KR20200087163A - 복합 구리박 - Google Patents
복합 구리박 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200087163A KR20200087163A KR1020207014566A KR20207014566A KR20200087163A KR 20200087163 A KR20200087163 A KR 20200087163A KR 1020207014566 A KR1020207014566 A KR 1020207014566A KR 20207014566 A KR20207014566 A KR 20207014566A KR 20200087163 A KR20200087163 A KR 20200087163A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- copper foil
- composite copper
- composite
- plating
- convex portion
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 114
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 9
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)N(CC(O)=O)CC(O)=O CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016847 F2-WS Inorganic materials 0.000 description 1
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- IIFGCAJBLSOVSP-UHFFFAOYSA-N OCCN(CC(=O)O)CC(=O)O.[Na].[Na] Chemical compound OCCN(CC(=O)O)CC(=O)O.[Na].[Na] IIFGCAJBLSOVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKCPAFFNQYZVSE-NRXHRRLXSA-J [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].C(CN([C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-])CC(=O)O)(=O)O.N([C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-])(CC(=O)O)CC(=O)O Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].C(CN([C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-])CC(=O)O)(=O)O.N([C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-])(CC(=O)O)CC(=O)O JKCPAFFNQYZVSE-NRXHRRLXSA-J 0.000 description 1
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229950003476 aminothiazole Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(OCC)OCC JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K trisodium;hydroxy-[[phosphonatomethyl(phosphonomethyl)amino]methyl]phosphinate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].OP(O)(=O)CN(CP(O)([O-])=O)CP([O-])([O-])=O SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
- C23G1/20—Other heavy metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1637—Composition of the substrate metallic substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1841—Multistep pretreatment with use of metal first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
- C23C22/48—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 not containing phosphates, hexavalent chromium compounds, fluorides or complex fluorides, molybdates, tungstates, vanadates or oxalates
- C23C22/52—Treatment of copper or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
- C23C22/63—Treatment of copper or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/10—Other heavy metals
- C23G1/103—Other heavy metals copper or alloys of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
- C25D5/611—Smooth layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
- C25D3/08—Deposition of black chromium, e.g. hexavalent chromium, CrVI
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
본 발명은, 신규 복합 구리박을 제공하는 것을 목적으로 한다. 구리박의 적어도 일부의 표면에, 구리 이외의 금속층이 형성되어 있는 복합 구리박으로서, 적어도 일부의 상기 복합 구리박의 표면에 볼록부가 있고, 상기 복합 구리박의 단면에 있어서, 상기 볼록부의 높이가 10 nm 이상 1000 nm 이하인, 복합 구리박으로 한다.
Description
본 발명은 복합 구리박에 관한 것이다.
프린트 배선판에 사용되는 구리박은, 수지와의 밀착성이 요구된다. 이 밀착성을 향상시키기 위해, 에칭 등으로 구리박의 표면을 조면화 처리하여, 물리적 접착력을 높이는 방법이 이용되어 왔다. 그러나, 프린트 배선판의 고밀도화에 따라, 구리박 표면의 평탄화가 요구되게 되었다. 그러한 상반되는 요구를 충족시키기 위해, 산화 공정과 환원 공정을 수행하는 등의 구리 표면 처리 방법이 개발되었다(WO2014/126193 공개 공보). 그것에 의하면, 구리박을 프리컨디셔닝하여, 산화제를 함유하는 약액(藥液)에 침지함으로써 구리박 표면을 산화시켜 산화구리의 요철을 형성한 후, 환원제를 함유하는 약액에 침지하고, 산화구리를 환원함으로써 표면의 요철을 조정하여 표면의 조도를 정리한다. 또한, 산화·환원을 이용한 구리박의 처리에서의 밀착성 개선방법으로, 산화 공정에 있어서 표면 활성 분자를 첨가하는 방법(일본특허공표공보 2013-534054호)이나, 환원 공정 후에 아미노티아졸계 화합물 등을 이용하여 구리박의 표면에 보호 피막을 형성하는 방법(일본특허공개공보 H08-97559호)이 개발되었다. 또한, 절연 기판 상의 구리 도체 패턴의 표면을 조화(粗化)하여, 산화구리층을 형성한 표면 상에, 이산적(離散的)으로 분포하는 금속 입자를 갖는 도금막을 형성하는 방법(일본특허공개공보 2000-151096호)이 개발되었다.
