미네이트하는 것에 의해, 동박과 수지 기재의 2 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 또, 본 발명의 동박에 접착제를 도포한 베이스 필름을 라미네이트함으로써, 동박과 수지 기재와 그 사이의 접착층의 3 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 이들의 CCL 제조시에 동박이 열처리되어 재결정화한다.In addition, (1) casting a resin precursor (for example, a polyimide precursor called a varnish) to the copper foil of the present invention and polymerizing it by applying heat, (2) using a thermoplastic adhesive of the same type as the base film By laminating on the copper foil of the invention, a copper clad laminate (CCL) comprising two layers of copper foil and a resin substrate is obtained. Further, by laminating the base film to which the adhesive is applied to the copper foil of the present invention, a copper clad laminate (CCL) consisting of three layers of a copper foil, a resin substrate, and an adhesive layer therebetween is obtained. During the production of these CCLs, copper foil is heat-treated to recrystallize.

이들에 포토리소그래피 기술을 이용하여 회로를 형성하고, 필요에 따라 회로에 도금을 실시하고, 커버레이 필름을 라미네이트함으로써 플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판) 이 얻어진다.A flexible printed circuit board (flexible wiring board) is obtained by forming a circuit on them using a photolithography technique, plating the circuit as necessary, and laminating a coverlay film.

따라서, 본 발명의 구리 피복 적층체는 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다. 또, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판은 구리 피복 적층체의 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.Therefore, the copper clad laminate of the present invention is formed by laminating a copper foil and a resin layer. Further, the flexible printed circuit board of the present invention is formed by forming a circuit on a copper foil of a copper clad laminate.

수지층으로서는, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), PI (폴리이미드), LCP (액정 폴리머), PEN (폴리에틸렌나프탈레이트) 을 들 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다. 또, 수지층으로서 이들의 수지 필름을 사용해도 된다.Examples of the resin layer include PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), LCP (liquid crystal polymer), and PEN (polyethylene naphthalate), but are not limited thereto. Moreover, you may use these resin films as a resin layer.

수지층과 동박의 적층 방법으로서는, 동박의 표면에 수지층이 되는 재료를 도포하여 가열 성막해도 된다. 또, 수지층으로서 수지 필름을 사용하고, 수지 필름과 동박 사이에 이하의 접착제를 사용해도 되고, 접착제를 사용하지 않고 수지 필름을 동박에 열압착해도 된다. 단, 수지 필름에 여분의 열을 가하지 않는다는 점에서는, 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.As a lamination method of a resin layer and a copper foil, you may apply a material which becomes a resin layer to the surface of a copper foil, and you may heat-form. Moreover, a resin film may be used as a resin layer, the following adhesive may be used between a resin film and a copper foil, and a resin film may be thermocompressed to copper foil without using an adhesive. However, it is preferable to use an adhesive from the point that extra heat is not applied to the resin film.

수지층으로서 필름을 사용한 경우, 이 필름을 접착제층을 개재하여 동박에 적층하면 된다. 이 경우, 필름과 같은 성분의 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지층으로서 폴리이미드 필름을 사용하는 경우에는, 접착제층도 폴리이미드계 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 폴리이미드 접착제란 이미드 결합을 포함하는 접착제를 가리키고, 폴리에테르이미드 등도 포함된다.When a film is used as the resin layer, this film may be laminated to copper foil through an adhesive layer. In this case, it is preferable to use an adhesive of the same component as a film. For example, when using a polyimide film as a resin layer, it is preferable to use a polyimide type adhesive also for an adhesive layer. In addition, the polyimide adhesive mentioned here refers to an adhesive containing an imide bond, and polyetherimide etc. are also contained.

또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되지 않는다. 또, 본 발명의 작용 효과를 발휘하는 한, 상기 실시형태에 있어서의 구리 합금이 그 밖의 성분을 함유해도 된다. 또, 전해 동박이어도 된다.In addition, the present invention is not limited to the above embodiment. Moreover, the copper alloy in the said embodiment may contain other components, as long as the effect of this invention is exhibited. Moreover, electrolytic copper foil may be sufficient.

예를 들어, 동박의 표면에, 조화 처리, 녹방지 처리, 내열 처리, 또는 이들의 조합에 의한 표면 처리를 실시해도 된다.For example, the surface of the copper foil may be subjected to roughening treatment, rust prevention treatment, heat resistance treatment, or a combination thereof.

