KR20180051516A - 수지 부착 금속박, 및 그것을 이용한 금속 클래드 적층판 및 배선판 - Google Patents

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Abstract

수지 부착 금속박은, 금속박 상에, 수지 조성물을 반경화시킨 수지층을 구비하는 수지 부착 금속박으로서, 상기 수지 조성물이, 고분자량체인(A) 성분, 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)인 (B) 성분, 및 에폭시 수지인 (C) 성분을 함유하는 에폭시 수지이다. (A) 성분은, 하기 식(1) 및 식 (2)에서 표기되는 구조를 갖고, 탄소 원자간에 불포화 결합을 갖지 않고, 에폭시가가 0.2eq/㎏ 이상, 0.8eq/㎏ 이하이고, 중량 평균 분자량이 20만 이상, 100만 이하이다. (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가진다. (B) 성분은 (A) 성분과 상용되고, 또한, (C) 성분은 (A) 성분과 상용되지 않는다(식 (1) 및 식 (2) 중, x와 y의 비는 x:y=0:1~0.35:0.65이고, R1은 H 또는 CH3이고, R2는 H 또는 알킬기이다).
Figure pct00006

Description

수지 부착 금속박, 및 그것을 이용한 금속 클래드 적층판 및 배선판
본 개시는 수지 부착 금속박(metal foil with resin), 수지 부착 금속박을 이용하는 금속 클래드 적층판(metal-clad laminate), 및 금속 클래드 적층판을 이용하는 배선판에 관한 것이다.
최근, 각종 전자 기기는, 정보 처리량의 증대에 따라, 탑재되는 반도체 디바이스의 고집적화, 배선의 고밀도화, 및 배선의 다층화 등의 실장 기술이 급속히 진전되고 있다. 각종 전자 기기에서 이용되는 배선판 등의 절연 재료에는, 신호의 전송 속도를 높이고, 신호 전송시의 손실을 저감시키기 위해, 유전율 및 유전 손실률(dielectric dissipation factor)이 낮은 것이 요구된다.
보다 우수한 유전 특성(저유전율, 저유전 손실률)에 대해, 에폭시 수지와 같은 유전율이 높은 재료만으로는 저유전율화가 곤란하다고 하는 것을 알게 되었다. 그래서, 변성 폴리알릴렌 에테르(PAE)나 중공(中空) 필러와 같은 특수한 기술을 조합하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 또는 2 참조). 또한, 에폭시 수지에 래디컬 중합형 열경화성 수지를 블렌딩(blending)하는 기술도 보고되어 있다(특허문헌 3 등 참조).
한편, 전자 기기의 소형화 및 박형화의 새로운 요구에 대해, 기판의 휨이 지금까지 이상으로 중요한 특성으로 들어지고 있다. 현재, 기판의 휨을 작게 하는 재료로서 기대할 수 있는 것은, 고강성, 저열팽창율을 얻을 목적으로 개발한 재료이다(예를 들면, 특허문헌 4~6 참조). 즉, 기판의 휨을 작게 하기 위해서는, 강성이 높으면 높을수록, 열팽창율(CTE: coefficient of thermal expansion)이 낮으면 낮을수록, 바람직하다고 하는 제안이다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-269785호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 평10-298407호 공보 특허문헌 3은 일본 특허 공개 제2008-133329호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2006-137942호 공보 특허문헌 5: 일본 특허 공개 제2007-138152호 공보 특허문헌 6: 일본 특허 공개 제2008-007756호 공보 특허문헌 7: 국제 공개 WO2007/067669호 공보
본 개시된 일 형태에 따른 수지 부착 금속박은, 금속박 상에, 수지 조성물을 반경화시킨 수지층을 구비하는 수지 부착 금속박으로서, 수지 조성물은, 고분자량체인 (A) 성분, 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)인 (B) 성분, 및 에폭시 수지인(C) 성분을 함유하는 에폭시 수지이다. (A) 성분은, 하기 식 (1) 및 식 (2)에서 표기되는 구조를 갖고, 탄소 원자간에 불포화 결합을 갖지 않고, 에폭시가가 0.2eq/㎏ 이상, 0.8eq/㎏ 이하이고, 중량 평균 분자량이 20만 이상, 100만 이하이다. (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가진다. (B) 성분은 (A) 성분과 상용(相溶)되고, 또한 (C) 성분은 (A) 성분과 상용되지 않는다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(상기 식 (1) 및 상기 식 (2) 중,
x와 y의 비는 x:y=0:1~0.35:0.65이고,
R1은 H 또는 CH3이고,
R2는 H 또는 알킬기이다.)
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 중량 평균 분자량이 500 이상, 2000 이하인 폴리알릴렌 에테르 공중합체인 것이 바람직하다.
또, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 분자 말단에 페놀성 수산기를 1분자당 평균 1.5개 이상, 3개 이하 가지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체인 것이 바람직하다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 2, 6-다이메틸 페놀과 2관능 페놀 및 3관능 페놀 중 적어도 어느 한쪽으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또, (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가지는 올리고머형(oligomer-type)의 에폭시 수지이고, (A) 성분과 상용되지 않는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, (A) 성분은 10질량부 이상, 40질량부 이하인 것이 바람직하다.
상술한 수지 부착 금속박에서, 수지 조성물이 무기 충전제인 (D) 성분을 더 함유하고 있어도 좋다. 그 경우, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, (D) 성분은 0질량부 이상, 300질량부 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 개시의 다른 일 형태에 따른 금속 클래드 적층판은 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물을 포함한다.
또한, 본 개시의 다른 일 형태에 따른 배선판은 상술한 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물과, 그 표면에 회로로서의 도체 패턴을 가진다.
본 개시에 의하면, 열팽창율을 저감함과 아울러 우수한 유전 특성을 겸비한 수지 부착 금속박, 금속 클래드 적층판, 배선판을 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 수지 부착 금속박의 단면도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 금속 클래드 적층판의 단면도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 배선판의 단면도이다.
