KR20170133578A - 발광 제어 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

발광 제어 구동부는 복수의 스테이지들을 포함한다. 각 스테이지는 개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성하는 제 1 회로부, 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하는 제 2 회로부, 제 2 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성하는 제 3 회로부, 제 1 출력 노드에 공급되는 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 1 출력 트랜지스터 및 제 2 출력 노드에 공급되는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 2 출력 트랜지스터를 포함하고, 제 2 회로부는 상기 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시킨다.

Description

발광 제어 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 {EMISSION CONTROLLING DRIVER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 발광 제어 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display; FED), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등이 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 유망한 차세대 표시 장치로 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 화소에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부, 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부, 화소에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부 및 스캔 구동부, 데이터 구동부 및 발광 제어 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 이 때, 발광 제어 구동부는 화소에 공급되는 발광 제어 신호의 폭을 제어하여 표시 패널의 휘도를 제어할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 구동부를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 구동부를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 제어 구동부는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 상기 스테이지 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성하는 제 1 회로부, 상기 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하는 제 2 회로부, 상기 제 2 제어 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성하는 제 3 회로부, 제 1 출력 노드에 공급되는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 1 출력 트랜지스터 및 제 2 출력 노드에 공급되는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 2 출력 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 회로부는 상기 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 회로부는 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 노드의 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 제 2 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 노드의 전압이 제 1 제어 신호로써 상기 제 2 회로부에 공급되고, 상기 제 2 노드의 전압이 제 2 제어 신호로써 상기 제 3 회로부에 공급될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터 및 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 4 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터를 더 포함 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 3 회로부는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터, 제 2 노드와 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터, 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 5 노드와 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 클럭 신호와 상기 제 2 클럭 신호는 동일한 주기를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널, 상기 화소들에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부, 상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부, 상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 스테이지들을 포함하는 발광 제어 구동부 및 상기 스캔 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 발광 제어 구동부를 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 상기 스테이지 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성하는 제 1 회로부, 상기 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하는 제 2 회로부, 상기 제 2 제어 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성하는 제 3 회로부, 제 1 출력 노드에 공급되는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 1 출력 트랜지스터 및 제 2 출력 노드에 공급되는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 2 출력 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 회로부는 상기 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 회로부는 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 노드의 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 제 2 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 노드의 전압이 제 1 제어 신호로써 상기 제 2 회로부에 공급되고, 상기 제 2 노드의 전압이 제 2 제어 신호로써 상기 제 3 회로부에 공급될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터 및 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 2 회로부는 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 4 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터를 더 포함 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 3 회로부는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터, 제 2 노드와 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터, 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 5 노드와 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 클럭 신호와 상기 제 2 클럭 신호는 동일한 주기를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 제어 구동부 및 이를 포함하는 표시장치는 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지에서 발생하는 커플링 현상을 개선함으로써, 발광 제어 신호에 의해 발생하는 구동 불량을 개선할 수 있다. 다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 제어 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 2의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 6의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 제어 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 발광 제어 구동부(100)는 복수의 스테이지들(120, 140, 160)을 포함할 수 있다. 각각의 스테이지들(120, 140, 160)은 종속적으로 연결되어 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)을 순차적으로 출력할 수 있다. 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)은 표시 패널의 화소들에 공급될 수 있다.
스테이지들(120, 140, 160) 각각은 개시 신호 공급 라인(L1)을 통해 개시 신호(FLM)를 공급받을 수 있다. 스테이지들(120, 140, 160) 각각은 제 1 클럭 신호 공급 라인(L2)을 통해 제 1 클럭 신호(CLK1)를 공급받고, 제 2 클럭 신호 공급 라인(L3)을 통해 제 2 클럭 신호(CLK2)를 공급받을 수 있다. 또한, 각각의 스테이지들은 캐리 신호 공급 라인(L4)들을 통해 이전 스테이지로부터 캐리 신호(CARRY)를 공급받을 수 있다. 도 1에는 도시하지 않았지만, 스테이지들(120, 140, 160) 각각은 제 1 전압 공급 라인을 통해 제 1 전압(VGL)을 공급받고, 제 2 전압 공급 라인을 통해 제 2 전압(VGH)을 공급받을 수 있다. 이 때, 제 1 전압(VGL)은 로우 레벨을 갖는 전압이고, 제 2 전압(VGH)은 하이 레벨을 갖는 전압일 수 있다.