(실시예)(Example)

다음으로, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 전기 구리에, 표 1 에 나타내는 원소를 각각 첨가하여 표 1 에 나타내는 조성으로 하고, Ar 분위기에서 주조하여 주괴를 얻었다. 주괴 중의 산소 함유량은 15 ppm 미만이었다. 이 주괴를 900 ℃ 에서 균질화 어닐링 후, 열간 압연한 후, 냉간 압연 및 재결정 어닐링을 반복하고, 추가로 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시하여 압연 동박을 얻었다.Next, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto. Each element shown in Table 1 was added to the electrical copper, and it was set as the composition shown in Table 1, and it cast in Ar atmosphere, and obtained the ingot. The oxygen content in the ingot was less than 15 ppm. After homogenizing annealing this ingot at 900°C, hot rolling, cold rolling and recrystallization annealing were repeated, and final recrystallization annealing and final cold rolling were further performed to obtain a rolled copper foil.

얻어진 압연 동박에 아르곤 분위기에 있어서 300 ℃ × 30 분의 열처리를 가하여 동박 샘플을 얻었다. 열처리 후의 동박은, CCL 의 적층시에 열처리를 받은 상태를 본뜨고 있다.The obtained rolled copper foil was subjected to heat treatment at 300°C for 30 minutes in an argon atmosphere to obtain a copper foil sample. The copper foil after heat treatment is modeled after being subjected to heat treatment at the time of lamination of CCL.

<동박 샘플의 평가><Evaluation of copper foil sample>

1. 도전율1. Conductivity

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, JIS H 0505 에 기초하여 4 단자법에 의해, 25 ℃ 의 도전율 (% IACS) 을 측정하였다.For each copper foil sample after the heat treatment, the conductivity (% IACS) at 25°C was measured by a four-terminal method based on JIS H 0505.

도전율이 80 % IACS 보다 크면 도전성이 양호하다.If the conductivity is greater than 80% IACS, the conductivity is good.

2. 집합도2. Assembly diagram

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, X 선 회절 장치 (RINT-2500:리가쿠 전기 제조) 를 사용하여 상기 서술한 방법으로 집합도를 측정하였다. 또한, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도 외에,{200}면의 X 선 회절 강도를 동일하게 측정하여 I(200)/I0(200) 도 구하였다.For each copper foil sample after the heat treatment, the degree of aggregation was measured by the method described above using an X-ray diffraction apparatus (RINT-2500: manufactured by Rigaku Electric Corporation). In addition to the aggregate diagram represented by I(220)/I 0 (220), I(200)/I 0 (200) was also obtained by measuring the X-ray diffraction intensity of the plane {200} in the same manner.

3. 에칭 팩터 EF3. Etch Factor EF

동박과 수지를 맞붙이고, 그 후 드라이 필름 레지스트를 동박 표면에 라미네이트하고, 레지스트에 단책상 (短冊狀) (L/S = 25/25) 의 회로 패턴을 형성하였다. 염화 제 2 구리 에천트의 스프레이 에칭으로 에칭 시간을 변화시켜 에칭을 실시하였다.Copper foil and resin were bonded together, and a dry film resist was laminated on the copper foil surface after that, and the circuit pattern of strip shape (L/S=25/25) was formed on the resist. Etching was performed by changing the etching time by spray etching of cupric chloride etchant.

EF 의 측정 방법은 다양하게 존재하지만, 본 발명에서는, 에칭 팩터 EF 를 구하는 방법으로서 가장 일반적인, 폭 방향에 대한 깊이 방향의 에칭 속도로 평가한다. 본 발명에서는, 도 1, 도 2 에 나타내는 바와 같이 하여 측정을 실시한다. 또한, 하기의 식 (1) 은, 깊이 방향과 폭 방향의 에칭 속도에만 주목하고 있고, 경사 방향의 에칭 속도는 고려하지 않는다.Although there are various methods of measuring EF, in the present invention, the etching rate in the depth direction relative to the width direction is evaluated as the most common method for obtaining the etching factor EF. In the present invention, measurement is performed as shown in FIGS. 1 and 2. In addition, the following equation (1) pays attention only to the etching rate in the depth direction and the width direction, and does not take into account the etching rate in the oblique direction.

EF 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 회로 1 개의 단면의 폭 방향 및 깊이 방향의 에칭 속도로부터, 이하의 식 (1) 로 구한다.As shown in FIG. 1, EF is calculated|required by following formula (1) from the width direction and the depth direction etching rate of the cross section of one circuit.

