JP7213690B2 - フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 - Google Patents
フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7213690B2 JP7213690B2 JP2018566222A JP2018566222A JP7213690B2 JP 7213690 B2 JP7213690 B2 JP 7213690B2 JP 2018566222 A JP2018566222 A JP 2018566222A JP 2018566222 A JP2018566222 A JP 2018566222A JP 7213690 B2 JP7213690 B2 JP 7213690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- register
- refresh
- flash memory
- setting
- registers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- Dram (AREA)
Description
本特許出願は、係属中であり、本出願の譲受人に譲渡され、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、2016年6月20日に出願された「MANAGING REFRESH FOR FLASH MEMORY」と題する米国仮特許出願第62/352,393号の利益を主張する。
102 ホスト
104 フラッシュメモリ
106a レジスタ、第1のレジスタ、REG_REF_EN
106b レジスタ、第2のレジスタ、REG_REF_PARTITION
106c レジスタ、第3のレジスタ、EG_REF_ADDR_RANGE
106d レジスタ、第4のレジスタ、REG_REF_ALGO
106e レジスタ、第5のレジスタ、REG_REF_RATE_xxx
108 インターフェース
110 プロセッサ
112 メモリコントローラ
200 方法
214 経路
250 方法
300 ワイヤレス通信システム
320 リモートユニット
330 リモートユニット
340 基地局
350 リモートユニット
Claims (12)
- フラッシュメモリに対してリフレッシュ動作を実行する方法であって、
複数の値のそれぞれで前記フラッシュメモリの複数のリフレッシュレジスタのそれぞれを設定するステップと、
前記複数のリフレッシュレジスタのそれぞれにおいて設定された前記複数の値のそれぞれに基づいて、前記フラッシュメモリに対して前記リフレッシュ動作を実行するステップと
を備え、
前記複数のリフレッシュレジスタのそれぞれを設定するステップが、
前記リフレッシュ動作のための開始/停止設定を示すように第1のレジスタを設定するステップであって、前記第1のレジスタをクリアすることによって、進行中のリフレッシュ動作を停止することができる、ステップ、
前記リフレッシュ動作のための前記フラッシュメモリの1つまたは複数のターゲットメモリ区分のうちの少なくとも1つの区分を示すように第2のレジスタを設定するステップ、または
前記リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュアルゴリズムを示すように第4のレジスタを設定するステップ
のうちの少なくとも1つと、
前記リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュレートを示すように第5のレジスタを設定するステップと
を備え、
前記第5のレジスタが、経時的に動的に変化する値の組合せに設定され、
前記経時的に動的に変化する値の組合せは、異なるメモリタイプ、異なるリフレッシュアルゴリズム、および/または異なる温度条件に対する異なるリフレッシュレートを指定し、
前記リフレッシュ動作が、前記第5のレジスタの設定によってトリガされる、方法。 - 前記第2のレジスタを設定するステップを備え、
前記1つまたは複数のターゲットメモリ区分のすべてをリフレッシュするように前記第2のレジスタをフィールドで設定するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。 - リフレッシュされるアドレス範囲を指定するように第3のレジスタを設定するステップをさらに備え、
前記第4のレジスタを設定するステップを備え、
前記第4のレジスタに基づいて、前記リフレッシュ動作のためのターゲット範囲内のすべてのデータセルをリフレッシュするステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。 - リフレッシュされるアドレス範囲を指定するように第3のレジスタを設定するステップをさらに備え、
前記第4のレジスタを設定するステップを備え、
前記リフレッシュ動作のためのターゲット範囲の、ベンダー固有の基準を満たす特定のデータを記憶するデータセルを選択的にリフレッシュするように前記第4のレジスタを設定するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のレジスタを設定するステップを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレジスタ、前記第2のレジスタ、前記第3のレジスタ、および前記第4のレジスタを設定するステップを備える、請求項3または4に記載の方法。
- フラッシュメモリを含む装置であって、前記フラッシュメモリが、
複数の値のそれぞれでプログラムされるように構成された複数のリフレッシュレジスタを備え、
前記フラッシュメモリが、前記複数のリフレッシュレジスタのそれぞれにおいてプログラムされた前記複数の値のそれぞれに基づいてリフレッシュ動作を実行するように構成され、
前記複数のリフレッシュレジスタが、
前記リフレッシュ動作のための開始/停止設定を示すようにプログラムされるように構成された第1のレジスタであって、前記第1のレジスタがクリアされたとき、前記フラッシュメモリが進行中のリフレッシュ動作を停止するように構成される、第1のレジスタ、
前記リフレッシュ動作のための前記フラッシュメモリの1つまたは複数のターゲットメモリ区分のうちの少なくとも1つの区分を示すようにプログラムされるように構成された第2のレジスタ、または
前記フラッシュメモリに対して実行されるべき前記リフレッシュ動作のためのリフレッシュアルゴリズムを示すようにプログラムされるように構成された第4のレジスタ、
のうちの1つまたは複数と、
前記リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュレートを示すようにプログラムされるように構成された第5のレジスタと
を備え、
前記第5のレジスタが、経時的に動的に変化する値の組合せに設定されるように構成され、
前記経時的に動的に変化する値の組合せは、異なるメモリタイプ、異なるリフレッシュアルゴリズム、および/または異なる温度条件に対する異なるリフレッシュレートを指定し、
前記リフレッシュ動作が、前記第5のレジスタの設定によってトリガされる、装置。 - 前記複数のリフレッシュレジスタが、前記第2のレジスタを備え、
前記第2のレジスタが、前記1つまたは複数のターゲットメモリ区分のすべてをリフレッシュするフィールドで設定されるようにさらに構成される、請求項7に記載の装置。 - 前記複数のリフレッシュレジスタが、第3のレジスタおよび前記第4のレジスタを備え、
前記第3のレジスタが、リフレッシュされるアドレス範囲を指定するように構成され、
前記第4のレジスタが、前記リフレッシュ動作のためのターゲット範囲内のすべてのデータセルをリフレッシュする非選択的状態に設定されるようにさらに構成される、請求項7に記載の装置。 - 前記複数のリフレッシュレジスタが、第3のレジスタおよび前記第4のレジスタを備え、
前記第3のレジスタが、リフレッシュされるアドレス範囲を指定するように構成され、
