KR20190133793A - 접합 방법 - Google Patents

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Abstract

압전성 재료 기판(1) 상에 접합층(3)을 형성하고, 접합층(3)은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진다. 접합층의 표면(4) 및 지지 기판의 표면에 중성화 빔(A)을 조사함으로써, 접합층의 표면 및 지지 기판의 표면을 활성화한다. 접합층의 표면(5)과 지지 기판의 표면을 직접 접합한다.

Description

접합 방법{BONDING METHOD}
본 발명은 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법에 관한 것이다.
휴대 전화 등에 사용되는 필터 소자나 발진자로서 기능시킬 수 있는 탄성 표면파 디바이스나, 압전 박막을 이용한 램파(波) 소자나 박막 공진자(FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator) 등의 탄성파 디바이스가 알려져 있다. 이러한 탄성 표면파 디바이스로서는, 지지 기판과 탄성 표면파를 전파시키는 압전 기판을 접합시켜, 압전 기판의 표면에 탄성 표면파를 여진시킬 수 있는 빗형 전극을 마련한 것이 알려져 있다. 이와 같이 압전 기판보다 작은 열 팽창 계수를 갖는 지지 기판을 압전 기판에 첩부함으로써, 온도가 변화하였을 때의 압전 기판의 크기의 변화를 억제하여, 탄성 표면파 디바이스로서의 주파수 특성의 변화를 억제하고 있다.
예컨대, 특허문헌 1에는, 압전 기판과 실리콘 기판을 에폭시 접착제로 이루어지는 접착층에 의해 접합시킨 구조의 탄성 표면파 디바이스가 제안되어 있다.
여기서, 압전 기판과 실리콘 기판을 접합하는 데 있어서, 압전 기판 표면에 산화규소막을 형성하고, 산화규소막을 통해 압전 기판과 실리콘 기판을 직접 접합하는 것이 알려져 있다(특허문헌 2). 이 접합 시에는, 산화규소막 표면과 실리콘 기판 표면에 플라즈마 빔을 조사하여 표면을 활성화하여, 직접 접합을 행한다(플라즈마 활성화법).
또한, 압전 기판의 표면을 조면(粗面)으로 하고, 그 조면 상에 충전층을 마련하여 평탄화하고, 이 충전층을 접착층을 통해 실리콘 기판에 접착하는 것이 알려져 있다(특허문헌 3). 이 방법에서는, 충전층, 접착층에는 에폭시계, 아크릴계의 수지를 사용하고 있고, 압전 기판의 접합면을 조면으로 함으로써, 벌크파의 반사를 억제하여, 스퓨리어스를 저감하고 있다. 또한, 조면을 충전하여, 평탄화한 후, 접착하기 때문에, 접착층 내에 기포가 들어가기 어렵다.
일본 특허 공개 제2010-187373호 미국 특허 제7213314B2호 일본 특허 제5814727호 일본 특허 공개 제2014-086400호
실리콘 기판을 압전 기판에 직접 접합하는 경우, 일반적으로는 플라즈마 활성화법을 이용한다. 그러나, 플라즈마 활성화법에서는, 접합 후에 강도를 올리기 위해 가열이 필요하고, 접합 온도가 낮으면 접합 강도가 저하하는 경향이 있다. 그러나, 접합 온도를 높게 하면, 실리콘 기판과 압전 기판의 열 팽창 계수의 차이로 인해, 균열이 생기기 쉽다.
한편, 소위 FAB(Fast Atom Beam) 방식의 직접 접합법이 알려져 있다(특허문헌 4). 이 방법에서는, 중성화 원자 빔을 상온에서 각 접합면에 조사하여 활성화하여, 직접 접합한다.
그러나, 이 방법에서는, 실리콘 기판과 압전 기판의 접합 강도가 낮아, 접합 후의 가공 공정에서 박리되는 경우가 있었다.
본 발명의 과제는, 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 직접 접합하는 데 있어서, 상온에서의 접합을 가능하게 하고, 또한 접합 강도를 향상시키는 것이다.
제1 발명은, 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법으로서,
압전성 재료 기판 상에 접합층을 형성하고, 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
접합층의 표면 및 지지 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 접합층의 표면 및 지지 기판의 표면을 활성화하는 공정, 및
접합층의 표면과 지지 기판의 표면을 직접 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
제2 발명은, 압전성 단결정으로 이루어지는 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법으로서,
상기 지지 기판 상에 접합층을 형성하고, 상기 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
상기 접합층의 상기 표면 및 상기 압전성 재료 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 상기 접합층의 상기 표면 및 상기 압전성 재료 기판의 상기 표면을 활성화하는 공정, 및
상기 접합층의 상기 표면과 상기 압전성 재료 기판의 상기 표면을 직접 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
제3 발명은, 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법으로서,
상기 압전성 재료 기판 상에 제1 접합층을 형성하고, 상기 제1 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
상기 지지 기판 상에 제2 접합층을 형성하고, 상기 제2 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
상기 제1 접합층의 상기 표면 및 상기 제2 접합층의 상기 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 상기 제1 접합층의 상기 표면 및 상기 제2 접합층의 상기 표면을 활성화하는 공정, 및
상기 제1 접합층의 상기 표면과 상기 제2 접합층의 상기 표면을 직접 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 직접 접합하는 데 있어서, 저온에서의 접합이 가능해지고, 또한 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
도 1의 (a)는 압전성 재료 기판(1) 상에 산화규소막(2)을 마련한 상태를 나타내고, (b)는 산화규소막(2) 상에 접합층(3)을 마련한 상태를 나타내고, (c)는 접합층(4)의 표면(4a)을 평탄화 가공한 상태를 나타내고, (d)는 평탄면(4a)을 중성화 빔(A)에 의해 활성화한 상태를 나타낸다.
도 2의 (a)는 압전성 재료 기판(1)과 지지 기판(6)을 접합한 상태를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(1)을 가공에 의해 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(1A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 3의 (a)는 압전성 재료 기판(11)의 표면을 조면으로 한 상태를 나타내고, (b)는 조면(11a) 상에 접합층(12)을 마련한 상태를 나타내고, (c)는 접합층(13)의 표면(13a)을 평탄화 가공한 상태를 나타내고, (d)는 평탄면(14)을 중성화 빔(A)에 의해 활성화한 상태를 나타낸다.