EF = 깊이 방향의 에칭 속도 / 폭 방향의 에칭 속도 (1)EF = etching rate in the depth direction / etching rate in the width direction (1)

단, 에칭 속도 자체를 측정하는 것은 어려우므로, 각각 에칭 시간을 변화시켰을 때의 회로의 폭과 깊이를 측정한다. 그리고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가로축을 회로의 폭, 세로축을 회로의 깊이로 하여 각 데이터를 플롯하고, 이하의 식 (2) 로 근사적으로 구한다. 요컨대, 도 2 의 그래프의 기울기를 최소 이승법에 의한 일차의 근사식으로부터 구하여 EF 로 한다.However, since it is difficult to measure the etching rate itself, measure the width and depth of the circuit when the etching time is changed, respectively. And, as shown in Fig. 2, each data is plotted with the horizontal axis as the width of the circuit and the vertical axis as the depth of the circuit, and approximated by the following equation (2). In short, the slope of the graph in Fig. 2 is obtained from the approximation of the first order by the least squares method, and is set as EF.

EF ≒ 깊이의 시간 변화 / (폭의 시간 변화 / 2) = 2 × 깊이의 시간 변화 / 폭의 시간 변화 (2)EF ≒ time change of depth / (time change of width / 2) = 2 × time change of depth / time change of width (2)

여기서, 식 (2) 의 계수「2」는, 폭 방향의 에칭이 도 1 의 좌우 양측으로 진행하기 때문에, 반으로 할 필요가 있기 때문이다.Here, the coefficient &quot;2&quot; of the formula (2) is because the etching in the width direction proceeds to both the left and right sides of Fig. 1, so it is necessary to be halved.

그리고, EF 의 값에 따라 이하의 지표로 평가하였다. 평가가 ◎, ○ 이면 양호하다.And, according to the value of EF, it evaluated with the following index. If the evaluation is ◎ or ○, it is good.

◎:EF 가 1.4 이상◎: EF is 1.4 or more

○:EF 가 1.1 이상 1.4 미만○: EF is 1.1 or more and less than 1.4

×:EF 가 1.1 미만×: EF is less than 1.1

4. 소프트 에칭성4. Soft Etchability

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 표면을 이하의 조건으로 소프트 에칭하였다. 소프트 에칭성을 평가하는 지표로서 소프트 에칭 후의 동박 표면의 JIS-B0601(2001) 에 기초하는 산술 평균 조도 Ra 를 측정하였다.For each copper foil sample after the heat treatment, the surface was soft etched under the following conditions. As an index to evaluate the soft etching property, the arithmetic average roughness Ra based on JIS-B0601 (2001) of the copper foil surface after soft etching was measured.

소프트 에칭 조건으로서는, 동박과 레지스트의 밀착성을 부여하기 위한 소프트 에칭을 모의 (模擬) 하고, 과황산나트륨 농도 100 g/L, 과산화수소 농도 35 g/L 의 수용액 (액온 25 ℃) 에 420 초 동박을 침지하는 것으로 하였다. 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 이하인 경우를 소프트 에칭성이 양호 (○), 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하는 경우를 소프트 에칭성이 불량 (×) 으로 하였다.As the soft etching conditions, soft etching to impart adhesion between the copper foil and the resist was simulated, and the copper foil was immersed for 420 seconds in an aqueous solution (liquid temperature of 25°C) with a sodium persulfate concentration of 100 g/L and a hydrogen peroxide concentration of 35 g/L. I decided to do it. When the arithmetic mean roughness Ra was 0.2 µm or less, the soft etchability was good ((circle)), and when the arithmetic average roughness Ra exceeded 0.2 µm, the soft etchability was poor (x).

소프트 에칭 후에 레지스트가 동박 표면에 잘 추종하면 밀착성이 우수하고, 회로 패턴의 정밀도가 향상되어, 소프트 에칭성이 양호해진다. Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하면, 레지스트가 동박 표면을 추종하기 어렵고, 레지스트와 동박 표면간에 간극이 발생하기 쉬워진다. 그리고, 그 간극에 에칭액이 침입함으로써 회로 패턴의 형성시의 정밀도가 저하된다.If the resist follows the copper foil surface well after soft etching, adhesion is excellent, the accuracy of the circuit pattern is improved, and the soft etching property is improved. When Ra exceeds 0.2 µm, it is difficult for the resist to follow the copper foil surface, and a gap is liable to occur between the resist and the copper foil surface. And, by invading the etchant into the gap, the precision at the time of forming the circuit pattern is lowered.

5. 결정 입경5. Crystal grain size

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 압연면을 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 사용하여 관찰하고, JIS H 0501 에 기초하여 평균 입경을 구하였다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정을 실시하였다. 측정 영역은 압연 방향과 평행한 단면의 400 ㎛ × 400 ㎛ 로 하였다.For each copper foil sample after the heat treatment, the rolled surface was observed using a SEM (Scanning Electron Microscope), and the average particle diameter was calculated based on JIS H 0501. However, the twin crystals were respectively regarded as different crystal grains and measured. The measurement area was set to 400 µm x 400 µm in a cross section parallel to the rolling direction.

