KR102293082B1 - 저장 장치, 저장 장치의 동작 방법, 및 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법 - Google Patents

저장 장치, 저장 장치의 동작 방법, 및 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치, 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 저장 장치의 동작 방법은 상기 온도 센서로부터 일정 시간 동안 측정한 감지 온도의 평균 감지 온도를 계산하는 단계 및 상기 평균 감지 온도를 이용하여 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 계산하는 단계를 포함한다.

Description

저장 장치, 저장 장치의 동작 방법, 및 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법{STORAGE DEVICE, OPERATION METHOD OF STORAGE DEVICE AND ACCESSING METHOD FOR ACCESSING STORAGE DEVICE}
본 발명은 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 및 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법에 관한 것이다.
저장 장치는 컴퓨터, 스마트폰, 스마트패드 등과 같은 호스트 장치의 제어에 따라 데이터를 저장하는 장치이다. 스토리지 장치는 하드 디스크 드라이브(HDD, Hard Disk Drive)와 같이 자기 디스크에 데이터를 저장하는 장치, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD, Solid State Drive), 메모리 카드 등과 같이 반도체 메모리, 특히 불휘발성 메모리에 데이터를 저장하는 장치를 포함한다.
불휘발성 메모리는 ROM (Read Only Memory), PROM (Programmable ROM), EPROM (Electrically Programmable ROM), EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리, PRAM (Phase-change RAM), MRAM (Magnetic RAM), RRAM (Resistive RAM), FRAM (Ferroelectric RAM)등을 포함한다.
반도체 제조 기술이 발전되면서, 반도체 메모리의 집적도가 지속적으로 향상되고 있다. 반도체 메모리의 집적도의 향상은, 반도체 메모리로 구성된 저장 장치의 용량을 대폭 향상시키는 장점을 갖는다. 반면, 반도체 메모리의 집적도의 향상은, 반도체 메모리에 기입된 데이터에서 에러가 발생하는 확률, 즉 에러율을 증가시키는 단점을 갖는다. 따라서, 반도체 메모리를 포함하는 저장 장치의 에러율을 감소시키고, 신뢰성을 향상시키는 새로운 기술에 대한 요구가 지속적으로 제기되고 있다.
본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 에러율을 감소시키고, 향상된 신뢰성을 갖는 저장 장치, 저장 장치의 동작 방법, 및 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치, 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 저장 장치의 동작 방법은 상기 온도 센서로부터 일정 시간 동안 측정한 감지 온도의 평균 감지 온도를 계산하는 단계 및 상기 평균 감지 온도를 이용하여 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램 된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 주기적으로 계산하는 단계를 포함한다.
실시 예로서, 상기 경과 시간을 주기적으로 계산하는 단계는, 상기 평균 감지 온도 및 가장 최근에 계산된 제1 경과 시간을 포함하는 범위에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 결정하는 단계 및 상기 결정된 가중 경과 시간과 제1 경과 시간을 합하여 새로운 경과 시간을 계산하는 단계를 더 포함한다.
실시 예로서, 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 상기 데이터에 대한 읽기 요청이 발생하면, 제1 데이터가 프로그램된 후 상기 경과 시간에 대한 경과 시간 스탬프를 읽는 단계, 상기 경과 시간 스탬프에 따른 읽기 전압 레벨을 판단하는 단계 및 상기 읽기 전압 레벨을 이용하여 상기 제1 데이터를 읽는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 불휘발성 메모리 장치 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하고, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 온도 센서에서 주기적으로 측정된 감지 온도를 이용하여 평균 감지 온도를 계산하고, 상기 평균 감지 온도 및 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램 된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 반영하여 읽기 전압 레벨을 조절한다.
실시 예로서, 상기 저장 장치는 램을 더 포함하고, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 평균 감지 온도를 상기 램에 주기적으로 저장한다.
실시 예로서, 상기 온도 센서는 온도가 변할 때마다 감지 온도를 측정하여 상기 메모리 컨트롤러로 전송하고, 상기 메모리 컨트롤러는 주기적으로 상기 평균 감지 온도를 계산한다.
실시 예로서, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 평균 감지 온도 및 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간의 범위에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 선택하고, 상기 가중 경과 시간을 상기 경과 시간에 합하여 새로운 경과 시간을 구하여 상기 램에 경과 시간 스탬프로 저장한다.
실시 예로서, 파워 오프가 발생한 뒤 파워 온 되면, 상기 메모리 컨트롤러는 새로운 초기 읽기 전압 레벨을 감지하고, 상기 시간 스탬프 테이블을 리셋하여 상기 경과 시간을 다시 측정한다.
본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법은 온도 센서로부터 측정된 감지 온도를 주기적으로 평균 감지 온도로 계산하는 단계 및 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 경과 시간 스탬프 형태로 주기적으로 갱신하는 단계를 포함하고, 상기 경과 시간은 상기 평균 감지 온도의 변화 및 이전에 갱신된 경과 시간의 길이에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 반영하여 갱신된다.
실시 예로서, 상기 경과 시간 스탬프를 이용하여 읽기 전압 레벨을 조절하고, 상기 조절된 읽기 전압 레벨을 적용하여 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 상기 데이터를 읽는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 시간 경과에 따른 평균 감지 온도의 변화를 고려하여 데이터를 읽을 때 필요한 읽기 전압을 조절한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 데이터의 에러율을 줄일 수 있고 데이터의 신뢰성을 높일 수 있는 저장 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 블록들을 보여주는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러를 보여주는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 블록을 보여주는 블록도이다.
도 6은 시간 및 온도에 따라 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀들로부터 유출되는 전하량을 보여주는 그래프이다.
도 7은 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀들의 문턱 전압을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 경과 시간 계산부 및 경과 시간 계산부와 연관된 RAM 및 온도 센서를 보여주는 블록도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 감지 온도를 검출하는 방법을 보여주는 순서도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 경과 시간을 계산하는 방법을 보여주는 순서도이다.
도 11은 경과 시간을 계산하는데 사용되는 테이블을 보여준다.
도 12는 시간 스탬프 테이블에 등록된 경과 시간 스탬프들의 예를 보여주는 테이블이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치로부터 데이터를 읽는 방법을 보여주는 순서도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 경과 시간 계산부 및 경과 시간 계산부와 연관된 RAM 및 온도 센서를 보여주는 블록도이다.
도 15는 저장 장치의 전원이 복원될 때, 저장 장치가 경과 시간을 복원하는 방법을 보여주는 순서도이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨팅 장치를 보여주는 블록도이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 임베디드 멀티 미디어 장치를 보여주는 블록도이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 저장 장치(100)는 불휘발성 메모리 장치(110), 메모리 컨트롤러(120), RAM(130, Random Access Memory), 및 온도 센서(140)를 포함한다. 저장 장치(100)는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD), 메모리 카드, 또는 실장형 메모리를 형성할 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(110)는 메모리 컨트롤러(120)의 제어에 따라, 쓰기, 읽기 및 소거 동작을 수행할 수 있다. 불휘발성 메모리 장치(110)는 플래시 메모리(Flash Memory)를 포함할 수 있다. 그러나, 불휘발성 메모리 장치(110)는 플래시 메모리를 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 불휘발성 메모리 장치(110)는 PRAM, MRAM, RRAM, 및 FeRAM등과 같은 다양한 불휘발성 메모리들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
메모리 컨트롤러(120)는 외부 호스트의 요청 또는 미리 저장된 스케줄에 따라 불휘발성 메모리 장치(110)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(120)는 불휘발성 메모리 장치(110)가 쓰기, 읽기 또는 소거 동작을 수행하도록 제어할 수 있다.
메모리 컨트롤러(120)는 RAM(130)을 버퍼 메모리, 캐시 메모리, 또는 동작 메모리로 사용할 수 있다. 메모리 컨트롤러(120)는 외부 호스트 장치로부터 수신된 데이터를 RAM(130)에 저장하고, RAM(130)에 저장된 데이터를 불휘발성 메모리 장치(110)에 기입할 수 있다. 메모리 컨트롤러(120)는 불휘발성 메모리 장치(110)로부터 읽은 데이터를 RAM(130)에 저장하고, RAM(130)에 저장된 데이터를 다시 불휘발성 메모리 장치(110)에 기입할 수 있다. 메모리 컨트롤러(120)는 불휘발성 메모리 장치(110)를 관리하기 위해 필요한 데이터 또는 코드를 RAM(130)에 저장할 수 있다.
메모리 컨트롤러(120)는 경과 시간 계산부(121)를 포함한다. 경과 시간 계산부(121)는 온도 센서(140)로부터 감지 온도(ST)를 수신할 수 있다. 경과 시간 계산부(121)는 온도 센서(140)로부터 감지 온도(ST)를 읽을 수 있다. 경과 시간 계산부(121)는 규칙적인 시간마다 감지 온도(ST)를 읽을 수 있고, 일정 시간마다 복수의 감지 온도(ST)들의 평균 감지 온도(AT)를 구할 수 있다. 경과 시간 계산부(121)는 평균 감지 온도(AT)를 RAM(130)에 저장할 수 있다.
경과 시간 계산부(121)는 평균 감지 온도(AT)를 반영하여, 경과 시간(ET)을 계산할 수 있다. 경과 시간 계산부(121)는 계산된 경과 시간(ET)을 RAM(13)의 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)에 저장할 수 있다.
메모리 컨트롤러(120)는 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)에 저장된 경과 시간(ET)을 이용하여, 불휘발성 메모리 장치(110)로부터 데이터를 프로그램하거나 읽을 수 있다. 메모리 컨트롤러(120)는 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)을 제2 시간 스탬프 테이블(TST2)형태로 백업할 수 있다.
온도 센서(140)는 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110)의 주변 온도를 측정한다. 온도 센서(140)는 불휘발성 메모리 장치(110)의 내부에 위치할 수 있다. 온도 센서(140)는 메모리 컨트롤러(120)의 내부에 위치할 수 있다.
경과 시간 계산부(121), 감지 온도(ST), 평균 감지 온도(AT), 그리고 제1 및 제2 시간 스탬프 테이블(TST1, TST2)과 연관된 상세한 설명은 첨부된 도면들을 참조하여 후술된다.
본 발명의 저장 장치(100)는 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110) 주변의 온도를 측정할 수 있다. 저장 장치(100)는 측정된 감지 온도 및 불휘발성 메모리 장치(110)에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 이용하여 시간 스탬프 테이블(TST)을 생성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치를 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(200)는 메모리 셀 어레이(210), 어드레스 디코더(220) 읽기 및 쓰기 회로(230), 그리고 제어 로직 및 전압 발생기(240)를 포함한다. 도 2의 불휘발성 메모리 장치(200)는 도 1의 불휘발성 메모리 장치(110)와 동일한 구조를 갖는다.
메모리 셀 어레이(210)는 복수의 스트링 선택 라인들(SSL), 워드 라인들(WL), 및 접지 선택 라인들(GSL)을 통해 어드레스 디코더(220)와 연결된다. 메모리 셀 어레이(210)는 복수의 비트 라인들(BL)을 통해 읽기 및 쓰기 회로(230)와 연결된다. 메모리 셀 어레이(210)는 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz, z는 2 이상의 정수)을 포함한다. 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)은 복수의 메모리 셀들 및 복수의 선택 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 복수의 메모리 셀들은 기판 위에 적층되어 3차원 구조를 형성할 수 있다. 복수의 메모리 셀들은 각각 하나 또는 그 이상의 비트를 저장할 수 있다.
어드레스 디코더(220)는 복수의 스트링 선택 라인들(SSL), 워드 라인들(WL), 및 접지 선택 라인들(GSL)을 통해 메모리 셀 어레이(210)와 연결된다. 어드레스 디코더(220)는 제어 로직 및 전압 생성기(240)의 제어 신호에 응답하여 동작한다. 어드레스 디코더(220)는 외부로부터 어드레스(ADDR)를 수신한다.
어드레스 디코더(220)는 수신한 어드레스(ADDR)를 디코딩할 수 있다. 어드레스 디코더(220)는 디코딩된 어드레스에 따라 워드 라인들(WL)에 인가되는 전압을 제어할 수 있다. 구체적으로 프로그램 시, 어드레스 디코더(220)는 제어 로직 및 전압 발생기(240)의 제어에 따라, 워드 라인들(WL)에 패스 전압을 인가할 수 있다. 프로그램 시, 어드레스 디코더(220)는 제어 로직 및 전압 발생기(240)의 제어에 따라, 워드 라인들(WL) 중 디코딩된 어드레스가 지시하는 선택된 적어도 하나의 워드 라인에 전압을 더 인가할 수 있다.
읽기 및 쓰기 회로(230)는 복수의 비트 라인들(BL)을 통해 메모리 셀 어레이(210)와 연결된다. 읽기 및 쓰기 회로(230)는 외부와 데이터(DATA)를 교환할 수 있다. 읽기 및 쓰기 회로(230)는 제어 로직 및 전압 생성기(240)의 제어 신호에 응답하여 동작한다. 읽기 및 쓰기 회로(230)는 어드레스 디코더(220)로부터 디코딩된 열 어드레스(DCA)를 수신한다.
읽기 및 쓰기 회로(230)는 디코딩된 열 어드레스(DCA)를 이용하여, 비트 라인들(BL)을 선택할 수 있다. 프로그램 시에, 읽기 및 쓰기 회로(230)는 외부로부터 데이터(DATA)를 수신한다. 읽기 및 쓰기 회로(230)는 수신한 데이터(DATA)를 복수의 비트 라인들(BL)을 통해, 메모리 셀 어레이(210)에 인가한다. 읽기 동작 시에, 읽기 및 쓰기 회로(220)는 메모리 셀 어레이(210)로부터 데이터(DATA)를 읽는다. 읽기 및 쓰기 회로(230)는 읽은 데이터(DATA)를 외부로 전달한다.
예시적으로, 읽기 및 쓰기 회로(230)는 페이지 버퍼 및 열 선택 회로 등을 포함할 수 있다. 다른 예로, 읽기 및 쓰기 회로(230)는 감지 증폭기, 쓰기 드라이버, 열 선택 회로 등을 포함할 수 있다.
제어 로직 및 전압 생성기(240)는 어드레스 디코더(220) 그리고, 읽기 및 쓰기 회로(230)와 연결된다. 제어 로직 및 전압 생성기(240)는 외부로부터 인가되는 제어 신호(CTRL) 및 커맨드(CMD)에 의해 동작한다. 제어 로직 및 전압 생성기(240)는 제어 로직 및 전압 생성기(240)는 수신한 커맨드(CMD)를 디코딩하고, 디코딩된 커맨드(CMD)에 따라, 불휘발성 메모리 장치(300)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 제어 로직 및 전압 생성기(240)는 수신한 제어 신호(CTRL)에 따라, 다양한 제어 신호 및 전압을 생성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 블록들을 보여주는 블록도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 메모리 셀 어레이(210)는 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)을 포함한다. 설명의 편의를 위해, 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)을 구성하는 회로는 제1 메모리 블록(BLK1)을 중심으로 설명된다. 제2 내지 제z 메모리 블록들(BLK2~BLKz)은 제1 메모리 블록(BLK1)과 동일한 구성을 가질 수 있다.
제1 메모리 블록(BLK1)은 복수의 비트 라인들(BL1~BLp, p는 2 이상의 정수)에 연결된다. 제1 메모리 블록(BLK1)은 복수의 스트링 라인들(SSL1~SSLq, q는 2 이상의 정수), 제1 내지 제6 워드 라인들(WL1~WL6), 더미 워드 라인(DWL), 접지 선택 라인(GSL), 및 공통 소스 라인(CSL)에 연결된다.
스트링 선택 트랜지스터(SST)의 게이트에는 하나의 스트링 라인(SSL1)이 연결된다. 하나의 비트 라인과 제6 메모리 셀(MC6) 사이에는 스트링 트랜지스터(SST)가 연결된다.