도 4의 (a)는 압전성 재료 기판(11)과 지지 기판(6)을 접합한 상태를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(11)을 가공에 의해 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(11A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 5의 (a)는 압전성 재료 기판(11)의 조면(11a) 상에 산화규소막(22)을 마련하고, 산화규소막(22) 상에 접합층(13A)을 마련하여, 접합층(13A)을 지지 기판(6)의 표면(6a)에 직접 접합한 상태를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(11A)을 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(11A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 6의 (a)는 지지 기판(6) 상에 산화규소막(2) 및 접합층(3)을 마련한 상태를 나타내고, (b)는 접합층(3)의 표면(3a)을 평탄화 가공한 상태를 나타내고, (c)는 평탄면을 중성화 빔(A)에 의해 활성화한 상태를 나타낸다.
도 7의 (a)는 지지 기판(6)과 압전성 재료 기판(1)을 접합한 상태를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(1A)을 가공에 의해 더욱 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(1A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 8의 (a)는 압전성 재료 기판(1) 및 산화규소막(2) 상의 제1 접합층(4A)의 평탄면을 활성화하고 있는 상태를 나타내고, (b)는 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 평탄면을 활성화하고 있는 상태를 나타낸다.
도 9의 (a)는 압전성 재료 기판(1)과 지지 기판(6)의 접합체를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(1A)을 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(1A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 10의 (a)는 압전성 재료 기판(11) 상의 제1 접합층(13A)의 표면(14)을 활성화하고 있는 상태를 나타내고, (b)는 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 평탄면(5B)을 활성화하고 있는 상태를 나타낸다.
도 11의 (a)는 압전성 재료 기판(11)과 지지 기판(6)의 접합체를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(11A)을 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(11A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
도 12의 (a)는 압전성 재료 기판(11) 상의 제1 접합층(13A)의 표면(14)을 활성화하고 있는 상태를 나타내고, (b)는 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 평탄면(5B)을 활성화하고 있는 상태를 나타낸다.
도 13의 (a)는 압전성 재료 기판(11)과 지지 기판(6)의 접합체를 나타내고, (b)는 압전성 재료 기판(11A)을 얇게 한 상태를 나타내고, (c)는 압전성 재료 기판(11A) 상에 전극(10)을 마련한 상태를 나타낸다.
이하, 적절하게 도면을 참조하면서, 본 발명을 상세하게 설명한다.
도 1∼도 5는 제1 발명에 관한 것이다. 또한, 도 1, 도 2는 압전성 재료 기판 상에 산화규소막을 마련하는 실시형태에 관한 것이다.
도 1의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)에 산화규소막(2)을 마련한다. 도면 부호 1b는 반대측의 표면이다. 계속해서, 도 1의 (b)에 나타내는 바와 같이, 산화규소막(2) 상에 접합층(3)을 마련한다. 이 시점에서는, 접합층(3)의 표면에는 요철이 있어도 좋다.
계속해서, 적합한 실시형태에 있어서는, 접합층(3)의 표면(3a)을 평탄화 가공함으로써, 평탄면(4a)을 형성한다. 이 평탄화 가공에 의해, 통상, 접합층(3)의 두께는 작아져, 보다 얇은 접합층(4)이 된다[도 1의 (c) 참조]. 계속해서, 도 1의 (d)에 나타내는 바와 같이, 평탄면(4a)에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 접합층(4A)의 표면을 활성화하여 활성화면(5)으로 한다.
한편, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 활성화하여, 활성화면(6a)으로 한다. 그리고, 지지 기판(6)의 활성화면(6a)과 접합층(4A)의 활성화면(5)을 직접 접합함으로써, 접합체(7)를 얻는다.
적합한 실시형태에 있어서는, 접합체(7)의 압전성 재료 기판의 표면(1b)을 더욱 연마 가공하여, 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(1A)의 두께를 작게 한다. 도면 부호 1c는 연마면이다.
도 2의 (c)에서는, 압전성 재료 기판(1A)의 연마면(1c) 상에 미리 정해진 전극(10)을 형성함으로써, 탄성 표면파 소자(9)를 제작하고 있다.
도 3, 도 4는 압전성 재료 기판의 표면을 조면으로 한 실시형태에 관한 것이다.
도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(11)의 표면(11a)에 가공을 실시하여, 조면(11a)을 형성한다. 도면 부호 11b는 반대측의 표면이다. 계속해서, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 조면(11a) 상에 접합층(12)을 마련한다. 이 시점에서는, 접합층(12)의 표면(12a)에도 조면이 전사되어 있어, 요철이 형성되어 있다.
계속해서, 적합한 실시형태에 있어서는, 접합층(12)의 표면(12a)을 평탄화 가공함으로써, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이 평탄면(13a)을 형성한다. 이 평탄화 가공에 의해, 통상, 접합층(12)의 두께는 작아져, 보다 얇은 접합층(13)이 된다. 단, 평탄화 가공은 반드시 필요한 것은 아니다. 계속해서, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이, 평탄면(13a)에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 접합층(13A)의 표면을 활성화하여 활성화면(14)으로 한다.
한편, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 활성화하여, 활성화면(6a)으로 한다. 그리고, 지지 기판(6)의 활성화면(6a)과 접합층(13A)의 활성화면(14)을 직접 접합함으로써, 접합체(17)를 얻는다.
적합한 실시형태에 있어서는, 접합체(17)의 압전성 재료 기판의 표면(11b)을 더욱 연마 가공하여, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(11A)의 두께를 작게 한다. 도면 부호 11c는 연마면이다.
또한, 도 4의 (c)의 표면 탄성파 소자(19)의 경우에는, 압전성 재료 기판(11A)의 연마면(11c) 상에 미리 정해진 전극(10)이 형성되어 있다.
도 5의 예에 있어서는, 압전성 재료 기판(11)에 조면을 형성하고, 조면 상에 산화규소막을 더 성막하고 있다.
즉, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(11)의 표면에 가공을 실시하여, 조면(11a)을 형성한다. 계속해서, 조면(11a) 상에 산화규소막(22)을 마련한다.