본 발명은, 신규 복합 구리박을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 양태는, 구리박의 적어도 일부의 표면에, 구리 이외의 금속층이 형성되어 있는 복합 구리박으로서, 적어도 일부의 상기 복합 구리박의 표면에 볼록부가 있고, 상기 복합 구리박의 단면에 있어서, 상기 볼록부의 높이가 10 nm 이상 1000 nm 이하인, 복합 구리박이다. 상기 볼록부의 높이는, 주사 전자현미경에 의한 단면의 촬영상에 있어서, 볼록부의 양측 오목부의 극소점을 이은 선분에 대하여, 그 중점과 볼록부의 극대점의 거리로 측정될 수도 있다. 또한, 깊이 6 nm에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 80% 이하이며, 산소를 포함하지 않는 깊이에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 90% 이상일 수도 있다. 상기 볼록부의 높이가 50 nm 이상 500 nm 이하일 수도 있다. 또한, 상기 복합 구리박의 단면에 있어서, 높이 50 nm 이상의 볼록부가 3.8 μm당 평균 15개 이상 100개 이하일 수도 있다. 상기 금속층이, 균일하고 입자가 없을 수도 있다. Cu의 비율이 40 atom%인 깊이에서의 Cu/O 비가 0.9이상일 수도 있다. 상기 구리 이외의 금속이, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au 및 Pt로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 금속일 수도 있다.
본 발명의 다른 실시 형태는, 구리박 표면을 산화하는 제 1 공정과 산화한 상기 구리 표면에 도금 처리하는 제 2 공정을 포함하는 복합 구리박의 제조 방법이다. 제 1 공정 전에, 알칼리 수용액을 이용하여 알칼리 처리를 할 수도 있다. 제 1 공정에 있어서, 산화된 구리박 표면이 용해제로 용해될 수도 있다. 제 2 공정에 있어서, 상기 도금 처리가 촉매를 이용한 무전해 도금일 수도 있다. 제 2 공정에 있어서, 상기 도금 처리가 전해 도금일 수도 있다.
==관련 문헌과의 크로스 레퍼런스==
본 출원은, 2017년 11월 10 일자로 출원된 일본 특허 출원 2017-217777 및 2018년 3월 30 일자로 출원된 일본 특허 출원 2018-069608에 근거하는 우선권을 주장하는 것으로, 해당 기초 출원을 인용함으로써, 본 명세서에 포함하는 것으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 2~8, 비교예 1~2에서, 복합 구리박의 단면을 나타낸 주사형 전자현미경(SEM) 사진이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 실시예를 들어서 상세하게 설명한다. 그리고, 본 발명의 목적, 특징, 이점, 및 그 아이디어는, 본 명세서의 기재에 의해, 당업자에게는 명백하고, 본 명세서의 기재로부터, 당업자라면, 용이하게 본 발명을 재현할 수 있다. 아래에 기재된 발명의 실시 형태 및 구체적인 실시예 등은, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내는 것으로, 예시 또는 설명을 위해 나타나 있는 것이지, 본 발명을 그들에 한정하는 것은 아니다. 본 명세서에서 개시되어 있는 본 발명의 의도 및 범위 내에서, 본 명세서의 기재에 근거하여, 다양하게 수식(修飾)할 수 있는 것은, 당업자에게 명백하다.
==복합 구리박==
본 발명의 일 실시 양태는, 구리박의 적어도 일부의 표면에, 구리 이외의 금속층이 형성되어 있는 복합 구리박이다. 이 복합 구리박에는, 적어도 일부의 금속층의 표면에 볼록부가 있다.
이 볼록부의 높이의 평균이, 10 nm 이상인 것이 바람직하고, 50 nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 100 nm 이상인 것이 보다 더 바람직하고, 또한 1000 nm 이하인 것이 바람직하고, 500 nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 200 nm 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 이 볼록부의 높이는, 예를 들어, 집속 이온 빔(FIB)에 의해 생성된 복합 구리박의 단면을 관찰한 주사형 전자현미경(SEM) 상에서, 볼록부를 사이에 두고 서로 이웃하는 오목부의 극소점을 이은 선분의 중점과 오목부의 사이에 있는 볼록부의 극대점의 거리로 할 수 있다.
물체의 표면에, 높이 50 nm 이상의 볼록부가 3.8 μm당, 평균 15개 이상인 것이 바람직하고, 30개 이상인 것이 보다 바람직하고, 50개 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 100개 이하인 것이 바람직하고, 80개 이하인 것이 보다 바람직하고, 60개 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 볼록부의 수는, 예를 들어, 집속 이온 빔(FIB)에 의해 생성된 복합 구리박의 단면을 관찰한 주사형 전자현미경(SEM) 상에서, 높이가 50 nm 이상인 것의 3.8 μm당 수를 계측함으로써 셀 수 있다. 높이는, 상술한 바와 같이 하여 측정할 수 있다.
구리 이외의 금속의 종류는 특별히 한정되지 않지만, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au 및 Pt로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 금속인 것이 바람직하다.