제1 내지 제6 메모리 셀들(MC1~MC6)은 직렬로 연결되며, 스트링 선택 트랜지스터(SST)와 더미 메모리 셀(DMC) 사이에 연결된다. 제1 내지 제6 메모리 셀들(MC1~MC6)의 게이트 단자들은 각각 제1 내지 제6 워드 라인들(WL1~WL6)에 연결된다. 메모리 셀은 제1 내지 제6 메모리 셀들(MC1~MC6)로 한정되지 않는다.
더미 메모리 셀(DMC)은 제1 메모리 셀(MC1)과 접지 선택 트랜지스터(GST) 사이에 연결된다. 더미 메모리 셀(DMC)의 게이트 단자는 더미 워드 라인(DWL)에 연결된다. 접지 선택 트랜지스터(GST)는 더미 메모리 셀(DMC)과 공통 소스 라인(CSL) 사이에 연결된다. 접지 선택 트랜지스터(GST)의 게이트는 접지 선택 라인(GSL)에 연결된다.
하나의 비트 라인(BL1)과 공통 소스 라인(CSL) 사이에 연결된 접지 선택 트랜지스터(GST), 더미 메모리 셀(DMC), 제1 내지 제6 메모리 셀들(MC1~MC6), 및 스트링 선택 트랜지스터(SST)를 제1 스트링(311)이라 한다. 복수의 비트 라인들(BL1~BLp,) 각각에는 복수의 스트링들이 연결된다. 복수의 스트링들의 구성은 제1 스트링(311)과 동일하다.
하나의 스트링은 6개의 메모리 셀들(MC1~MC6)보다 더 많은 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 하나의 스트링은 6개의 메모리 셀들(MC1~MC6)보다 더 적은 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 스트링 선택 트랜지스터(SST)에는 메모리 셀 대신 복수의 더미 메모리 셀들이 연결될 수 있다. 또한, 제1 메모리 셀(MC1)에는 하나 이상의 더미 메모리 셀이 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 블록을 보여주는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 도 4를 참조하면, 메모리 블록(BKLb)은 복수의 스트링들(SR)을 포함한다. 복수의 스트링들(SR)은 복수의 비트 라인들(BL1~BLn, n은 2 이상의 정수)에 각각 연결될 수 있다. 각 스트링(SR)은 접지 선택 트랜지스터(GST), 메모리 셀들(MC), 그리고 스트링 선택 트랜지스터(SST)를 포함한다.
각 스트링(SR)의 접지 선택 트랜지스터(GST)는 메모리 셀들(MC) 및 공통 소스 라인(CSL)의 사이에 연결된다. 복수의 스트링들(SR)의 접지 선택 트랜지스터들(GST)은 공통 소스 라인(CSL)에 공통으로 연결된다.
각 스트링(SR)의 스트링 선택 트랜지스터(SST)는 메모리 셀들(MC) 및 비트 라인(BL)의 사이에 연결된다. 복수의 스트링들(SR)의 스트링 선택 트랜지스터들(SST)은 복수의 비트 라인들(BL1~BLn)에 각각 연결된다.
각 스트링(SR)에서, 접지 선택 트랜지스터(GST) 및 스트링 선택 트랜지스터(SST) 사이에 복수의 메모리 셀들(MC)이 제공된다. 각 스트링(SR)에서, 복수의 메모리 셀들(MC)은 직렬 연결될 수 있다.
복수의 스트링들(SR)에서, 공통 소스 라인(CSL)으로부터 동일한 순서에 위치한 메모리 셀들(MC)은 하나의 워드 라인에 공통으로 연결될 수 있다. 복수의 스트링들(SR)의 메모리 셀들(MC)은 복수의 워드 라인들(WL1~WLm, m은 2이상의 정수)에 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러를 보여주는 블록도이다. 도 5를 참조하면, 메모리 컨트롤러(300)는 버스(310), 프로세서(320), RAM(330), 에러 정정 블록(340), 호스트 인터페이스(350), 버퍼 컨트롤 회로(360), 및 메모리 인터페이스(370)를 포함한다. 도 1의 메모리 컨트롤러(120)는 도 5의 메모리 컨트롤러(300)와 같은 구성을 가질 수 있다.
버스(310)는 메모리 컨트롤러(300)의 구성 요소들 사이에 채널을 제공하도록 구성된다.
프로세서(320)는 메모리 컨트롤러(300)의 제반 동작을 제어하고, 논리 연산을 수행할 수 있다. 프로세서(320)는 호스트 인터페이스(350)를 통해 외부의 호스트 장치와 통신할 수 있다. 프로세서(320)는 호스트 인터페이스(350)를 통해 수신되는 커맨드 또는 어드레스를 RAM(330)에 저장할 수 있다. 프로세서(320)는 호스트 인터페이스(350)를 통해 수신되는 데이터를 버퍼 컨트롤 회로(360)를 통해 출력하거나 또는 RAM(330)에 저장할 수 있다. 프로세서(320)는 RAM(330)에 저장된 커맨드 또는 어드레스에 따라 내부 커맨드 및 어드레스를 생성하고, 생성된 내부 커맨드 및 어드레스를 메모리 인터페이스(370)를 통해 출력할 수 있다.
프로세서(320)는 RAM(330)에 저장된 데이터 또는 버퍼 컨트롤 회로(360)를 통해 수신되는 데이터를 메모리 인터페이스(370)를 통해 출력할 수 있다. 프로세서(320)는 메모리 인터페이스(370)를 통해 수신되는 데이터를 RAM(320)에 저장하거나, 또는 버퍼 컨트롤 회로(360)를 통해 출력할 수 있다. 프로세서(320)는 RAM(330)에 저장된 데이터 또는 버퍼 컨트롤 회로(360)를 통해 수신되는 데이터를 호스트 인터페이스(350) 또는 메모리 인터페이스(370)를 통해 출력할 수 있다.
예시적으로, 프로세서(320)는 DMA(Direct Memory Access)를 포함할 수 있으며, DMA를 이용하여 데이터를 출력할 수 있다.
프로세서(320)는 경과 시간 계산부(321)를 포함할 수 있다. 프로세서(320)는 경과 시간 계산부(321)를 이용하여 감지 온도(ST), 감지 온도(ST)에 대한 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 관리할 수 있다.
RAM(330)은 프로세서(320)의 동작 메모리, 캐시 메모리 또는 버퍼 메모리로 사용될 수 있다. RAM(330)은 프로세서(320)가 실행하는 코드들 및 명령들을 저장할 수 있다. RAM(330)은 프로세서(320)에 의해 처리되는 데이터를 저장할 수 있다. RAM(330)은 SRAM을 포함할 수 있다. 하지만, RAM(330)은 SRAM에 한정되지 않는다.
에러 정정 블록(340)은 에러 정정을 수행할 수 있다. 에러 정정 블록(340)은 메모리 인터페이스(370)로 출력될 데이터에 기반하여, 에러 정정을 수행하기 위한 패리티를 생성할 수 있다. 데이터 및 패리티는 메모리 인터페이스(340)를 통해 출력될 수 있다. 에러 정정 블록(340)은 메모리 인터페이스(340)를 통해 수신되는 데이터 및 패리티를 이용하여, 수신된 데이터의 에러 정정을 수행할 수 있다.
호스트 인터페이스(350)는 프로세서(320)의 제어에 따라, 외부의 호스트 장치와 통신하도록 구성된다. 호스트 인터페이스(350)는 USB (Universal Serial Bus), SATA (Serial AT Attachment), HSIC (High Speed Interchip), SCSI (Small Computer System Interface), 파이어와이어(Firewire), PCI (Peripheral Component Interconnection), PCIe (PCI express), NVMe (NonVolatile Memory express), UFS (Universal Flash Storage), SD (Secure Digital), MMC (MultiMedia Card), eMMC (embedded MMC) 등과 같은 다양한 통신 방법들중 적어도 하나를 이용하여 통신될 수 있다.