제 1 스테이지(120)는 타이밍 제어부에서 공급되는 개시 신호(FLM), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 1 발광 제어 신호(EM1)를 생성할 수 있다. 제 1 스테이지(120)에서 생성되는 제 1 발광 제어 신호(EM)들은 제 1 발광 제어 라인(EML1)을 통해 제 1 발광 제어 라인(EML1)과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 또한, 제 1 스테이지(120)는 제 1 캐리 신호(CARRY1)를 생성하여 제 2 스테이지(140)에 공급할 수 있다.
제 2 스테이지(140)는 제 1 스테이지(120)에서 공급되는 제 1 캐리 신호(CARRY), 타이밍 제어부에서 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 2 발광 제어 신호(EM2)를 생성할 수 있다. 제 2 스테이지(140)에서 생성되는 제 2 발광 제어 신호(EM2)들은 제 2 발광 제어 라인(EML2)을 통해 제 2 발광 제어 라인(EML2)과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 또한, 제 2 스테이지(140)는 제 2 캐리 신호(CARRY2)를 생성하여 제 2 스테이지(160)에 공급할 수 있다.
제 2 스테이지(160)는 제 2 스테이지(140)에서 공급되는 제 2 캐리 신호(CARRY), 타이밍 제어부에서 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 3 발광 제어 신호(EM3)를 생성할 수 있다. 제 2 스테이지(160)에서 생성되는 제 3 발광 제어 신호(EM3)들은 제 3 발광 제어 라인(EML3)을 통해 제 3 발광 제어 라인(EML3)과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 또한, 제 2 스테이지(160)는 제 3 캐리 신호(CARRY3)를 생성하여 제 4 스테이지에 공급할 수 있다.
이와 같이, 발광 제어 구동부(100)의 스테이지들은 종속적으로 연결되어 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)들을 순차적으로 출력할 수 있다. 제 1 스테이지(120)는 개시 신호(FLM), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 1 발광 제어 신호(EM1)를 생성하고, 제 n 스테이지는 제 (n-1) 캐리 신호(CARRY1), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 n 발광 제어 신호(EMn)를 생성할 수 있다. (단, n은 2 이상의 자연수)
도 2는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 일 예를 나타내는 회로도이고, 도 3은 도 2의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 2를 참조하면, 스테이지(200)는 제 1 회로부(220), 제 2 회로부(240), 제 3 회로부(260), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)를 포함할 수 있다.
제 1 회로부(220)는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY[N-1]) 및 제 1 클럭 신호(CLK1)에 기초하여 제 1 제어 신호(SC1) 및 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 1 제어 신호(SC1) 및 제 2 제어 신호(SC2)는 스위칭 트랜지스터의 동작을 제어하기 위한 로우 레벨의 전압 또는 하이 레벨의 전압을 가질 수 있다. 스테이지(200)가 도 1의 제 1 스테이지(120)인 경우, 제 1 회로부(220)에는 개시 신호(FLM)가 공급되고, 상기 스테이지(200)가 도 1의 제 n 스테이지(140, 160)인 경우, 제 1 회로부(220)에는 제 (n-1) 캐리 신호(CARRY)가 공급될 수 있다.
제 1 회로부(220)는 제 1 스위칭 트랜지스터(M1), 제 2 스위칭 트랜지스터(M2) 및 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)를 포함할 수 있다.
제 1 스위칭 트랜지스터(M1)는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)는 제 1 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되는 경우, 개시 신호 공급 라인을 통해 공급되는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호 공급 라인을 통해 공급되는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)로 공급될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 1 전극 및 제 1 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되는 경우, 제 1 클럭 신호 공급 라인을 통해 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 노드(N2)와 제 1 전압 공급 라인 사이에 연결될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)는 제 1 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 1 전극 및 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온되는 경우, 제 1 전압 공급 라인을 통해 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 제 1 회로부(220)의 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로써 제 1 회로부(240)로 공급되고, 제 1 회로부(220)의 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로써 제 3 회로부(260)로 공급될 수 있다.
