CN108598118A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

一种显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108598118A
CN108598118A CN201810384797.8A CN201810384797A CN108598118A CN 108598118 A CN108598118 A CN 108598118A CN 201810384797 A CN201810384797 A CN 201810384797A CN 108598118 A CN108598118 A CN 108598118A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panel
driving circuit
layer
line
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810384797.8A
Other languages
English (en)
Inventor
田宏伟
牛亚男
刘政
李良坚
李栋
赵梦
韩龙
郑灿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810384797.8A priority Critical patent/CN108598118A/zh
Publication of CN108598118A publication Critical patent/CN108598118A/zh
Priority to PCT/CN2019/083516 priority patent/WO2019206051A1/zh
Priority to US16/624,286 priority patent/US11751442B2/en
Priority to US18/221,420 priority patent/US20230363220A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于解决窄边框设计要求下，布线密度较大的问题。该显示面板包括显示区。显示面板还包括位于显示区的发光器件，以及位于显示区周边的驱动电路、显示面板还包括与驱动电路的位置相对应的电极电源线，电极电源线与发光器件的上电极电连接。驱动电路与电极电源线之间具有至少一层绝缘层。上述显示面板用于进行图像显示。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
随着显示面板分辨率的不断提升以及全面屏设计的不断发展，显示装置的边框尺寸越来越小，布线密度越来越大，为了避免线路发生短路，对制作工艺的要求也越来越高，从而不利于产品成本的控制。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及显示装置，用于解决窄边框设计要求下，布线密度较大的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本申请实施例的一方面，提供一种显示面板，包括显示区；所述显示面板还包括位于所述显示区的发光器件，以及位于所述显示区周边的驱动电路；所述显示面板还包括与所述驱动电路的位置相对应的电极电源线，所述电极电源线与所述发光器件的上电极电连接；所述驱动电路与所述电极电源线之间具有至少一层绝缘层。
可选的，所述电极电源线上设置有多个开孔，所述开孔与所述驱动电路中的部分金属图案的位置相对应。
可选的，所述驱动电路包括多个晶体管，所述金属图案包括所述晶体管的栅极、源极或漏极；一个所述开孔与至少一个晶体管的栅极、源极和/或漏极的位置相对应。
可选的，所述驱动电路包括金属走线，所述金属图案包括所述金属走线；所述开孔的位置与所述金属走线的至少一部分相对应。
可选的，同一条所述金属走线对应有多个所述开孔；与同一条所述金属走线相对应的多个所述开孔的面积之和，为所述金属走线的面积的20％以上。
可选的，所述至少一层绝缘层包括有机绝缘层和/或无机绝缘层。
可选的，所述绝缘层包括所述有机绝缘层和所述无机绝缘层；所述无机绝缘层靠近所述驱动电路，所述有机绝缘层靠近所述电极电源线。
可选的，所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。
可选的，所述绝缘层中与所述驱动电路中金属图案的位置对应部分的厚度大于所述绝缘层中其余部分的厚度。
本申请实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。
由上述可知，由于本申请实施例提供的显示面板中，电极电源线与上述位于显示区周边的驱动电路的位置相对应。此外，上述驱动电路与电极电源线之间具有至少一层绝缘层。因此，该驱动电路1在衬底基板上的正投影，与电极电源线在衬底基板上的正投影具有重叠区域。这样一来，在显示面板的制作过程中，可以先在上述衬底基板上完成驱动电路的制备，例如制备该驱动电路中的TFT、电容等电子元件。然后，在制作由该驱动电路的衬底基板上制作覆盖该驱动电路的绝缘层。接下来，在制作有驱动电路和绝缘层的衬底基板上，且对应该驱动电路的位置制作上述与阴极层电连接的电极电源线。在此情况下，上述驱动电路，例如栅极驱动电路中的金属图案，例如TFT的栅极、源极、漏极，以及与栅极同层的金属走线，或者与源极同层的金属走线均与电极电源线异层且绝缘设置，从而能够避免电极电源线占用栅极驱动电路周边的布线空间，使得显示区周边的布线空间可以进一步得到压缩的同时，无需增大栅极驱动电路自身的布线密度，达到解决了窄边框设计要求下，布线密度较大的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为图1所示的显示面板的部分区域的剖面示意图；
图3为图1中栅极驱动电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的阴极层与电极电源线的结构示意图；
