KR20190016968A

KR20190016968A - 플래시 메모리에 대한 리프레시 관리

Info

Publication number: KR20190016968A
Application number: KR1020187036425A
Authority: KR
Inventors: 현석 신; 로버트 하다커; 훙 브엉
Original assignee: 퀄컴 인코포레이티드
Priority date: 2016-06-20
Filing date: 2017-06-07
Publication date: 2019-02-19
Also published as: JP7348325B2; US20170365352A1; CN114758711A; CN109328386A; US20190066811A1; CA3026804C; ES2874279T3; KR102508868B1; JP2019522284A; US10199115B2; US10360987B2; JP2022070884A; EP3472840A1; WO2017222818A1; BR112018075661A2; EP3472840B1; CN109328386B; JP7213690B2; EP3594952A1; CA3026804A1

Abstract

플래시 메모리의 호스트-구동되는 데이터 리프레시를 위한 시스템들 및 방법은, 리프레시를 언제 시작/중지할지, 메모리에서의 타겟 파티션들, 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들, 리프레시 레이트 요건들 등과 같은, 리프레시 동작들에 관련된 다양한 설정들을 저장하기 위해 플래시 메모리에서 제공된 레지스터들을 포함한다. 호스트는, 대응하는 레지스터들을 통해, 리프레시 시작/중지, 메모리에서의 타겟 파티션들, 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들에 대한 다양한 설정들을 제어할 수 있고; 그리고, 플래시 메모리는, 대응하는 레지스터들을 통해 리프레시 레이트 요건들에 관련된 다양한 값들을 제어할 수 있다. 이러한 방식으로, 플래시 메모리 내에 그것의 리프레시 동작들을 위한 표준 플랫폼 또는 인터페이스가 제공된다.

Description

플래시 메모리에 대한 리프레시 관리

관련 출원들에 대한 상호 참조

본 특허 출원은 2016년 6월 20일 출원된 "MANAGING REFRESH FOR FLASH MEMORY" 라는 제목의 미국 가 특허 출원 제 62/352,393 호의 이익을 주장하고, 이 출원은 계류 중이고, 본원의 양수인에게 양도되었으며, 그 전체가 참조에 의해 본원에 명시적으로 통합된다.

개시의 분야

개시된 양태들은 플래시 메모리에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 예시적인 양태들은 플래시 메모리에서 데이터 보유를 향상시키기 위한 리프레시 동작들에 관한 것이다.

플래시 메모리는 전기적으로 프로그래밍되고, 소거되고, 재프로그래밍될 수 있는 비-휘발성 메모리 또는 저장 매체이다. 플래시 메모리에서, 정보는 플로팅-게이트 트랜지스터들로 이루어진 메모리 셀들의 어레이에서 저장될 수도 있다. 메모리 셀들은, 각 메모리 셀이 오직 하나의 정보 비트만을 저장하는 단일-레벨 셀 (SLC) 들 또는 각 메모리 셀이 하나보다 많은 정보 비트를 저장할 수 있는 멀티-레벨 셀 (MLC) 들 (예컨대, 트리플-레벨 셀 (TLC) 들) 일 수도 있다. 2 가지 주요 타입들의 플래시 메모리: NAND 타입 플래시 메모리 및 NOR 타입 플래시 메모리가 존재하고, 여기서, 메모리 셀들은 각각 대응하는 NAND 및 NOR 로직 게이트들과 유사한 특성들을 보인다. 플래시 메모리는 메모리 카드들, 범용 동기 버스 (USB) 플래시 드라이브들, 솔리드-스테이트 하드 드라이브들 등과 같은 다양한 애플리케이션들에서 보인다.

플래시 메모리들의 이점들은 비-휘발성, 고속 판독 액세스 시간들, 기계적 충격 저항성, 높은 내구성 등과 같은 특성들을 포함한다. 하지만, 플래시 메모리들은 또한 몇가지 결점들을 가질 수도 있다. 예를 들어, 비록 플래시 메모리는 랜덤 액세스 방식으로 한 번에 하나의 바이트 또는 하나의 워드로 판독되거나 프로그래밍될 수 있음에도 불구하고, 플래시 메모리는 한 번에 (다수의 워드들을 포함하는) 하나의 블록이 오직 소거될 수도 있다. 다른 결점은, 플래시 메모리가 닳고 그것의 저장의 무결성이 저하되기 전에 플래시 메모리에 의해 지원될 수도 있는 유한 수의 프로그래밍/소거 사이클들에 관련된다. 또 다른 결점은, "판독 교란 (read disturb)" 으로서 지칭되는 특성에 관한 것이고, 여기서, NAND 플래시 메모리의 특정 메모리 셀들 상에서의 판독 동작은 예를 들어 동일 메모리 블록 내의 이웃하는 메모리 셀들에 저장된 정보로 하여금 시간에 걸쳐 변경되거나 부정확하게 프로그래밍되게 할 수 있다. 유사한 문제가 또한 프로그래밍 교란으로 발생할 수도 있고, 여기서, 일부 메모리 셀들을 프로그래밍 (programming) 하는 것은 다른 메모리 셀들의 의도되지 않은 교란을 초래할 수도 있다. 또한, 플래시 메모리의 메모리 셀들에서의 정보의 저장은 메모리 셀들의 플로팅-게이트들이 하전되는 것에 기초한다. 하지만, 시간에 걸쳐, 플로팅 게이트들로 인한 메모리 셀들로부터의 전하 손실의 문제점들은 또한 메모리 셀들의 저장 무결성의 손실을 초래할 수도 있다.

다양한 상기 언급된 결점들은 예를 들어 NAND 플래시 메모리를 포함하는 플래시 메모리에 저장된 데이터에서의 에러들 또는 비트-플립들을 초래할 수도 있다. 비트-플립들이 발생할 수도 있는 비율은 플래시 메모리가 보다 많은 프로그래밍/소거 사이클들과 함께 노화됨에 따라 증가할 수 있다. 비트-플립 에러 레이트는 또한, 기술 스케일링 (축소) 과 함께 간섭이 증가할 수 있기 때문에, 디바이스 사이즈들이 축소됨에 따라, 메모리 기술의 진보하는 세대들과 함께 증가할 수도 있다.

