JP2014178974A - 電子機器、その制御方法及びプログラムに関する。 - Google Patents

Abstract

【課題】メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献すること。
【解決手段】電子機器は、電源部と、電源部と電気的に接続し、電源部の電池残量を測定する電池残量測定回路と、不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、電池残量測定回路が、電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、制御対象メモリ、及び処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、制御対象メモリに電力を供給し、制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理回路と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子機器、その制御方法及びプログラムに関する。特に不揮発性メモリを備える電子機器、その制御方法及びプログラムに関する。

不揮発性メモリにおいては、品質保障基準として、記憶するデータを保障できる、書き込み回数が設定されている。そこで、メモリの書き込み回数が品質保障基準の回数を超えた場合、時間が経過するほど、データ保持特性が劣化する。その結果、時間が経過するほど、不揮発性メモリから、誤ったデータが読み出される可能性が増加する。

そこで、不揮発性メモリを備える電子機器は、データ保持特性の劣化を防止するために、データのリフレッシュ処理を実行することが好ましい。リフレッシュ処理とは、所定のアドレスからデータを読み出し、同一のアドレスにデータを書き込む処理を意味する。

ここで、特許文献１において、温度と、システム時間に基づいて、不揮発性メモリのリフレッシュ処理を実行する技術が開示されている。

特開２０１１−２２７７５６号公報

なお、上記先行技術文献の開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。以下の分析は、本発明の観点からなされたものである。

上述の通り不揮発性メモリを備える電子機器は、データ保持特性の劣化を防止するために、データのリフレッシュ処理を実行することが好ましい。しかし、電池残量がなくなってしまった場合、電子機器はデータのリフレッシュ処理を実行できない。

例えば、メモリの書き込み回数が品質保障基準の回数を超えてしまっており、データのリフレッシュ処理を実行できないとする。その場合、時間が経過するほど、データの保持特性が劣化する。

特許文献１で開示された技術では、データのリフレッシュ処理を実行するための電池残量があることを前提としている。そのため、特許文献１で開示された技術では、メモリの書き込み回数が品質保障基準の回数を超えてしまっており、データのリフレッシュ処理を実行できない場合、データの保持特性の劣化を抑制できない。

そこで、本発明は、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する電子機器、その制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。

本発明の第１の視点によれば、電源部と、前記電源部と電気的に接続し、前記電源部の電池残量を測定する電池残量測定回路と、不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理回路と、を備える電子機器が提供される。

本発明の第２の視点によれば、電源部と、前記電源部と電気的に接続し、前記電源部の電池残量を測定する電池残量測定回路と、第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理回路と、を備える電子機器が提供される。

本発明の第３の視点によれば、不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、を備える電子機器を制御する制御方法であって、電池残量を測定する工程と、前記電池残量が所定の基準電地残量以下であると測定された場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理工程と、を含む電子機器の制御方法が提供される。

本発明の第４の視点によれば、電源部と、第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、を備える電子機器を制御する制御方法であって、電池残量を測定する工程と、前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理工程と、を含む電子機器の制御方法が提供される。
なお、第３及び第４の視点に係る方法は、不揮発性メモリを備える電子機器という、特定の機械に結び付けられている。

本発明の第５の視点によれば、不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、を備える電子機器を制御するコンピュータに実行させるプログラムであって、電池残量を測定する処理と、前記電池残量が所定の基準電地残量以下であると測定された場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理処理と、を実行するプログラムが提供される。

本発明の第６の視点によれば、電源部と、第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、を備える電子機器を制御するコンピュータに実行させるプログラムであって、電池残量を測定する処理と、前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理処理と、を実行するプログラムが提供される。
なお、第５及び第６の視点に係るプログラムは、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体に記録することができる。記憶媒体は、半導体メモリ、ハードディスク、磁気記録媒体、光記録媒体等の非トランジェント（non-transient）なものとすることができる。本発明は、コンピュータプログラム製品として具現することも可能である。

本発明の各視点によれば、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する電子機器、その制御方法及びプログラムが提供される。

一実施形態の概要を説明するための図である。 第１の実施形態に係る電子機器１の内部構成の一例を示すブロック図である 環境温度毎の基準電池残量、リフレッシュ間隔の一例を示す図である。 リフレッシュレベルと、リフレッシュ時間と、基準電池残量と、の対応関係の一例を示す図である。 管理回路４０の動作の一例を示すフローチャートである。 第１のスイッチ５１乃至第３のスイッチ５３の状態を示す図である。 リフレッシュ処理の一例を示すフローチャートである。 リフレッシュ制御回路４１の効果の一例を示す図である。 総経過時間と、基準電池残量と、リフレッシュ間隔と、の対応関係の一例を示す図である。

初めに、図１を用いて一実施形態の概要について説明する。なお、この概要に付記した図面参照符号は、理解を助けるための一例として各要素に便宜上付記したものであり、この概要の記載はなんらの限定を意図するものではない。

上述の通り、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する電子機器、制御方法及びプログラムが望まれる。