계속해서, 접합층(22)의 표면 상에 접합층을 더 마련하고, 접합층의 표면을 평탄화 가공함으로써, 평탄면을 형성한다. 계속해서, 평탄면에 대하여 중성화 빔을 조사하여, 접합층(13A)의 표면을 활성화하여 활성화면(14)으로 한다.
한편, 지지 기판(6)의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 활성화하여, 활성화면(6a)으로 한다. 그리고, 지지 기판(6)의 활성화면(6a)과 접합층(13A)의 활성화면(14)을 직접 접합함으로써, 접합체(21)를 얻는다.
적합한 실시형태에 있어서는, 접합체(17)의 압전성 재료 기판의 표면(11b)을 더욱 연마 가공하여, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(11A)의 두께를 작게 한다. 도면 부호 11c는 연마면이다. 도 5의 (c)의 표면 탄성파 소자(24)의 경우에는, 압전성 재료 기판(11A)의 연마면(11c) 상에 미리 정해진 전극(10)이 형성되어 있다.
제2 발명에 있어서는, 압전성 단결정으로 이루어지는 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합한다. 즉, 지지 기판 상에 접합층을 형성하고, 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진다. 접합층의 표면 및 압전성 재료 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 접합층의 표면 및 압전성 재료 기판의 표면을 활성화한다. 계속해서, 접합층의 표면과 압전성 재료 기판의 표면을 직접 접합함으로써, 접합체를 얻는다.
도 6 및 도 7은 제2 발명의 실시형태에 관한 것이다. 또한, 도 6, 도 7은 지지 기판(6)에 산화규소막(2)을 마련하는 실시형태에 관한 것이다.
도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면(6a)에 산화규소막(2)을 마련하고, 그 위에 접합층(3)을 마련한다. 이 시점에서는, 접합층(3)의 표면(3a)에는 요철이 있어도 좋다.
계속해서, 적합한 실시형태에 있어서는, 접합층(3)의 표면(3a)을 평탄화 가공함으로써, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 접합층(4)에 평탄면(4a)을 형성한다. 이 평탄화 가공에 의해, 통상, 접합층(3)의 두께는 작아져, 보다 얇은 접합층(4)이 된다. 단, 평탄화 가공은 반드시 필요하지는 않다. 계속해서, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 평탄면(4a)에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 접합층(4A)의 표면을 활성화하여 활성화면(5)으로 한다.
한편, 압전성 재료 기판(1)의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 활성화하여, 활성화면(1d)으로 한다[도 7의 (a) 참조]. 그리고, 지지 기판(6) 상의 접합층(4A)의 활성화면(5)과 압전성 재료 기판(1)의 활성화면(1d)을 직접 접합함으로써, 도 7의 (a)의 접합체를 얻는다.
적합한 실시형태에 있어서는, 접합체의 압전성 재료 기판의 표면(1b)을 더욱 연마 가공하여, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(1A)의 두께를 작게 한다. 도면 부호 1c는 연마면이다. 도 7의 (c)에서는, 압전성 재료 기판(1A)의 연마면(1c) 상에 미리 정해진 전극(10)을 형성함으로써, 탄성 표면파 소자(29)를 제작하고 있다.
도 6, 도 7의 실시형태에서는, 지지 기판(6) 상에 산화규소막 및 접합층을 순차 마련하였다. 그러나, 지지 기판(6)의 표면(6a)을 조면으로 하여, 산화규소막을 생략하고 접합층을 조면 상에 직접 마련할 수도 있다.
제3 발명은, 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법을 제공한다. 즉, 압전성 재료 기판 상에, 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 제1 접합층을 마련한다. 또한, 지지 기판 상에, 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 제2 접합층을 마련한다. 제1 접합층의 표면 및 제2 접합층의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 양자를 활성화한다. 계속해서, 제1 접합층의 표면과 제2 접합층의 표면을 직접 접합한다.
도 8∼도 13은 제3 발명의 실시형태에 관한 것이다. 또한, 도 8, 도 9는 압전성 재료 기판(1) 상에 산화규소막(2)을 마련하고, 또한 지지 기판(6) 상에도 산화규소막(2)을 마련하는 실시형태에 관한 것이다.
도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)에 산화규소막(2)을 마련하고, 그 위에 제1 접합층을 마련한다. 그리고, 적합한 실시형태에 있어서는, 제1 접합층(3)의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제1 접합층(4A)의 표면을 활성화하여 활성화면(5A)으로 한다.
한편, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면에 산화규소막(2)을 마련하고, 그 위에 제2 접합층을 마련한다. 그리고, 적합한 실시형태에 있어서는, 제2 접합층의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제2 접합층(4B)의 표면을 활성화하여 활성화면(5B)으로 한다.
그리고, 압전성 재료 기판(1) 상의 제1 접합층(4A)의 활성화면(5A)과, 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 활성화면(5B)을 직접 접합한다[도 9의 (a) 참조]. 이 결과, 접합층(4A와 4B)이 일체화되어, 접합층(30)을 형성해서, 접합체(37)가 얻어진다[도 9의 (b) 참조]. 적합한 실시형태에 있어서는, 접합체의 압전성 재료 기판의 표면(1b)을 더욱 연마 가공하여, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(1A)의 두께를 작게 한다. 도 9의 (c)에서는, 압전성 재료 기판(1A)의 연마면(1c) 상에 미리 정해진 전극(10)을 형성함으로써, 탄성 표면파 소자(39)를 제작하고 있다.
도 10, 도 11에 나타내는 실시형태에 있어서는, 압전성 재료 기판(11) 상에 조면을 마련하고 있다. 즉, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(11)의 표면을 조면(11a)으로 하고, 그 위에 제1 접합층(13A)을 마련한다. 그리고, 제1 접합층(13A)의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제1 접합층(13A)의 표면을 활성화하여 활성화면(14)으로 한다.
한편, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면에 산화규소막(2)을 마련하고, 그 위에 제2 접합층을 마련한다. 그리고, 제2 접합층의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제2 접합층(4B)의 표면을 활성화하여 활성화면(5B)으로 한다.