비록 비트-플립 에러들은 플래시 메모리에서 저장된 데이터를 리프레시 (예컨대, 재기입 또는 스크러빙) 함으로써 정정 또는 복원될 수도 있지만, 플래시 저장 디바이스들에서 저장된 데이터를 리프레시하기 위한 산업에서의 표준 메커니즘이 존재하지 않는다. 일반적으로, 플래시 저장 디바이스들에서의 데이터 리프레시 동작들은 다양한 제조자들에 걸쳐 변화할 수도 있는 판매자-특정적 방식으로 수행될 수도 있다. 예를 들어, 소비 또는 프로세싱 디바이스가 NAND 플래시 메모리의 페이지로부터 데이터를 판독할 때, 에러 제어 코딩 (ECC) 이 그 페이지 상에서 수행되는 경우에, 데이터 리프레시의 한 가지 방식은, 정정될 에러들을 갖는 비트들의 수가 사전-규정된 임계치보다 더 큰지를 결정하는 것에 기초할 수도 있다. 이러한 비트 에러들의 수가 사전-규정된 임계치보다 더 큰 경우에, 프로세싱 디바이스 (또는 프로세싱 디바이스에서의 메모리 제어기) 는 NAND 플래시 메모리의 그 페이지 상에서 리프레시 동작이 수행되도록 지시할 수도 있다. 하지만, 리프레시 동작들을 지시하는 이러한 방법은 다양한 소비 디바이스들에 걸쳐 표준이 아니고, 이와 같이, 상이한 소비 디바이스들은 동일한 NAND 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 지시하는 상이한 방식들을 채용할 수도 있다.

일부 경우들에서, 플래시 메모리의 리프레시 동작은, 소비 디바이스 또는 호스트 디바이스 (예컨대, 플래시 메모리에 접속된 프로세서) 로부터의 트리거들 또는 외부 표시들 없이 내부 리프레시를 개시할 수도 있는 플래시 메모리 그자신에 의해 구동될 수도 있다. 하지만, 플래시 메모리의 제조자 또는 판매자는, 플래시 메모리를 사용하는 타겟 애플리케이션 또는 호스트 디바이스의 보유 요건들에 관한 실질적인 정보를 가지지 못할 수도 있다. 따라서, 플래시 메모리에 의해 내부적으로 제어되는 리프레시 동작은 타겟 애플리케이션에 관한 정보가 결여될 수도 있어서, 리프레시 동작들은 타겟 애플리케이션에 대한 성능 영향들을 회피하기 위해 리프레시를 언제 시작 또는 중지할지의 지식 없이 수행될 수도 있다.

따라서, 전술된 결점들을 회피하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하기 위한 기법들에 대한 필요성이 당해 기술분야에서 존재한다.

본 발명의 예시적인 양태들은 플래시 메모리의 호스트-구동되는 데이터 리프레시 (refresh) 를 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. 예시적인 양태들에서, 리프레시를 언제 시작/중지할지, 플래시 메모리에서의 타겟 파티션들 (partitions), 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들, 리프레시 레이트 (rate) 요건들 등과 같은 리프레시 동작들에 관련된 다양한 설정들을 저장하기 위해 플래시 메모리에서 표준 레지스터들이 제공된다. 호스트 (host) 디바이스는, 대응하는 레지스터들을 통해, 리프레시 시작/중지, 메모리에서의 타겟 파티션들, 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들에 대한 다양한 설정들을 제어할 수 있고; 그리고, 플래시 메모리는, 대응하는 레지스터들을 통해 리프레시 레이트 요건들에 관련된 다양한 값들을 제어할 수 있다. 이러한 방식으로, 플래시 메모리 상에서의 리프레시 동작들을 위해 플래시 메모리 내에 표준 플랫폼 또는 인터페이스가 제공된다.

예를 들어, 일 예시적인 양태는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은, 호스트로부터 수신된 값들로 플래시 메모리의 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계, 및, 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 설정된 값들에 기초하여 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 단계를 포함한다.

다른 예시적인 양태는, 플래시 메모리를 포함하는 장치에 관한 것이고, 여기서, 플래시 메모리는 호스트로부터 수신된 값들로 프로그래밍되도록 구성된 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 포함한다. 플래시 메모리는 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 프로그래밍된 값들에 기초하여 리프레시 동작들을 수행하도록 구성된다.

또 다른 예시적인 양태는, 프로세서에 의해 실행될 때 그 프로세서로 하여금 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하게 하는 코드를 포함하는 비-일시적 (non-transitory) 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 관한 것이다. 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체는, 호스트로부터 수신된 값들로 플래시 메모리의 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하기 위한 코드, 및, 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 설정된 값들에 기초하여 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하기 위한 코드를 포함한다.

또 다른 예시적인 양태는, 플래시 메모리를 포함하는 장치에 관한 것이고, 여기서, 플래시 메모리는, 호스트로부터 수신된 설정들 (settings) 을 저장하는 수단을 포함하고, 이 설정들은 플래시 메모리 상에서 수행될 리프레시 동작들과 연관된다. 플래시 메모리는 또한, 그 설정들에 기초하여 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 수단을 포함한다.

본 발명의 양태들의 설명에서 보조하기 위해 첨부 도면들이 제시되고, 이 도면들은 양태들의 한정이 아닌 오직 양태들의 예시를 위해 제공된다.
도 1 은 이 개시에 따른 플래시 메모리 및 호스트를 포함하는 시스템을 나타낸다.
도 2a 및 도 2b 는 이 개시의 예시적인 양태들에 따라 플래시 메모리 상에서의 리프레시 동작들을 관리하는 방법들에 관한 플로우차트들을 나타낸다.
도 3 은 본 개시의 양태들이 유리하게 채용될 수도 있는 일 예시적인 무선 통신 시스템을 나타내는 블록도이다.

본 발명의 양태들은 본 발명의 특정 양태들에 관한 이하의 상세한 설명 및 관련된 도면들에서 개시된다. 대체의 양태들이 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 고안될 수도 있다. 추가적으로, 본 발명의 잘 알려진 엘리먼트들은 본 발명의 관련 상세들을 모호하게 하지 않게 하기 위해 자세히 설명되지 않거나 생략될 것이다.

단어 "예시적인" 은 본 명세서에서 "일 예, 예증, 또는 예시로서 작용하는" 을 의미하도록 사용된다. "예시적인" 으로서 본 명세서에 기술된 임의의 양태가 다른 양태들보다 선호되거나 이로운 것으로 반드시 해석되는 것은 아니다. 마찬가지로, 용어 "본 발명의 양태들" 은 모든 본 발명의 양태들이 동작의 논의된 피처 (feature), 이점 또는 모드를 포함하는 것을 요구하지 않는다.

