KR20190089732A - Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil - Google Patents

Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil Download PDF

Info

Publication number
KR20190089732A
KR20190089732A KR1020190003924A KR20190003924A KR20190089732A KR 20190089732 A KR20190089732 A KR 20190089732A KR 1020190003924 A KR1020190003924 A KR 1020190003924A KR 20190003924 A KR20190003924 A KR 20190003924A KR 20190089732 A KR20190089732 A KR 20190089732A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
copper foil
flexible printed
printed circuit
copper
circuit board
Prior art date
Application number
KR1020190003924A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유지 이시노
Original Assignee
제이엑스금속주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이엑스금속주식회사 filed Critical 제이엑스금속주식회사
Publication of KR20190089732A publication Critical patent/KR20190089732A/en
Priority to KR1020200171634A priority Critical patent/KR102470725B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • C22C9/01Alloys based on copper with aluminium as the next major constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • C22C9/02Alloys based on copper with tin as the next major constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • C22C9/04Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • C22C9/10Alloys based on copper with silicon as the next major constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0335Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355Metal foils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

Provided are a copper foil for a flexible printed circuit board with excellent in etching property, a copper clad laminated body using the same, a flexible printed circuit board, and an electronic device. The present invention relates to the copper foil for the flexible printed circuit board wherein the copper foil is composed of 99.0 mass% or more of Cu and the remaining balance consisting of unavoidable impurities, an average crystal grain size is 0.5-4.0 μm, an X-ray diffraction intensity I(220)/I_0(220) of the copper foil surface is greater than or equal to 1.3 and less than or equal to 7.0, and a conductivity is greater than or equal to 80%.

Description

플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기{COPPER FOIL FOR FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT, AND COPPER CLAD LAMINATE, FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING COPPER FOIL}Technical Field [0001] The present invention relates to a copper foil for a flexible printed circuit board, a copper clad laminate using the same, a flexible printed circuit board,

본 발명은 플렉시블 프린트 기판 등의 배선 부재에 사용하기에 바람직한 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 배선판, 및 전자 기기에 관한 것이다.The present invention relates to a copper foil suitable for use in a wiring member such as a flexible printed board, a copper clad laminate using the same, a flexible wiring board, and electronic equipment.

플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판, 이하, 「FPC」라고 칭한다) 은 플렉시블성을 갖기 때문에 전자 회로의 절곡부나 가동부에 널리 사용되고 있다. 예를 들어, HDD 나 DVD 및 CD-ROM 등과 같은 디스크 관련 기기의 가동부나, 접이식 휴대전화기의 절곡부 등에 FPC 가 이용되고 있다BACKGROUND ART A flexible printed circuit board (hereinafter referred to as " FPC ") is widely used for folding and moving parts of electronic circuits because of its flexibility. For example, an FPC is used in a moving part of a disk-related device such as an HDD, a DVD and a CD-ROM, or a bending part of a folding mobile phone

FPC 는 동박과 수지를 적층한 Copper Clad Laminate (구리 피복 적층체, 이하 CCL 이라고 칭한다) 를 에칭함으로써 배선을 형성하고, 그 위를 커버레이라고 불리는 수지층에 의해 피복한 것이다. 커버레이를 적층하는 전 단계에서, 동박과 커버레이의 밀착성을 향상시키기 위한 표면 개질 공정의 일환으로서 동박 표면의 에칭이 행해진다. 또, 동박의 두께를 저감하여 굴곡성을 향상시키기 위해, 두께 감소 에칭을 실시하는 경우도 있다.The FPC is formed by forming a wiring by etching a copper clad laminate (copper clad laminate, hereinafter referred to as CCL) in which a copper foil and a resin are laminated, and the upper surface is covered with a resin layer called a coverlay. The surface of the copper foil is etched as a part of the surface modification step for improving the adhesion between the copper foil and the coverlay in the previous step of laminating the coverlay. Further, in order to reduce the thickness of the copper foil to improve the bending property, a thickness reduction etching may be performed.

그런데, 전자 기기의 소형, 박형, 고성능화에 수반하여, FPC 의 회로폭, 스페이스폭의 미세화 (예를 들어, 20 ∼ 30 ㎛ 정도) 가 요구되고 있다. FPC 의 회로가 미세화하면, 에칭에 의해 회로를 형성할 때에 에칭 팩터나 회로 직선성이 열화하기 쉬워진다는 문제가 있다 (특허문헌 1, 2).[0004] Meanwhile, miniaturization (for example, about 20 to 30 [micro] m) of the circuit width and space width of the FPC has been demanded with the miniaturization, thinness and high performance of electronic devices. When the circuit of the FPC is made finer, there is a problem that the etching factor and the circuit linearity are liable to deteriorate when the circuit is formed by etching (Patent Documents 1 and 2).

일본 공개특허공보 2017-141501호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2017-141501 일본 공개특허공보 2017-179390호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2017-179390

그러나, 종래의 기술에서는, 에칭성을 개선하는 방책으로서 평균 결정 입경 등을 최적화하는 것이 행해지고 있지만, 미세 회로의 형성에 있어서의 에칭성에 개선의 여지가 있다.However, in the conventional technique, as a measure for improving the etching property, the average crystal grain size and the like are optimized, but there is room for improvement in the etching property in the formation of a fine circuit.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 에칭성이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기의 제공을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a copper foil for a flexible printed circuit board excellent in etching property, a copper clad laminate using the copper foil, a flexible printed board, and an electronic apparatus.

본 발명자들은 다양하게 검토한 결과,〈220〉방위의 에칭 속도가 큰 것을 알아냈다. 특히, 염화 제 2 구리 에천트에 의한 에칭에서는 방위에 의한 에칭 속도의 차이가 존재하지 않는다고 여겨져 왔다. 그래서〈220〉방위의 결정립을 많게 함으로써 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 을 더욱 향상시키는 데에 성공하였다.The inventors of the present invention have studied variously and found that the etching rate in the <220> orientation is large. In particular, it has been considered that there is no difference in etching rate due to azimuth in the etching with a cupric chloride etchant. Thus, by increasing the crystal grain orientation in the <220> orientation, the inventors succeeded in further improving the etchability (in particular, the soft etchability and the etching factor).

