KR20180072697A - 중합체 및 이것을 포함하는 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

[과제] 고굴절률, 고투명성 및 고내열성을 갖는 경화막을 형성할 수 있는 수지 조성물, 및 해당 수지 조성물에 사용되는 중합체를 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체, 그리고 해당 중합체, 가교제 및 용제를 함유하는 수지 조성물.
Figure pct00023

(식 중, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -O-기 또는 -C(=O)O-기를 나타내고, X는 적어도 1개의 방향환 또는 복소환을 갖는 2가의 유기기를 나타내고, 이 X가 2개 이상의 방향환 또는 복소환을 갖는 경우, 환끼리가 단결합을 개재하여 결합할 수도, 헤테로원자를 개재하여 결합할 수도, 축합환을 형성할 수도 있고, Y는 적어도 1개의 방향환 또는 축합환을 갖는 2가의 유기기를 나타낸다.)

Description

중합체 및 이것을 포함하는 수지 조성물
본 발명은 특정의 구조단위를 갖는 중합체, 및 해당 중합체를 포함하는 수지 조성물에 관한 것으로, 상세하게는 고투명성 또한 고굴절률을 갖는 경화막을 형성할 수 있는 수지 조성물에 관한 것이다.
최근, 플라스틱재료의 광학용 물품에 대한 진출은 현저하고, 안경렌즈, 프레넬렌즈, 렌티큘러렌즈, 비구면렌즈, 광디스크, 광파이버, 광도파로 등에 대한 검토가 활발히 행해지고 있다. 나아가, 전자재료의 분야에서도, 액정디스플레이의 반사방지코팅제, 태양전지용 투명코팅제, 발광다이오드, CCD이미지센서나 CMOS이미지센서의 수광부 등의 광학전자재료의 용도로, 투명성 수지가 다용되고 있다. 이러한 광학전자재료의 용도에서는, 투명성뿐만 아니라, 광취출효율의 향상 및 집광성의 향상을 위하여 높은 굴절율도 요구되는 경우가 많다. 일반적으로, 플라스틱재료를 고굴절률화하는 수법으로는, 방향환의 도입, 불소 이외의 할로겐원자의 도입, 황원자의 도입, 금속원자의 도입, 수소결합의 도입 등이 이용되고 있다.
플라스틱재료로 널리 이용되는 수지로는, 디에틸렌글리콜비스(알릴카보네이트)를 라디칼중합시킨 것을 들 수 있다. 상기 수지를 필수성분으로서 포함하는 특허문헌 1에 기재되어 있는 조성물은, 보존안정성이 우수하고, 종래의 플라스틱의 주형성형법을 그대로 사용할 수 있으며, 경화시의 형의 손상이 일어나기 어려워, 이 조성물을 경화하여 얻어지는 플라스틱렌즈는, 종래품에 비해 염색얼룩이 적은 등, 다양한 특징을 갖고 있다.
그러나, 이 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 플라스틱렌즈는, 굴절률이 1.50 전후로 낮기 때문에, 렌즈의 중심두께 또는 엣지(가장자리)두께가 두꺼워져, 보다 굴절률이 높은 렌즈용 수지가 요구되었다.
폴리머 자체의 굴절률을 높이기 위해서는, 로렌츠-로렌츠식에 따라서, 몰굴절이 높거나, 몰용적이 낮거나, 또는 비중이 높은 치환기의 도입이 유효하다. 따라서, 몰굴절이 높고, 무거운 할로겐원자, 황원자 또는 금속원자의 도입은 폴리머의 굴절률을 높이는 데에 효과적이다.
특허문헌 2 및 특허문헌 3에 광학수지용으로서 황원자를 포함하는 화합물이 기재되어 있는 바와 같이, 황원자는, 높은 분극률, 안정성, 및 폴리머에 대한 도입의 용이함으로부터, 굴절률을 높이는 데에 다용되고 있다.
또한, 고굴절률 무기산화물 미립자 및 유기폴리머 매트릭스로 이루어진 나노컴포짓은, 1.80을 초과하는 굴절률을 용이하게 달성할 수 있는 것도 알려져 있다. 그러나, 특허문헌 4에 기재되어 있는 조성물과 같은 미립자 분산수지는, 장기보존안정성 등에 문제가 있으며, 또한, 무기산화물 미립자의 수지 중에서의 분산안정성을 개선하기 위하여 다량의 분산안정제를 필요로 하는 점에서, 굴절률과 분산안정성의 밸런스를 취하는 것이 곤란해지는 등의 과제가 있었다.
또한, CCD/CMOS이미지센서용 마이크로렌즈의 제조방법 중 하나로서, 에치백법이 알려져 있다(특허문헌 5 및 특허문헌 6). 즉, 컬러필터층상에 형성한 마이크로렌즈용 수지층상에 레지스트패턴을 형성하고, 열처리에 의해 이 레지스트패턴을 리플로우하여 렌즈패턴을 형성한다. 이 레지스트패턴을 리플로우하여 형성한 렌즈패턴을 에칭마스크로 하여 하층의 마이크로렌즈용 수지층을 에치백하고, 렌즈패턴형상을 마이크로렌즈용 수지층에 전사함으로써 마이크로렌즈를 제작한다.
에치백법에서는, 렌즈패턴형상을 충실하게 하층의 마이크로렌즈용 수지층에 전사함에 있어서, 레지스트의 드라이에칭레이트X와 마이크로렌즈용 수지층의 드라이에칭레이트Y가 동등(X:Y=1:0.8~1.2)한 것이 요구된다.
일본특허공개 2001-91702호 공보 일본특허공개 2007-211021호 공보 일본특허공개 2012-188379호 공보 일본특허공개 2007-270099호 공보 일본특허공개 H1-10666호 공보 일본특허공개 H6-112459호 공보
본 발명의 과제는, 상기 종래기술의 과제를 해결하고 또한 마이크로렌즈용 수지에 요구되는 성능을 만족시키는, 높은 굴절률, 우수한 투명성 및 내열성, 레지스트와 동등한 드라이에칭레이트를 갖는 경화막을 형성할 수 있는 수지 조성물, 및 해당 수지 조성물에 사용되는 중합체를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 높은 굴절률, 우수한 투명성 및 내열성을 갖는 마이크로렌즈를 제공하는 것에 있다.
본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의검토를 행한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은, 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체이다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -O-기 또는 -C(=O)O-기를 나타내고, X는 적어도 1개의 방향환 또는 복소환을 갖는 2가의 유기기를 나타내고, 이 X가 2개 이상의 방향환 또는 복소환을 갖는 경우, 환끼리가 단결합을 개재하여 결합할 수도, 헤테로원자를 개재하여 결합할 수도, 축합환을 형성할 수도 있고, Y는 적어도 1개의 방향환 또는 축합환을 갖는 2가의 유기기를 나타낸다.)
본 발명은 또한, 상기 중합체, 가교제 및 용제를 함유하는 수지 조성물이다.
본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 마이크로렌즈용 수지 조성물이다.
본 발명은 또한, 상기 수지 조성물을 기판상에 도포한 후, 가열수단을 이용하여 상기 수지 조성물을 베이크하는 것에 의한, 경화막의 형성방법이다.
본 발명의 수지 조성물은, 굴절률이 높고, 고투명성 및 고내열성을 가지며, 그리고 레지스트와 동등한 드라이에칭레이트를 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물에 의해, 높은 굴절률, 우수한 투명성 및 내열성을 갖는 마이크로렌즈를 제공할 수 있다.
본 발명은, 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체, 그리고 해당 중합체, 가교제 및 용제를 함유하는 수지 조성물로서, 제막후 230℃ 이상에서 가열함으로써 얻어지는 경화막의 굴절률은, 바람직하게는 1.68 이상이며, 보다 바람직하게는 1.70 이상이다. 상기 경화막의 파장 400nm에 있어서의 투과율은, 90% 이상이다. 본 발명의 수지 조성물로부터 용제를 제외한 고형분은 통상, 0.01질량% 내지 70질량%이다. 이하, 상기 수지 조성물의 성분에 대하여 상세를 설명한다.
본 발명의 중합체를 형성하는 모노머, 즉 상기 중합체의 원료모노머는, 하기 식(2)로 표시되는 디메르캅토 화합물과 하기 식(3)으로 표시되는 디글리시딜 화합물이다.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, A1, A2, X 및 Y는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이다.)
상기 X로 표시되는 2가의 유기기로서, 예를 들어, 하기 식(a) 내지 식(e)로 표시되는 기를 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 중, R0은 메틸기를 나타내고, m은 0 내지 2의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 단결합 또는 메틸렌기를 나타내고, Z는 단결합 또는 -S-기를 나타내고, R3은 수소원자, 분지구조를 가질 수도 있는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 아릴기, 탄소원자수 2 혹은 3의 알케닐기 또는 탄소원자수 2 혹은 3의 알키닐기를 나타내고, R4는 분지구조를 가질 수도 있는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 아릴기, 탄소원자수 2 혹은 3의 알케닐기 또는 탄소원자수 2 혹은 3의 알키닐기를 나타낸다.)
상기 Y로 표시되는 2가의 유기기로서, 예를 들어, 하기 식(f) 및 식(g)로 표시되는 기를 들 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
<디메르캅토 화합물>
상기 식(2)로 표시되는 디메르캅토 화합물로는, 예를 들어, 1,4-벤젠디티올, 1,3-벤젠디티올, 4,5-비스(메르캅토메틸)-o-자일렌, 비스무티올, 6-아닐리노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올, 6-(디알릴아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올, 4,4'-비페닐디티올, 1,5-디메르캅토나프탈렌, 4,4'-티오비스벤젠티올, 및 2,7-디메르캅토티안트렌을 들 수 있다.
<디글리시딜 화합물>
상기 식(3)으로 표시되는 디글리시딜 화합물로는, 예를 들어, 테레프탈산비스글리시딜, 레조르시놀디글리시딜에테르, 2,2-비스(4-글리시딜옥시페닐)프로판, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르, 모노알릴디글리시딜이소시아누레이트, 및 비스[4-(2,3-에폭시프로필티오)페닐]설파이드를 들 수 있다.
상기 중합체의 중량평균분자량은 통상, 1,000 내지 300,000이며, 바람직하게는 3,000 내지 150,000이다. 한편, 중량평균분자량은, 겔퍼미에이션크로마토그래피(GPC)에 의해, 표준시료로서 폴리스티렌을 이용하여 얻어지는 값이다.
또한, 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 상기 중합체의 함유량은, 해당 수지 조성물의 고형분중의 함유량에 기초하여 통상, 1질량% 내지 99질량%이며, 바람직하게는 5질량% 내지 95질량%이다.
본 발명에 있어서, 상기 중합체를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 일반적으로는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물 및 식(3)으로 표시되는 화합물(모노머)을, 필요에 따라 촉매존재하의 용제중에 있어서, 통상 23℃ 내지 200℃의 온도하에서 중합반응시킴으로써 얻어진다. 상기 식(2)로 표시되는 화합물과 식(3)으로 표시되는 화합물은, 1:9 내지 9:1, 바람직하게는 3:5 내지 5:3의 몰비로 사용된다. 이와 같이 하여 얻어지는 중합체는, 통상, 용제에 용해한 용액상태이며, 이 상태로 단리하는 일 없이, 본 발명의 수지 조성물에 이용할 수도 있다.
또한, 상기와 같이 하여 얻어진 공중합체의 용액을, 교반시킨 헥산, 디에틸에테르, 메탄올, 물 등의 빈용매에 투입하여 해당 공중합체를 재침전시키고, 생성한 침전물을 여과·세정후, 상압 또는 감압하에서 상온건조 또는 가열건조함으로써, 해당 공중합체를 분체로 할 수 있다. 이러한 조작에 의해, 상기 공중합체와 공존하는 중합개시제나 미반응 화합물을 제거할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 상기 공중합체의 분체를 그대로 이용할 수도 있고, 혹은 그 분체를, 예를 들어 후술하는 용제에 재용해하여 용액의 상태로서 이용할 수도 있다.
본 발명의 수지 조성물의 조제방법은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체를 용제에 용해하고, 균일한 용액으로 하는 방법을 들 수 있다. 또한, 이 조제방법의 적당한 단계에 있어서, 필요에 따라, 기타 첨가제를 추가로 첨가하여 혼합하는 방법을 들 수 있다.
용제로는, 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체를 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
이러한 용제로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸, 디메틸아세트아미드, 2-헵타논, N-메틸-2-피롤리돈, 및 γ-부티로락톤을 들 수 있다. 이들 용제는, 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
이들 용제 중에서도, 본 발명의 수지 조성물을 기판상에 도포하여 형성되는 도막의 레벨링성의 향상의 관점에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 유산에틸, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 및 γ-부티로락톤이 바람직하다.
또한, 본 발명의 수지 조성물은, 도포성을 향상시키는 목적으로, 계면활성제를 함유할 수도 있다.
해당 계면활성제로는, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 에프톱〔등록상표〕 EF301, 동(同) EF303, 동 EF352(이상, 미쯔비시마테리얼전자화성(주)제), 메가팍〔등록상표〕 F171, 동 F173, 동 R-30, 동 R-40, 동 R-40-LM(이상, DIC(주)제), 플로라드 FC430, 동 FC431(이상, 스미토모쓰리엠(주)제), 아사히가드〔등록상표〕 AG710, 서프론〔등록상표〕 S-382, 동 SC101, 동 SC102, 동 SC103, 동 SC104, 동 SC105, 동 SC106(아사히가라스(주)제), DFX-18, FTX-206D, FTX-212D, FTX-218, FTX-220D, FTX-230D, FTX-240D, FTX-212P, FTX-220P, FTX-228P, FTX-240G등 프터젠트시리즈((주)네오스제) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머 KP341(신에츠화학공업(주)제)을 들 수 있다. 이들 계면활성제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 계면활성제가 사용되는 경우, 본 발명의 수지 조성물에 있어서의 함유량은, 해당 수지 조성물의 고형분중의 함유량에 기초하여, 3질량% 이하이며, 바람직하게는 1질량% 이하이며, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.