图5为图4中电极电源线与栅极驱动电路的一种位置示意图；
图6为本申请实施例提供的电极电源线上的开孔结构示意图；
图7a为图6中开孔的一种设置方式示意图；
图7b为图6中开孔的另一种设置方式示意图；
图8为图6中开孔与TFT的位置相对应的一种设置方式示意图；
图9为图6中开孔与TFT的位置相对应的另一种设置方式示意图；
图10为图6中开孔与TFT的位置相对应的又一种设置方式示意图；
图11为图6中开孔与TFT的位置相对应的又一种设置方式示意图；
图12为开孔与TFT的位置相对应的一种设置方式示意图；
图13为图4中电极电源线与栅极驱动电路的另一种位置示意图；
图14为图4中电极电源线与栅极驱动电路的另一种位置示意图；
图15为图4中电极电源线与栅极驱动电路的另一种位置示意图；
图16为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方式流程图；
图17为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板01，如图1所示，包括显示区100，即有效显示区(Active Area，AA)。此外，该显示面板01还包括位于上述显示区100的发光器件D，以及位于上述显示区100周边的驱动电路。该驱动电路可以为栅极驱动电路(Gate Driver onArray，GOA)101或者源极驱动电路，以下为了方便说明，均是以该驱动电路为栅极驱动电路101为例。
其中，上述显示区100内可以设置阵列排布的亚像素110，每个亚像素内设置有像素电路，该像素电路可以包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、电容以及上述发光器件D。图1中的像素电路为2T1C结构，即该像素电路包括两个TFT和一个电容为例进行的说明。
上述发光器件D可以为发光二极管(Light Emitting Diode，LED)或者有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。
示例性的，上述发光器件D，如图2所示，包括相对设置的上电极10和下电极11。其中，上电极10相对于下电极11而言，更远离衬底基板02。上述上电极10可以为阴极，下电极11可以为阳极；或者上电极10可以为阳极，下电极11可以为阴极。以下为了方便说明，均是以上电极10为阴极，下电极11为阳极为例。
上述衬底基板02可以为玻璃基板或者硬质的树脂基板；或者，该衬底基板02还可以为柔性树脂基板。在此情况下，当采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)工艺对制作有发光器件D的基板进行封装时，上述显示面板01可以为柔性显示面板。此时，位于上述显示区100周边的部分可以为弯折区，通过将弯折区进行弯折，以减少边框尺寸，有利于实现全面屏。
基于此，如图3所示，上述栅极驱动电路101包括多个级联的移位寄存器子电路(RS1、RS2……RSn)。其中，n≥2，n为正整数。
每个移位寄存器子电路RS的输出端OUTPUT与一条栅线相连接，该以为移位寄存器子电路RS可以控制位于同一行的亚像素中的像素电路中的TFT的通、断状态。在此情况下，在栅极驱动电路101的控制下，可以将上述源极驱动电路提供的数据电压通过数据线输出至每个像素电路中的发光器件D的下电极11上。这样一来，当向上电极10施加电压，例如电压VSS后，在上电极10与下电极11之间的电场作用下，可以驱动位于该上电极10与下电极11之间的发光层发光，从而实现点亮发光器件D的目的。
基于此，为了实现向位于不同亚像素中的发光器件D的下电极11提供的不同的数据电压，各个发光器件D的下电极11可以为块状，且相互绝缘。例如，如图2所示，相邻两个发光器件D的下电极11之间可以通过像素定义层(Pixel Define Layer，PDL)12间隔开。
此外，不同的发光器件D的上电极10可以施加相同的电压，在此情况下，所有发光器件D的上电极10可以相互电连接以构成一整层电极层。当上电极10为阴极时，上述一整层电极层可以为如图4所示的阴极层102。
基于此，为了向上述阴极层102提供电压，上述显示面板01如图4所示还包括设置于该阴极层102周边，且与该阴极层102电连接的电极电源线20。在此情况下，上述电极电源线20与每个发光器件D的上电极10电连接。
在此基础上，本申请提供的实施例中，如图5所示，该电极电源线20与上述位于显示区100周边的驱动电路，例如栅极驱动电路101的位置相对应。此外，上述栅极驱动电路101与电极电源线20之间具有至少一层绝缘层21。
基于此，该栅极驱动电路101在衬底基板02上的正投影，与电极电源线20在衬底基板02上的正投影具有重叠区域。这样一来，在显示面板01的制作过程中，可以先在上述衬底基板02上完成栅极驱动电路101的制备，例如制备该栅极驱动电路101中的TFT、电容等电子元件。然后，在制作由该栅极驱动电路101的衬底基板02上制作覆盖该栅极驱动电路101的绝缘层21。接下来，在制作有栅极驱动电路101和绝缘层21的衬底基板02上，且对应该栅极驱动电路101的位置制作上述与阴极层102电连接的电极电源线20。
在此情况下，上述栅极驱动电路101中的金属图案，例如TFT的栅极、源极、漏极，以及与栅极同层的金属走线，或者与源极(或漏极)同层的金属走线(例如，CLK走线)均与电极电源线20异层且绝缘设置，从而能够避免电极电源线20占用栅极驱动电路101周边的布线空间，使得显示区100周边的布线空间可以进一步得到压缩的同时，无需增大栅极驱动电路101自身的布线密度，达到解决了窄边框设计要求下，布线密度较大的问题。
在此基础上，当栅极驱动电路101的上方覆盖一层金属层，即上述电极电源线20，且该金属层长时间处于加电压(VSS)状态时，会存在以下问题：首先，上述位于栅极驱动电路101中TFT的栅极上方，覆盖上述电极电源线20时，会对该TFT的沟道造成一定的影响，特别是宽长比较大的晶体管，例如驱动晶体管的沟道。
