JP6524369B1 - 圧電性材料基板と支持基板との接合体 - Google Patents
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Abstract
Description
支持基板、
前記支持基板の表面上に設けられた接合層であって、酸化珪素からなる接合層、および、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板
を備えている接合体であって、
前記支持基板の前記表面に凹部が設けられており、前記接合層が、前記凹部上に延びる構造欠陥部を備えていることを特徴とする。
まず、図1(a)に示すように、一対の主面1a、1bを有する圧電性材料基板1を準備する。次いで、図1(b)に示すように、圧電性材料基板1の接合面1aに対して矢印Aのようにプラズマを照射し、表面活性化された接合面5を得る。
支持基板3の材質は特に限定されないが、好ましくは、シリコン、水晶、サイアロン、ムライト、サファイアおよび透光性アルミナからなる群より選ばれた材質からなる。これによって、弾性波素子11の周波数の温度特性を一層改善することができる。
表面活性化時の圧力は、100Pa以下が好ましく、80Pa以下が更に好ましい。また、雰囲気は窒素のみであって良く、酸素のみであってよいが、窒素、酸素の混合物であってもよい。
プラズマ処理した基板の接合面5と接合面6同士を室温で互いに接触させる。このとき真空中で処理してもよいが、より好ましくは大気中で接触させる。
弾性波素子11としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子(FBAR)などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のIDT(Interdigital Transducer)電極(櫛形電極、すだれ状電極ともいう)と弾性表面波を受信する出力側のIDT電極とを設けたものである。入力側のIDT電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電性材料基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のIDT電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
図1〜図4を参照しつつ説明したようにして、接合体8Aを作製した。
具体的には、厚さが200μmで両面が鏡面に研磨されている42YカットX伝搬LiTaO3基板(圧電性材料基板)1と、厚みが675μmの高抵抗(>2kΩ・cm)Si(100)基板(支持基板)3を用意した。基板サイズはいずれも150mmである。
支持基板3の表面3aを洗浄した後、スパッタ装置で酸化珪素からなる接合層4を成膜した。この時の接合層4の厚みは540nmであった。成膜した酸化珪素の表面をRaが0.3nmになるようCMP加工し接合面4aとした。次いで、圧電性材料基板1の接合面1aおよび支持基板3上の接合層4の接合面4aをそれぞれ洗浄および表面活性化した。具体的には、純水を用いた超音波洗浄を実施し、スピンドライにより基板表面を乾燥させた。次いで、洗浄後の支持基板3をプラズマ活性化チャンバーに導入し、窒素ガスプラズマで30℃で接合面4aを活性化した。また、圧電性材料基板1を同様にプラズマ活性化チャンバーに導入し、窒素ガスプラズマで30℃で接合面1aを表面活性化した。表面活性化時間は40秒とし、エネルギーは100Wとした。表面活性化中に付着したパーティクルを除去する目的で、上述と同じ超音波洗浄、スピンドライを再度実施した。
測定条件:加速電圧200kV
装置:日立ハイテクノロジーズ製 H-9500
倍率:10万倍
測定結果:
図7、図8に示すような形態の断面写真が得られた。具体的な形態は以下のとおりである。
凹部12の深さd: 125nm
凹部12の幅w :340nm
構造欠陥部13の長さT:430nm
実施例1において、サンドブラスト加工の代わりに、支持基板3の表面3aを#8000の研削砥石で深さ2μmほど加工した。これ以外は実施例1と同様にして接合体チップを作製した。
測定結果:
図5、図6に示すような形態の断面写真が得られた。具体的な形態は以下のとおりである。
凹部12の深さd: 70〜190nm
凹部12の幅w: 90〜350nm
構造欠陥部13の長さT: 170〜380nm
ただし、凹部12の深さが70nmの凹部12上には構造欠陥部13は見られなかった。
実施例1において、支持基板3の表面3aのサンドブラスト加工を行わなかった。支持基板3の表面3aのRaは、0.2nmである。他は実施例1と同様にして接合体チップを作製した。
Claims (3)
- 支持基板、
前記支持基板の表面上に設けられた接合層であって、酸化珪素からなる接合層、および、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性材料基板
を備えている接合体であって、
前記支持基板の前記表面に凹部が設けられており、前記接合層が、前記凹部上に延びる構造欠陥部を備えていることを特徴とする、接合体。 - 前記凹部の深さが80〜250nmであることを特徴とする、請求項1記載の接合体。
- 前記圧電性材料基板の厚さが4.0μm以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の接合体。
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---|---|---|---|---|
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JP2000306992A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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