또한, 본 발명의 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한에 있어서, 필요에 따라, 가교제, 가교반응을 촉진하기 위한 촉매, 자외선흡수제, 증감제, 가소제, 산화방지제, 밀착조제 등의 첨가제를 포함할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 첨가되는 가교제로는, 예를 들어, 다관능(메트)아크릴레이트 화합물, 하이드록시메틸기치환페놀 화합물, 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물, 및 다관능블록이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 가교제의 함유량은, 사용하는 도포용제, 사용하는 하지기판, 요구되는 용액점도, 요구되는 막형상 등에 의해 변동되나, 본 발명의 수지 조성물의 전체고형분에 대하여 0.001질량% 내지 80질량%, 바람직하게는 0.01질량% 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 0.05질량% 내지 40질량%이다. 이들 가교제는 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있으나, 본 발명의 상기의 고분자 화합물중에 가교성 치환기가 존재하는 경우는, 이들의 가교성 치환기와 가교반응을 일으킬 수 있다. 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트는 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 의미한다.
상기 다관능(메트)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 비스페놀A디(메트)아크릴레이트, 에톡시화비스페놀A디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화비스페놀A디(메트)아크릴레이트, 비스페놀S디(메트)아크릴레이트, 프탈산디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-(메트)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 글리세린트리(메트)아크릴레이트, 글리세린에톡시트리(메트)아크릴레이트, 글리세린프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에톡시트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로폭시트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 솔비톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리스(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트, 및 ε-카프로락톤변성트리스-(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트를 들 수 있다.
또한, 상기 다관능(메트)아크릴레이트 화합물로는, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 또는 하이드록시기를 갖는 다관능(메트)아크릴레이트에, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-디벤질디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아나토메틸)벤젠, 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산 등의 디이소시아네이트 화합물을 반응시켜 합성한 다관능우레탄(메트)아크릴레이트도 들 수 있다.
또한, 상기 다관능(메트)아크릴레이트 화합물로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 글리시딜옥시부틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머를 라디칼중합하여 얻어지는 호모폴리머 또는 코폴리머에, (메트)아크릴산을 반응시켜 합성한 다관능에폭시(메트)아크릴레이트도 들 수 있다. 여기서, 코폴리머란, 2종 이상의 모노머를 중합하여 얻어지는 폴리머를 의미한다. 코폴리머는, 에폭시기를 갖는 2종 이상의 (메트)아크릴레이트를 중합하여 얻어지는 코폴리머일 수도 있고, 에폭시기를 갖는 (메트)아크릴레이트 및 기타 (메트)아크릴레이트를 중합하여 얻어지는 코폴리머일 수도 있다.
상기 다관능(메트)아크릴레이트 화합물의 시판품으로는, 예를 들어, 하기 제품을 들 수 있다.
아로닉스〔등록상표〕 M-208, 동 M-210, 동 M-211B, 동 M-215, 동 M-220, 동 M-225, 동 M-233, 동 M-240, 동 M-245, 동 M-260, 동 M-270, 동 M-303, 동 M-305, 동 M-306, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-313, 동 M-315, 동 M-321, 동 M-350, 동 M-360, 동 M-400, 동 M-402, 동 M-403, 동 M-404, 동 M-405, 동 M-406, 동 M-408, 동 M-450, 동 M-452, 동 M-460, 동 M-510, 동 M-520, 동 M-1100, 동 M-1200, 동 M-1210, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-6100, 동 M-6200, 동 M-6250, 동 M-6500, 동 M-7100, 동 M-7300K, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050(이상, 토아합성(주)제).
KAYARAD〔등록상표〕 NPGDA, 동 PEG400DA, 동 FM-400, 동 R-167, 동 HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-551, 동 R-712, 동 R-604, 동 R-684, 동 GPO-303, 동 TMPTA, 동 HDDA, 동 TPGDA, 동 KS-HDDA, 동 KS-TPGDA, 동 MANDA, 동 THE-330, 동 TPA-320, 동 TPA-330, 동 PET-30, 동 T-1420, 동 T-1420(T), 동 RP-1040, 동 DPHA, 동 DPEA-12, 동 D-310, 동 D-330, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 FM-700, 동 DN-0075, 동 DN-2475, 동 TC-120S, 동 R-115, 동 R-130, 동 R-381, 동 EAM-2160, 동 CCR-1291H, 동 CCR-1235, 동 ZAR-1035, 동 ZAR-2000, 동 ZFR-1401H, 동 ZFA-1491H, 동 ZCR-1569H, 동 ZCR-1601H, 동 ZCR-1797H, 동 ZCR-1798H, 동 UXE-3000, 동 UXE-3024, 동 UX-3204, 동 UX-4101, 동 UXT-6100, 동 UX-6101, 동 UX-7101, 동 UX-8101, 동 UX-0937, 동 UXF-4001-M35, 동 UXF-4002, 동 DPHA-40H, 동 UX-5000, 동 UX-5102D-M20, 동 UX-5103D, 동 UX-5005(이상, 닛뽄화약(주)제).
NK에스테르 A-200, 동 A-400, 동 A-600, 동 A-1000, 동 A-1500, 동 A-2000, 동 ABE-300, 동 A-BPE-4, 동 A-BPE-6, 동 A-BPE-10, 동 A-BPE-20, 동 A-BPE-30, 동 A-BPEF, 동 A-BPP-3, 동 A-DCP, 동 A-DOD-N, 동 A-HD-N, 동 A-NOD, 동 A-GLY-3E, 동 A-GLY-9E, 동 A-GLY-20E, 동 A-TMPT, 동 A-TMPT-3EO, 동 A-TMPT-9EO, 동 ATM-4E, 동 ATM-35E, 동 APG-100, 동 APG-200, 동 APG-400, 동 APG-700, 동 A-PTMG-65, 동 A-1000PER, 동 A-B1206PE, 동 701A, 동 A-9300, 동 A-9300-1CL, 동 A-9300-6CL, 동 A-9530, 동 ADP-51EH, 동 ATM-31EH, 동 A-TMM-3, 동 A-TMM-3L, 동 A-TMM-3LM-N, 동 AD-TMP, 동 A-TMMT, 동 A-9550, 동 A-DPH, 동 A-DPH-12E, 동 1G, 동 2G, 동 3G, 동 4G, 동 9G, 동 14G, 동 23G, 동 BPE-80N, 동 BPE-100, 동 BPE-100N, 동 BPE-200, 동 BPE-500, 동 BPE-900, 동 BPE-1300N, 동 DCP, 동 DOD-N, 동 HD-N, 동 NOD-N, 동 NPG, 동 1206PE, 동 701, 동 3PG, 동 9PG, 동 TMPT,
NK에코노머 A-PG5009E, 동 A-PG5027E, 동 A-PG5054E,
NK올리고 U-2PPA, 동 U-6LPA, 동 U-10HA, 동 U-10PA, 동 UA-1100H, 동 U-4H, 동 U-6H, 동 U-4HA, 동 U-6HA, 동 U-15HA, 동 UA-32P, 동 UA-33H, 동 UA-53H, 동 U-200PA, 동 U-324A, 동 UA-160TM, 동 UA-290TM, 동 UA-4200, 동 UA-4400, 동 UA-122P, 동 UA-7100, 동 UA-W2A(이상, 신나카무라화학공업(주)제).