버퍼 컨트롤 회로(360)는 프로세서(320)의 제어에 따라, RAM(130, 도 1 참조)을 제어하도록 구성된다. 버퍼 컨트롤 회로(360)는 RAM(130)에 데이터를 쓰고, RAM(130)으로부터 데이터를 읽을 수 있다.
메모리 인터페이스(370)는 프로세서(320)의 제어에 따라, 불휘발성 메모리 장치(110, 도 1 참조)와 통신하도록 구성된다.
예시적으로, 프로세서(320)는 코드들을 이용하여 메모리 컨트롤러(300)를 제어할 수 있다. 프로세서(320)는 메모리 컨트롤러(300)의 내부에 제공되는 불휘발성 메모리(예를 들어, Read Only Memory)로부터 코드들을 로드할 수 있다. 다른 예로서, 프로세서(320)는 메모리 인터페이스(370)로부터 수신되는 코드들을 로드할 수 있다.
본 발명의 메모리 컨트롤러(300)는 경과 시간 계산부(321)를 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤러(300)는 경과 시간 계산부(321)를 이용하여 감지 온도(ST), 감지 온도(ST)에 대한 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 관리할 수 있다. 메모리 컨트롤러(300)는 외부 호스트 및 불휘발성 메모리 장치(110)와 통신할 수 있다.
도 6은 시간 및 온도에 따라 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀들로부터 유출되는 전하량을 보여주는 그래프이다. 도 6에서, 가로축은 시간(t)을 의미하고, 세로축은 전하의 유출에 따른 문턱 전압을 보여준다. 가로축은 시간(t)의 로그(log) 값이다.
도 2, 도 5 및 도 6을 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(110)의 메모리 셀들(MC)은 시간이 흐름에 따라 전하를 유실할 수 있다. 도 4에서 제1 라인(L1)은 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110)의 주변 온도가 제1 온도(예를 들어, COLD)일 때에, 메모리 셀들(MC)의 전하 유출에 따른 문턱 전압(Vth)의 감소를 보여준다. 제2 라인(L2)은 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110)의 주변 온도가 제2 온도(예를 들어, Standard)일 때에, 불휘발성 메모리 장치(110)의 메모리 셀들(MC)의 전하 유출에 따른 문턱 전압(Vth)의 감소를 보여준다. 제3 라인(L3)은 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110)의 주변 온도가 제3 온도(예를 들어, HOT)일 때에, 불휘발성 메모리 장치(110)의 전하 유출에 다른 문턱 전압(Vth)의 감소를 보여준다.
불휘발성 메모리 장치(110)의 메모리 셀들(MC)은 시간(t)이 흐름에 따라, 더 많은 양의 전하를 유실한다. 또한, 메모리 셀들(MC)은 온도가 높을수록 더 많은 양의 전하를 유실한다. 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110)의 주변 온도는 불휘발성 메모리 장치(110)의 동작 상태 또는 처한 환경에 따라 변할 수 있다.
도 6의 가로축이 시간(t)에 대한 로그(log) 값이기 때문에, 제1 내지 제3 라인들(L1, L2, L3)은 직선 그래프의 형태이다. 하지만, 그래프의 형태는 이에 한정되지 않는다. 불휘발성 메모리 장치(110)의 공정의 변화에 따라 그래프의 형태는 변할 수 있다. 또한, 가로축의 시간(t)이 로그(log)값이 아니라면, 그래프는 곡선의 형태를 가질 수 있다.
도 7은 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀들의 문턱 전압을 보여주는 그래프이다. 도 2, 도 5 및 도 7을 참조하면, 제1 시간(T1)에 메모리 셀들(MC)에 데이터가 기입될 수 있다. 본 발명에서, 불휘발성 메모리 장치(110)의 복수의 메모리 셀들(MC)은 트리플 레벨 셀(Triple Level Cell, TLC)이라 가정한다. 트리플 레벨 셀(TLC)은 하나의 메모리 셀(MC)에 3비트의 데이터를 저장할 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는다. 메모리 셀들(MC)은 싱글 레벨 셀(Single Level Cell, SLC) 또는 멀티 레벨 셀(Multi Level Cell, MLC)일 수도 있다. 싱글 레벨 셀(SLC)은 1비트의 데이터를 저장할 수 있고, 멀티 레벨 셀(MLC)은 2비트의 데이터를 저장할 수 있다. 메모리 셀들(MC)이 트리플 레벨 셀(TLC)라면, 메모리 셀들(MC) 각각은 소거 상태 내지 제7 상태들(E~P7) 중 하나의 상태로 프로그램될 수 있다. 제 1 시간(T1)에 프로그램 된 데이터는 제1 내지 제7 전압들(V1a~V7a)을 이용하여 판독될 수 있다.
각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제1 전압(V1a)보다 낮은 경우, 각 메모리 셀(MC)은 소거 상태(E)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제1 전압(V1a)과 제2 전압(V2a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제1 프로그램 상태(P1)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제2 전압(V2a)과 제3 전압(V3a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제2 프로그램 상태(P2)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제3 전압(V3a)과 제4 전압(V4a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제3 프로그램 상태(P3)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제4 전압(V4a)과 제5 전압(V5a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제4 프로그램 상태(P4)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제5 전압(V5a)과 제6 전압(V6a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제5 프로그램 상태(P5)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제6 전압(V6a)과 제7 전압(V7a)의 사이인 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제6 프로그램 상태(P6)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다. 각 메모리 셀(MC)의 문턱 전압이 제7 전압(V2a)보다 큰 경우, 각 메모리 셀(MC)은 제7 프로그램 상태(P7)에 대응하는 값을 갖는 것으로 판독될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(110)의 메모리 셀들(MC)로부터 전하가 유출되면, 메모리 셀들(MC)에 기입된 데이터에서 에러가 발생할 수 있다. 메모리 셀들(MC)로부터 전하가 유출되면, 제2 시간(T2)에서 읽기 동작이 수행될 수 있다. 제1 시간(T1)에서 데이터가 기입되고, 제2 시간(T2)까지 시간이 흐름에 따라, 메모리 셀들(MC)로부터 전하가 유출될 수 있다. 따라서, 메모리 셀들(MC)의 문턱 전압이 낮아질 수 있다. 제2 시간(T2)에서 데이터를 읽기 위해서, 제2 시간(T2)에서의 제1 내지 제7 전압들(V1b~V7b)이 인가된다. 제1 내지 제7 전압들(V1b~V7b)은 제1 시간(T1)에서의 제1 내지 제7 전압들(V1a~V7a)보다 낮은 레벨을 가질 수 있다.
메모리 셀들(MC)로부터 유출되는 전하량은 메모리 셀들(MC)로부터 데이터를 판독하기 위한 최적의 전압 레벨에 영향을 준다. 메모리 셀들(MC)로부터 유출되는 전하량은 시간뿐만 아니라 온도의 영향도 받는다. 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치(100)는 전하의 유출로 인해 읽기 동작 시, 발생하는 에러를 줄이기 위해, 읽기 동작 시, 메모리 셀들(MC)로부터 유출된 전하량을 계산한다. 저장 장치(100)는 유출된 전하량을 고려하여 읽기 전압을 조절한다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 경과 시간 계산부 및 경과 시간 계산부와 연관된 RAM 및 온도 센서를 보여주는 블록도이다. 도 8을 참조하면, 경과 시간 계산부(121)는 타이머(122), 인터럽트 발생부(123), 감지 온도 계산부(124), 및 경과 시간 계산부(125)를 포함한다.
타이머(122)는 클럭 신호(CLK)를 출력할 수 있다. 타이머(122)는 클럭 신호(CLK)를 직접 생성하여 출력할 수 있다. 타이머(122)는 외부로부터 클럭 신호(CLK)를 수신하여 가공하거나 가공하지 않은 상태로 출력할 수 있다.