즉, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 압연 동박으로서, 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 도전율이 80 % 이상이다.That is, the copper foil for a flexible printed wiring board of the present invention is a rolled copper foil comprising 99.0% by mass or more of Cu and the remainder inevitable impurities. The copper foil has an average crystal grain size of 0.5 to 4.0 占 퐉 and an X- 0 (220) is 1.3 or more and less than 7.0, and the conductivity is 80% or more.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 것이 바람직하다.The copper foil for a flexible printed circuit board of the present invention is preferably made of tough pitch copper specified by JIS-H3100 (C1100) or oxygen-free copper of JIS-H3100 (C1020).

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.The copper foil for a flexible printed circuit board according to the present invention may further comprise at least one or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn and Sb as a total of 0.7 By mass or less.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판용 동박에 있어서, 300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 후에, 상기 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 상기 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 상기 도전율이 80 % 이상인 것이 바람직하다.In the copper foil for a flexible printed circuit board according to the present invention, the average crystal grain size is 0.5 to 4.0 占 퐉 and the aggregation degree is 1.3 or more after annealing at 300 占 폚 for 30 min (at a heating rate of 100 占 폚 / min to 300 占 폚 / min) 7.0, and the conductivity is preferably 80% or more.

본 발명의 구리 피복 적층체는, 상기 플렉시블 프린트 기판용 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다.The copper clad laminate of the present invention is formed by laminating the copper foil for a flexible printed circuit and a resin layer.

본 발명의 플렉시블 프린트 기판은, 상기 구리 피복 적층체에 있어서의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.The flexible printed board of the present invention is formed by forming a circuit on the copper foil in the copper clad laminate.

본 발명의 전자 기기는 상기 플렉시블 프린트 기판을 사용하여 이루어진다.The electronic apparatus of the present invention is formed using the flexible printed circuit board.

본 발명에 의하면, 에칭성 (특히 소프트 에칭성 및 에칭 팩터) 이 우수한 플렉시블 프린트 기판용 동박이 얻어진다.According to the present invention, it is possible to obtain a copper foil for a flexible printed circuit board excellent in etching property (in particular, soft etching property and etching factor).

도 1 은 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 도면이다.
도 2 는 에칭 팩터 EF 의 측정 방법을 나타내는 다른 도면이다.
1 is a view showing a method of measuring an etching factor EF.
2 is another view showing a method of measuring the etching factor EF.

이하, 본 발명에 관련된 동박의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서 % 는 특별한 언급이 없는 이상 질량% 를 나타내는 것으로 한다.Hereinafter, an embodiment of a copper foil according to the present invention will be described. In the present invention,% means% by mass unless otherwise specified.

먼저, 에칭성에 있어서의 소프트 에칭성과 에칭 팩터 EF 에 대해 설명한다.First, the soft etching property and the etching factor EF in the etching property will be described.

소프트 에칭성은, 동박 표면과 레지스트의 밀착성에서 기인한 에칭에 의한 회로의 정밀도를 나타내는 지표로, 레지스트의 밀착성이 좋아 레지스트가 동박 표면을 추종할수록, 양자 사이에 에칭액이 침입하여 회로의 일부가 결손되는 문제가 억제되고, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상된다.The soft etchability is an index showing the accuracy of the circuit by etching caused by the adhesion of the copper foil surface and the resist. The etching solution penetrates between the resist and the copper foil surface as the resist follows the surface of the copper foil. The problem is suppressed and a uniform circuit pattern is obtained on the entire surface of the copper foil, thereby improving the yield.

에칭 팩터 EF 는 에칭으로 형성한 회로의 단면 형상의 지표이며, EF 가 높을수록, 에칭으로 형성한 회로의 단면이 샤프해지므로, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.The etching factor EF is an index of the cross-sectional shape of the circuit formed by etching. The higher the EF, the sharper the cross-section of the circuit formed by etching, so that the accuracy of the circuit pattern is improved when the circuit is miniaturized.

소프트 에칭성이 양호해도, 에칭 팩터 EF 가 열등한 경우, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되지만, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.If the etching factor EF is inferior even though the soft etching property is good, a uniform circuit pattern can be obtained on the entire surface of the copper foil and the yield is improved. However, when the circuit is made finer, the precision of the circuit pattern is lowered.

반대로, 에칭 팩터 EF 가 양호해도, 소프트 에칭성이 열등한 경우, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상되지만, (동박 표면과 레지스트 사이에 에칭액이 침입하기 쉽기 때문에) 회로의 일부가 결손되는 문제가 생겨 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하여 수율이 저하된다.On the other hand, when the etch factor EF is good but the soft etchability is inferior, the precision of the circuit pattern is improved when the circuit is miniaturized. However, since the etchant is likely to invade between the copper foil surface and the resist, So that a uniform circuit pattern can not be obtained on the entire surface of the copper foil and the yield is lowered.

<조성><Composition>

본 발명에 관련된 동박은, 99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어진다.The copper foil according to the present invention is composed of 99.0% by mass or more of Cu and the remainder inevitable impurities.

본 발명의 실시예에서는, 동박의 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 미세화함으로써, 냉간 압연 중에 동박의 전위 (轉位) 의 축적이 촉진되고, 재결정시에는 재결정립이 미세해진다. 또, 냉간 압연의 최종 패스에 있어서 변형 속도를 극단적으로 높이면, 재결정시에는 재결정립이 특정 방위로 배향하고, 즉{200}면 집합도가 억제되고, 또한{220}면 집합도를 높일 수 있어 에칭성이 향상된다.In the embodiment of the present invention, accumulation of the dislocations of the copper foil during cold rolling is promoted by making the crystal grain size before the final cold rolling of the copper foil finer, and the recrystallized phase is refined at the time of recrystallization. When the deformation speed is extremely increased in the final pass of the cold rolling, the recrystallized grains are oriented in a specific orientation at the time of recrystallization, that is, the {200} aggregation degree can be suppressed and the {220} The etching property is improved.

또, 동박의 재결정 후에 있어서의 결정립을 미세화하기 위해서는, 어닐링과 압연을 반복하는 공정 전체 중에서, 최종 어닐링 후에 실시하는 최종 냉간 압연 전의 결정 입경을 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하로 하면 바람직하다.In order to miniaturize the crystal grains after the recrystallization of the copper foil, it is preferable to set the crystal grain size before the final cold rolling to be 5 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less after the final annealing in the entire process of repeating the annealing and rolling.