본 개시의 실시 형태의 설명에 앞서, 종래의 배선판에서의 문제점을 간단하게 설명한다. 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 PAE 및 중공 필러라는 재료는 취급성면이나 비용면에서 곤란성이 높은 재료이다. 또, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 PPE는, 일반적으로 CTE가 크고, 기판의 휨에 불리하다는 것도 알려져 있다. 또한, 특허문헌 3에 기재된 바와 같은 에폭시 수지에 래디컬 중합형 열경화성 수지를 브랜딩한 재료에서는, 래디컬 중합형 열경화성 수지가 에폭시 수지보다 낮은 유전율을 나타내기 때문에, 유전율을 낮추는 효과가 있지만, 난연성(flame retardancy)의 관점에서는 문제가 있다.
또한, 상기 특허문헌 4~6에 기재되어 있는 바와 같은 고강성, 저열팽창율의 수지 조성물로 이루어지는 재료는 기판의 휨의 저감을 기대할 수 있다. 그러나, 기판의 휨 저감을 목적으로 한 재료는 아니기 때문에, 휨 저감의 효과로서는 불충분하고, 범용성이 부족하다는 문제가 있었다. 또한, 기판의 내열성을 높이고자 하는 요망도 있다.
또, 상기 특허문헌에 개시된 기술은 주로 프리프레그(prepreg)에 이용되지만, 프리프레그는 일반적으로 유전율이 높은 유리 클로스(glass cloth)를 지지체로서 포함하기 때문에, 최근 유전율을 더욱 저감하고자 하는 요망에 대응할 수 없는 경우가 있다.
수지 부착 금속박은, 지지체로서의 유리 클로스를 포함하지 않으므로, 배선판 등의 절연층의 유전율 저감의 하나의 수법으로서 유효하다고 생각된다.
본 개시는 상기의 점에 비추어 이루어진 것으로, 본 개시에 따른 수지 부착 금속박을 이용하는 것에 의해, 기판의 휨을 저감할 수 있음과 아울러, 보다 우수한 유전 특성을 겸비한 금속 클래드 적층판, 배선판을 제공한다.
이하, 본 개시에 따른 실시 형태에 대해 설명하지만, 본 개시는 이들에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 실시 형태에 따른 수지 부착 금속박의 단면도이다. 수지 부착 금속박(1)은, 금속박(3) 상에, 수지 조성물을 반경화시킨 수지층(2)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 즉, 후술하는 수지 조성물을 금속박(3)의 매트면(matte surface)에 도포시키고, 그것을 반경화 상태(소위 B스테이지 상태)로 될 때까지 가열 건조하는 것에 의해 형성되고 있다. 또, 본 명세서에서, 「반경화」란, 수지 조성물에서의, 열경화성 수지의 반응의 중간적인 단계로서, 열프레스로 용융 연화하는 정도의 수지 상태를 말한다.
수지 조성물은 이하의 (A) 성분과, (B) 성분과, (C) 성분을 함유하는 에폭시 수지이다.
본 실시 형태에서, 이들 수지 조성물의 3성분은, 경화가 진행하고 있지 않은 상태, 즉 경화 촉진제 등을 함께 함유하지 않고 수지만인 경우, (B) 성분과 (A) 성분은 상용되고, 또한 (C) 성분 (A) 성분은 상용되지 않고, 상 분리(phase separation)를 나타낸다. 상기 성분끼리가 상용되고 있는지 상용되지 않는지의 측정은, 예를 들면 후술하는 실시예에서 이용한 측정 방법 등으로 판정할 수 있다. 그리고, 수지 조성물은, 경화가 진행한 반경화 상태 및 경화 상태에서는(예를 들면, 경화 촉진제를 함께 함유하고 있는 상태), (B) 성분과 (C) 성분의 경화가 촉진되고, (A) 성분과 (B) 및 (C) 성분의 경화물은 상용되지 않고, 상 분리되어 있는 상태로 되어 있다. (A) 성분과 (B) 및 (C) 성분의 경화물이 상 분리되는 것에 의해, 수지의 경화 상태에서, (B) 및 (C) 성분의 경화물에 의해 강성을 높이고, (A) 성분에 의해 탄성을 낮출 수 있다.
〔(A) 성분: 고분자량체〕
본 실시 형태의 (A) 성분, 고분자량체는, 저탄성 성분이고, 구체적으로는 아크릴 고무이고, 상기 식 (1) 및 식 (2)에서 나타내어지는 구조를 가지는 것이다. 즉, (A) 성분의 주사슬(main chain)은 식 (1) 및 식 (2)에서 나타내어지는 구조로 이루어지고, 주사슬에는 에폭시기가 결합되어 있다. X:Y=0:1~0.35:0.65이기 때문에, (A) 성분의 주사슬이 식 (2)에서 나타내어지는 구조만으로 이루어지는 경우도 있지만, 이외의 경우, 식 (1) 및 식 (2)에서 나타내어지는 구조의 배열 순서는 특별히 한정되지 않는다.
또한, (A) 성분은 탄소 원자간에 이중 결합이나 삼중 결합과 같은 불포화 결합을 가지지 않는 것이다. 즉, (A) 성분의 탄소 원자끼리는 포화 결합(단결합)에 의해 결합되어 있다. 탄소 원자간에 불포화 결합을 가지면, 경시적으로 산화됨으로써 탄성을 손실하여 물러진다.
또, (A) 성분은, 에폭시가가 0.2eq/㎏ 이상, 0.8eq/㎏ 이하이다. 에폭시가가 0.2eq/㎏보다 작으면, (B) 성분이나 (C) 성분의 열경화성 수지와 반응하는 에폭시기가 적어지는 것에 의해, (A) 성분의 열가소성이 강해지므로, 금속 클래드 적층판 및 배선판의 내열성이 저하된다. 반대로 에폭시가가 0.8eq/㎏보다 크면 (A) 성분과 (B) 성분 및 (C) 성분이 상용하게 되고, 이것에 의해 적층판(금속 클래드 적층판(11) 및 배선판(21))의 유리 전이 온도가 저하하여, 이들의 내열성이 악화된다.