본 명세서에서 사용된 전문용어는 오직 특정 양태들을 기술하기 위한 목적이고, 본 발명의 양태들을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태들 "a", "an", 및 "the" 는, 문맥상 달리 명확히 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함하도록 의도된다. 용어들 "포함하다", "포함하는", "포함시키다", 및/또는 "포함시키는" 은, 본 명세서에서 사용되는 경우, 언급된 특성들, 정수들, 단계들, 동작들, 엘리먼트들, 및/또는 컴포넌트들의 존재를 명시하지만, 하나 이상의 다른 특성들, 정수들, 단계들, 동작들, 엘리먼트들, 컴포넌트들, 및/또는 그 그룹들의 존재 또는 추가를 배제하지는 않는다는 것이 또한 이해될 것이다.

또한, 많은 양태들이 예를 들어 컴퓨팅 디바이스의 엘리먼트들에 의해 수행될 액션들의 시퀀스들의 면에서 기술된다. 본 명세서에 기술된 다양한 액션들은 특정 회로들 (예를 들어, 애플리케이션 특정적 집적 회로 (ASIC) 들) 에 의해, 하나 이상의 프로세서들에 의해 실행되는 프로그램 명령들에 의해, 또는 이들의 조합에 의해 수행될 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가적으로, 본 명세서에 기술된 액션들의 이들 시퀀스는 실행 시에 연관된 프로세서로 하여금 본 명세서에 기술된 기능을 수행하게 할 대응하는 컴퓨터 명령들의 셋트가 저장된 임의의 형태의 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에서 완전히 구현되는 것으로 여겨질 수 있다. 따라서, 본 발명의 다양한 양태들은 다수의 상이한 형태들로 구현될 수도 있으며, 다수의 상이한 형태들 모두는 청구된 청구물의 범위 내에 있는 것으로 고려된다. 또한, 본 명세서에 기술된 양태들의 각각에 있어서, 임의의 이러한 양태들의 대응 형태는, 예를 들어 설명된 액션을 수행하도록 "구성된 로직" 으로서 본 명세서에 기술될 수도 있다.

이 개시의 예시적인 양태들은 일부 경우들에서 호스트에 의해 구동될 수도 있는 플래시 메모리의 데이터 리프레시에 관한 것이다. 표준 레지스터들 (또는 동등하게, 저장하기 위한 임의의 다른 수단) 은 리프레시를 언제 시작/중지할지, 메모리에서의 타겟 파티션들, 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들, 리프레시 레이트 요건들 등과 같은 리프레시 동작들에 관련된 다양한 설정들을 저장하기 위해 플래시 메모리에서 제공된다. 일 양태에서, 호스트는 대응하는 레지스터들을 통해, 리프레시 시작/중지, 메모리에서의 타겟 파티션들, 리프레시를 위한 타겟 시작/종료 어드레스 범위들, 리프레시 알고리즘들에 대한 다양한 설정들을 제어할 수 있고; 그리고, 플래시 메모리는, 대응하는 레지스터들을 통해 리프레시 레이트 요건들에 관련된 다양한 값들을 제어할 수 있다. 이러한 방식으로, 플래시 메모리의 리프레시 동작들을 위해 플래시 메모리 내에 표준 플랫폼 또는 인터페이스가 제공된다. 호스트 디바이스는, 대응하는 레지스터들에 의해, 호스트 디바이스 상에서의 타겟 애플리케이션을 위해 필요한 바와 같이 다양한 파라미터들을 제어, 프로그래밍, 그리고 재프로그래밍할 수도 있다.

도 1 을 참조하면, 프로세싱 시스템 (100) 으로서 지정되고 대표적으로 호스트 (102) 및 플래시 메모리 (104) 를 포함하는 일 예시적인 장치가 도시된다. 호스트 (102) 는 플래시 메모리 (104) 에서 데이터를 판독 및/또는 기입하기 위해 적절한 인터페이스 (108) 를 통해 플래시 메모리 (104) 와 인터페이싱하는 임의의 프로세싱 디바이스 또는 소비 디바이스를 포함할 수도 있다. 일반성의 손실 없이, NAND 플래시 메모리가 본 명세서에서의 일부 예들에서 특별히 논의되지만, 플래시 메모리 (104) 는 임의의 타입 (예컨대, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리 등) 의 것일 수도 있다.

일 예시적인 양태에서, 호스트 (102) 는 플래시 메모리 (104) 를 포함하는 메모리 엘리먼트들에 대해 요청들을 판독/기입하고 대응하는 데이터를 수신/전송하기 위해 메모리 제어기 (112) 와 인터페이싱하도록 구성된 (임의의 특수 또는 일반 목적 프로세서일 수도 있는) 프로세서 (110) 를 포함할 수도 있다. 메모리 제어기 (112) 는, 플래시 메모리 (104) 를 포함하는, 호스트 (102) 에 접속된 메모리 엘리먼트들의 판독/기입 동작들을 제어할 수도 있다. 예시적인 양태들에서, 호스트 (102) 및 보다 구체적으로, 메모리 제어기 (112) 는 플래시 메모리 (104) 에서 제공될 수도 있는 예시적인 레지스터들을 프로그래밍함으로써 플래시 메모리 (104) 의 데이터 리프레시를 제어할 수도 있다. 플래시 메모리 (104) 는 전술된 레지스터들에서의 프로그래밍된 값들 또는 전술된 레지스터들에서의 설정들에 기초하여 리프레시 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 이와 관련하여, 플래시 메모리 (104) 는, 레지스터들에서 프로그래밍된 설정들에 기초하여 플래시 메모리 (104) 에서 저장된 데이터에 대한 리프레시 동작들을 수행하기 위해 (비록 명시적으로 도시되고 기술되지는 않았지만 이 개시물에 기초하여 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하, '통상의 기술자' 라 함) 에 의해 인식가능한) 임의의 알려진 프로세싱 엘리먼트, 리프레시 제어기, 또는 다른 로직을 포함할 수도 있다.