비스코트 #195, 동 #230, 동 #260, 동 #310HP, 동 #335HP, 동 #700HV, 동 #540, 동 #802, 동 #295, 동 #300, 동 #360, 동 #230D, BAC-45, SPDBA-S30, STAR-501(이상, 오사카유기화학공업(주)제).
라이트에스테르 P-2M, 동 EG, 동 2EG, 동 3EG, 동 4EG, 동 9EG, 동 14EG, 동 1.4BG, 동 NP, 동 1.6HX, 동 1.9ND, 동 G-101P, 동 G-201P, 동 BP-2EMK, 동 TMP, 라이트아크릴레이트〔등록상표〕 3EG-A, 동 4EG-A, 동 9EG-A, 동 14EG-A, 동 PTMGA-250, 동 NP-A, 동 MPD-A, 동 1.6HX-A, 동 1.9ND-A, 동 MOD-A, 동 DCP-A, 동 BP-4EAL, 동 BP-4PA, 동 HPP-A, 동 G-201P, 동 TMP-A, 동 PE-3A, 동 PE-4A, 동 DPE-6A, 에폭시에스테르 40EM, 동 70PA, 동 200PA, 동 80MFA, 동 3002M(N), 동 3002A(N), 동 3000MK, 동 3000A, 동 EX-0205, AH-600, AT-600, UA-306H, UA-306T, UA-306I, UA-510H, UF-8001G, DAUA-167(이상, 교에이샤화학(주)제).
아트레진〔등록상표〕 UN-333, 동 UN-350, 동 UN-1255, 동 UN-2600, 동 UN-2700, 동 UN-5200, 동 UN-5500, 동 UN-5590, 동 UN-5507, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6200, 동 UN-6202, 동 UN-6300, 동 UN-6301, 동 UN-7600, 동 UN-7700, 동 UN-9000H, 동 UN-9000PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-3320HA, 동 UN-3200HB, 동 UN-3320HC, 동 UN-3320HS, 동 UN-904, 동 UN-906S, 동 UN-901T, 동 UN-905, UN-906, 동 UN-952, 동 HDP-4T, 동 HMP-2, 동 H-61, 동 HDP-M20(이상, 네가미공업(주)제).
시코우〔등록상표〕 UV-1400B, 동 UV-1700B, 동 UV-2000B, 동 UV-2010B, 동 UV-2750B, 동 UV-3000B, 동 UV-3200B, 동 UV-3210EA, 동 UV-3300B, 동 UV-3310B, 동 UV-3500BA, 동 UV-3520TL, 동 UV-3610D80, 동 UV-3630D80, 동 UV-3640PE80, 동 UV-3700B, 동 UV-6100B, 동 UV-6300B, 동 UV-6640B, 동 UV-7000, 동 UV-7000B, 동 UV-7461TE, 동 UV-7510B, 동 UV-7550B, 동 UV-7600B, 동 UV-7605B, 동 UV-7610B, 동 UV-7620EA, 동 UV-7630B, 동 UV-7640B, 동 UV-7650B, 동 UV-NS001, 동 UV-NS034, 동 UV-NS054, 동 UV-NS063, 동 UV-NS077(이상, 일본합성화학공업(주)제).
빔세트〔등록상표〕 243NS, 동 255, 동 261, 동 271, 동 502H, 동 504H, 동 505A-6, 동 550B, 동 575, 동 577, 동 700, 동 710, 동 730, 동 750, 동 AQ-17, 동 EM-90, 동 EM-92, 동 371, 동 381(이상, 아라카와화학공업(주)제).
판크릴〔등록상표〕 FA-124AS, 동 FA-129AS, 동 FA-222A, 동 FA-240A, 동 FA-P240A, 동 FA-P270A, 동 FA-321A, 동 FA-324A, 동 FA-PTG9A, 동 FA-731A, 동 FA-121M, 동 FA-124M, 동 FA-125M, 동 FA-220M, 동 FA-240M, 동 FA-320M, 동 FA-321M, 동 FA-3218M, 동 FA-PTG9M, 동 FA-137M(이상, 히다찌화성공업(주)제).
SR212, SR213, SR230, SR238F, SR259, SR268, SR272, SR306H, SR344, SR349, SR508, CD560, CD561, CD564, SR601, SR602, SR610, SR833S, SR9003, CD9043, SR9045, SR9209, SR205, SR206, SR209, SR210, SR214, SR231, SR239, SR248, SR252, SR297, SR348, SR480, CD540, CD541, CD542, SR603, SR644, SR9036, SR351S, SR368, SR415, SR444, SR454, SR492, SR499, CD501, SR502, SR9020, CD9021, SR9035, SR350, SR295, SR355, SR399, SR494, SR9041, SR9041, CN929, CN961E75, CN961H81, CN962, CN963, CN963A80, CN963B80, CN963E75, CN963E80, CN963J85, CN964, CN964E75, CN964A85, CN965, CN965A80, CN966A80, CN966H90, CN966J75, CN966R60, CN968, CN980, CN981, CN981A75, CN981B88, CN982, CN982A75, CN982B88, CN982E75, CN983, CN985B88, CN996, CN9001, CN9002, CN9788, CN9893, CN970A60, CN970E60, CN971, CN971A80, CN972, CN973A80, CN973H85, CN973J75, CN975, CN977C70, CN978, CN9782, CN9783, CN104, CN104A80, CN104B80, CN111, CN112C60, CN115, CN116, CN118, CN120, CN120A60, CN120A75, CN120B60, CN120B80, CN120C60, CN120C80, CN120D80, CN102E50, CN120M50, CN124, CNUVE151, CNUVE151/80, CN151, CN2203, CN2270, CN2271, CN2273, CN2274, CN307, CN371, CN550, CN551, SB401, SB402, SB404, SB500E50, SB500K60, SB510E35, SB520E35, SB520M35(이상, 사토머사제).