そこで、一例として、図１に示す電子機器１００を提供する。電子機器１００は、電源部１０１と、電池残量測定回路１０２と、制御対象メモリ１０３と、処理回路１０４と、管理回路１０５と、を備える。

電池残力測定回路１０２は、電源部１０１と電気的に接続し、電源部１０１の電池残量を測定する。制御対象メモリ１０３は、不揮発性メモリであって、情報を記憶する。処理回路１０４は、ソフトウェアプログラムを実行する。

管理回路１０５は、電池残量測定回路１０２が、電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、制御対象メモリ１０３、及び処理回路１０４に対する電力供給を停止する。ここで、基準電地残量は、制御対象メモリ１０３のリフレッシュ処理に必要な電力を超えていることが好ましい。つまり、管理回路１０５は、リフレッシュ処理に必要な電力（電池残量）を残して、制御対象メモリ１０３、及び処理回路１０４が電力を消費することを防止する。なお、リフレッシュ処理とは、所定のアドレスからデータを読み出し、同一のアドレスにデータを書き込む処理を意味する。

そして、管理回路１０５は、所定のリフレッシュ間隔毎に、制御対象メモリ１０３に電力を供給し、制御対象メモリ１０３のリフレッシュ処理を実行する。つまり、処理回路１０４へ電力が供給されない状態であっても、管理回路１０５は、制御対象メモリ１０３のリフレッシュ処理を実行する。例えば、ユーザが電子機器１００のシャットダウン操作を実行した場合であっても、管理回路１０５は、制御対象メモリ１０３のリフレッシュ処理を実行する。

ここで、制御対象メモリ１０３は、リフレッシュ処理を実行した場合、データの信頼性が低下することを抑制できる。つまり、電子機器１００は、不揮発性メモリである、制御対象メモリ１０３のデータの信頼性が低下することを抑制できる。従って、電子機器１００は、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する。

［第１の実施形態］
第１の実施形態について、図面を用いてより詳細に説明する。

図２は、本実施形態に係る電子機器１の内部構成の一例を示すブロック図である。電子機器１は、処理回路１０と、電源部２０と、制御対象メモリ３０と、管理回路４０と、第１のスイッチ５１と、第２のスイッチ５２と、第３のスイッチ５３と、を含んで構成される。処理回路１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１、処理メモリ１２と、周辺回路１３と、電池残量測定回路１４と、を含んで構成される。管理回路４０は、リフレッシュ制御回路４１と、タイマ回路４２と、一時記憶メモリ４３と、温度測定回路４４と、を含んで構成される。

第１のスイッチ５１は、端子５１１と、端子５１２と、を含んで構成される。第２のスイッチ５２は、端子５２１と、端子５２２と、を含んで構成される。第３のスイッチ５３は、端子５３１と、端子５３２と、端子５３３と、を含んで構成される。図２は、簡単のため、本実施形態に関係するモジュールを主に記載する。なお、図２は、本実施形態に係る電子機器１を図２に示す構成に限定する趣旨ではない。

電子機器１は、スマートフォン、携帯電話、ゲーム機、タブレットＰＣ（Personal Computer）、ノートＰＣ、ＰＤＡ（Personal Data Assistants；携帯情報端末）の機器であっても良い。

処理回路１０は、第１のスイッチ５１を介して、電源部２０と接続する。具体的には、第１のスイッチ５１の端子５１１は、ＣＰＵ１１と接続する。また、第１のスイッチ５１の端子５１２は、電源部２０と接続する。そして、第１のスイッチがオンの場合（端子５１１と端子５１２と、が電気的に接続された場合）、処理回路１０は、電源部２０と電気的に接続する。

また、処理回路１０は、第３のスイッチを介して、管理回路４０と接続する。具体的には、第３のスイッチ５３の端子５３１は、ＣＰＵ１１と接続する。また、第３のスイッチ５３の端子５３２は、制御対象メモリ３０と接続する。そして、端子５３１と端子５３２と、が電気的に接続された場合、処理回路１０は、制御対象メモリ３０と電気的に接続する。

ＣＰＵ１１は、処理メモリ１２と、周辺回路１３と、電池残量測定回路１４と接続する。そして、ＣＰＵ１１は、処理メモリ１２と、周辺回路１３と、電池残量測定回路１４と、を制御する。また、ＣＰＵ１１は、制御対象メモリ３０が、記憶するソフトウェアプログラム等を実行する。

処理メモリ１２は、ソフトウェアプログラムを動作させるために、一時的に記憶するデータを記憶する。処理メモリ１２は、揮発性メモリであっても良い。例えば、処理メモリ１２は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）であっても良い。

周辺回路１３は、ソフトウェアプログラムに応じて動作する回路である。例えば、周辺回路１３は、通信のための回路、表示部、タッチパネル、カメラ装置等を含んでも良い。表示部は、液晶パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル等であっても良い。