제 2 회로부(240)는 제 1 제어 신호(SC1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2) 에 기초하여 제 1 제어 신호(SC1)의 전압 레벨을 제어할 수 있다. 제 2 회로부(240)는 제 4 스위칭 트랜지스터(M4) 및 제 1 커패시터(C1)를 포함할 수 있다.
제 4 스위칭 트랜지스터(M4)는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되는 경우, 제 2 클럭 신호 공급 라인을 통해 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)와 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 1 전극 및 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 커패시터(C1)가 전하를 충전 또는 방전함으로써, 제 1 제어 신호(SC1)의 전압 레벨이 제어될 수 있다.
제 3 회로부(260)는 제 2 제어 신호(SC2) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 3 제어 신호(SC3)는 스위칭 트랜지스터의 동작을 제어하기 위한 로우 레벨의 전압 또는 하이 레벨의 전압을 가질 수 있다. 제 3 회로부(260)는 제 5 스위칭 트랜지스터(M5), 제 2 커패시터(C2), 제 6 스위칭 트랜지스터(M6), 제 7 스위칭 트랜지스터(M7) 및 제 3커패시터(C3)를 포함할 수 있다.
제 5 스위칭 트랜지스터(M5)는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드(N5)와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 5 노드(N5)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되는 경우, 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 제 5 노드(N5) 사이에 연결될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 제1 전극 및 제 5 노드(N5)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드(N2)와 제 2 출력 노드(QB) 사이에 연결될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 제 2 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 5 노드(N5)와 연결되는 제 1 전극 및 제 2 출력 노드(QB)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되는 경우, 제 5 노드(N5)의 전압이 제 2 출력 노드(QB)로 공급될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드(N5)와 제 2 출력 노드(QB) 사이에 연결될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 1 출력 노드(Q)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 2 출력 노드(QB)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되는 경우, 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 제 3 커패시터(C3)는 제 2 전압 공급 라인과 제 2 출력 노드(QB) 사이에 연결될 수 있다. 제 3 커패시터(C3)는 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 2 출력 노드(QB)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다.
제1 출력 트랜지스터(MO1)는 제 1 출력 노드(Q)에 공급되는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 1 전압(VGL)을 발광 제어 신호(EM)로 출력할 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터(MO1)는 제 1 출력 노드(Q)와 연결되는 게이트 전극, 발광 제어 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다.
제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 제 2 출력 노드(QB)에 공급되는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 2 전압(VGH)을 발광 제어 신호(EM)로 출력할 수 있다. 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 제 2 출력 노드(QB)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 발광 제어 신호 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다.
제 2 회로부(240)는 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프되는 동안 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시킬 수 있다. 구체적으로, 제 2 회로부(240)의 제 1 커패시터(C1)는 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되는 동안 제 1 노드(N1)의 전압을 제 3 노드(N3)의 전압과 커플링시키고, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프되는 동안 제 1 출력 노드(Q)의 전압을 유지시킬 수 있다. 제 2 회로부(240)를 포함하는 스테이지(200)의 동작에 대해서는 도 3을 참조하여 후술하도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 피모스(P-channel Metal Oxide-Semiconductor; PMOS) 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 로우 레벨(예를 들어, VGL)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다. 도 2에는 피모스 트랜지스터들로 구현된 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)를 도시하였으나, 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 엔모스(N-channel Metal Oxide-Semiconductor; NMOS) 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제 7 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M7), 제 1 출력 트랜지스터(MO1) 및 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 하이 레벨(예를 들어, VGH)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제 1 클럭 신호(CLK1)와 제 2 클럭 신호(CLK2)는 동일한 주기를 가질 수 있다. 제 2 클럭 신호(CLK2)는 제 1 클럭 신호(CLK1)보다 기 설정된 주기만큼 쉬프트되어 입력될 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다. 이 때, 제 1 로우 레벨(LV1)은 스위칭 트랜지스터를 턴온시키는 전압 레벨일 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 제 1 회로부(220)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 제2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 1 기간(P1)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되면, 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)의 제 1 전극에 공급되는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)의 제 2 전극에 연결되는 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)에 인가될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되면, 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 노드(N1)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다. 한편, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온되면, 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 제 2 회로부(240)의 제 1 커패시터(C1)가 충전될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1) 제 1 기간(P1)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 2 전극과 연결되는 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 3 노드(N3)에 인가될 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)와 제 3 노드(N3)의 전압 차, 즉, 제1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)와 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)의 전압 차를 저장할 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 1 기간(P1)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 2 전극에 연결되는 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제5 노드(N5)에 인가될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 제 5 노드(N5)의 전압 차, 즉, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)와 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)의 전압 차를 저장할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴오프될 수 있다. 제 1 기간(P1)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온될 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되면, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 전압(VGL)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다. 