구체적으로는, 최종 어닐링의 온도, 및 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도를 조정하면, 상기 입경을 제어할 수 있다. 최종 어닐링의 온도는 동박의 제조 조건에 따라서도 변하고, 한정되지 않지만, 예를 들어 300 ∼ 400 ℃ 로 하면 된다. 또, 최종 어닐링 전의 냉간 압연의 가공도도 한정되지 않지만, 예를 들어 가공도 η 를 1.6 ∼ 3.0 으로 하면 된다.Specifically, the particle diameter can be controlled by adjusting the temperature of the final annealing and the degree of processing of the cold rolling before the final annealing. The temperature of the final annealing varies depending on the manufacturing conditions of the copper foil. For example, it may be 300 to 400 캜. The degree of cold rolling before final annealing is also not limited, but may be, for example, from 1.6 to 3.0.

가공도 η 는, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직전의 재료의 두께를 A0, 최종 어닐링 전의 냉간 압연 직후의 재료의 두께를 A1 로 하고, η = ln(A0/A1) 로 나타낸다.The machinability? Is represented by? = Ln (A0 / A1), where A0 is the thickness of the material immediately before cold rolling before final annealing, and A1 is the thickness of the material immediately after cold rolling before final annealing.

최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 20 ㎛ 초과인 경우, 가공시의 전위의 엉킴이 작아지고, 변형의 축적이 적어지기 때문에, 재결정 후에 변형이 해방되지 않고 결정립의 미세화가 불충분해지는 경향이 있다. 최종 냉간 압연 전의 결정 입경이 5 ㎛ 보다 작은 경우에는, 가공시의 전위의 엉킴이 동박의 거의 전영역에서 생겨 더 이상의 엉킴이 생기지 않고, 동박의 재결정시에 재결정립이 미세화하는 효과가 포화된다. 따라서 최종 냉간 압연 전의 결정 입경의 하한을 5 ㎛ 로 하였다.If the crystal grain size before final cold rolling is more than 20 占 퐉, the dislocation of the dislocations at the time of processing becomes small and the accumulation of deformation becomes small, so that the deformation is not released after recrystallization and the grain refinement tends to become insufficient. If the crystal grain size before final cold rolling is less than 5 占 퐉, the dislocation of the dislocations at the time of processing occurs in almost the entire region of the copper foil, no further tangling occurs, and the effect of refining the recrystallized copper foil at the time of recrystallization of the copper foil is saturated. Therefore, the lower limit of the crystal grain size before final cold rolling was set to 5 탆.

또, 첨가 원소로서 상기 조성에 대해, P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하면 재결정립을 미세화할 수 있다.When the total content of the additive element is 0.7% by mass or less in total of at least one or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn and Sb, The sizing can be miniaturized.

상기 첨가 원소는, 냉간 압연시에 전위의 엉킴의 빈도를 증가시키므로, 재결정립을 미세화할 수 있다.Since the added element increases the frequency of entanglement during cold rolling, the recrystallized grains can be made finer.

상기 첨가 원소를 합계로 0.7 질량% 를 초과하여 함유시키면, 도전율이 저하되어, 플렉시블 기판용 동박으로서 적합하지 않은 경우가 있으므로, 0.7 질량% 를 상한으로 하였다. 상기 첨가 원소의 함유량의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 각 원소에 대해 0.0005 질량% 보다 작게 제어하는 것은 공업적으로 어렵기 때문에, 각 원소의 함유량의 하한을 0.0005 질량% 로 하면 된다.When the total of the above-mentioned additional elements is contained in excess of 0.7 mass%, the conductivity is lowered and it may not be suitable as a copper foil for a flexible substrate, so that the upper limit is set to 0.7 mass%. The lower limit of the content of the added element is not particularly limited. For example, it is industrially difficult to control the content of the added element to less than 0.0005% by mass, so that the lower limit of the content of each element may be set to 0.0005% by mass.

본 발명에 관련된 동박을, JIS-H3100(C1100) 에 규격하는 터프 피치동 (TPC) 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동 (OFC) 으로 이루어지는 조성으로 해도 된다.The copper foil according to the present invention may be a composition comprising tough pitch copper (TPC) specified by JIS-H3100 (C1100) or oxygen free copper (OFC) of JIS-H3100 (C1020).

또, 상기 TPC 또는 OFC 에 대해, P 를 함유시켜 이루어지는 조성으로 해도 된다.The TPC or OFC may be a composition containing P.

<평균 결정 입경>&Lt; Average crystal grain size &

동박의 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이다. 평균 결정 입경이 0.5 ㎛ 미만이면, 강도가 너무 높아져 굽힘 강성이 커지고, 스프링 백이 커져 플렉시블 프린트 기판 용도에 적합하지 않다. 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하면 소프트 에칭성이 열화한다.The average grain size of the copper foil is 0.5 to 4.0 mu m. If the average crystal grain size is less than 0.5 占 퐉, the strength becomes too high, the bending rigidity becomes large, and the springback becomes large, which is not suitable for use in a flexible printed board. If the average crystal grain size exceeds 4.0 占 퐉, soft etchability deteriorates.

평균 결정 입경의 측정은, 오차를 피하기 위해, 박 표면을 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 시야에서 3 시야 이상을 관찰하여 실시한다. 박 표면의 관찰은, SIM (Scanning Ion Microscope) 또는 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 이용하고, JIS-H0501 에 기초하여 평균 결정 입경을 구할 수 있다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정한다.In order to avoid an error, the average crystal grain size is measured by observing the surface of the foil with a field of view of 100 占 퐉 占 100 占 퐉 or more over three fields. The surface of the foil can be observed using an SIM (Scanning Ion Microscope) or an SEM (Scanning Electron Microscope), and the average crystal grain size can be determined based on JIS-H0501. However, twin crystals are regarded as different crystal grains and are measured.

<집합도><Set diagram>

동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만이다.The aggregate degree represented by the X-ray diffraction intensity I (220) / I 0 (220) of the surface of the copper foil is 1.3 or more and less than 7.0.

집합도가 1.3 미만이면, 두께 방향의 에칭 속도가 작아져, 동박의 후술하는 에칭 팩터가 저하된다. 집합도가 7.0 이상이 되는 변형 속도의 경우, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 압연 동박의 형상이 나빠져 FPC 용 동박으로서 사용하기 어려워지는 경우가 있다.If the degree of aggregation is less than 1.3, the etching rate in the thickness direction becomes smaller, and the etching factor, which will be described later, of the copper foil decreases. In the case of a deformation rate at which the degree of aggregation is 7.0 or more, although the etching factor is satisfactory, the shape of the rolled copper foil becomes poor and it may be difficult to use the copper foil for FPC.