(A) 성분은 중량 평균 분자량(Mw)이 20만 이상, 100만 이하인 고분자량체이다. 중량 평균 분자량이 20만보다 작으면 내약품성이 나빠진다. 반대로 중량 평균 분자량이 100만보다 크면 성형성이 나빠진다.
그리고, 상기와 같은 (A) 성분이 수지 조성물에 함유되어 있으면, 이 수지 조성물의 경화물이 흡습(absorb moisture)되기 어려워지는 것에 의해, 적층판의 내습성을 높일 수 있어, 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다고 생각된다.
〔(B) 성분: 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)〕
본 실시 형태의 (B) 성분, 폴리알릴렌 에테르 공중합체로서는, 상술한 (A) 성분과 상용되는 것이면 특별히 한정은 없다.
구체적으로는, 예를 들면 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상, 2000 이하인 폴리알릴렌 에테르 공중합체를 이용하는 것이 바람직하고, 중량 평균 분자량(Mw)은 650 이상, 1500 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상이면, 경화물의 내열성으로서 충분한 것이 얻어지고, 또한 중량 평균 분자량(Mw)이 2000 이하이면, 확실히 (A) 성분과 상용된다고 생각되고, 또한 경화가 진행되면 (C) 성분과 반응하기 쉽다. 또한, 용융 점도가 너무 높아지지 않아, 충분한 유동성을 얻을 수 있다.
또, 본 실시 형태에서의, 폴리알릴렌 에테르 공중합체의 중량 평균 분자량은, 예를 들면 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(gel permeation chromatography) 등을 이용하여 측정할 수 있다.
또한, (B) 성분은, 분자 말단에 페놀성 수산기를 1분자당 평균 1.5개 이상, 3개 이하 가지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 분자 말단에 페놀성 수산기를 1분자당 평균 1.8개 이상, 2.4개 이하 가지는 것이 보다 바람직하다. 말단 수산기 수가 평균 1.5개 이상, 3개 이하이면, 후술하는 (C) 성분인 에폭시 수지의 에폭시기와의 반응성을 충분히 얻을 수 있어, 경화물의 내열성이 보다 우수하고, 또한, 수지 조성물의 보존성도 양호해져, 유전율 및 유전 손실률도 낮게 억제할 수 있다고 생각된다.
또, 본 실시 형태에서 (B) 성분의 수산기 수는 사용하는 폴리알릴렌 에테르의 제품의 규격치로부터 알 수 있다. 말단 수산기 수로서는, 구체적으로는 예를 들면, (B) 성분 1몰 중에 존재하는 모든 폴리알릴렌 에테르 공중합체의 1분자당의 수산기의 평균치를 나타낸 수치 등을 들 수 있다.
또한, (B) 성분의 25℃의 염화 메틸렌 중에서 측정한 고유 점도가 0.03dl/g 이상, 0.12dl/g 이하인 것이 바람직하고, 0.06dl/g 이상, 0.095dl/g 이하이면 보다 바람직하다. 고유 점도의 범위이면, 경화물의 내열성을 향상시키고, 또한 충분한 유동성을 얻을 수 있기 때문에, 성형 불량을 보다 억제할 수도 있다고 생각된다.
또, 여기서의 고유 점도도, 사용하는 폴리알릴렌 에테르 공중합체의 제품의 규격치로부터 알 수 있다. 또한, 여기서의 고유 점도는 25℃의 염화 메틸렌 중에서 측정한 고유 점도이고, 보다 구체적으로는, 예를 들면 0.18g/45㎖의 염화 메틸렌 용액(액체의 온도 25℃)을, 점도계로 측정한 값 등이다. 점도계로서는, 예를 들면 Schott사 제품인 AVS500 ViscoSystem 등을 들 수 있다.
(B) 성분의 폴리알릴렌 에테르 공중합체로서는, 구체적으로는 예를 들면, 2, 6-다이메틸 페놀과 2관능 페놀 또는 3관능 페놀 중 적어도 어느 한쪽으로 이루어지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체나, 폴리(2, 6-다이메틸-1, 4 페닐렌 옥사이드) 등의 폴리페닐렌 에테르를 주성분으로 하는 것 등을 들 수 있다. 또한, 2관능 페놀로서는, 예를 들면 테트라메틸 비스페놀 A 등을 들 수 있다.
보다 구체적인 (B) 성분인 폴리알릴렌 에테르 공중합체로서는, 예를 들면 하기 일반식 (3)에 나타내는 구조를 가지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체 등을 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
상기 식 (3) 중, m, n는 상술한 용융 점도의 범위 내로 되도록 하는 중합도이면 좋다. 구체적으로는, m과 n의 합계치가 1 이상, 30 이하인 것이 바람직하다. 또한, m이 0 이상, 20 이하인 것이 바람직하고, n이 0 이상, 20 이하인 것이 바람직하다. 이러한 구성의 폴리알릴렌 에테르 공중합체를 이용하는 것에 의해, 유전 특성 및 경화물의 내열성이 보다 우수한 수지 조성물이 확실히 얻어진다.
폴리알릴렌 에테르 공중합체는, 예를 들면 특허문헌 7에 기재된 방법 등에 의해 제조될 수 있다. 또한, 폴리알릴렌 에테르 공중합체로서, 시판되는 것을 이용하는 것도 가능하고, 예를 들면 SABIC 이노베이티브 플라스틱사 제품인 「SA-90」 등을 사용할 수 있다.
〔(C) 성분: 에폭시 수지〕
본 실시 형태의 (C) 성분으로서 사용되는 에폭시 수지는, 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가지는 올리고머형의 에폭시 수지이고 (A) 성분과 상용되지 않는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
또, 여기서의 에폭시기 수는 사용하는 에폭시 수지의 제품의 규격치로부터 알 수 있다. 에폭시 수지의 에폭시기 수로서는, 구체적으로는 예를 들면, 에폭시 수지 1몰 중에 존재하는 모든 에폭시 수지의 1분자당의 에폭시기의 평균치를 나타낸 수치 등을 들 수 있다.