일 예시적인 양태에서, 플래시 메모리 (104) 는, 예를 들어 호스트 (102) 에 의해 프로그래밍될 수도 있는, 레지스터들 (106a-e) 을 포함하는 것으로 도시된다. 레지스터들 (106a-e) 은 표준 프로그래밍 인터페이스를 제공하도록 구성될 수도 있고, 따라서, 일부 양태들에서 표준 레지스터들로서 지칭될 수도 있다. 비록 레지스터들 (106a-e) 의 일부 예들 및 피처들이 이 개시물에서 제공될 것이지만, 다양한 다른 레지스터들 또는 이들의 조합들이 본원에서 제공된 예시적인 양태들의 범위로부터 벗어남이 없이 플래시 메모리 (104) 상에서의 리프레시 동작들을 제어하도록 본 개시에 따라서 구성될 수도 있음이 이해될 것이다. 레지스터들 (106a-e) 의 양태들은 이제 이하에서 추가로 자세히 논의될 것이다.

제 1 레지스터 (REG_REF_EN) (106a) 는 플래시 메모리 (104) 의 리프레시 동작들을 시작 및/또는 중지하기 위해 사용될 수도 있다. 리프레시 동작을 시작하기 위해, 호스트 (102) (또는 보다 구체적으로, 메모리 제어기 (112)) 는 리프레시 동작을 시작하도록 REG_REF_EN (106a) 을 (예컨대, "1" 로) 설정할 수도 있다. 이와 관련하여, 호스트 (102) (또는 보다 구체적으로, 메모리 제어기 (112)) 는 또한, 리프레시 동작을 시작하기 전에, 제 2 레지스터 (REG_REF_PARTITION) (106b), 제 3 레지스터 (REG_REF_ADDR_RANGE) (106c), 및 제 4 레지스터 (REG_REF_ALGO) (106d) 와 같은 다른 레지스터들을 프로그래밍할 수도 있고, 이는 이하에서 보다 자세히 논의될 것이다.

제 2 레지스터, REG_REF_PARTITION (106b) 는 리프레시될 플래시 메모리 (104) 에서의 메모리의 하나 이상의 파티션들 중의 적어도 하나의 파티션을 지정하도록 구성될 수도 있다. 일부 양태들에서, REG_REF_PARTITION (106b) 은 플래시 메모리 (104) 에서의 메모리의 모든 파티션들을 리프레시하기 위해 사용될 수도 있는 0xFF 와 같은 예약된 값들 또는 특수 필드들을 지원할 수도 있다.

제 3 레지스터, REG_REF_ADDR_RANGE (106c) 는, 리프레시될, 예컨대, REG_REF_PARTITION (106b) 에 의해 특정되는 파티션에서의, 어드레스 범위를 특정하도록 구성될 수도 있다. 어드레스 범위는 시작 및 종료 어드레스들을 이용하여 특정될 수도 있다. 일부 양태들에서, 전체 또는 모든 파티션 범위는, 시작 어드레스 = 종료 어드레스 = 0x0 과 같은 REG_REF_ADDR_RANGE (106c) 에 대해 특수한 프로그래밍 표시들 또는 값들을 이용함으로써 리프레시를 위해 특정될 수 있다.

제 4 레지스터 REG_REF_ALGO (106d) 는, 추가로 논의되는 바와 같이, 리프레시 동작을 위해 사용될 하나 이상의 가능한 리프레시 알고리즘들 중에서 특정한 리프레시 알고리즘을 명시하기 위해 사용될 수 있다.

제 1 내지 제 4 레지스터들 (106a-d) 의 상기 설정들에 기초하여 일단 리프레시 동작이 시작되고 나면, 플래시 메모리 (104) 는, 파티션들 또는 어드레스 범위들에 대한 호스트 (102) 액세스가 리프레시되지 않도록 허용하면서, 일부 경우들에서 백그라운드 (background) 에서의 리프레시 동작들을 실행할 수도 있다. 하지만, 백그라운드 모드에서 리프레시 동작이 진행중인 동안 예를 들어 정규의 판독/기입 동작들 및/또는 태스크 관리 동작들이 이러한 방식으로 정상적으로 수행되도록 허용하는 것은, 일부 경우들에서 정규 판독/기입 동작들에 대한 액세스의 속도 또는 성능에 영향을 미칠 수도 있음에 유의한다. 따라서, 개별적 경우들에서의 성능 트레이드오프들 및 리프레시 필요성들에 관한 결정들이 이루어질 수도 있다.

일부 양태들에서, REG_REF_EN (106a) 은, 리프레시 동작이 완료되었을 때 플래시 메모리 (104) 에 의해 (예컨대, "0" 으로 설정됨으로써) 클리어될 수도 있다. 호스트 (102) 는, 리프레시 동작이 진행중인지 (예컨대, REG_REF_EN (106a) 이 "1" 로 설정되었는지) 또는 리프레시 동작이 완료되었는지 (예컨대, REG_REF_EN (106a) 이 "0" 으로 설정되었는지) 를 보기 위해 REG_REF_EN (106a) 의 상태를 체크할 수도 있다.

일부 양태들에서, 호스트 (102) 는 또한, REG_REF_EN (106a) 를 클리어 (그것을 "0" 으로 설정) 함으로써 진행중인 리프레시 동작을 중지할 수도 있다. 예를 들어, 충분한 성능이 요망될 때 (즉, 백그라운드 리프레시 동작으로 인한 성능 영향이 바람직하지 않거나 수용가능하지 않을 때), 호스트 (102) 는 REG_REF_EN (106a) 을 "0" 으로 설정함으로써 진행중인 리프레시 동작을 중단할 수도 있다. 호스트 (102) 가 이러한 방식으로 진행중인 리프레시 동작을 중단하는 경우에는, 호스트 (102) 는 REG_REF_EN (106a) 을 "1" 로 설정함으로써 시간에서의 나중의 시점에서 타겟 어드레스 범위에 대한 리프레시 동작을 재시작할 수도 있다.