집합도는 이하와 같이 측정한다. 먼저, 동박의 압연면에 대해{220}면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I(220) 으로 한다.The degree of aggregation is measured as follows. First, the X-ray diffraction intensity of the {220} plane is measured on the rolled surface of the copper foil to obtain I (220).

또, 동일한 조건에서, 순구리 분말 (325 mesh (JIS Z8801, 순도 99.5 %), 수소 기류중에서 300 ℃ 에서 1 시간 가열하고 나서 사용) 에 대해{220}면의 X 선 회절 강도를 측정하여 I0(220) 으로 한다.In addition, under the same conditions, the net copper powder (325 mesh (JIS Z8801, purity: 99.5%), after 1 hours heating at 300 ℃ in a hydrogen gas stream using) I 0 by measuring the X-ray diffraction intensity of the {220} for (220).

그리고, 다음과 같이 규격화한다.Then, standardize as follows.

·{220}면 집합도:I(220)/I0(220)(220) plane aggregation degree: I (220) / I 0 (220)

X 선 회절의 측정 조건은, 다음과 같다.The X-ray diffraction measurement conditions are as follows.

·입사 X 선원:Co,· Incident X source: Co,

·가속 전압:25 kV,· Acceleration voltage: 25 kV,

·관전류:20 mA,· Tube current: 20 mA,

·발산 슬릿:1 도,· Divergent slit: 1 degree,

·산란 슬릿:1 도,Scattering slit: 1 degree,

·수광 슬릿:0.3 mm,Receiving slit: 0.3 mm,

·발산 세로 제한 슬릿:10 mm,· Divergent vertical limit slit: 10 mm,

·모노크롬 수광 슬릿 0.8 mm· Monochrome receiving slit 0.8 mm

<300 ℃ 에서 30 분간의 열처리>&Lt; Heat treatment at 300 占 폚 for 30 minutes>

본 발명에 관련된 동박은 플렉시블 프린트 기판에 이용되고, 그 때, 동박과 수지를 적층한 CCL 은, 200 ∼ 400 ℃ 에서 수지를 경화시키기 위한 열처리를 실시하기 때문에, 평균 결정 입경, 및 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 변화된다.Since the copper foil according to the present invention is used in a flexible printed circuit board and the CCL obtained by laminating the copper foil and the resin at this time is subjected to a heat treatment for curing the resin at 200 to 400 ° C, / I 0 (220) is changed.

따라서, 수지와 적층하기 전후에서, 평균 결정 입경, 및 집합도가 변한다. 그래서, 본원의 청구항 1 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층 후의 구리 피복 적층체가 되었을 때의 열처리를 받은 상태의 동박을 규정하고 있다. 요컨대, 이미 열처리를 받았기 때문에, 새로운 열처리를 실시하지 않는 상태의 동박이다.Therefore, before and after lamination with the resin, the average crystal grain size and the degree of aggregation change. Thus, the copper foil for a flexible printed circuit according to claim 1 of the present application defines a copper foil that has undergone a heat treatment when the copper foil is laminated with a resin. In short, it is a copper foil in a state in which a new heat treatment is not performed because it has already been subjected to a heat treatment.

한편, 본원의 청구항 4 에 관련된 플렉시블 프린트 기판용 동박은, 수지와 적층하기 전의 동박에 상기 열처리를 실시했을 때의 상태 (예를 들어, 열처리전의 동박 코일이 CCL 의 제조 공장에 납입되어 CCL 에 적층될 때의 가열된 상태) 를 규정하고 있다. 이 300 ℃ 에서 30 분간의 열처리는, CCL 의 적층시에 수지를 경화 열처리시키는 온도 조건을 본뜬 것이다. 또한, 열처리에 의한 동박 표면의 산화를 방지하기 위해서, 열처리의 분위기는, 환원성 또는 비산화성의 분위기가 바람직하고, 예를 들어, 진공 분위기, 또는 아르곤, 질소, 수소, 일산화탄소 등 혹은 이들의 혼합 가스로 이루어지는 분위기 등으로 하면 된다. 승온 속도는 100 ∼ 300 ℃/min 의 사이이면 된다.On the other hand, in the copper foil for a flexible printed circuit according to claim 4 of the present application, when the copper foil before lamination with the resin is subjected to the heat treatment (for example, the copper foil before the heat treatment is delivered to the CCL manufacturing plant, (I.e., a heated state at the time when it is heated). The heat treatment at 300 DEG C for 30 minutes is based on a temperature condition in which the resin is subjected to a curing heat treatment at the time of CCL lamination. In order to prevent oxidation of the surface of the copper foil by the heat treatment, the atmosphere of the heat treatment is preferably a reducing or non-oxidizing atmosphere. For example, a vacuum atmosphere or a mixed gas of argon, nitrogen, hydrogen, carbon monoxide, And the like. The temperature raising rate may be between 100 and 300 캜 / min.

본 발명의 동박은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 먼저, 구리 잉곳을 용해, 주조한 후, 열간 압연하고, 냉간 압연과 어닐링을 실시하고, 바람직하게는 냉간 압연시의 초기에 재결정 어닐링을 실시함과 함께, 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시함으로써 박을 제조할 수 있다.The copper foil of the present invention can be produced, for example, as follows. First, the ingot of copper is melted and cast, then hot-rolled, cold-rolled and annealed, preferably subjected to recrystallization annealing at the beginning of cold-rolling, and finally subjected to final recrystallization annealing and final cold rolling Foil can be produced.

냉간 압연의 총 가공도 η, 최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경, 및 최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 조정함으로써, 평균 결정 입경, 및 집합도를 제어할 수 있다.The average grain size and the degree of aggregation can be controlled by adjusting the total machinability? Of the cold rolling, the average crystal grain size before the final cold rolling and after the final recrystallization annealing, and the deformation rate of the final pass before the final cold rolling.

총 가공도 η 를 6.10 이상으로 하면, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.When the total process degree eta is set to 6.10 or more, the degree of aggregation represented by I (220) / I 0 (220) can be more reliably increased.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경을 5 ∼ 20 ㎛ 로 하면, 제품의 평균 결정 입경을 확실하게 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 로 할 수 있다.When the average crystal grain size after the final cold rolling and after the final recrystallization annealing is 5 to 20 占 퐉, the average crystal grain size of the product can be reliably set to 0.5 to 4.0 占 퐉.