電子機器１が起動された場合、ＣＰＵ１１は、制御対象メモリ３０が記憶するソフトウェアプログラムを、処理メモリ１２に転送する。つまり、ＣＰＵ１１は、処理メモリ１２にソフトウェアプログラムを記憶させる。そして、ＣＰＵ１１は、処理メモリ１２が記憶するソフトウェアプログラムを実行する。そして、ＣＰＵ１１は、ソフトウェアプログラムに基づいて、周辺回路１３を制御する。

電池残量測定回路１４は、電源部２０と電気的に接続し、電源部２０の電池残量を測定する。例えば、電池残量測定回路１４は、電源部２０内部の電圧差に基づいて、電池残量を推定しても良い。なお、電池残量の測定方法は各種あるが、その詳細は問わない。

制御対象メモリ３０は、第２のスイッチ５２を介して、電源部２０と接続する。具体的には、第２のスイッチ５２の端子５２１は、制御対象メモリ３０と接続する。また、第２のスイッチ５２の端子５２２は、電源部２０と接続する。そして、第２のスイッチ５２がオンの場合（端子５２１と端子５２２が電気的に接続された場合）、制御対象メモリ３０は、電源部２０と電気的に接続する。

また、制御対象メモリ３０は、第３のスイッチ５３を介して、管理回路４０と接続する。具体的には、第３のスイッチ５３の端子５３２は、制御対象メモリ３０と接続する。また、第３のスイッチの端子５３３は、リフレッシュ制御回路４１と接続する。そして、端子５３２と、端子５３３と、が電気的に接続された場合、制御対象メモリ３０は、リフレッシュ制御回路４１と電気的に接続する。

制御対象メモリ３０は、データを記憶する。具体的には、制御対象メモリ３０は、ソフトウェアプログラム等、電子機器１を動作させるために必要なデータを記憶する。制御対象メモリ３０は、不揮発性メモリであることが好ましい。制御対象メモリ３０は、ＮＡＮＤ型の不揮発性メモリであっても良い。また、制御対象メモリ３０は、ｅＭＭＣ（embedded Multimedia Card）から構成されていても良い。

管理回路４０は、電源部２０と接続する。また、管理回路４０は、第３のスイッチ５３を介して、制御対象メモリ３０と接続する。また、管理回路４０の内部において、リフレッシュ制御回路４１は、タイマ回路４２と、一時記憶メモリ４３と、温度測定回路４４と、レベル記憶メモリ４５と、接続する。

また、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、第２のスイッチ５２、第３のスイッチ５３と接続する。そして、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、第２のスイッチ５２、第３のスイッチ５３を制御する。管理回路４０、及びリフレッシュ制御回路４１の詳細については、後述する。

タイマ回路４２は、時間を計測する。例えば、タイマ回路４２は、電子機器１の初回の起動開始時からの総時間を計測しても良い。

一時記憶メモリ４３は、制御対象メモリ３０をリフレッシュ処理する場合に、一時的に、データを記憶する。一時記憶メモリ４３は、揮発性メモリであっても良い。例えば、一時記憶メモリ４３は、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）であっても良い。

レベル記憶メモリ４５は、リフレッシュ制御回路４１が、第１のスイッチ５１乃至第３のスイッチ５３を制御するために必要なデータを記憶する。レベル記憶メモリ４５が記憶するデータの詳細は、後述する。レベル記憶メモリ４５は、不揮発性メモリであることが好ましい。例えば、レベル記憶メモリ４５は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）であっても良い。

温度測定回路４４は、電子機器１周辺の温度（以下、環境温度と呼ぶ）を計測する。

次に、管理回路４０の詳細について説明する。

管理回路４０は、電池残量測定回路１４が、電池残量を所定の基準電池残量以下であると判断した場合、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０に対する電力供給を停止する。なお、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０が停止された後であっても、管理回路４０には電力が供給される。

具体的には、リフレッシュ制御回路４１は、電池残量測定回路１４が、電池残量を所定の基準電池残量以下であると測定した場合、第１のスイッチ、及び第２のスイッチをオフにする。以下の説明では、リフレッシュ制御回路４１が第１のスイッチ、及び第２のスイッチをオフにする処理を、シャットダウン処理と呼ぶ。リフレッシュ処理の詳細については、後述する。

また、管理回路４０は、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０に対する電力供給を停止したとする。その場合、管理回路４０は、所定の時間（以下、リフレッシュ間隔と呼ぶ）毎に、制御対象メモリ３０に電力を供給し、制御対象メモリ３０のリフレッシュ処理を実行する。

具体的には、リフレッシュ制御回路４１は、リフレッシュ間隔毎に、第２のスイッチ５２をオンにし、制御対象メモリ３０のリフレッシュ処理を実行することが好ましい。その場合、リフレッシュ制御回路４１は、リフレッシュ間隔毎に、制御対象メモリ３０と電気的に接続し、処理回路１０と電気的に非接続となるように、第３のスイッチ５３を切り替えることが好ましい。