한편, 제 1 기간(P1)에서 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 제 1 회로부(220)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 2 기간(P2)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)을 유지할 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1))에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되면, 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다. 한편, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 제 2 회로부(240)의 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)의 전압을 유지시킬 수 있다. 제 2 기간(P2)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 2 전극과 연결되는 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 3 노드(N3)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 충전된 전압에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)을 유지할 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 2 기간(P2)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴오프될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴오프될 수 있다. 제 2 기간(P2)에서 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온될 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되면, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 전압(VGL)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다. 한편, 제 2 기간(P2)에서 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 제 1 회로부(220)는 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 이 때, 제 2 로우 레벨(LV2)은 제 1 로우 레벨(LV1)보다 낮은 전압 레벨일 수 있다. 제 3 기간(P3)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1) 및 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)을 유지할 수 있다. 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1))에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되면, 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 제 2 회로부(240)의 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)의 전압을 커플링(coupling)시킬 수 있다. 제 2 로우 레벨(LV2)제 3 기간(P3)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 2 전극과 연결되는 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 3 노드(N3)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 3 노드(N3)에 제 1 로우 레벨(LV1)의 전압이 인가되므로 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 커플링될 수 있다. 즉, 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 커패시터(C1)에 충전된 전압만큼 하강하여 제 1 노드(N1)의 전압이 제 2 로우 레벨(LV2)로 변경될 수 있다. 따라서, 제 1 제어 신호(SC1)는 제 2 회로부(260)에 의해 전압 레벨이 변경될 수 있다. 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)는 제 1 출력 노드(Q)로 공급됨으로써, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)를 안정적으로 구동시킬 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 3 기간(P3)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴오프될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 클럭 신호 CLK2)에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 5 노드(N5)의 전압이 유지되므로, 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되면 하이 레벨(HV)을 갖는 제 5 노드(N5)의 전압이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 제 3 기간(P3)에서 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 제7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 1 출력 트랜지스터(M01)가 턴온될 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되면, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 전압(VGL)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다. 한편, 제 3 기간(P3)에서 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(H)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 제 1 회로부(220)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 4 기간(P4)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1) 및 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 제 2 로우 레벨(LV2)로 유지될 수 있다. 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 수 있다. 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되면, 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 제 2 회로부(240)의 제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)의 전압을 커플링(coupling)시킬 수 있다. 제 4 기간(P4)에서 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)의 제 2 전극과 연결되는 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 3 노드(N3)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 3 노드(N3)에 하이 레벨(HV)의 전압이 인가되므로 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 커플링될 수 있다. 즉, 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 커패시터(C1)에 충전된 전압만큼 상승하여 제 1 노드(N1)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)로 변경될 수 있다. 따라서, 제 1 제어 신호(SC1)는 제 2 회로부(260)에 의해 전압 레벨이 변경될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)는 제 1 출력 노드(Q)로 공급될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 3 기간(P3)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴오프될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴오프될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)의 제 2 전극과 연결되는 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제1 출력 트랜지스터(M01)가 턴온될 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되면, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 1 출력 트랜지스터(MO1)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 전압(VGL)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다. 한편, 제 4 기간(P4)에서 제 2 출력 트랜지스터(MO2)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨(HV)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY[N-1]), 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 제 1 회로부(220)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 로우 레벨을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 5 기간(P5)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되면, 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)의 제 1 전극에 공급되는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)의 제 2 전극에 연결되는 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)에 인가될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴오프될 수 있다. 한편, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온되면, 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)의 제 2 전극에 공급되는 제 1 전압(VGL)이 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)의 제 1 전극에 연결되는 제 2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 노드(N1)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다.