DPGDA, HODA, TPGDA, PEG400DA-D, HPNDA, PETIA, PETRA, TMPTA, TMPEOTA, OTA480, DPHA, IRR214-K, IRR679, IRR742, IRR793, (ACA)Z200M, (ACA)Z230AA, (ACA)Z250, (ACA)Z251, (ACA)Z300, (ACA)Z320, (ACA)Z254F, EBERCRYL〔등록상표〕 145, 동 150, 동 11, 동 135, 동 40, 동 140, 동 1142, 동 180, 동 204, 동 205, 동 210, 동 215, 동 220, 동 230, 동 244, 동 245, 동 264, 동 265, 동 270, 동 280/151B, 동 284, 동 285, 동 294/25HD, 동 1259, 동 1290, 동 4820, 동 4858, 동 5129, 동 8210, 동 8254, 동 8301R, 동 8307, 동 8402, 동 8405, 동 8411, 동 8465, 동 8800, 동 8804, 동 8807, 동 9260, 동 9270, 동 8311, 동 8701, 동 9227EA, 동 436, 동 438, 동 446, 동 450, 동 524, 동 525, 동 770, 동 800, 동 810, 동 811, 동 812, 동 1830, 동 846, 동 851, 동 852, 동 853, 동 1870, 동 884, 동 885, 동 600, 동 605, 동 645, 동 648, 동 860, 동 1606, 동 3500, 동 3603, 동 3608, 동 3700, 동 3701, 동 3702, 동 3703, 동 3708, 동 6040, 동 8110, 동 271, 동 1258, 동 1291, 동 4100, 동 4200, 동 4500, 동 4680, 동 4220, 동 4265, 동 4491, 동 4513, 동 4587, 동 4666, 동 4683, 동 4738, 동 4740, 동 4250, 동 4510, KRM〔등록상표〕 8200, 동 8200AE, 동 8296, 동 8452, 동 8904, 동 8667, 동 8912, 동 8981, 동 8762, 동 8713B, 동 8528(이상, 다이셀·올넥스(주)제).
BAEA-100, BAEM-100, BAEM-50, BEEM-50, BFEA-50, HPEA-100, CNEA-100, PNEM-50, RNEA-100, TEA-100, KUA-4I, KUA-6I, KUA-9N, KUA-10H, KUA-15N, KUA-C2I, KUA-PC2I, KUA-PEA2I, KUA-PEB2I, KUA-PEC2I, RP-274S, RP-310(이상, 케이에스엠(주)제).
이들 다관능(메트)아크릴레이트 화합물은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
상기 하이드록시메틸기치환페놀 화합물로는, 예를 들어, 2-하이드록시메틸-4,6-디메틸페놀, 1,3,5-트리하이드록시메틸벤젠, 및 3,5-디하이드록시메틸-4-메톡시톨루엔[2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸]을 들 수 있다.
상기 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, (폴리)메틸올화멜라민, (폴리)메틸올화글리콜우릴, (폴리)메틸올화벤조구아나민, (폴리)메틸올화우레아 등의, 한 분자내에 복수개의 활성 메틸올기를 갖는 함질소 화합물로서, 그 메틸올기중의 하이드록시기의 수소원자 중 적어도 하나가, 메틸기, 부틸기 등의 알킬기에 의해 치환된 화합물을 들 수 있다.
상기 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물은, 복수의 치환 화합물을 혼합한 혼합물인 경우가 있으며, 일부 자기축합하여 이루어진 올리고머성분을 포함하는 혼합물도 존재하고, 이러한 혼합물도 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 헥사메톡시메틸멜라민(CYTEC사제, CYMEL〔등록상표〕 303, 동 303LF), 테트라부톡시메틸글리콜우릴(CYTEC사제, CYMEL〔등록상표〕 1170), 테트라메톡시메틸벤조구아나민(CYTEC사제, CYMEL〔등록상표〕 1123) 등의 CYMEL시리즈의 상품, 테트라메톡시메틸글리콜우릴(CYTEC사제, POWDERLINK〔등록상표〕 1174) 등의 POWDERLINK시리즈의 상품, 및 메틸화멜라민수지((주)산와케미칼제, 니카락〔등록상표〕 MW-30HM, 동 MW-390, 동 MW-100LM, 동 MX-750LM), 메틸화요소수지((주)산와케미칼제, 니카락〔등록상표〕 MX-270, 동 MX-280, 동 MX-290) 등의 니카락시리즈의 상품을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 다관능블록이소시아네이트 화합물이란, 이소시아네이트기가 적당한 보호기에 의해 블록된 이소시아네이트기를 한 분자중 2개 이상 갖고, 열경화시의 고온에 노출되면, 보호기(블록부분)가 열해리하여 분리되고, 발생한 이소시아네이트기가 수지와의 사이에서 가교반응을 일으키는 것이다.
이러한 다관능블록이소시아네이트 화합물은, 예를 들어, 한 분자중 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 다관능이소시아네이트 화합물에 대하여 적당한 블록제를 반응시켜 얻을 수 있다.
상기 다관능이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 1,5-펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3,6-헥사메틸렌트리이소시아네이트, 라이신디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 1,4-시클로헥실디이소시아네이트, 2,6-비스(이소시아네이트메틸)테트라하이드로디시클로펜타디엔, 비스(이소시아네이트메틸)디시클로펜타디엔, 비스(이소시아네이트메틸)아다만탄, 2,5-디이소시아네이트메틸노보넨, 노보난디이소시아네이트, 디시클로헵탄트리이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트메틸)벤젠, 디아니시딘디이소시아네이트, 3,3'-디메틸디페닐-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트, 2,6-비스(이소시아네이트메틸)데카하이드로나프탈렌, 비스(디이소시아네이트톨릴)페닐메탄, 1,1'-메틸렌비스(3-메틸-4-이소시아네이트벤젠), 1,3-비스(1-이소시아네이트-1-메틸에틸)벤젠, 1,4-비스(1-이소시아네이트-1-메틸에틸)벤젠, 4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐렌디이소시아네이트, 비스(이소시아네이트메틸)티오펜, 비스(이소시아네이트메틸)테트라하이드로티오펜, 및 이들 변성 화합물(예를 들어, 이소시아누레이트체, 뷰렛체, 에틸렌글리콜어덕트체, 프로필렌글리콜어덕트체, 트리메틸올프로판어덕트체, 에탄올아민어덕트체, 폴리에스테르폴리올어덕트체, 폴리에테르폴리올어덕트체, 폴리아미드어덕트체, 폴리아민어덕트체)을 들 수 있다.