구체적으로는 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌 고리(naphthalene ring) 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬 함유 에폭시 수지, 이들의 수소 첨가형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
바람직하게는, 나프탈렌 고리 함유 에폭시 수지, 다이사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 에폭시 수지를 이용한다. 이러한 에폭시 수지를 이용하는 것에 의해, 고Tg 및 고내열성을 보다 확실히 얻을 수 있고, 또한, (A) 성분과 상 분리되기 쉽고, 경화물의 탄성을 낮출 수 있다.
또한, 수지 조성물에서 (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 질량비는, 수지 조성물이 상술한 특성을 가지고 있는 한 특별히 한정되지 않지만, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, (A) 성분이 10질량부 이상, 40질량부 이하인 것이 바람직하다. (A) 성분이 이러한 범위에서 배합되고 있는 것에 의해, 적층판의 유전 특성을 악화시키는 일없이, 적층판의 강성과 저탄성을 양립할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 본 실시 형태의 수지 조성물을 조제함에 있어서의 각 성분의 각각의 혼합 비율은 적절히 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 수지 조성물에서는, (B) 성분과 (C) 성분의 질량의 합과 (A) 성분의 질량의 비는 90:10~60:40인 것이 바람직하다. (B) 성분의 질량비는, 유전 특성의 관점에서, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, 40질량부 이상, 85 질량부 이하인 것이 바람직하다. 또한, 내열성의 관점에서, (B) 성분과 (C) 성분의 질량비는 (B) 성분의 수산기 당량에 대한, (C) 성분의 에폭시 당량의 비((C) 성분의 에폭시 당량/(B) 성분의 수산기 당량)가 1.0 이상, 4.0 이하로 되게 되면 바람직하다.
〔(D) 성분: 무기 충전제〕
상술한 수지 부착 금속박에서, 수지 조성물이 무기 충전제(D)를 더 함유하고 있어도 좋다.
본 실시 형태에서 사용할 수 있는 무기 충전재로서는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 무기 충전재는, 예를 들면 구상(球狀) 실리카, 황산바륨, 산화규소 분말, 파쇄 실리카, 소성 탈크, 티탄산바륨, 산화티탄, 클레이(clay), 알루미나, 마이카(mica), 베이마이트(boehmite), 붕산아연, 주석산아연, 질화붕소, 그 외의 금속 산화물이나 금속 수화물 등을 들 수 있다. 이러한 무기 충전재가 수지 조성물에 함유되어 있으면, 적층판의 치수 안정성을 높일 수 있는 것이다.
또, 실리카를 이용하는 것이, 적층판의 유전 손실률(Df)을 낮출 수 있다고 하는 이점도 있기 때문에 바람직하다.
수지 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 하고, (D) 성분이 0질량부 이상, 250질량부 이하인 범위에서 함유되어 있는 것이 바람직하다. 무기 충전재가 300질량부를 넘으면, 적층판의 고탄성화와 CTE의 증가에 의해 기판의 휨이 커질 우려가 있다.
또한, 본 실시 형태의 수지 조성물은 상기 이외의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 예를 들면, 경화 촉진제를 함유해도 좋다. 경화 촉진제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 옥탄산아연 등의 금속 비누류, 제 2 급 아민류, 제 3 급 아민류, 제 4 급 암모늄염 등을 이용할 수 있다. 또한, 수지 조성물에는, 광 안정제, 점도 조정제, 및 난연제 등을 함유하고 있어도 좋다.
〔수지 부착 금속박〕
상기의 (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분, 혹은 그것에 필요에 따라 (D) 성분이나 경화 촉진제를 배합하는 것에 의해 수지 조성물을 조제할 수 있고, 또 이것을 용제로 희석하는 것에 의해 수지 조성물의 바니시(varnish)를 조제할 수 있다.
구체적으로는 예를 들면, 우선 수지 조성물 중, 유기 용매에 용해될 수 있는 각 성분을 유기 용매에 투입해 용해시킨다. 이 때, 필요에 따라 가열해도 좋다. 그 후, 필요에 따라 이용되고, 유기 용매에 용해되지 않는 성분, 예를 들면 무기 충전재 등을 첨가하고, 볼 밀(ball mill), 비드 밀(bead mill), 플래너터리 믹서(planetary mixer), 롤 밀 등을 이용하여, 소정의 분산 상태가 될 때까지 분산시키는 것에 의해, 바니시 형태의 수지 조성물이 조제된다. 여기서 이용되는 유기 용매로서는, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤 및 시클로헥사논(cyclohexanon) 등의 케톤계 용제, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족계 용제, 다이메틸폼아미드(dimethylformamide) 등의 질소 함유 용제 등을 들 수 있다.
예를 들면, 얻어진 수지 바니시를, 경화 후의 두께가 10㎛ 이상, 100㎛ 이하가 되도록, 구리박 등의 금속박(3)의 매트면 상에 도포시킨 후, 건조하는 방법을 이용하여 수지 부착 금속박(1)이 얻어진다. 즉, 본 실시 형태에 따른 수지 부착 금속박(1)은 수지 바니시를 금속박 상에 도포시켜 반경화시키는 것에 의해 형성한 수지층(2)을 금속박(3) 상에 구비하고 있다. 이러한 수지 부착 금속박(1)이면, 기판의 휨의 발생을 충분히 억제할 수 있음과 아울러 우수한 내열성과 유전 특성을 가지는, 배선판(21) 등의 성형체를 제조할 수 있다.
수지 바니시의 금속박(3) 상에의 도포는 필요에 따라 복수회 반복하는 것도 가능하다. 또한 이 때, 조성이나 농도가 상이한 복수의 수지 바니시를 이용하여 도포를 반복하고, 최종적으로 희망하는 조성 및 수지 두께로 조정하는 것도 가능하다.