此外，栅极驱动电路101中的移位寄存器子电路RS如图3所示，需要连接一些金属走线，例如CLK走线。当上述金属走线的上方覆盖有电极电源线20时，金属走线会与电极电源线20之间形成电容，从而产生耦合效应。在此情况下，一方面，上述金属走线通常会传输交流信号，该交流信号会在上述耦合效应的影响下，使得金属走线出现发热过度而导致损毁。另一方面，不同金属走线之间的耦合信号，会导致需要传递的信号出现延时，从而造成信号衰减，进而会影响栅极驱动电路101的正常工作。
为了降低上述耦合效应，如图6所示，本申请实施例提供的电极电源线20上设置有多个开孔201，该开孔201与驱动电路，例如上述栅极驱动电路101中的部分金属图案的位置相对应。
这样一来，上述电极电源线20上开孔201位置处，构成电极电源线20的材料被去除，从而可以使得上述开孔201位置处，该电极电源线20不会与位于下方的栅极驱动电路101中的部分金属图案之间产生上述耦合效应。
以下针对栅极驱动电路101中不同的金属图案，对上述电极电源线20中的开孔201的设置方式进行举例说明。
示例一
在上述栅极驱动电路101包括多个TFT的情况下，该栅极驱动电路101中的金属图案可以包括TFT的栅极(G)、源极(S)或漏极(D)。
在此情况下，如图7a所示，电极电源线20上的一个开孔201与至少一个TFT的栅极、源极和/或漏极的位置相对应。
示例性的，上述一个开孔201可以与一个TFT的位置相对应，或者，一个开孔201还可以与多个TFT相对应。
需要说明的是，当一个开孔201与多个TFT的位置相对应时，该开孔201的形状可以，如图7b所示，为长条形，使得该开孔201的面积增大。
其中，上述与开孔201相对应的TFT可以为驱动晶体管(简称DTFT)或者为选择晶体管(简称STFT)。
需要说明的是，在移位寄存器子电路中具有一些宽长比较大的驱动晶体管，上述驱动晶体管能够带动一定的负载。此外，相对于上述驱动晶体管而言，选择晶体管的宽长比较小。该选择晶体管在导通后，仅仅需要将源极(或漏极)的信号传输至漏极(或源极)即可。
基于此，如图8所示，上述电极电源线20上的每一开孔201可以与一个DTFT的位置相对应。
或者，如图9所示，上述电极电源线20上中的一部分开孔201与DTFT的位置相对应，而另一部分开孔201与STFT的位置相对应。
本申请对多个开孔201的位置不做限定，可以如图8或图9所示，多个开孔201沿横向或纵向整齐排列，或者如图10所示，交叉排列。
示例二
在上述栅极驱动电路101还包括与该栅极驱动电路101中的移位寄存器子电路RS相连接的金属走线(例如如图3所示的CLK走线)的情况下，上述金属图案包括上述金属走线。
基于此，如图11所示，上述开孔201的位置与金属走线(例如，CLK走线)的至少一部分相对应。
在此基础上，如图12所示，同一条金属走线(例如，CLK走线)对应有多个开孔201。
此外，与同一条金属走线(例如，CLK走线)相对应的多个开孔201的面积之和，为该金属走线的面积的20％以上。这样一来，通过控制开孔201的数量，可以在减小电极电源线20与金属走线交叠面积的同时，确保电极电源线20的导通性能不会受到较大的影响。
在电极电源线20的导通性较好的情况下，示例性的，与同一条金属走线(例如，CLK走线)相对应的多个开孔201的面积之和，可以为该金属走线的面积80％或者90％。
此外，本申请对与同一条金属走线相对应的多个开孔201的分布情况不做限定，例如，与同一条金属走线相对应的多个开孔201可以连续分布，此时，相邻两个开孔201之间的间距较小。或者，与同一条金属走线相对应的多个开孔201还可以分散分布，此时，此时相邻两个开孔201之间的间距较大。
由上述可知，电极电源线20上的开孔201可以与TFT的位置相对应或者与金属走线的位置相对应。此外，上述一个开孔201中可以即与TFT相对应还与金属走线相对应。
需要说明的是，上述开孔201均是以方形开孔为例进行的说明。本申请对开孔的形状不做限定，可以为上述方形，或者圆形、三角形、菱形以及不规则形状等。
此外，由上述可知，为了使得栅极驱动电路101中的金属图案与上述电极电源线20绝缘设置，如图5所示，该栅极驱动电路101与栅极驱动电路101之间设置有至少一层绝缘层21。以下对上述至少一层绝缘层21的设置方式进行举例说明。
示例性的，如图13所示，上述至少一层绝缘层21可以包括一层有机绝缘层210。该有机绝缘层210可以为由树脂材料构成的平坦化层(PLN)。该有机绝缘层210的厚度可以为500nm～5000nm。当有机绝缘层210的厚度小于500nm时，会弱化该有机绝缘层210的平坦化作用以及绝缘效果。当有机绝缘层210的厚度大于5000nm时，虽然有利于提高平坦化作用和绝缘效果，但是膜层的厚度太大，不利于显示面板01超薄化设计的要求。基于此，可选的，该有机绝缘层210的厚度可以为800nm～2000nm。
或者，示例性的，如图14所示，上述至少一层绝缘层21可以包括一层无机绝缘层211。该无机绝缘层211可以为由氮化硅和/或氮氧化硅材料构成的钝化层(PVX)。该无机绝缘层211的厚度可以为100nm～500nm。当无机绝缘层211的厚度小于100nm时，会弱化该无机绝缘层211的绝缘效果。当无机绝缘层211的厚度大于500nm时，虽然有利于提高绝缘效果，但是膜层的厚度太大，不利于显示面板01超薄化设计的要求。基于此，可选的，该无机绝缘层211的厚度可以为150nm～300nm。
又或者，示例性的，如图15所示，上述至少一层绝缘层21可以包括一层有机绝缘层210和一层无机绝缘层211。
基于此，可选的，无机绝缘层211相对于有机绝缘层210，更靠近栅极驱动电路101。这样一来，可以通过无机绝缘层211对栅极驱动电路101进行保护，避免水汽或氧气进入到栅极驱动电路101中，对该栅极驱动电路101的性能造成影响。