ターゲット範囲内のすべてのデータセルが、前記第4のレジスタに基づいて、前記リフレッシュ動作のためリフレッシュされる、請求項7に記載の装置。 - 前記複数のリフレッシュレジスタが、前記第1のレジスタを備える、請求項7に記載の装置。
- 前記複数のリフレッシュレジスタが、前記第1のレジスタ、前記第2のレジスタ、前記第3のレジスタ、および前記第4のレジスタを備える、請求項9または10に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022014848A JP7348325B2 (ja) | 2016-06-20 | 2022-02-02 | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662352393P | 2016-06-20 | 2016-06-20 | |
US62/352,393 | 2016-06-20 | ||
US15/615,827 US10199115B2 (en) | 2016-06-20 | 2017-06-06 | Managing refresh for flash memory |
US15/615,827 | 2017-06-06 | ||
PCT/US2017/036397 WO2017222818A1 (en) | 2016-06-20 | 2017-06-07 | Managing refresh for flash memory |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022014848A Division JP7348325B2 (ja) | 2016-06-20 | 2022-02-02 | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522284A JP2019522284A (ja) | 2019-08-08 |
JP2019522284A5 JP2019522284A5 (ja) | 2020-07-02 |
JP7213690B2 true JP7213690B2 (ja) | 2023-01-27 |
Family
ID=60659776
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018566222A Active JP7213690B2 (ja) | 2016-06-20 | 2017-06-07 | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 |
JP2022014848A Active JP7348325B2 (ja) | 2016-06-20 | 2022-02-02 | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022014848A Active JP7348325B2 (ja) | 2016-06-20 | 2022-02-02 | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10199115B2 (ja) |
EP (2) | EP3594952A1 (ja) |
JP (2) | JP7213690B2 (ja) |
KR (1) | KR102508868B1 (ja) |
CN (2) | CN114758711A (ja) |
BR (1) | BR112018075661A2 (ja) |
CA (1) | CA3026804C (ja) |
ES (1) | ES2874279T3 (ja) |
WO (1) | WO2017222818A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10199115B2 (en) | 2016-06-20 | 2019-02-05 | Qualcomm Incorporated | Managing refresh for flash memory |
US10885991B2 (en) * | 2017-04-04 | 2021-01-05 | Sandisk Technologies Llc | Data rewrite during refresh window |
KR102658230B1 (ko) | 2018-06-01 | 2024-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
US10761727B2 (en) | 2018-11-19 | 2020-09-01 | Micron Technology, Inc. | Scan frequency modulation based on memory density or block usage |
US10725706B1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-28 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method of scheduling universal flash storage refresh operations according to a refresh handover mechanism |
US10811076B1 (en) * | 2019-06-29 | 2020-10-20 | Intel Corporation | Battery life based on inhibited memory refreshes |
US11404131B2 (en) * | 2019-07-12 | 2022-08-02 | Micron Technology, Inc. | Decision for executing full-memory refresh during memory sub-system power-on stage |
US11037641B1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-15 | Sandisk Technologies Llc | Temperature and cycling dependent refresh operation for memory cells |
US11475929B2 (en) | 2020-02-27 | 2022-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory refresh |
DE102020133713A1 (de) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Speicheraktualisierung |
CN111798906A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-20 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 提高非型闪存数据保持能力方法、系统、存储介质和终端 |
CN116312673A (zh) * | 2023-03-16 | 2023-06-23 | 海光集成电路设计(北京)有限公司 | 一种数据自刷新电路、芯片及电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514265A (ja) | 2008-12-30 | 2012-06-21 | ヌモニクス ベー. フェー. | 不揮発性メモリのための温度警報および低レートリフレッシュ |
US20140013036A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Oh-seong Kwon | User device having nonvolatile random access memory and method of booting the same |