수지 바니시가 도포된 금속박(3)은 소망하는 가열 조건, 예를 들면 120℃ 이상, 190℃ 이하에서 3분 이상, 15분 이하의 시간 동안 가열되는 것에 의해 반경화 상태(B스테이지)의 수지 부착 금속박(1)이 얻어진다. 또, 본 실시 형태의 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2)은 통상 B스테이지의 상태이지만, 본 개시에는 수지 바니시를 금속박(3)에 도포하여 건조시킨 뿐인 것, 즉 수지층(2)이 A스테이지의 상태인 것을 포괄한다.
〔금속 클래드 적층판 및 배선판〕
도 2는 실시 형태에 따른 금속 클래드 적층판의 단면도이다. 금속 클래드 적층판(11)은 상술한 바와 같은 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2)의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 금속 클래드 적층판(11)은, 예를 들면 수지 부착 금속박(1)에 금속박(3)을 적층하고, 가열 가압 성형하는 것에 의해, 혹은 수지 부착 금속박(1)과 그 외의 범용 프리프레그와 금속박(3)을 무작위로 적층하고, 가열 가압 성형하는 것에 의해, 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2)을 경화시켜 금속박(3)과 접합시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 이러한 금속 클래드 적층판(11)이면, 기판의 휨의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 또한 우수한 내열성과 유전 특성을 겸비한 배선판(21)을 제조할 수 있다고 생각된다.
본 실시 형태의 수지 부착 금속박(1)을 이용하여 금속 클래드 적층판(11)을 제작하는 구체적인 방법으로서는, 예를 들면 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2) 상에 금속박(3)을 배치하여 피압체로 하고, 이것을 가열 가압 성형해서 적층 일체화하는 것에 의해, 금속박 클래드(clad)의 적층체를 제작하는 방법 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는 예를 들면, 우선, 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2) 상에 두께 12㎛ 이상, 35㎛ 이하 정도의 금속박(3)을 배치하여 피압체로 하고, 온도 170℃ 이상, 200℃ 이하, 압력 10㎏/㎠ 이상, 30㎏/㎠ 이하의 조건에서 50~90분 가열·가압하여 양면에 금속박(3)(예를 들면, 구리박)이 접착된 금속 클래드 적층판(11)을 얻는다. 그리고, 얻어진 금속박 적층판의 금속박(3)을 제거한 것의 상하의 양면에 수지 부착 금속박(1)을 수지층이 금속 클래드 적층판(11)측으로 되도록 배치하여 피압체로 하고, 재차 가열·가압해서 양면에 금속박(3)이 접착된 금속 클래드 적층판(11)을 얻는다. 이 가열 가압 성형과 금속박(3) 제거를 복수회 거듭함으로써, 두께가 30㎛ 이상, 800㎛ 이하인 금속 클래드 적층판(11)을 얻을 수 있다.
도 3은 실시 형태에 따른 배선판의 단면도이다. 배선판(21)은, 상술한 바와 같은 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2)의 경화물과, 그 표면에 회로로서의 도체 패턴(14)을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 실시 형태의 배선판(21)은, 예를 들면 상기에서 제작된 금속박(3)과 수지 부착 금속박(1)의 수지층(2)의 경화물의 적층체의 표면의 금속박(3)을 에칭 가공 등하여 부분적으로 제거하고, 회로 형성을 하는 것에 의해 얻을 수 있다.
본 명세서는, 상술한 바와 같이, 여러 형태의 기술을 개시하고 있지만, 그 중 주된 기술을 이하에 정리한다.
본 개시의 일 형태에 따른 수지 부착 금속박은, 금속박 상에, 수지 조성물을 반경화시킨 수지층을 구비하는 수지 부착 금속박으로서, 수지 조성물이, 고분자량체인 (A) 성분, 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)인 (B) 성분, 및 에폭시 수지인 (C) 성분을 함유하고, (A) 성분은, 하기 식 (1) 및 식 (2)로 표기되는 구조를 갖고, 탄소 원자간에 불포화 결합을 가지지 않고, 에폭시가가 0.2eq/㎏ 이상, 0.8eq/㎏ 이하이고, 중량 평균 분자량이 20만 이상, 100만 이하이고, (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 갖고, (B) 성분이 (A) 성분과 상용되고, 또한, (C) 성분이 (A) 성분과 상용되지 않는 에폭시 수지인 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pct00003
(식 (1) 및 식 (2) 중,
x와 y의 비는 x:y=0:1~0.35:0.65이고,
R1은 H 또는 CH3이고,
R2는 H 또는 알킬기이다.)
이러한 구성에 의해, 적층판의 탄성을 저하시켜 응력을 완화할 수 있어, 기판의 휨을 저감할 수 있음과 아울러, 우수한 내열성과 유전 특성을 모두 겸비한 수지 부착 금속박을 제공할 수 있다. 즉, 본 개시의 수지 부착 금속박은 기판의 휨의 억제·내열성·유전 특성의 밸런스가 우수한 유용한 수지 부착 금속박이다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 중량 평균 분자량이 500 이상, 2000 이하인 폴리알릴렌 에테르 공중합체인 것이 바람직하다. 그것에 의해, (B) 성분은 (A) 성분과 상용되고, 또한, 경화가 진행된 반경화 상태 및 경화 상태에서는 (C) 성분과의 경화가 촉진되고, (B) 및 (C) 성분의 경화물과 (A) 성분과 분리되고, 수지의 경화물의 내열성으로서 충분한 것이 얻어진다고 생각된다.
또, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 분자 말단에 페놀성 수산기를 1분자당 평균 1.5개 이상, 3개 이하 가지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체인 것이 바람직하다. 그것에 의해, (B) 성분과 (C) 성분인 에폭시 수지의 에폭시기와의 반응성을 충분히 얻을 수 있고, 경화물의 내열성이 우수하고, 또한 수지 조성물의 보존성도 양호해지고, 유전율 및 유전 손실률도 낮게 억제할 수 있다고 생각된다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (B) 성분은 2, 6-다이메틸 페놀과 2관능 페놀 및 3관능 페놀 중 적어도 어느 한쪽으로 이루어지는 것이 바람직하다. 그것에 의해, 상술한 효과를 보다 확실히 얻을 수 있다고 생각된다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (C) 성분은, 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가지는 올리고머형의 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 이 경우, (A) 성분과 상 분리되기 쉽고, 경화물의 탄성을 낮출 수 있다고 생각된다.