そして、リフレッシュ制御回路４１は、電池残量測定回路１４が、電池残量を所定の基準電池残量より多いと判断した場合、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０に対する電力供給を再開しても良い。つまり、電池残量測定回路１４が、電池残量を所定の基準電池残量より多いと判断した場合、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２をオンにしても良い。

また、電子機器１の初回起動時からの総経過時間が、所定の基準時間（例えば、３年）を超えており、電池残力測定部１４が電池残量を所定の基準電池残量以下であると測定した場合を考える。その場合、リフレッシュ制御回路４１は、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０に対する電力供給を停止しても良い。ここで、総経過時間とは、電子機器１の起動の有無に依らず、電子機器１の初回起動時からの経過時間を意味する。

レベル記憶メモリ４５は、基準時間、リフレッシュ間隔、基準電池残量を記憶することが好ましい。例えば、レベル記憶メモリ４５は、基準時間と、リフレッシュ間隔と、基準電池残量と、を対応付けたテーブルを記憶しても良い。例えば、レベル記憶メモリ４５は、電子機器１が使用開始（出荷）される前に、予め、基準時間と、リフレッシュ間隔と、基準電池残量と、を対応付けたテーブルを記憶しておいても良い。

また、リフレッシュ制御回路４１は、予め定めたリフレッシュレベルに応じて、リフレッシュ間隔、基準電池残量の少なくともいずれかを変更しても良い。その場合、レベル記憶部メモリ４５は、リフレッシュレベルに、リフレッシュ間隔、及び基準電池残量を対応付けて記憶する。その場合、レベル記憶部メモリ４５は、リフレッシュレベルに、リフレッシュ間隔、及び基準電池残量を対応付けたテーブルを記憶しても良い。

また、リフレッシュ制御回路４１は、環境温度に応じて、リフレッシュレベルを変更しても良い。なぜなら、不揮発性メモリのデータ保持時間と、環境温度と、は相関関係があるからである。具体的には、環境温度が高いほど、不揮発性メモリのデータ保障時間は短くなる。つまり、環境温度が高いほど、不揮発性メモリに記憶されたデータのビットエラー率の増加速度が早い。そこで、リフレッシュ制御回路４１は、環境温度が高いほど、リフレッシュ間隔を短くしても良い。リフレッシュ制御回路４１がリフレッシュ処理を実行した場合、データのビットエラー率を低減できる。なお、管理回路４０は、環境温度の統計量（例えば、環境温度の平均温度）に応じて、リフレッシュレベルを変更しても良い。

図３は、環境温度毎の基準電池残量、リフレッシュ間隔の一例を示す図である。図３の場合、基準時間は３年であるとする。例えば、図３の場合、環境温度３０度の場合、基準電池残量は２％であり、リフレッシュ間隔は３６０日である。これは、総経過時間が３年以上であり、環境温度３０度であり、電池残量が２％以下である場合、リフレッシュ制御回路４１が、３６０日に１回、制御対象メモリ３０のリフレッシュ処理を実行することを示す。また、図３は、総経過時間が３年以上であり、環境温度４０度である場合、リフレッシュ制御回路４１が、１８０日に１回、制御対象メモリ３０のリフレッシュ処理を実行することを示す。また、図３は、総経過時間が３年以上であり、環境温度５０度である場合、リフレッシュ制御回路４１が、１２０日に１回、制御対象メモリ３０のリフレッシュ処理を実行することを示す。

図４は、リフレッシュレベルと、リフレッシュ時間と、基準電池残量と、の対応関係の一例を示す図である。具体的には、図４は、リフレッシュレベルが、「Ｌｅｖｅｌ１」から「Ｌｅｖｅｌ６」の場合のリフレッシュ間隔、基準電池残量を示す。例えば、図４の場合、リフレッシュレベル「Ｌｅｖｅｌ６」はリフレッシュレベル「Ｌｅｖｅｌ１」より、リフレッシュ間隔が短い。ここで、図４に示すように、リフレッシュ間隔が短くなるほど、基準電池残量を多く設定することが好ましい。レベル記憶メモリ４５は、図４に示すようなテーブルを記憶しても良い。

次に、本実施形態に係る電子機器１の動作について説明する。

図５は、管理回路４０の動作の一例を示すフローチャートである。

まず、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２がオンの状態であるとする。また、処理回路１０と、制御対象メモリ３０と、が電気的に接続されるように、第３のスイッチ５３が設定されているとする。

そして、ステップＳ１において、総経過時間が基準時間（例えば、３年）を超えているか否か、をリフレッシュ制御回路４１は判断する。総経過時間が基準時間を超えている場合（ステップＳ１のＹｅｓ分岐）には、ステップＳ２に遷移する。総経過時間が基準時間を超えていない場合（ステップＳ１のＮｏ分岐）には、総経過時間が基準時間を超えるまで、ステップＳ１の判断を繰り返す。