제 5 기간(P1)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제2 회로부(240)의 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴오프될 수 있다. 따라서, 제 3 노드(N3)에 전압이 인가되지 않을 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 5 기간(P5)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 2 전극에 연결되는 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 노드(N5)에 인가될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 제 5 노드(N5)의 전압 차, 즉, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)와 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)의 전압 차를 저장할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴오프될 수 있다. 제 5 기간(P5)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 2 전압(VGH)이 제 3 커패시터(C3)를 통해 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프될 수 있다. 또한, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴오프될 수 있다. 제 5 기간(P5) 동안 발광 제어 라인을 통해 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 발광 제어 신호(EM)가 출력될 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨(HV)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 제 1 회로부(220)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 제1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 6 기간(P6)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)로 유지될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로 출력될 수 있다.
하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1) 전압(즉, 제1 제어 신호(SC1))에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴오프될 수 있다. 또한, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)로 유지될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다.
제6 기간(P6)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제2 회로부(240)의 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)을 유지할 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 제 3 회로부(260)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 6 기간(P6)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 2 전극에 연결되는 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 노드(N5)에 인가될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 제 5 노드(N5)의 전압 차, 즉, 제1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)와 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)의 전압 차를 저장할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴오프될 수 있다. 제 6 기간(P6)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 2 전압(VGH)이 제 3 커패시터(C3)를 통해 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프될 수 있다. 또한, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴오프될 수 있다. 따라서, 제 6 기간(P6) 동안 발광 제어 라인을 통해 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 발광 제어 신호(EM)가 출력될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨(HV)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 로우 레벨(L)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 제 1 회로부(220)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 7 기간(P7)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)을 유지할 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로 출력될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1) 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1))에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴오프될 수 있다. 또한, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 1 로우 레벨(LV1)로 유지될 수 있다. 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 제어 신호(SC2)로 출력될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 2 회로부(240)의 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)을 유지할 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 제 3 회로부(260)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 7 기간(P7)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 2 전극에 연결되는 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 따라서, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 노드(N5)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 5 노드(N5)에 제 1 로우 레벨(LV1)의 전압이 인가되므로 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 커플링될 수 있다. 즉, 제 2 노드(N1)의 전압이 제 2 커패시터(C2)에 충전된 전압만큼 하강하여 제 2 노드(N2)의 전압이 제 2 로우 레벨(LV2)로 변경될 수 있다. 제 7 기간(P7)에서 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되면 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 5 노드(N2)의 전압이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다. 한편, 제 7 기간(P7)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프될 수 있다. 또한, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴온될 수 있다. 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴온되면, 제 2 출력 트랜지스터(MO2)의 제 2 전극에서 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 트랜지스터(MO2)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 발광 제어 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨(HV)을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 8 기간(P2)에서 제 1 회로부(220)는 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1) 및 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)를 생성할 수 있다. 제 8 기간(P8)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)을 유지할 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압은 제 1 제어 신호(SC1)로서 제 1 출력 노드(Q)에 공급될 수 있다. 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 제어 신호(SC1))에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴오프될 수 있다. 또한, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴오프될 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제2 회로부(240)의 제 4 스위칭 트랜지스터가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압이 하이 레벨(HV)을 유지할 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 제 3 회로부(260)는 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)를 생성할 수 있다. 제 8 기간(P8)에서 제 2 로우 레벨(LV2)을 갖는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 1 전극에 공급되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)의 제 2 전극에 연결되는 제 5 노드(N5)에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제5 노드(N5)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 5 노드(N5)에 하이 레벨(HV)의 전압이 인가되므로 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 커플링될 수 있다. 즉, 제 2 노드(N1)의 전압이 제 2 커패시터(C2)에 충전된 전압만큼 상승하여 제 2 노드(N2)의 전압이 제 1 로우 레벨(LV1)로 변경될 수 있다. 제 8 기간(P8)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴오프될 수 있다. 한편, 제 8 기간(P8)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다. 이 때, 제 2 전압(VGH)이 제 3 커패시터(C3)를 통해 제 2 출력 노드(QB)에 인가될 수 있다. 즉, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 제어 신호(SC3)로서 제 2 출력 노드(QB)에 공급될 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 하이 레벨(HV)을 갖는 제 1 제어 신호(SC1)에 응답하여 제1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프될 수 있다. 또한, 제 1 로우 레벨(LV1)을 갖는 제 3 제어 신호(SC3)에 응답하여 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴온될 수 있다. 제 2 출력 트랜지스터(MO2)가 턴온되면, 제 2 출력 트랜지스터(MO2)의 제 2 전극에서 공급되는 제 2 전압(VGH)이 제 2 출력 트랜지스터(MO2)의 제 1 전극과 연결되는 발광 제어 신호 공급 라인에 공급될 수 있다. 따라서, 하이 레벨(HV)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 발광 제어 신호(EM)로 출력될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제 2 회로부(240)는 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴온되는 동안(즉, 제 1 내지4 기간 동안) 제 1 노드(N1)를 제 3 노드(N3)와 커플링시키고, 제 1 출력 트랜지스터(MO1)가 턴오프되는 동안(즉, 제 5 내지 8 기간 동안) 제 1 노드(N1)의 전압을 유지시킴으로서 제 1 제어 신호(SC1)의 전압 레벨을 제어할 수 있다. 따라서, 제 2 회로부(240)를 포함하는 발광 구동 제어부의 스테이지(200)는 제 1 출력 트랜지스터를 안정적으로 구동시킬 수 있다.
도 4는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 발광 제어 구동부의 스테이지(300)는 제 1 회로부(320), 제 2 회로부(340) 및 제 3 회로부(360)를 포함할 수 있다. 도 4의 스테이지(300)의 제 1 회로부(320) 및 제 3 회로부(360)는 도 3의 스테이지(200)의 제 1 회로부(220) 및 제 3 회로부(260)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 도4의 스테이지(300)의 제 2 회로부(340)는 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)를 포함하는 것을 제외하고, 도3의 스테이지(200)의 제 2 회로부(240)와 동일한 구조를 가질 수 있다.
제 8 스위칭 트랜지스터(M8)는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되는 경우, 제 2 전압 공급 라인을 통해 하이 레벨(H)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 즉, 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 제 3 노드(N3)에 하이 레벨(H)의 전압을 안정적으로 공급할 수 있다. 도 4에는 게이트 전극이 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)를 도시하였지만, 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)의 게이트 전극은 제 5 노드(N5) 또는 제 2 출력 노드(QB)와 연결될 수 있다.
도 5는 도 1의 발광 제어 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 발광 제어 구동부의 스테이지(400)는 제 1 회로부(420), 제 2 회로부(440) 및 제 3 회로부(460)를 포함할 수 있다. 도 5의 스테이지(400)의 제 1 회로부(420) 및 제 3 회로부(460)는 도 3의 스테이지(200)의 제 1 회로부(220) 및 제 3 회로부(260)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 도 5의 스테이지(400)의 제 2 회로부(440)는 제 9 스위칭 트랜지스터(M9) 및 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)를 포함하는 것을 제외하고, 도 4의 스테이지(300)의 제 2 회로부(340)와 동일한 구조를 가질 수 있다.
제 9 스위칭 트랜지스터(M9)는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 노드(N1)와 제 4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)는 제 2 클럭 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 4 노드(N4)와 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우 제 4 노드(N4)의 전압이 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다.
제 10 스위칭 트랜지스터(M10)는 제 2 제어 신호(SC2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 4 노드(N4)와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결될 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 4 노드(N4)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)가 턴온되는 경우, 제 2 전압 공급 라인을 통해 하이 레벨(H)을 갖는 제 2 전압(VGH)이 제 4 노드(N4)에 공급될 수 있다. 즉, 제 9 스위칭 트랜지스터(M9) 및 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)가 동시에 턴온되는 경우, 제 1 노드(N1)에 하이 레벨(H)의 전압이 안정적으로 공급될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 7은 도 6의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(500)는 표시 패널(510), 스캔 구동부(520), 데이터 구동부(530), 발광 제어 구동부(540) 및 타이밍 제어부(550)를 포함할 수 있다.