인터럽트 발생부(123)는 타이머(122)로부터 클럭 신호(CLK)를 수신할 수 있다. 인터럽트 발생부(123)는 클럭 신호(CLK)에 따라 제1 및 제2 인터럽트 신호(INT1, INT2)를 발생시킬 수 있다. 제1 인터럽트 신호(INT1)와 제2 인터럽트 신호(INT2)의 발생 주기는 다를 수 있다. 예시적으로, 클럭 신호(CLK)가 1초마다 발생한다면, 제1 인터럽트 신호(INT1)의 출력은 클럭 신호(CLK)의 1회 입력마다 발생할 수 있다. 제2 인터럽트 신호(INT2)의 출력은 클럭 신호(CLK)의 1000회 입력마다 발생할 수 있다.
감지 온도 계산부(124)는 제1 인터럽트 신호(INT1)를 수신할 수 있다. 감지 온도 계산부(124)는 제1 인터럽트 신호(INT1)가 수신될 때마다 온도 센서(140)로부터 감지 온도(ST)를 수신한다. 감지 온도 계산부(124)는 제2 인터럽트 신호(INT2)를 수신할 수 있다. 감지 온도 계산부(124)에 제2 인터럽트 신호(INT2)가 수신되면 일정 시간 동안 수신한 감지 온도(ST)에 대한 평균 감지 온도(AT)를 계산할 수 있다. 감지 온도 계산부(124)는 계산한 평균 감지 온도(AT)를 RAM(130)에 갱신한다.
경과 시간 계산부(125)는 제2 인터럽트 신호(INT2)를 수신할 수 있다. 경과시간 계산부(125)는 RAM(130)으로부터 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 읽을 수 있다. 경과 시간 계산부(125)는 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 이용하여 새로운 경과 시간(ET)를 계산할 수 있다. 경과 시간 계산부(125)는 새로운 경과 시간(ET)을 RAM(130)에 갱신할 수 있다.
예시적으로, 제1 인터럽트 신호(INT1)는 1초의 주기로 활성화될 수 있다. 감지 온도 계산부(124)는 감지 온도(ST)를 1초의 주기로 측정할 수 있다. 감지 온도 계산부(124)는 측정된 감지 온도(ST)를 이용하여1000초 주기로 평균 감지 온도(AT)를 계산할 수 있다. 즉, RAM(130)에 저장된 평균 감지 온도(AT)는 1000초를 주기로 갱신될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 감지 온도를 검출하는 방법을 보여주는 순서도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, S110 단계에서, 감지 온도 계산부(124)는 제1 인터럽트 신호(INT1)를 수신한다.
S120 단계에서, 감지 온도 계산부(124)는 제1 인터럽트 신호(INT1)가 수신되면, 감지 온도(ST)를 감지한다. 감지 온도(ST)는 불휘발성 메모리 장치(110) 또는 불휘발성 메모리 장치(110) 주변의 온도이다. S130 단계에서, 감지 온도 계산부(124)는 제2 인터럽트 신호(INT2)의 입력 전까지 감지 온도(ST)를 저장한다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 경과 시간을 계산하는 방법을 보여주는 순서도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, S210 단계에서, 감지 온도 계산부(124) 및 경과 시간 계산부(125)는 제2 인터럽트 신호(INT2)를 수신한다.
S220 단계에서, 제2 인터럽트 신호(INT2)가 수신되면, 감지 온도 계산부(124)는 일정 시간 동안 제1 인터럽트 신호(INT1)에 응답하여 감지된 감지 온도(ST)의 평균 감지 온도(AT)를 구한다. 감지 온도 계산부(124)는 평균 감지 온도(AT)를 RAM(130)에 저장할 수 있다. RAM(130)에 이전에 저장된 평균 감지 온도(AT)가 있다면, 감지 온도 계산부(124)는 새로운 평균 감지 온도(AT)를 RAM(130)에 갱신할 수 있다.
S230 단계에서, 경과 시간 계산부(125)는 RAM(130)으로부터 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 읽을 수 있다.
S240 단계에서, 경과 시간 계산부(125)는 읽혀진 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET)을 이용하여 새로운 경과 시간(ET)을 계산한다. 새로운 경과 시간(ET)은 RAM(130)으로부터 감지한 경과 시간(ET)에 가중 경과 시간(WET)을 합하여 구할 수 있다. 가중 경과 시간(WET)은 평균 감지 온도(AT)에 따라 결정된다. 경과 시간 계산부(125)는 새로운 경과 시간(ET)을 RAM(130)에 갱신한다. 제 2 인터럽트 신호(INT2)는 1000초의 주기로 발생될 수 있다. 이에 따라, 경과 시간(ET)은 1000초 주기로 계산되고, RAM(130)에 갱신될 수 있다.
도 11은 경과 시간을 계산하는데 사용되는 테이블을 보여준다. 도 11은 가중 경과 시간(WET) 정보를 저장한 미리 저장된 테이블(PreDetermined Table, 이하 PDT)이다. 가중 경과 시간(WET)은 새로운 경과 시간(ET)을 구하기 위해 기존의 경과 시간(ET)에 더해지는 시간을 의미한다. 가중 경과 시간(WET)은 평균 감지 온도(AT)의 범위와 기존 경과 시간(ET)이 속하는 범위에 따라 결정될 수 있다.
도 11을 참조하면, 미리 저장된 테이블(PDT)은 평균 감지 온도(AT)의 범위 및 경과 시간(ET)의 범위에 따른 가중 경과 시간(WET) 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 평균 감지 온도(AT)가 제1 범위(R1_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제1 범위(R1_ET)에 포함되면, 제1 가중 경과 시간(WET1)이 선택될 수 있다. 경과 시간(ET)의 제1 범위(R1_ET)는 제1 시간(T1)보다 작은 범위일 수 있다.
평균 감지 온도(AT)가 제1 범위(R1_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제2 범위(R2_ET)에 포함되면, 제2 가중 경과 시간(WET2)이 선택될 수 있다. 경과 시간(ET)의 제2 범위(R2_ET)는 제1 시간(T1) 이상이고, 제2 시간(T2)보다는 작은 시간의 범위일 수 있다. 제2 가중 경과 시간(WET2)은 제1 가중 경과 시간(WET1)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제1 범위(R1_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제 3 범위(R3_ET)에 포함되면, 제3 가중 경과 시간이 선택될 수 있다. 경과 시간(ET)이 제3 범위(R3_ET)는 제2 시간(T2)이상이고, 제3 시간(T3)보다는 작은 시간이다. 제3 가중 경과 시간(WET3)은 제2 가중 경과 시간(WET2)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제2 범위(R2_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제1 범위(R1_ET)에 포함되면, 제4 가중 경과 시간(WET4)이 선택될 수 있다. 평균 감지 온도(AT)의 제2 범위(R2_AT)는 제1 범위(R1_AT)보다 높은 온도 범위이다. 제4 가중 경과 시간(WET4)은 제1 가중 경과 시간(WET1)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제2 범위(R2_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제2 범위(R2_ET)에 포함되면, 제5 가중 경과 시간(WET5)이 선택될 수 있다. 제5 가중 경과 시간(WET5)은 제2 가중 경과 시간(WET2) 및 제4 가중 경과 시간(WET4)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제2 범위(R2_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제3범위(R3ET)에 포함되면, 제6가중 경과 시간(WET6)이 선택될 수 있다. 제6가중 경과 시간(WET6)은 제3가중 경과 시간(WET3) 및 제5 가중 경과 시간(WET5)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제3 범위(R3_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제1 범위(R1_ET)에 포함되면, 제7 가중 경과 시간(WET7)이 선택될 수 있다. 평균 감지 온도(AT)의 제3 범위(R3_AT)는 제2 범위(R2_AT)보다 높은 온도이다. 제7 가중 경과 시간(WET7)은 제4 가중 경과 시간(WET4)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제3 범위(R3_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제1 범위(R1_ET)에 포함되면, 제8 가중 경과 시간(WET8)이 선택될 수 있다. 제8 가중 경과 시간(WET8)은 제5 가중 경과 시간(WET5) 및 제7 가중 경과 시간(WET7)보다 긴 시간이다.
평균 감지 온도(AT)가 제3 범위(R3_AT)에 포함되고, 경과 시간(ET)이 제3 범위(R3_ET)에 포함되면, 제9 가중 경과 시간(WET9)이 선택될 수 있다. 제9 가중 경과 시간(WET9)은 제6 가중 경과 시간(WET6) 및 제8 가중 경과 시간(WET8)보다 긴 시간이다.