ステップＳ２において、リフレッシュ制御回路４１は、環境温度に応じて、リフレッシュレベルを設定する。

ステップＳ３において、電池残量が基準電池残量以下であるか否かを、リフレッシュ制御回路４１は判断する。具体的には、リフレッシュ制御回路４１は、レベル記憶メモリ４５を参照し、リフレッシュレベルに応じた基準電池残量を取得する。そして、リフレッシュ制御回路４１は、電池残量測定回路１４が測定する電池残量に基づいて、電池残量が基準電池残量以下であるか否かを判断する。

電池残量が基準電池残量以下である場合（ステップＳ３のＹｅｓ分岐）には、ステップＳ４に遷移する。電池残量が基準電池残量を超えている場合（ステップＳ３のＮｏ分岐）には、ステップＳ１に戻り、処理を継続する。

ステップＳ４において、タイマ回路４２は、リフレッシュまでの時間を計測開始する。そして、ステップＳ５において、リフレッシュ制御回路４１は、シャットダウン処理を実行する。具体的には、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２をオフにする。

ステップＳ６において、リフレッシュ間隔が経過したか否かを、タイマ回路４２は判断する。具体的には、タイマ回路４２は、レベル記憶メモリ４５を参照し、リフレッシュレベルに応じたリフレッシュ間隔を取得する。そして、リフレッシュまでの時間の計測開始（ステップＳ４）から、リフレッシュ間隔を経過したか否かを、タイマ４２は判断する。

リフレッシュ間隔が経過した場合（ステップＳ６のＹｅｓ分岐）には、ステップＳ７に遷移する。リフレッシュ間隔が経過しない場合（ステップＳ６のＮｏ分岐）には、リフレッシュ間隔が経過するまで、ステップＳ６の判断を繰り返す。

ステップＳ７において、リフレッシュ制御回路４１は、リフレッシュ準備を開始する。具体的には、リフレッシュ制御回路４１は、第２のスイッチ５２をオンにする。さらに、制御対象メモリ３０と、リフレッシュ制御回路４１が接続するように、リフレッシュ制御回路４１は第３のスイッチ５３を切り替える。そして、ステップＳ８において、管理回路４０は、リフレッシュ処理を実行する。リフレッシュ処理の詳細については、図７を用いて、後述する。

そして、ステップ９において、リフレッシュ制御回路４１は、再び、シャットダウン処理を実行する。つまり、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２をオフにする。

図６は、第１のスイッチ５１乃至第３のスイッチ５３の状態を示す図である。まず、総経過時間が基準時間未満の場合、第１のスイッチ５１乃至第３のスイッチ５３の状態は固定である。具体的には、総経過時間が基準時間未満の場合、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２はオンである。そして、第３のスイッチ５３は、端子５３１と端子５３２が接続された状態である。つまり、処理回路１０と、制御対象メモリ３０と、が電気的に接続するように、第３のスイッチ５３を設定する。

次に、総経過時間が基準時間以上の場合を考える。まず、電子機器１が動作中の場合を考える。これは、電池残量が基準電池残量を越えている状態を意味する。その場合、総経過時間が基準時間以下の場合と同様であるため、詳細な説明を省略する。

次に、総経過時間が基準時間以上であり、シャットダウン状態の場合を考える。これは、総経過時間が基準時間以上であり、電池残量が基準電池残量以下の場合を意味する。その場合、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２は、オフである。第３のスイッチ５３は、総経過時間が基準時間以上の場合と同様の状態である。

次に、総経過時間が基準時間以上であり、リフレッシュ処理中の場合を考える。その場合、第１のスイッチ５１は、オフであり、第２のスイッチ５２は、オンである。つまり、処理回路１０は、電源部２０と電気的に非接続の状態である。しかし、制御対象メモリ３０は、電源部２０と電気的に接続された状態である。そして、第３のスイッチ５３は、端子５３２と端子５３３が接続された状態である。つまり、管理回路４０と、制御対象メモリ３０と、が電気的に接続するように、第３のスイッチ５３を設定する。

図７は、リフレッシュ処理の一例を示すフローチャートである。

ステップＳ１０１において、リフレッシュ制御回路４１は、セクタ番号を初期化する。

ステップＳ１０２において、リフレッシュ制御回路４１は、制御対象メモリ３０のセクタを指定し、読み出しコマンドを発行する。

ステップＳ０１０３において、リフレッシュ制御回路４１は、制御対象メモリ３０からの読み出しデータを一時記憶メモリ４３に転送する。

ステップＳ１０４において、リフレッシュ制御回路４１は、制御対象メモリのセクタを指定し、書き込みコマンドを発行する。

ステップＳ１０５において、リフレッシュ制御回路４１は、一時記憶メモリ４３から、書き込みデータを制御対象メモリ３０へ転送する。

ステップＳ１０６において、指定しているセクタ番号が最終セクタ番号であるか否か、をリフレッシュ制御回路４１は判断する。指定しているセクタ番号が最終セクタ番号である場合（ステップＳ１０６のＹｅｓ分岐）には、リフレッシュ処理を終了する。指定しているセクタ番号が最終セクタ番号でない（ステップＳ１０６のＮｏ分岐）には、リフレッシュ制御回路４１は、セクタ番号をインクリメントする（ステップＳ１０７）。そして、ステップＳ１０２に戻り、処理を継続する。なお、電子機器１の充電処理が開始された場合、リフレッシュ制御回路４１は、第１のスイッチ５１、及び第２のスイッチ５２をオンにする。そして、制御対象メモリ３０、及び処理回路１０に電力が供給される。そして、充電処理が終了した場合、図５に示すステップＳ１に遷移し、処理を継続する。