상기 블록제로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 헵탄올, 헥산올, 2-에톡시헥산올, 시클로헥산올, 옥탄올, 이소노닐알코올, 스테아릴알코올, 벤질알코올, 2-에톡시에탄올, 유산메틸, 유산에틸, 유산아밀, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르), 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, N,N-디메틸아미노에탄올, N,N-디에틸아미노에탄올, N,N-디부틸아미노에탄올 등의 알코올류, 페놀, 에틸페놀, 프로필페놀, 부틸페놀, 옥틸페놀, 노닐페놀, 니트로페놀, 클로로페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 자일레놀 등의 페놀류, α-피롤리돈, β-부티로락탐, β-프로피오락탐, γ-부티로락탐, δ-발레로락탐, ε-카프로락탐 등의 락탐류, 아세톤옥심, 메틸에틸케톤옥심, 메틸이소부틸케톤옥심, 디에틸케톤옥심, 시클로헥사논옥심, 아세토페논옥심, 벤조페논옥심 등의 옥심류, 피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3-메틸피라졸, 4-벤질-3,5-디메틸피라졸, 4-니트로-3,5-디메틸피라졸, 4-브로모-3,5-디메틸피라졸, 3-메틸-5-페닐피라졸 등의 피라졸류, 부틸메르캅탄, 헥실메르캅탄, 도데실메르캅탄, 벤젠티올 등의 메르캅탄류, 말론산디에스테르, 아세트아세트산에스테르, 말론산디니트릴, 아세틸아세톤, 메틸렌디설폰, 디벤조일메탄, 디피발로일메탄, 아세톤디카르본산디에스테르 등의 활성메틸렌계 화합물류, 디부틸아민, 디이소프로필아민, 디-tert-부틸아민, 디(2-에틸헥실)아민, 디시클로헥실아민, 벤질아민, 디페닐아민, 아닐린, 카바졸 등의 아민류, 이미다졸, 2-에틸이미다졸 등의 이미다졸류, 메틸렌이민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민, 프로필렌이민 등의 이민류, 아세트아닐리드, 아크릴아미드, 아세트산아미드, 다이머산아미드 등의 산아미드류, 석신산이미드, 말레산이미드, 프탈산이미드 등의 산이미드류, 요소, 티오요소, 에틸렌요소 등의 요소화합물류를 들 수 있다. 또한, 우레트디온결합(이소시아네이트기의 2량화)에 의한 내부블록형일 수도 있다.
상기 다관능블록이소시아네이트 화합물의 시판품으로는, 예를 들어, 하기 제품을 들 수 있다.
타케네이트〔등록상표〕 B-815N, 동 B-830, 동 B-842N, 동 B-846N, 동 B-870, 동 B-870N, 동 B-874, 동 B-874N, 동 B-882, 동 B-882N, 동 B-5010, 동 B-7005, 동 B-7030, 동 B-7075(이상, 미쯔이화학(주)제).
듀라네이트〔등록상표〕 ME20-B80S, 동 MF-B60B, 동 MF-B60X, 동 MF-B90B, 동 MF-K60B, 동 MF-K60X, 동 SBN-70D, 동 17B-60P, 동 17B-60PX, 동 TPA-B80E, 동 TPA-B80X, 동 E402-B80B, 동 E402-B80T, 동 K6000(이상, 아사히카세이케미칼즈(주)제),
코로네이트〔등록상표〕 2503, 동 2507, 동 2512, 동 2513, 동 2515, 동 2520, 동 2554, 동 BI-301, 동 AP-M, 밀리오네이트 MS-50(이상, 토소(주)제).
버녹〔등록상표〕 D-500, 동 D-550, 동 DB-980K(이상, DIC(주)제).
스미쥬르〔등록상표〕 BL-3175, 동 BL-4165, 동 BL-4265, 동 BL-1100, 동 BL-1265, 데스모듈〔등록상표〕 TPLS-2957, 동 TPLS-2062, 동 TPLS-2078, 동 TPLS-2117, 동 BL-3475, 데스모섬〔등록상표〕 2170, 동 2265(이상, 스미카베이어우레탄(주)제).
TRIXENE BI-7641, 동 BI-7642, 동 BI-7986, 동 BI-7987, 동 BI-7950, 동 BI-7951, 동 BI-7960, 동 BI-7961, 동 BI-7963, 동 BI-7981, 동 BI-7982, 동 BI-7984, 동 BI-7986, 동 BI-7990, 동 BI-7991, 동 BI-7992, 동 BI-7770, 동 BI-7772, 동 BI-7779, 동 DP9C/214(이상, 박센덴케미칼즈사제).
VESTANAT〔등록상표〕 B1358A, 동 B1358/100, 동 B1370, VESTAGON〔등록상표〕 B1065, 동 B1400, 동 B1530, 동 BF1320, 동 BF1540(이상, 에보닉인더스트리즈사제).
또한, 상기 다관능블록이소시아네이트 화합물로는, 블록이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 라디칼중합하여 얻어지는 호모폴리머 또는 코폴리머를 들 수 있다. 여기서, 코폴리머란, 2종 이상의 모노머를 중합하여 얻어지는 폴리머를 의미한다. 코폴리머는, 블록이소시아네이트기를 갖는 2종 이상의 (메트)아크릴레이트를 중합하여 얻어지는 코폴리머일 수도 있고, 블록이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴레이트 및 기타 (메트)아크릴레이트를 중합하여 얻어지는 코폴리머일 수도 있다. 이러한 블록이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 시판품으로는, 예를 들어, 쇼와덴코(주)제 카렌즈〔등록상표〕 MOI-BM, 동 AOI-BM, 동 MOI-BP, 동 AOI-BP, 동 MOI-DEM, 동 MOI-CP, 동 MOI-MP, 동 MOI-OEt, 동 MOI-OBu, 동 MOI-OiPr을 들 수 있다.
이들 다관능블록이소시아네이트 화합물은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
본 발명에서는 상기 가교반응을 촉진하기 위한 촉매로서, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 피리디늄p-톨루엔설폰산, 살리실산, 설포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 및/또는 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 기타 유기설폰산알킬에스테르 등의 열산발생제를 배합할 수 있다. 배합량은, 본 발명의 수지 조성물의 전체고형분에 대하여, 0.0001질량% 내지 20질량%, 바람직하게는 0.0005질량% 내지 10질량%이다.
이하, 본 발명의 수지 조성물의 사용에 대하여 설명한다.
기판{예를 들어, 산화규소막으로 피복된 실리콘 등의 반도체기판, 질화규소막 또는 산화질화규소막으로 피복된 실리콘 등의 반도체기판, 질화규소기판, 석영기판, 유리기판(무알칼리유리, 저알칼리유리, 결정화유리를 포함함), ITO막이 형성된 유리기판}상에, 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 본 발명의 수지 조성물이 도포되고, 그 후, 핫플레이트 등의 가열수단을 이용하여 베이크함으로써, 경화막이 형성된다.
베이크조건으로는, 베이크온도 80℃ 내지 270℃, 베이크시간 0.3분 내지 60분간 중에서 적당히 선택되고, 바람직하게는, 베이크온도 100℃ 내지 250℃, 베이크시간 0.5분 내지 5분간이다.