구리 이외의 금속층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 6 nm 이상인 것이 바람직하고, 10 nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 14 nm 이상인 것이 보다 더 바람직하다.
구리 이외의 금속층에서의 금속의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 깊이 6 nm에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 80중량% 이하인 것이 바람직하고, 50중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 30중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 산소를 포함하지 않는 깊이에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 90중량% 이상인 것이 바람직하고, 95중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 99중량% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, Cu의 원자 조성의 비율이 40%인 깊이에서의 Cu/O 비는, 0.9 이상인 것이 바람직하고, 2 이상인 것이 보다 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 소정의 깊이에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율은, 예를 들어, 이온 스퍼터링과 X선 광전자 분광법(XPS)을 이용하여 측정할 수 있다.
금속층은, 입자가 없는 균일(一樣)한 층인 것이 바람직하다. 여기서, 균일이란, 95% 이상의 면에서, 바람직하게는 98% 이상의 면에서, 보다 바람직하게는 99% 이상의 면에서, 그 층의 두께가, 층의 평균 두께의 5배를 넘지 않거나, 바람직하게는 3배를 넘지 않거나, 보다 바람직하게는 2배를 넘지 않는 것을 말하는 것으로 한다. 입자가 없는 균일한 금속층을 형성함으로써, 열처리 후의 밀착성을 높일 수 있다.
이 복합 구리박은, 프린트 배선판에 사용되는 구리박으로 이용할 수 있다. 즉, 복합 구리박을 수지와 층상으로 접착시킴으로써 적층판을 제작하고, 프린트 배선판을 제조하는데 이용할 수 있다. 또한, 이 복합 구리박은, 2차 전지에 사용되는 집전체로 이용할 수 있다. 즉, 흑연 등의 활물질 및 폴리불화비닐리덴 등의 바인더 수지를 포함하는 슬러리를 복합 구리박에 도포, 건조하여 전극을 제작하고, 2차 전지를 제조하는데 이용할 수 있다.
이상과 같은 복합 구리박은, 저조화(低粗化)이면서 양호한 밀착성, 내열성을 갖는다는 이점이 있다.
==복합 구리박의 제조 방법==
본 발명의 일 실시 양태는, 복합 구리박의 제조 방법으로서, 구리박 표면을 산화하는 제 1 공정; 산화한 구리 표면에 도금 처리하는 제 2 공정;을 포함하는 복합 구리박의 제조 방법이다.
우선, 제 1 공정에 있어서, 구리 표면을 산화제로 산화하여, 산화구리의 층을 형성하는 동시에, 표면에 요철부를 형성한다. 이 산화 공정 이전에, 에칭 등의 조면화 처리 공정은 필요없지만, 수행할 수도 있다. 탈지 세정 또는 산화 공정에대한 산의 반입을 방지하기 위한 알칼리 처리는 수행할 수도 있다. 알칼리 처리의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1~10 g/L, 보다 바람직하게는 1~2 g/L의 알칼리 수용액, 예를 들어 수산화 나트륨 수용액으로, 30~50℃, 0.5~2분간 정도 처리하면 된다.
산화제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아염소산 나트륨, 차아염소산 나트륨, 염소산 칼륨, 과염소산 칼륨 등의 수용액을 이용할 수 있다. 산화제에는, 각종 첨가제(예를 들어, 인산삼나트륨 12수화물과 같은 인산염)나 표면 활성 분자를 첨가할 수도 있다. 표면 활성 분자로는, 포르피린, 포르피린 대원환(大員環), 확장 포르피린, 환축소 포르피린, 직쇄 포르피린 폴리머, 포르피린 샌드위치 배위 착체, 포르피린 배열, 실란, 테트라오가노-실란, 아미노에틸아미노프로필-트리메톡시실란, (3아미노프로필)트리메톡시실란, (1[3(트리메톡시실릴)프로필]우레아)((l-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]urea)), (3아미노프로필)트리에톡시실란, ((3글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란), (3클로로프로필)트리메톡시실란, (3글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 디메틸디클로로실란, 3(트리메톡시실릴)프로필메타크릴레이트, 에틸트리아세톡시실란, 트리에톡시(이소부틸)실란, 트리에톡시(옥틸)실란, 트리스(2메톡시에톡시)(비닐)실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리클로로실란, 사염화규소, 테트라에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 클로로트리에톡시실란, 에틸렌트리메톡시실란, 아민, 당 등을 예시할 수 있다.
산화 반응 조건은 특별히 한정되지 않지만, 산화제의 용액 온도는 40~95℃인 것이 바람직하고, 45~80℃인 것이 보다 바람직하다. 반응 시간은 0.5~30분인 것이 바람직하고, 1~10분인 것이 보다 바람직하다.