図８は、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１の効果の一例を示す図である。具体的には、図８は、本実施形態に係る電子機器１が放置された場合に、制御対象メモリ３０のビットエラー率の推移の一例を示す図である。つまり、図８は、本実施形態に係る電子機器１がシャットダウン状態となり、不使用である場合の、制御対象メモリ３０のビットエラー率の推移の一例を示す図である。

例えば、環境温度が３０度の場合、直線ｃ−１に示すように、ビットエラーが増加する。そして、電子機器１が放置してから１年後には、点ａ１で示すように、ビットエラー率が１％に近づく。不揮発性メモリの場合、ビットエラー率が１％を超えると、不揮発性メモリに内蔵されるＥＣＣ（Error Checking and Correction）回路を用いて、正しいデータへの補正が困難になる場合がある。ここで、本実施形態に係る電子機器１以外の場合、放置年数が増加するほど、直線ａ１に示すように、ビットエラー率が増加する。

しかし、本実施形態に係る電子機器１において、リフレッシュ間隔を１年とする場合、リフレッシュ制御回路４１はリフレッシュ処理を実行する。そのため、リフレッシュ処理が実行された場合、制御対象メモリ３０のビットエラー率は、直線ｃ−２に示すように、０％に戻る。その結果、制御対象メモリ３０からの読み出しデータが保障される。その後、ビットエラー率が、直線ｃ−３で示すように増加する。しかし、本実施形態に係る電子機器１がリフレッシュ処理を実行した場合、リフレッシュ処理を実行しない場合と比較して、読み出しデータが保障される期間が延長される。つまり、本実施形態に係る電子機器１がリフレッシュ処理を実行した場合、点ａ１〜点ａ２までの期間、読み出しデータが保障される期間が延長される。

また、環境温度が４０度の場合において、本実施形態に係る電子機器１がリフレッシュ処理を実行した場合、ビットエラー率が直線ｄ−１、直線ｄ−２、直線ｄ−３、直線ｄ−４に示すように、推移したとする。その場合、本実施形態に係る電子機器１において、環境温度が４０度の場合、点ｂ１〜点ｂ２までの期間、読み出しデータが保障される期間が延長される。なお、詳細な説明は、環境温度が３０度の場合と同様であるため、省略する。

以上のように、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、シャットダウン後であっても、所定の時間毎に、制御対象のメモリをリフレッシュする。そのため、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、制御対象のメモリのビットエラー率の増加を抑制することに貢献する。

また、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、電子機器１を放置したとして、ユーザが意識することなく、制御対象のメモリに記憶されたデータを保障できる。そして、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する。

また、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、不揮発性メモリの書き込み回数が品質保障基準を超えた場合であっても、メモリに記憶されたデータを保障できる。つまり、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、不揮発性メモリの書き込み回数が品質保障基準を超えた場合であっても、メモリに記憶されたデータを保障する期間を延長することに貢献する。

［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について、詳細に説明する。

本実施形態は、総経過時間に応じて、基準電池残量、リフレッシュ間隔を変更する形態である。なお、本実施形態における説明では、第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。さらに、本実施形態における説明では、第１の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態に係るレベル記憶メモリ４５は、総経過時間に、基準電池残量、リフレッシュ間隔を対応付けて記憶する。レベル記憶メモリ４５は、総経過時間に、基準電池残量、リフレッシュ間隔を対応付けたテーブルを記憶しても良い。

図９は、総経過時間に、基準電池残量、リフレッシュ間隔を対応付けたテーブルの一例を示す図である。まず、電子機器１の総経過時間が３年以上４年未満の場合について説明する。ここで、電子機器１が起動されず、放置された場合であっても、３６０日は制御対象メモリ３０のデータを保持することを想定する。その場合、図９は、環境温度が３０度である場合、リフレッシュ制御回路４１が、３６０日に１回の頻度でリフレッシュ処理を実行することを示す。また、図９は、環境温度が４０度である場合、リフレッシュ制御回路４１が、１８０日に１回の頻度でリフレッシュ処理を実行することを示す。また、図９は、環境温度が５０度である場合、リフレッシュ制御回路４１が、１２０に１回の頻度でリフレッシュ処理を実行することを示す。