그리고, 압전성 재료 기판(11) 상의 제1 접합층(13A)의 활성화면(14)과, 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 활성화면(5B)을 직접 접합한다[도 11의 (a) 참조]. 이 결과, 접합층(13A)과 접합층(4A)이 일체화되어, 접합층(30A)을 형성해서, 접합체(47)가 얻어진다[도 11의 (b) 참조]. 적합한 실시형태에 있어서는, 접합체의 압전성 재료 기판의 표면(11b)을 더욱 연마 가공하여, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(11A)의 두께를 작게 한다. 도 11의 (c)에서는, 압전성 재료 기판(11A)의 연마면(11c) 상에 미리 정해진 전극(10)을 형성함으로써, 탄성 표면파 소자(49)를 제작하고 있다.
도 12, 도 13에 나타내는 실시형태에 있어서는, 압전성 재료 기판(11) 상에 조면을 마련하고, 그 위에 산화규소막을 마련하고 있다. 또한, 지지 기판 상에도 산화규소막을 마련하고 있다. 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전성 재료 기판(11)의 표면을 조면(11a)으로 하고, 그 위에 산화규소막(22)을 마련한다. 산화규소막(22)의 표면도 조면이 된다. 그리고, 산화규소막(22) 상에 제1 접합층(13A)을 마련한다. 그리고, 제1 접합층(13A)의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제1 접합층(13A)의 표면을 활성화하여 활성화면(14)으로 한다.
한편, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)의 표면에 산화규소막(2)을 마련하고, 그 위에 제2 접합층을 마련한다. 그리고, 제2 접합층의 표면을 평탄화 가공하여 평탄면을 형성하고, 평탄면에 대하여 화살표(A)와 같이 중성화 빔을 조사하여, 제2 접합층(4B)의 표면을 활성화하여 활성화면(5B)으로 한다.
그리고, 압전성 재료 기판(11) 상의 제1 접합층(13A)의 활성화면(14)과, 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 활성화면(5B)을 직접 접합한다[도 13의 (a) 참조]. 이 결과, 접합층(13A와 4B)이 일체화되어, 접합층(30A)을 형성해서, 접합체(57)가 얻어진다[도 13의 (b) 참조]. 적합한 실시형태에 있어서는, 접합체의 압전성 재료 기판의 표면(11b)을 더욱 연마 가공하여, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이 압전성 재료 기판(11A)의 두께를 작게 한다. 도 13의 (c)에서는, 압전성 재료 기판(11A)의 연마면(11c) 상에 미리 정해진 전극(10)을 형성함으로써, 탄성 표면파 소자(59)를 제작하고 있다.
이하, 본 발명의 각 구성 요소에 대해서 더욱 설명한다.
본 발명의 접합체의 용도는 특히 한정되지 않고, 예컨대, 탄성파 소자나 광학 소자에 적합하게 적용할 수 있다.
탄성파 소자로서는, 탄성 표면파 디바이스나 램파 소자, 박막 공진자(FBAR) 등이 알려져 있다. 예컨대, 탄성 표면파 디바이스는, 압전성 재료 기판의 표면에, 탄성 표면파를 여진시키는 입력측의 IDT(Interdigital Transducer) 전극(빗형 전극, 발형 전극이라고도 함)으로 탄성 표면파를 수신하는 출력측의 IDT 전극을 마련한 것이다. 입력측의 IDT 전극에 고주파 신호를 인가하면, 전극 사이에 전계가 발생하여, 탄성 표면파가 여진되어 압전 기판 상을 전파해 간다. 그리고, 전파 방향으로 마련된 출력측의 IDT 전극으로부터, 전파된 탄성 표면파를 전기 신호로서 취출할 수 있다.
압전성 재료 기판의 바닥면에 금속막을 가지고 있어도 좋다. 금속막은, 탄성파 디바이스로서 램파 소자를 제조하였을 때에, 압전 기판의 이면 근방의 전기 기계 결합 계수를 크게 하는 역할을 달성한다. 이 경우, 램파 소자는, 압전 기판의 표면에 빗살 전극이 형성되고, 지지 기판에 마련된 캐비티에 의해 압전 기판의 금속막이 노출한 구조가 된다. 이러한 금속막의 재질로서는, 예컨대 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 금 등을 들 수 있다. 또한, 램파 소자를 제조하는 경우, 바닥면에 금속막을 갖지 않는 압전 기판을 구비한 복합 기판을 이용하여도 좋다.
또한, 압전성 재료 기판의 바닥면에 금속막과 절연막을 가지고 있어도 좋다. 금속막은, 탄성파 디바이스로서 박막 공진자를 제조하였을 때에, 전극의 역할을 달성한다. 이 경우, 박막 공진자는, 압전 기판의 표리면에 전극이 형성되어, 절연막을 캐비티로 함으로써 압전 기판의 금속막이 노출된 구조가 된다. 이러한 금속막의 재질로서는, 예컨대, 몰리브덴, 루테늄, 텅스텐, 크롬, 알루미늄 등을 들 수 있다. 또한, 절연막의 재질로서는, 예컨대, 이산화규소, 인실리카 유리, 붕소인실리카 유리 등을 들 수 있다.
또한, 광학 소자로서는, 광 스위칭 소자, 파장 변환 소자, 광변조 소자를 예시할 수 있다. 또한, 압전성 재료 기판 중에 주기 분극 반전 구조를 형성할 수 있다.
본 발명을 광학 소자에 적용한 경우에는, 광학 소자의 소형화가 가능하고, 또한 특히 주기 분극 반전 구조를 형성한 경우에는, 가열 처리에 의한 주기 분극 반전 구조의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 산화규소, 오산화탄탈 등의 본 발명의 접합층 재료는, 고절연 재료이기도 하기 때문에, 접합 전의 중성화 빔에 의한 처리 시에, 분극 반전의 발생이 억제되고, 또한 압전성 재료 기판에 형성된 주기 분극 반전 구조의 형상을 어지럽히는 일이 거의 없다.
본 발명에서 이용하는 압전성 재료 기판은, 단결정이어도 좋다. 압전성 재료 기판의 재질이 단결정이면, 중성화 빔에 의해 압전성 재료 기판의 표면을 활성화할 수 있다. 그러나, 압전성 재료 기판 위에 산화규소막이 마련되어 있거나, 압전성 재료 기판 표면이 조면화되어 있는 경우에는, 중성화 빔에 의해 활성화할 수 없기 때문에, 접합층을 마련하여 그 표면을 평탄화하고, 중성화 빔에 의해 활성화함으로써, 압전성 재료 기판을 지지 기판에 직접 접합할 수 있다.