제 1 공정에 있어서, 산화된 구리박 표면을 용해제로 용해하여, 산화된 구리박 표면의 요철부를 조정할 수도 있다.
본 공정에서 이용하는 용해제는 특별히 한정되지 않지만, 킬레이트제, 특히 생분해성 킬레이트제인 것이 바람직하고, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에탄올글리신, L-글루탐산디아세트산·사나트륨, 에틸렌디아민-N, N'-디숙신산, 3-하이드록시-2, 2'-이미노디숙신산나트륨, 메틸글리신디아세트산삼나트륨, 아스파르트산디아세트산사나트륨, N-(2-하이드록시에틸)이미노디아세트산디나트륨, 글루콘산나트륨 등을 예시할 수 있다.
용해제의 pH는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리성인 것이 바람직하고, pH 8~10.5인 것이 보다 바람직하고, pH 9.0~10.5인 것이 보다 더 바람직하고, pH 9.8~10.2인 것이 보다 더 바람직하다.
이 공정에 있어서, 산화구리의 용해율이 35~99%, 바람직하게는 77~99%이면서 CuO의 두께가 4~150 nm, 바람직하게는 8~50 nm가 될 때까지, 구리 표면을 처리한다. 이 조건에 있어서, 프리프레그와의 박리 강도가 높아져, 처리 불균일이 저감된다.
그 다음, 제 2 공정에 있어서, 산화구리의 층에 대해, 구리 이외의 금속으로 도금 처리를 함으로써, 복합 구리박을 제조한다. 도금 처리 방법은, 공지된 기술을 사용할 수 있지만, 예를 들어, 구리 이외의 금속으로, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au, Pt, 혹은 다양한 합금을 이용할 수 있다. 도금 공정도 특별히 한정되지 않고, 전해 도금, 무전해 도금, 진공 증착, 화성 처리 등에 의해 도금할 수 있다.
무전해 니켈 도금의 경우는 촉매를 이용한 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 촉매로는 철, 코발트, 니켈, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 및 그들의 염을 이용하는 것이 바람직하다. 촉매를 이용한 처리를 수행함으로써, 균일하고 입자가 점재하지 않는 금속층을 얻을 수 있다. 그것에 의해, 복합 구리박의 내열성이 향상된다. 무전해 니켈 도금의 경우는, 환원제로, 구리 및 산화구리가 촉매 활성을 갖지 않는 환원제를 이용하는 것이 바람직하다. 구리 및 산화구리가 촉매 활성을 갖지 않는 환원제로는, 차아인산나트륨 등의 차아인산염을 들 수 있다.
이와 같이, 구리박에 대하여, 제 1 공정 및 제 2 공정을 수행함으로써, 표면이 볼록부를 갖는 복합 구리박을 제조할 수 있다. 볼록부의 Ra는 특별히 한정되지 않지만, 0.02 μm 이상이 바람직하고, 0.04 μm 이상이 보다 바람직하고, 또한, 0.20 μm 이하인 것이 바람직하고, 0.05 μm 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 산화구리가 얻어지도록, 온도, 시간 등의 조건을 설정하는 것은, 당업자에게는 용이하다.
이들 공정으로 제조한 구리박에, 실란 커플링제 등을 이용한 커플링 처리나 벤조트리아졸류 등을 이용한 녹방지 처리를 수행할 수도 있다.
또한, 이들 공정으로 제조한 구리박과 프리프레그의 사이에 접착층을 설치할 수도 있다. 접착층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착성 수지 필름을 적층할 수도 있고, 수지 바니시를 도포함으로써 형성할 수도 있다.
실시예
실시예 및 비교예 1에서는, 구리박으로서 DR-WS(후루카와덴코가부시키가이샤 제품, 두께: 18 μm)를 이용하여, 샤이니면(광택면. 반대면과 비교했을 때 평탄한 면.)에 대하여 도금 처리를 수행했다. 비교예 2에 대해서는, 전해 구리박 F2-WS(후루카와덴코가부시키가이샤 제품, 두께: 18 μm)의 매트면(面)을 이용했다. 아래에, 그 공정의 상세를 설명한다.
(1) 알칼리 처리
1.2 g/L의 수산화나트륨 수용액으로 40℃, 1분간, 프리컨디셔닝을 수행했다. 이것은, 산화 처리의 불균일을 경감하는 것을 목적으로 한 탈지 세정을 위해서이다. 그리고, 비교예 2에 대해서는, 알칼리 처리를 수행하지 않았다.
(2) 산화 처리
알칼리 처리를 수행한 구리박을, 산화 처리용 수용액(NaClO2 130 g/L-NaOH 12 g/L)으로 45℃, 1분간, 산화 처리를 수행했다. 그리고, 비교예 2에 대해서는, 산화 처리를 수행하지 않았다. 이들 처리 후, 구리박을 수세했다.
