KR20190093228A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20190093228A
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 표시영역 및 상기 표시영역 외측의 외곽영역을 포함하는 기판과, 표시영역 상에 배치되는 표시소자와, 외곽영역 상에 배치되며 박막트랜지스터를 포함하는 외곽회로와, 외곽회로 위에 배치되는 제1차폐층과, 제1차폐층 위에 배치되는 제2차폐층을 포함하며, 제1차폐층 및 제2차폐층 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함하고, 제1차폐층 및 제2차폐층 중 홀을 포함하는 차폐층은 다른 차폐층의 일 부분과 중첩하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
전기적 신호를 시각적으로 디스플레이하는 표시 장치가 발전함에 따라, 표시 장치는 다양한 용도로 사용되고 있다. 표시 장치는 이미지를 제공하기 위한 다양한 회로를 포함하며, 회로는 이미지가 제공되는 영역 외측에 배치될 수 있다.
표시 장치에 데드영역에 배치되는 회로는 데드영역을 줄이면서 다양한 배선들과 중첩될 수 있다. 데드영역에 배치된 회로는 외부 정전기에 노출되는 경우 손상되기 용이하며 배선과의 사이에 신호의 간섭이 발생하여 표시 장치의 품질을 감소시킬 수 있다. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 회로의 손상을 방지하고 다른 배선들(예컨대 입력감지부의 신호라인 등)과의 신호 간섭을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는 표시영역 및 상기 표시영역 외측의 외곽영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역 상에 배치되는 표시소자(display element); 상기 외곽영역 상에 배치되며, 박막트랜지스터를 포함하는 외곽회로; 상기 외곽회로 위에 배치되는 제1차폐층; 및 상기 제1차폐층 위에 배치되는 제2차폐층;을 포함하며, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함하고, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 홀을 포함하는 차폐층은 다른 차폐층의 일 부분과 중첩하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층은 제1홀을 포함하고, 상기 제2차폐층은 제2홀을 포함하며, 상기 제1홀의 중심과 상기 제2홀의 중심은 상호 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1홀과 상기 제2홀은 비중첩하며, 상기 제1홀은 상기 제2차폐층의 부분과 중첩하고, 상기 제2홀은 상기 제1차폐층의 부분과 중첩할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층과 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나의 아래에 배치된 유기 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시영역 상에 배치되는 감지전극들, 및 상기 외곽영역 상에 배치되고 상기 감지전극들과 전기적으로 연결된 신호라인들을 구비하는, 입력 감지부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는 상기 외곽회로와 중첩할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나와 상기 외곽회로 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된 제1신호라인부 및 제2신호라인부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1신호라인부와 상기 제2신호라인부 사이에는 유기 절연물질 또는 무기절연물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 절연층이 개재되며, 상기 콘택홀은 상기 절연층에 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시소자는 순차적으로 적층된 화소전극, 발광층 및 대향전극을 포함하되, 상기 대향전극의 단부는 상기 외곽영역을 향해 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는, 상기 대향전극의 단부와 상기 기판의 외측 가장자리 사이에 해당하는 영역 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 표시영역 및 상기 표시영역 외측의 외곽영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역 상에 배치된 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 표시소자; 상기 표시영역 상에 배치된 감지전극들, 및 상기 감지전극들에 연결되며 상기 외곽영역 상에 배치된 신호라인들을 포함하는 입력감지부; 상기 외곽영역 상에 배치된 외곽회로; 및 상기 외곽영역 상에 배치되되, 상기 외곽회로와 상기 신호라인들 사이에 개재되는 제1차폐층 및 제2차폐층;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층의 아래에 배치된 제1절연층, 및 상기 제2차폐층의 아래에 배치된 제2절연층을 더 포함하며, 상기 제1차폐층과 상기 제2차폐층 사이에는 상기 제2절연층이 개재될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층 중 적어도 어느 하나는 유기 절연물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 홀을 포함하는 차폐층은 다른 차폐층의 부분과 중첩할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시소자는 상기 화소전극과 마주보는 대향전극을 포함하며, 상기 대향전극의 단부는 상기 외곽영역으로 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 대향전극의 단부는 상기 외곽회로를 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는 상기 대향전극의 단부와 상기 기판의 외측 가장자리 사이에 해당하는 영역 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 외곽영역 상에 배치되며 상기 표시영역 상의 상기 박막트랜지스터에 제1전원을 제공하는 제1전원전압배선, 및 상기 외곽영역 상에 배치되며, 상기 제1전원과 다른 제2전원을 상기 표시소자에 제공하는 제2전원전압배선을 더 포함하며, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 상기 제1전원전압배선 또는 상기 제2전원전압배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, ㄹ상기 입력감지부의 아래에 배치되며, 상기 표시소자 및 상기 외곽회로를 커버하는 봉지부재를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지부재는, 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지부재는 상기 표시영역을 둘러싸는 실링재 및 상기 실링재를 사이에 두고 상기 기판과 마주보는 봉지기판을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 스캔선, 데이터선, 제어선 중 적어도 어느 하나의 라인을 더 포함하고, 상기 외곽회로는 상기 적어도 어느 하나의 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들은, 유기절연층의 아웃 개싱을 통한 표시소자의 손상을 방지하거나 최소화할 수 있고, 외곽회로가 정전기 등에 의해 손상되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있으며, 외곽회로의 신호에 의해 입력감지부의 신호라인이 간섭 받는 것을 방지하거나 최소화함으로써 고품질의 표시 장치를 제공할 수 있다. 전술한 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 입력감지부를 개략적으로 나타낸 평면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 제2신호라인을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 제1차폐층 및 제2차폐층을 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 9c는 제1 및 제2차폐층이 중첩된 상태를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10의 스위칭 회로 및 그 주변을 발췌한 평면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 14는 도 13의 스위칭 회로 및 그 주변을 발췌한 평면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 접속되었다고 하거나 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 접속되거나 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 접속되거나 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA) 외곽의 외곽영역(PA)을 포함한다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)을 통해 이미지를 제공할 수 있다. 표시 장치(1)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시 장치 (Quantum dot Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display), 등일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시부(10), 입력감지부(40), 및 반사방지부(50), 및 윈도우부(60)를 포함할 수 있다.
표시부(10)는 이미지를 생성한다. 표시부(10)는 예컨대 유기발광다이오드(Organic Light Emitting diode, OLED)들에서 방출되는 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 이용하여 소정의 이미지를 생성할 수 있다.