또한, 본 발명의 수지 조성물로부터 형성되는 경화막의 막두께로는 0.005μm 내지 4.0μm이며, 바람직하게는 0.01μm 내지 3.0μm, 보다 바람직하게는 0.1μm 내지 3.0μm이다.
그 후, 본 발명의 수지 조성물로부터 형성된 경화막의 위에 레지스트용액을 도포하고, 소정의 마스크를 통과하여 노광하고, 필요에 따라 노광후가열(PEB)을 행하고, 알칼리현상, 린스, 건조함으로써, 소정의 레지스트패턴을 형성한다. 노광에는, 예를 들어, g선, i선, KrF엑시머레이저, ArF엑시머레이저를 사용할 수 있다.
이어서, 가열처리함으로써, 상기 레지스트패턴을 리플로우하여 렌즈패턴을 형성한다. 이 렌즈패턴을 에칭마스크로서 하층의 경화막을 에치백하여, 렌즈패턴형상을 해당 경화막에 전사함으로써 마이크로렌즈를 제작한다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
〔하기 합성예에서 얻어진 공중합체의 중량평균분자량의 측정〕
장치: 일본분광(주)제 GPC시스템
칼럼: Shodex〔등록상표〕 KF-804L 및 803L
칼럼오븐: 40℃
유량: 1mL/분
용리액: 테트라하이드로푸란
[중합체의 합성]
<합성예 1>
1,4-벤젠디티올 4.15g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.649g을 시클로헥사논 59.4g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(4)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 25질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 14,800(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 5]
Figure pct00005
<합성예 2>
4,4'-티오비스벤젠티올 3.89g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 8.00g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.346g을 시클로헥사논 28.6g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(5)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 30질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 6,800(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 6]
Figure pct00006
<합성예 3>
6-아닐리노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올 5.24g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 10.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.247g을 시클로헥사논 61.9g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시키고, 메탄올 이용하여 재침전시킴으로써, 하기 식(6)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 14,100(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 7]
Figure pct00007
<합성예 4>
비스무티올 4.38g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.649g을 시클로헥사논 60.1g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(7)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 25질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 24,200(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 8]
Figure pct00008
<합성예 5>
6-(디알릴아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올 4.7g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 10.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.400g을 시클로헥사논 60.5g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(8)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 20질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 68,000(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 9]
Figure pct00009
<합성예 6>
1,4-벤젠디티올 3.60g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.564g을 시클로헥사논 57.5g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시키고, 메탄올 이용하여 재침전시킴으로써, 하기 식(9)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 26,600(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 10]
Figure pct00010
<합성예 7>
4,4'-티오비스벤젠티올 1.69g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 4.00g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.150g을 시클로헥사논 17.5g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(10)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 25질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 12,600(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 11]
Figure pct00011
<합성예 8>
6-아닐리노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올 2.79g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 7.00g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.263g을 시클로헥사논 23.5g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시키고, 메탄올 이용하여 재침전시킴으로써, 하기 식(11)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 3,800(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 12]
Figure pct00012
<합성예 9>
비스무티올 3.80g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.564g을 시클로헥사논 58.1g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시키고, 메탄올 이용하여 재침전시킴으로써, 하기 식(12)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 22,900(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 13]
Figure pct00013
<합성예 10>
6-(디알릴아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올 3.8g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 10.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 0.300g을 시클로헥사논 57.0g에 용해시킨 후, 실온에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(13)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 20질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 99,000(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 14]
Figure pct00014
<합성예 11>
2,3-디하이드록시부탄이산 4.38g, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 1.30g을 시클로헥사논 48.2g에 용해시킨 후, 환류하에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(14)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 30질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 3,700(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 15]
Figure pct00015
<합성예 12>
2,3-디하이드록시부탄이산 3.80g, 비스나프톨플루오렌디글리시딜에테르 15.0g, 및 에틸트리페닐포스포늄브로마이드 1.13g을 시클로헥사논 49.5g에 용해시킨 후, 환류하에서 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(15)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체를 포함하는 용액(고형분농도 30질량%)을 얻었다. 얻어진 공중합체의 중량평균분자량Mw은 5,800(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 16]
Figure pct00016
[가교제의 합성]
<합성예 13>
2-[(3,5-디메틸피라졸릴)카르보닐아미노]에틸메타크릴레이트 40.0g 및 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 2.61g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 79.1g에 용해시킨 후, 이 용액을, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 48.7g을 80℃로 유지한 플라스크중에 3시간동안 적하하였다. 적하종료후, 18시간 반응시킴으로써, 하기 식(16)로 표시되는 구조단위를 갖는 단독중합체를 포함하는 용액(고형분농도 24.3질량%)을 얻었다. 얻어진 단독중합체의 중량평균분자량Mw은 14,500(폴리스티렌환산)이었다.
[화학식 17]
Figure pct00017
[수지 조성물의 조제]
<실시예 1>
합성예 1에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00413g, 가교제로서 합성예 13에서 얻어진 단독중합체를 포함하는 용액 0.154g을, 시클로헥사논 24.3g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 2>
합성예 2에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00473g, 가교제로서 합성예 13에서 얻어진 단독중합체를 포함하는 용액 0.923g을, 시클로헥사논 30.9g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 3>
합성예 3에서 얻어진 공중합체 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00180g, 가교제로서 CYMEL〔등록상표〕 303LF(CYTEC(주)제) 0.300g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0150g을, 시클로헥사논 16.0g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 4>
합성예 4에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00450g, 가교제로서 CYMEL 303LF(CYTEC(주)제) 0.750g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0375g을, 시클로헥사논 28.8g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μμm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 5>
합성예 5에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 25.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.020g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 1.00g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.100g을, 시클로헥사논 36.0g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 14.1g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 6>
합성예 6에서 얻어진 공중합체 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.0180g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 3.00g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0150g을, 시클로헥사논 16.0g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 7>
합성예 7에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00450g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 0.750g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0375g을, 시클로헥사논 28.8g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 8>
합성예 8에서 얻어진 공중합체 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.0180g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 3.00g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.150g을, 시클로헥사논 16.0g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 9>
합성예 9에서 얻어진 공중합체 15.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.0180g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 3.00g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.150g을, 시클로헥사논 16.0g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<실시예 10>
합성예 10에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 25.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.0200g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 1.0g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.100g을, 시클로헥사논 36.0g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 14.1g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<비교예 1>
합성예 11에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 11.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00396g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 0.660g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0330g을, 시클로헥사논 27.6g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 얻어진 용액을 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
<비교예 2>
합성예 12에서 얻어진 공중합체를 포함하는 용액 11.0g, 계면활성제로서 DFX-18(네오스(주)제) 0.00396g, 가교제로서 CYMEL303LF(CYTEC(주)제) 0.660g, 및 산촉매로서 p-톨루엔설폰산일수화물 0.0330g을, 시클로헥사논 27.6g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 구멍직경 0.45μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서 수지 조성물을 조제하였다.
[굴절률 측정]
실시예 1 내지 실시예 10 그리고 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물을 각각, 실리콘웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포하고, 핫플레이트상에 있어서 100℃에서 1분간, 다시 230℃에서 5분간 베이크를 행하여, 막두께 0.5μm의 경화막을 형성하였다. 이들 경화막에 대하여, 고속분광엘립소미터 M-2000((주)J. A. Woollam Japan)을 이용하여 파장 550nm의 굴절률을 측정하였다. 평가결과를 표 1에 나타낸다.
[투과율 측정]
실시예 1 내지 실시예 10 그리고 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물을 각각, 석영기판상에 스핀코터를 이용하여 도포하고, 핫플레이트상에 있어서 100℃에서 1분간, 다시 230℃에서 5분간 베이크를 행하여, 막두께 0.5μm의 경화막을 형성하였다. 이들 경화막에 대하여, 자외선가시분광광도계 UV-2550((주)시마즈제작소제)을 이용하여 파장 400nm의 투과율을 측정하였다. 또한 이들 경화막을 260℃에서 5분간 가열한 후, 파장 400nm의 투과율을 측정하였다. 평가결과를 표 1에 나타낸다.
[내용제성 시험]
실시예 1 내지 실시예 10 그리고 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물을 각각, 실리콘웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포하고, 핫플레이트상에 있어서 100℃에서 1분간, 다시 230℃에서 5분간 베이크를 행하여, 막두께 0.5μm의 경화막을 형성하였다. 이들 경화막에 대하여, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 시클로헥사논에, 각각 23℃의 온도조건하, 5분간 침지하는 시험을 행하였다. 침지전후에 있어서 막두께변화를 측정한 결과, 상기 모든 용제에 대하여 막두께증감이 5% 미만이었다.
[드라이에칭레이트의 측정]
드라이에칭레이트의 측정에 이용한 에쳐 및 에칭가스는, 이하와 같다.
에쳐: RIE-10NR(삼코(주)제)
에칭가스: CF4
실시예 1 내지 실시예 10 그리고 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물을 각각, 실리콘웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포하고, 핫플레이트상에 있어서 100℃에서 1분간, 다시 230℃에서 5분간 베이크를 행하여, 막두께 0.5μm의 경화막을 형성하였다. 상기 에쳐 및 에칭가스를 이용하고, 이들 경화막의 드라이에칭레이트를 측정하였다. 마찬가지로, 레지스트용액(THMR-iP1800(도쿄오카공업(주)제)을, 실리콘웨이퍼상에 스핀코터를 이용하여 도포하고, 핫플레이트상에 있어서 90℃에서 1.5분간 베이크를 행하고, 막두께 0.5μm의 레지스트막을 형성하여, 드라이에칭레이트를 측정하였다. 그리고, 상기 레지스트막에 대한, 실시예 1 내지 실시예 10 그리고 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물로부터 얻어진 경화막의 드라이에칭레이트비를 구하였다. 평가결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00018
표 1의 결과로부터, 본 발명의 수지 조성물로부터 형성된 경화막은, 1.68 이상의 굴절률을 갖는 것이며, 특히 실시예 2, 실시예 6 내지 실시예 10에서 조제한 수지 조성물로부터 형성된 경화막에서는 1.70 이상의 높은 굴절률을 나타내고, 또한, 고투명성임과 함께, 260℃에서 가열한 후에도 90% 이상의 투과율을 나타내는 높은 내열성을 갖는 것이었다. 또한, 에치백법에서는, 렌즈패턴형상을 충실히 하층의 경화막에 전사함에 있어서, 레지스트의 드라이에칭레이트X와 경화막의 드라이에칭레이트Y가 동등(X:Y=1:0.8~1.2)한 것이 요구되나, 본 발명의 수지 조성물은 이것을 만족하는 결과가 되었다. 한편, 황원자를 갖지 않는 비교예 1 및 비교예 2에서 조제한 수지 조성물로부터 형성된 경화막에 대해서는, 실시예 1 내지 실시예 10에서 조제한 수지 조성물로부터 형성된 경화막보다 굴절률이 낮고, 1.68에 미치지 않는 결과가 되었다.
산업상의 이용가능성
본 발명의 중합체를 포함하는 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막은, 고굴절률, 고투명성, 및 고내열성을 만족시키는 것이 가능하며, 고체찰상소자의 마이크로렌즈로서 호적하게 이용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 중합체.
    [화학식 1]
    Figure pct00019

    (식 중, A1 및 A2는 각각 독립적으로 -O-기 또는 -C(=O)O-기를 나타내고, X는 적어도 1개의 방향환 또는 복소환을 갖는 2가의 유기기를 나타내고, 이 X가 2개 이상의 방향환 또는 복소환을 갖는 경우, 환끼리가 단결합을 개재하여 결합할 수도, 헤테로원자를 개재하여 결합할 수도, 축합환을 형성할 수도 있고, Y는 적어도 1개의 방향환 또는 축합환을 갖는 2가의 유기기를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 중합체의 원료모노머는 하기 식(2)로 표시되는 화합물 및 하기 식(3)으로 표시되는 화합물인, 중합체.
    [화학식 2]
    Figure pct00020

    (식 중, A1, A2, X 및 Y는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이다.)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 X로 표시되는 2가의 유기기는 하기 식(a), 식(b), 식(c), 식(d) 또는 식(e)로 표시되는, 중합체.
    [화학식 3]
    Figure pct00021

    (식 중, R0은 메틸기를 나타내고, m은 0 내지 2의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 단결합 또는 메틸렌기를 나타내고, Z는 단결합 또는 -S-기를 나타내고, R3은 수소원자, 분지구조를 가질 수도 있는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 아릴기, 탄소원자수 2 혹은 3의 알케닐기 또는 탄소원자수 2 혹은 3의 알키닐기를 나타내고, R4는 분지구조를 가질 수도 있는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 아릴기, 탄소원자수 2 혹은 3의 알케닐기 또는 탄소원자수 2 혹은 3의 알키닐기를 나타낸다.)
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 Y로 표시되는 2가의 유기기는 하기 식(f) 또는 식(g)로 표시되는, 중합체.
    [화학식 4]
    Figure pct00022
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 150,000인, 중합체.
  6. 상기 식(2)로 표시되는 화합물 및 식(3)으로 표시되는 화합물을 3:5 내지 5:3의 몰비로 사용하고, 23℃ 내지 200℃의 온도하에서 중합반응시키는, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 중합체의 합성방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 중합체, 가교제 및 용제를 함유하는 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    마이크로렌즈용 조성물인 수지 조성물.
  9. 제7항에 기재된 수지 조성물을 기판상에 도포한 후, 가열수단을 이용하여 상기 수지 조성물을 베이크하는 것에 의한, 경화막의 형성방법.
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