표시 패널(510)은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 표시 패널(510)에는 복수의 데이터 라인(DL)들 및 복수의 스캔 라인(SL)들이 형성되고, 데이터 라인(DL)들과 스캔 라인(SL)들이 교차하는 영역에 복수의 화소들이 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 화소(Px)는 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS), 저장 커패시터(CST), 발광 트랜지스터(TE) 및 유기 발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(TS)는 스캔 라인(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 트랜지스터(TS)가 턴온되면 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)가 저장 커패시터(CST)에 저장될 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 데이터 신호(DATA)에 기초하여 구동 전류를 생성할 수 있다. 발광 트랜지스터(TE)는 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EMIT)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 발광 제어 신호(EMIT)에 응답하여 발광 트랜지스터(TE)가 턴온되면 구동 전류가 유기 발광 다이오드(EL)에 공급될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 피모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 로우 레벨(예를 들어, ELVSS)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다. 도 7에는 피모스 트랜지스터들로 구현된 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)를 도시하였으나, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 엔모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 하이 레벨(예를 들어, ELVDD)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다.
스캔 구동부(520)는 복수의 스캔 라인(SL)들을 통해 화소들에 스캔 신호(SCAN)를 공급할 수 있다. 데이터 구동부(530)는 상기 스캔 신호(SCAN)에 따라 복수의 데이터 라인(DL)들을 통해 화소들에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(550)는 스캔 구동부(520), 데이터 구동부(530) 및 발광 제어 구동부(540)를 제어하는 제어 신호들을 생성할 수 있다.
발광 제어 구동부(540)는 복수의 발광 제어 라인(EML)들을 통해 화소들에 발광 제어 신호(EMIT)를 공급할 수 있다. 발광 제어 구동부(540)는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 각각의 스테이지들은 종속적으로 연결되어 발광 제어 신호(EMIT)들을 순차적으로 출력할 수 있다. 스테이지들 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호를 공급받을 수 있다. 각각의 스테이지들은 제 1 회로부, 제 2 회로부 및 제 3 회로부를 포함할 수 있다. 제 1 회로부는 개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성할 수 있다. 제 2 회로부는 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어할 수 있다. 제 3 회로부는 제 2 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성할 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터는 제 1 출력 노드에 공급되는 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하고, 제 2 출력 트랜지스터는 제 2 출력 노드에 공급되는 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력할 수 있다. 이 때, 제 2 회로부는 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어할 수 있다. 제 2 회로부는 제 1 출력 트랜지스터가 턴온되는 동안 제 1 제어 신호를 커플링시켜 전압 레벨을 제어하고, 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시킬 수 있다. 따라서, 제 1 출력 트랜지스터가 안정적으로 동작할 수 있다. 이와 같이, 발광 제어 구동부(540)의 스테이지들은 발광 제어 신호(EMIT)를 안정적으로 생성하는 제 2 회로부를 포함함으로써, 표시 패널(510)에 발광 제어 신호(EMIT)를 안정적으로 공급할 수 있다.
도 8은 도 6의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 9는 도 8의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 전자 기기(600)는 프로세서(610), 메모리 장치(620), 저장 장치(630), 입출력 장치(640), 파워 서플라이(650) 및 표시 장치(660)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 장치(660)는 도 6의 표시 장치(400)에 상응할 수 있다. 나아가, 전자 기기(600)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 전자 기기(600)는 스마트폰(700)으로 구현될 수 있으나, 전자 기기(600)가 그에 한정되는 것은 아니다.
프로세서(610)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(610)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(610)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 또한, 프로세서(610)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(620)는 전자 기기(600)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(620)는 EPROM, EEPROM, 플래시 메모리, PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 저장 장치(630)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Dist Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.