이제 보다 자세히 REG_REF_ALGO (106d) 를 참조하면, 이 제 4 레지스터는 하나 이상의 가능한 리프레시 알고리즘들 중에서 특정 리프레시 알고리즘을 선택하도록 호스트 (102) 에 의해 설정될 수도 있다. 알고리즘이 이러한 방식으로 선택되지 않는 경우에, 리프레시 동작은, 타겟 어드레스 범위에서의 데이터를 유지하는 각각의 메모리 셀이 (예컨대, 무차별적 방식으로) 리프레시될 수도 있다는 점에서, 사용되는 리프레시 알고리즘에서 비선택적 (unselective) 일 수도 있다. 비선택적 리프레시 알고리즘은 일부 양태들에서 데이터 보유를 보장하기 위해 가장 강건한 (robust) 옵션일 수도 있다. 하지만, 이러한 비선택적 리프레시는 또한, 완료하기 위해 긴 시간을 요할 수도 있고, 따라서, 일부 양태들에서 적절한 리프레시 알고리즘을 선택함에 있어서 비선택적 리프레시의 이점들에 대해 비중이 있을 수도 있는 내구성 및 성능 영향들을 가질 수도 있다.

다른 한편, 선택적 (selective) 리프레시 동작들을 수행할 알고리즘을 고름으로써, 예컨대 판매자 특정적 기준들을 충족하는 특정 데이터를 저장하는 메모리 셀들은 예를 들어 선택적으로 리프레시될 수도 있다. 판매자 기준들은 플래시 메모리 (104) 에 관련된 에러 레이트, NAND 플래시 타입 등에 따라 변화할 수도 있고, 선택적 리프레시 동작은 보다 빠르고 플래시 메모리 (104) 의 내구성을 향상시킬 수도 있다.

이제 제 5 레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 를 참조하면, 플래시 메모리 (104) 의 리프레시 레이트 요건들은 이 레지스터를 구성함으로써 제공될 수도 있다. 플래시 메모리 (104) 에 대한 요망되는 (desired) 또는 요구되는 (required) 리프레시 레이트는 메모리 타입, 온도, (예를 들어 호스트 (102) 에 의해 설정되는) 알고리즘 등에 의존하여 결정될 수도 있다. 하나 이상의 프로세싱 엘리먼트들, 센서들, 제어 함수들, 또는 이들의 조합들은 다음과 같은 방식으로 REG_REF_RATE_xxx (106e) 의 값들을 설정하기 위해 플래시 메모리 (104) 에 의해 이용될 수도 있다. 플래시 메모리 (104) 에서의 데이터는, 플래시 메모리 (104) 에 대해 요구되는 데이터 보유 특성들이 충족되는 것을 보장하기 위해, REG_REF_RATE_xxx (106e) 의 하나 이상의 값들에 따른 레이트로 리프레시될 수도 있다. 이와 관련하여, 플래시 메모리 (104) 는, 하나의 예시적인 구현에서, 날들의 수로서 표현될 수도 있는 레이트로 REG_REF_RATE_xxx (106e) 를 설정할 수도 있다. 리프레시 레이트는 시간에 걸쳐 변화될 수도 있어서, REG_REF_RATE_xxx (106e) 의 값은 이에 따라 변경될 수도 있다. 예를 들어, 새로운 플래시 메모리 (104) 에 대해, 그것의 라이프 사이클의 시작 시에, 플래시 메모리 (104) 가 새로운 것이고 다수의 프로그래밍/소거 사이클들을 겪지 않았을 때, 플래시 메모리 (104) 는 높은 보유 특성 (또는 달리 보면, 낮은 에러 특성) 을 보일 수도 있기 때문에, 리프레시 레이트는 매우 낮은 양으로 (즉, 덜 자주 리프레시되도록) 설정될 수 있다. 플래시 메모리 (104) 가 오래 됨에 따라, 리프레시 레이트는 데이터 보유를 보장하도록 증가될 수도 있다.

일부 경우들에서, 플래시 메모리 (104) 는 리프레시 레이트에서의 증가를 모색할 수 있다. 예를 들어, 플래시 메모리 (104) 가 동작 동안 하나 이상의 파티션들에서 예상치 못한 약한 메모리 셀들을 검출하는 경우에, 플래시 메모리 (104) 는 그들 하나 이상의 파티션들에 대해 보다 높은 리프레시 레이트를 설정하는 것이 가능할 수도 있다.

레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 는 상이한 타입들의 메모리에 대해 상이한, 다수의 값들로 설정될 수도 있다. 예를 들어, 내장형 멀티-미디어 카드 (eMMC) 및 유니버설 플래시 스토리지 (UFS) 는 상이한 파티션들에 대해 상이한 메모리 타입들 (예컨대, SLC, MLC, TLC 등) 을 가질 수도 있다. 이에 따라, 플래시 메모리 (104) 는 상이한 메모리 타입들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 설정할 수 있다 (예컨대, SLC 에 대한 리프레시 레이트 REG_REF_RATE_SLC 는 100 일일 수 있고, MLC 에 대한 REG_REF_RATE_MLC 는 10 일일 수 있다).

추가로, REG_REF_RATE_xxx (106e) 는 상이한 리프레시 알고리즘들에 대해 다수의 상이한 값들로 설정될 수도 있다. 예를 들어, 선택적 알고리즘은, 그것이 데이터를 선택적으로 리프레시함에 따라, 보다 빈번한 리프레시를 필요로할 수 있다 (예컨대, 선택적 리프레시에 대한 리프레시 레이트 (REG_REF_RATE_SEL) 는 60 일일 수 있는 한편, 비선택적 리프레시에 대한 REG_REF_RATE_UNSEL 는 90 일일 수 있다).

레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 는 또한, 상이한 온도 조건들에 대해 다수의 상이한 값들로 설정될 수도 있다. 예를 들어, 플래시 메모리 (104) 는 보다 높은 온도에서 보다 빈번한 리프레시들을 야기하도록 리프레시 레이트를 설정할 수 있다 (예컨대, 95C 에서의 리프레시 레이트 (REG_REF_RATE_95C) 는 10 일일수 있는 한편, -40C 에서의 REG_REF_RATE_-40C 는 100 일일 수 있다).

일부 양태들에서, REG_REF_RATE_xxx (106e) 는 시간에 걸쳐 동적으로 변화할 수 있는 값들의 조합들로 설정될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 타입, 리프레시 알고리즘, 및 온도에 기초한 값들의 조합에 대해, REG_REF_RATE_xxx (106e) 는 리프레시 레이트들에 대한 18 개의 상이한 설정들 (예컨대, (SLC/MLC/TLC) x (SEL/UNSEL) x (95C/25C/-40C)) 을 산출할 수도 있다.

따라서, 양태들은 본 명세서에서 개시된 프로세스들, 기능들 및/또는 알고리즘들을 수행하기 위한 다양한 방법들을 포함함이 이해될 것이다. 예를 들어, 도 2a 에서 예시된 바와 같이, 일 양태는 플래시 메모리, 예컨대, 플래시 메모리 (104) 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법 (200) 을 포함할 수 있다.