압전성 재료 기판의 재질은, 구체적으로는, 탄탈산리튬(LT) 단결정, 니오븀산리튬(LN) 단결정, 니오븀산리튬-탄탈산리튬 고용체 단결정, 수정, 붕산리튬을 예시할 수 있다. 이 중, LT 또는 LN인 것이 보다 바람직하다. LT나 LN은, 탄성 표면파의 전파 속도가 빠르고, 전기 기계 결합 계수가 크기 때문에, 고주파수 또한 광대역 주파수용의 탄성 표면파 디바이스로서 적합하다. 또한, 압전성 재료 기판의 주면의 법선 방향은, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 압전성 재료 기판이 LT로 이루어질 때에는, 탄성 표면파의 전파 방향인 X축을 중심으로, Y축으로부터 Z축으로 36∼47°(예컨대 42°) 회전한 방향의 것을 이용하는 것이 전파 손실이 작기 때문에 바람직하다. 압전성 재료 기판이 LN으로 이루어질 때에는, 탄성 표면파의 전파 방향인 X축을 중심으로, Y축으로부터 Z축으로 60∼68°(예컨대 64°) 회전한 방향의 것을 이용하는 것이 전파 손실이 작기 때문에 바람직하다. 또한, 압전성 재료 기판의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 직경 50∼150 ㎜, 두께가 0.2∼60 ㎛이다.
지지 기판의 재질은, 단결정으로 한다. 이것은, 바람직하게는, 실리콘, 사파이어 및 수정으로 이루어지는 군에서 선택된 재질로 이루어진다. 본 발명의 방법에 따라 접합된 복합 기판 상에, 탄성파 디바이스를 형성하는 경우, 탄성파 디바이스의 온도 특성을 개선한다고 하는 관점에서, 지지 기판의 재질의 열 팽창 계수는 압전성 재료 기판의 열 팽창 계수보다 낮은 것이 바람직하다.
적합한 실시형태에 있어서는, 압전성 재료 기판 상에 산화규소막을 형성한다. 산화규소막은, 결정질산화규소여도 좋고, 비정질산화규소막이어도 좋다. 또한, 산화규소막의 성막 방법은 한정되지 않지만, 스퍼터링(sputtering)법, 화학적 기상 성장법(CVD), 증착을 예시할 수 있다.
산화규소막의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 ㎛∼1.0 ㎛가 바람직하다.
다른 적합한 실시형태에 있어서는, 압전성 재료 기판의 표면을 가공하여 조면을 형성한다. 이 조면이란, 면내 균일하게 주기적인 요철이 형성되어 있는 면이며, 산술 평균 거칠기는 0.05 ㎛≤Ra≤0.5 ㎛, 최저 골 바닥으로부터 최대 산 꼭대기까지의 높이(Ry)가 0.5 ㎛≤Ry≤5 ㎛의 범위이다. 적합한 거칠기는, 탄성파의 파장에 의존하여, 벌크파의 반사를 억제할 수 있도록 적절하게 선택한다.
또한, 조면화 가공의 방법은, 연삭, 연마, 에칭, 샌드 블래스트 등이 있다.
압전성 재료 기판의 조면 상이나 산화규소막 상에 접합층을 형성하는데, 접합층은, 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진다. 접합층의 성막 방법은 한정되지 않지만, 스퍼터링, 화학적 기상 성장법(CVD), 증착을 예시할 수 있다.
계속해서, 접합층, 제1 접합층, 제2 접합층의 표면을 평탄화하여 평탄면을 얻을 수 있다. 여기서, 각 접합층의 표면을 평탄화하는 방법은, 랩(lap) 연마, 화학 기계 연마 가공(CMP) 등이 있다. 또한, 평탄면은, Ra≤1 ㎚가 필요하지만, 0.3 ㎚ 이하로 하면 더욱 바람직하다. 압전성 재료 기판의 조면 상에 접합층, 제1 접합층, 제2 접합층을 형성하는 경우에는, 이들 접합층의 표면을 평탄화 가공하는 것이 특히 바람직하다. 이 한편, 압전성 재료 기판, 산화규소막, 지지 기판의 표면이 평탄한 경우에는, 접합층, 제1 접합층, 제2 접합층의 표면을 평탄화 가공할 필요는 반드시 없지만, 평탄화 가공하여도 좋다.
계속해서, 접합층, 제1 접합층, 제2 접합층의 표면 및 지지 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써, 각 접합층의 표면 및 지지 기판의 표면을 활성화한다.
중성화 빔에 의한 표면 활성화를 행할 때에는, 특허문헌 4에 기재된 것과 같은 장치를 사용하여 중성화 빔을 발생시켜, 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 빔원으로서, 새들 필드형의 고속 원자 빔원을 사용한다. 그리고, 챔버에 불활성 가스를 도입하여, 전극에 직류 전원으로부터 고전압을 인가한다. 이에 의해, 전극(정극)과 하우징(부극) 사이에 생기는 새들 필드형의 전계에 의해, 전자(e)가 운동하여, 불활성 가스에 의한 원자와 이온의 빔이 생성된다. 그리드에 달한 빔 중, 이온 빔은 그리드로 중화되기 때문에, 중성 원자의 빔이 고속 원자 빔원으로부터 출사된다. 빔을 구성하는 원자종은, 불활성 가스(아르곤, 질소 등)가 바람직하다.
빔 조사에 의한 활성화 시의 전압은 0.5∼2.0 ㎸로 하는 것이 바람직하고, 전류는 50∼200 ㎃로 하는 것이 바람직하다.
계속해서, 진공 분위기에서, 활성화면끼리 접촉시켜, 접합한다. 이때의 온도는 상온이지만, 구체적으로는 40℃ 이하가 바람직하고, 30℃ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 접합 시의 온도는 20℃ 이상, 25℃ 이하가 특히 바람직하다. 접합 시의 압력은, 100∼20000 N이 바람직하다.
실시예
(실시예 A1)
도 1∼도 2를 참조하면서 설명한 제1 발명의 방법에 따라, 접합체를 제작하였다.