또한, 상술한 수지 부착 금속박에서, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, 상기(A) 성분이 10질량부 이상, 40질량부 이하인 것이 바람직하다. 그것에 의해, 금속 클래드 적층판의 유전 특성과 내열성을 양립할 수 있고, 또한 적층판이 저탄성을 나타내기 때문에, 기판의 휨을 저감할 수 있다고 생각된다.
상술한 수지 부착 금속박에서, 수지 조성물이 무기 충전제인 (D) 성분을 더 함유하고 있어도 좋다. 그 경우, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, (D) 성분이 0질량부 이상, 300질량부 이하인 것이 바람직하다. 그것에 의해, 보다 낮은 유전 손실률을 달성할 수 있다고 생각된다.
또한, 본 개시의 다른 일 형태에 따른 금속 클래드 적층판은 상기 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 개시의 다른 일 형태에 따른 배선판은 상술한 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물과, 그 표면에 회로로서의 도체 패턴을 가지는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 기판의 휨의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 고내열성 및 우수한 유전 특성을 가지는 금속 클래드 적층판 및 배선판을 제공할 수 있다.
이하에, 실시예에 의해 본 개시를 더 구체적으로 설명하지만, 본 개시의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
우선, 본 실시예에서, 수지 조성물을 조제할 때에 이용한 각 성분에 대해 설명한다.
(A성분·고분자량체)
· 고분자량체 1: 아크릴 고무, 나가세 켐텍스사 제품 「SG-P3」(식 중, R1이 수소 원자, R2가 부틸기, 에틸기. 에폭시가 0.2eq/㎏, Mw85만)
· 고분자량체 2: 아크릴 고무, 나가세 켐텍스사 제품 「SG-P3LC improve 24」(식 중, R1은 수소 원자와 메틸기, R2로서 메틸기, 부틸기, 에틸기를 가진다. 에폭시가 0.2eq/㎏, Mw65만)
· 고분자량체 3: 아크릴 고무, 나가세 켐텍스사 제품 「SG-P3 improve 179」(식 중, R1은 수소 원자, R2로서 부틸기, 에틸기를 가진다. 에폭시가 0.7eq/㎏, Mw85만)
· 고분자량체 4: 아크릴 고무, 나가세 켐텍스사 제품 「SG-P3 improve 225」(식 중, R1은 수소 원자, 메틸기, R2로서 메틸기, 에틸기를 가진다. 에폭시가 0.2eq/㎏, Mw65만)
· 고분자량체 5: 아크릴 고무, 나가세 켐텍스사 제품 「PMS-12-82」(식 중, R1은 수소 원자, 메틸기, R2로서 부틸기, 에틸기를 가진다. 에폭시가 0.2eq/㎏, Mw50만)
(B성분·PAE)
· PAE1: SABIC 이노베이티브 플라스틱사 제품의 SA90(중량 평균 분자량 1500, 수산기: 1.9개, 말단 수산기 농도: 1270㎛ol/g)
· PAE2: 폴리알릴렌 에테르 공중합체(국제 공개 제2007/067669호에 기재된 방법으로 합성한 폴리페닐렌 에테르, 중량 평균 분자량 800, 수산기: 1.8개, 말단 수산기 농도: 2250㎛ol/g)
· PAE3: SABIC 이노베이티브 플라스틱사 제품의 SA120(중량 평균 분자량 2500, 수산기: 1.2개, 말단 수산기 농도: 400㎛ol/g)
(C성분·에폭시 수지)
· 에폭시 수지 1: 올리고머형 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제품 「HP9500」)
· 에폭시 수지 2: 올리고머형 다이사이클로펜타디엔형 에폭시 수지: DIC사 제품 「HP7200H」
· 에폭시 수지 3: 올리고머형 크레졸노볼락형 에폭시 수지: DIC사 제품 「N680」
· 에폭시 수지 4: 올리고머형 트리페닐메탄형 에폭시 수지: 일본 화약 제품 「EPPN-502 H」
· 에폭시 수지 5: 모노머형 트리페닐메탄형 에폭시 수지: 프린텍 제품 「VG3101」
(D성분·무기 충전재)
· 구상 실리카 1: 헥실트리메톡시실란(hexyltrimethoxysilane)(신에츠 화학 공업 주식회사 제품 「KBM3063」)으로 표면 처리된 구상 실리카 SC2500-GFL(주식회사 아드마텍스 제품)(경화 촉진제)
· 2E4MZ: 2-에틸-4-이미다졸(시코쿠 화성 공업 주식회사 제품)
· 옥탄산아연: DIC 주식회사 제품 「Zn-OCTOATE」
[실시예 1]
(수지 부착 금속박)
우선, 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)와 톨루엔을 혼합시키고, 그 혼합액을 80℃로 될 때까지 가열하는 것에 의해, 폴리알릴렌 에테르 공중합체를 톨루엔에 용해시키고, 폴리알릴렌 에테르 공중합체의 50질량% 톨루엔 용액을 얻었다. 그 후, 그 폴리알릴렌 에테르 공중합체의 톨루엔 용액에, 표 1에 기재된 배합 비율로 되도록, 에폭시 수지 및 고분자량체를 첨가한 후, 30분간 교반하는 것에 의해, 완전히 용해시켰다. 그리고, 경화 촉진제나 무기 충전재를 더 첨가하고, 볼 밀로 분산시키는 것에 의해, 바니시 형상의 수지 조성물(수지 바니시)이 얻어졌다. 얻어진 바니시를 이용하여, 수지 부착 금속박을 제작하고, 그 후의 평가에 이용하였다.