방법 (200) 은 블록 (202) 에서 시작할 수 있고, 여기서, 하나의 예에서 호스트 (102) 는 부팅된다.

블록 (204) 에서, 호스트 (102) (또는 보다 구체적으로는, 메모리 제어기 (112)) 는 플래시 메모리 (104) 에서 예를 들어 리프레시될 필요성이 있는 결정적 데이터 (critical data) 가 어디에 위치하는지를 결정할 수도 있다. 호스트 (102) 는 또한, 일부 경우들에서 플래시 메모리 (104) 에서의 모든 데이터가 결정적 데이터일 수도 있음을 명심하면서, 플래시 메모리 (104) 에서의 이러한 결정적 데이터의 파티션 및 어드레스 범위를 결정할 수도 있다.

블록 (206) 에서, 호스트 (102) 는 메모리 타입이 결정적 데이터가 위치하는 메모리 타입과 매칭되는 레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 로부터 값들을 판독할 수도 있다. 이와 관련하여, 호스트 (102) 는 어느 알고리즘이 리프레시를 위해 사용될 것인지, 타겟 온도 범위 등을 결정하고, 레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 로부터 리프레시 레이트들에 대한 대응하는 값(들)을 판독할 수 있다.

블록 (208) 에서, 호스트 (102) 는, 블록 (206) 에서 레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 로부터 도출된 리프레시 레이트들에 기초하여, 결정적 데이터에 대해 언제 리프레시가 필요한지에 대해 경보 또는 트리거를 제공하도록 타이머를 설정할 수도 있다.

블록 (210) 에서, 일단 블록 (208) 에서 설정된 타이머가 만료되거나 대응하는 기간이 경과하면, 트리거가 생성된다.

블록 (212) 에서, 그 트리거에 기초하여, 호스트 (102) 는 하나 이상의 레지스터들 (106a-d) 을 프로그래밍함으로써 플래시 메모리 (104) 에서의 타겟 로케이션에 대한 리프레시 동작들을 시작할 수도 있다. 호스트 (102) 는 또한, 플래시 메모리 (104) 가 상기 개괄된 다양한 이유들로 인해 시간에 걸쳐 REG_REF_RATE_xxx (106e) 의 값들을 변경할 수도 있기 때문에, REG_REF_RATE_xxx (106e) 에서의 리프레시 레이트가 변경되었는지를 체크하기 위해 하나 이상의 추가적인 시간들에서 레지스터 REG_REF_RATE_xxx (106e) 를 판독할 수도 있다. REG_REF_RATE_xxx (106e) 에서의 리프레시 레이트가 변경된 경우에는, 호스트 (102) 는 (예컨대, 경로 (214) 가 선택적일 수도 있으므로 점선들로 도시된 상기 경로 (214) 를 통해 블록 (208) 으로 돌아가서) 이에 따라 타이머를 재구성할 수도 있다. 호스트 (102) 는, 하나 이상의 상기 기준들 및 관련된 레지스터들 (106a-e) 의 임의의 것이 시간에 걸쳐 변경되므로, 시간의 과정에 걸쳐 블록 (212) 에서의 상기 프로세스들을 반복할 수 있다.

이제 도 2b 를 참조하면, 플래시 메모리 (예컨대, 플래시 메모리 (104)) 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법에 관련된 다른 예시적인 프로세스 플로우가 예시되고 방법 (250) 으로서 지정된다.

방법 (250) 의 블록 (252) 은, 호스트 (예컨대, 호스트 (102)) 로부터 수신된 값들로 플래시 메모리의 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 것을 포함한다. 블록 (252) 은 다음의 예들에 따라 제 1 내지 제 5 레지스터들 (106a-e) 중 하나 이상을 설정하는 것을 포함할 수 잇다.

하나의 예는 리프레시 동작들에 대해 시작/중지 설정들을 나타내도록 제 1 레지스터 (예컨대, REF_REG_EN (106a)) 를 설정하는 것을 포함하고, 여기서, 일부 경우들에서, 플래시 메모리 (104) 는 제 1 레지스터가 클리어될 때 진행중인 리프레시 동작을 중지하도록 구성될 수도 있다.

다른 예는 리프레시 동작들에 대해 플래시 메모리 (104) 의 하나 이상의 타겟 메모리 파티션들의 적어도 하나의 파티션을 나타내도록 제 2 레지스터 (예컨대, REF_REG_PARTITION (106b)) 를 설정하는 것을 포함하고, 여기서, 하나의 양태에서, 플래시 메모리 (104) 는 제 2 레지스터가 특수 필드로 설정될 때 타겟 메모리 파티션들의 전부를 리프레시하도록 구성될 수도 있다.

다른 예는, 리프레시될 어드레스 범위를 나타내도록 제 3 레지스터 (예컨대, REF_REG_ADDR_RANGE (106c)) 를 설정하는 것을 포함한다. 일 양태에서, 제 3 레지스터는 어드레스 범위에 대해 시작 어드레스 및 종료 어드레스로 설정될 수도 있고, 여기서, 플래시 메모리 (104) 는 시작 어드레스 및 종료 어드레스가 동일한 값으로 설정될 때 전체 또는 모든 어드레스 파티션 범위를 리프레시하도록 구성될 수도 있다.

다른 예는, 리프레시 동작들을 수행하기 위한 리프레시 알고리즘을 나타내도록 제 4 레지스터 (예컨대, REF_REG_ALGO (106d)) 를 설정하는 것을 포함한다. 하나의 양태에서, 플래시 메모리 (104) 는, 리프레시 알고리즘이 비선택적 상태로 설정될 때 리프레시 동작들에 대한 타겟 어드레스 범위에서의 모든 데이터 셀들을 리프레시하거나, 리프레시 알고리즘이 타겟 어드레스 범위의 요망되는 부분을 선택적으로 리프레시하도록 설정될 때, 리프레시 동작들에 대한 타겟 어드레스 범위의 요망되는 부분을 선택적으로 리프레시하도록 구성될 수도 있다.