さらに、リフレッシュ制御回路４１が制御対象メモリ３０の所定のセクタ（例えば、制御対象メモリ３０の全セクタ）をリフレッシュする場合、電池残量の２％の電力が必要であることを想定する。その場合、図９は、環境温度が３０度である場合、２％の電池残量が必要であることを示す。また、図９は、環境温度が４０度である場合、４％の電池残量が必要であることを示す。また、図９は、環境温度が５０度である場合、６％の電池残量が必要であることを示す。

そして、図９は、総経過時間が４年以上５年未満の場合、総経過時間が５年以上の場合について、環境温度に応じて、基準電池残量、及びリフレッシュ間隔を示す。詳細な説明は、総経過時間が３年以上４年未満の場合と同様であるため、省略する。

図９の場合、総経過時間が増加するほど、同一の環境温度であっても、リフレッシュ間隔が短い。つまり、図９は、総経過時間が増加するほど、リフレッシュ制御回路４１は、頻繁にリフレッシュ処理を実行することを示す。

以上のように、本実施形態に係る電子機器１は、総経過時間に、基準電池残量、リフレッシュ間隔を対応付けて記憶する。そのため、本実施形態に係る電子機器１は、電子機器１に期待される耐久年数に応じて、メモリに記憶されたデータを保障することに貢献する。

［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について、詳細に説明する。

本実施形態は、電子機器１の外部から、環境温度に関する情報を取得する形態である。なお、本実施形態における説明では、上記の実施形態と重複する部分の説明は省略する。さらに、本実施形態における説明では、上記の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態に係る周辺回路１３は、通信回路を含む。また、本実施形態に係る周辺回路１３は、位置情報取得回路を含む。通信回路は、ネットワークに接続する処理を実行する。また、位置情報取得回路は、位置情報を取得する処理を実行する。例えば、位置情報取得回路は、ＧＰＳ（Global Positioning System）受信回路を含んでいても良い。

そして、本実施形態に係る処理回路１０は、前記通信回路を介して、位置情報に基づいて、環境温度情報を取得する。ここで、環境温度情報とは、電子機器１の使用環境での温度に関する情報である。例えば、環境温度情報とは、電子機器１の使用環境での外気温に関する情報であっても良い。そして、レベル記憶メモリ４５は、取得した環境温度情報を記憶する。

例えば、処理回路１０は、インターネットに接続する処理を実行し、所定のＷｅｂサイトから、位置情報に基づいて、環境温度情報を取得しても良い。

そして、本実施形態に係るリフレッシュ制御回路４１は、環境温度情報に応じて、リフレッシュレベルを変更する。

以上のように、本実施形態に係る電子機器１は、環境温度に関する情報を取得する。そのため、温度測定回路４４の性能に依存せず、環境温度に関する情報を取得できる。

上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。

（付記１）上記第１の視点に係る電子機器の通りである。

（付記２）前記管理回路は、予め定めたリフレッシュレベルに応じて、前記リフレッシュ間隔、前記基準電池残量の少なくともいずれかを変更する付記１に記載の電子機器。

（付記３）環境温度を測定する温度測定回路を備え、前記管理回路は、前記環境温度に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記２に記載の電子機器。

（付記４）通信回路を備え、前記処理回路は、前記通信回路を介して、環境温度情報を取得し、前記管理回路は、前記環境温度情報に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記２又は３に記載の電子機器。

（付記５）時間を計測するタイマ回路を備え、前記管理回路は、電子機器の初回起動時からの総経過時間が、所定の基準時間を超えており、電池残量測定部が前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止する付記１乃至４のいずれか一に記載の電子機器。

（付記６）上記第２の視点に係る電子機器の通りである。

（付記７）前記管理回路は、第３のスイッチを介して、前記処理回路、及び前記制御対象メモリと接続し、リフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリと電気的に接続し、前記処理回路と電気的に非接続となるように、前記第３のスイッチを切り替える請求項６に記載の電子機器。

（付記８）上記第３の視点に係る電子機器の制御方法の通りである。

（付記９）前記管理工程において、予め定めたリフレッシュレベルに応じて、前記リフレッシュ間隔、前記基準電池残量の少なくともいずれかを変更する付記８に記載の電子機器の制御方法。

（付記１０）環境温度を測定する工程を含み、前記管理工程において、前記環境温度に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記９に記載の電子機器の制御方法。

（付記１１）環境温度情報を取得する工程を含み、前記管理工程において、前記環境温度情報に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記９又は１０に記載の電子機器の制御方法。

（付記１２）時間を計測する工程を含み、前記管理工程において、電子機器の初回起動時からの総経過時間が、所定の基準時間を超えており、前記電池残量が所定の基準電地残量以下である場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止する付記８乃至１１のいずれか一に記載の電子機器の制御方法。

（付記１３）上記第４の視点に係る電子機器の制御方法の通りである。

（付記１４）前記管理工程において、第３のスイッチを介して、前記処理回路、及び前記制御対象メモリと接続し、リフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリと電気的に接続し、前記処理回路と電気的に非接続となるように、前記第３のスイッチを切り替える付記１３に記載の電子機器の制御方法。