얻어진 결과를 표 1, 표 2 에 나타낸다.The obtained results are shown in Tables 1 and 2.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

표 1, 표 2 를 통해 알 수 있는 바와 같이, 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이고, 또한, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만인 각 실시예의 경우, 에칭 팩터 및 소프트 에칭성이 함께 우수하였다. 그럼으로써, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되고, 더욱 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.As can be seen from Tables 1 and 2, in the case of each example in which the crystal grain size is 0.5 to 4.0 µm, and the degree of aggregation represented by I(220)/I 0 (220) is 1.3 or more and less than 7.0, etching The factor and soft etchability were both excellent. Thereby, a uniform circuit pattern is obtained over the entire copper foil, the yield is improved, and when the circuit is further refined, the accuracy of the circuit pattern is improved.

최종 냉간 압연의 최종 패스의 변형 속도가 1000 (s-1) 미만인 비교예 1 ∼ 4 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 소프트 에칭성은 양호하기는 하지만 에칭 팩터가 저하되었다. 따라서, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.In the case of Comparative Examples 1 to 4 in which the deformation rate of the final pass of the final cold rolling was less than 1000 (s −1 ), the degree of aggregation was less than 1.3, and the soft etching property was good, but the etching factor was lowered. Therefore, when the circuit is miniaturized, the accuracy of the circuit pattern is lowered.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경이 20 ㎛ 를 초과한 비교예 5 의 경우, 제품의 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하고, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 소프트 에칭성이 열등하였다. 따라서, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하고 수율이 저하된다.In the case of Comparative Example 5 in which the average crystal grain diameter before the final cold rolling and after the final recrystallization annealing exceeded 20 µm, the average crystal grain size of the product exceeded 4.0 µm and the etching factor was good, but the soft etching property was inferior. . Therefore, a uniform circuit pattern cannot be obtained on the entire surface of the copper foil, and the yield decreases.

총 가공도가 6.10 미만인 비교예 6 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 에칭 팩터가 저하되었다.In the case of Comparative Example 6 in which the total working degree was less than 6.10, the degree of aggregation was less than 1.3, and the etching factor was lowered.

첨가 원소의 합계 함유량이 0.7 질량% 를 초과한 비교예 7 의 경우, 도전율이 80 % 미만이 되어 도전성이 열등하였다.In the case of Comparative Example 7, in which the total content of the additional elements exceeded 0.7% by mass, the conductivity was less than 80%, and the conductivity was inferior.

Claims (7)

99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 동박으로서,
평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만,
도전율이 80 % 이상인 플렉시블 프린트 기판용 동박.
A copper foil composed of 99.0% by mass or more of Cu and the remainder of inevitable impurities,
The average crystal grain size is 0.5 to 4.0 μm, the degree of aggregation represented by the X-ray diffraction intensity I(220)/I 0 (220) on the surface of the copper foil is 1.3 or more and less than 7.0,
Copper foil for flexible printed circuit boards having a conductivity of 80% or more.
제 1 항에 있어서,
JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method of claim 1,
Copper foil for flexible printed circuit boards made of tough pitch copper according to JIS-H3100 (C1100) or oxygen-free copper according to JIS-H3100 (C1020).
제 1 항에 있어서,
추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method of claim 1,
In addition, for flexible printed circuit boards containing 0.7% by mass or less in total of at least one or two or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn and Sb as additive elements Copper foil.
제 1 항에 있어서,
300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 후에, 상기 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 상기 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 상기 도전율이 80 % 이상인 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method of claim 1,
A flexible print having the average crystal grain size of 0.5 to 4.0 µm, the aggregation degree of 1.3 to less than 7.0, and the conductivity of 80% or more after annealing at 300°C x 30 min (however, a heating rate of 100°C/min to 300°C/min) Copper foil for substrate.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판용 동박과, 수지층을 적층하여 이루어지는 구리 피복 적층체.A copper clad laminate obtained by laminating the copper foil for flexible printed circuit boards according to any one of claims 1 to 4 and a resin layer. 제 5 항에 기재된 구리 피복 적층체에 있어서의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판.A flexible printed circuit board formed by forming a circuit on the copper foil in the copper clad laminate according to claim 5. 제 6 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판을 사용한 전자 기기.
An electronic device using the flexible printed circuit board according to claim 6.
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