(3) 도금 처리
산화 처리를 수행한 구리박에 대해, 실시예 1~3에 대해서는, 니켈 도금용 전해액(술팜산니켈 470 g/L-붕산 40 g/L)을 이용하여 전해 도금을 가했다.
실시예 5에 대해서는, 크롬 도금용 전해액(무수 크롬산 100 g/L-황산 1 g/L)을 이용하여 전해 도금을 가했다. 실시예 6에 대해서는, 아연 도금용 전해액(산화아연 10 g/L-수산화나트륨 115 g/L-9500A 5 ml/L(니뽄효멘카가쿠가부시키가이샤 제품)-9500B 0.5 ml/L(니뽄효멘카가쿠가부시키가이샤 제품)-하이퍼소프트 10 ml/L(니뽄효멘카가쿠가부시키가이샤 제품))를 이용하여 전해 도금을 가했다. 온도, 시간, 전류 밀도 등의 조건에 대해서는, 표 1에 기재한 바와 같다. 비교예 1에 대해서는, 도금 처리의 공정은 일절 수행하지 않았다. 실시예 4에 대해서는, 센시타이징 용액(1.0 g/L염화주석, 0.5~3.0 mL/L 염산)으로 30℃, 1분간, 액티베이션 용액(100 mg/L 염화팔라듐, 0.1 mL/L 염산)으로 30℃, 1분간 처리를 수행한 후, Ni-P 도금 용액(블루슈머, 니혼카니젠사)을 이용하여, 90℃, 5초간 무전해 도금을 가했다.
실시예 7에서는, 실시예 2에서 얻어진 구리박에 대해, 실란 커플링제(신에츠실리콘 제품 KBM-803) 1 wt% 수용액에 실온에서 1분간 침지 후, 70℃의 건조기 내에서 1분간 건조하여 작성한 구리박을 이용했다.
전해조건 | 실시예 | |||||||
1 | 2 | 3 | 5 | 6 | 7 | 8 | ||
온도 | ℃ | 50 | 50 | 50 | 40 | 20 | 50 | 50 |
시간 | sec | 30 | 15 | 15 | 60 | 45 | 15 | 30 |
전류밀도 | A/dm2 | 0.5 | 1 | 2 | 20 | 0.5 | 1 | 0.5 |
쿨롱양 | C | 15 | 15 | 30 | 1200 | 22.5 | 15 | 15 |
(4) 볼록부의 높이 및 수, 및 표면 조도의 측정
실시예 1~6 및 비교예 1~2에서 얻어진 복합 구리박의 볼록부의 높이 및 수, 그리고 표면 조도를 측정했다. 구체적으로는, 공초점 주사 전자현미경 콘트롤러 MC-1000 A(레이저테크가부시키가이샤 제품)를 이용하여 측정했다. 주사형 전자현미경(SEM) 사진에 있어서, 볼록부를 사이에 두고 서로 이웃하는 오목부의 극소점을 이은 선분의 중점과 오목부의 사이에 있는 볼록부의 극대점의 거리를 볼록부의 높이로 했다. 5개의 독립된 장소에 대한 SEM 사진을 이용하여 1사진당 3군데를 측정하여, 그 평균값을 계산하고, 볼록부의 평균 높이로 했다. 그 다음, 5개의 SEM 사진에서, 3.8 μm당, 높이가 50 nm 이상인 볼록부의 수를 세어, 5개의 평균값을 산출했다. 표면 조도는, 산술 평균 조도(Ra)로 산출했다. 주사 전자현미경의 관찰 결과를 도 1에, 각 측정 결과를 표 2에 나타낸다. 그리고, Ra의 값이 낮을수록, 구리박 표면의 표면 조도가 작은 것을 나타낸다.