구체적으로는, 오리엔테이션 플랫부(OF부)를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 250 ㎛인 탄탈산리튬 기판(LT 기판)을 압전성 재료 기판(1)으로서 사용하였다. 또한, 지지 기판(6)으로서, OF부를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 230 ㎛인 실리콘 기판을 준비하였다. LT 기판은, 탄성 표면파(SAW)의 전파 방향을 X로 하고, 절취각이 회전 Y 커트판인 46°Y 커트 X 전파 LT 기판을 이용하였다. 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)과 지지 기판(6)의 표면(6a)은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 1 ㎚가 되도록 경면 연마해 두었다. 산술 평균 거칠기는 원자간력 현미경(AFM)으로, 세로 10 ㎛×가로 10 ㎛의 정방형의 시야를 평가하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)에 산화규소막(2)을 1.0 ㎛ 스퍼터링법으로 성막하였다. 성막 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 2 ㎚였다. 다음에, 산화규소막(2) 상에, 멀라이트로 이루어지는 접합층(3)을 1.0 ㎛, CVD법으로 성막하였다. 성막 후의 Ra는 2.0 ㎚였다. 다음에, 접합층(3)을 화학 기계 연마 가공(CMP)하여, 막 두께를 0.5 ㎛으로 하고, Ra를 0.3 ㎚로 하였다.
계속해서, 접합층(4)의 평탄면(4a)과 지지 기판(6)의 표면(6a)을 세정하여, 오물을 제거한 후, 진공 챔버에 도입하였다. 10-6 ㎩대까지 진공 처리한 후, 각각의 기판의 접합면에 고속 원자 빔(가속 전압 1 ㎸, Ar 유량 27 sccm)을 120 sec간 조사하였다. 이어서, 압전성 재료 기판의 빔 조사면(활성화면)(5)과 지지 기판의 활성화면(6a)을 접촉시킨 후, 10000 N으로 2분간 가압하여 양 기판을 접합하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1b)을, 두께가 당초의 250 ㎛로부터 3 ㎛가 되도록 연삭 및 연마하였다[도 2의 (b) 참조]. 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 A2)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 알루미나로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 A3)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화탄탈(Ta2O5)로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 A4)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화규소(Si3N4)로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 A5)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화알루미늄(AlN)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.3 J/㎡였다.
(실시예 A6)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화니오븀(Nb2O5)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.8 J/㎡였다.
(실시예 A7)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 산화티탄(TiO2)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.6 J/㎡였다.
(비교예 A1)
실시예 A1에 있어서, 접합층(3)을 마련하지 않았다. 그 외에는 실시예 A1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.1 J/㎡였다.
(비교예 A2)
실시예 A3과 동일하게 하여, 접합층(3)으로서 오산화탄탈층을 마련하였다. 그리고, 접합층의 표면과 지지 기판의 표면을 플라즈마 활성화법에 따라 표면 활성화하였다. 그 외에는 실시예 A4와 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 챔버 내부를 10-1 ㎩대까지 진공 처리한 후, 웨이퍼 표면에 N2 플라즈마(파워 200 W)를 60 s 조사하고, 그 후 대기에 내보내어, 순수로 세정한다. 더욱 대기 중에서 접합시켜, 하중 2000 N을 2분간 인가하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.3 J/㎡였다.
(실시예 B1)
도 3, 도 4를 참조하면서 설명한 제1 발명의 방법에 따라, 접합체를 제작하였다.
구체적으로는, 오리엔테이션 플랫부(OF부)를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 250 ㎛인 탄탈산리튬 기판(LT 기판)을 준비하여, 압전성 재료 기판(11)으로 하였다. 또한, 지지 기판(6)으로서, OF부를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 230 ㎛인 실리콘 기판을 준비하였다. LT 기판은, 탄성 표면파(SAW)의 전파 방향을 X로 하고, 절취각이 회전 Y 커트판인 46°Y 커트 X 전파 LT 기판을 이용하였다.
또한, 압전성 재료 기판(11)의 표면(11a)은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.1 ㎛가 되도록, 랩핑 머신으로 거칠게 하여, 조면으로 해 두었다. 지지 기판(6)의 표면(6a)은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 1 ㎚가 되도록 경면 연마해 두었다. 산술 평균 거칠기는 원자간력 현미경(AFM)으로, 세로 10 ㎛×가로 10 ㎛의 정방형의 시야를 관측하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판의 조면 상에, 멀라이트로 이루어지는 접합층(12)을 두께 2 ㎛ 성막하여, 이면의 미소한 요철을 매립하였다. 또한, 이 시점에 있어서의 접합층의 표면(12a)은 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.1 ㎛였다. 다음에, 접합층의 표면(12a)을 화학 기계 연마 가공(CMP)하여, 막 두께 0.5 ㎛, Ra 0.3 ㎚로 하였다.
계속해서, 접합층의 평탄면(13a)과 지지 기판의 표면(6a)을 세정하여, 표면의 오물을 제거한 후, 진공 챔버에 도입하였다. 10-6 ㎩대까지 진공 처리한 후, 각각의 기판의 접합면에 고속 원자 빔(가속 전압 1 ㎸, Ar 유량 27 sccm)을 120 sec간 조사하여 표면 활성화하였다. 계속해서, 접합층의 활성화된 평탄면(14)과 지지 기판의 활성화된 표면(6a)을 접촉시킨 후, 1000 N으로 2분간 가압하여 양 기판을 접합하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판(11)의 표면(11c)을, 두께가 당초의 250 ㎛로부터 20 ㎛가 되도록 연삭 및 연마하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B2)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 알루미나로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B3)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화탄탈(Ta2O5)로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B4)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화규소(Si3N4)로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B5)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화알루미늄(AlN)으로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.3 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B6)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화니오븀(Nb2O5)으로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.8 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(실시예 B7)
실시예 B1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 산화티탄(TiO2)으로 하였다. 그 외에는 실시예 B1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.6 J/㎡였다.
제작한 접합체를 이용해 SAW(표면 탄성파) 필터를 제작하여, 300℃로 가열을 하였지만, 접합 계면에서의 박리나, 주파수의 시프트는 확인할 수 없었다.
(비교예 B1)
실시예 B1과 동일하게 하여 표면 탄성파 필터를 제작하였다. 단, 접합층의 재질을 수지로 하여, 기판끼리 직접 접합하지 않고 수지 접착하였다. 이 결과, 300℃ 가열 후에 박리와 주파수 시프트가 발생하였다.
(비교예 B2)
실시예 B3과 동일하게 하여, 접합층(3)으로서 오산화탄탈층을 마련하였다. 그리고, 접합층의 표면과 지지 기판의 표면을 플라즈마 활성화법에 따라 표면 활성화하였다. 그 외에는 실시예 B4와 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 챔버 내부를 10-1 ㎩대까지 진공 처리한 후, 웨이퍼 표면에 N2 플라즈마(파워 200 W)를 60 s 조사하고, 그 후 대기에 내보내어, 순수로 세정한다. 더욱 대기 중에서 접합시켜, 하중 2000 N을 2분간 인가하였다.
이 결과, 접합 직후에는 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.3 J/㎡이지만, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 이 때문에, 표면 탄성파 필터를 제작할 수 없었다.
(실시예 C1)
도 6∼도 7을 참조하면서 설명한 제2 발명의 방법에 따라, 접합체를 제작하였다.
구체적으로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(6)으로서, OF부를 가지며, 직경이 4 인치, 두께가 230 ㎛인 실리콘 기판을 준비하였다. LT 기판은, 탄성 표면파(SAW)의 전파 방향을 X로 하여, 절취각이 회전 Y 커트판인 46°Y 커트 X 전파 LT 기판을 이용하였다. 지지 기판(6)의 표면(6a)은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 1 ㎚가 되도록 경면 연마해 두었다. 산술 평균 거칠기는 원자간력 현미경(AFM)으로 세로 10 ㎛×가로 10 ㎛의 정방형의 시야를 평가하였다. 계속해서, 지지 기판(6)의 표면(6a)에 산화규소막(2)을 1.0 ㎛ 스퍼터링법으로 성막하였다. 성막 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 2 ㎚였다. 다음에, 산화규소막(2) 상에, 멀라이트로 이루어지는 접합층(3)을 1.0 ㎛, CVD법으로 성막하였다. 성막 후의 Ra는 2.0 ㎚였다. 다음에, 접합층(3)을 화학 기계 연마 가공(CMP)하여, 막 두께를 0.5 ㎛로 하고, Ra를 0.3 ㎚로 하였다.
한편, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 오리엔테이션 플랫부(OF부)를 가지며, 직경이 4 인치, 두께가 250 ㎛인 탄탈산리튬 기판(LT 기판)을 압전성 재료 기판(1)으로서 사용하였다.
계속해서, 접합층(4)의 평탄면(4a)과 지지 기판(1)의 표면(1a)을 세정하여, 오물을 제거한 후, 진공 챔버에 도입하였다. 10-6 ㎩대까지 진공 처리한 후, 각각의 기판의 접합면에 고속 원자 빔(가속 전압 1 ㎸, Ar 유량 27 sccm)을 120 sec간 조사하였다. 이어서, 접합층(4A)의 활성화면(5)과 압전성 재료 기판(1)의 활성화면(1d)을 접촉시킨 후, 10000 N으로 2분간 가압하여 양 기판을 접합하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1b)을, 두께가 당초의 250 ㎛로부터 3 ㎛가 되도록 연삭 및 연마하였다[도 7의 (b) 참조]. 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 C2)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 알루미나로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 C3)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화탄탈(Ta2O5)로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 C4)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화규소(Si3N4)로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 C5)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 질화알루미늄(AlN)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.3 J/㎡였다.
(실시예 C6)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 오산화니오븀(Nb2O5)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 2.0 J/㎡였다.
(실시예 C7)
실시예 C1에 있어서, 접합층(3)의 재질을 산화티탄(TiO2)으로 하고, 접합층(3)의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.8 J/㎡였다.
(비교예 C1)
실시예 C1에 있어서, 접합층(4A)을 마련하지 않았다. 그 외에는 실시예 C1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.1 J/㎡였다.
(비교예 C2)
실시예 C3과 동일하게 하여, 접합층(4)으로서 오산화탄탈층을 마련하였다. 그리고, 접합층의 표면과 압전성 재료 기판의 표면을 플라즈마 활성화법에 따라 표면 활성화하였다. 그 외에는 실시예 C4와 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 챔버 내부를 10-1 ㎩대까지 진공 처리한 후, 웨이퍼 표면에 N2 플라즈마(파워 200 W)를 60 s 조사하고, 그 후 대기에 내보내어, 순수로 세정한다. 더욱 대기 중에서 접합시켜, 하중 2000 N을 2분간 인가하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.3 J/㎡였다.
(실시예 D1)
도 8∼도 9를 참조하면서 설명한 제3 발명의 방법에 따라, 접합체를 제작하였다.
구체적으로는, 오리엔테이션 플랫부(OF부)를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 250 ㎛인 탄탈산리튬 기판(LT 기판)을 압전성 재료 기판(1)으로서 사용하였다. 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)과 지지 기판(6)의 표면(6a)은, 산술 평균 거칠기(Ra)가 1 ㎚가 되도록 경면 연마해 두었다. 계속해서, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1a)에 산화규소막(2)을 1.0 ㎛ 스퍼터링법으로 성막하였다. 성막 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 2 ㎚였다. 다음에, 산화규소막(2) 상에, 멀라이트로 이루어지는 접합층을 1.0 ㎛, CVD법으로 성막하였다. 성막후의 Ra는 2.0 ㎚였다. 다음에, 접합층을 화학 기계 연마 가공(CMP)하여, 막 두께를 0.5 ㎛으로 하고, Ra를 0.3 ㎚로 하였다.
또한, 지지 기판(6)으로서, OF부를 가지고, 직경이 4 인치, 두께가 230 ㎛인 실리콘 기판을 준비하였다. LT 기판은, 탄성 표면파(SAW)의 전파 방향을 X로 하여, 절취각이 회전 Y 커트판인 46°Y 커트 X 전파 LT 기판을 이용하였다. 계속해서, 지지 기판(6)의 표면에 산화규소막(2)을 1.0 ㎛ 스퍼터링법으로 성막하였다. 성막 후의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 2 ㎚였다. 다음에, 산화규소막(2) 상에, 고저항 실리콘으로 이루어지는 접합층을 1.0 ㎛, CVD법으로 성막하였다. 성막 후의 Ra는 2.0 ㎚였다. 다음에, 접합층을 화학 기계 연마 가공(CMP)하여, 막 두께를 0.5 ㎛로 하고, Ra를 0.3 ㎚로 하였다.