입출력 장치(640)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 표시 장치(660)는 입출력 장치(640) 내에 구비될 수도 있다. 파워 서플라이(650)는 전자 기기(600)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 표시 장치(660)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 표시 장치(660)는 표시 패널, 스캔 구동부, 데이터 구동부, 발광 제어 구동부 및 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 표시 패널은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 스캔 구동부는 화소들에 스캔 신호를 공급할 수 있다. 데이터 구동부는 스캔 신호에 응답하여 화소들에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 발광 제어 구동부는 화소들에 발광 제어 신호를 공급할 수 있다. 발광 제어 구동부는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 각각의 스테이지는 제 1 회로부, 제 2 회로부 및 제 3 회로부를 포함할 수 있다. 제 1 회로부는 개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성할 수 있다. 제 2 회로부는 제 2 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어할 수 있다. 제 3 회로부는 제 2 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성할 수 있다. 제 1 출력 트랜지스터 및 제 2 출력 트랜지스터는 제 1 제어 신호 및 제 3 제어 신호에 응답하여 발광 제어 신호를 출력할 수 있다. 이 때, 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 커플링 현상을 이용하여 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하고, 제 1 출력 트랜지스터가 턴온되는 동안 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지할 수 있다. 따라서, 제 1 출력 트랜지스터가 안정적으로 구동될 수 있다.
상술한 바와 같이, 전자 기기(600)는 발광 제어 구동부를 포함하는 표시 장치(660)를 포함할 수 있다. 이 때, 발광 제어 구동부의 스테이지들 각각은 제 1 회로부, 제 2 회로부 및 제 3 회로부를 구비함으로써, 발광 제어 신호를 안정적으로 생성할 수 있다.
본 발명은 표시 장치를 구비한 모든 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 디지털 카메라, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 타블렛 PC, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), MP3 플레이어, 네비게이션, 비디오폰 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 발광 제어 구동부 120: 제 1 스테이지
140: 제 2 스테이지 160: 제 3 스테이지
200, 300, 400: 스테이지 500: 표시 장치
600: 전자 기기 700: 스마트폰

Claims (20)

  1. 복수의 스테이지들을 포함하는 발광 제어 구동부에 있어서, 상기 스테이지 각각은
    개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성하는 제 1 회로부;
    상기 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하는 제 2 회로부;
    상기 제 2 제어 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성하는 제 3 회로부;
    제 1 출력 노드에 공급되는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 1 출력 트랜지스터; 및
    제 2 출력 노드에 공급되는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 2 출력 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 회로부는 상기 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시키는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 회로부는
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 노드의 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 제 2 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 노드의 전압이 제 1 제어 신호로써 상기 제 2 회로부에 공급되고,
    상기 제 2 노드의 전압이 제 2 제어 신호로써 상기 제 3 회로부에 공급되는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터; 및
    제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 4 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 회로부는
    상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터;
    제 2 노드와 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터;
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 5 노드와 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 클럭 신호와 상기 제 2 클럭 신호는 동일한 주기를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 제어 구동부.
  11. 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널;
    상기 화소들에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부;
    상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 스테이지들을 포함하는 발광 제어 구동부; 및
    상기 스캔 구동부, 상기 데이터 구동부 및 상기 발광 제어 구동부를 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 스테이지 각각은
    개시 신호 또는 캐리 신호 및 제 1 클럭 신호에 기초하여 제 1 제어 신호 및 제 2 제어 신호를 생성하는 제 1 회로부;
    상기 제 1 제어 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 제어하는 제 2 회로부;
    상기 제 2 제어 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 제어 신호를 생성하는 제 3 회로부;
    제 1 출력 노드에 공급되는 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 제 1 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 1 출력 트랜지스터; 및
    제 2 출력 노드에 공급되는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 제 2 전압을 발광 제어 신호로 출력하는 제 2 출력 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 회로부는 상기 제 1 출력 트랜지스터가 턴오프되는 동안 상기 제 1 제어 신호의 전압 레벨을 유지시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 회로부는
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 노드의 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 제 2 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 노드의 전압이 제 1 제어 신호로써 상기 제 2 회로부에 공급되고,
    상기 제 2 노드의 전압이 제 2 제어 신호로써 상기 제 3 회로부에 공급되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터; 및
    제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 제 8 스위칭 트랜지스터는 상기 제 3 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 회로부는
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 4 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 제 3 회로부는
    상기 제 2 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 5 노드와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터;
    제 2 노드와 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터;
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 5 노드와 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 2 출력 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 클럭 신호와 상기 제 2 클럭 신호는 동일한 주기를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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