(5) Cu 이외의 금속량의 측정
도금을 가한 실시예 1~6의 구리박에 대하여, Cu 이외의 금속량을 측정했다. 구체적으로, 도금을 가한 구리박과 도금을 가하지 않은 구리박을 3 cm×3 cm로 절단하고, 각각 12% 질산 수용액에 녹여, 고주파 유도 결합 플라즈마(ICP) 분석법에 의해 구리박 한 면당 금속량을 측정하고, 그 차를 Cu 이외의 금속량으로 했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(6) 밀착성 측정 I 박리 강도 측정
실시예 1~7 및 비교예 1~2의 각 구리박에 대하여, 적층 후의 박리 강도 및 열처리 후의 박리 강도를 측정했다. 우선, 각 구리박에 대해, 프리프레그(R5670KJ(파나소닉가부시키가이샤 제품))를 적층하고, 진공 고압 프레스기를 이용하여 진공 중에서 210℃ 30분간 유지함으로써, 측정 시료(Initial)를 얻었다. 열에 대한 내성을 조사하기 위해, 177℃의 오븐에 10일간 투입하여, 측정 시료(내열시험)를 얻었다. 이들 측정 시료에 대하여 90° 박리 시험(일본공업규격(JIS) C5016)에 의해 박리 강도(kgf/cm)를 구했다. 또한, 실시예 8에서는, 실시예 2에서 얻어진 구리박에 대해, 박과 프리프레그 사이에, 접착 수지층으로 페닐렌에테르 올리고머 및 엘라스토머를 주성분으로 하는 접착 필름(나믹스(주) 제품, NC0207)을 사이에 두고, 진공 고압 프레스기를 이용하여 진공 중에서 210℃ 30분간 유지함으로써 측정 시료(Initial)를 얻고, 또한, 동일한 조건에서 열처리 후의 박리 강도를 측정했다. 박리 강도가 클수록, 프리프레그와 구리박의 밀착성이 높은 것을 나타낸다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
그리고, 내열 열화율은, 아래의 식으로 계산했다.
내열 열화율(%)=100-((내열 시험 후 박리 강도 / Initials의 박리 강도)× 100)
(7) 밀착성의 측정 II 스며나옴 판정
실시예 1~6 및 비교예 1~2의 각 구리박에 대하여, 산에 대한 내성을 조사하기 위해, 적층 후의 구리박을 HCl 수용액(4 N)에 60℃, 90분간 침지하여, 측정 시료를 얻고, 90° 박리 시험(일본공업규격(JIS) C5016)을 수행했다. 이 때에, 구리박측의 접착면에 있어서, 스며나옴에 의한 색의 변화 유무를 조사했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
(8) 결과
실시예 | 비교예 | ||||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 1 | 2 | ||
산화처리 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 있음 | 없음 | |
도금방법 | 전해 | 전해 | 전해 | 무전해 | 전해 | 전해 | 전해 | 전해 | 없음 | 없음 | |
볼록부 | 평균높이(nm) | - | 109 | 118 | 102 | 125 | 140 | 109 | 109 | 85 | 1654 |
수 | - | 42 | 46 | 31 | 17 | 37 | 42 | 42 | 37 | 5 | |
표면조도 | Ra(μm) | 0.05 | 0.05 | 0.04 | 0.05 | 0.04 | 0.07 | - | - | 0.06 | 0.34 |
Cu 이외의 금속량 | ICP(ppm) | 23 | 20 | 45 | 9 | 20 | 27 | 20 | - | - | - |
실시예 | 비교예 | ||||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 1 | 2 | ||
Initials(kgf/cm) | 0.23 | 0.28 | 0.16 | 0.21 | 0.22 | 0.14 | 0.40 | 0.51 | 0.31 | 0.51 | |
내열시험(kgf/cm) | 0.17 | 0.26 | 0.16 | 0.18 | 0.16 | 0.18 | 0.38 | 0.50 | 0.16 | 0.49 | |
내열 열화율(%) | 28 | 6 | 2 | 16 | 27 | -22 | 5 | 2 | 47 | 4 | |
스며나옴 유무 | 없음 | 없음 | 없음 | 없음 | 없음 | 없음 | 없음 | 없음 | 있음 | 없음 |
산화 처리도 도금 처리도 수행하지 않은 비교예 2에 대해서는, 볼록부의 높이가 매우 높고, 표면 조도도 두드러지게 거칠었다. 산화 처리만 수행하고, 도금 처리를 수행하지 않았던 비교예 1에 대해서는, 표면 조도도 박리 강도도 문제 없는 수준이었지만, 내산 시험 후의 스며나옴이 있는 한편 내열 열화율이 높았다.
한편, 산화 처리와 적절한 강도의 도금 처리를 수행한 실시예 1~6에서는, 도금 처리의 방법이나 피복된 금속의 종류에 상관없이, 어느 팩터도 문제 없는 값이었다. 도금 처리는, 밀착성을 증가시킨다고 생각된다. 그리고, 실시예 1에서는, 표 2에 기재한 것처럼, 요철이 관찰되지 않았지만, 표 3에 기재한 것처럼, 성능은 문제 없다.
또한, 실시예 7과 같이, 제조한 구리박에 커플링 처리를 수행해도, 실시예 8과 같이, 제조한 구리박과 프리프레그의 사이에 접착층을 설치해도, 표 3에 기재한 것처럼, 구리박의 성능은 문제 없다.