（付記１５）上記第５の視点に係るプログラムの通りである。

（付記１６）前記管理処理において、予め定めたリフレッシュレベルに応じて、前記リフレッシュ間隔、前記基準電池残量の少なくともいずれかを変更する付記１５に記載のプログラム。

（付記１７）環境温度を測定する処理を実行し、前記管理処理において、前記環境温度に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記１６に記載のプログラム。

（付記１８）環境温度情報を取得する処理を実行し、前記管理処理において、前記環境温度情報に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する付記１５乃至１７のいずれか一に記載のプログラム。

（付記１９）時間を計測する処理を実行し、前記管理処理において、電子機器の初回起動時からの総経過時間が、所定の基準時間を超えており、前記電池残量が所定の基準電地残量以下である場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止する付記１５乃至１８のいずれか一に記載のプログラム。

（付記２０）上記第６の視点に係るプログラムの通りである。

（付記２１）前記管理処理において、第３のスイッチを介して、前記処理回路、及び前記制御対象メモリと接続し、リフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリと電気的に接続し、前記処理回路と電気的に非接続となるように、前記第３のスイッチを切り替える付記２０に記載のプログラム。

なお、引用した上記の特許文献の開示は、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせ、ないし、選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。特に、本書に記載した数値範囲については、当該範囲内に含まれる任意の数値ないし小範囲が、別段の記載のない場合でも具体的に記載されているものと解釈されるべきである。

１、１００ 電子機器
１０ 処理回路
１１ ＣＰＵ
１２ 処理メモリ
１３ 周辺回路
１４、１０２ 電池残量測定回路
２０、１０１ 電源部
３０、１０３ 制御対象メモリ
４０、１０５ 管理回路
４１ リフレッシュ制御回路
４２ タイマ回路
４３ 一時記憶メモリ
４４ 温度測定回路
４５ レベル記憶メモリ
５１ 第１のスイッチ
５２ 第２のスイッチ
５３ 第３のスイッチ
１０４ 処理回路
５１１、５１２、５２１、５２２、５３１、５３２、５３３ 端子

Claims (10)

1. 電源部と、
   前記電源部と電気的に接続し、前記電源部の電池残量を測定する電池残量測定回路と、
   不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、
   ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、
   前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理回路と、
   を備えることを特徴とする電子機器。
2. 前記管理回路は、予め定めたリフレッシュレベルに応じて、前記リフレッシュ間隔、前記基準電池残量の少なくともいずれかを変更する請求項１に記載の電子機器。
3. 環境温度を測定する温度測定回路を備え、
   前記管理回路は、前記環境温度に応じて、前記リフレッシュレベルを変更する請求項２に記載の電子機器。
4. 時間を計測するタイマ回路を備え、
   前記管理回路は、電子機器の初回起動時からの総経過時間が、所定の基準時間を超えており、電池残量測定部が前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止する請求項１乃至３のいずれか一に記載の電子機器。
5. 電源部と、
   前記電源部と電気的に接続し、前記電源部の電池残量を測定する電池残量測定回路と、
   第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、
   第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、
   前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理回路と、
   を備えることを特徴とする電子機器。
6. 前記管理回路は、第３のスイッチを介して、前記処理回路、及び前記制御対象メモリと接続し、リフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリと電気的に接続し、前記処理回路と電気的に非接続となるように、前記第３のスイッチを切り替える請求項５に記載の電子機器。
7. 不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、
   ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、を備える電子機器を制御する制御方法であって、
   電池残量を測定する工程と、
   前記電池残量が所定の基準電地残量以下であると測定された場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理工程と、
   を含むことを特徴とする電子機器の制御方法。
8. 電源部と、
   第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、
   第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、を備える電子機器を制御する制御方法であって、
   電池残量を測定する工程と、
   前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理工程と、
   を含むことを特徴とする電子機器の制御方法。
9. 不揮発性メモリであって、情報を記憶する制御対象メモリと、
   ソフトウェアプログラムを実行する処理回路と、を備える電子機器を制御するコンピュータに実行させるプログラムであって、
   電池残量を測定する処理と、
   前記電池残量が所定の基準電地残量以下であると測定された場合、前記制御対象メモリ、及び前記処理回路に対する電力供給を停止し、所定のリフレッシュ間隔毎に、前記制御対象メモリに電力を供給し、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理処理と、
   を実行するプログラム。
10. 電源部と、
    第１のスイッチを介して、前記電源部と接続する処理回路と、
    第２のスイッチを介して、前記電源部と接続する制御対象メモリと、を備える電子機器を制御するコンピュータに実行させるプログラムであって、
    電池残量を測定する処理と、
    前記電池残量測定回路が、前記電池残量を所定の基準電地残量以下であると測定した場合、前記第１のスイッチ、及び前記第２のスイッチをオフにし、リフレッシュ間隔毎に、前記第２のスイッチをオンにし、前記制御対象メモリのリフレッシュ処理を実行する管理処理と、
    を実行するプログラム。

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