JP6599595B1 - 圧電性材料基板と支持基板との接合体 - Google Patents
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Abstract
Description
支持基板、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板とを接合し、前記圧電性材料基板の接合面に接している接合層
を備えている接合体であって、
前記接合層に、前記圧電性材料基板から前記支持基板へと向かって伸びるボイドが設けられており、前記ボイドの前記支持基板側末端の幅t2の前記ボイドの前記圧電性材料基板側末端の幅t1に対する比率(t2/t1)が0.8以下である。
まず、図1(a)に示すように、一対の主面1a、1bを有する圧電性材料基板1を準備する。次いで、主面1aに加工Aを施すことによって、粗面化する。次いで、図1(b)に示すように、圧電性材料基板1の主面1a上に接合層2を成膜する。次いで、接合層2の主面2aを研磨加工することによって、図1(c)に示すように、接合層2Aを若干薄くし、研磨面2bを生成させる。次いで、図1(d)に示すように、研磨面2bに対して矢印Bのようにプラズマを照射し、表面活性化された接合面2cを得る。
本例では、図1(a)に示すように、一対の主面1a、1bを有する圧電性材料基板1を準備する。次いで、主面1aに加工Aを施すことによって、粗面化する。次いで、図1(b)に示すように、圧電性材料基板1の主面1a上に接合層2を成膜する。次いで、接合層2の主面2aを研磨加工することによって、図1(c)に示すように、接合層2Aを若干薄くし、研磨面2bを生成させる。次いで、図1(d)に示すように、研磨面2bに対して矢印Bのようにプラズマを照射し、表面活性化された接合面2cを得る。
ボイドの支持基板側末端の幅t2のボイドの圧電性材料基板側末端の幅t1に対する比率(t2/t1)が0.8以下である。
SEM装置:CarlZeiss社製 Ultra55
加速電圧:2kV
倍率:4000倍
ただし、ボイドの全長lは、ボイドの圧電性材料基板側末端から支持基板側末端までの全経路の長さ(道のり)を意味している。
支持基板3の材質は特に限定されないが、好ましくは、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなる。これによって、弾性波素子6、16の周波数の温度特性を一層改善することができる。
プラズマ処理した基板の接合面同士を室温で互いに接触させる。このとき真空中で処理してもよいが、より好ましくは大気中で接触させる。
弾性波素子6、16としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子(FBAR)などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のIDT(Interdigital Transducer)電極(櫛形電極、すだれ状電極ともいう)と弾性表面波を受信する出力側のIDT電極とを設けたものである。入力側のIDT電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電性材料基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のIDT電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
図1〜図3を参照しつつ説明した方法に従い、図3(c)に示す弾性波素子6を作製した。
バイアス電力 :6000W
Arガス流量:100sccm
マイクロ波電力 :1500W
O2ガス流量:200sccm
レート:0.3nm/sec
成膜時のチャンバー内圧力:0.1Pa
実施例Aにおいて、接合層2Aの材質を五酸化タンタルに変更した。この結果、実施例Aと同様の結果が得られた。すなわち、120℃加熱後の接合強度は2.2J/m2であり,圧電性材料基板の薄化加工には十分な強度であった。
実施例Aにおいて、圧電性材料基板1の材質をニオブ酸リチウムに変更した。この結果、実施例Aと同様の結果が得られた。
実施例Aと同様にして接合体を作製した。ただし、比較例Aにおいて、接合層の成膜時のバイアス電力を3000Wとした。他の条件は実施例Aと同じにしたこところ、接合層の成膜レートは0.15nm/secと低くなった。
実施例Aと同様にして接合体5、5Aを作製し、評価した。ただし、実施例Aとは異なり、接合層の研磨加工量を6umとした。この結果、接合強度は1.7J/m2と低く、圧電性材料基板の研削加工時に圧電層の厚みが14umを下回ったあたりで圧電性材料基板が剥離した。
実施例Aと同様にして接合体を作製し、評価した。ただし、実施例Aとは異なり、接合層の研磨加工量を7umとした。この結果、接合体の面内で、ほとんどの部分が接合せず、強度の測定は不可能であった。また接合しているように見えた部分の断面を観察すると、接合界面で剥離が発生していることが分かった。
Claims (9)
- 支持基板、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板、および
前記支持基板と前記圧電性材料基板とを接合し、前記圧電性材料基板の主面に接している接合層
を備えている接合体であって、
前記接合層に、前記圧電性材料基板から前記支持基板へと向かって伸びるボイドが設けられており、前記ボイドの前記支持基板側末端の幅t2の前記ボイドの前記圧電性材料基板側末端の幅t1に対する比率(t2/t1)が0.8以下であることを特徴とする、接合体。 - 前記圧電性材料基板の前記主面に凹部が設けられており、前記ボイドの前記圧電性材料基板側末端が前記凹部に連通していることを特徴とする、請求項1記載の接合体。
- 前記ボイドの前記支持基板側末端が、前記接合層の前記支持基板側の接合面に達していることを特徴とする、請求項1または2記載の接合体。
- 前記ボイドの前記支持基板側末端が、前記接合層の前記支持基板側の接合面に達していないことを特徴とする、請求項1または2記載の接合体。
- 前記接合層が酸化珪素および五酸化タンタルからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 前記接合層の前記支持基板側の接合面が研磨面であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 前記接合層が前記支持基板に接していることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 前記接合層と前記支持基板との間に中間層を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 前記圧電性材料基板の厚さが20μm以下であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
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-
2019
- 2019-02-19 JP JP2019535402A patent/JP6599595B1/ja active Active
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