此外，当至少一层绝缘层21包括一层有机绝缘层210和一层无机绝缘层211时，有机绝缘层210和无机绝缘层211的厚度设置同上所述。此时，可选的，有机绝缘层210的厚度可以大于无机绝缘层211的厚度，从而可以通过有机绝缘层210增加栅极驱动电路101中的金属图案与上述电极电源线20之间的间距，减小电极电源线20与上述金属图案之间的耦合效应对该栅极驱动电路101中TFT以及传输信号的影响。
在此基础上，如图13、图14或图15所示，该栅极驱动电路101中包括具有金属图案的部分110以及未设置金属图案的部分101。在此情况下，在制作上述至少一层绝缘层21时，该绝缘层21(例如，有机绝缘层210和/或无机绝缘层211)中与栅极驱动电路中的金属图案的位置，即栅极驱动电路101中具有金属图案的部分110对应的厚度大于绝缘层21中其余部分的厚度。
其中，如图13、图14或图15中，是以将栅极驱动电路101中未设置金属图案的部分101上方的绝缘层21的材料全部去除为例进行的说明。
在此情况下，当该绝缘层21的上方形成有上述电极电源线20时，该电极电源线20背离衬底基板02的表面凹凸不平。此时，当在该电极电源线20背离衬底基板02的表面形成后续薄膜层时，后续薄膜层会保持上述凹凸不平的形状，这样一来，在薄膜封装的过程中，当采用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)工艺制作如图2所示的有机封装层03时，该有机封装层03在流平的过程中，电极电源线20背离衬底基板02一侧的凸起部分会对上述有机封装层03的流平进行阻挡，从而起到围堰(Dam)的作用，达到防止有机封装层03流出预设区域的目的。
以下，以图15所示的结构为例，对显示面板01的制作过程进行说明。
示例性的，上述制作方法如图16所示，包括：
S101、制作像素电路以及栅极驱动电路101。
示例性的，在如图17所示的衬底基板02上，通过构图工艺制作TFT的有源层(P-Si)、栅极(G)、源极(S)以及漏极(D)。其中，栅极(G)与有源层之间具有第一栅极绝缘层GL1，栅极(G)与源极(S)，或栅极(G)与漏极(D)之间具有第二栅极绝缘层GL2和层间介质层ILD。
此外，为了形成上述像素电路以及栅极驱动电路101之间的电容，还可以在第二栅极绝缘层GL2和层间介质层ILD之间制作由栅极金属层构成的金属图案，以形成上述电容的一个电极。
基于此，在制作源极(S)以及漏极(D)的过程中，可以通过一次构图工艺制作上述栅极驱动电路101中的金属走线，例如CLK走线。
需要说明的是，在本申请中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本申请实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
S102、制作上述至少一层绝缘层21。
示例性的，在形成有上述源极(S)以及漏极(D)的衬底基板上，如图15所示，制作一层无机绝缘层211和一层有机绝缘层210。其中，无机绝缘层211和有机绝缘层210的材料以及厚度的设置方式同上所述，此处不再赘述。
此时，为了使得上述至少一层绝缘层21能够在起到对栅极驱动电路101和电极电源线20进行绝缘的同时，对封装薄膜层中的有机封装层03在流平过程中进行阻挡，可选的，可以增大上述无机绝缘层211和有机绝缘层210的厚度，并采用半透过掩膜版(Halftone)对构成无机绝缘层211和有机绝缘层210的材料进行掩膜曝光，使得有机绝缘层210和无机绝缘层211中与未设置金属图案的部分101对应位置处的材料的厚度得到减薄或者去除。此时，有机绝缘层210和无机绝缘层211中与栅极驱动电路中与具有金属图案的部分110对应的厚度大于绝缘层21中其余部分的厚度。这样一来，电极电源线20背离衬底基板02一侧的凸起部分会对上述有机封装层03的流平进行阻挡，从而起到围堰(Dam)的作用。
在此基础上，当上述绝缘层的厚度增大后，可以有效减小电极电源线20对栅极驱动电路101中TFT和金属走线的影响。此外，由电容的公式可知，可以相应的减小电极电源线20上开孔201的大小，这样一来，能够避免增大电极电源线20的电阻，使得电极电源线20仍然能够保持未开孔时良好的导通状态。
S103、制作电极电源线20以及该电极电源线20上的开孔201。
示例性的，可以在形成有上述至少一层绝缘层21的衬底基板02上，沉积一层金属层，该金属层可以与构成源极和漏极的材料相同。
然后通过构图工艺对上述金属层进行图案化，以形成上述开孔201。该开孔201可以与栅极驱动电路101中的TFT和/或金属走线的位置相对应。其中，该开孔201的设置方式同上所述，此处不再赘述。
需要说明的是，与TFT位置相对应的开孔201和与金属走线相对应的开孔201可以通过一次构成工艺进行制备，或者分别通过两次构图工艺进行。本申请对此不做限定。
这样一来，通过将栅极驱动电路101中的TFT和/或金属走线上方的金属进行移除，能够避免栅极驱动电路101上方制作电极电源线20，对栅极驱动电路101中TFT以及金属走线上信号传输的影响。
S104、进行薄膜封装工艺。
示例性的，可以采用薄膜封装工艺对形成有上述结构的基板进行封装。其中，形成的薄膜封装层至少包括两层无机封装层和一层有机封装层，且该有机封装层位于上述两层无机封装层之间。
需要说明的是，上述制作方法是以，如图15所示的至少一层绝缘层21包括无机绝缘层211和有机绝缘层210为例进行的说明，当绝缘层的设置方式采用如图13或如图14的方式时，只需要对上述步骤S102进行相应的调整即可，此处不再一一赘述。
本申请实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板，该显示装置具有与前述实施例提供的显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。
需要说明的是，上述显示装置可以为显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区；
所述显示面板还包括位于所述显示区的发光器件，以及位于所述显示区周边的驱动电路；