최종 냉간 압연 전의 최종 패스의 변형 속도를 1000 (/초) 이상으로 하면 집합도를 보다 확실하게 늘릴 수 있다.If the deformation speed of the final pass before the final cold rolling is set to 1000 (/ sec) or more, the degree of aggregation can be surely increased.

<구리 피복 적층체 및 플렉시블 프린트 기판>&Lt; Copper clad laminate and flexible printed board &gt;

또, 본 발명의 동박에 (1) 수지 전구체 (예를 들어 바니시로 불리는 폴리이미드 전구체) 를 캐스팅하여 열을 가하여 중합시키는 것, (2) 베이스 필름과 동종의 열가소성 접착제를 사용하여 베이스 필름을 본 발명의 동박에 라미네이트하는 것에 의해, 동박과 수지 기재의 2 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 또, 본 발명의 동박에 접착제를 도포한 베이스 필름을 라미네이트함으로써, 동박과 수지 기재와 그 사이의 접착층의 3 층으로 이루어지는 구리 피복 적층체 (CCL) 가 얻어진다. 이들의 CCL 제조시에 동박이 열처리되어 재결정화한다.(1) casting a resin precursor (for example, a polyimide precursor called a varnish) to polymerize by heating; (2) using a thermoplastic adhesive of the same kind as the base film, By laminating the copper foil of the present invention, a copper clad laminate (CCL) composed of two layers of a copper foil and a resin substrate is obtained. In addition, by laminating a base film coated with an adhesive on a copper foil of the present invention, a copper clad laminate (CCL) composed of three layers of a copper foil, a resin base material and an adhesive layer therebetween is obtained. The copper foil is heat-treated and recrystallized during the production of CCL.

이들에 포토리소그래피 기술을 이용하여 회로를 형성하고, 필요에 따라 회로에 도금을 실시하고, 커버레이 필름을 라미네이트함으로써 플렉시블 프린트 기판 (플렉시블 배선판) 이 얻어진다.A circuit is formed on these by a photolithography technique, a circuit is plated if necessary, and a coverlay film is laminated to obtain a flexible printed circuit board (flexible wiring board).

따라서, 본 발명의 구리 피복 적층체는 동박과 수지층을 적층하여 이루어진다. 또, 본 발명의 플렉시블 프린트 기판은 구리 피복 적층체의 동박에 회로를 형성하여 이루어진다.Therefore, the copper clad laminate of the present invention is formed by laminating a copper foil and a resin layer. Further, the flexible printed board of the present invention is formed by forming a circuit on a copper foil of a copper clad laminate.

수지층으로서는, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), PI (폴리이미드), LCP (액정 폴리머), PEN (폴리에틸렌나프탈레이트) 을 들 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다. 또, 수지층으로서 이들의 수지 필름을 사용해도 된다.Examples of the resin layer include PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), LCP (liquid crystal polymer), and PEN (polyethylene naphthalate). These resin films may be used as the resin layer.

수지층과 동박의 적층 방법으로서는, 동박의 표면에 수지층이 되는 재료를 도포하여 가열 성막해도 된다. 또, 수지층으로서 수지 필름을 사용하고, 수지 필름과 동박 사이에 이하의 접착제를 사용해도 되고, 접착제를 사용하지 않고 수지 필름을 동박에 열압착해도 된다. 단, 수지 필름에 여분의 열을 가하지 않는다는 점에서는, 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.As a method for laminating the resin layer and the copper foil, a material for forming a resin layer may be coated on the surface of the copper foil to form a film by heating. Further, a resin film may be used as the resin layer, the following adhesive may be used between the resin film and the copper foil, or the resin film may be thermally pressed to the copper foil without using an adhesive. However, it is preferable to use an adhesive in order not to apply extra heat to the resin film.

수지층으로서 필름을 사용한 경우, 이 필름을 접착제층을 개재하여 동박에 적층하면 된다. 이 경우, 필름과 같은 성분의 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지층으로서 폴리이미드 필름을 사용하는 경우에는, 접착제층도 폴리이미드계 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 폴리이미드 접착제란 이미드 결합을 포함하는 접착제를 가리키고, 폴리에테르이미드 등도 포함된다.When a film is used as the resin layer, the film may be laminated on the copper foil with the adhesive layer interposed therebetween. In this case, it is preferable to use an adhesive having the same composition as the film. For example, when a polyimide film is used as the resin layer, it is preferable to use a polyimide-based adhesive as the adhesive layer. The polyimide adhesive referred to herein refers to an adhesive containing an imide bond, and includes polyetherimide and the like.

또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되지 않는다. 또, 본 발명의 작용 효과를 발휘하는 한, 상기 실시형태에 있어서의 구리 합금이 그 밖의 성분을 함유해도 된다. 또, 전해 동박이어도 된다.The present invention is not limited to the above embodiment. The copper alloy in the above embodiment may contain other components as long as the effect of the present invention is exerted. It may also be an electrolytic copper foil.

예를 들어, 동박의 표면에, 조화 처리, 녹방지 처리, 내열 처리, 또는 이들의 조합에 의한 표면 처리를 실시해도 된다.For example, the surface of the copper foil may be subjected to surface treatment by roughening treatment, rust prevention treatment, heat resistance treatment, or a combination thereof.

(실시예)(Example)

다음으로, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 전기 구리에, 표 1 에 나타내는 원소를 각각 첨가하여 표 1 에 나타내는 조성으로 하고, Ar 분위기에서 주조하여 주괴를 얻었다. 주괴 중의 산소 함유량은 15 ppm 미만이었다. 이 주괴를 900 ℃ 에서 균질화 어닐링 후, 열간 압연한 후, 냉간 압연 및 재결정 어닐링을 반복하고, 추가로 최종 재결정 어닐링 및 최종 냉간 압연을 실시하여 압연 동박을 얻었다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. The elements shown in Table 1 were added to the electric copper, respectively, and the composition shown in Table 1 was obtained. The ingot was cast in an Ar atmosphere to obtain an ingot. The oxygen content of the ingot was less than 15 ppm. The ingot was homogenized at 900 DEG C, hot rolled, cold rolled and recrystallized annealed, and further subjected to final recrystallization annealing and final cold rolling to obtain a rolled copper foil.

얻어진 압연 동박에 아르곤 분위기에 있어서 300 ℃ × 30 분의 열처리를 가하여 동박 샘플을 얻었다. 열처리 후의 동박은, CCL 의 적층시에 열처리를 받은 상태를 본뜨고 있다.The obtained rolled copper foil was subjected to a heat treatment at 300 캜 for 30 minutes in an argon atmosphere to obtain a copper foil sample. The copper foil after the heat treatment shows a state in which heat treatment is performed at the time of laminating the CCL.