JP2014178974A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | 電子機器、その制御方法及びプログラムに関する。 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3641066B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | フラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法 |
JP2000011670A (ja) | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Canon Inc | 不揮発性メモリを有する機器 |
JP2005025363A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sony Corp | バースト転送モード付データ転送装置、データ転送方法及びデータ転送プログラム |
US7342841B2 (en) * | 2004-12-21 | 2008-03-11 | Intel Corporation | Method, apparatus, and system for active refresh management |
JP5216244B2 (ja) | 2007-05-31 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | データリフレッシュ装置、及びデータリフレッシュ方法 |
JP5478855B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性メモリ制御方法及び半導体装置 |
JP5422984B2 (ja) | 2008-12-08 | 2014-02-19 | 富士通株式会社 | 不揮発性メモリ、メモリ制御装置、メモリ制御システムおよび不揮発性メモリの制御方法 |
CN101889313B (zh) * | 2008-12-30 | 2014-12-03 | E·孔法洛涅里 | 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器 |
KR101649395B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-08-19 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 비휘발성 메모리에 대한 리프레시 아키텍처 및 알고리즘 |
KR101798920B1 (ko) * | 2010-11-30 | 2017-11-17 | 삼성전자주식회사 | 다중 주기 셀프 리프레쉬를 수행하는 반도체 메모리 장치 및이의 검증 방법 |
KR101962874B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2019-03-27 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
US9236110B2 (en) * | 2012-06-30 | 2016-01-12 | Intel Corporation | Row hammer refresh command |
KR20140076735A (ko) * | 2012-12-13 | 2014-06-23 | 삼성전자주식회사 | 휘발성 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
US9076499B2 (en) * | 2012-12-28 | 2015-07-07 | Intel Corporation | Refresh rate performance based on in-system weak bit detection |
US9336855B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-05-10 | Qualcomm Incorporated | Methods and systems for smart refresh of dynamic random access memory |
JP6011512B2 (ja) | 2013-10-29 | 2016-10-19 | 株式会社デンソー | データリフレッシュ装置 |
KR101601643B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2016-03-09 | 주식회사 피델릭스 | 효율적으로 리프레쉬 동작을 수행하는 플래시 메모리 장치 |
US9817749B2 (en) | 2013-12-04 | 2017-11-14 | Sandisk Technologies Llc | Apparatus and method of offloading processing from a data storage device to a host device |
KR102289001B1 (ko) * | 2014-06-09 | 2021-08-13 | 삼성전자주식회사 | 솔리드 스테이드 드라이브 및 그것의 동작 방법 |
US10199115B2 (en) | 2016-06-20 | 2019-02-05 | Qualcomm Incorporated | Managing refresh for flash memory |
-
2017
- 2017-06-06 US US15/615,827 patent/US10199115B2/en active Active
- 2017-06-07 ES ES17739376T patent/ES2874279T3/es active Active
- 2017-06-07 KR KR1020187036425A patent/KR102508868B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-07 CN CN202210480333.3A patent/CN114758711A/zh active Pending
- 2017-06-07 CN CN201780037555.5A patent/CN109328386B/zh active Active
- 2017-06-07 EP EP19188896.5A patent/EP3594952A1/en active Pending
- 2017-06-07 BR BR112018075661-0A patent/BR112018075661A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-06-07 WO PCT/US2017/036397 patent/WO2017222818A1/en unknown
- 2017-06-07 JP JP2018566222A patent/JP7213690B2/ja active Active
- 2017-06-07 CA CA3026804A patent/CA3026804C/en active Active
- 2017-06-07 EP EP17739376.6A patent/EP3472840B1/en active Active
-
2018
- 2018-10-30 US US16/175,745 patent/US10360987B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-02 JP JP2022014848A patent/JP7348325B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514265A (ja) | 2008-12-30 | 2012-06-21 | ヌモニクス ベー. フェー. | 不揮発性メモリのための温度警報および低レートリフレッシュ |