所述显示面板还包括与所述驱动电路的位置相对应的电极电源线，所述电极电源线与所述发光器件的上电极电连接；
所述驱动电路与所述电极电源线之间具有至少一层绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述电极电源线上设置有多个开孔，所述开孔与所述驱动电路中的部分金属图案的位置相对应。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括多个晶体管，所述金属图案包括所述晶体管的栅极、源极或漏极；
一个所述开孔与至少一个晶体管的栅极、源极和/或漏极的位置相对应。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路包括金属走线，所述金属图案包括所述金属走线；
所述开孔的位置与所述金属走线的至少一部分相对应。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，同一条所述金属走线对应有多个所述开孔；
与同一条所述金属走线相对应的多个所述开孔的面积之和，为所述金属走线的面积的20％以上。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少一层绝缘层包括有机绝缘层和/或无机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层包括所述有机绝缘层和所述无机绝缘层；
所述无机绝缘层靠近所述驱动电路，所述有机绝缘层靠近所述电极电源线。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。
9.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层中与所述驱动电路中金属图案的位置对应部分的厚度大于所述绝缘层中其余部分的厚度。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
CN201810384797.8A 2018-04-26 2018-04-26 一种显示面板及显示装置 Pending CN108598118A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810384797.8A CN108598118A (zh) 2018-04-26 2018-04-26 一种显示面板及显示装置
PCT/CN2019/083516 WO2019206051A1 (zh) 2018-04-26 2019-04-19 显示面板及显示装置
US16/624,286 US11751442B2 (en) 2018-04-26 2019-04-19 Display panel and display device
US18/221,420 US20230363220A1 (en) 2018-04-26 2023-07-13 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810384797.8A CN108598118A (zh) 2018-04-26 2018-04-26 一种显示面板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108598118A true CN108598118A (zh) 2018-09-28

Family

ID=63610073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810384797.8A Pending CN108598118A (zh) 2018-04-26 2018-04-26 一种显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11751442B2 (zh)
CN (1) CN108598118A (zh)
WO (1) WO2019206051A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109283733A (zh) * 2018-11-09 2019-01-29 昆山龙腾光电有限公司 一种反射式显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN109658824A (zh) * 2019-02-28 2019-04-19 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110010078A (zh) * 2019-03-14 2019-07-12 合肥京东方卓印科技有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置
WO2019206051A1 (zh) * 2018-04-26 2019-10-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111403447A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法以及显示装置
CN113097263A (zh) * 2021-03-25 2021-07-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2022252024A1 (zh) * 2021-05-31 2022-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2023122980A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023168602A1 (zh) * 2022-03-08 2023-09-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及制备方法
US11785814B2 (en) 2020-08-31 2023-10-10 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
WO2023226626A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及制作方法
US12029088B2 (en) 2021-03-25 2024-07-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114446255B (zh) * 2022-01-20 2023-02-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6461051A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Fujitsu Ltd Semiconductor storage device
CN1668152A (zh) * 2004-03-09 2005-09-14 三星Sdi株式会社 电致发光显示器件
JP2009175389A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Sony Corp 表示装置
CN102473367A (zh) * 2009-07-01 2012-05-23 夏普株式会社 有源矩阵基板和有机el显示装置
CN204464282U (zh) * 2014-02-24 2015-07-08 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板
CN105552083A (zh) * 2014-10-27 2016-05-04 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2003271075A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Toshiba Corp 表示装置
KR100615212B1 (ko) 2004-03-08 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
CN102270413A (zh) * 2011-08-19 2011-12-07 华映光电股份有限公司 显示装置
KR20180080741A (ko) * 2017-01-04 2018-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102360094B1 (ko) * 2017-09-15 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102470042B1 (ko) * 2017-11-16 2022-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102552266B1 (ko) * 2018-01-31 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108598118A (zh) 2018-04-26 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6461051A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Fujitsu Ltd Semiconductor storage device
CN1668152A (zh) * 2004-03-09 2005-09-14 三星Sdi株式会社 电致发光显示器件
JP2009175389A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Sony Corp 表示装置
CN102473367A (zh) * 2009-07-01 2012-05-23 夏普株式会社 有源矩阵基板和有机el显示装置
CN204464282U (zh) * 2014-02-24 2015-07-08 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板
CN105552083A (zh) * 2014-10-27 2016-05-04 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11751442B2 (en) 2018-04-26 2023-09-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device
WO2019206051A1 (zh) * 2018-04-26 2019-10-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN109283733A (zh) * 2018-11-09 2019-01-29 昆山龙腾光电有限公司 一种反射式显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN109658824A (zh) * 2019-02-28 2019-04-19 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109658824B (zh) * 2019-02-28 2021-07-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110010078A (zh) * 2019-03-14 2019-07-12 合肥京东方卓印科技有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置
CN111403447A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法以及显示装置
US11785814B2 (en) 2020-08-31 2023-10-10 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN113097263A (zh) * 2021-03-25 2021-07-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
US12029088B2 (en) 2021-03-25 2024-07-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
CN113097263B (zh) * 2021-03-25 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2022252024A1 (zh) * 2021-05-31 2022-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US11948500B2 (en) 2021-05-31 2024-04-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
WO2023122980A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023168602A1 (zh) * 2022-03-08 2023-09-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及制备方法
WO2023226626A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019206051A1 (zh) 2019-10-31
US20200119127A1 (en) 2020-04-16
US20230363220A1 (en) 2023-11-09
US11751442B2 (en) 2023-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108598118A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN106972030B (zh) 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
CN110047898B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
KR101084183B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN108281468B (zh) 一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置
CN109860204A (zh) 显示装置及其制造方法
US20180233549A1 (en) Organic light emitting display panel and manufacturing method thereof, display device
KR101106562B1 (ko) 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR100635066B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN106920829A (zh) 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
CN111952323B (zh) 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN109860227A (zh) 有机发光显示装置
CN108550553A (zh) 一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置
CN107634087A (zh) 一种显示面板及显示装置
JP2006146205A (ja) 平板表示装置及びその製造方法
CN109326612A (zh) 显示基板和显示装置
CN209434190U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108091675A (zh) 显示基板及其制作方法
CN207517281U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN207425859U (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109742106A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN211789021U (zh) 显示面板和显示装置
CN110379310A (zh) 一种柔性显示模组及其制备方法、柔性显示装置
CN110416257A (zh) 显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板
KR102157689B1 (ko) 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180928

RJ01 Rejection of invention patent application after publication