입력감지부(40)는 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득한다. 입력감지부(40)는 도 2a에 도시된 바와 같이 표시부(10) 상에, 그리고 반사 방지부(50) 아래에 배치될 수 있으며, 도 2b에 도시된 바와 같이 반사방지부(50) 상에 배치될 수 있다. 입력감지부(40)는 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(또는 trace line)들을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 입력감지부(40)는 표시부(10) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력감지부(40)가 표시부(10) 상에 직접 배치된다고 함은, 입력감지부(40)와 표시부(10) 사이에 별도의 접착물질층이 개재되지 않은 상태를 나타내며, 입력감지부(40)의 구성요소들이 표시부(10) 상에 직접 패터닝되는 것을 나타낼 수 있다. 다른 실시예로, 입력감지부(40)는 표시부(10)와는 별도의 공정에서 형성된 후, 접착물질층 등을 이용하여 표시부(10) 상에 결합될 수 있다.
반사방지부(50)는 윈도우부(60)를 통해 외부에서 표시부(10)를 향해 입사하는 빛의 반사율을 감소시킨다. 반사방지부(50)는 도 2a에 도시된 바와 같이 입력감지부(40) 위에 배치되거나, 도 2b에 도시된 바와 같이 입력감지부(40)의 아래에 배치될 수 있다.
일 실시예로, 반사방지부(50)는 편광자와 위상지연자 등을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사방지부(50)는 블랙매트릭스와 컬러필터를 포함할 수 있다. 반사방지부(50)가 편광자 등을 포함하는 경우, 편광자는 비교적 두께가 크므로, 반사방지부(50)는 접착물질층 등을 통해 표시부(10) 또는 입력감지부(40) 상에 배치될 수 있다. 반사방지부(50)가 블랙매트릭스와 컬러필터를 포함하는 경우, 그 두꼐가 상대적으로 작기 때문에 반사방지부(50)는 표시부(10) 또는 입력감지부(40) 상에 직접 배치될 수 있다.
윈도우부(60)는 표시영역(DA)에 대응하는 투광영역(61) 및 외곽영역(PA)에 대응하는 차광영역(62)을 포함할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 표시부(10)는 기판(100) 상에 배치된 표시요소층(200), 및 표시요소층(200)을 커버하는 봉지부재(300)를 포함한다.
기판(100)은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 상기 물질의 단층 또는 다층구조를 가질 수 있으며, 다층구조의 경우 무기층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다.
표시요소층(200)은 화소들을 포함하며, 각 화소는 유기발광다이오드 및 유기발광다이오드와 전기적으로 연결된 화소회로를 포함할 수 있다. 화소회로는 박막트랜지스터와 스토리지 커패시터, 및 이들에 연결된 라인 등을 포함할 수 있으며, 절연층(들)을 포함한다.
봉지부재(300)는 수분과 같은 외부 이물질 등으로부터 표시요소층(200)을 보호한다. 봉지부재(300)는 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층를 포함할 수 있다. 무기봉지층은 산화규소층, 질화규소층 또는/및 산질화규소층, 산화티타늄층, 산화알루미늄층 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되지 않는다. 유기봉지층은 아크릴 계열 유기물질을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되지 않는다.
도 3a에는 박막봉지층인 봉지부재(300)가 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되지 않는다. 무기봉지층과 유기봉지층의 적층 순서 등은 다양하게 변경될 수 있다. 도 3a에는 봉지부재(300)가 박막봉지층인 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
도 3b를 참조하면, 표시부(10)는 실링재(310') 및 봉지기판(320')을 포함하는 봉지부재(300')를 포함할 수 있다. 도 3b의 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하거나, 유리 등을 포함할 수 있다.
봉지기판(320')은 기판(100)과 마주보도록 배치되고, 기판(100)과 봉지기판(320') 사이에는 실링재(310')가 배치된다. 실링재(310')는 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 기판(100), 봉지기판(320') 및 실링재(310')로 정의된 내부 공간은 외부와 공간적으로 분리하여 수분이나 불순물들이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지기판(320')은 전술한 고분자 수지 또는 유리등을 포함할 수 있으며, 실링재(310')는 프릿, 또는 에폭시 등의 물질을 사용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시부를 나타낸 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 표시부(10)는 표시영역(DA)에 배치된 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)는 도 5에 도시된 바와 같이 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(예, 애노드)은 화소회로(PC)에 접속되고, 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)은 제2전원(ELVSS)에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)로부터 공급되는 전류에 기초하여 소정의 휘도의 빛을 방출한다.
화소회로(PC)는 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함한다. 화소회로(PC)는 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제4 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극은 스캔선(SL)에 접속된다. 제1박막트랜지스터(T1)의 제1전극은 데이터선(DL)에 접속되고, 제1박막트랜지스터(T1)의 제2전극은 스토리지 커패시터(Cst)에 접속된다. 제1박막트랜지스터(T1)는 스캔선(SL)으로 스캔신호가 공급될 때 턴-온된다.
제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)에 접속된다. 제2박막트랜지스터(T2)의 제1전극은 스토리지 커패시터(Cst) 및 제1전원(ELVDD)에 접속된다. 제2박막트랜지스터(T2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제1전원(ELVDD)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 경유하여 제2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기발광다이오드(OLED)는 제2박막트랜지스터(T2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다.
제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 발광 제어선(EL)에 접속된다. 제3박막트랜지스터(T3)의 제1전극은 제2박막트랜지스터(T2)의 제2전극에 접속되고, 제3박막트랜지스터(T3)의 제2전극은 유기발광다이오드(OLED)에 접속된다. 제3박막트랜지스터(T3)는 발광 제어선(EL)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 발광 제어 신호가 공급되지 않을 때 턴-온 된다. 여기서, 발광 제어 신호는 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터신호에 대응되는 전압이 충전되는 기간 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보가 센싱되는 기간 동안 공급될 수 있다.
제4박막트랜지스터(T4)는 센싱 트랜지스터로서, 유기발광다이오드(OLED)의 전류 센싱 동작 기간 동안 턴-온될 수 있다. 제4박막트랜지스터(T4)의 게이트전극은 제어선(CL)에 접속될 수 있다. 제4박막트랜지스터(T4)의 제1전극은 제3박막트랜지스터(T3)의 제2전극에 접속된다. 그리고, 제4박막트랜지스터(T4)의 제2전극은 데이터선(DL)에 접속된다. 제4박막트랜지스터(T4)는 제어선(CL)으로 제어 신호가 공급될 때 턴-온되고, 그 외의 경우에 턴-오프될 수 있다. 제어 신호는 유기발광다이오드(OLED)의 열화 정보가 센싱되는 기간 동안 공급될 수 있다.