이와 같이, 산화 처리에 의한 표면 조화 후에 도금 처리를 함으로써, 박리 강도, 내산 시험 후의 스며나옴, 내열 열화율이 뛰어난 구리박을 제작할 수 있고, 이 복합 구리박은 바람직하게 프린트 배선판에 사용할 수 있다.
본 발명에 의해, 신규 복합 구리박을 제공할 수 있게 되었다.
Claims (13)
- 구리박의 적어도 일부의 표면에, 구리 이외의 금속층이 형성되어 있는 복합 구리박으로서,
적어도 일부의 상기 복합 구리박의 표면에 볼록부가 있고,
상기 복합 구리박의 단면에 있어서, 상기 볼록부의 높이가 10 nm 이상 1000 nm 이하인, 복합 구리박. - 제 1항에 있어서,
깊이 6 nm에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 80% 이하이며, 산소를 포함하지 않는 깊이에서의 전체 금속량에 대한 Cu의 비율이 90% 이상인, 복합 구리박. - 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 볼록부의 높이가 50 nm 이상 500 nm 이하인, 복합 구리박. - 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복합 구리박의 단면에 있어서, 높이 50 nm 이상의 볼록부가 3.8 μm당 평균 15개 이상 100개 이하인, 복합 구리박. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 볼록부의 높이는, 주사 전자현미경에 의한 단면의 촬영상에 있어서, 볼록부의 양측 오목부의 극소점을 이은 선분에 대하여, 그 중점과 볼록부의 극대점의 거리로 측정되는, 물체. - 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층이, 균일하고 입자가 없는, 복합 구리박. - 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
Cu의 비율이 40 atom%인 깊이에서의 Cu/O 비가 0.9 이상인, 복합 구리박. - 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 이외의 금속이, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au 및 Pt로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 금속인, 복합 구리박. - 구리박 표면을 산화하는 제 1 공정;
산화한 상기 구리 표면에 도금 처리하는 제 2 공정;
을 포함하는 복합 구리박의 제조 방법. - 제 9항에 있어서,
제 1 공정 전에, 알칼리 수용액을 이용하여 알칼리 처리가 수행되는, 복합 구리박의 제조 방법. - 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
제 1 공정에 있어서, 산화된 상기 구리박 표면이 용해제로 용해되는, 복합 구리박의 제조 방법. - 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
제 2 공정에 있어서, 상기 도금 처리가 촉매를 이용한 무전해 도금인, 복합 구리박의 제조 방법. - 제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
제 2 공정에 있어서, 상기 도금 처리가 전해 도금인, 복합 구리박의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2017-217777 | 2017-11-10 | ||
JP2017217777 | 2017-11-10 | ||
JPJP-P-2018-069608 | 2018-03-30 | ||
JP2018069608 | 2018-03-30 | ||
PCT/JP2018/041705 WO2019093494A1 (ja) | 2017-11-10 | 2018-11-09 | 複合銅箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200087163A true KR20200087163A (ko) | 2020-07-20 |
KR102636971B1 KR102636971B1 (ko) | 2024-02-16 |
Family
ID=66439170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207014566A KR102636971B1 (ko) | 2017-11-10 | 2018-11-09 | 복합 구리박 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11781236B2 (ko) |
EP (1) | EP3708696A4 (ko) |
JP (1) | JP7127861B2 (ko) |
KR (1) | KR102636971B1 (ko) |
CN (1) | CN111344435A (ko) |
TW (1) | TWI775981B (ko) |
WO (1) | WO2019093494A1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6778291B1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-10-28 | ナミックス株式会社 | 銅箔並びにそれを含むリチウムイオン電池の負極集電体及びその製造方法 |
JP6726780B1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-07-22 | ナミックス株式会社 | 銅箔並びにそれを含むリチウムイオン電池の負極集電体及びその製造方法 |
US20230142375A1 (en) * | 2019-10-25 | 2023-05-11 | Namics Corporation | Composite copper components |
WO2021172096A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | ナミックス株式会社 | 空隙を有する複合銅部材 |
CN114982389A (zh) * | 2020-03-24 | 2022-08-30 | 纳美仕有限公司 | 复合铜布线以及具有抗蚀层的层压体 |
WO2021220524A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材 |
CN111979534A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-24 | 中国科学院海洋研究所 | 基于液滴自弹跳效应的超疏水表面的制备方法及应用 |
WO2022244827A1 (ja) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
WO2022244826A1 (ja) * | 2021-05-20 | 2022-11-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
WO2023140063A1 (ja) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材、およびその複合銅部材を含むパワーモジュール |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000151096A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
KR20160060046A (ko) * | 2013-09-20 | 2016-05-27 | 미쓰이금속광업주식회사 | 구리박, 캐리어박 부착 구리박, 및 구리 피복 적층판 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3332047B2 (ja) * | 1993-07-22 | 2002-10-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 内層銅箔の処理方法 |
JPH07314603A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-12-05 | Nippon Denkai Kk | 銅張積層体、多層プリント回路板及びそれらの処理方法 |