도 11의 미리 저장된 테이블(PDT)에 도시된 바와 같이, 평균 감지 온도(AT)가 높아질수록, 경과 시간(ET)이 길어질수록 가중 경과 시간(WET)은 길어진다.
도 11에서, 경과 시간(ET)은 제1 내지 제3 범위(R1_ET~R3_ET) 중 하나로 선택된다고 설명되었다. 하지만 경과 시간(ET)의 범위는 3개로 한정되지 않는다. 경과 시간(ET)의 범위는 더 많게, 또는 더 적게 나뉠 수 있다. 또한, 평균 감지 온도(AT)는 제1 내지 제3 범위(R1_AT~R3_AT) 중 하나로 선택된다고 설명되었다. 하지만, 평균 감지 온도(AT)의 범위는 3개로 한정되지 않는다. 평균 감지 온도(AT)의 범위는 더 많게, 또는 더 적게 나뉠 수 있다.
도 12는 시간 스탬프 테이블에 등록된 경과 시간 스탬프들의 예를 보여주는 테이블이다. 도 12는, 복수의 데이터(DATA1~DATAn)가 기입된 후, 경과 시간들(ET1,~ETn)에 대한 시간 스탬프 테이블(TDT)이다. 도 1 및 도 12를 참조하면, 제1 데이터(DATA1)가 기입된 후 경과된 시간을 보여주는 제1 경과 시간(ET1)이 경과 시간 스탬프(ETS)로 등록될 수 있다.
제1 데이터(DATA1)가 기입된 후, 제2 데이터(DATA2)가 기입될 수 있다. 제2 데이터(DATA2)가 기입된 후, 경과된 시간을 보여주는 제2 경과 시간(ET2)이 경과 시간 스탬프(ETS)로 등록될 수 있다.
제2 데이터(DATA2)가 기입된 후, 제3 내지 제n 데이터(DATA3~DATAn)가 순차적으로 기입될 수 있다. 제3 내지 제n 데이터(DATA3~DATAn)가 기입된 후, 경과된 시간을 나타내는 제3 내지 제n 경과 시간들(ET3~ETn)이 경과 시간 스탬프들(ETS)로 등록될 수 있다.
도 1 및 도 12를 참조하면, 제1 내지 제n 데이터(DATA1~DATAn)의 크기는 불휘발성 메모리 장치(110)의 쓰기 및 읽기 단위와 같을 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제n 데이터(DATA1~DATAn)의 크기는 불휘발성 메모리 장치(110)의 쓰기 및 읽기 단위보다 클 수도 혹은 작을 수도 있다.
시간 스탬프 테이블(TDT)의 경과 시간 스탬프(ETS)는 주기적으로 갱신될 수 있다. 예를 들어, 경과 시간 스탬프(ETS)는 1000초 주기로 갱신될 수 있다. 도 1, 도 11 및 도 12를 참조하면, 경과 시간 스탬프(ETS)는 미리 정해진 테이블(PDT)을 기반으로 갱신될 수 있다. 경과 시간 스탬프(ETS) 및 평균 감지 온도(AT)에 따라 가중 경과 시간(WET)이 선택된다. 그리고, 경과 시간 스탬프(ETS)에 기입된 경과 시간들(ET1~ETn)에 선택된 가중 경과 시간(WET)을 더하여 구해진 새로운 경과 시간(ET)은 시간 스탬프 테이블(TST)에 기입된다.
시간 스탬프 테이블(TST)은 RAM(130)에 제1 시간 스탬프 테이블(TST1) 형태로 저장될 수 있다. 시간 스탬프 테이블(TST)은 제2 시간 스탬프 테이블(TST2) 형태로 불휘발성 메모리 장치(110)에 백업될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치로부터 데이터를 읽는 방법을 보여주는 순서도이다. 도 1, 도 12 및 도 13을 참조하면, S310 단계에서, 메모리 컨트롤러(120)는 읽기 요청에 따라, 경과 시간 스탬프를 읽는다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(120)의 내부에서 읽기 요청이 발생하거나, 외부의 호스트에서 읽기 요청이 수신될 수 있다. 메모리 컨트롤러(120)는 읽기 요청에 따라 RAM(130)에 저장된 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)을 통해 경과 시간 스탬프(ETS)를 읽을 수 있다.
S320 단계에서, 메모리 컨트롤러(120)는 RAM(130)으로부터 읽은 경과 시간 스탬프(ETS)를 통해 읽기 레벨을 조절할 수 있다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(130)는 읽기 전압들을 조절할 수 있는 커맨드 또는 제어 신호를 불휘발성 메모리 장치(110)로 전송할 수 있다. S330 단계에서, 메모리 컨트롤러(110)는 조절된 읽기 전압들로 데이터를 읽을 수 있도록 커맨드를 전송할 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 저장 장치(100)는 불휘발성 메모리 장치(120) 또는 불휘발성 메모리 장치(120) 주변의 온도 변화 및 온도에 따른 경과 시간(ET)을 관리하도록 구성된다. 저장 장치(100)는 불휘발성 메모리 장치(120)에 데이터가 기입된 후, 평균 감지 온도(AT) 및 온도에 따른 경과 시간(ET)을 경과 시간 스탬프(ETS)로 시간 스탬프 테이블(TST)에 기입된다. 경과 시간(ET)을 갱신하기 위해 가중 경과 시간(WET)이 기입된 미리 정해진 테이블(PDT)이 필요하다. 가중 경과 시간(WET)은 시간 스탬프 테이블(TST)에 기입되어 있던 경과 시간 스탬프(ETS) 및 평균 감지 온도(AT)에 의해 결정된다. 주기적으로 계산한 평균 감지 온도(AT)의 범위 및 시간 스탬프 테이블(TST)에 기입되어 있던 경과 시간 스탬프(ETS)를 통해 가중 경과 시간(WET)가 선택된다. 선택된 가중 경과 시간(WET)과 경과 시간 스탬프(ETS)의 경과 시간(ET)에 더해져 새로운 경과 시간 스탬프(ETS)가 갱신된다.
도 14는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 경과 시간 계산부 및 경과 시간 계산부와 연관된 RAM 및 온도 센서를 보여주는 블록도이다. 도 14를 참조하면, 경과 시간 계산부(121')는 온도 센서(140), 타이머(122'), 인터럽트 발생부(123'), 감지 온도 계산부(124'), 및 경과 시간 계산부(125')를 포함한다.
타이머(122')는 일정 시간마다 클럭 신호(CLK)를 출력할 수 있다.
인터럽트 발생부(123')는 클럭 신호(CLK)를 수신할 수 있다. 인터럽트 발생부(123')는 수신한 클럭 신호(CLK)에 응답하여 제2 인터럽트 신호(INT2)를 발생할 수 있다.
온도 센서(140)는 불휘발성 메모리 장치(120), 또는 불휘발성 메모리 장치(120)의 주변 온도를 감지할 수 있다. 온도 센서(140)는 불휘발성 메모리 장치(120), 또는 불휘발성 메모리 장치(120) 주변 온도가 변할 때마다 제1 인터럽트 신호(INT1)를 출력할 수 있다. 온도 센서(140)는 제1 인터럽트 신호(INT1)와 함께 감지 온도(ST)를 감지 온도 계산부(124')로 출력할 수 있다. 온도 센서(140)는 불휘발성 메모리 장치(120) 내부에 위치할 수 있다.
감지 온도 계산부(124')는 온도 센서(140)로부터 제1 인터럽트 신호(INT1)와 함께 감지 온도(ST)를 수신할 수 있다. 감지 온도 계산부(124')는 인터럽트 발생부(123')로부터 제2 인터럽트 신호(INT2)를 수신할 수 있다. 감지 온도 계산부(124')는 제2 인터럽트 신호(INT2)가 수신되면, 수신한 감지 온도(ST)에 대한 평균 감지 온도(AT)를 계산할 수 있다. 감지 온도 계산부(124')는 계산한 평균 감지 온도(AT)를 RAM(130)에 갱신할 수 있다.