도 5에는 화소(P)가 4개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명이 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로, 화소회로(PC)는 2개, 또는 3개, 또는 5개 이상의 박막 트랜지스터를 포함하거나, 2개 이상의 스토리지 박막 트랜지스터를 포함하는 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 표시부(10)의 외곽영역(PA)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 외곽영역(PA)은 이미지를 제공하지 않는 비표시영역에 해당한다.
외곽영역(PA)에는 제1외곽회로로서 스캔 구동회로(110), 제2외곽회로로서 제어 구동회로(120), 단자(140), 제1전원공급배선(160), 및 제2전원공급배선(170)이 배치될 수 있다.
스캔 구동회로(110)는 기판(100)의 외곽영역(PA) 상에 배치된다. 스캔 구동회로(110)는 스캔선(SL)에 전기적으로 연결되며, 스캔선(SL)으로 소정의 스캔 신호를 공급한다. 일 실시예로, 화소(P)가 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 발광 제어 박막트랜지스터에 해당하는 제3박막트랜지스터(T3)를 포함하는 경우, 스캔 구동회로(110)는 발광 제어선(EL)으로 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.
제어 구동회로(120)는 기판(100)의 외곽영역(PA) 상에 배치된다. 스캔 구동회로(110)와 제어 구동회로(120)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 나란하게 배치될 수 있다. 스캔 구동회로(110)는 표시영역(DA)의 제1측변 주변에 배치되며, 제어 구동회로(120)는 제1측의 반대편인 표시영역(DA)의 제2측변 주변에 배치될 수 있다.
단자(140)는 기판(100)의 일 단부에 배치될 수 있다. 단자(140)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 단자(140)는 스캔 구동회로(110) 및 제어 구동회로(120)가 위치하지 않은 외곽영역(PA) 상에 배치된다. 예컨대, 단자(140)는 표시영역(DA)의 제3측변과 나란하게 배치될 수 있다.
인쇄회로기판(PCB)의 단자(PCB-P)는 표시부(10)의 단자(140)와 전기적으로 연결된다. 인쇄회로기판(PCB)은 제어부(미도시)의 신호 또는 전원을 표시부(10)로 제공한다. 제어부에서 생성된 제어 신호는 인쇄회로기판(PCB)을 통해 스캔 구동회로(110) 및 제어 구동회로(120)에 각각 전달될 수 있다. 제어부는 제1 및 제2연결배선(161, 171)을 통해 제1 및 제2전원공급배선(160, 170)에 각각 제1 및 제2 전원(ELVDD, ELVSS, 도 5)을 제공할 수 있다. 제1전원(ELVDD)은 제1전원공급배선(160)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 각 화소(P)에 제공되고, 제2전원(ELVSS)은 제2전원공급배선(170)과 연결된 화소(P)의 대향전극에 제공될 수 있다.
데이터 구동회로(150)는 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된다. 데이터 구동회로(150)의 데이터 신호는 단자(140)에 연결된 배선(151) 및 배선(151)과 연결된 데이터선(DL)을 통해 각 화소(P)에 제공될 수 있다. 도 4는 데이터 구동회로(150)가 인쇄회로기판(PCB)에 배치된 것을 도시한다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 데이터 구동회로(150)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 데이터 구동회로(150)는 도 4에 도시된 단자(140)와 제1전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다.
제1전원공급배선(160) 및 제2전원공급배선(170)은 외곽영역(PA)에 배치된다. 제1전원공급배선(160)은 표시부(10)의 제3측변에 인접하게 배치될 수 있다. 제2전원공급배선(170)은 표시영역(DA)의 가장자리를 따라 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 제2전원공급배선(170)은 일측이 개방된 루프 형상일 수 있다.
제2전원공급배선(170)은 단자(140)와 연결된 제2연결배선(171)과 접속된다. 제2연결배선(171)은 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러싸게 연장된, 일측이 개방된 루프 형상일 수 있다. 도 5는 제2전원공급배선(170)이 제2전원공급배선(170)과 마찬가지로, 표시영역(DA)의 제1측변(도 4에서 좌측변), 제4측변(도4에서 상측변)과 제2측변(도 4에서 우측변)을 따라 연장된 것을 도시하나, 본발명은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로, 제2연결배선(171)은 제2전원공급배선(170)의 단부에만 접속될 수 있다. 예컨대, 한 쌍의 제2연결배선(171)은 각각 표시영역(DA)의 제3측변에 인접한 제2전원공급배선(170)의 양 단부에 접속될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 입력감지부를 개략적으로 나타낸 평면도들이다.
도 6a를 참조하면, 입력감지부(40)는 제1감지전극(410)들, 제1감지전극(410)들에 연결된 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들, 제2감지전극(420)들 및 제2감지전극(420)들에 연결된 제2신호라인(425-1 내지 425-5)들을 포함할 수 있다. 입력감지부(40)는 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
제1감지전극(410)들은 y방향을 따라 배열될 수 있으며, 제2감지전극(420)들은 y방향과 교차하는 x방향을 따라 배열될 수 있다. y방향을 따라 배열된 제1감지전극(410)들은 각각의 제1감지라인(410C1 내지 410C4)을 형성하고, x방향을 따라 배열된 제2감지전극(420)들은 각각의 제2감지라인(420R1 내지 420R5)을 형성할 수 있다. 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들 및 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 교차할 수 있다. 예컨대, 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들 및 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 서로 수직일 수 있다.
제1감지라인(410C1 내지 410C4)들 및 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 표시영역(DA) 상에 배치되며, 이들은 외곽영역(PA)에 형성된 제1 및 제2신호라인(415-1 내지 415-4, 425-1 내지 425-5)들을 통해 감지 신호 패드(440)와 연결될 수 있다. 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들은 각각 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들과 연결되고, 제2감지라인(420R1 내지 420R5)들은 각각 제2신호라인(425-1 내지 425-5)들과 연결된다.
도 6a는 각각의 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들이 제1감지라인(410C1 내지 410C4)의 상측 및 하측에 각각 연결된 것을 도시하고 있으며, 이와 같은 구조를 통해 센싱 감도를 향상시킬 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예로, 제1신호라인(415-1 내지 415-4)들은 제1감지라인(410C1 내지 410C4)들의 상측 또는 하측에만 연결될 수 있다. 또 다른 실시예로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 각 제1신호라인(415-1 내지 415-4)은 제1감지라인(410C1 내지 410C4)의 상측과 하측을 일체로 연결한 채로 감지 신호 패드(440)에 연결될 수 있다. 또 다른 실시예로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 각 제2감지라인(420R1 내지 420R4)은 좌측과 우측에 각각 구비된 제2신호라인(425-1 내지 425-5)들과 연결될 수 있다. 제1 및 제2신호라인(415-1 내지 415-4, 425-1 내지 425-5)들의 배치 형태는, 외곽영역(PA) 상에 배치되되, 도 6a 및 도 6c를 참조하여 설명한 배치형태 외에도 표시영역(DA)의 형상, 크기, 또는 입력감지부(40)의 감지 방식 등에 의해 다양하게 변경될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 제2신호라인을 개략적으로 나타낸 단면도들로서, 도 6a의 VII- VII'선에 대응할 수 있다. 도 7a 및 도 7b에서는 제2신호라인의 단면 구조에 대하여 설명하고 있으나, 제1신호라인도 동일한 단면 구조를 가질 수 있다. 도 7a 및 도 7b에는 5개의 제2신호라인(425-1 내지 425-5)이 예시적으로 도시되었다.