또 다른 예는 리프레시 동작들을 수행하기 위한 리프레시 레이트들을 나타내도록 제 5 레지스터 (예컨대, REF_REG_RATE_xxx (106e)) 를 설정하는 것을 포함한다. 일부 양태들에서, 플래시 메모리 (104) 는 요망되는 또는 요구되는 리프레시 레이트들에 기초하여 제 5 레지스터의 값들을 설정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 플래시 메모리 (104) 는, 플래시 메모리에서의 상이한 메모리 타입들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정하고; 상이한 리프레시 알고리즘들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정하며; 및/또는, 플래시 메모리의 상이한 온도 조건들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정할 수도 있다.

계속 도 2b 를 참조하면, 블록 (254) 은 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 설정된 값들에 기초하여 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 것을 포함한다. 예를 들어, 플래시 메모리 (104) 는, 상술된 바와 같이, 제 1 내지 제 5 레지스터들 (106a-e) 중 하나 이상의 레지스터들의 값들에 기초하여 리프레시 동작들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 이와 관련하여, 플래시 메모리 (104) 는, 상술된 바와 같이 제 1 내지 제 5 레지스터들 (106a-e) 중의 하나 이상의 레지스터들의 값들에 기초하여 리프레시 동작들을 수행하기 위한 임의의 수단을 포함할 수도 있다 (예컨대, 명시적으로 나타내지는 않았지만 이 개시물에 기초하여 통상의 기술자에 의해 인식될 프로세싱 엘리먼트, 리프레시 제어기 등을 가질 수도 있다).

통상의 기술자는, 정보 및 신호들이 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 이용하여 표현될 수도 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명 전체에 걸쳐 참조될 수도 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 자기 입자들, 광학 필드들 또는 광학 입자들, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 표현될 수도 있다.

또한, 본원에 개시된 양태들과 연계하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들이 전자적 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 양자의 조합들로서 구현될 수도 있음을 통상의 기술자는 이해할 것이다. 하드웨어와 소프트웨어의 이러한 상호교환성을 명확하게 예시하기 위해, 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 모듈들, 회로들, 및 단계들이 그들의 기능성의 면에서 일반적으로 전술되었다. 그러한 기능이 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되는지 여부는 특정 애플리케이션 및 전체 시스템에 부과되는 설계 제약들에 의존한다. 통상의 기술자는 기술된 기능성을 각각의 특정 애플리케이션에 대해 다양한 방식으로 구현할 수도 있지만, 이러한 구현 결정들은 본 발명의 범위로부터의 일탈을 야기하는 것으로서 해석되지 않아야 한다.

본원에 개시된 양태들과 연계하여 설명된 방법들, 시퀀스들, 및/또는 알고리즘들은 직접 하드웨어에서, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈에서, 또는 이 둘의 조합에서 구현될 수도 있다. 소프트웨어 모듈은 RAM 메모리, 플래시 메모리, ROM 메모리, EPROM 메모리, EEPROM 메모리, 레지스터들, 하드 디스크, 착탈형 디스크, CD-ROM, 또는 당해 기술분야에서 알려진 임의의 다른 형태의 저장 매체 내에 상주할 수도 있다. 예시적인 저장 매체는 프로세서에 커플링되어, 프로세가 저장 매체로부터 정보를 판독하고 저장 매체에 정보를 기입할 수 있도록 한다. 대안에서, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수도 있다.

따라서, 본 발명의 일 양태는 DRAM 어레이를 액세스하고, 셀프-리프레시 사이클 내에서 셀프-정정 동작을 통합함으로써 저 전력 셀프-정정을 수행하기 위한 방법을 구현하는 컴퓨터 판독가능 매체들을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명은 예시된 예들에 한정되지 않고, 본원에서 기술된 기능성을 수행하기 위한 임의의 수단이 본 발명의 양태들에 포함된다.

도 3 은 본 발명의 일 양태가 유리하게 채용될 수도 있는 일 예시적인 무선 통신 시스템 (300) 을 나타낸다. 예시의 목적을 위해, 도 3 은 3 개의 원격 유닛들 (320, 330, 및 350) 및 2 개의 기지국들 (340) 을 도시한다. 도 3 에서, 원격 유닛 (320) 은 모바일 전화로서 도시되고, 원격 유닛 (330) 은 포터블 컴퓨터로서 도시되며, 원격 유닛 (350) 은 무선 로컬 루프 시스템에서의 고정 장소 원격 유닛으로서 도시된다. 예를 들어, 원격 유닛들은, 모바일 폰들, 핸드-헬드 퍼스널 통신 시스템 (PCS) 유닛들, 퍼스널 데이터 어시스턴트들과 같은 포터블 데이터 유닛들, 글로벌 포지셔닝 시스템 (GPS) 인에이블드 (enabled) 디바이스들, 내비게이션 디바이스들, 셋-톱 박스들, 뮤직 플레이어들, 비디오 플레이어들, 엔터테인먼트 유닛들, 미터 판독 장비와 같은 고정 장소 데이터 유닛들, 또는 데이터 또는 컴퓨터 명령들을 저장 또는 취출하는 임의의 다른 디바이스, 또는 이들의 임의의 조합일 수도 있다. 비록 도 3 은 본 개시의 교시들에 따른 원격 유닛들을 나타내지만, 본 개시는 이들 예시적인 도시된 유닛들에 한정되지 않는다. 본 개시의 양태들은 테스트 및 특성화를 위한 메모리 및 온-칩 회로를 포함하는 능동형 집적 회로를 포함하는 임의의 디바이스에서 적합하게 채용될 수도 있다.

전술한 개시된 디바이스들 및 방법들은 통상적으로 설계되고, 컴퓨터 판독가능 매체들 상에 저장된 GDSII 및 GERBER 컴퓨터 파일들 내로 구성된다. 이들 파일들은 다시, 이들 파일들에 기초하여 디바이스들을 제조하는 제조 핸들러들에 제공된다. 결과적인 제품들은 반도체 웨이퍼들이고, 이는 그 다음에 반도체 다이로 컷팅되고 반도체 칩으로 패키징된다. 칩들은 그 다음에 상술된 디바이스들에서 채용된다.

전술한 개시물은 본 발명의 예시적인 양태들을 나타내지만, 첨부된 청구항들에 의해 정의된 바와 같은 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않으면서 다양한 변화들 및 수정들이 본원 내에서 이루어질 수 있음에 유의하여아 한다. 본원에 기술된 본 발명의 양태들에 따른 방법 청구항들의 기능들, 단계들 및/또는 액션들은 임의의 특정 순서로 수행될 필요는 없다. 또한, 본 발명의 엘리먼트들은 단수로 기재되거나 청구될 수도 있지만, 단수에 대한 제한이 명시적으로 언급되지 않는 한 복수가 고려된다.