수지 부착 금속박으로는, 구리박으로서, 12㎛의 구리박(미츠이 금속 광업사 제품의 3EC III)을 이용하였다. 그리고, 상기의 수지 바니시를 구리박 상에 경화 후의 두께가 30 및 100㎛로 되도록 도포하고, 이것을 반경화 상태로 될 때까지 130℃에서 6분간 가열 건조하는 것에 의해 수지 부착 금속박을 얻었다.
(금속 클래드 적층판)
· 유리 전이 온도(Tg), 열팽창율(CTE), 내열성, 탄성률 및 CCL의 구리박을 에칭한 후의 외관 평가용 샘플
상기에서 작성한, 수지층의 두께가 30㎛인 수지 부착 금속박의 수지면에 두께 12㎛의 구리박(미츠이 금속 광업사 제품의 3EC III)을 배치하여 피압체로 하고, 온도 200℃, 압력 30㎏/㎠의 조건에서 90분 가열·가압하여 양면에 구리박이 접착된 두께가 30㎛인 구리 클래드 적층판(cupper-clad laminate)을 얻었다.
· 유전 특성(유전율 및 유전 손실률) 평가용 샘플
상기에서 작성한, 수지층의 두께가 100㎛인 수지 부착 금속박의 수지면에 두께 12㎛의 구리박(미츠이 금속 광업사 제품의 3EC III)을 배치하여 피압체로 하고, 온도 200℃, 압력 30㎏/㎠의 조건에서 90분 가열·가압하여 양면에 구리박이 접착된 구리 클래드 적층판을 얻었다. 또한, 이 구리박 적층판의 구리박을 제거한 것의 상하의 양면에 또 수지 부착 금속박을 수지면이 내측으로 되도록 배치해서 피압체로 하고, 온도 200℃, 압력 30㎏/㎠의 조건에서 90분 가열·가압하여 양면에 구리박이 접착된 구리 클래드 적층판을 얻었다. 이 가열 가압 성형과 구리박 제거를 4회 거듭함으로써, 두께가 900㎛인 구리 클래드 적층판을 얻었다.
[실시예 2~11 및 비교예 1~3]
수지 조성물의 배합을 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 부착 금속 및 구리 클래드 적층판을 얻었다.
상기와 같이 해서 얻어진 각각의 수지 부착 금속 및 구리 클래드 적층판을 평가용 샘플로서 이용하여, 이하에 나타내는 방법에 의해 각 평가 시험을 행하였다.
〔평가〕
(상용성(相溶性))
상용성에 대해서는, 2종류의 성분에 대해 50:50 혼합 용액을 이용하여 용매 캐스트법에 의해 제작되는 필름을 육안으로 확인하고, 투명한 경우 ○, 불투명한 경우 ×로 판정하였다. 구체적으로는 이하의 필름을 이용하여 평가하였다.
· 상용성 A/B:
A 성분의 20% 메틸 에틸 케톤(MEK) 용액과 B 성분의 20% 톨루엔 용액을 조정하여, 각각 50:50의 고형분 비율의 혼합 용액을 조정하고, 혼합 용액을 유리 플레이트 상에 캐스트(cast)한 후, 130℃에서 5분 건조하여 용매를 휘발한 후, 필름을 제작하였다.
· 상용성 A/C:
A 성분의 20% 메틸 에틸 케톤(MEK) 용액과 C 성분의 20% MEK 용액을 조정하여, 각각 50:50의 고형분 비율의 혼합 용액을 조정하고, 혼합 용액을 유리 플레이트 상에 캐스트한 후, 130℃에서 5분 건조하여 용매를 휘발한 후, 필름을 제작하였다.
(유리 전이 온도(Tg))
상기의 구리박 적층판의 구리박을 제거한 것을 시료로 하고, 시차 주사 열량 측정(DSC; differential scanning calorimetry)에 의해, IPC-TM-650-2.4.25에 근거하여, 승온 속도 20℃/분의 조건에서 측정하였다.
(열팽창율(CTE))
상기의 구리박 적층판의 구리박을 제거한 것을 시료로 하고, 수지 경화물의 유리 전이 온도 미만의 온도에서의, 면 방향의 열팽창 계수를, JIS C 6481에 따라 TMA법(Thermo-mechanical analysis)에 의해 측정하였다. 측정에는, TMA 장치(에스아이아이·나노테크놀로지 주식회사 제품 「TMA6000」)를 이용하였다.
(내열성)
JIS C 6481의 규격에 준하여, 소정의 크기로 자른 구리 클래드 적층판을 270℃, 280℃ 및 290℃로 설정한 항온조에 1시간 방치한 후, 취출하였다. 그리고 290℃ 처리된 시험편을 육안으로 관찰해 기포(blister)가 발생하지 않았을 때를 ◎, 280℃에서 기포가 발생하지 않았을 때를 ○, 270℃에서 기포가 발생하지 않았을 때를 △, 270℃에서 기포가 발생했을 때를 ×로서 평가하였다.
(탄성률)
상기의 구리박 적층판의 구리박을 제거한 것을 시료로 하고, 동적 점탄성 측정(DMA)에 의해, 탄성률(25℃)을 측정하였다. 측정에는, 동적 점탄성 측정 장치(에스아이아이·나노테크놀로지 주식회사 제품 「DMS6100」)를 이용하여 인장 모듈로 5℃/분의 승온 조건에서 측정하였다.
(휨량)
우선, 파나소닉 주식회사 제품의 R-A555의 구리박 적층판(절연층 두께: 60㎛, 구리박: 12㎛(미츠이 금속 광업사 제품 3EC III))을 준비하고, 이 상하의 양면에 상기의 수지 부착 금속박을, 수지면이 구리박 적층판측으로 되도록 나열하여 4매씩 겹치고, 온도 200℃, 압력 30㎏/㎠의 조건에서 90분 가열·가압하여 각 층의 전면(全面)에 구리박이 존재하는 의사(pseudo) 10층판을 얻었다. 이 10층판을 접어서 평가용의 기판으로서 이용하였다.