도 7a의 어느 하나의 제2신호라인(425-1)을 참조하면, 제2신호라인(425-1)은 제1신호라인부(425a) 및 제2신호라인부(425b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2신호라인부(425a, 425b)는 절연층(410, 420, 430)들 사이에 서로 중첩되도록 배치되며, 콘택홀(420H)을 통해 접속됨으로써 저항을 줄일 수 있다. 다른 실시예로, 제2신호라인(425-1)은 전술한 도 7a에서 절연층(420)을 사이에 두고 다른 층에 형성된 제1 및 제2신호라인부(425a, 425b) 중 어느 하나가 생략된 상태일 수 있다. 예컨대, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제2신호라인(425-1)은 제2신호라인부(425b)를 포함할 수 있으며, 그 위에 형성된 금속층(425c)을 더 포함할 수 있다. 제2신호라인(425-1)은 금속층(425c) 상에 투명 도전층(425d)이 배치되는 것과 같이 도전성의 다층일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2신호라인(425-1)은 단일층으로 형성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이고, 도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 제1차폐층 및 제2차폐층을 발췌하여 나타낸 평면도이며, 도 9c는 제1 및 제2차폐층이 중첩된 상태를 나타낸 평면도이다. 도 8은 도 4 및 도 6a의 VIII- VIII'선에 따른 단면에 해당할 수 있다.
먼저, 도 8의 표시영역(DA)을 참조하면, 기판(100) 상에 표시요소층(200), 및 봉지부재(300)가 배치될 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(201)이 형성될 수 있다. 버퍼층(201)은 기판(100)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(201)은 산화규소, 질화규소 또는/및 산질화규소와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
기판(100) 상에는 표시영역(DA)과 대응되는 위치에 구비된 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst), 및 이들과 전기적으로 연결된 유기 발광 다이오드(OLED)가 위치할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act) 및 게이트전극(GE)을 포함한다. 반도체층(Act)은 폴리실리콘, 아모퍼스실리콘, 또는 산화물 반도체, 유기 반도체물질 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 반도체층(Act)은 게이트전극(GE)과 중첩하는 채널영역(CR) 및 채널영역(CR)의 양측에 배치되되 채널영역(CR)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(SR) 및 드레인영역(DR)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역(SR)과 드레인영역(DR)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극과 드레인전극으로 이해할 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(202)이 배치될 수 있다. 게이트절연층(202)은 산질화규소, 산화규소 및/또는 질화규소와 같은 무기물층일 수 있으며, 무기물층은 단층 또는 다층일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 서로 중첩하는 제1 및 제2스토리지 축전판(CE1, CE2)을 포함한다. 제1 및 제2스토리지 축전판(CE1, CE2) 사이에는 제1층간절연층(203)이 배치될 수 있다. 제1층간절연층(203)은 소정의 유전율을 갖는 층으로서, 산질화규소(SiON), 산화규소(SiOx) 및/또는 질화규소(SiNx)와 같은 무기물층일 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 도 8에서는 스토리지 커패시터(Cst)가 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하며, 제1스토리지 축전판(CE)이 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있으며, 제1스토리지 축전판(CE1)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(204)으로 커버될 수 있다. 제2층간절연층(204)은 산질화규소, 산화규소 및/또는 질화규소와 같은 무기물층일 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다.
구동전압선(PL)은 제1구동전압선(PL1) 및 제2구동전압선(PL2)을 포함할 수 있다. 제1구동전압선(PL1)은 데이터선(DL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1구동전압선(PL1) 및 데이터선(DL)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1구동전압선(PL1) 및 데이터선(DL)은, Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
제2구동전압선(PL2)은 제1절연층(206)을 사이에 두고 제1구동전압선(PL1) 위에 배치될 수 있으며, 제1절연층(206)에 정의된 콘택홀을 통해 제1구동전압선(PL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2구동전압선(PL2)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제2구동전압선(PL2)은, Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 제1절연층(206)은 유기절연물을 포함하며, 유기절연물은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1절연층(206)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
구동전압선(PL)은 제2절연층(207)으로 커버되며, 제2절연층(207)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2절연층(207)은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2절연층(207)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2절연층(207) 상에는 화소전극(221)이 배치된다. 화소전극(221) 상에는 화소정의막(208)이 배치된다. 화소정의막(208)은 각 화소에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(221)을 노출하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의할 수 있다. 또한, 화소정의막(208)은 화소전극(221)의 가장자리와 대향전극(223) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(208)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(222)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다.
중간층(222)이 저분자 물질을 포함할 경우, 중간층(222)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(222)이 고분자 물질을 포함할 경우에는, 중간층(222)은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 중간층(222)의 구조는 전술한 바에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 중간층(222)을 이루는 층들 중 적어도 어느 하나는 복수개의 화소전극(221)들에 걸쳐서 일체(一體)로 형성될 수 있다. 또는, 중간층(222)은 복수개의 화소전극(221)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수 있다.
대향전극(223)은 표시영역(DA) 상부에 배치되며, 표시영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(223)은 복수개의 화소들을 커버하도록 일체(一體)로 형성될 수 있다.
봉지부재(300)는 예컨대 박막봉지층으로서 유기발광소자(OLED)를 커버하며, 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층은 표시영역(DA)을 덮으며 표시영역(DA) 외측까지 연장될 수 있다. 박막봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 도 8은 박막봉지층이 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2무기봉지층(330)을 포함하는 경우를 도시한다.
필요에 따라 제1무기봉지층(310)과 대향전극(223)사이에 캐핑층(230)을 포함하는 복수의 층들이 개재될 수도 있다. 도 8에는 캐핑층(230)이 구비된 것을 도시하나, 다른 실시예에서 캐핑층(230)은 생략될 수 있다. 캐핑층(230)이 생략되는 경우, 제1무기봉지막(310)은 막질이 서로 다른 적어도 2개의 산질화규소(SiON)층들을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(310)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 상면이 평탄하지 않게 된다. 유기봉지층(320)은 이러한 제1무기봉지층(310)을 덮으며, 제1무기봉지층(310)과 달리 그 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 구체적으로, 유기봉지층(320)은 표시영역(DA)에 대응하는 부분에서는 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다.