<동박 샘플의 평가><Evaluation of Copper Samples>

1. 도전율1. Conductivity

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, JIS H 0505 에 기초하여 4 단자법에 의해, 25 ℃ 의 도전율 (% IACS) 을 측정하였다.For each of the copper foil samples subjected to the heat treatment, the conductivity (% IACS) at 25 캜 was measured by the four-terminal method based on JIS H 0505.

도전율이 80 % IACS 보다 크면 도전성이 양호하다.If the conductivity is higher than 80% IACS, the conductivity is good.

2. 집합도2. Assembly Chart

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, X 선 회절 장치 (RINT-2500:리가쿠 전기 제조) 를 사용하여 상기 서술한 방법으로 집합도를 측정하였다. 또한, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도 외에,{200}면의 X 선 회절 강도를 동일하게 측정하여 I(200)/I0(200) 도 구하였다.For each copper foil sample subjected to the heat treatment, the degree of aggregation was measured by the above-described method using an X-ray diffraction apparatus (RINT-2500: Rigaku Denki). In addition to the aggregation represented by I (220) / I 0 (220), I (200) / I 0 (200) was also obtained by measuring the X-ray diffraction intensity of the {200} plane in the same manner.

3. 에칭 팩터 EF3. Etching factor EF

동박과 수지를 맞붙이고, 그 후 드라이 필름 레지스트를 동박 표면에 라미네이트하고, 레지스트에 단책상 (短冊狀) (L/S = 25/25) 의 회로 패턴을 형성하였다. 염화 제 2 구리 에천트의 스프레이 에칭으로 에칭 시간을 변화시켜 에칭을 실시하였다.The copper foil and the resin were stuck together, and then a dry film resist was laminated on the surface of the copper foil to form a circuit pattern of short strips (L / S = 25/25) on the resist. Etching was performed by changing the etching time by spraying a cupric chloride etchant.

EF 의 측정 방법은 다양하게 존재하지만, 본 발명에서는, 에칭 팩터 EF 를 구하는 방법으로서 가장 일반적인, 폭 방향에 대한 깊이 방향의 에칭 속도로 평가한다. 본 발명에서는, 도 1, 도 2 에 나타내는 바와 같이 하여 측정을 실시한다. 또한, 하기의 식 (1) 은, 깊이 방향과 폭 방향의 에칭 속도에만 주목하고 있고, 경사 방향의 에칭 속도는 고려하지 않는다.Although there are various methods of measuring EF, in the present invention, evaluation is made by the etching rate in the depth direction with respect to the width direction, which is the most common method for obtaining the etching factor EF. In the present invention, measurement is carried out as shown in Fig. 1 and Fig. In the following equation (1), attention is paid only to the etching rate in the depth direction and the width direction, and the etching rate in the oblique direction is not considered.

EF 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 회로 1 개의 단면의 폭 방향 및 깊이 방향의 에칭 속도로부터, 이하의 식 (1) 로 구한다.EF is obtained from the etching rate in the width direction and the depth direction of one cross section of the circuit by the following equation (1), as shown in Fig.

EF = 깊이 방향의 에칭 속도 / 폭 방향의 에칭 속도 (1)EF = etching rate in the depth direction / etching rate in the width direction (1)

단, 에칭 속도 자체를 측정하는 것은 어려우므로, 각각 에칭 시간을 변화시켰을 때의 회로의 폭과 깊이를 측정한다. 그리고, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가로축을 회로의 폭, 세로축을 회로의 깊이로 하여 각 데이터를 플롯하고, 이하의 식 (2) 로 근사적으로 구한다. 요컨대, 도 2 의 그래프의 기울기를 최소 이승법에 의한 일차의 근사식으로부터 구하여 EF 로 한다.However, since it is difficult to measure the etching rate itself, the width and depth of the circuit when the etching time is changed are measured. 2, each data is plotted with the horizontal axis as the width of the circuit and the vertical axis as the circuit depth, and is approximated by the following equation (2). In short, the slope of the graph of Fig. 2 is obtained from the approximate equation of the first order by the least squares method to obtain EF.

EF ≒ 깊이의 시간 변화 / (폭의 시간 변화 / 2) = 2 × 깊이의 시간 변화 / 폭의 시간 변화 (2)EF ≒ Depth change of time / (Time change of width / 2) = 2 × Time change of depth / Time change of width (2)

여기서, 식 (2) 의 계수「2」는, 폭 방향의 에칭이 도 1 의 좌우 양측으로 진행하기 때문에, 반으로 할 필요가 있기 때문이다.Here, the coefficient &quot; 2 &quot; in the equation (2) is required to be halved because the etching in the width direction proceeds to both right and left sides in Fig.

그리고, EF 의 값에 따라 이하의 지표로 평가하였다. 평가가 ◎, ○ 이면 양호하다.Then, according to the value of EF, the following indexes were evaluated. If the evaluation is ⊚ and ◯, it is good.

◎:EF 가 1.4 이상◎: EF of 1.4 or higher

○:EF 가 1.1 이상 1.4 미만○: EF of 1.1 or more and less than 1.4

×:EF 가 1.1 미만X: EF is less than 1.1

4. 소프트 에칭성4. Soft etchability

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 표면을 이하의 조건으로 소프트 에칭하였다. 소프트 에칭성을 평가하는 지표로서 소프트 에칭 후의 동박 표면의 JIS-B0601(2001) 에 기초하는 산술 평균 조도 Ra 를 측정하였다.For each copper foil sample after the heat treatment, the surface was soft-etched under the following conditions. As an index for evaluating the soft etchability, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the copper foil after soft-etching based on JIS-B0601 (2001) was measured.

소프트 에칭 조건으로서는, 동박과 레지스트의 밀착성을 부여하기 위한 소프트 에칭을 모의 (模擬) 하고, 과황산나트륨 농도 100 g/L, 과산화수소 농도 35 g/L 의 수용액 (액온 25 ℃) 에 420 초 동박을 침지하는 것으로 하였다. 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 이하인 경우를 소프트 에칭성이 양호 (○), 산술 평균 조도 Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하는 경우를 소프트 에칭성이 불량 (×) 으로 하였다.As soft etching conditions, a soft etching for imparting adhesion between a copper foil and a resist was simulated, and a copper foil was immersed in an aqueous solution (liquid temperature 25 ° C) of a sodium persulfate concentration of 100 g / L and a hydrogen peroxide concentration of 35 g / . When the arithmetic average roughness Ra is 0.2 탆 or less, the soft etchability is good (∘), and when the arithmetic mean roughness Ra is more than 0.2 탆, the soft etchability is poor (x).

소프트 에칭 후에 레지스트가 동박 표면에 잘 추종하면 밀착성이 우수하고, 회로 패턴의 정밀도가 향상되어, 소프트 에칭성이 양호해진다. Ra 가 0.2 ㎛ 를 초과하면, 레지스트가 동박 표면을 추종하기 어렵고, 레지스트와 동박 표면간에 간극이 발생하기 쉬워진다. 그리고, 그 간극에 에칭액이 침입함으로써 회로 패턴의 형성시의 정밀도가 저하된다.When the resist follows the surface of the copper foil after the soft etching, the adhesion is excellent, the precision of the circuit pattern is improved, and the soft etchability is improved. If Ra exceeds 0.2 占 퐉, the resist hardly follows the surface of the copper foil, and a clearance between the resist and the surface of the copper foil tends to occur. Then, the penetration of the etchant into the gap lowers the precision in forming the circuit pattern.

5. 결정 입경5. Crystal grain size

상기 열처리 후의 각 동박 샘플에 대해, 압연면을 SEM (Scanning Electron Microscope) 을 사용하여 관찰하고, JIS H 0501 에 기초하여 평균 입경을 구하였다. 단, 쌍정은, 각각 다른 결정립으로 간주하여 측정을 실시하였다. 측정 영역은 압연 방향과 평행한 단면의 400 ㎛ × 400 ㎛ 로 하였다.For each copper foil sample subjected to the heat treatment, the rolled surface was observed using a scanning electron microscope (SEM), and the average grain size was determined based on JIS H 0501. However, the twin crystals were regarded as different crystal grains and measurement was carried out. The measurement area was 400 μm × 400 μm in cross section parallel to the rolling direction.

얻어진 결과를 표 1, 표 2 에 나타낸다.The obtained results are shown in Tables 1 and 2.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

표 1, 표 2 를 통해 알 수 있는 바와 같이, 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛ 이고, 또한, I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만인 각 실시예의 경우, 에칭 팩터 및 소프트 에칭성이 함께 우수하였다. 그럼으로써, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어져 수율이 향상되고, 더욱 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 향상된다.As can be seen from Tables 1 and 2, in each of the embodiments in which the crystal grain size is 0.5 to 4.0 탆 and the degree of aggregation represented by I (220) / I 0 (220) is 1.3 to less than 7.0, The factor and the soft etchability were excellent. Thus, a uniform circuit pattern can be obtained on the entire surface of the copper foil, the yield is improved, and the precision of the circuit pattern is improved when the circuit is further miniaturized.

최종 냉간 압연의 최종 패스의 변형 속도가 1000 (s-1) 미만인 비교예 1 ∼ 4 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 소프트 에칭성은 양호하기는 하지만 에칭 팩터가 저하되었다. 따라서, 회로를 미세화했을 때에 회로 패턴의 정밀도가 저하된다.In the case of Comparative Examples 1 to 4 in which the strain rate of the final pass of the final cold rolling was less than 1000 (s -1 ), the degree of aggregation was less than 1.3, and the etch factor was lowered although the soft etchability was good. Therefore, when the circuit is miniaturized, the precision of the circuit pattern is lowered.

최종 냉간 압연 전 또한 최종 재결정 어닐링 후의 평균 결정 입경이 20 ㎛ 를 초과한 비교예 5 의 경우, 제품의 평균 결정 입경이 4.0 ㎛ 를 초과하고, 에칭 팩터는 양호하기는 하지만, 소프트 에칭성이 열등하였다. 따라서, 동박 전체면에 균일한 회로 패턴이 얻어지지 못하고 수율이 저하된다.In the case of Comparative Example 5 in which the average crystal grain size after final cold rolling and after the final recrystallization annealing exceeded 20 탆, the average crystal grain size of the product exceeded 4.0 탆 and the etch factor was satisfactory, but the soft etchability was inferior . Therefore, a uniform circuit pattern can not be obtained on the entire surface of the copper foil, and the yield is lowered.

총 가공도가 6.10 미만인 비교예 6 의 경우, 집합도가 1.3 미만이 되어, 에칭 팩터가 저하되었다.In the case of Comparative Example 6 in which the total degree of processing was less than 6.10, the degree of aggregation was less than 1.3, and the etching factor was lowered.

첨가 원소의 합계 함유량이 0.7 질량% 를 초과한 비교예 7 의 경우, 도전율이 80 % 미만이 되어 도전성이 열등하였다.In the case of Comparative Example 7 in which the total content of the additional elements exceeded 0.7% by mass, the conductivity became less than 80% and the conductivity was inferior.

Claims (7)

99.0 질량% 이상의 Cu, 잔부 불가피적 불순물로 이루어지는 동박으로서,
평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 동박 표면의 X 선 회절 강도 I(220)/I0(220) 으로 표시되는 집합도가 1.3 이상 7.0 미만,
도전율이 80 % 이상인 플렉시블 프린트 기판용 동박.
Cu of at least 99.0% by mass, and a remainder inevitable impurities,
An average crystal grain size of 0.5 to 4.0 占 퐉 and a degree of aggregation expressed by X-ray diffraction intensity I (220) / I 0 (220) of the surface of the copper foil is 1.3 or more and less than 7.0,
A copper foil for a flexible printed circuit board having a conductivity of 80% or more.
제 1 항에 있어서,
JIS-H3100 (C1100) 에 규격하는 터프 피치동 또는 JIS-H3100(C1020) 의 무산소동으로 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method according to claim 1,
A copper foil for a flexible printed circuit board comprising a tough pitch copper specified in JIS-H3100 (C1100) or an oxygen free copper of JIS-H3100 (C1020).
제 1 항에 있어서,
추가로, 첨가 원소로서 P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Sn 및 Sb 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.7 질량% 이하 함유하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method according to claim 1,
In addition, for a flexible printed circuit board comprising a total of 0.7 mass% or less of at least one or more selected from the group consisting of P, Ag, Si, Ge, Al, Ga, Zn, Copper foil.
제 1 항에 있어서,
300 ℃ × 30 min 어닐링 (단, 승온 속도 100 ℃/min ∼ 300 ℃/min) 후에, 상기 평균 결정 입경이 0.5 ∼ 4.0 ㎛, 상기 집합도가 1.3 이상 7.0 미만, 상기 도전율이 80 % 이상인 플렉시블 프린트 기판용 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the average crystal grain size is 0.5 to 4.0 mu m, the aggregation degree is 1.3 or more and less than 7.0, and the electrical conductivity is 80% or more after annealing at a temperature of 300 DEG C for 30 minutes (at a heating rate of 100 DEG C / min to 300 DEG C / min) Copper foil for substrates.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판용 동박과, 수지층을 적층하여 이루어지는 구리 피복 적층체.A copper clad laminate obtained by laminating a copper foil for a flexible printed circuit according to any one of claims 1 to 4 and a resin layer. 제 5 항에 기재된 구리 피복 적층체에 있어서의 상기 동박에 회로를 형성하여 이루어지는 플렉시블 프린트 기판.A flexible printed circuit board comprising a copper clad laminate according to claim 5 and a circuit formed on the copper clad. 제 6 항에 기재된 플렉시블 프린트 기판을 사용한 전자 기기.An electronic device using the flexible printed circuit board according to claim 6.
KR1020190003924A 2018-01-22 2019-01-11 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil KR20190089732A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200171634A KR102470725B1 (en) 2018-01-22 2020-12-09 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018008117A JP6793138B2 (en) 2018-01-22 2018-01-22 Copper foil for flexible printed circuit boards, copper-clad laminates using it, flexible printed circuit boards, and electronic devices
JPJP-P-2018-008117 2018-01-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200171634A Division KR102470725B1 (en) 2018-01-22 2020-12-09 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190089732A true KR20190089732A (en) 2019-07-31

Family

ID=67365929

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190003924A KR20190089732A (en) 2018-01-22 2019-01-11 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil
KR1020200171634A KR102470725B1 (en) 2018-01-22 2020-12-09 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200171634A KR102470725B1 (en) 2018-01-22 2020-12-09 Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6793138B2 (en)
KR (2) KR20190089732A (en)
CN (1) CN110072333B (en)
TW (1) TWI730280B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6856688B2 (en) * 2019-03-26 2021-04-07 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit boards, copper-clad laminates using it, flexible printed circuit boards, and electronic devices
JP7194857B1 (en) * 2022-07-14 2022-12-22 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic equipment
JP7164752B1 (en) * 2022-07-14 2022-11-01 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017141501A (en) 2016-02-05 2017-08-17 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit board, and copper clad laminate, flexible printed circuit board, and electronic apparatus prepared therewith
JP2017179390A (en) 2016-03-28 2017-10-05 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed wiring board, and copper clad laminate, flexible printed wiring board and electronic device using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3962291B2 (en) * 2001-07-17 2007-08-22 日鉱金属株式会社 Rolled copper foil for copper clad laminate and method for producing the same
JP3824593B2 (en) * 2003-02-27 2006-09-20 日鉱金属株式会社 Rolled copper foil with high elongation
JP5055088B2 (en) * 2007-10-31 2012-10-24 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil and flexible printed circuit board using the same
JP2013142162A (en) * 2012-01-10 2013-07-22 Mitsubishi Shindoh Co Ltd Copper or copper alloy plate for base plate with excellent warp workability, and method for producing the same
JP6360654B2 (en) * 2012-01-17 2018-07-18 Jx金属株式会社 Rolled copper foil for flexible printed wiring boards
JP6294257B2 (en) * 2015-03-30 2018-03-14 Jx金属株式会社 Copper alloy foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic device
US20170208680A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper Foil, Copper-Clad Laminate Board, Method For Producing Printed Wiring Board, Method For Producing Electronic Apparauts, Method For Producing Transmission Channel, And Method For Producing Antenna
JP6392268B2 (en) * 2016-02-05 2018-09-19 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic device
JP7133904B2 (en) * 2016-03-31 2022-09-09 住友化学株式会社 LAMINATED FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017141501A (en) 2016-02-05 2017-08-17 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed circuit board, and copper clad laminate, flexible printed circuit board, and electronic apparatus prepared therewith
JP2017179390A (en) 2016-03-28 2017-10-05 Jx金属株式会社 Copper foil for flexible printed wiring board, and copper clad laminate, flexible printed wiring board and electronic device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI730280B (en) 2021-06-11
CN110072333B (en) 2022-05-13
CN110072333A (en) 2019-07-30
JP2019127603A (en) 2019-08-01
KR102470725B1 (en) 2022-11-25
TW201934767A (en) 2019-09-01
KR20200141427A (en) 2020-12-18
JP6793138B2 (en) 2020-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102470725B1 (en) Copper foil for flexible printed circuit, and copper clad laminate, flexible printed circuit and electronic device using copper foil
JP4662834B2 (en) Copper or copper alloy foil for circuit
KR102098479B1 (en) Copper foil for flexible printed circuit, copper clad laminate using the same, flexible printed circuit and electronic device
KR20160117196A (en) Copper alloy foil for flexible printed wiring board, copper-clad laminate using the same, flexible printed wiring board and electronic device
JP6781562B2 (en) Copper foil for flexible printed circuit boards, copper-clad laminates using it, flexible printed circuit boards, and electronic devices
CN109385554B (en) Copper foil for flexible printed board, copper-clad laminate using same, flexible printed board, and electronic device
KR102049636B1 (en) Copper foil for flexible printed wiring board, copper-clad laminate using the same, flexible printed wiring board and electronic device
JP2008088492A (en) Copper alloy foil and copper-resin organic matter flexible laminate
WO2018180920A1 (en) Rolled copper foil
CN1234890C (en) Copper alloy foil for laminated board
JP5933943B2 (en) Rolled copper foil for flexible printed wiring boards, copper-clad laminates, flexible printed wiring boards, and electronic equipment
JP2003041334A (en) Copper alloy foil for laminate
JP2013167013A (en) Rolled copper foil for flexible printed circuit board
KR102136096B1 (en) Copper foil for flexible printed substrate, and copper clad laminate using the same, flexible printed substrate and electronic equipment
JP4798894B2 (en) Copper alloy foil for laminates
JP6647253B2 (en) Copper foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic device
JP4798890B2 (en) Copper alloy foil for laminates
JP2003034829A (en) Copper alloy foil for laminate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2020101003001; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20201209

Effective date: 20210906