다음에 상기의 기판에 대해, 휨 측정 장치(AKROMETRIX사 제품 「THERMOIRE PS200」)를 이용하여 쉐도우 모아레 측정 이론(shadow moire measurement thechique)에 근거하여 휨을 측정하였다. 기판의 휨량은, 상기의 기판을 25℃로부터 260℃까지 가열하고, 그 후 25℃까지 냉각했을 때의 휨량의 최대치와 최소치의 차이로서 구하였다.
(유전 특성(유전율 및 유전 손실률))
1㎓에서의 평가 기판의 유전율 및 유전 손실률을 IPC-TM650-2.5.5.9에 근거하여 측정하였다. 구체적으로는, 임피던스·애널라이저(impedance analyzer)(애질런트 테크놀로지 주식회사 제품 HP4291B)를 이용하여 1㎓에서의 평가 기판의 유전율 및 유전 손실률을 측정하였다.
(CCL의 구리박을 에칭한 후의 외관)
상기의 구리박 적층판의 구리박을 에칭하여 제거한 적층판을 육안으로 관찰하여, 보이드(void)나 블러(blur)를 확인하는 것에 의해 평가하였다.
○: 보이드나 블러가 없음
×: 300x300㎜의 적층판 표면에, 보이드나 블러, 수지의 블리딩(bleeding)이 보임
이상의 결과를 하기 표 1에 정리한다. 또, 표 중의 각 성분의 수치는 질량부를 나타낸다.
Figure pct00004
이상로부터, 본 개시의 수지 부착 금속박을 이용하는 것에 의해, 휨의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 또한 우수한 내열성이나 유전 특성을 가지는 금속 클래드 적층판이 얻어진다는 것을 알 수 있었다.
이에 비해, A 성분을 함유하지 않는 비교예 1의 수지 부착 금속박에서는, 탄성률이 커지고, 또한 CTE가 커져, 휨이 커져 버렸다. 또한, A 성분과 B 성분이 상용되고 있지 않는 비교예 2의 수지 부착 금속박을 이용한 경우는, 외관이 악화되고, 내열성도 더 열화되어 있었다. 또, A 성분과 C 성분이 상용되고 있는 비교예 3의 수지 부착 금속박을 이용한 경우는, 경화 후의 상 분리도 일어나기 어려워지고, Tg가 저하하고, 또한 적층판의 탄성률이 향상하여 기판의 휨이 악화되어 버렸다.
또, 고분자량체의 분자량이 큰 실시예 1의 샘플에서는, 실시예 1~4 중에서, 유전 특성을 유지하면서, 적층판이 저탄성이고 또한 저CTE에서 기판의 휨이 좋고, 내열성도 높다고 하는 결과가 나타났다. 또한, 실시예 10은, 유전 특성은 조금 떨어져도, 보다 저탄성이고 또한 저CTE로 기판의 휨이 좋고, 내열성이 높다고 하는 결과가 되었다. D 성분으로서 무기 충전제를 첨가한 실시예 12~13에서는, 높은 내열성과 우수한 유전 특성을 나타냈다.
(산업상의 이용 가능성)
본 개시의 수지 부착 금속박, 및 그것을 이용한 금속 클래드 적층판 및 배선판은 고집적화, 및 고밀도화하는 각종 전자 기기에 이용되는 배선판 등에서 유용하다.
1: 수지 부착 금속박
2: 수지층
3: 금속박
11: 금속 클래드 적층판
12: 수지층의 경화물
14: 도체 패턴
21: 배선판

Claims (10)

  1. 금속박 상에, 수지 조성물을 반경화시킨 수지층을 구비하는 수지 부착 금속박(metal foil with resin)으로서,
    상기 수지 조성물은, 고분자량체인 (A) 성분, 폴리알릴렌 에테르 공중합체(PAE)인 (B) 성분, 및 에폭시 수지인(C) 성분을 함유하고,
    (A) 성분은 하기 식 (1) 및 식 (2)에서 표기되는 구조를 갖고, 탄소 원자간에 불포화 결합을 갖지 않고, 에폭시가가 0.2eq/㎏ 이상, 0.8eq/㎏ 이하이고, 중량 평균 분자량이 20만 이상, 100만 이하이고,
    (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 갖고,
    상기 (B) 성분은 상기 (A) 성분과 상용(相溶)되고, 또한
    상기 (C) 성분은 상기 (A) 성분과 상용되지 않는 에폭시 수지인
    수지 부착 금속박.
    [화학식 1]
    Figure pct00005

    (식 (1) 및 식 (2) 중,
    x와 y의 비는 x:y=0:1~0.35:0.65이고,
    R1은 H 또는 CH3이고,
    R2는 H 또는 알킬기이다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (B) 성분은 중량 평균 분자량이 500 이상, 2000 이하인 폴리알릴렌 에테르 공중합체인
    수지 부착 금속박.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B) 성분은 분자 말단에 페놀성 수산기를 1분자당 평균 1.5개 이상, 3개 이하 가지는 폴리알릴렌 에테르 공중합체인
    수지 부착 금속박.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 성분은 2, 6-다이메틸 페놀과 2관능 페놀 및 3관능 페놀 중 적어도 어느 한쪽으로 이루어지는
    수지 부착 금속박.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 성분은 1분자 중에 에폭시기 2개 이상을 가지는 올리고머형의 에폭시 수지이고, (A) 성분과 상용되지 않는
    수지 부착 금속박.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 상기 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, 상기 (A) 성분은 10질량부 이상, 40질량부 이하인
    수지 부착 금속박.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 무기 충전제인 (D) 성분을 더 함유하는
    수지 부착 금속박.

  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 상기 (C) 성분의 합계를 100질량부로 한 경우, 상기 (D) 성분은 0질량부 이상, 300질량부 이하인
    수지 부착 금속박.
  9. 청구항 1~8 중 어느 한 항에 기재된 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물을 포함하는
    금속 클래드 적층판(metal-clad laminate).
  10. 청구항 1~8 중 어느 한 항에 기재된 수지 부착 금속박의 수지층의 경화물과, 그 표면에 회로로서의 도체 패턴을 가지는
    배선판.
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