경과 시간 계산부(125')는 인터럽트 발생부(123')로부터 제2 인터럽트 신호(INT2)를 수신할 수 있다. 경과 시간 계산부(125')는 제2 인터럽트 신호(INT2)가 수신되면, RAM(130)으로부터 평균 감지 온도(AT) 및 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)에 저장된 경과 시간(ET) 정보를 읽어온다. 경과 시간 계산부(125')는 평균 감지 온도(AT) 및 경과 시간(ET) 정보를 바탕으로 미리 저장된 테이블(PDT)에서 가중 경과 시간(WET)를 읽고, 경과 시간(ET)에 합하여 새로운 경과 시간(ET)를 계산한다. 경과 시간 계산부(125')는 새로운 경과 시간(ET)를 RAM(130)의 제1 시간 스탬프 테이블(TST1)에 갱신한다.
도 8과 도 14를 비교해보면, 도 8을 참조하면, 인터럽트 발생부(123)에서 제1 인터럽트 신호(INT1)가 발생할 때마다 감지 센서(140)에서 감지한 감지 온도(ST)가 감지 온도 계산부(124)로 수신되었다. 하지만, 도 14를 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(120) 또는 불휘발성 메모리 장치(120)의 외부 온도가 변할 때마다 감지 온도(ST)가 감지 온도 계산부(124')로 수신된다.
도 15는 저장 장치의 전원이 복원될 때, 저장 장치가 경과 시간을 복원하는 방법을 보여주는 순서도이다. 도 15는 저장 장치(100)가 전원이 꺼진 후, 다시 전원이 복원되었을 때, 경과 시간(ET)을 복원하는 방법에 대한 순서도이다. 도 1 및 도 15를 참조하면, S410 단계에서 저장 장치(100)는 꺼졌던 전원이 복원된다. 저장 장치(100)의 전원은 노멀 파워 오프(Normal Power Off), 또는 서든 파워 오프(Sudden Power Off)에 의해 제거될 수 있다.
S420 단계에서, 저장 장치(100)의 전원이 복원되면, 메모리 컨트롤러(120) 및 램(130)에 저장된 제1 및 제2 시간 스탬프 테이블들(TST1, TST2)은 초기상태로 리셋된다. 제1 및 제2 시간 스탬프 테이블들(TST1, TST2)의 경과 시간 스탬프들(ETS)은 ‘0’으로 리셋될 수 있다.
S430 단계에서, 복수의 메모리 셀들의 전하량이 감소한 양을 측정한다. 도 7을 참조하면, 복수의 메모리 셀들의 전하량은 시간의 흐름에 비례하여 감소한다. 따라서, 저장 장치(100)가 파워 오프 된 시간 동안 전하량이 감소했으므로, 프로그램 직 후부터 다시 파워 온 될 때까지 감소한 전하량을 감지해야 한다.
S440 단계에서, 복수의 메모리 셀들의 감소한 전하량에 근거하여 초기 읽기 전압 레벨을 조정한다. 파워 오프 되기 전의 초기 읽기 전압 레벨은 프로그램 직후를 기준으로 설정되어 있다. 하지만, 저장 장치(100)가 파워 온 된 후, 메모리 셀들(MC)의 전하량의 감소에 의해 산포가 이동하였다. 그러므로, 산포의 이동에 비례하여 초기 읽기 전압 레벨을 조정해야 한다.
S450 단계에서, 경과 시간(ET)을 계산하고, 주기적으로 제1 및 제2 시간 경과 테이블들(TST1, TST2)에 경과 시간 스탬프(ETS) 형태로 업데이트 한다. 구체적으로, 도 8 내지 도 12를 통해 설명한 경과 시간(ET) 계산 방법을 사용하여 제1 및 제2 시간 경과 테이블들(TST1, TST2)을 갱신할 수 있다. 저장 장치(100)에 읽기 명령이 발생하면, 변경된 기본 읽기 전압 레벨을 기준으로 읽기 전압 레벨을 조절할 수 있다
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨팅 장치를 보여주는 블록도이다. 도 16을 참조하면, 컴퓨팅 장치(1000)는 프로세서(1100), 메모리(1200), 스토리지(1300), 모뎀(1400) 및 사용자 인터페이스(1500)를 포함할 수 있다. 제반 동작을 제어하고, 논리 연산을 수행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1100)는 범용 프로세서 또는 어플리케이션 프로세서일 수 있다.
메모리(1200)는 프로세서(1100)와 통신할 수 있다. 메모리(1200)는 프로세서(1100) 또는 컴퓨팅 장치(1000)의 동작 메모리일 수 있다. 메모리(1200)는 SRAM, DRAM, SDRAM 등과 같은 휘발성 메모리, 또는 플래시 메모리, PRAM, MRAM, RRAM, FRAM 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지(1300)는 컴퓨팅 장치(1000)에서 장기적으로 저장하고자 하는 데이터를 저장할 수 있다. 스토리지(1300)는 하드 디스크 드라이브(HDD, Hard Disk Drive) 또는 플래시 메모리, PRAM, MRAM, RRAM, FRAM 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지(1300)는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치(100)를 포함할 수 있다. 스토리지(1300)는 경과 시간(ET) 및 경과 시간에 따른 평균 감지 온도(AT)를 기반으로 불휘발성 메모리 장치(110)에 프로그램 된 데이터를 읽기 위한 읽기 레벨을 조절할 수 있다.
모뎀(1400)은 프로세서(1100)의 제어에 따라 외부 장치와 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 모뎀(1400)은 외부 장치와 유선 또는 무선 통신을 수행할 수 있다. 모뎀(1400)은 LTE (Long Term Evolution), 와이맥스(WiMax), GSM(Global System for Mobile communication), CDMA(Code Division Multiple Access), 블루투스(Bluetooth), NFC(Near Field Communication), 와이파이(WiFi), RFID(Radio Frequency IDentification) 등과 같은 다양한 무선 통신 방식들, 또는 USB (Universal Serial Bus), SATA(Serial AT Attachment), SCSI(Small Computer Small Interface), 파이어와이어(Firewire), PCI(Peripheral Component Interconnection) 등과 같은 다양한 유선 통신 방식들 중 적어도 하나에 기반하여 통신을 수행할 수 있다.
사용자 인터페이스(1500)는 프로세서(1100)의 제어에 따라 사용자와 통신할 수 있다. 예를 들어, 사용자 인터페이스(1500)는 키보드, 키패드, 버튼, 터치 패널, 터치 스크린, 터치 패드, 터치 볼, 카메라, 마이크, 자이로스코프 센서, 진동 센서, 등과 같은 사용자 입력 인터페이스들을 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스(1500)는 LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diode) 표시 장치, AMOLED (Active Matrix OLED) 표시 장치, LED, 스피커, 모터 등과 같은 사용자 출력 인터페이스들을 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 임베디드 멀티 미디어 카드 장치를 보여주는 블록도이다. 도 17을 참조하면 임베디드 멀티 미디어 카드 장치(2000, Embedded Multi Midia Card, 이하; eMMC)는 적어도 하나의 낸드 플래시 메모리 장치(2100), 및 제어기(2200)를 포함할 수 있다.
제어기(2200)는 복수의 채널들을 통해 낸드 플래시 메모리 장치(2100)와 연결된다. 제어기(2200)는 적어도 하나의 제어기 코어(2210), 호스트 인터페이스(2250) 및 낸드 인터페이스(2260)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제어기 코어(2210)는 eMMC(2000)의 전반적인 동작을 제어한다. 호스트 인터페이스(2250)는 제어기 (2200)와 호스트의 인터페이스 기능을 제공할 수 있다. 낸드 인터페이스(2260)는 낸드 플래시 메모리 장치(2100)와 제어기(2200)의 인터페이스 기능을 제공할 수 있다.
예시적으로, 호스트 인터페이스(2250)는 병렬 인터페이스(예를 들어, MMC 인터페이스)일 수 있다. 예시적으로, eMMC(2000)의 호스트 인터페이스(2250)는 직렬 인터페이스(예를 들어, UHS-II, UFS 인터페이스)일 수 있다.
eMMC(2000)는 호스트로부터 제1 및 제2 전원 전압들(Vcc, Vccq)을 제공받는다. 제1 전원 전압(Vcc)은 낸드 플래시 메모리 장치(2100) 및 낸드 인터페이스(2260)에 제공된다. 제2 전원 전압(Vccq)은 제어기(2200)에 제공된다.
eMMC(2000)는 본 발명의 저장 장치(100)를 포함할 수 있다 eMMC(2000)는 경과 시간(ET) 및 경과 시간에 따른 평균 감지 온도(AT)를 기반으로 불휘발성 메모리 장치(110)에 프로그램된 데이터를 읽기 위한 읽기 레벨을 조절할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대한 실시 예를 중심으로 본 발명이 설명되었다. 다만, 본 발명이 속하는 기술 분야의 특성상, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 본 발명의 요지를 포함하면서도 위 실시 예들과 다른 형태로 달성될 수 있다. 따라서, 위 실시 예들은 한정적인 것이 아니라 설명적인 측면에서 이해되어야 한다. 즉, 본 발명의 요지를 포함하면서 본 발명과 같은 목적을 달성할 수 있는 기술 사상은 본 발명의 기술 사상에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
따라서, 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정 또는 변형된 기술 사상은 본 발명이 청구하는 보호 범위에 포함되는 것이다. 또한, 본 발명의 보호 범위는 위 실시 예들로 한정되는 것이 아니다.
100: 저장 장치
110: 불휘발성 메모리 장치
120: 메모리 컨트롤러
130: RAM
140: 경과 시간 계산부
1000: 컴퓨팅 장치
2000: 임베디드 멀티 미디어 카드

Claims (10)

  1. 불휘발성 메모리 장치, 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 저장 장치의 동작 방법에 있어서:
    상기 컨트롤러가, 상기 온도 센서로부터 일정 시간 동안 측정된 온도의 평균 값을 계산하는 단계; 및
    상기 컨트롤러가, 상기 평균 값을 이용하여 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램 된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 주기적으로 계산하는 단계를 포함하되,
    상기 경과 시간을 주기적으로 계산하는 단계는,
    상기 평균 값을 포함하는 범위 및 가장 최근에 계산된 제1 경과 시간을 포함하는 범위에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 결정하는 단계; 및
    상기 결정된 가중 경과 시간과 상기 제1 경과 시간을 합하여 새로운 경과 시간을 상기 경과 시간으로서 계산하는 단계를 포함하는 동작 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 상기 데이터에 대한 읽기 요청이 발생하면,
    제1 데이터가 프로그램된 후 상기 경과 시간에 대한 경과 시간 스탬프를 읽는 단계;
    상기 경과 시간 스탬프에 따른 읽기 전압 레벨을 판단하는 단계; 및
    상기 읽기 전압 레벨을 이용하여 상기 제1 데이터를 읽는 단계를 더 포함하는 동작 방법.
  3. 불휘발성 메모리 장치;
    램;
    상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러; 및
    상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는,
    상기 온도 센서에서 주기적으로 측정된 온도의 평균 값을 계산하고, 상기 평균 값 및 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 반영하여 읽기 전압 레벨을 조절하고,
    상기 평균 값을 포함하는 범위 및 상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램 된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간의 범위에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 선택하고,
    상기 가중 경과 시간을 상기 경과 시간에 합하여 새로운 경과 시간을 구하고, 그리고
    상기 새로운 경과 시간을 상기 램에 경과 시간 스탬프로 저장하는 저장 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러는 상기 평균 값을 상기 램에 주기적으로 저장하는 저장 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 온도를 측정할 때마다 상기 측정한 온도의 값을 상기 메모리 컨트롤러로 전송하고, 상기 메모리 컨트롤러는 주기적으로 상기 평균 값을 계산하는 저장 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    파워 오프가 발생한 뒤 파워 온 되면,
    상기 메모리 컨트롤러는 새로운 초기 읽기 전압 레벨을 감지하고, 상기 경과 시간 스탬프를 리셋하여 상기 경과 시간을 다시 측정하는 저장 장치.
  7. 불휘발성 메모리 장치 및 상기 불휘발성 메모리 장치의 온도를 측정하는 온도 센서를 포함하는 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법에 있어서:
    주기적으로 온도 센서로부터 측정된 온도의 평균 값을 계산하는 단계; 및
    상기 불휘발성 메모리 장치에 프로그램된 데이터의 프로그램 된 후 경과 시간을 경과 시간 스탬프 형태로 주기적으로 갱신하는 단계를 포함하고,
    상기 경과 시간은 상기 평균 값의 변화 및 이전에 갱신된 경과 시간의 길이에 따라 가중되는 양이 다르게 적용되는 가중 경과 시간을 반영하여 갱신되는 액세스 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 경과 시간 스탬프를 이용하여 읽기 전압 레벨을 조절하고, 상기 조절된 읽기 전압 레벨을 적용하여 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 상기 데이터를 읽는 단계를 더 포함하는 액세스 방법.








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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102528558B1 (ko) 2016-01-15 2023-05-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 호스트, 스토리지 시스템, 스토리지 장치의 전원 전압 수신 방법, 및 스토리지 시스템의 전원 전압 제공 방법
KR102620820B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법
US10671298B2 (en) 2018-03-06 2020-06-02 Micron Technology, Inc. Storing page write attributes
KR102601143B1 (ko) * 2018-10-29 2023-11-13 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법
KR20210062364A (ko) * 2019-11-21 2021-05-31 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US11217320B1 (en) * 2020-08-13 2022-01-04 Micron Technology, Inc. Bin placement according to program-erase cycles
KR20220023609A (ko) * 2020-08-21 2022-03-02 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000011670A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Canon Inc 不揮発性メモリを有する機器
US20110044101A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Skymed Corporation Method and system of finding a read voltage for a flash memory
US20130185606A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-18 Apple Inc. Systems and methods for proactively refreshing nonvolatile memory

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001357688A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置とその書き換え装置
US7701797B2 (en) 2006-05-15 2010-04-20 Apple Inc. Two levels of voltage regulation supplied for logic and data programming voltage of a memory device
JP2009026119A (ja) 2007-07-20 2009-02-05 Denso Corp メモリ制御装置、信頼性判定期間の更新方法、及びデータの書込み方法
WO2009072102A2 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Densbits Technologies Ltd. System and methods employing mock thresholds to generate actual reading thresholds in flash memory devices
US20090228640A1 (en) 2008-03-07 2009-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive
JP2010165039A (ja) 2009-01-13 2010-07-29 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc メモリ制御方法、メモリ制御装置および電子機器
US8261136B2 (en) 2009-06-29 2012-09-04 Sandisk Technologies Inc. Method and device for selectively refreshing a region of a memory of a data storage device
US8737136B2 (en) * 2010-07-09 2014-05-27 Stec, Inc. Apparatus and method for determining a read level of a memory cell based on cycle information
US8248856B2 (en) 2010-10-20 2012-08-21 Seagate Technology Llc Predictive read channel configuration
EP2549482B1 (en) * 2011-07-22 2018-05-23 SanDisk Technologies LLC Apparatus, system and method for determining a configuration parameter for solid-state storage media
JP5751628B2 (ja) 2011-09-09 2015-07-22 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 記憶装置および記憶装置制御方法
KR101942275B1 (ko) * 2012-04-18 2019-01-25 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR101915719B1 (ko) * 2012-04-26 2019-01-08 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 동작 방법
US8966343B2 (en) 2012-08-21 2015-02-24 Western Digital Technologies, Inc. Solid-state drive retention monitor using reference blocks

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000011670A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Canon Inc 不揮発性メモリを有する機器
US20110044101A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Skymed Corporation Method and system of finding a read voltage for a flash memory
US20130185606A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-18 Apple Inc. Systems and methods for proactively refreshing nonvolatile memory

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