계속해서, 압전성 재료 기판(1) 상의 제1 접합층(4A)의 평탄면과 지지 기판(6) 상의 제2 접합층(4B)의 평탄면을 세정하여, 오물을 제거한 후, 진공 챔버에 도입하였다. 10-6 ㎩대까지 진공 처리한 후, 각각의 기판의 접합면에 고속 원자 빔(가속 전압 1 ㎸, Ar 유량 27 sccm)을 120 sec간 조사하여, 각 활성화면(5A, 5B)을 얻었다. 이어서, 압전성 재료 기판 상의 제1 접합층의 활성화면(5A)과, 지지 기판 상의 제2 접합층의 활성화면(5B)을 접촉시킨 후, 10000 N으로 2분간 가압하여 양 기판을 접합하였다[도 9의 (a) 참조].
계속해서, 압전성 재료 기판(1)의 표면(1b)을, 두께가 당초의 250 ㎛로부터 3 ㎛가 되도록 연삭 및 연마하였다[도 9의 (b) 참조]. 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 D2)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 알루미나로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 D3)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 오산화탄탈(Ta2O5)로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.5 J/㎡였다.
(실시예 D4)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 질화규소(Si3N4)로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.4 J/㎡였다.
(실시예 D5)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 질화알루미늄(AlN)으로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.3 J/㎡였다.
(실시예 D6)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 오산화니오븀(Nb2O5)으로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 2.0 J/㎡였다.
(실시예 D7)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층, 제2 접합층의 재질을 산화티탄(TiO2)으로 하고, 접합층의 성막에는 스퍼터링법을 이용하였다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리는 확인할 수 없었다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 1.8 J/㎡였다.
(비교예 D1)
실시예 D1에 있어서, 제1 접합층을 마련하지 않았다. 그 외에는 실시예 D1과 동일하게 하여 접합체를 제조하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.1 J/㎡였다.
(비교예 D2)
실시예 D3과 동일하게 하여, 제1 접합층 및 제2 접합층으로서 오산화탄탈층을 마련하였다. 그리고, 접합층의 표면과 지지 기판의 표면을 플라즈마 활성화법에 따라 표면 활성화하였다. 그 외에는 실시예 D4와 동일하게 하여 접합체를 제조하였다. 챔버 내부를 10-1 ㎩대까지 진공 처리한 후, 웨이퍼 표면에 N2 플라즈마(파워 200 W)를 60 s 조사하고, 그 후 대기에 내보내어, 순수로 세정한다. 더욱 대기 중에서 접합시켜, 하중 2000 N을 2분간 인가하였다.
이 결과, 압전성 재료 기판의 연삭 및 연마 공정 중에 접합 부분의 박리가 발생하였다. 또한 크랙 오프닝법으로 접합 강도를 평가한 바, 0.3 J/㎡였다.

Claims (21)

  1. 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판 상에 접합층을 형성하고, 상기 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
    상기 접합층의 표면 및 상기 지지 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 상기 접합층의 상기 표면 및 상기 지지 기판의 상기 표면을 활성화하는 공정, 및
    상기 접합층의 상기 표면과 상기 지지 기판의 표면을 직접 접합하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판 상에 산화규소막을 마련하는 공정을 가지며, 이 산화규소막 상에 상기 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판을 가공하여 조면(粗面)을 형성하는 공정을 가지며, 이 조면 상에 상기 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접합층의 상기 표면을 평탄화한 후에 상기 활성화를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘, 사파이어 및 수정으로 이루어지는 군에서 선택된 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판은 압전성 단결정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 압전성 단결정은 니오븀산리튬, 탄탈산리튬 또는 니오븀산리튬-탄탈산리튬 고용체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  8. 압전성 단결정으로 이루어지는 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법에 있어서,
    상기 지지 기판 상에 접합층을 형성하고, 상기 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
    상기 접합층의 표면 및 상기 압전성 재료 기판의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 상기 접합층의 상기 표면 및 상기 압전성 재료 기판의 상기 표면을 활성화하는 공정, 및
    상기 접합층의 상기 표면과 상기 압전성 재료 기판의 상기 표면을 직접 접합하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지 기판 상에 산화규소막을 마련하는 공정을 가지며, 이 산화규소막 상에 상기 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 접합층의 상기 표면을 평탄화한 후에 상기 활성화를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘, 사파이어 및 수정으로 이루어지는 군에서 선택된 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전성 단결정은 니오븀산리튬, 탄탈산리튬 또는 니오븀산리튬-탄탈산리튬 고용체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  13. 압전성 재료 기판과, 단결정으로 이루어지는 지지 기판을 접합하는 방법에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판 상에 제1 접합층을 형성하고, 상기 제1 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
    상기 지지 기판 상에 제2 접합층을 형성하고, 상기 제2 접합층은 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 오산화탄탈, 멀라이트, 오산화니오븀 및 산화티탄으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어지는 공정,
    상기 제1 접합층의 표면 및 상기 제2 접합층의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 상기 제1 접합층의 상기 표면 및 상기 제2 접합층의 상기 표면을 활성화하는 공정, 및
    상기 제1 접합층의 상기 표면과 상기 제2 접합층의 상기 표면을 직접 접합하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판 상에 산화규소막을 마련하는 공정을 가지며, 이 산화규소막 상에 상기 제1 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판을 가공하여 조면을 형성하는 공정을 가지며, 이 조면 상에 상기 제1 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 접합층의 상기 표면을 평탄화한 후에 상기 활성화를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기판 상에 산화규소막을 마련하는 공정을 가지며, 이 산화규소막 상에 상기 제2 접합층을 마련하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  18. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 접합층의 표면을 평탄화한 후에 상기 활성화를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  19. 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘, 사파이어 및 수정으로 이루어지는 군에서 선택된 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  20. 제13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전성 재료 기판은 압전성 단결정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 압전성 단결정은 니오븀산리튬, 탄탈산리튬 또는 니오븀산리튬-탄탈산리튬 고용체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
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