JPH0897559A (ja) | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 多層プリント配線板の内層用回路板の銅箔処理方法、及び該内層用回路板の銅箔処理液 |
US5885436A (en) | 1997-08-06 | 1999-03-23 | Gould Electronics Inc. | Adhesion enhancement for metal foil |
US6086743A (en) * | 1997-08-06 | 2000-07-11 | Gould Electronics, Inc. | Adhesion enhancement for metal foil |
TW406137B (en) * | 1998-07-30 | 2000-09-21 | Gould Electronics Inc | A method of treating copper or nickel foil |
JP3743702B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2006-02-08 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板のセミアディティブ製造法 |
US20050067378A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Harry Fuerhaupter | Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry |
US8142905B2 (en) * | 2008-06-17 | 2012-03-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed circuit board and copper clad laminate for printed circuit board |
JP5242710B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
TWI448539B (zh) * | 2010-02-25 | 2014-08-11 | Asahi Kasei E Materials Corp | Copper oxide etching solution and etching method using the same |
JP5946827B2 (ja) | 2010-07-06 | 2016-07-06 | イーサイオニック コーポレーション | プリント配線板を製造する方法 |
US20120061698A1 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Toscano Lenora M | Method for Treating Metal Surfaces |
MY175198A (en) * | 2011-09-30 | 2020-06-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper foil excellent in adherence with resin, method for manufacturing the copper foil, and printed wiring board or battery negative electrode material using the electrolytic copper foil |
KR101574475B1 (ko) | 2013-02-14 | 2015-12-03 | 미쓰이금속광업주식회사 | 표면 처리 구리박 및 표면 처리 구리박을 사용해서 얻어지는 동장 적층판 |
JP6241641B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-12-06 | 日立化成株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
-
2018
- 2018-11-09 EP EP18875058.2A patent/EP3708696A4/en active Pending
- 2018-11-09 TW TW107139932A patent/TWI775981B/zh active
- 2018-11-09 US US16/762,587 patent/US11781236B2/en active Active
- 2018-11-09 KR KR1020207014566A patent/KR102636971B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-09 WO PCT/JP2018/041705 patent/WO2019093494A1/ja unknown
- 2018-11-09 JP JP2019552410A patent/JP7127861B2/ja active Active
- 2018-11-09 CN CN201880073319.3A patent/CN111344435A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000151096A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
KR20160060046A (ko) * | 2013-09-20 | 2016-05-27 | 미쓰이금속광업주식회사 | 구리박, 캐리어박 부착 구리박, 및 구리 피복 적층판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019093494A1 (ja) | 2019-05-16 |
JP7127861B2 (ja) | 2022-08-30 |
CN111344435A (zh) | 2020-06-26 |
JPWO2019093494A1 (ja) | 2020-09-24 |
TW201936993A (zh) | 2019-09-16 |
EP3708696A4 (en) | 2021-07-21 |
TWI775981B (zh) | 2022-09-01 |
US20200332431A1 (en) | 2020-10-22 |
US11781236B2 (en) | 2023-10-10 |
EP3708696A1 (en) | 2020-09-16 |
KR102636971B1 (ko) | 2024-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20200087163A (ko) | 복합 구리박 | |
EP2752505A1 (en) | Copper foil with carrier | |
KR101729440B1 (ko) | 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박 | |
EP2312017B1 (en) | Tin-plated steel plate and process for producing the tin-plated steel plate | |
KR20220148865A (ko) | 공극을 갖는 복합 구리 부재 | |
KR101983875B1 (ko) | 방열용 금속박, 이의 제조방법, 상기 방열용 금속박을 포함하는 방열용 금속박 적층판 및 다층 인쇄회로기판 | |
JPH07832B2 (ja) | プリント回路用銅箔およびその製造方法 | |
JP7456578B2 (ja) | 銅表面の加工装置 | |
WO2021079952A1 (ja) | 複合銅部材 | |
WO2020226159A1 (ja) | 金属層を有する金属部材の製造方法 | |
WO2020226160A1 (ja) | 複合銅部材 | |
JP4128715B2 (ja) | 多層銅合金材料の製造方法 | |
JP7409602B2 (ja) | 複合銅部材 | |
JP7352939B2 (ja) | 複合銅部材 | |
JP7328671B2 (ja) | 積層体 | |
JP2005353918A (ja) | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 | |
EP4317532A1 (en) | Method for manufacturing laminate | |
EP4319494A1 (en) | Laminate for wiring board | |
JP2023145211A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2010272726A (ja) | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) |