Claims

플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법으로서,
호스트로부터 수신된 값들로 상기 플래시 메모리의 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계; 및
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 설정된 상기 값들에 기초하여 상기 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계는, 리프레시 동작들에 대한 시작/중지 설정들을 나타내도록 제 1 레지스터를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 2 항에 있어서,
진행중인 리프레시 동작을 중지하도록 상기 제 1 레지스터를 클리어하는 단계를 더 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계는, 상기 리프레시 동작들에 대한 상기 플래시 메모리의 하나 이상의 타겟 메모리 파티션들의 적어도 하나의 파티션을 나타내도록 제 2 레지스터를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 4 항에 있어서,
상기 하나 이상의 타겟 메모리 파티션들의 전부를 리프레시하기 위해 특수 필드로 상기 제 2 레지스터를 설정하는 단계를 더 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계는, 리프레시될 어드레스 범위를 나타내도록 제 3 레지스터를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 어드레스 범위에 대해 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 시작 어드레스 및 상기 종료 어드레스를 동일한 값으로 설정함으로써 전체 또는 모든 어드레스 파티션 범위가 리프레시되도록 설정하는 단계를 더 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계는, 상기 리프레시 동작들을 수행하기 위한 리프레시 알고리즘을 나타내도록 제 4 레지스터를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 리프레시 동작들에 대한 타겟 어드레스 범위에서 모든 데이터 셀들을 리프레시하기 위해 상기 리프레시 알고리즘을 비선택적 상태로 설정하는 단계를 더 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 리프레시 동작들에 대한 타겟 어드레스 범위의 요망되는 부분을 선택적으로 리프레시하도록 상기 리프레시 알고리즘을 설정하는 단계를 더 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하는 단계는, 상기 리프레시 동작들을 수행하기 위한 리프레시 레이트들을 나타내도록 제 5 레지스터를 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 플래시 메모리에서의 상이한 메모리 타입들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 상기 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 12 항에 있어서,
상이한 리프레시 알고리즘들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 상기 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 플래시 메모리의 상이한 온도 조건들에 대해 상이한 리프레시 레이트들을 나타내도록 상기 제 5 레지스터에서 상이한 값들을 설정하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 방법.
플래시 메모리를 포함하는 장치로서,
상기 플래시 메모리는 호스트로부터 수신된 값들로 프로그래밍되도록 구성된 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 포함하고; 그리고
상기 플래시 메모리는 상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 프로그래밍된 상기 값들에 기초하여 리프레시 동작들을 수행하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 16 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들은, 리프레시 동작들에 대한 시작/중지 설정들을 나타내도록 프로그래밍되도록 구성된 제 1 레지스터를 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 17 항에 있어서,
상기 플래시 메모리는, 상기 제 1 레지스터가 클리어될 때, 진행중인 리프레시 동작을 중지하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 16 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들은, 상기 리프레시 동작들에 대한 상기 플래시 메모리의 하나 이상의 타겟 메모리 파티션들의 적어도 하나의 파티션을 나타내도록 프로그래밍되도록 구성된 제 2 레지스터를 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 19 항에 있어서,
상기 플래시 메모리는, 상기 제 2 레지스터가 특수 필드로 설정될 때, 상기 하나 이상의 타겟 메모리 파티션들의 전부를 리프레시하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 16 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들은, 리프레시될 어드레스 범위를 나타내도록 프로그래밍되도록 구성된 제 3 레지스터를 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 21 항에 있어서,
상기 제 3 레지스터는, 상기 어드레스 범위에 대해 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 나타내기 위한 설정을 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 22 항에 있어서,
상기 플래시 메모리는, 상기 시작 어드레스 및 상기 종료 어드레스가 동일한 값으로 설정될 때, 전체 또는 모든 어드레스 파티션 범위를 리프레시하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 16 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들은, 상기 리프레시 동작들이 상기 플래시 메모리 상에서 수행되도록 하는 리프레시 알고리즘을 나타내도록 프로그래밍되도록 구성된 제 4 레지스터를 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 24 항에 있어서,
상기 플래시 메모리는, 상기 리프레시 알고리즘이 비선택적 상태로 설정될 때 타겟 어드레스 범위에서 모든 데이터 셀들을 리프레시하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 24 항에 있어서,
상기 플래시 메모리는, 상기 리프레시 알고리즘이 타겟 어드레스 범위의 요망되는 부분을 선택적으로 리프레시하도록 설정될 때, 상기 타겟 어드레스 범위의 상기 요망되는 부분을 선택적으로 리프레시하도록 구성되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 16 항에 있어서,
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들은, 상기 리프레시 동작들을 수행하기 위한 리프레시 레이트들을 나타내도록 프로그래밍되도록 구성된 제 5 레지스터를 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
제 27 항에 있어서,
상기 장치는, 모바일 폰들, 핸드-헬드 퍼스널 통신 시스템 (PCS) 유닛들, 포터블 데이터 유닛들, 글로벌 포지셔닝 시스템 (GPS) 인에이블드 디바이스들, 내비게이션 디바이스들, 셋-톱 박스들, 뮤직 플레이어들, 비디오 플레이어들, 엔터테인먼트 유닛들, 및 고정 장소 데이터 유닛들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 디바이스 내로 통합되는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.
프로세서에 의해 실행될 때 상기 프로세서로 하여금 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하게 하는 코드를 포함하는 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
상기 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체는,
호스트로부터 수신된 값들로 상기 플래시 메모리의 하나 이상의 리프레시 레지스터들을 설정하기 위한 코드; 및
상기 하나 이상의 리프레시 레지스터들에서 설정된 상기 값들에 기초하여 상기 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하기 위한 코드를 포함하는, 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
플래시 메모리를 포함하는 장치로서,
상기 플래시 메모리는,
호스트로부터 수신된 설정들을 저장하는 수단으로서, 상기 설정들은 상기 플래시 메모리 상에서 수행될 리프레시 동작들과 연관되는, 상기 설정들을 저장하는 수단; 및
상기 설정들에 기초하여 상기 플래시 메모리 상에서 리프레시 동작들을 수행하는 수단을 포함하는, 플래시 메모리를 포함하는 장치.