JP5751628B2 - 記憶装置および記憶装置制御方法 - Google Patents
記憶装置および記憶装置制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5751628B2 JP5751628B2 JP2011196661A JP2011196661A JP5751628B2 JP 5751628 B2 JP5751628 B2 JP 5751628B2 JP 2011196661 A JP2011196661 A JP 2011196661A JP 2011196661 A JP2011196661 A JP 2011196661A JP 5751628 B2 JP5751628 B2 JP 5751628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- memory
- write
- read
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Power Sources (AREA)
Description
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、消費電力の低減を図ることが可能な記憶装置および記憶装置制御方法を提供することを、その目的としている。
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、ランダムアクセスが可能なメモリが搭載された記憶装置において、'0'と'1'とのいずれのデータを保持した時の消費電力が少ないかを記憶装置の初期化段階の予備テストにおいてあらかじめ判定し、消費電力の少ない方のデータを当該記憶装置のメモリの消費電力特性を示す特性値としてあらかじめ書き込んでおき、以降のメモリへのデータ書き込み時において、メモリの消費電力特性を示す特性値を基にして、書き込みデータの'0'/'1'の個数を比較することによって、通常の書き込みデータと該書き込みデータの'0'と'1'とを反転した反転データとのうち、いずれのデータが消費電力が低くなるかを判別し、消費電力が少ないと判別した方のデータを、常にメモリに書き込む仕組みを備えることによって、記憶装置の低消費電力化を実現することを主要な特徴としている。
次に、本発明の実施形態の構成例として、本発明による記憶装置のブロック構成の一例について、図1および図2を用いて詳細に説明する。図1は、本発明による記憶装置のブロック構成の一例を示すブロック構成図であり、図2は、図1の記憶装置のさらに詳細なブロック構成を示すブロック構成図である。ここで、図2は、図1の記憶装置の各機能ブロックに対して、図6に示した従来の記憶装置の場合と同様、上位装置とのインタフェース回路であるRAM制御信号生成回路1、書き込みデータ制御回路3、読み出しデータ制御回路6を追加するとともに、記憶装置内部に誤り訂正用の機能を実施するためのECG回路4およびECC回路5を追加している場合を示している。以下の説明においては、図2に示した記憶装置について詳細に説明することにする。
なお、記憶装置の初期化時の予備テストにおいてALL'0'とALL'1'との双方の試験データの書き込みテストをあらかじめ行い、メモリデータ+チェックビットとして保持した時点からあらかじめ定めた一定時間が経過した後の温度(すなわち、消費電力)を測定し、温度がより低くなっている(すなわち、消費電力がより少なくなっている)方の試験データを示す情報を搭載メモリ電力特性80として搭載メモリ電力特性保持回路8にあらかじめ記憶している。
次に、本発明の一実施形態として図2に示した記憶装置の動作について、その一例を、図3および図4のフローチャートを用いて説明する。図3は、図2の記憶装置の動作の一例を説明するためのフローチャートであり、初期化段階の動作を、メモリ2の消費電力特性をあらかじめ調査するために実施する予備テストの動作を中心にして示している。また、図4は、図2の記憶装置における図3のフローチャートに引き続く動作の一例を説明するためのフローチャートであり、初期化終了後の通常の運用段階で、図3の予備テスト結果を利用して、記憶装置のメモリ2への読み書き動作を制御して、消費電力の低減を図っている動作例を示している。
以上に詳細に説明したように、本実施形態においては、以下に記載するような効果を奏することができる。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。記憶装置の基本的構成は、前記の図2の場合と同じであるが、アドレス毎のデータ反転情報保持回路9の設置については、さらに工夫して、異なる構成とすることも可能である。その構成例について図5に示している。図5は、本発明による記憶装置の図2とは異なるブロック構成例を示すブロック構成図である。
1A RAM制御信号生成回路
2 メモリ
2A メモリ
3 書き込みデータ制御回路
3A 書き込みデータ制御回路
4 ECG回路
4A ECG回路
5 ECC回路
5A ECC回路
6 読み出しデータ制御回路
6A 読み出しデータ制御回路
7 データ解析回路
8 搭載メモリ電力特性保持回路
9 アドレス毎のデータ反転情報保持回路
10 メモリアクセスコマンド(上位装置リクエストコマンド)
10A メモリアクセスコマンド
11 メモリアクセスアドレス(上位装置リクエストアドレス)
11A メモリアクセスアドレス
20 メモリデータ+チェックビット(メモリデータ+CB)
20A メモリデータ+チェックビット(メモリデータ+CB)
30 書き込みデータ(上位装置リクエスト書き込みデータ)
30A 書き込みデータ
40 書き込みチェックビット(書き込みCB)
40A 書き込みチェックビット(書き込みCB)
50 読み出しデータ(上位装置リプライ読み出しデータ)
50A 読み出しデータ
70 データ選択信号
80 搭載メモリ電力特性
90 データ反転情報
G1 書き込みデータセレクタ
G10 メモリデータ+チェックビット(メモリデータ+CB)
G2 読み出しデータセレクタ
G20 ECC入力データ+チェックビット(ECC入力データ+CB)
Claims (8)
- ランダムアクセスが可能なメモリを搭載した記憶装置であって、初期化時に前記メモリにALL'0'およびALL'1'の双方の試験データを書き込む予備テストを実施し、ALL'0'およびALL'1'の試験データそれぞれにおいて書き込み終了時点からあらかじめ定めた一定時間経過後のそれぞれの試験データ保持時における前記メモリの温度を測定し、ALL'0'書き込み時の温度とALL'1'書き込み時の温度とを比較して、温度が低い方のデータを示す情報を、前記メモリの消費電力が少なくなる特性を示す搭載メモリ電力特性としてあらかじめ保持する搭載メモリ電力特性保持手段と、前記予備テスト以降において、前記メモリの任意のアドレスに書き込みデータを書き込む際に、該書き込みデータの'0'の個数と'1'の個数とを抽出して、前記搭載メモリ電力特性保持手段に保持されている前記搭載メモリ電力特性に基づいて、当該書き込みデータをそのまま前記メモリに書き込むべきかあるいは当該書き込みデータの'0'と'1'とを反転した反転データとして前記メモリに書き込むべきかを判別して、判別した結果をデータ選択信号として出力するデータ解析手段と、前記書き込みデータの'0'と'1'とを反転させた前記反転データを生成した後、前記データ解析手段から出力された前記データ選択信号に基づいて、前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれかを選択して、前記メモリに書き込む書き込みデータ選択手段と、を少なくとも備えていることを特徴とする記憶装置。
- 前記予備テストの結果を基に、前記書き込みデータ選択手段において前記メモリの任意のアドレスに前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれを選択して書き込んだかという情報を、データ反転情報として前記メモリのアドレスごとに対応する記憶領域に保持するデータ反転情報保持手段を備え、前記予備テスト以降において、前記メモリの任意のアドレスからデータをメモリデータとして読み出した際に、前記メモリから読み出した前記メモリデータの'0'と'1'とを反転させたメモリ反転データを生成した後、前記データ反転情報保持手段に前記メモリのアドレスごとに対応して保持している前記データ反転情報に基づいて、前記メモリから読み出した前記メモリデータそのままかまたは前記メモリ反転データかのいずれかを選択して、読み出しデータとして出力する読み出しデータ選択手段、を少なくとも備えていることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
- 前記予備テストの結果を基に、前記書き込みデータ選択手段において前記メモリの任意のアドレスに前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれを選択して書き込む際に、前記データ解析手段が出力する前記データ選択信号も、同時に、前記メモリの当該アドレスに書き込み、しかる後において、前記メモリの任意のアドレスからデータをメモリデータとして読み出した際に、当該アドレスに書き込まれていた前記データ選択信号も同時に読み出し、前記メモリから読み出した前記メモリデータの'0'と'1'とを反転させたメモリ反転データを生成した後、当該アドレスから同時に読み出した前記データ選択信号に基づいて、前記メモリから読み出した前記メモリデータそのままかまたは前記メモリ反転データかのいずれかを選択して、読み出しデータとして出力する読み出しデータ選択手段、を少なくとも備えていることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
- 前記データ解析手段において前記書き込みデータの'0'の個数と'1'の個数とを抽出する際に、当該書き込みデータに関する誤り訂正用として付加されるチェックビットを含めて'0'の個数と'1'の個数とを抽出して、前記データ選択信号を生成するとともに、前記書き込みデータ選択手段において前記書き込みデータの'0'と'1'とを反転させた前記反転データを生成する際に、前記書き込みデータに付加された前記チェックビットも含めて反転させたデータを生成し、前記メモリに書き込む際に、前記書き込みデータに付加された前記チェックビットも含めてそのままかまたは反転させたデータかのいずれかを選択して、書き込むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の記憶装置。
- ランダムアクセスが可能なメモリを搭載した記憶装置の動作を制御する記憶装置制御方法であって、初期化時に前記メモリにALL'0'およびALL'1'の双方の試験データを書き込む予備テストを実施し、ALL'0'およびALL'1'の試験データそれぞれにおいて書き込み終了時点からあらかじめ定めた一定時間経過後のそれぞれの試験データ保持時における前記メモリの温度を測定し、ALL'0'書き込み時の温度とALL'1'書き込み時の温度とを比較して、温度が低い方のデータを示す情報を、前記メモリの消費電力が少なくなる特性を示す搭載メモリ電力特性としてあらかじめ保持しておき、前記予備テスト以降において、前記メモリの任意のアドレスに書き込みデータを書き込む際に、該書き込みデータの'0'の個数と'1'の個数とを抽出して、保持されている前記搭載メモリ電力特性に基づいて、当該書き込みデータをそのまま前記メモリに書き込むべきかあるいは当該書き込みデータの'0'と'1'とを反転した反転データとして前記メモリに書き込むべきかを判別して、判別した結果をデータ選択信号として書き込みデータ選択手段に対して出力し、該書き込みデータ選択手段において前記書き込みデータの'0'と'1'とを反転させた前記反転データを生成した後、出力されてきた前記データ選択信号に基づいて、前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれかを選択して、前記メモリに書き込むことを特徴とする記憶装置制御方法。
- 前記予備テストの結果を基に、前記書き込みデータ選択手段において前記メモリの任意のアドレスに前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれを選択して書き込んだかという情報を、データ反転情報として前記メモリのアドレスごとに対応して設けた記憶領域に保持し、前記予備テスト以降において、前記メモリの任意のアドレスからデータをメモリデータとして読み出した際に、前記メモリから読み出した前記メモリデータの'0'と'1'とを反転させたメモリ反転データを生成した後、前記メモリのアドレスごとに対応して保持している前記データ反転情報に基づいて、前記メモリから読み出した前記メモリデータそのままかまたは前記メモリ反転データかのいずれかを選択して、読み出しデータとして出力することを特徴とする請求項5に記載の記憶装置制御方法。
- 前記予備テストの結果を基に、前記書き込みデータ選択手段において前記メモリの任意のアドレスに前記書き込みデータそのままかまたは前記反転データかのいずれを選択して書き込む際に、前記データ選択信号も、同時に、前記メモリの当該アドレスに書き込み、しかる後において、前記メモリの任意のアドレスからデータをメモリデータとして読み出した際に、当該アドレスに書き込まれていた前記データ選択信号も同時に読み出し、前記メモリから読み出した前記メモリデータの'0'と'1'とを反転させたメモリ反転データを生成した後、当該アドレスから同時に読み出した前記データ選択信号に基づいて、前記メモリから読み出した前記メモリデータそのままかまたは前記メモリ反転データかのいずれかを選択して、読み出しデータとして出力することを特徴とする請求項5に記載の記憶装置制御方法。
- 前記書き込みデータの'0'の個数と'1'の個数とを抽出する際に、当該書き込みデータに関する誤り訂正用として付加されるチェックビットを含めて'0'の個数と'1'の個数とを抽出して、前記データ選択信号を生成するとともに、前記書き込みデータ選択手段において前記書き込みデータの'0'と'1'とを反転させた前記反転データを生成する際に、前記書き込みデータに付加された前記チェックビットも含めて反転させたデータを生成し、前記メモリに書き込む際に、前記書き込みデータに付加された前記チェックビットも含めてそのままかまたは反転させたデータかのいずれかを選択して、書き込むことを特徴とする請求項5ないし7のいずれかに記載の記憶装置制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011196661A JP5751628B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 記憶装置および記憶装置制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011196661A JP5751628B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 記憶装置および記憶装置制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058115A JP2013058115A (ja) | 2013-03-28 |
JP5751628B2 true JP5751628B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=48133945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011196661A Active JP5751628B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 記憶装置および記憶装置制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5751628B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102293082B1 (ko) | 2014-07-29 | 2021-08-26 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치, 저장 장치의 동작 방법, 및 저장 장치를 액세스하는 액세스 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845275A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Toshiba Corp | メモリリード/ライト制御方法およびその方法を使用したメモリ装置 |
US6633951B2 (en) * | 2001-03-15 | 2003-10-14 | Intel Corporation | Method for reducing power consumption through dynamic memory storage inversion |
JP2002366419A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | データ処理装置およびデータ処理方法 |
JP4330396B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2009-09-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
-
2011
- 2011-09-09 JP JP2011196661A patent/JP5751628B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013058115A (ja) | 2013-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10049005B2 (en) | Flash memory control apparatus utilizing buffer to temporarily storing valid data stored in storage plane, and control system and control method thereof | |
KR101819014B1 (ko) | 메모리 장치를 관리하기 위한 방법 및 제어기 | |
US9436611B2 (en) | Processor, cache memory of the processor and control method of the processor | |
JP2009211153A (ja) | メモリ装置、情報処理装置及び電力制御方法 | |
KR101456976B1 (ko) | 메모리 테스트 디바이스 및 메모리 테스트 방법 | |
JP2010182366A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017033501A (ja) | 記憶装置および制御方法 | |
US8914602B2 (en) | Display controller having an embedded non-volatile memory divided into a program code block and a data block and method for updating parameters of the same | |
JP2005302250A (ja) | 半導体装置 | |
JP5751628B2 (ja) | 記憶装置および記憶装置制御方法 | |
JP2007293846A (ja) | メモリに関する保守および調整操作を行う方法およびシステム | |
JP2009187314A (ja) | 二重化コントローラ・システム、cpuモジュール、そのプログラム | |
US20050182868A1 (en) | Apparatus and method for controlling memory | |
JP5056486B2 (ja) | 画像形成コントローラ、及び画像形成装置 | |
KR101139207B1 (ko) | 메모리 시스템 및 그 동작 방법 | |
KR20150006167A (ko) | 반도체 시스템 및 그 리페어 방법 | |
US20120182812A1 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
JP4220351B2 (ja) | データ読み取り動作及び書き込み動作を同時に実行可能な集積回路及び方法 | |
JP5233924B2 (ja) | 論理検証装置、論理検証方法 | |
TWI384486B (zh) | 次級記憶體裝置、及存取一次級記憶體之方法 | |
JP4009461B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008217755A (ja) | 記憶装置 | |
JP2009217875A (ja) | メモリ装置、及び、その制御方法 | |
JP6448254B2 (ja) | メモリ制御装置及びメモリ制御方法 | |
US9823963B2 (en) | Apparatus and method for controlling level 0 cache |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20140807 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5751628 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |