KR20180107410A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 하부 구조물, 상기 하부 구조물의 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하는 봉지 다층막, 및 상기 봉지 다층막 상에 위치하며 터치 전극을 갖는 터치 패널을 포함하되, 상기 표시 영역은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 및 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 갖는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 주변 영역은 하부 전극 전원 터미널, 상기 하부 전극을 상기 하부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 하부 전극 전원 와이어, 상부 전극 전원 터미널, 및 상기 상부 전극을 상기 상부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 상부 전극 전원 와이어, 터치 터미널, 상기 터치 전극을 상기 터치 터미널에 전기적으로 연결하는 터치 와이어를 포함하고, 상기 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 하면을 포함하고, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 닫힌 형상을 가지며 상면이 하나 이상의 무기물로만 이루어진 무기 표면부를 포함하고, 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부의 상기 상면은 직접 접촉한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 박막 봉지(thin film encapsulation) 구조를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
여러 종류의 표시 장치 중에서도, 자발광 소자를 이용한 표시 장치는 빠른 응답 속도를 가지고 있어 동영상의 구현이 가능하고, 자체적으로 발광하여 시야각이 넓으며 높은 휘도를 낼 수 있어 차세대 표시 장치로 각광을 받고 있다.
자발광 소자를 이용하여 제조된 전계발광유닛은 화소 전극과 대항 전극, 그리고 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전계 발광층으로 이루어진다. 이러한 전계발광유닛은 수분, 산소, 빛 등에 매우 민감해 이들과 접촉하게 되면 상기 전계발광유닛의 손상에 의한 표시 품질의 저하가 발생하기 쉽다. 따라서, 전계발광소자에 있어서 외부의 수분과 산소, 빛 등이 전계 발광층으로 유입되는 것을 차단하기 위한 밀봉 기술로써, 박막 봉지 구조를 사용한다.한편, 표시 장치는 화상을 표시하는 출력 기능 이외에도, 사용자의 명령을 수신할 수 있는 입력 기능이 요구될 수 있다.
그러나, 하부 기판에 대향하여 배치된 상부 기판 상에 집적하여 형성하거나, 이미 완성된 입력 유닛을 유기 기판 상에 부착하였던 기존의 공정과는 달리, 박막 봉지 구조를 이용할 경우 기존의 하부 기판이 플렉서블한 필름으로 대체될 수 있고, 기존의 상부 기판은 박막 봉지 구조로 대체되어, 터치 패널의 집적에 어려움이 발생할 수 있으며, 이를 해결할 수 있는 구조가 요구된다. 나아가, 박막 봉지 구조상에 터치 패널을 집적하고도 봉지 특성의 저하가 최소화된 표시 장치가 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 박막 봉지 구조상에 터치 패널을 용이하게 집적 가능한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 박막 봉지 구조상에 터치 패널을 집적하고도 봉지 특성의 저하가 최소화된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 하부 구조물, 상기 하부 구조물의 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하는 봉지 다층막, 및 상기 봉지 다층막 상에 위치하며 터치 전극을 갖는 터치 패널을 포함하되, 상기 표시 영역은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 및 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 갖는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 주변 영역은 하부 전극 전원 터미널, 상기 하부 전극을 상기 하부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 하부 전극 전원 와이어, 상부 전극 전원 터미널, 및 상기 상부 전극을 상기 상부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 상부 전극 전원 와이어, 터치 터미널, 상기 터치 전극을 상기 터치 터미널에 전기적으로 연결하는 터치 와이어를 포함하고, 상기 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 하면을 포함하고, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 닫힌 형상을 가지며 상면이 하나 이상의 무기물로만 이루어진 무기 표면부를 포함하고, 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부의 상기 상면은 직접 접촉한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 와이어의 폭은 상기 표시 영역으로부터 멀리 이격되어 배치될수록 감소한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 와이어는 상기 하부 구조물의 코너에서 곡선을 형성하며 연장된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 주변 영역은 상기 터치 와이어와 전기적으로 연결되는 보조 터치 와이어를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 와이어는 상기 하부 전극 전원 와이어와 중첩되도록 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 와이어는 상기 상부 전극 전원 와이어와 중첩되도록 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 터미널의 면적은 상기 하부 전극 전원 터미널의 면적 또는 상기 상부 전극 전원 터미널의 면적 보다 작다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 터치 터미널, 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 하나의 외부 회로 보드와 접하여 전기적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 터치 터미널, 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 일 방향을 따라 순차적으로 배열된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 주변 영역은 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 상부 전극 전원 터미널 및 상기 터치 터미널과 상기 표시 영역 사이에 굽힘 가능 영역을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 주변 영역은 상기 봉지 다층막의 상면은 평탄 영역을 포함하되, 적어도 하나의 상기 터치 와이어 및 상기 터치 터미널은 상기 평탄 영역 상에 위치한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 전극 전원 와이어는 상기 상부 전극과 전기적으로 연결된 보조 상부 전극, 및 상기 보조 상부 전극과 상기 상부 전극 전원 터미널을 전기적으로 연결하는 버스 와이어를 더 포함하되, 상기 터치 와이어는 일부 구간에서 상기 보조 상부 전극과 동일한 방향으로 연장되며 중첩되도록 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 전원 터미널 영역 내에 위치하여 제1 외부 회로 보드와 접하고, 상기 터치 터미널은 터치 터미널 영역 내에 위치하여 제2 외부 회로 보드와 접하고, 상기 전원 터미널 영역과 상기 터치 터미널 영역은 평면 시점에서 서로 중첩되지 않도록 배치되고, 상기 제1 외부 회로 보드 및 상기 제2 외부 회로 보드는 평면 시점에서 서로 중첩되지 않도록 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 터치 패널은 상기 봉지 다층막 상에 직접 집적된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하부 구조물은 상기 하부 구조물의 표면부 아래에서 상기 표시영역 및 상기 주변 영역과 대응하도록 연장하는 하부 봉지 무기막을 포함하고, 상기 하부 구조물 중 상기 무기 표면부와 상기 하부 봉지 무기막 사이에 위치하는 부분은 하나 이상의 무기물로만 이루어진다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 박막 봉지 구조상에 터치 패널을 용이하게 집적 가능한 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 박막 봉지 구조상에 터치 패널을 집적하고도 봉지 특성의 저하가 최소화된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 터치 패널의 평면도이다.
도 4는 도 1 및 2의 I-I’를 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
도 6은 도 5의 “A” 부분의 확대도이다.
도 7은 도 5의 “B” 영역의 확대도이다.
도 8은 도 5의 "C" 영역의 확대도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 소자를 도시한 개략도이다.
도 10은 도 9에 도시된 무기 표면부를 도시한 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
"무기물 만으로 이루어진다"로 표현되는 경우 하나 이상의 무기물만으로 이루어진다는 의미이지 하나의 무기물 만으로 이루어진다는 의미는 아니다. 또한, "유기물 만으로 이루어진다"로 표현되는 경우 하나 이상의 유기물만으로 이루어진다는 의미이지 하나의 유기물 만으로 이루어진다는 의미는 아니다.
본 발명의 실시예들에서 "둘러싸는" 또는 "실질적으로 둘러싸는" 형상이라 함은 연속적으로 둘러싸는 경우뿐만 아니라 불연속적으로 둘러싸는 개념을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 터치 패널의 평면도이다. 도 4는 도 1 및 2의 I-I’를 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치(1000, 1000_a)는 기판(101), 기판(101) 상에 형성된 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT) 어레이 및 전계발광유닛(EU)과, 전계발광유닛(EU)을 밀봉하는 봉지 다층막(200)을 포함한다.
기판(101)은 표시 장치(1000, 1000_a)의 전체를 지지하고 강성을 유지시키는 역할을 한다. 기판(101)은 상면이 평탄하며 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 기판(101)은, 유리(glass)로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 기판(101)은 예컨대, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate)와 같은 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 한편, 기판(101)은 예컨대 금속, 탄소 섬유와 같은 불투명한 재질로 이루어 질 수도 있으며, 플렉서블 표시 장치를 구현하기 위해 기판(101)은 예컨대 폴리이미드(PI) 필름과 같은 가요성 재질의 플라스틱으로 이루어 질 수도 있다.
기판(101)은 표시 영역(display area)(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(peripheral area)으로 구획된다. 표시 영역(DA)은 기판(101)의 중앙부에 배치되며, 화상이 표시되는 영역이다. 주변 영역은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 기판(101)의 가장자리에 배치되며, 화상이 표시되지 않는 영역이다.
주변 영역은 제1 주변 영역(PA1), 제2 주변 영역(PA2), 제3 주변 영역(PA3), 및 제4 주변 영역(PA4)을 포함한다. 보다 구체적으로 도 1 및 도 2의 시점을 기준으로, 우측을 향하여 연장된 방향을 제1 방향(x1)이라 정의하고, 좌측을 향하여 연장된 방향을 제2 방향(x2)이라 정의하고, 상측을 향하여 연장된 방향을 제3 방향(y1)이라 정의하고, 하측을 향하여 연장된 방향을 제4 방향(y2)이라 정의하기로 한다. 제1 방향(x1)과 제2 방향(x2)는 서로 반대되는 방향이고, 제3 방향(y1)과 제4 방향(y2)는 서로 반대되는 방향일 수 있으며, 제1 방향(x1) 및 제2 방향(x2) 중 어느 하나와, 제3 방향(y1)및 제4 방향(y2) 중 어느 하나는 서로 직교할 수 있다. 제1 주변 영역(PA1)은 하부 구조물(100)의 제1 방향(x1) 외측에 인접하도록 위치한다. 제2 주변 영역(PA2)은 하부 구조물(100)의 제2 방향(x2)의 외측에 인접하도록 위치한다. 제3 주변 영역(PA2)은 하부 구조물(100)의 제3 방향(y3) 외측에 인접하도록 위치한다. 제4 주변 영역(PA4)은 제4 방향(y4) 외측에 인접하도록 위치한다.
표시 영역(DA)에는 화상을 표시하는 광을 방출하는 복수의 전계발광유닛(electroluminescent unit)(EU)이 화소 별로 배치된다. 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에는 표시 영역(DA)에 배치된 전계발광유닛(EU)의 상부 전극(191)로 전기적인 신호 또는 전원을 인가하기 위한 상부 전극 전원 와이어(901)가 위치한다. 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(155) 및 보조 상부 전극(172)을 포함한다. 이하에서는 기판(101)에서부터 적층된 순서대로 표시 영역(DA) 및 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에 배치된 구성 요소에 대해 살펴본다.
기판(101) 상에는 버퍼막(111)이 형성된다. 버퍼막(111)은 상면을 평활하게 하며 불순물의 침투를 차단한다. 버퍼막(111)은 실리콘산화물(SiOx), 실리콘산질화물 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있으며, 다양한 증착 방법을 통해 형성할 수 있다. 버퍼막(111)은 필요에 따라 생략할 수 있다.
버퍼막(111) 상에는 화소 회로(C1)가 형성된다. 화소 회로(C1)는 적어도 하나의 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)를 포함한다. 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)는 전계발광유닛(EU)과 전기적으로 연결되어 전계발광유닛(EU)을 구동한다. 도시되지 않았지만, 화소 회로(C1)는 적어도 하나의 커패시터를 더 포함할 수 있다.
화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)는 활성층(112), 게이트 전극(131), 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(112)은 버퍼막(111) 상에 형성된다. 활성층(112)은 반도체 물질을 포함하며, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 활성층(112)이 예컨대, G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)와 같은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 활성층(112)은 GIZO 외에도 예를 들어, 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 활성층(112)은 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)이 각각 접촉하는 소스 영역(112a) 및 드레인 영역(112c)과, 그 사이에 위치하는 채널 영역(112b)을 포함한다. 활성층(112)이 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 필요에 따라 소스 영역(112a) 및 드레인 영역(112c)에는 불순물이 도핑될 수 있다.
게이트 절연막(121)은 활성층(112) 상에 형성되며, 실리콘산화물, 실리콘산질화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(121)은 활성층(112) 및 게이트 전극(131)을 절연하는 역할을 한다.
게이트 전극(131)은 게이트 절연막(121)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(131)은 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(131)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(131) 상에는 층간 절연막(141)이 형성된다. 층간 절연막(141)은 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)과 게이트 전극(131)을 절연하는 역할을 한다. 층간 절연막(141)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)은 층간 절연막(141) 상에 형성된다. 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)은 층간 절연막(141)과 게이트 절연막(121)에 형성된 컨택홀을 통해 활성층(112)의 소스 영역(112a) 및 드레인 영역(112c)과 각각 접촉한다. 이렇게 형성된 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT) 상에는 평탄화막(161)이 형성된다. 평탄화막(161)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 평탄화막(161)은 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT) 어레이로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 전계발광유닛(EU)에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 또한, 평탄화막(161)은 평탄화막(161)에 의하여 이격된 구성요소간의 전기적인 연결을 차단하는 절연막으로써 기능할 수도 있다.
평탄화막(161)의 상부면 중 표시 영역(DA)에 대응하는 부분에는 전계발광유닛(EU)이 형성된다. 전계발광유닛(EU)은 평탄화막(161) 상에 형성된 하부 전극(171), 이에 대향 되는 상부 전극(191) 및 양 전극 사이에 개재되는 전계 발광층(EL)을 포함한다. 전계 발광층(EL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 전계발광유닛(EU)의 발광 방향에 따라, 표시 장치(1000, 1000_a)는 배면 발광 타입(bottom emission type), 전면 발광 타입(top emission type) 및 양면 발광 타입(dual emission type) 등으로 구별되는데, 배면 발광 타입에서는 하부 전극(171)이 광을 투과시키는 투명 또는 반투명 전극으로 구비되고 상부 전극(191)은 광을 반사하는 반사 전극으로 구비된다. 전면 발광 타입에서는 하부 전극(171)이 반사 전극으로 구비되고 상부 전극(191)이 투명 또는 반투명 전극으로 구비된다. 양면 발광 타입에서는 하부 전극(171) 및 상부 전극(191)이 모두 투명 또는 반투명 전극으로 구비될 수 있다.
하부 전극(171)이 애노드로 기능하는 경우, 일함수가 높은 인듐주석산화물(indium tin oxide: ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide: IZO), 아연산화물(zinc oxide: ZnO), 인듐산화물(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨산화물(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄아연산화물(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 하부 전극(171)은 각 화소에 대응하는 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한 하부 전극(171)은 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)의 드레인 전극(156b)과 연결되어 전류를 인가 받을 수 있다.
한편, 하부 전극(171) 상에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(181)(pixel define layer: PDL)이 형성된다. 화소 정의막(181)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(181) 상에는 화소를 정의하는 소정의 개구부가 형성된다. 적어도 이 개구부로 한정된 영역에는 전계 발광층(EL)이 형성된다. 본 발명의 실시예들에서 화소 정의막(181)은 잉크젯 또는 노즐 프린팅법 등의 솔루션 기법으로 발광층을 형성할 때 사용되며 상대적으로 높은 높이를 갖는 격벽을 포함하는 개념이다.
전계 발광층(EL)은 적색, 녹색 또는 청색 광을 방출하는 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 비록 도시하지는 않았지만, 전계 발광층(EL)과 하부 전극(171) 사이에 수송층(hole transport layer: HTL) 및/또는 홀 주입층(hole injection layer: HIL)이 위치할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 전계 발광층(EL)과 상부 전극(191) 사이에 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및/또는 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 위치할 수 있다. 물론, 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 외에도 다양한 층들이 필요에 따라 적층되어 형성될 수 있다.
한편, 상술한 실시예에서는 각 화소 별로 별도의 전계 발광층(EL)이 형성된 경우를 예로 설명하였다. 이 경우에는 화소 별로 적색, 녹색 및 청색의 광을 각각 방출할 수 있으며, 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출하는 화소 그룹이 하나의 단위 화소를 이룰 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 전계 발광층(EL)이 화소 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 방출하는 복수의 전계 발광층(EL)이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성되어 백색광을 방출할 수 있다. 물론, 백색광을 방출하기 위한 색의 조합은 상술한 바에 한정되지 않는다. 한편, 이 경우 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나 컬러필터가 별도로 구비될 수 있다.
상부 전극(191)은 도전성 무기 물질로 이루어질 수 있다. 상부 전극(191)이 캐소드로 기능하는 경우 일함수가 작은 Al, Mg, Ag 등으로 형성할 수 있다. 상부 전극(191)은 화상이 구현되는 표시 영역(DA) 전체에 걸쳐 공통 전극으로 형성될 수 있다. 이 때, 상부 전극(191)은 전계 발광층(EL)에 손상을 가하지 않는 증발(evaporation) 공정으로 형성할 수 있다. 한편, 하부 전극(171)과 상부 전극(191)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
이와 같은 상부 전극(191)은 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에 위치하는 상부 전극 전원 와이어(901)와 연결되어 전기적 신호 또는 전원을 인가 받을 수 있다. 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(155) 및 보조 상부 전극(172)를 포함한다.
버스 와이어(155)는 외부로부터 인가 받은 전기적 신호 또는 전원을 상부 전극(191)으로 인가한다. 따라서, 버스 와이어(155)는 전류를 잘 통할 수 있는 도전성 무기 물질로 이루어지며, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 버스 와이어(155)는 층간 절연막(141) 상에 형성된다. 버스 와이어(155)는 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)의 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 이 경우 버스 와이어(155)는 소스 전극(156a) 및 드레인 전극(156b)과 동일한 도전성 무기 물질로 이루어질 수 있다.
버스 와이어(155)는 상부 전극(191)과 전기적으로 연결되어야 하는데, 버스 와이어(155)와 상부 전극(191)은 형성된 층이 달라 서로 떨어져 있다. 따라서, 버스 와이어(155)와 상부 전극(191)을 전기적으로 연결하는 보조 상부 전극(172)이 필요하다.
보조 상부 전극(172)은 버스 와이어(155)으로부터 인가 받은 전기적 신호 또는 전원을 상부 전극(191)으로 전달하기 위해서 버스 와이어(155) 및 상부 전극(191)과 접촉한다. 보조 상부 전극(172)은 브리지 또는 링크 역할을 한다. 따라서, 보조 상부 전극(172)은 전류를 잘 통할 수 있는 도전성 무기 물질로 이루어지며, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 한편, 전술한 평탄화막(161)의 측면부는 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에 배치되는데, 보조 상부 전극(172)은 평탄화막(161)의 측면 및 상면을 따라 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 보조 상부 전극(172)은 하부 전극(191)과 동일한 물질로 하부 전극(191)과 함께 형성될 수 있다.
보조 상부 전극(172)는 표시 영역(DA)의 주변을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 보조 상부 전극(172)은 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에서 표시 영역(DA)을 둘러싸거나 실질적으로 둘러싸는 형상을 가져 상부 전극(191)의 IR 드롭 (IR Drop)을 방지하는 역할을 한다. 보조 상부 전극(172)의 형상과 관련하여 “둘러싸는 형상” 또는 “실질적으로 둘러싸는 형상”은 완전히 둘러싸는 것뿐만 아니라 IR 드롭 방지 효과가 있다면 부분적으로 둘러싸는 것도 포함한다. 또한, 보조 상부 전극(172)과 버스 와이어(155) 사이의 컨택 영역의 면적을 증가시키기 위해서 버스 와이어(155) 역시 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에서 표시 영역(DA)의 주변을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 버스 와이어(155) 역시 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에서 표시 영역(DA)을 실질적으로 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
봉지 다층막(200)은 표시 영역(DA) 및 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)을 모두 덮도록 기판(101)에 전면적으로 형성된다. 이와 다르게 봉지 다층막(200)은 표시 영역(DA)의 전부와 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)의 적어도 일부를 덮도록 기판(101)에 형성될 수 있다. 봉지 다층막(200)은 외부의 수분이나 산소 등으로부터 전계발광유닛(EU)을 보호하기 위해 형성된다. 봉지 다층막(200)은 제1 무기층(211), 제1 무기층(211) 상의 유기층(212), 및 유기층(212) 상의 제2 무기층(213)를 포함할 수 있다. 여기서 유기층(212)은 제2 무기층(213)의 표면부가 실질적으로 평탄한 평탄 영역(flat area)(FA)을 갖도록 한다.
다만, 봉지 다층막(200)은 도시된 것과 같이 3개 층이 적층된 구조에 제한되지 아니하고, 전계발광유닛(EU)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층이 적층되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 나아가, 봉지 다층막은 전계발광유닛(EU)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층이 적층되어 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있으며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있고, 상기 제3 유기층도 상기 제4 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다. 결과적으로, 상기 제3 무기층의 면적은 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층 및 제2 유기층의 면적들보다 넓어서 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층 및 제2 유기층의 엣지들을 커버할 수 있다.
상술한 바와 같이 봉지 다층막(200)은 다양한 구조를 가질 수 있으나, 봉지 다층막(200)의 하면은 적어도 하나의 무기물로만 이루어질 수 있다.
봉지 다층막(200)은 단독으로 하부 구조물(100)을 봉지하더라도 표시 영역(DA)에 포함된 전계발광유닛(EU)을 외부의 수분 및/또는 산소로부터 보호할 수 있는 능력을 지닌다. 즉, 봉지 다층막(200) 외에 수분 및/또는 산소 침투를 방지할 수 있는 다른 추가 봉지 부재를 사용할 필요 없이 봉지 다층막(200) 단독으로도 전계발광유닛(EU)을 봉지하여 외부의 수분 및/또는 산소의 침투에 대하여 신뢰성 있는 표시 소자를 구현할 수 있다. 봉지 다층막(200)은 복수의 막들을 포함할 수 있다. 그러나, 봉지 다층막(200)이란 용어는 우수한 봉지 능력을 지니는 단일막을 지칭하는 용어로도 사용될 수 있으며 본 발명의 권리 범위에 포함된다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상의 무기 표면부(IS)를 갖는다. 무기 표면부(IS)는 봉지 다층막(200)의 하면, 즉, 제1 무기층(211)의 하면과 직접 접한다. 무기 표면부(IS)는 하나 이상의 무기물만을 포함하고 봉지 다층막(200)의 하면, 즉, 제1 무기층(211)의 하면도 하나 이상의 무기물만을 포함하므로 무기 표면부(IS)와 봉지 다층막(200)의 하면의 직접 접합은 무기-무기 직접 접합을 이룬다.
무기 표면부(IS)는 전술한 바와 같이 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에 배치되어 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 모양을 형성할 수 있다. 즉, 무기 표면부(IS)는 표시 영역(DA)이 내부에 위치되도록 닫힌 구조를 형성할 수 있다.
무기 표면부(IS)를 구성하는 무기물은 하나의 무기물만을 포함할 수도 있으며, 다수의 무기물이 하나의 무기 표면부(IS)를 구성할 수도 있다. 무기 표면부(IS)를 구성하는 무기물은, 예를 들어, 버퍼막(111), 게이트 절연막(121) 또는 층간 절연막(141) 중 적어도 어느 하나로부터 올 수 있다. 이 경우, 무기 표면부(IS)를 구성하는 무기물은 수분 및 산소 투과율이 상대적으로 낮은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물일 수 있다. 나아가, 무기 표면부(IS)를 구성하는 무기물은 버스 와이어(155) 및/또는 보조 상부 전극(172)으로부터 올 수 있다. 이 경우, 무기 표면부(IS)를 구성하는 무기물은 도전성 무기 물질, 예컨대, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속일 수 있다.
하부 구조물(100)은 하부 구조물(100)의 표면부 아래에서 표시 영역(DA) 및 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)과 수직적으로 대응하도록 연장하는 하부 봉지 무기막을 갖고, 무기 표면부(IS)와 상기 하부 봉지 무기막 사이에 위치하는 하부 구조물(100)의 부분은 적어도 하나의 무기물만을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지 무기막은, 예를 들어, 버퍼막(111), 게이트 절연막(121) 또는 층간 절연막(141)일 수 있다. 여기서, 하부 봉지 무기막은 수분 및 산소 투과율이 상대적으로 낮은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지 무기막은 상기 하부 봉지 무기막에 포함된 무기 물질과 다른 무기 물질로 채워진 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.
기판(101) 상에 배치된 각각의 구성들의 상부는 봉지 다층막(200)에 의해서 봉지되고, 기판(101) 상에 배치된 각각의 구성들의 하부는 버퍼막(111), 게이트 절연막(121) 또는 층간 절연막(141)과 같은 하부 봉지 무기막에 의해서 봉지되고, 기판(101) 상에 배치된 각각의 구성들의 측부는 무기 표면부(IS)와 상기 하부 봉지 무기막의 사이 위치하는 하부 구조물(100)의 하나 이상의 무기물로만 이루어진 부분에 의해서 봉지되므로 완전한 무기 봉지 구조를 달성할 수 있다.
한편, 평탄화막(161)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 화학 기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition), 물리 기상 증착법 (PVD: physical vapor deposition)법 등의 공정에 의해서 형성되는 무기막은 스핀 코팅법 (Spin coating), 잉크젯 코팅법 (inkjet coating) 등의 용액(solution) 공정에 의해서 형성되는 유기막에 비해서 평탄화한 상면을 구현하기가 어렵다. 따라서, 무기막으로 평탄화막(161)을 구현하기 위해서는 무기막 적층 구조 또는 단일 무기막 구조 모두에서 전체 평탄화막(161)의 높이를 상대적으로 높게 가져가야만 원하는 평탄도를 확보할 수 있다는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 평탄화막(161)을 유기 물질로 형성한다. 따라서, 보조 상부 전극(172)의 무기 표면과 버퍼막(111), 게이트 절연막(121) 또는 층간 절연막(141) 사이에 유기 물질이 개재된다. 따라서 평탄화막(161)이 형성되는 영역에는 무기 표면부(IS)는 형성될 수 없다. 결과적으로, 본 발명의 실시예들에 따르면, 무기 표면부(IS)는 평탄화막(161)의 상면보다 상대적으로 낮게 위치하게 된다. 여기서 상대적으로 낮게 위치한다는 의미는, 상대적으로 기판(101)에 더 가깝다는 의미를 포함한다.
무기 표면부(IS)는 서로 이격된 복수의 무기 표면 가지들(Br1, Br2)로 분기된 영역을 가질 수 있다. 그리고, 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 각각의 무기 표면 가지들(Br1, Br2) 사이에 위치하는 유기 표면부(Os)를 포함할 수 있다.
유기 표면부(Os)는 상향으로 돌출된 형태를 가질 수 있다. 유기 표면부(Os)는 상향으로 돌출된 형태를 가지면서 유기층(212)의 엣지부에서 중첩되기 때문에 유기층(212)의 엣지부에서 유기층(212)의 높이를 높여주는 역할을 한다. 따라서, 봉지 다층막(200)에 포함된 제2 무기층(213) 표면상의 평탄 영역(FA)을 효과적으로 넓힐 수 있다. 또한, 유기 표면부(Os)의 높이가 상대적으로 높은 경우, 봉지 다층막(200)의 유기층(212)에 가해지는 열적 혹은 물리적 스트레스에 의해서 유기층(212)이 외부(즉, 하부 구조물(100)의 외측 방향)로 밀리는 것을 방지하는 댐(dam)역할을 할 수 있다. 유기 표면부(Os) 및 무기 표면부(IS)에 대해서는 도 5 내지 10를 통해 후술하기로 한다. 봉지 다층막(200) 상에는 터치 패널(300)이 배치된다. 터치 패널(300)은 복수의 터치 전극(301), 복수의 터치 와이어(302) 및 복수의 터치 터미널(303)을 포함한다. 터치 전극(301) 및 터치 와이어(302) 상에는 보호 절연막(311)이 위치할 수 있다.
봉지 다층막(200)에 포함된 제2 무기층(213)의 상부 표면은 실질적으로 평탄 영역(FA)을 갖는다. 터치 전극(301)은 평탄 영역(FA) 상에 위치한다. 터치 터미널(303)은 터치 터미널 영역(321) 내에 배열된다. 터치 와이어(302)는 평탄 영역(FA) 상에서 터치 전극(301)을 터치 터미널(303)에 연결하기 위해서 연장된다.
터치 전극(301)을 평탄 영역(FA) 상에 형성하는 경우, 터치 전극(301)을 비평한 영역(즉, 평탄하지 않은 영역)에 형성할 때 발생할 수 있는 터치 전극(301)의 두께 불균일성 문제를 해결하여 터치 패널(300)이 배치된 전 영역에 걸쳐 균일한 터치 감도를 유지할 수 있다.
여기서, 터치 와이어(302)가 평탄 영역(FA) 상에 위치한다는 것은 모든 터치 와이어(302)가 평탄 영역(FA) 상에 위치하는 경우뿐만 아니라 대부분의 터치 와이어(302)가 평탄 영역(FA) 상에 위치하는 경우를 포함한다. 또한, 터치 와이어(302)가 평탄 영역(FA) 상에 위치한다는 것은, 하나의 터치 와이어(302)가 연장된 구간 중 전체 구간이 평탄 영역(FA) 상에 위치하는 경우뿐만 아니라 하나의 터치 와이어(302)가 연장된 구간 중 대부분의 구간들이 평탄 영역(FA) 상에 위치하는 경우를 포함한다. 예를 들어, 터치 터미널(303)과 연결되는 지점 인근에서는 터치 와이어(302)가 부분적으로 평탄 영역(FA) 이외의 영역에 위치할 수 있다. 여기서 대부분이라 함은 과반수 이상을 의미한다.
하나의 터치 와이어(302)는 하나의 터치 전극(301)과 연결될 수 있다. 따라서 터치 패널(300)의 크기가 증가할수록 터치 전극(301)의 수가 많아지므로 터치 와이어(302)의 수도 많아진다. 터치 와이어(302)의 수가 많아지게 되면 그 만큼 표시 영역(DA)의 면적이 줄어들 수 있기 때문에 터치 와이어(302)의 폭을 최대한 줄여야 하는 문제가 발생한다. 이 경우, 터치 와이어(302)를 평탄 영역(FA) 상에 형성하면 비평한 영역에 형성하는 경우 보다 터치 와이어(302)의 폭을 공정상 용이하게 줄일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 봉지 다층막(200)에 포함된 유기층(212)은 제2 무기층(213) 상에서 정의된 평탄 영역(FA)과 중첩되도록 배치된다. 이 경우, 평탄 영역(FA)을 형성하기 위해서, 봉지 다층막(200)과 터치 패널(300) 사이에 별도의 유기 평탄화막을 채용하지 않고, 봉지 다층막(200)에 포함된 유기층(212)을 이용하여 제2 무기층(213)의 상부 표면을 실질적으로 평탄하게 하여, 평탄 영역(FA)을 구현할 수 있다. 또한, 봉지 다층막(200)과 터치 패널(300) 사이에 별도의 유기 평탄화막을 채용하는 경우라도, 봉지 다층막(200)에 포함된 유기층(212)이 유기 평탄화막을 보조하여 평탄화하는 역할을 수행하므로 유기 평탄화막의 두께를 현저하게 줄일 수 있다. 또한, 봉지 다층막(200)과 터치 패널(300) 사이에 유기 평탄화막 보다 상대적으로 평탄화 능력이 낮은 무기 절연막을 유기 평탄화막 대신 개재시키는 경우에도 실질적으로 평탄 영역(FA)을 용이하게 확보할 수 있다. 무기 물질은 유기 물질에 비해서 공정 손상 등을 보호하는 능력이 우수하기 때문에 상기 무기 절연막은 봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 직접 집적시킬 경우 봉지 다층막(200)에 가해질 수 있는 공정 손상을 방지하는 것을 주 목적으로 한다.
하부 구조물(100)의 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에는 복수의 표시 터미널(156)이 배열된 표시 터미널 영역(157)이 형성된다. 표시 터미널(156)은 표시 영역(DA)에 위치하는 전계발광유닛(EU)를 구동하는데 필요한 전기적인 신호 또는 전원을 공급하는 역할을 수행한다. 표시 터미널 영역(157)에 배열되는 표시 터미널(156)들은 표시 외부 회로 기판(340)과 전기적으로 접한다. 표시 외부 회로 기판(340)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible printed circuit board)일 수 있다.
또한, 표시 외부 회로 기판(340) 상에는 반도체 칩(341)이 위치할 수 있다. 반도체 칩(341)에는 구동 집적 회로 등이 집적될 수 있다. 반도체 칩(341)을 하부 구조물(100) 상에 위치시킨다면 하부 구조물(100)을 굽혔다나 펴는 경우, 반도체 칩(341)은 연성이 없기 때문에 부러질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 칩(341)은 표시 외부 회로 기판(340) 상에 위치한다.
터치 터미널 영역(321) 내에 배열되는 터치 터미널(303)은 터치 외부 회로 기판(330)과 전기적으로 접한다. 터치 외부 회로 기판(330)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible printed circuit board)일 수 있다.
터치 패널(300) 상에는 편광판(400)이 위치할 수 있다. 이 경우, 표시 터미널 영역(157) 및 터치 터미널 영역(321)은 편광판(400)이 배치된 평면을 기준으로 외각에 위치할 수 있다. 표시 외부 회로 기판(340) 또는 터치 외부 회로 기판(330)으로 사용될 수 있는 연성 인쇄 회로 기판은 열압착 등의 열을 필요로 하는 공정으로 터미널에 부착된다. 따라서, 표시 터미널 영역(157) 및 터치 터미널 영역(321)이 편광판(400)이 배치된 평면을 기준으로 외각에 위치하여야만 연성 회로 기판을 터미널에 부착시킬 때 편광판(400)이 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
표시 외부 회로 기판(340)과 터치 외부 회로 기판(330)이 굽혀졌다 폈다 하는 과정에서 서로 겹쳐 손상을 입지 않도록 터치 터미널 영역(321)과 표시 터미널 영역(157)은 도 1 또는 도 2의 시점에서 서로 다른 영역에 위치시킨다. 표시 외부 회로 기판(340)과 터치 외부 회로 기판(330)이 서로 겹치지 않도록 터치 터미널 영역(321)과 표시 터미널 영역(157)을 도 1 또는 도 2의 시점에서 서로 다른 영역에 위치시킴으로써, 표시 외부 회로 기판(340)과 터치 외부 회로 기판(330)을 하부 구조물(100)의 하면에 고정시킬 때 표시 외부 회로 기판(340)과 터치 외부 회로 기판(330)이 서로 부딪혀서 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 직접 집적시킬 수 있다. 봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 직접 집적시킴으로써 봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 부착할 때 발생할 수 있는 배열 오류(alignment error)를 해결할 수 있으며, 터치 패널(300)의 제조 원가를 줄일 수 있다. 또한, 터치 패널(300)을 봉지 다층막(200)에 접착제를 사용하여 부착하는 경우 발생할 수 있는 접착제로 인한 광 투과율 저하 문제를 해결할 수 있다.
여기서, 직접 집적된다 함은 베이스 위에 구성 요소의 부분들을 소정의 공정 순서에 따라 형성하여 최종적으로 베이스 위에 구성 요소를 완성한다는 의미이다. 즉, 구성 요소를 완성한 후 베이스 위에 부착한다는 의미는 아니다. 비록 도시하지는 않았으나, 봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 직접 집적하기 전에, 봉지 다층막(200) 상에 무기 절연막을 집적시킬 수 있다. 상기 무기 절연막은 실리콘과 질소를 포함하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 여기서 상기 무기 절연막은 터치 패널(300)을 봉지 다층막(200) 상에 직접 집적 시킬 때 봉지 다층막(200)에 가해질 수 있는 공정시 손상을 줄이는 역할을 한다.
봉지 다층막(200) 상에 터치 패널(300)을 직접 집적시키기 때문에 터치 터미널 영역(321) 내에 배열된 터치 터미널(303)에 터치 외부 회로 기판(330)이 부착되는 방향과, 표시 터미널 영역(157) 내에 배열된 표시 터미널(156)에 표시 외부 회로 기판(340)이 부착되는 방향은 실질적으로 같은 방향일 수 있다.
도 1을 참조하면, 표시 터미널(156)이 배열된 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널(303)이 배열된 터치 터미널 영역(321)이 모두 제4 주변 영역(PA4)에 위치한다. 만약, 제1 주변 영역(PA1)을 넓혀서 제1 주변 영역(PA1)에 터치 터미널 영역(321)을 위치시키는 경우, 표시 영역(DA)을 하부 구조물(100)의 중앙에 배치시키기 위해서 제2 주변 영역(PA2)도 동시에 넓혀야 하므로 표시 영역(DA)이 상대적으로 좁아지는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321)이 모두 제4 주변 영역(PA4)에 위치시킨다.
도 2를 참조하면, 표시 터미널(156)이 배열된 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널(303_a)이 배열된 터치 터미널 영역(321_a)이 모두 제4 주변 영역(PA4)에 위치한다. 또한, 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321_a)이 하부 구조물(100)의 제4 방향(y2) 외측에 모두 인접하도록 위치할 수 있다. 즉, 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321_a)은 제1 방향(x1) 또는 제2 방향(x2)을 따라 서로 인접하게 배치된다. 이 경우, 도 2를 다시 참조하면, 도 1에 도시된 제4 주변 영역(도 1의 PA4)보다 제4 주변 영역(PA4)의 면적을 좁힐 수 있으므로 표시 영역(DA)을 보다 넓게 할 수 있다.
나아가, 터치 터미널 영역(321, 321_a)은 제2 무기층(213) 상에 정의된 평탄 영역(FA)에 위치한다. 터치 터미널 영역(321, 321_a)이 평탄 영역(FA)이 아닌 영역에 형성되는 경우, 터치 터미널(303, 303_a)과 터치 외부 회로 기판(330, 303_a)간의 접착력이 현저하게 떨어지게 되어 탈착되는 문제가 발생할 수 있는 바, 본 발명의 실시예들에 따르면 이러한 문제를 방지할 수 있다.
표시 터미널(156)은 터치 터미널(303, 303_a) 보다 넓은 면적을 갖는다. 표시 터미널(156)에는 전원 터미널 등이 포함되고, 전계발광유닛(EU)가 전류 구동인인 경우 상대적으로 큰 전원을 안정적으로 공급해야 한다. 반면에 터치 센싱이 전압 변화를 감지하는 경우, 상대적으로 큰 전원의 인가는 필요하지 않다. 따라서 표시 터미널(156)은 터치 터미널(303, 303_a) 보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 또한, 터치 터미널(303, 303_a)의 면적을 넓게 하는 경우, 터치 외부 회로 기판(330, 330_a)을 부착하는 과정에서 과도한 열이 가해져 봉지 다층막(200)에 포함된 유기층(212)에 열적인 손상이 가해질 수 있으므로 터치 터미널(303, 303_a)의 면적은 상대적으로 작게 하는 것이 유리하다.
터치 와이어(302)는 보조 상부 전극(172)과 도 3의 단면 시점에서는 중첩되며 도 1 내지 도 3의 평면 시점에서는 교차하도록 연장될 수 있다. 보조 상부 전극(172)과 터치 와이어(302)를 중첩하도록 형성함으로써 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)의 면적을 최소화 할 수 있다. 또한, 주변 회로(C2)가 보조 상부 전극(172) 아래(즉, 도 3의 단면 시점에서, 보조 상부 전극(172)의 하부에 중첩되도록)에 위치하는데, 터치 와이어(302)를 보조 상부 전극(172)과 겹치도록 하여 터치 와이어(302) 및 주변 회로(C2) 사이의 신호적인 영향을 최소화 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 봉지 다층막(200)의 제2 무기층(213) 상에 정의된 평탄 영역(FA)은 표시 영역(DA)에서 표시 터미널 영역(157)을 향하는 방향과 실질적으로 평행한 방향, 즉, 제4 방향(y2)으로 돌출된 부분인 돌출부(P)를 가질 수 있다. 그리고, 터치 터미널(303_a)들이 배열되는 터치 터미널 영역(321_a)은 돌출부(P) 상에 위치시킴으로써 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321_a)이 하부 구조물(100)의 제4 방향(y2) 외측에 모두 인접하도록 위치할 수 있다. 이 경우, 결과적으로, 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321_a)을 모두 제4 주변 영역(PA4)에 위치시킴과 동시에, 표시 터미널 영역(157)과 터치 터미널 영역(321_a)을 제1 방향(x1) 또는 제2 방향(x2)으로 서로 인접하게 하여 제4 주변 영역(PA4)의 면적을 줄일 수 있다. 결과적으로, 표시 영역(DA)의 면적을 최대화 할 수 있다.
도 1 내지 도 3에서는, 터치 터미널(303, 303_a)들이 배열된 터치 터미널 영역(321, 321_a)이 평탄 영역(FA) 상에 위치하는 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 터치 터미널 영역(321)이 평탄 영역(FA) 이외의 영역 상에 위치하는 실시예들은 도 5 내지 도 10을 통해 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(1000_b)는 전계발광유닛(EU)의 상부 전극(172)과 전기적으로 연결되어 상부 전극(172)에 전기적인 신호를 인가하는 상부 전극 전원 와이어(901) 및 전계발광유닛(EU)의 하부 전극(191)과 전기적으로 연결되어 하부 전극(191)에 전기적인 신호를 인가하는 하부 전극 전원 와이어(902)를 포함한다. 여기서, 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(155) 및 보조 상부 전극(172)을 포함할 수 있다.
도 6은 도 5의 “A” 부분의 확대도이다.
도 6을 참조하면, 터치 와이어(302)는 하부 구조물(100)의 코너에서 각진 부분 없이 커브드될 수 있다. 즉, 터치 와이어(302)는 하부 구조물(100)의 코너에서 곡선을 형성하며 연장될 수 있다. 이에 따라, 코너에서 터치 와이어(302)에 대하여 일어날 수 있는 전계 집중을 방지할 수 있다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)상에는 다수의 터치 와이어(302)들이 연장된다. 터치 와이어(302)는 보조 터치 와이어(302s)와 다수의 제1 컨택(Cnt1)을 통해서 전기적으로 연결된다. 터치 와이어(302)와 보조 터치 와이어(302s)는 서로 연결됨으로써 전체적인 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 표시 장치(1000_b)를 굽힘 및 복원이 반복되는 과정에서 터치 와이어(302)가 손상되거나 절단되더라도 보조 터치 와이어(302s)를 통해 정상적인 전기적인 신호의 전달이 가능하다. 보조 터치 와이어(302s) 및 터치 와이어(302)는 제2 무기층(213) 상의 평탄 영역(FA) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 평탄하지 않은 영역 상에 형성되는 경우보다 터치 와이어(302) 및 보조 터치 와이어(302s)의 손상이 최소화될 수 있다.
터치 와이어(302)는 상부 전극 전원 와이어(901)와 중첩되도록 형성될 수 있다. 따라서, 상부 전극 전원 와이어(901)의 아래에 위치하는 주변 회로(C2)가 터치 와이어(302)를 통하여 전달되는 전기적인 신호에 의해서 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에 배치된 터치 와이어(302)의 폭은 표시 영역(DA)으로부터 멀리 배치될수록 상대적으로 작을 수 있으며, 표시 영역(DA)에 가깝게 배치될수록 상대적으로 클 수 있다. 도 5의 시점에서, 최 외측에 위치하는 터치 와이어(302)의 길이는 최 내측에 위치하는 터치 와이어(302)보다 길다. 최 외측에 위치하는 터치 와이어(302)와 최 내측에 위치하는 터치 와이어(302)의 폭을 같게 하는 경우, 면적은 최 외측의 터치 와이어(302)가 더 넓게 된다. 따라서 상부 전극 전원 와이어(901)와 겹쳐 발생하는 캐패시턴스도 최 외측의 터치 와이어(302)가 더 크게 되어 터치 와이어(302)들 간의 캐패시턴스 차이가 발생한다. 따라서 이러한 캐패시턴스 차이를 줄이기 위하여, 도 6의 시점에서, 표시 영역(DA)으로부터 멀리 배치된 터치 와이어(302)일수록 폭이 작고, 표시 영역(DA)에 가깝게 배치된 터치 와이어(302)일수록 폭이 크게 할 수 있다.
또한, 터치 와이어(302)는 하부 전극 전원 와이어(902)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 터치 와이어(302)가 상부 전극 전원 와이어(901)와만 중첩되도록 배치되는 경우 상부 전극(172)의 신호가 터치 와이어(302)에 영향을 줄 수 있으므로, 터치 와이어(302)가 상부 전극 전원 와이어(901)뿐만 아니라 하부 전극 전원 와이어(902)와도 겹치게 하여 상부 전극 전원 와이어(901)에 의한 과도한 신호 영향을 최소화 할 수 있다.
상부 전극 전원 와이어(901)의 단부, 하부 전극 전원 와이어(902)의 단부 및 터치 와이어(302)의 단부에는 각각 상부 전극 전원 터미널(901t), 하부 전극 전원 터미널(902t), 및 터치 터미널(303)이 각각 위치한다. 여기서, 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)는, 전술한 표시 터미널(도 1 및 도 2의 156)의 일종일 수 있다. 전계발광유닛(EU)이 전류 구동인 경우, 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)은 터치 터미널(303)에 비하여 상대적으로 큰 전원을 안정적으로 공급해야 한다. 반면에 터치 센싱이 전압 변화를 감지하는 경우, 터치 터미널(303)에는 큰 전원의 인가는 필요하지 않다. 따라서 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)의 크기는 터치 터미널(303)의 크기보다 상대적으로 크게 형성하고, 터치 터미널(303)의 크기는 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)의 크기보다 상대적으로 작게 형성할 수 있다.
또한, 도 5의 시점에서, 터치 터미널(303)을 하부 전극 전원 터미널(902t)과 상부 전극 전원 터미널(901t)의 사이에 위치시킴으로써 하부 전극 전원 터미널(902t)과 상부 전극 전원 터미널(901t)이 가까이 위치할 때 발생할 수 있는 신호 간섭을 방지할 수 있다. 즉, 도 5의 시점에서, 제1 방향(x1)을 따라 상부 전극 전원 터미널(901t), 터치 터미널(303), 하부 전극 전원 터미널(902t), 터치 터미널(303) 및 상부 전극 전원 터미널(901t)의 순서로 순차적으로 배치시킴으로써, 이들 구성간의 신호 간섭을 최소화할 수 있다. 물론, 필요에 따라 다른 종류의 신호를 전달하는 터미널들이 터치 터미널(303) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)의 사이 또는 터치 터미널(202t)과 상부 전극 전원 터미널(901t) 사이에 추가적으로 위치할 수 있다.
상부 전극 전원 터미널(901t), 터치 터미널(303) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)은 일 방향(즉, 제1 방향(x1))을 따라 배열될 수 있다. 또한, 하부 전극 전원 터미널(902t), 터치 터미널(303), 및 상부 전극 전원 터미널(901t)은 하나의 외부 회로 보드(미도시)와 접하여 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 외부 회로 보드의 예로 연성 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible printed circuit board)를 들 수 있다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 적어도 하나의 하부 전극 전원 터미널(902t), 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 터치 터미널(303)과 표시 영역(DA) 사이에 굽힘 가능 영역(BA: Bendable Area)을 가질 수 있다.
굽힘 가능 영역(BA)을 쉽게 굽힐 수 있도록, 굽힘 가능 영역(BA) 내에서 터치 와이어(302)는 상부 전극 전원 와이어(901) 및 하부 전극 전원 와이어(902)와 중첩되거나 교차하도록 배치되지 않을 수 있다. 나아가, 굽힘 가능 영역(BA)에는 보조 터치 와이어(302s)가 형성되지 않을 수 있다.
굽힘 가능 영역(BA)을 굽혀서 적어도 하나의 하부 전극 전원 터미널(902t), 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 터치 터미널(303)과 연결되는 상기 외부 회로 보드를 표시 장치(1000_b)의 배면에 고정시킬 수 있다.
하부 전극 전원 와이어(902), 상부 전극 전원 와이어(901) 및 터치 와이어(302)는 굽힘 가능 영역(BA)을 통과하기 위해 제2 컨택(Cnt2)으로 연결되는 다수의 도전성 브릿지(902b, 901b, 302b)를 포함할 수 있다. 도전성 브릿지(902b, 901b, 302b)는 도전성 브릿지(902b, 901b, 302b)와 인접하는 하부 전극 전원 와이어(902), 상부 전극 전원 와이어(901) 및 터치 와이어(302)와 다른 층에 형성될 수 있다. 도전성 브릿지(902b, 901b, 302b)를 채용하는 경우 굽힘 가능 영역(BA)을 보다 쉽게 굽힐 수 있다.
비록 구체적으로 도시하지는 않았지만, 굽힘 가능 영역(BA)에서 절연층들의 두께들의 합은 굽힘 가능 영역(BA)과 인접하는 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)의 부분에서 절연층들의 두께들의 합보다 작게 함으로써 굽힘 가능 영역(BA)을 보다 쉽게 굽힐 수 있다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상의 무기 표면부(IS)를 갖는다. 도 7은 도 5의 “B” 영역의 확대도이다. 도 7을 참조하면, 무기 표면부(IS)는 서로 이격된 제1 내지 제4 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)로 분기된 영역을 갖는다. 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 제1 내지 제4 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5) 사이에 위치하는 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)은 제1 및 제2 무기 표면 가지들(Br1, Br2) 사이에 위치하는 제1 유기 표면부(Os1), 제2 및 제3 무기 표면 가지들(Br2, Br3) 사이에 위치하는 제2 유기 표면부(Os2), 제3 및 제4 무기 표면 가지들(Br3, Br4) 사이에 위치하는 제3 유기 표면부(Os3), 및 제4 및 제5 무기 표면 가지들(Br4, Br5) 사이에 위치하는 제4 유기 표면부(Os4)를 포함한다.
제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, OS4)의 구조는 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에 따른 유기 표면부(도 4의 Os)의 구조와 유사하므로, 이는 생략하기로 한다.
제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)은 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 무기-무기 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전하게 둘러싸인다. 이들 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)은 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면을 따라 이동하는 불순물들을 흡수한 후 잡아둠으로써 상기 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면에 존재하는 불순물들의 농도를 줄이는 역할을 한다. 따라서 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력을 증가시킬 수 있다.
상기 무기-무기 직접 접합으로 형성된 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면에 위치하는 불순물들과 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)이 상대적으로 멀리 떨어진 경우 불순물들은 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)로 이동하기 전에 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면의 일부에 집중되어 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력을 저하시키거나, 불순물들은 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)로 이동하기 전에 표시 영역(DA)으로 이동하여 표시 영역(DA)에 위치하는 전계발광유닛(EU)에 포함된 중간층을 열화시킬 수 있다.
이러한 불순물들의 계면 일 부분에서의 집중이나 표시 영역(DA)으로의 이동은 표시 영역(DA)이 굽혀질 수 있는 연성부를 가져서 상기 연성부가 굽힘(또는 접힘) 및 복원 작용을 반복하는 경우 더욱 빈번히 발생할 수 있는데, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)이 이들 불순물의 농도를 감소시킬 수 있다. 여기서 표시 영역(DA)이 상기 연성부를 갖는다는 것은 표시 장치가 벤더블 (bendable) 표시 장치, 폴터블 (foldable) 표시 장치, 롤러블 (rollable) 표시 장치, 스트레쳐블 (stretchable) 표시 장치 또는 플렉서블 (flexible) 표시 장치로 사용될 수 있다는 것을 의미한다. 나아가, 표시 영역(DA)이 상기 연성부를 갖지 않는 경우에도, 봉지 다층막(200)을 채용하는 표시 소자(230)에서는 불순물의 계면 일 부분에서의 집중이나 불순물의 표시 영역(DA)으로의 이동이 발생할 우려가 있는데, 이 경우에도 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)이 이들 불순물의 농도를 감소시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들은 봉지 다층막(200)이 평탄하고 단단한 윈도우에 고정되는 플랫(flat) 표시 장치 및 봉지 다층막(200)이 커브지고 단단한 윈도우에 고정되는 커브드(curved) 표시 장치에도 적용 가능하다.
따라서, 상기 무기-무기 직접 접합에 의해 형성된 계면에 위치하는 불순물들과 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)의 거리를 가깝게 하기 위해서 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 또는 실질적으로 둘러싸는 형상을 가지는 것이 바람직하다. 여기서, "둘러싸는" 또는 "실질적으로 둘러싸는" 형상이라 함은 연속적으로 둘러싸는 경우뿐만 아니라 불연속적으로 둘러싸는 형상을 포함하는 개념이다.
구체적으로, 도 5를 참조하면, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싼다. 본 발명의 다른 실시예들에서도 유사하다. 구체적으로, 도 9를 참조하면, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1_c, Os2_c, Os3_c, Os4_c)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싼다. 도 11을 참조하면, 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_d, Os2_d, Os3_d)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸고, 제4 유기 표면부(Os4_d)는 표시 영역(DA)를 불연속적으로 둘러싸서, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1_d, Os2_d, Os3_d, Os4_d)이 표시 영역(DA)를 둘러싸거나 실질적으로 둘러싼다. 도 12를 참조하면, 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e)은 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸고, 제4 유기 표면부(Os4_e)는 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸서, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e, Os4_e)이 표시 영역(DA)을 둘러싸거나 실질적으로 둘러싼다.표시 영역(DA)이 원 (circle), 타원 (ellipse), 또는 반원(semicircle)과 같이 2개 이하의 외변 (side)을 갖는 경우, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, OS3, OS4)이 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, OS4)이 표시 영역(DA)의 전 외곽의 1/4 이상과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다. 그리고, 표시 영역(DA)이 삼각형인 경우, 유기 표면부들(도시되지 않음)이 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부(도시되지 않음)가 표시 영역(DA)의 적어도 1개의 외변과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다. 그리고, 표시 영역(DA)의 사각형, 오각형, 육각형 등인 경우, 유기 표면부(도시되지 않음)가 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부(도시되지 않음)가 표시 영역(DA)의 적어도 2개의 외변과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다.
도 5를 참조하면, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)이 무기-무기 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전히 둘러싸이므로 표시 장치(1000_b)의 외부와 연통(communicate)하지 않게 된다. 따라서 표시 장치의 외부로부터 수분이나 불순물들이 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)을 통해서 무기-무기 직접 접합에 의해 형성된 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면으로 공급되는 것을 방지할 수 있다.
제1 유기 표면부(Os1), 제2 유기 표면부(Os2), 제3 유기 표면부(Os3) 또는 제4 유기 표면부(Os4)는 상향으로 돌출된 형태의 단면을 가질 수 있다. 또한, 평면적으로는 제1 유기 표면부(Os1), 제2 유기 표면부(Os2), 제3 유기 표면부(Os3), 또는 제4 유기 표면부(Os4)는 섬(island) 형상, 제1 내지 제4 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)이 연장하는 방향을 따라 연장하는 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
제1 유기 표면부(Os1), 제2 유기 표면부(Os2), 제3 유기 표면부(Os3), 또는 제4 유기 표면부(Os4)의 높이는 화소 정의막(181)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 비록 도시하지는 않았지만 화소 정의막(181)의 높이는 화소 정의막(181)의 상부에서 상향으로 돌출되는 스페이서의 높이를 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 유기 표면부(Os1)의 높이가 화소 정의막(181)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 이 경우, 제1 유기 표면부(Os1)는 전계발광유닛(EU)의 중간층을 형성하기 위한 진공 증착 (vacuum evaporation) 공정에서 증착 마스크(evaporation mask)와 접촉할 수 있는 스페이서로 사용할 수 있다. 구체적으로 중간층에 포함된 홀주입층(HIL), 홀수송층(HTL), 전자주입층(EIL), 전자수송층(ETL) 등을 공통층으로 형성하는 경우, 화소 정의막(181)의 높이와 실질적으로 동일한 높이를 제1 유기 표면부(Os1)는 오픈 증착 마스크(open evaporation mask)의 스페이서로 사용될 수 있다. 또한, 제1 유기 표면부(Os1)는 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 루프 형상을 가지므로, 증착 마스크의 가장자리 전체가 제1 유기 표면부(Os1)와 전체와 대응할 수 있다. 따라서, 증착(evaporation) 공정시 증착 마스크를 통과한 유기물들이 하부 구조물(100)의 증착 영역, 제1 유기 표면부(Os1) 및 증착 마스크에 의해서 한정되는 내부 공간으로부터 외부로 이탈하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1 유기 표면부(Os1)는 상부 전극(191)이 진공 증발 증착 공정으로 형성되고 공통막 구조인 경우, 상부 전극(191)을 형성하기 위한 스페이서로도 사용될 수 있다.
제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)에서는 봉지 다층막(200)의 유기층(212)이 존재하는 부분의 높이는 상대적으로 높고, 유기층(212)이 존재하지 않는 부분의 높이는 상대적으로 낮아, 유기층(212)이 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분 사이의 높이차가 확연히 발생한다. 이러한 높이차는 터치 와이어(302) 형성시 터치 와이어(302)의 두께 균일성을 악화시키며 터치 와이어(302)의 끊어짐을 야기할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들에서는 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4) 중 봉지 다층막(200)에 포함된 유기층(212)의 외곽 또는 유기층(212)의 엣지와 인접하도록 기판(101)이 배치된 평면으로부터 수직한 방향으로 돌출된 형상을 갖는 제1 유기 표면부(Os1), 제2 유기 표면부(Os2), 제3 유기 표면부(Os3), 또는 제4 유기 표면부(Os4)을 형성하여 유기층(212)이 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분 사이의 높이차를 줄이기 때문에 터치 와이어(302)의 두께 불균일성을 줄이고 터치 와이어(302)의 끊어짐을 줄일 수 있다. 추가적인 설명을 위하여 도 8이 참조된다. 도 8은 도 5의 "C" 영역의 확대도이다.
도 8을 참조하면, 가장 내측에 배치된 제1 유기 표면부(Os1)는 버스 와이어(155)와 보조 상부 전극(172)이 중첩하는 경계를 커버하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 가장 내측에 배치된 제1 유기 표면부(Os1)에 의하여 버스 와이어(155)와 보조 상부 전극(172)으로 인하여 발생한 단차로부터 발생할 우려가 있는 불량을 최소화할 수 있다. 나아가, 가장 내측으로부터 두번째에 배치된 제2 유기 표면부(Os2)는 버스 와이어(155)의 외측 엣지를 커버하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 가장 내측으로부터 두번째에 배치된 제2 유기 표면부(Os2)에 의하여 버스 와이어(155)의 외측 엣지에 형성된 단차로 인한 불량을 최소화할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 소자를 도시한 개략도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제1 유기 표면부(Os1_c)는 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸기 위해서 적어도 하나의 제1 개구(Op1_c)에 의해 개방되는 개방된 루프(opened loop) 형태를 가질 수 있다. 제2 유기 표면부(Os2_c)는 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸기 위해서 적어도 하나의 제2 개구(Op2_c)에 의해 개방되는 개방된 루프 형태를 가질 수 있다. 제3 유기 표면부(Os3_c)는 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸기 위해서 적어도 하나의 제3 개구(Op3_c)에 의해 개방되는 개방된 루프 형태를 가질 수 있다. 제4 유기 표면부(Os4_c)는 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸기 위해서 적어도 하나의 제4 개구(Op4_c)에 의해 개방되는 개방된 루프 형태를 가질 수 있다.
무기 표면부(IS)에 포함된 제1 내지 제4 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)이 서로 연결되지 않았을 경우, 표시 장치(1000_c)에 과도하게 물리적인 스트레스가 가해진다면 제1 내지 제4 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5) 중 적어도 하나로부터 봉지 다층막(200)의 하면이 탈착되는 현상이 일어날 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 따르면 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)은 제1 내지 제4 개구들(Op1_c, Op2_c, Op3_c, Op4_c)에 의하여 서로 연결되기 때문에 상술한 문제를 해결할 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 무기 표면부(IS)를 도시한 개략도이다. 도 10을 참조하면, 무기 표면부(IS)는 표시 영역(DA)을 기준으로 제1 방향(x1)에 위치하는 제1 영역(IS1), 제2 방향(x2)에 위치하는 제2 영역(IS2), 제3 방향(y1)에 위치하는 제3 영역(IS3), 및 제4 방향(y2)에 위치하는 제4 영역(IS4)을 포함한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 내지 제4 유기 표면부들(Os1_c, Os2_c, Os3_c, Os4_c)이 개방된 루프 형태를 가지므로, 무기 표면부(IS) 중 제1 내지 제4 개구들(Op1_c, Op2_c, Op3_c, Op4_c)에 대응하는 "K" 영역의 표면으로는 불순물들을 흡수하여 제거할 수 있는 유기 물질이 존재하지 않는다. 따라서, 상기 무기-무기 직접 접합으로 형성된 계면에 위치하는 불순물이 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 계면의 일부에 집중되어 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력을 약화시키는 요인으로 작용하기 때문에, "K" 영역은 제1 내지 제4 개구들(Op1_c, Op2_c, Op3_c, Op4_c)이 없는 다른 부분에 비하여 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력이 낮아질 수 있다. 따라서, "K" 영역이 위치하는 무기 표면부(IS)의 제4 영역(IS4)의 폭을 "K" 영역이 위치하지 않는 무기 표면부(IS)의 제1 영역(IS1), 제2 영역(IS2) 또는 제3 영역(IS3)의 폭보다 크게 하는 것이 바람직하다.
여기서, 폭은 평균 폭을 의미한다. 보다 구체적으로, 도 9를 참조하면, 제1 영역(IS1)의 폭은 제1 영역(IS1)의 평면 시점에서의 면적을 제1 길이(L1)로 나눈 값이다. 제2 영역(IS2)의 폭은 제2 영역(IS2)의 평면 시점에서의 면적을 제1 길이(L1)로 나눈 값이다. 제3 영역(IS3)의 폭은 제3 영역(IS3)의 평면 시점에서의 면적을 제2 길이(L2)로 나눈 값이다. 제4 영역(IS4)에서의 폭은 제4 영역(IS4)의 면적을 제2 길이(L2)으로 나눈 값이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1000_d)의 하부 구조물(100)은 열린 루프 형상을 갖는 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_d, Os2_d, Os3_d)과 닫힌 루프 형상을 갖는 제4 유기 표면부(Os4_d)를 갖는다. 즉, 하부 구조물(100)은 열린 루프 형상을 갖는 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_d, Os2_d, Os3_d)과 닫힌 루프 형상을 갖는 제4 유기 표면부(Os4_d)를 동시에 포함할 수도 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 개략도이다.
도 12를 참조하면, 표시 장치(1000_e)의 하부 구조물(100)에 포함된 제1 내니 제3 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e)은 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전히 둘러싸이게 구현하면서도, 제4 유기 표면부(Os4_e)는 무기-무기 직접 접합에 의하여 평면 시점에서 부분적으로만 둘러싸이도록 배치될 수 있다. 즉, 제4 유기 표면부(Os4_e)는 표시 장치(1000_e)의 외부와 연통될 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 하부 구조물(100)은 외부와 연통하는 닫힌 루프 형상을 갖는 제4 유기 표면부(Os4_e)와 외부와 연통하는 제4 유기 표면부(Os4_e)와 표시 영역(DA) 사이에 위치하고 열린 루프 형상을 가지며 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(IS) 사이의 직접 접합에 의해 평면 시점에서 완전히 둘러싸이는 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e)을 가질 수 있다.
이 경우, 외부와 연통하는 제4 유기 표면부(Os4_e)의 높이는 화소 정의막(181)과 실질적으로 동일하여 증착 마스크에 대한 스페이서의 역할을 할 수 있다. 외부와 연통하지 않는 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e)의 높이는 외부와 연통하는 제4 유기 표면부(Os4_e)의 높이보다 낮게 함으로써 외부와 연통하지 않는 제1 내지 제3 유기 표면부들(Os1_e, Os2_e, Os3_e)의 폭들을 효과적으로 낮추어 최종적으로 제1 내지 제4 주변 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)들의 폭을 좁힐 수 있다.
한편, 제1 내지 제2 유기 표면부(Os1_e, Os2_e)는 도전성 다층막의 측부를 커버하도록 연장할 수 있다. 도전성 다층막의 측부는 다수의 계면들이 노출되기 때문에 부식에 취약하므로 제1 내지 제2 유기 표면부(Os1_e, Os2_e)는 도전성 다층막의 측부를 커버함으로써 도전성 다층막의 부식을 방지하는 역할을 수행한다. 또한, 도전성 다층막의 측부에 노출되는 계면들로부터 유출될 수 있는 수분, 산소 등의 불순물들을 흡수한 후 잡아둘 수 있다.
일 예로, 도전성 다층막은 전계발광유닛(EU)의 하부 전극(191)과 동일한 막으로 형성되는 보조 상부 전극(172)이고 보조 상부 전극(172)의 측부를 도 12의 시점에서 가장 내측에 배치된 제1 유기 표면부(Os1_e)가 커버할 수 있다. 이 경우, 보조 상부 전극(172)은 제1 도전성 인듐 주석 산화물막, 상기 제1 도전성 인듐 주석 산화물막 상의 은(Ag)막, 상기 은막 상의 제2 도전성 인듐 주석 산화물막을 포함할 수 있다.
다른 예로, 도전성 다층막은 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)의 소스 전극(156a) 또는 드레인 전극(156b)과 동일한 막으로 형성되는 버스 와이어(155)이고, 버스 와이어(155)의 측부를 도 12의 시점에서 두번째로 내측에 배치된 제2 유기 표면부(Os2_e)가 커버할 수 있다. 버스 와이어(155)는 화소 박막 트랜지스터(PC-TFT)의 소스 전극(156a) 또는 드레인 전극(156b)과 동일한 막으로 형성될 수 있다. 이 경우, 버스 와이어(155)는 제1 티타늄(Ti)막, 상기 제1 티타늄막 상의 알루미늄(Al)막, 상기 알루미늄막 상의 제2 티타늄막을 포함하거나 제1 몰리브덴(Mo)막, 상기 제1 몰리브덴막 상의 알루미늄막, 상기 알루미늄막 상의 제2 몰리브데늄막을 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1000: 표시 장치
DA: 표시 영역
PA: 주변 영역
100: 하부 구조물
200: 봉지 다층막
300: 터치 패널
400: 편광판
IS: 무기 표면부
Os: 유기 표면부

Claims (35)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 하부 구조물;
    상기 하부 구조물의 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하는 봉지 다층막; 및
    상기 봉지 다층막 상에 위치하며 터치 전극을 갖는 터치 패널을 포함하되,
    상기 표시 영역은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 및 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 갖는 전계발광유닛을 포함하고,
    상기 주변 영역은 하부 전극 전원 터미널, 상기 하부 전극을 상기 하부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 하부 전극 전원 와이어, 상부 전극 전원 터미널, 및 상기 상부 전극을 상기 상부 전극 전원 터미널에 전기적으로 연결하는 상부 전극 전원 와이어, 터치 터미널, 상기 터치 전극을 상기 터치 터미널에 전기적으로 연결하는 터치 와이어를 포함하고,
    상기 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 하면을 포함하고,
    상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 닫힌 형상을 가지며 상면이 하나 이상의 무기물로만 이루어진 무기 표면부를 포함하고,
    상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부의 상기 상면은 직접 접촉하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 와이어의 폭은 상기 표시 영역으로부터 멀리 이격되어 배치될수록 감소하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 터치 와이어는 상기 하부 구조물의 코너에서 곡선을 형성하며 연장되는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 주변 영역은 상기 터치 와이어와 전기적으로 연결되는 보조 터치 와이어를 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 터치 와이어는 상기 하부 전극 전원 와이어와 중첩되도록 배치된 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 터치 와이어는 상기 상부 전극 전원 와이어와 중첩되도록 배치된 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 터치 와이어가 상기 하부 전극 전원 와이어와 중첩되어 연장된 구간은 상기 터치 와이어가 상기 상부 전극 전원 와이어와 중첩된 구간들 사이에 배치된 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 터치 터미널의 면적은 상기 하부 전극 전원 터미널의 면적 또는 상기 상부 전극 전원 터미널의 면적 보다 작은 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 터치 터미널, 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 하나의 외부 회로 보드와 접하여 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 터치 터미널, 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 일 방향을 따라 순차적으로 배열되는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 터치 터미널은 상기 하부 전극 전원 터미널 및 상기 상부 전극 전원 터미널 사이에 위치하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 주변 영역은 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 상부 전극 전원 터미널 및 상기 터치 터미널과 상기 표시 영역 사이에 굽힘 가능 영역을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 터치 와이어는 상기 굽힘 가능 영역 내에서 상기 하부 전극 전원 와이어 및 상부 전극 전원 와이어와 중첩되지 않도록 배치된 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 상부 전극 전원 터미널 및 상기 터치 터미널은 상기 굽힘 가능 영역을 통하여 전기적인 신호를 전달하기 위한 도전성 브릿지를 포함하고,
    상기 도전성 브릿지는 상기 도전성 브릿지와 인접하는 상기 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널, 상기 상부 전극 전원 터미널 및 상기 터치 터미널과 상이한 층에 형성된 표시 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 굽힘 가능 영역에 배치된 적어도 하나의 절연층의 총 두께는 상기 굽힘 가능 영역과 인접하도록 상기 주변 영역에 배치된 적어도 하나의 절연층의 총 두께보다 작은 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 봉지 다층막의 상면은 평탄 영역을 포함하되,
    적어도 하나의 상기 터치 와이어 및 상기 터치 터미널은 상기 평탄 영역 상에 위치하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 봉지 다층막은 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상의 유기층, 및 상기 유기층 상의 제2 무기층을 더 포함하되,
    상기 유기층은 상기 평탄 영역을 커버하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 평탄 영역은 상기 표시 영역으로부터 상기 하부 전극 전원 터미널 또는 상기 상부 전극 전원 터미널을 향하는 방향으로 돌출된 돌출부를 더 포함하되, 상기 터치 터미널은 상기 돌출부 상에 위치하는 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 상부 전극 전원 와이어는 상기 상부 전극과 전기적으로 연결된 보조 상부 전극, 및 상기 보조 상부 전극과 상기 상부 전극 전원 터미널을 전기적으로 연결하는 버스 와이어를 더 포함하되,
    상기 터치 와이어는 일부 구간에서 상기 보조 상부 전극과 동일한 방향으로 연장되며 중첩되도록 배치된 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 주변 영역에 배치되되, 상기 보조 상부 전극의 하면 측에 위치하여 상기 보조 상부 전극과 겹치는 주변 회로를 더 포함하는 표시 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 보조 상부 전극은 상기 표시 영역의 주변을 따라 연장하는 표시 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널 및 상기 상부 전극 전원 터미널은 전원 터미널 영역 내에 위치하여 제1 외부 회로 보드와 접하고,
    상기 터치 터미널은 터치 터미널 영역 내에 위치하여 제2 외부 회로 보드와 접하고,
    상기 전원 터미널 영역과 상기 터치 터미널 영역은 평면 시점에서 서로 중첩되지 않도록 배치되고,
    상기 제1 외부 회로 보드 및 상기 제2 외부 회로 보드는 평면 시점에서 서로 중첩되지 않도록 배치된 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 외부 회로 보드가 상기 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널 및 상기 상부 전극 전원 터미널과 부착되는 방향과 상기 제2 외부 회로 보드가 상기 터치 터미널과 부착하는 방향이 동일한 표시 장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제1 외부 회로 보드가 상기 적어도 하나의 상기 하부 전극 전원 터미널 및 상기 상부 전극 전원 터미널과 부착되는 방향과 상기 제2 외부 회로 보드가 상기 터치 터미널과 부착하는 방향이 반대인 표시 장치.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 봉지 다층막은 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 위치하는 유기층, 상기 유기층 상에 위치하는 제2 무기층을 더 포함하되,
    상기 터치 터미널 영역은 평면 시점에서 상기 유기층과 중첩되지 않도록 배치되는 표시 장치.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 터치 패널은 상기 봉지 다층막 상에 직접 집적되는 표시 장치.
  27. 제1 항에 있어서,
    상기 하부 구조물은 상기 하부 구조물의 표면부 아래에서 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 대응하도록 연장하는 하부 봉지 무기막을 포함하고, 상기 하부 구조물 중 상기 무기 표면부와 상기 하부 봉지 무기막 사이에 위치하는 부분은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 표시 장치.
  28. 제27 항에 있어서,
    상기 전계발광유닛의 상기 하부 전극은 절연막의 바로 위에 위치하고,
    상기 무기 표면부는 상기 절연막의 상면보다 낮게 위치하고,
    상기 무기 표면부는 서로 이격된 다수의 무기 표면 가지들로 분기된 영역을 갖는 표시 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 주변 영역은 상기 무기 표면 가지들 사이에 위치하는 유기물로 이루어진 유기 표면부를 더 포함하되,
    상기 유기 표면부는 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부 사이의 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전하게 둘러싸이는 표시 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 표시 영역은 굽힘이나 접힘이 가능한 표시 장치.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 유기 표면부는 상기 표시 영역을 둘러싸는 표시 장치.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 표시 영역은 굽힘이나 접힘이 가능한 표시 장치.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 유기 표면부는 상기 표시 영역을 불연속적으로 둘러싸도록 개구에 의해서 열린 형상을 갖는 표시 장치.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 표시 영역은 굽힘이나 접힘이 가능한 표시 장치.
  35. 제29항에 있어서,
    상기 봉지 다층막은 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상의 유기층, 및 상기 유기층 상의 제2 무기층을 더 포함하되,
    상기 유기 표면부는 상기 유기층과 평면 시점에서 중첩되도록 배치된 표시 장치.
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