봉지부재(300) 상에는 감지전극이 배치된다. 이와 관련하여, 도 8에는 제1감지전극(410)이 배치된 것을 도시하고 있다. 도 8에서의 제1감지전극(410)의 아래와 위에는 절연층이 더 배치될 수 있거나 제1감지전극(410)은 다층으로 형성될 수 있으나, 도 8에는 간략하게 도시한다. 제1감지전극(410)은 유기발광다이오드(OLED)의 빛이 외부로 방출될 수 있도록 유기발광소자(OLED)의 발광영역과 대응하는 개구(410OP)를 포함할 수 있다.
다음으로, 도 8의 외곽영역(PA)을 참조하면, 기판(100) 상에 무기절연층(210)이 배치되며, 무기절연층(210)은 앞서 설명한 버퍼층(201), 게이트절연층(202), 제1 및 제2층간절연층(203, 204) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 무기절연층(210) 상에는 제2연결배선(171)이 배치될 수 있다. 제2연결배선(171)은 데이터선(DL) 및/또는 제1구동전압선(PL1)과 동일한 물질을 포함하며, 이들과 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
기판(100) 상에는 스캔 구동회로(110)가 배치된다. 스캔 구동회로(110)는 박막트랜지스터(TFT-P)들을 포함하며, 박막트랜지스터(TFT-P)들과 연결된 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT-P)는 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(TFT)와 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 스캔 구동회로(110)는 박막트랜지스터(TFT-P)를 이루는 요소(예컨대, 반도체층, 게이트전극 등)들 사이에 개재되는 절연층을 포함한다. 스캔 구동회로(110)는 무기 보호층(205)로 커버될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
스캔 구동회로(110)는 스캔 구동회로(110) 위에 배치된 제1차폐층(1170) 및 제2차폐층(1270)과 중첩한다. 제1차폐층(1170)은 제1절연층(206)을 사이에 두고 스캔 구동회로(110) 위에 배치되며, 제2차폐층(1270)은 제2절연층(207)을 사이에 두고 제1차폐층(1170) 위에 배치될 수 있다. 제1차폐층(1170)은 제2구동전압선(PL2)와 동일한 층 상에 배치되고 동일한 물질을 포함하고, 제2차폐층(1270)은 화소전극(221)과 동일한 층 상에 배치되고 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1차폐층(1170)의 제1폭(W1) 및 제2차폐층(1270)의 제2폭(W2)은 스캔 구동회로(110)의 폭과 같거나 그보다 크게 형성될 수 있다. 도 8은 제1폭(W1) 및 제2폭(W2)이 스캔 구동회로(110)의 폭 보다 큰 것을 도시한다.
제1차폐층(1170) 및 제2차폐층(1270) 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2차폐층(1170, 1270) 중 홀을 구비한 차폐층은 다른 하나의 차폐층의 부분과 중첩할 수 있다.
일 실시예로, 제1차폐층(1170)은 도 8 및 도 9a에 도시된 바와 같이 제1홀(1170H)들을 포함할 수 있고, 제1홀(1170H)들은 평면상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제2차폐층(1270)은 도 8 및 도 9b에 도시된 바와 같이 제2홀(1270H)들을 포함할 수 있고, 제2홀(1270H)들은 평면상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2홀(1170H, 1270H) 각각은 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)의 아래에 배치된 제1 및 제2절연층(206, 207)의 아웃 개싱 통로가 될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2홀(1170H, 1270H)이 구비되지 않는 경우에 발생할 수 있는 문제, 예컨대 제1 및 제2절연층(206, 207)에서의 기체가 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)의 손상, 또는 유기발광다이오드(OLED)의 손상시키는 것과 같은 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다.
제1홀(1170H) 및 제2홀(1270H)은 오프셋되어 배치된다. 도 8 및 도 9c에 도시된 바와 같이 제1홀(1170H)의 중심과 제2홀(1270H)의 중심은 일치하지 않고 오프셋되며, 제1홀(1170H)과 제2홀(1270H)은 서로 중첩하지 않을 수 있다. 제1차폐층(1170)의 제1홀(1170H)은 제2차폐층(1270)의 부분(1270P)과 중첩하고, 제2차폐층(1270)의 제2홀(1270H)은 제1차폐층(1170)의 부분(1170P)와 중첩한다. 본 명세서에서 차폐층의 부분이라고 함은, 홀이 형성되지 않은 영역으로서 차폐층을 이루는 물질로 형성된 부분을 나타낸다. 따라서, 제1차폐층(1170)의 부분(1170P)은 제1차폐층(1170)은 제2차폐층(1270) 중에서 제1홀(1170H)을 제외한 나머지 영역에 해당하고, 제2차폐층(1270)의 부분(1270P)은 제2차폐층(1270) 중에서 제2홀(1270H)이외의 영역으로 이해할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 및 제2차폐층(1170, 1270) 중 어느 하나의 차폐층은 홀을 구비하고 해당 홀은 다른 하나의 차폐층의 일 부분과 중첩하므로, 기판(100)의 주면(main surface)에 수직인 방향(z방향)에서 사영하였을 때 스캔 구동회로(110)는 전체적으로 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)에 의해 커버될 수 있다. 스캔 구동회로(110)는 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)에 의해 외부 정전기(ESD)에 의해 손상되는 것이 방지될 수 있다.
제1 및 제2차폐층(1170, 1270)은 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다. 도 8은 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)이 제2연결배선(171)과 전기적으로 연결된 것을 도시한다. 제1차폐층(1170)은 제2연결배선(171)을 노출하는 제1절연층(206)의 개구(206OP)를 통해 제2연결배선(171)과 접촉할 수 있고, 제2차폐층(1270)은 제2절연층(207)의 개구(207OP)통해 제1차폐층(1170)과 접촉할 수 있다. 제2연결배선(171)과 전기적으로 연결된 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)은 제2전원공급배선(170)을 형성할 수 있다.
제2전원공급배선(170)의 제2전원(ELVSS, 도 5)은 대향전극(223)이 제2차폐층(1270)과 접속함으로써 대향전극(223)에 공급될 수 있다. 대향전극(223)의 단부는 더미화소(DPX)를 지나 외곽영역(PA)으로 연장될 수 있으며 외곽영역(PA)으로 연장된 화소정의막(208)의 홀(208H)을 통해 제2차폐층(1270)과 접촉할 수 있다. 도 8은 대향전극(223)의 단부가 스캔 구동회로(110)의 적어도 일부를 커버하도록 기판(100)의 외측 가장자리를 향해 연장된 것을 도시한다.
외곽영역(PA) 상에는 감지전극에 연결된 신호라인이 배치된다. 이와 관련하여 도 8은 외곽영역(PA) 상에 배치된 제2신호라인(425-1 내지 425-4)들을 도시한다. 제2신호라인(425-1 내지 425-4)들 중 적어도 어느 하나는 스캔 구동회로(110)와 중첩하며, 스캔 구동회로(110)와 제2신호라인(425-1 내지 425-4)들 사이에는 대향전극(223) 및 제1 및 제2차폐층(1170, 1270)이 개재될 수 있다. 스캔 구동회로(110)에서 생성된 신호는 스캔 구동회로(110) 상의 제2신호라인(425-1 내지 425-4)에 영향을 미칠 수 있는데, 이 경우 입력감지부의 정확도가 감소될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 대향전극(223)이 스캔 구동회로(110)의 일부를 커버하므로 스캔 구동회로(110)의 신호(e.g.노이즈)가 제2신호라인(425-1 내지 425-4)에 영향을 주는 것을 최소화할 수 있다. 비교예로서, 스캔 구동회로(110)가 신호라인에 미치는 신호의 간섭을 대향전극(223)만으로 방지하는 경우, 대향전극(223)이 스캔 구동회로(110)를 전체적으로 커버해야 하므로 대향전극(223)은 기판(100)의 가장자리를 향해 더 연장되어야 하고 외곽영역(PA), 즉 데드영역이 증가하는 단점이 있다. 또 다른 비교예로, 외곽영역(PA)을 줄이기 위해 대향전극(223)의 단부를 도 8에 도시된 바와 같이 배치하는 경우, 대향전극(223)의 단부와 기판(100)의 가장자리 사이에 해당하는 영역(RA)에는 입력감지부의 신호라인을 배치하기 어렵다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전술한 영역(RA) 상에서 제2신호라인(425-1)과 스캔 구동회로(110) 사이에 제1 및 제2차폐층(1170, 1270) 배치되므로 스캔 구동회로(110)의 신호(e.g.노이즈)에 의해 제2신호라인(425-1)이 영향을 받는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 따라서, 전술한 영역(RA)에도 신호라인, 예컨대 제2신호라인(425-1)을 배치할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 외곽영역(PA)을 충분히 활용하여 스캔 구동회로(110) 및 신호라인 등을 배치하므로 데드영역인 외곽영역(PA)의 면적을 줄일 수 있다.
일 실시예로, 외곽영역(PA)에 배치된 제1 및 제2절연층(206, 207)은 각각 밸리홀(206VH, 207VH)을 포함할 수 있다. 밸리홀(206VH, 207VH)은 외부 이물질이 제1 및 제2절연층(206, 207)의 벌크를 통해 침투하여 유기발광다이오드(OLED) 등을 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 도 8에는 기판(100)의 외측 가장자리에 적어도 하나의 댐(180)이 구비된 것을 도시한다. 댐(180)은 유기봉지층(320)을 형성하는 공정에서 사용되는 모노머가 기판(100)의 단부를 향해 연장되는 것을 차단하여 유기봉지층(320)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 도 8은 봉지부재(300)로서 박막봉지층을 설명하나, 본 발명이 이에 제한되지 않는다. 앞서 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이 박막봉지층 대신에 실링재(310')와 봉지기판(320')을 포함하는 봉지부재(300')가 구비될 수 있음은 물론이다.
도 8은 외곽영역(PA)에 배치된 외곽회로로서 스캔 구동회로(110)를 중심으로 제1차폐층(1170), 제2차폐층(1270), 및 제2신호라인(425-1 내지 425-4)들의 배치 구조를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 4에 도시된 제어 구동회로(120) 위의 적층 구조도 도 8에 도시된 구조와 실질적으로 동일하다. 예컨대, 제어 구동회로(120) 위의 적층 구조는, 도 8의 스캔 구동회로(110) 대신에 제어 구동회로(120)가 배치된 것으로 이해할 수 있다. 이 때, 제어 구동회로(120) 상에는 제1신호라인(415-1 내지 415-4, 도 6a, 도 6b 참조) 또는 제2신호라인(425-1 내지 425-4, 도 6c 참조)이 제어 구동회로(120)와 중첩하도록 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 11은 도 10의 스위칭 회로 및 그 주변을 발췌한 평면도이며, 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이다. 도 12는 도 11의 XII- XII'선에 따른 단면과 대응될 수 있다.
도 10의 표시부(10')는 제3외곽회로로서 스위칭 회로(130)를 더 포함하는 점을 제외하고 앞서 도 4를 참조하여 설명한 표시부(10)와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
표시부(10')는 스위칭 회로(130)를 포함할 수 있다. 스위칭 회로(130)는 데이터 구동회로(150) 및 화소의 데이터선과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 회로(130)는 데이터 구동회로(150)에서 출력되는 데이터 신호를 디먹싱(demuxing)하여 데이터선들에 공급하는 디멀티플렉서(들)를 포함할 수 있다.
스위칭 회로(130)는 표시영역(DA)의 제3측변과 제1전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 스위칭 회로(130)는 제1전원공급배선(160)과 보조전원공급배선(162) 사이에 배치될 수 있다. 제1전원공급배선(160)과 보조전원공급배선(162)은 스위칭 회로(130)를 사이에 둔 채 서로 이격되어 배치될 수 있다.
스위칭 회로(130)는 스위칭 회로(130) 위에 배치된 제3차폐층(2170) 및 제4차폐층(2270)과 중첩한다. 제3차폐층(2170)의 제3폭(W3) 및 제4차폐층(2270) 각각의 제4폭(W4)은 스위칭 회로(130)의 폭과 같거나 그 보다 크게 형성될 수 있다. 도 11은 제3폭(W3) 및 제4폭(W4)이 스위칭 회로(130)의 폭 보다 큰 것을 도시한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제3차폐층(2170)은 제1절연층(206)을 사이에 두고 스위칭 회로(130) 위에 배치되며, 제4차폐층(2270)은 제2절연층(207)을 사이에 두고 제3차폐층(2170) 위에 배치될 수 있다. 제3차폐층(2170)은 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 제2구동전압선과 동일한 층 상에 배치되고 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제4차폐층(2270)은 화소전극과 동일한 층 상에 배치되고 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3차폐층(2170) 및 제4차폐층(2270) 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함할 수 있으며, 제3 및 제4차폐층(2170, 2270) 중 홀을 구비한 차폐층은 다른 하나의 차폐층의 부분과 중첩할 수 있다.
제3차폐층(2170)은 제3홀(2170H) 및 소정의 면적을 갖는 부분(2170P)을 포함할 수 있고, 제4차폐층(2270)은 제4홀(2270H) 및 소정의 면적을 갖는 부분(2270P)을 포함할 수 있다. 제3 및 제4홀(2170H, 2270H) 각각은 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)의 아래에 배치된 제1 및 제2절연층(206, 207)의 아웃 개싱 통로가 될 수 있다.
제3홀(2170H) 및 제4홀(2270H)은 오프셋되어 배치된다. 도 12에 도시된 바와 같이 제3홀(2170H)의 중심과 제4홀(2270H)의 중심은 일치하지 않고 오프셋되며, 제3홀(2170H)과 제4홀(2270H)은 서로 중첩하지 않을 수 있다. 예컨대, 제3차폐층(2170)의 제3홀(2170H)은 제4차폐층(2270)의 부분(2270P)과 중첩하고, 제4차폐층(2270)의 제4홀(2270H)은 제3차폐층(2170)의 부분(2170P)과 중첩한다. 따라서, 기판(100)의 주면(main surface)에 수직인 방향에서 사영하였을 때 스위칭 회로(130)는 전체적으로 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)에 의해 커버될 수 있다.
제3 및 제4차폐층(2170, 2270)은 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다. 도 12는 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)은 제1전원공급배선(160)과 전기적으로 연결된 것을 도시한다. 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)은 제1전원공급배선(160)과 보조전원공급배선(162)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제3차폐층(2170)은 제1절연층(206)의 제1콘택홀(206H1) 및 제2콘택홀(206H2)을 통해 각각 제1전원공급배선(160) 및 보조전원공급배선(162)에 접촉하고, 제4차폐층(2270)은 제2절연층(207)의 제3콘택홀(207H1) 및 제4콘택홀(207H2)을 통해 제3차폐층(2170)과 접촉할 수 있다. 제1전원공급배선(160)의 제1전원(ELVDD, 도 5)은 보조전원공급배선(162)과 연결된 화소의 구동전압선들에 공급될 수 있다.
입력감지부의 신호라인은 스위칭 회로(130) 상에 배치될 수 있다. 이와 관련하여 도 12는 외곽영역(PA) 상에 배치된 제1신호라인(415-1 및 415-2)들을 도시한다. 제1신호라인(415-1 및 415-2)들 중 적어도 어느 하나는 스위칭 회로(130)와 중첩하며, 스위칭 회로(130)와 제1신호라인(415-1 및 415-2)들 사이에는 전술한 구조의 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)이 개재될 수 있다. 따라서 스위칭 회로(130)에서 생성된 신호가 제1신호라인(415-1 및 415-2)에 영향을 미치는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
도 10 내지 도 11에서는, 봉지부재(300)로서 박막봉지층을 도시하고 있으나, 본 발명의 다른 실시예로 표시부(10'')는 박막봉지층 대신에 앞서 도 3b를 참조하여 설명한 봉지부재(300')를 구비할 수 있음은 물론이다.
도 10 내지 도 12는 스위칭 회로(130) 상의 차폐층들, 예컨대 제3 및 제4차폐층(2170, 2270)이 제1전원(ELVDD)에 해당하는 전압을 제공받는 것을 설명하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 도 13 내지 도 15는 스위칭 회로(130) 상의 차폐층들이 제2전원(ELVSS)에 해당하는 전압을 제공받을 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시부를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 14는 도 13의 스위칭 회로 및 그 주변을 발췌한 평면도이다. 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치로서, 표시부와 입력감지부가 중첩된 상태의 단면도이다. 도 15는 도 14의 XV- XV'선에 따른 단면과 대응될 수 있다.
도 13의 표시부(10'')는 제3외곽회로로서 스위칭 회로(130)를 더 포함하고, 스위칭 회로(130) 상으로 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')이 연장된 점을 제외하고 앞서 도 4를 참조하여 설명한 표시부(10)와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
표시부(10'')는 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')은 스캔 구동회로(110), 제어 구동회로(120), 및 스위칭 회로(130)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 및 제2차폐층(1170', 1270') 중 스캔 구동회로(110) 및 제어 구동회로(120)와 중첩하는 부분은, 앞서 도 8을 참조하여 설명한 바와 같은 구조를 가질 수 있으므로, 이에 대한 설명은 앞서 도 8 등을 참조하여 설명한 내용으로 갈음한다. 이하에서는 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')과 스위칭 회로(130)의 중첩에 대하여 설명한다.
제1 및 제2차폐층(1170', 1270')은 스위칭 회로(130) 위에 배치된다. 스위칭 회로(130)와 중첩하는 제1차폐층(1170')의 제1폭(W1') 및 제2차폐층(1270')의 제2폭(W2')은 스위칭 회로(130)의 폭과 같거나 그 보다 크게 형성될 수 있다. 도 14는 제1폭(W1') 및 제2폭(W2')이 스위칭 회로(130)의 폭 보다 큰 것을 도시한다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제1차폐층(1170')은 제1절연층(206)을 사이에 두고 스위칭 회로(130) 위에 배치되며, 제2차폐층(1270')은 제2절연층(207)을 사이에 두고 제1차폐층(1170') 위에 배치될 수 있다.
제1차폐층(1170') 및 제2차폐층(1270') 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2차폐층(1170', 1270') 중 홀을 구비한 차폐층은 다른 하나의 차폐층의 부분과 중첩할 수 있다.
일 실시예로, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1차폐층(1170')은 제1홀(1170H') 및 소정의 면적을 갖는 부분(1170P')을 포함할 수 있고, 제2차폐층(1270')은 제2홀(1270H') 및 소정의 면적을 갖는 부분(1270P')을 포함할 수 있다.
제1홀(1170H') 및 제2홀(1270H')은 오프셋되어 배치된다. 도 15에 도시된 바와 같이 제1홀(1170H')의 중심과 제2홀(1270H')의 중심은 일치하지 않고 오프셋되며, 제1홀(1170H')과 제2홀(1270H')은 서로 중첩하지 않을 수 있다. 제1차폐층(1170')의 제1홀(1170H')은 제2차폐층(1270')의 부분(1270P')과 중첩하고, 제2차폐층(1270')의 제2홀(1270H')은 제1차폐층(1170')의 부분(1170P')과 중첩한다. 따라서, 기판(100)의 주면(main surface)에 수직인 방향에서 사영하였을 때 스위칭 회로(130)는 전체적으로 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')에 의해 커버될 수 있다.
제1 및 제2차폐층(1170', 1270')이 도 13에 도시된 바와 같이 제2연결배선(171)에 전기적으로 연결될 수 있음은 앞서 도 4 및 도 8을 참조하여 설명한 바와 같다.
입력감지부의 신호라인은 스위칭 회로(130) 상에 배치될 수 있다. 이와 관련하여 도 15는 외곽영역(PA) 상에 배치된 제1신호라인(415-1 및 415-2)들을 도시한다. 제1신호라인(415-1 및 415-2)들 중 적어도 어느 하나는 스위칭 회로(130)와 중첩하며, 스위칭 회로(130)와 제1신호라인(415-1 및 415-2)들 사이에는 제1 및 제2차폐층(1170', 1270')이 개재된다. 따라서 스위칭 회로(130)에서 생성된 신호가 제1신호라인(415-1 및 415-2)에 영향을 미치는 것을 방지하거나 최소화할 수 있음은 물론이다.
도 13 내지 도 15에서는, 봉지부재(300)로서 박막봉지층을 도시하고 있으나, 본 발명의 다른 실시예로 표시부(10'')는 박막봉지층 대신에 앞서 도 3b를 참조하여 설명한 봉지부재(300')를 구비할 수 있음은 물론이다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
110: 스캔 구동회로
120: 제어 구동회로
130: 스위칭 회로
150: 데이터 구동회로
160: 제1전원공급배선
162: 보조전원공급배선
170: 제2전원공급배선
410: 제1감지전극
420: 제2감지전극
415-1, 415-2, 415-3, 415-4: 제1신호라인
425-1, 425-2, 425-3, 425-4, 425-5: 제2신호라인
1170, 1170': 제1차폐층
1270, 1270': 제2차폐층
2170: 제3차폐층
2270: 제4차폐층
1170H, 1170H': 제1홀
1270H, 1270H': 제2홀
2170H: 제3홀
2270H: 제4홀

Claims (25)

  1. 표시영역 및 상기 표시영역 외측의 외곽영역을 포함하는 기판;
    상기 표시영역 상에 배치되는 표시소자;
    상기 외곽영역 상에 배치되며, 박막트랜지스터를 포함하는 외곽회로;
    상기 외곽회로 위에 배치되는 제1차폐층; 및
    상기 제1차폐층 위에 배치되는 제2차폐층;
    을 포함하며,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함하고, 상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 홀을 포함하는 차폐층은 다른 차폐층의 일 부분과 중첩하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1차폐층은 제1홀을 포함하고, 상기 제2차폐층은 제2홀을 포함하며, 상기 제1홀의 중심과 상기 제2홀의 중심은 상호 이격된, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1홀과 상기 제2홀은 비중첩하며,
    상기 제1홀은 상기 제2차폐층의 부분과 중첩하고, 상기 제2홀은 상기 제1차폐층의 부분과 중첩하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1차폐층과 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나의 아래에 배치된 유기 절연층을 더 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표시영역 상에 배치되는 감지전극들, 및 상기 외곽영역 상에 배치되고 상기 감지전극들과 전기적으로 연결된 신호라인들을 구비하는, 입력 감지부를 더 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는, 상기 외곽회로와 중첩하는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나와 상기 외곽회로 사이에 배치되는, 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된 제1신호라인부 및 제2신호라인부를 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1신호라인부와 상기 제2신호라인부 사이에는 유기 절연물질 또는 무기절연물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 절연층이 개재되며, 상기 콘택홀은 상기 절연층에 형성된, 표시 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 표시소자는 순차적으로 적층된 화소전극, 발광층 및 대향전극을 포함하되, 상기 대향전극의 단부는 상기 외곽영역을 향해 연장되는, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는, 상기 대향전극의 단부와 상기 기판의 외측 가장자리 사이에 해당하는 영역 상에 배치되는, 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 동일한 전압 레벨을 갖는, 표시 장치.
  13. 표시영역 및 상기 표시영역 외측의 외곽영역을 포함하는 기판;
    상기 표시영역 상에 배치된 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함하는 표시소자;
    상기 표시영역 상에 배치된 감지전극들, 및 상기 감지전극들에 연결되며 상기 외곽영역 상에 배치된 신호라인들을 포함하는 입력감지부;
    상기 외곽영역 상에 배치된 외곽회로; 및
    상기 외곽영역 상에 배치되되, 상기 외곽회로와 상기 신호라인들 사이에 개재되는 제1차폐층 및 제2차폐층;
    을 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1차폐층의 아래에 배치된 제1절연층, 및 상기 제2차폐층의 아래에 배치된 제2절연층을 더 포함하며, 상기 제1차폐층과 상기 제2차폐층 사이에는 상기 제2절연층이 개재된, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1절연층 및 상기 제2절연층 중 적어도 어느 하나는 유기 절연물질을 포함하는, 표시 장치.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 적어도 어느 하나는 홀을 포함하는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층 중 홀을 포함하는 차폐층은 다른 차폐층의 부분과 중첩하는, 표시 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 표시소자는 상기 화소전극과 마주보는 대향전극을 포함하며, 상기 대향전극의 단부는 상기 외곽영역으로 연장된, 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 대향전극의 단부는 상기 외곽회로를 커버하는, 표시 장치.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 신호라인들 중 적어도 어느 하나는 상기 대향전극의 단부와 상기 기판의 외측 가장자리 사이에 해당하는 영역 상에 배치되는, 표시 장치.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 외곽영역 상에 배치되며 상기 표시영역 상의 상기 박막트랜지스터에 제1전원을 제공하는 제1전원전압배선, 및
    상기 외곽영역 상에 배치되며, 상기 제1전원과 다른 제2전원을 상기 표시소자에 제공하는 제2전원전압배선을 더 포함하며,
    상기 제1차폐층 및 상기 제2차폐층은 상기 제1전원전압배선 또는 상기 제2전원전압배선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  22. 제13항에 있어서,
    상기 입력감지부의 아래에 배치되며, 상기 표시소자 및 상기 외곽회로를 커버하는 봉지부재를 포함하는, 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 봉지부재는, 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는, 표시 장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 봉지부재는 상기 표시영역을 둘러싸는 실링재 및 상기 실링재를 사이에 두고 상기 기판과 마주보는 봉지기판을 포함하는, 표시 장치.
  25. 제13항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 스캔선, 데이터선, 제어선 중 적어도 어느 하나의 라인을 더 포함하고,
    상기 외곽회로는 상기 적어도 어느 하나의 라인과 전기적으로 연결된, 표시 장치.
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