US20140013036A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Oh-seong Kwon | User device having nonvolatile random access memory and method of booting the same |
JP2014178974A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | 電子機器、その制御方法及びプログラムに関する。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2874279T3 (es) | 2021-11-04 |
CN109328386B (zh) | 2022-04-29 |
EP3472840A1 (en) | 2019-04-24 |
JP7348325B2 (ja) | 2023-09-20 |
EP3594952A1 (en) | 2020-01-15 |
US20190066811A1 (en) | 2019-02-28 |
US10360987B2 (en) | 2019-07-23 |
JP2022070884A (ja) | 2022-05-13 |
CN114758711A (zh) | 2022-07-15 |
CA3026804A1 (en) | 2017-12-28 |
US20170365352A1 (en) | 2017-12-21 |
JP2019522284A (ja) | 2019-08-08 |
EP3472840B1 (en) | 2021-02-24 |
CN109328386A (zh) | 2019-02-12 |
CA3026804C (en) | 2023-09-05 |
WO2017222818A1 (en) | 2017-12-28 |
BR112018075661A2 (pt) | 2019-04-09 |
US10199115B2 (en) | 2019-02-05 |
KR102508868B1 (ko) | 2023-03-09 |
KR20190016968A (ko) | 2019-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7213690B2 (ja) | フラッシュメモリのためのリフレッシュの管理 | |
US12029031B2 (en) | Memory system | |
CN106683692B (zh) | 非易失性存储装置及其操作方法 | |
KR102118979B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
US9903901B2 (en) | Leakage current detection device and nonvolatile memory device having the same | |
US20160018454A1 (en) | Leakage current detection device, integrated circuit device having the same, and method of detecting leakage current in nonvolatile memory device | |
US10679701B2 (en) | Solid state drive devices and storage systems having the same | |
US20140233316A1 (en) | Memory system and programming method thereof | |
KR20190064965A (ko) | 메모리 컨트롤러 및 그것의 제어 방법 | |
US9501343B2 (en) | Method of operating non-volatile memory device | |
US9030878B2 (en) | Semiconductor memory device including a plurality of cell strings, memory system including the same, and control method thereof | |
KR20190106282A (ko) | 저전압 감지 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 | |
KR20120056113A (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 | |
US9478295B2 (en) | Non-volatile memory device and related method of operation | |
CN106205695B (zh) | 半导体器件及其操作方法 | |
US9105346B2 (en) | Semiconductor device and method for operating the same | |
US9406383B2 (en) | Non-volatile memory device and method of programming the same | |
US20240242768A1 (en) | Controlling erase-to-program delay for improving data retention |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200518 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210728 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220202 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220202 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220215 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220221 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20220422 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20220509 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220530 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20220822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221004 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20221017 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20221128 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20221223 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20221223 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7213690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |