KR20170115537A - 유리 기판, 적층 기판 및 유리 기판의 제조 방법 - Google Patents

유리 기판, 적층 기판 및 유리 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 상기 실리콘 기판으로 확산되기 어렵고, 상기 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작은 유리 기판을 제공한다. 본 발명의 유리 기판은, 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이고, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고, 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50/100으로 나눈 값 α200 /300/α50 /100이 1.20 내지 1.30이고, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％이다.

Description

유리 기판, 적층 기판 및 유리 기판의 제조 방법
본 발명은 유리 기판, 적층 기판 및 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
칩 사이즈 패키지(CSP) 등의 이미지 센서는, 실리콘 기판 상에 유리 기판을 첩부하여 보호하는 방식이 알려져 있으며, 열팽창에 의한 신장률을 유리와 접합되는 실리콘 기판의 열팽창에 의한 신장률에 근접시킨 실리콘 다이 시트용 유리가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
또한, 이제까지의 반도체 조립 공정에서는, 웨이퍼 상태의 실리콘 기판과 유리 기판을 각각 절단한 후에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하여, 다이 본딩, 와이어 본딩 및 몰딩 등의 일련의 조립 공정을 행하고 있다. 최근, 원치수의 웨이퍼 상태에서 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하여 조립 공정을 행한 후에 절단을 행하는 웨이퍼 레벨 패키지 기술이 차세대 CSP 기술로서 각광을 받고 있다.
실리콘 기판과 유리 기판을 접합하기 위해서는, 열처리 공정을 필요로 한다. 열처리 공정에서는, 예를 들어 200℃ 내지 400℃의 온도에서 실리콘 기판과 유리 기판을 접합한 적층 기판을 실온까지 강온시킨다. 이때, 실리콘 기판과 유리 기판의 열팽창 계수에 차가 있으면, 열팽창 계수의 차이에 의해 실리콘 기판에 큰 잔류 왜곡(잔류 변형)이 발생하는 원인이 된다.
웨이퍼 레벨 패키지 기술에서는, 웨이퍼 상태에서 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하기 때문에, 종래에는 문제가 되지 않았던 열팽창 계수의 차라도, 실리콘 기판에 잔류 변형을 발생시키기 쉽다. 또한, 열처리 공정에서는, 알칼리 이온이 유리 기판으로부터 실리콘 기판으로 확산되지 않을 것이 요구된다.
일본 특허 제3153710호 공보
특허문헌 1에는, 유리의 열팽창에 의한 신장률 α1과, 유리와 접합되는 실리콘 기재의 열팽창에 의한 신장률 α2의 비율 α1/α2가 0.8 내지 1.2의 범위의 값인 것을 특징으로 하는 실리콘 다이 시트용 유리가 제안되어 있다. 그러나, 특허문헌 1에서 개시되어 있는 실시예의 유리에서는, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 일치성은 불충분하며, 웨이퍼 레벨 패키지 기술에서는 실리콘 기판에 잔류 변형이 발생하기 쉽다.
그래서, 본 발명은 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판으로 확산되기 어렵고, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작은 유리 기판 및 유리 기판의 제조 방법을 제공한다. 또는, 본 발명은 당해 유리 기판을 사용한 적층 기판을 제공한다.
본 발명의 유리 기판은, 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이고,
200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고,
200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50/100으로 나눈 값 α200/300/α50/100이 1.20 내지 1.30이고,
알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층 기판은, 상기 유리 기판과, 실리콘 기판이 적층된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 적층 기판은, 유리 기판과 실리콘 기판이 적층되고, 상기 유리 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50 /100과, 상기 실리콘 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100의 차 Δα50 /100(=α50 /100-αSi50 / 100)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이고,
상기 유리 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300과, 상기 실리콘 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 αSi200 /300의 차 Δα200 /300(=α200 /300-αSi200/300)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이고,
상기 Δα200 /300-상기 Δα50 /100이 -0.16ppm/℃ 내지 0.16ppm/℃이고,
상기 유리 기판의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유리 기판의 제조 방법은,
유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,
상기 용융 유리로부터 기포를 제거하는 청징 공정과,
상기 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
상기 유리 리본을 실온 상태까지 서랭하는 서랭 공정을 포함하고,
산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 얻어지는 유리 기판의 조성이 하기의 조성이고,
SiO2: 50％ 내지 75％,
Al2O3: 6％ 내지 16％,
B2O3: 0％ 내지 15％,
MgO: 0％ 내지 15％,
CaO: 0％ 내지 13％,
SrO: 0％ 내지 11％,
BaO: 0％ 내지 9.5％,
알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％,
상기 얻어지는 유리 기판의 조성과, 상기 서랭 공정에 있어서의 상기 유리 리본의 점도가 1013dㆍPaㆍs로 되는 온도로부터 1014.5dㆍPaㆍs로 되는 온도로 될 때까지의 평균 냉각 속도 R(단위: ℃/분)이, 다음의 조건 (1), 조건 (2), 조건 (3) 및 조건 (4)를 충족하는 유리 기판의 제조 방법.
조건 (1):
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×log10R이 2.70 내지 3.20
조건 (2):
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×log10R이 3.13 내지 3.63
조건 (3):
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×log10R이 3.45 내지 3.95
조건 (4):
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×log10R이 1.20 내지 1.30
여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량, SrO의 함유량 및 BaO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 나타낸 함유량이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한, 유리 기판 및 그의 제조 방법에 있어서의 각 성분의 함유량은 산화물 기준의 몰 백분율로 나타낸다.
본 발명은 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판으로 확산되기 어렵고, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작은 유리 기판 및 유리 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또는, 본 발명은 당해 유리 기판을 사용한 적층 기판을 제공할 수 있다.
도 1의 (A), (B)는, 실리콘 기판과 접합하는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 유리 기판을 도시하고, 도 1의 (A)는 접합 전의 단면도, 도 1의 (B)는 접합 후의 단면도이다.
도 2는, 알칼리 금속 산화물의 함유량의 영향을 나타내는 SIMS 측정 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 1의 (A), (B)는, 실리콘 기판과 접합하는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 유리 기판을 도시한다. 도 1의 (A)에 도시되는 본 발명에 의해 얻어지는 유리 기판(G1)은, 실리콘 기판(10)과, 수지(20)를 사이에 끼워, 예를 들어 200℃ 내지 400℃의 온도에서 접합되고, 도 1의 (B)에 도시되는 적층 기판(30)이 얻어진다. 실리콘 기판(10)으로서, 예를 들어 원치수의 웨이퍼가 사용된다. 수지(20)는, 200℃ 내지 400℃의 온도에 견딜 수 있는 것이면 어떤 것이든 좋다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 접합하는 열처리 공정이나 그 후의 열처리 공정에 있어서, 열팽창 계수의 차에 기인하는 잔류 변형의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼 레벨 패키지에 의한 소자의 소형화가 유효한 MEMS, CMOS, CIS 등의 이미지 센서용 유리 기판으로서 적합하다.
또한, 프로젝션 용도의 디스플레이 디바이스용의 커버 유리, 예를 들어 LCOS(Liquid Cristyal ON Silicon)의 커버 유리로서 적합하다. 예를 들어 LCOS나 이미지 센서에서는, 실리콘 기판 상에 전자 회로를 형성한 후, 접착재로서 수지나 유리 프릿을 사용하여, 실리콘 기판에 커버 유리가 접착된다. 실리콘 기판과 커버 유리의 열팽창 계수가 일치 또는 극히 가까우면, 디바이스 제조 시나 사용 시에 온도가 변화하였을 때 접착 계면에 발생하는 응력이 저감된다. 이에 의해, 광탄성 변형에 기인하는 색 불균일의 저감이나, 장기 신뢰성의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 유리 인터포저(GIP)의 구멍 뚫기 기판이나, 반도체 백그라인드용의 서포트 유리로서 적합하다. 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 실리콘 기판과 접합하여 사용하는 유리 기판 용도라면 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이, 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이다. α50 /100은 2.80ppm/℃ 이상이 바람직하고, 2.90ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, 2.91ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하고, 2.92ppm/℃ 이상이 특히 바람직하다. 또한, α50 /100은 3.10ppm/℃ 이하가 바람직하고, 3.00ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 2.96ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 2.94ppm/℃ 이하가 특히 바람직하다.
α50 /100이 상기 범위이면, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 프로세스 마진은 확보하면서, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형을 작게 할 수 있다.
여기서, 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50 /100이란, JIS R3102(1995년)에서 규정되어 있는 방법으로 측정한, 열팽창 계수를 측정하는 온도 범위가 50℃ 내지 100℃인 평균 열팽창 계수이다.
상기한 수치 범위를 나타내는 「내지」란, 그 전후에 기재된 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용되며, 특별히 정하지 않는 한, 이하 본 명세서에 있어서 「내지」는, 마찬가지의 의미로써 사용된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이다. α200 /300은 3.55ppm/℃ 이상이 바람직하고, 3.65ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, 3.66ppm/℃ 이상이 특히 바람직하고, 3.68ppm/℃ 이상이 가장 바람직하다. 또한, α200 /300은 3.85ppm/℃ 이하가 바람직하고, 3.75ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 3.73ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 3.71ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
α200 /300이 상기 범위이면, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 실리콘 기판과 접합할 때의 프로세스 마진은 확보하면서, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과의 열팽창 계수차에 기인하는 잔류 변형의 발생 등의 불량을 유의미하게 억제할 수 있다.
또한, α200 /300이 3.55ppm/℃ 내지 3.85ppm/℃이면, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 충분히 작아지기 때문에, 열팽창 계수의 차에 기인하는 불량을 보다 억제할 수 있다.
여기서, 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300이란, JIS R3102(1995년)에서 규정되어 있는 방법으로 측정한, 열팽창 계수를 측정하는 온도 범위가 200℃ 내지 300℃인 평균 열팽창 계수이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100으로 나눈 값 α200/300/α50/100이 1.20 내지 1.30이다. α200 /300/α50 /100이 1.20 내지 1.30이면, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다. α200 /300/α50 /100은 1.24 내지 1.27이 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0％ 내지 0.1％이다. 여기서, 알칼리 금속 산화물은 Li2O, Na2O, K2O 등이다. 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％ 이하이면, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판으로 확산되기 어렵다. 알칼리 금속 산화물의 함유량은, 0.05％ 이하가 보다 바람직하고, 0.02％ 이하가 더욱 바람직하고, 실질적으로 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다. 여기서, 알칼리 금속 산화물을 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 알칼리 금속 산화물을 전혀 포함하지 않음, 또는 알칼리 금속 산화물을 제조상 불가피적으로 혼입한 불순물로서 포함해도 됨을 의미한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 하기의 조성인 것이 바람직하다.
SiO2: 50％ 내지 75％,
Al2O3: 6％ 내지 16％,
B2O3: 0％ 내지 15％,
MgO: 0％ 내지 15％,
CaO: 0％ 내지 13％,
SrO: 0％ 내지 11％,
BaO: 0％ 내지 9.5％.
SiO2는 유리의 골격을 형성하는 성분이다. SiO2의 함유량이 50％ 이상이면, 내열성, 화학적 내구성, 내후성이 양호해진다. SiO2의 함유량이 75％ 이하이면, 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해진다. SiO2의 함유량은 60％ 이상이 바람직하고, 64％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, SiO2의 함유량은 70％ 이하가 바람직하고, 68％ 이하가 보다 바람직하다.
Al2O3의 함유량이 6％ 이상이면, 내후성, 내열성, 화학적 내구성이 양호해지고, 영률이 높아진다. Al2O3의 함유량이 16％ 이하이면, 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 실투하기 어려워진다. Al2O3의 함유량은 8％ 이상이 바람직하고, 11％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, Al2O3의 함유량은 14％ 이하가 바람직하다.
B2O3은 필수 성분은 아니지만, 함유함으로써 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 실투하기 어려워진다. B2O3의 함유량이 15％ 이하이면, 유리 전이 온도를 높게 할 수 있고, 영률이 높아진다. B2O3의 함유량은 3％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, B2O3의 함유량은 12％ 이하가 바람직하고, 6％ 이하가 보다 바람직하다.
MgO는 필수 성분은 아니지만, 함유함으로써 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 내후성이 향상되고, 영률이 높아진다. MgO의 함유량이 15％ 이하이면, 실투하기 어려워진다. MgO의 함유량은 4％ 이상이 바람직하고, 6％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, MgO의 함유량은 10％ 이하가 바람직하고, 9.5％ 이하가 보다 바람직하고, 9％ 이하가 더욱 바람직하다.
CaO는 필수 성분은 아니지만, 함유함으로써 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 내후성이 향상된다. CaO의 함유량이 13％ 이하이면, 실투하기 어려워진다. CaO의 함유량은 4％ 이상이 바람직하다. 또한, CaO의 함유량은 10％ 이하가 바람직하고, 8％ 이하가 보다 바람직하다.
SrO는 필수 성분은 아니지만, 함유함으로써 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 내후성이 향상된다. SrO의 함유량이 11％ 이하이면, 실투하기 어려워진다. SrO의 함유량은 0.5％ 이상이 바람직하다. 또한, SrO의 함유량은 8％ 이하가 바람직하고, 3％ 이하가 보다 바람직하다.
BaO는 필수 성분은 아니지만, 함유함으로써 유리 용해 시의 점성이 지나치게 높아지지 않고 용융성이 양호해지고, 내후성이 향상된다. BaO의 함유량이 9.5％ 이하이면, 실투하기 어려워진다. BaO의 함유량은 3％ 이하가 바람직하고, 2％ 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, CaO, SrO 및 BaO의 합계 함유량이 7％ 이상이 바람직하다. CaO, SrO 및 BaO의 합계 함유량이 7％ 이상이면, 실투하기 어려워진다. CaO, SrO 및 BaO의 합계 함유량은 7.5％ 이상이 보다 바람직하고, 8.0％ 이상이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, (Al2O3의 함유량)≥(MgO)의 함유량이 바람직하다. (Al2O3의 함유량)≥(MgO의 함유량)이면, 유리 기판의 평균 열팽창 계수를 실리콘 기판의 평균 열팽창 계수에 맞추기 쉽고, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 실투 점성(ηTL)이 103.8dㆍPaㆍs 이상이 바람직하다. 실투 점성이 103.8dㆍPaㆍs 이상이면, 안정되게 성형을 할 수 있다. 실투 점성은 104.0dㆍPaㆍs 이상이 보다 바람직하고, 104.2dㆍPaㆍs 이상이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, CMOS 센서의 커버 유리로서 사용하는 경우에 가시광을 흡수하기 어렵게 하기 위해서는, 산화물 기준의 질량 백만분율 표시로, Fe2O3의 함유량이 200ppm 이하가 바람직하다. Fe2O3의 함유량은 150ppm 이하가 보다 바람직하고, 100ppm 이하가 더욱 바람직하고, 50ppm 이하가 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 열전도율을 높게 하고, 용융성을 양호하게 하기 위해서는, 산화물 기준의 질량 백만분율 표시로, Fe2O3을 200ppm 초과 1000ppm 이하 함유하는 것이 바람직하다. Fe2O3의 함유량이 200ppm을 초과하면, 유리 기판의 열전도율을 높게 하고, 용융성을 양호하게 할 수 있다. Fe2O3의 함유량이 1000ppm 이하이면, 가시광의 흡수가 지나치게 강해지지 않는다.
Fe2O3의 함유량은 300ppm 이상이 보다 바람직하고, 400ppm 이상이 더욱 바람직하고, 500ppm 이상이 특히 바람직하다. Fe2O3의 함유량은 800ppm 이하가 보다 바람직하고, 700ppm 이하가 더욱 바람직하고, 600ppm 이하가 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 청징제로서, 예를 들어 SnO2, SO3, Cl 및 F 등을 함유시켜도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 내후성, 용해성, 실투성, 자외선 차폐, 적외선 차폐, 자외선 투과, 적외선 투과 등의 개선을 위해, 예를 들어 ZnO, Li2O, WO3, Nb2O5, V2O5, Bi2O3, MoO3, P2O5, Ga2O3, I2O5, In2O5, Ge2O5 등을 함유시켜도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리의 화학적 내구성 향상을 위해, 유리 중에 ZrO2, Y2O3, La2O3, TiO2, SnO2를 합량으로 2％ 이하 함유시켜도 되고, 바람직하게는 1％ 이하, 보다 바람직하게는 0.5％ 이하로 함유시킨다. 이들 중 Y2O3, La2O3 및 TiO2는, 유리의 영률 향상에도 기여한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 환경 부하를 고려하면, As2O3, Sb2O3을 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 안정되게 플로트 성형할 것을 고려하면, ZnO를 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 100℃ 내지 200℃에서의 평균 열팽창 계수 α100 /200은 3.13ppm/℃ 내지 3.63ppm/℃가 바람직하고, 3.23ppm/℃ 내지 3.53ppm/℃가 보다 바람직하다. α100 /200이 상기 범위이면, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 프로세스 마진은 확보하면서, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형을 작게 할 수 있다.
α100 /200은 3.33ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하고, 3.34ppm/℃ 이상이 특히 바람직하고, 3.35ppm/℃ 이상이 가장 바람직하다. 또한, α100 /200은 3.43ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 3.41ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 3.38ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
여기서, 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 α100 /200이란, JIS R3102(1995년)에서 규정되어 있는 방법으로 측정한, 열팽창 계수를 측정하는 온도 범위가 100℃ 내지 200℃인 평균 열팽창 계수이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 영률이 80GPa 이상이 바람직하다. 영률이 80GPa 이상이면, 유리 기판을 제조할 때의 서랭 공정에 있어서 발생하는 유리 기판의 휨이나 균열을 억제할 수 있다. 또한, 실리콘 기판이나 주변 부재 등과의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 영률은 81GPa 이상이 보다 바람직하고, 82GPa 이상이 더욱 바람직하고, 84GPa 이상이 특히 바람직하다.
또한, 영률은 100GPa 이하가 바람직하다. 영률이 100GPa 이하이면, 유리가 취성이 되는 것을 억제하고, 유리 기판의 절삭, 다이싱 시의 절결을 억제할 수 있다. 영률은 90GPa 이하가 보다 바람직하고, 87GPa 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 두께가 1.0mm 이하가 바람직하다. 두께가 1.0mm 이하이면, 이미지 센서를 소형으로 할 수 있다. 두께는 0.8mm 이하가 보다 바람직하고, 0.7mm 이하가 더욱 바람직하고, 0.5mm 이하가 특히 바람직하다.
또한, 두께는 0.1mm 이상이 바람직하다. 두께가 0.1mm 이상이면, 실리콘 기판이나 주변 부재 등과의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 또한, 유리 기판의 자중 휨을 억제할 수 있다. 두께는 0.2mm 이상이 보다 바람직하고, 0.3mm 이상이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 면적이 0.03m2 이상이 바람직하다. 면적이 0.03m2 이상이면, 대면적의 실리콘 기판을 사용할 수 있고, 1매의 적층 기판으로부터 다수의 이미지 센서를 제조할 수 있다. 면적은 0.04m2 이상이 보다 바람직하고, 0.05m2 이상이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고, α200/300/α50/100이 1.20 내지 1.30이기 때문에, 면적이 0.03m2 이상이라도 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다. 면적은 0.1m2 이하가 바람직하다. 면적이 0.1m2 이하이면 유리 기판의 취급이 용이해지고, 실리콘 기판이나 주변 부재 등과의 접촉에 의한 파손을 억제할 수 있다. 면적은 0.08m2 이하가 보다 바람직하고, 0.06m2 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 밀도가 2.60g/㎤ 이하가 바람직하다. 밀도가 2.60g/㎤ 이하이면, 유리 기판이 경량이다. 또한, 유리 기판의 자중에 의한 휨을 저감할 수 있다. 밀도는 2.55g/㎤ 이하가 보다 바람직하고, 2.50g/㎤ 이하가 더욱 바람직하다.
또한, 밀도는 2.20g/㎤ 이상이 바람직하다. 밀도가 2.20g/㎤ 이상이면, 유리의 비커스 경도가 높아지고, 유리 표면에 흠집이 생기기 어렵게 할 수 있다. 밀도는 2.30g/㎤ 이상이 보다 바람직하고, 2.40g/㎤ 이상이 더욱 바람직하고, 2.45g/㎤ 이상이 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리 기판에 포함되는 결점의 밀도가 1개/㎠ 이하가 바람직하다. 유리 기판에 포함되는 결점이란, 유리 기판의 표면이나 내부에 존재하는 기포, 흠집, 백금 등의 금속 이물 및 미용융 원료 등이며, 크기가 1mm 이하 0.5㎛ 이상인 것을 가리킨다. 결점이 1mm보다 크면, 눈으로 용이하게 판별할 수 있으며, 결점을 갖는 기판의 제외는 용이하다. 결점이 0.5㎛보다 작으면, 결점이 충분히 작기 때문에, CMOS 센서나 LCOS의 커버 유리로서 적용한 경우에도 소자의 특성에 영향을 미칠 우려가 없다.
종래의 반도체 조립 공정에서는, 유리 기판을 절단한 후에 조립 공정을 행하였기 때문에, 유리 기판에 결점이 있는 경우, 조립 공정의 초기에서 결점이 있는 기판을 제외할 수 있었다. 한편으로 웨이퍼 레벨 패키지에서는, 조립 공정의 마지막에 적층 기판의 개편화를 행하기 때문에, 유리 기판에 결점이 있는 경우, 결점이 있는 유리 기판을 제외할 수 있는 것은 조립 공정의 마지막이 된다. 이와 같이 웨이퍼 레벨 패키지에서는, 유리 기판의 결점의 밀도가 증가한 경우의 비용 증가가 커지기 때문에, 고품질의 결점 관리가 요구된다. 결점의 밀도는 0.1개/㎠ 이하가 보다 바람직하고, 0.01개/㎠ 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 형상은, 원형이어도 타원형이어도 직사각형이어도 어떠한 것이어도 좋다. 접합하는 실리콘 기판의 형에 맞추기 위해, 유리 기판의 단부에 노치가 있어도 되고, 유리 기판이 원형인 경우, 유리 기판의 외주의 일부가 직선이어도 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리 전이점(Tg라고도 기재함)이 700℃ 이상이 바람직하다. Tg가 700℃ 이상이면, 열처리 공정에서 유리 기판의 치수 변화를 적게 억제할 수 있다. Tg는 720℃ 이상이 보다 바람직하고, 740℃ 이상이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 가상 점도가 1011.0dㆍPaㆍs 내지 1014.1dㆍPaㆍs가 바람직하다. 유리 기판의 가상 점도를 1011.0dㆍPaㆍs 내지 1014.1dㆍPaㆍs로 하기 위해서는, 유리 기판의 성형 후의 냉각 속도를, 1℃/분 내지 1200℃/분 상당으로 할 필요가 있다. 가상 점도가 1011.0dㆍPaㆍs 내지 1014.1dㆍPaㆍs라면, 유리 기판의 평균 열팽창 계수가 실리콘 기판의 평균 열팽창 계수에 근접하게 되어, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다. 유리 기판의 가상 점도는 1012.1dㆍPaㆍs 내지 1013.1dㆍPaㆍs(냉각 속도 10℃/분 내지 100℃/분 상당)가 바람직하다.
유리의 가상 점도(η)는 하기 (식 4)(G. W. Scherer, Relaxation in Glass and Composites, Wiley, New York(1986), p.159)로 산출할 수 있다.
Figure pct00001
여기서, η의 단위는 dㆍPaㆍs, q는 상정 냉각 속도이며 단위는 ℃/s이다.
상정 냉각 속도 q는, 다음의 방법에 의해 유리 기판으로부터 구해진다. 두께 1mm 이하의 1매의 유리 기판으로부터 복수의 유리판 소편을 잘라낸다. 예를 들어 유리판 소편으로서 한 변이 1cm인 정사각형의 소편을 잘라낸다. 잘라낸 복수의 유리판 소편을, 각각 여러 가지 냉각 속도 V로 열처리, 냉각하고, 각각의 유리판 개편의 물성값을 측정한다. 냉각 개시 온도는 냉각 속도의 영향을 받지 않는 충분히 높은 온도가 바람직하다. 전형적으로는 Tg+50℃ 내지 +150℃ 정도가 바람직하다.
측정을 실시하는 물성값은, 특별히 제한은 없지만, 밀도나, 밀도와 밀접한 관계에 있는 물성값(예를 들어 굴절률) 등이 바람직하다. x축에 냉각 속도(log10V)를 취하고, y축에 각각의 열처리를 실시한 유리판 개편의 물성값을 취하여 검량선 A를 작성한다. 열처리를 실시하지 않은 유리판 개편의 물성값으로부터, 작성한 검량선 A에 의해, 그 유리 기판의 상정 냉각 속도 q가 구해진다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 점도가 102dㆍPaㆍs로 되는 온도(T2라고도 기재함)가 1800℃ 이하가 바람직하다. T2는 1750℃ 이하가 보다 바람직하고, 1700℃ 이하가 더욱 바람직하고, 1650℃ 이하가 특히 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 점도가 104dㆍPaㆍs로 되는 온도(T4라고도 기재함)가 1350℃ 이하가 바람직하다. T4는 1300℃ 이하가 보다 바람직하고, 1275℃ 이하가 더욱 바람직하고, 1250℃ 이하가 특히 바람직하다. 또한, 다른 물성 확보의 용이성을 고려하면, T4는 1100℃ 이상이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 유리 실투 온도가 1325℃ 이하가 바람직하다. 1300℃ 이하가 보다 바람직하고, 1275℃ 이하가 더욱 바람직하고, 1250℃ 이하가 특히 바람직하다. 유리 실투 온도란, 백금제의 접시에 분쇄된 유리 입자를 넣고, 일정 온도로 제어된 전기로 내에서 17시간 열처리를 행하여, 열처리 후의 광학 현미경 관찰에 의해, 유리의 내부에 결정이 석출되는 최고 온도와 결정이 석출되지 않는 최저 온도의 평균값이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은,
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)가 2.70 내지 3.20,
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)가 3.13 내지 3.63,
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)가 3.45 내지 3.95, 및
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)가 1.20 내지 1.30을 충족하는 것이 바람직하다.
여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량, SrO의 함유량 및 BaO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 각 성분의 함유량이고, η는 가상 점도(단위: dㆍPaㆍs)이다.
이들을 충족하면, 프로세스 마진은 확보하면서, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형을 작게 하기 쉽다.
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)는 2.80 이상이 보다 바람직하고, 2.90 이상이 더욱 바람직하고, 2.91 이상이 특히 바람직하고, 2.92 이상이 가장 바람직하다.
또한, 0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)는 3.10 이하가 보다 바람직하고, 3.00 이하가 더욱 바람직하고, 2.96 이하가 특히 바람직하고, 2.94 이하가 가장 바람직하다.
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)는 3.23 이상이 보다 바람직하고, 3.33 이상이 더욱 바람직하고, 3.34 이상이 특히 바람직하고, 3.35 이상이 가장 바람직하다.
또한, 0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)는 3.53 이하가 보다 바람직하고, 3.43 이하가 더욱 바람직하고, 3.41 이하가 특히 바람직하고, 3.38 이하가 가장 바람직하다.
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)는 3.55 이상이 보다 바람직하고, 3.65 이상이 더욱 바람직하고, 3.66 이상이 특히 바람직하고, 3.68 이상이 가장 바람직하다.
또한, 0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)는 3.85 이하가 보다 바람직하고, 3.73 이하가 더욱 바람직하고, 3.65 이하가 특히 바람직하고, 3.71 이하가 가장 바람직하다.
또한, 0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)는 1.24 이상이 보다 바람직하다.
또한, 0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)는 1.27 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 불산 수용액(HF)에 대한 중량 감소량(이하, HF 중량 감소량이라고도 기재함)이 0.05(mg/㎠)/분 이상, 0.20(mg/㎠)/분 이하가 바람직하다. 여기서, HF 중량 감소량이란, 유리 기판을 25℃, 5질량％ 불산 수용액에 침지하였을 때의, 단위 면적 및 단위 시간당 감소량((mg/㎠)/분)이다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 실리콘 기판과 접합한 후, 그대로 디바이스의 일부로서 내장되는 경우가 있다. 예를 들어, 유리 기판은, 커버 유리로서 디바이스 내에 내장된다. 이러한 경우, 디바이스를 소형화하기 위해, 유리 기판을 슬리밍하는 것이 바람직하다. 그를 위해, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 슬리밍 레이트가 높은 편이 바람직하다. 유리 기판의 슬리밍 레이트의 지표로서, HF 중량 감소량을 사용할 수 있다.
HF 중량 감소량이 0.05(mg/㎠)/분 이상이면, 슬리밍 공정의 생산성이 양호해져 바람직하다. HF 중량 감소량이 0.20(mg/㎠)/분 이하이면, 슬리밍 공정에서 유리 기판에 발생하는, 에칭 깊이가 불균일해져 유리 기판 표면의 평활성이 손상되는 등의 불량을 방지할 수 있기 때문에 바람직하다.
HF 중량 감소량은 0.07(mg/㎠)/분 이상이 보다 바람직하고, 0.09(mg/㎠)/분 이상이 더욱 바람직하고, 0.11(mg/㎠)/분 이상이 특히 바람직하다. 또한, HF 중량 감소량은 0.18(mg/㎠)/분 이하가 보다 바람직하고, 0.16(mg/㎠)/분 이하가 더욱 바람직하고, 0.14(mg/㎠)/분 이하가 특히 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 프로젝션 용도의 디스플레이 디바이스, 예를 들어 LCOS의 커버 유리로서 적용할 수 있다. 이러한 경우에, 유리 기판의 광탄성 상수가 높으면, 디바이스의 패키징 공정이나 디바이스 사용 시에 발생하는 응력에 의해 유리 기판이 복굴절성을 가져 버린다. 그 결과, 디바이스에 입사한 광에 색 변화가 발생하고, 색 불균일 등의 화질 불량이 발생할 우려가 있다.
이러한 화질 불량을 방지하기 위해, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판은, 광탄성 상수가 31nm/(MPaㆍ㎝) 이하가 바람직하고, 30.5nm/(MPaㆍ㎝) 이하가 보다 바람직하고, 30nm/(MPaㆍ㎝) 이하가 더욱 바람직하고, 29.5nm/(MPaㆍ㎝) 이하가 특히 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 α선 방출량은, 0.5C/㎠ㆍh 이하가 바람직하고, 0.3C/㎠ㆍh 이하가 보다 바람직하고, 0.1C/㎠ㆍh 이하가 특히 바람직하고, 0.05C/㎠ㆍh 이하가 가장 바람직하다. 또한, 단위의 C는 카운트수의 의미이다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 이미지 센서 등의 소자의 커버 유리에 적용한다. 이 경우, 유리 기판으로부터 발생하는 α선이 이미지 센서 등의 소자에 입사하면, α선의 에너지에 의해 정공-전자쌍이 유기되고, 이것이 원인이 되어 순간적으로 화상에 휘점이나 백색점이 발생하는 소프트 에러가 일어날 우려가 있다. 그래서, α선 방출량이 적은 유리 기판을 사용함으로써, 이러한 문제를 방지하기 쉬워진다. 또한, 유리 기판의 원료로서, 방사성 동위 원소의 함유량이 적고, α선 방출량이 적은 고순도 원료를 사용하면, α선 방출량을 저감할 수 있다. 또한, 유리의 용융ㆍ청징 공정에 있어서, 방사성 동위 원소가 유리 제조 설비의 노 재료 등으로부터 용융 유리 중으로 혼입되지 않도록 하면, α선 방출량을 효과적으로 저감할 수 있다. 또한, 「α선 방출량」은, 가스 플로우 비례 계수관 측정 장치 등으로 측정할 수 있다.
실리콘 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100은 2.91ppm/℃ 내지 2.97ppm/℃가 바람직하다. αSi50 /100이 2.91ppm/℃ 내지 2.97ppm/℃이면, 본 발명의 유리 기판과의 접합이 용이하게 된다. αSi50 /100은 2.92ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, 2.93ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, αSi50 /100은 2.94ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
실리콘 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 αSi100 /200은 3.34ppm/℃ 내지 3.40ppm/℃가 바람직하다. αSi100 /200이 3.34ppm/℃ 내지 3.40ppm/℃이면, 본 발명의 유리 기판과의 접합이 용이하게 된다. αSi100 /200은 3.36ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, 3.37ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, αSi100 /200은 3.38ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
실리콘 기판의 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 αSi200 /300은 3.66ppm/℃ 내지 3.72ppm/℃가 바람직하다. αSi200 /300이 3.66ppm/℃ 내지 3.72ppm/℃이면, 본 발명의 유리 기판과의 접합이 용이하게 된다. αSi200 /300은 3.68ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, 3.69ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, αSi200 /300은 3.70ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 상기 유리 기판과, 실리콘 기판이 적층되어 형성된다. 실리콘 기판과 유리 기판의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다. 또한, 적층 기판은, 예를 들어 수지를 사이에 끼워, 유리 기판과 실리콘 기판을 접합함으로써 얻어진다.
이때, 수지의 두께나 수지의 열팽창 계수, 접합 시의 열처리 온도 등이 적층 기판 전체의 휨에 영향을 미칠 수 있다. 본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판과 같이 열팽창 계수를 컨트롤함으로써 적층 기판 전체의 휨을 저감할 수 있기 때문에, 수지의 두께나 수지의 열팽창 계수, 접합 시의 열처리 온도 등의 프로세스 마진을 넓힐 수 있다. 본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판에는, 상술한 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 적용할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 유리 기판과 실리콘 기판이 적층되어 형성되고, 유리 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50 /100과, 실리콘 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100의 차 Δα50 /100(=α50 /100-αSi50 /100)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이다.
또한, 유리 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300과, 실리콘 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 αSi200 /300의 차 Δα200 /300(=α200 /300-αSi200/300)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이다. 실리콘 기판과 유리 기판의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다.
Δα50 /100은 -0.15ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, -0.10ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하고, -0.05ppm/℃ 이상이 특히 바람직하고, -0.03ppm/℃ 이상이 가장 바람직하다. Δα50 /100은 0.15ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 0.10ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 0.05ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 0.03ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
Δα200 /300은 -0.15ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, -0.10ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하고, -0.05ppm/℃ 이상이 특히 바람직하고, -0.03ppm/℃ 이상이 가장 바람직하다. Δα200 /300은 0.15ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 0.10ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 0.05ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 0.03ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, 유리 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 α100 /200과, 실리콘 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 αSi100/200의 차 Δα100 /200(=α100 /200-αSi100 / 200)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃가 바람직하다. Δα100 /200이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이면, 실리콘 기판과 유리 기판의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다.
Δα100 /200은 -0.15ppm/℃ 이상이 보다 바람직하고, -0.10ppm/℃ 이상이 더욱 바람직하고, -0.05ppm/℃ 이상이 특히 바람직하고, -0.03ppm/℃ 이상이 가장 바람직하다. Δα100 /200은 0.15ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 0.10ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 0.05ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 0.03ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태의 적층 기판은, Δα200 /300과 Δα50 /100의 차(Δα200/300-Δα50/100)이 -0.16ppm/℃ 내지 0.16ppm/℃이다. Δα200 /300-Δα50 /100이 -0.16ppm/℃ 내지 0.16ppm/℃이면, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다. Δα200 /300-Δα50 /100은 -0.12ppm/℃ 이상이 바람직하고, -0.08ppm/℃ 이상이 보다 바람직하다. 또한, Δα50 /100-Δα200 /300은 0.12ppm/℃ 이하가 바람직하고, 0.08ppm/℃ 이하가 보다 바람직하다.
이어서, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정, 용융 유리로부터 기포를 제거하는 청징 공정, 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정, 및 유리 리본을 실온 상태까지 서랭하는 서랭 공정을 거친다.
용해 공정은, 얻어지는 유리판의 조성이 되도록 원료를 조제하고, 원료를 용해로에 연속적으로 투입하여, 바람직하게는 1450℃ 내지 1650℃ 정도로 가열하여 용융 유리를 얻는다.
원료로는 산화물, 탄산염, 질산염, 수산화물, 염화물 등의 할로겐화물 등도 사용할 수 있다. 용해나 청징 공정에서 용융 유리가 백금과 접촉하는 공정이 있는 경우, 미소한 백금 입자가 용융 유리 중에 용출되어, 얻어지는 유리판 중에 이물로서 혼입되어 버리는 경우가 있지만, 질산염 원료의 사용은 이 백금 이물의 용출을 방지하는 효과가 있다.
질산염으로서는 질산스트론튬, 질산바륨, 질산마그네슘, 질산칼슘 등을 사용할 수 있다. 질산스트론튬을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 원료 입도도 녹고 남음이 발생하지 않을 정도로 수백 마이크로미터의 큰 입경의 원료로부터, 원료 반송 시의 비산이 발생하지 않는, 2차 입자로서 응집하지 않을 정도의 수 마이크로미터 정도의 작은 입경의 원료까지 적절히 사용할 수 있다. 조립체의 사용도 가능하다. 원료의 비산을 방지하기 위해 원료 함수량도 적절히 조정 가능하다. β-OH, Fe의 산화 환원도 또는 레독스[Fe2 +/(Fe2 ++Fe3 +)] 등의 용해 조건도 적절히 조정하여 사용할 수 있다.
이어서, 청징 공정은, 상기 용해 공정에서 얻어진 용융 유리로부터 기포를 제거하는 공정이다. 청징 공정으로서는, 감압에 의한 탈포법을 적용해도 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 유리 기판은, 청징제로서 SO3이나 SnO2를 사용할 수 있다. SO3원으로서는, Al, Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 황산염이 바람직하고, 알칼리 토금속의 황산염이 보다 바람직하며, 그 중에서도 CaSO4ㆍ2H2O, SrSO4 및 BaSO4가 기포를 크게 하는 작용이 현저하여 특히 바람직하다.
감압에 의한 탈포법에 있어서의 청징제로서는 Cl이나 F 등의 할로겐을 사용하는 것이 바람직하다. Cl원으로서는, Al, Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 염화물이 바람직하고, 알칼리 토금속의 염화물이 보다 바람직하며, 그 중에서도 SrCl2ㆍ6H2O 및 BaCl2ㆍ2H2O가 기포를 크게 하는 작용이 현저하고, 또한 조해성이 작기 때문에 특히 바람직하다. F원으로서는, Al, Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택된 적어도 1종의 원소의 불화물이 바람직하고, 알칼리 토금속의 불화물이 보다 바람직하며, 그 중에서도 CaF2가 유리 원료의 용해성을 크게 하는 작용이 현저하여 보다 바람직하다.
이어서, 성형 공정은, 상기 청징 공정에서 기포를 제거한 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 공정이다. 성형 공정으로서는, 용융 유리를 용융 금속 상에 흘려 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 플로트법이 적용된다.
이어서, 서랭 공정은, 상기 성형 공정에서 얻어진 유리 리본을 실온 상태까지 서랭하는 공정이다. 서랭 공정으로서는, 유리 리본을, 점도가 1013dㆍPaㆍs로 되는 온도로부터 1014.5dㆍPaㆍs로 되는 온도로 될 때까지의 평균 냉각 속도가 R이 되도록 실온 상태까지 서랭한다. 서랭한 유리 리본을 절단한 후, 유리 기판을 얻는다.
본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에서는, 얻어지는 유리 기판의 조성은, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 하기의 조성이다.
SiO2: 50％ 내지 75％,
Al2O3: 6％ 내지 16％,
B2O3: 0％ 내지 15％,
MgO: 0％ 내지 15％,
CaO: 0％ 내지 13％,
SrO: 0％ 내지 11％,
BaO: 0％ 내지 9.5％,
알칼리 금속 산화물의 함유량이 0％ 내지 0.1％ 이하.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에서는, 얻어지는 유리 기판의 조성과, 서랭 공정에 있어서의 유리 리본의 점도가 1013dㆍPaㆍs로 되는 온도로부터 1014.5dㆍPaㆍs로 되는 온도로 될 때까지의 평균 냉각 속도 R(단위: ℃/분)이, 다음의 조건 (1) 내지 조건 (4)를 충족한다.
조건 (1):
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×log10R이 2.70 내지 3.20
조건 (2):
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×log10R이 3.13 내지 3.63
조건 (3):
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×log10R이 3.45 내지 3.95
조건 (4):
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×log10R이 1.20 내지 1.30
바람직하게는, 다음의 조건 (1) 내지 조건 (4)를 충족한다.
조건 (1):
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×log10R이 2.80 내지 3.10
조건 (2):
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×log10R이 3.23 내지 3.53
조건 (3):
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×log10R이 3.55 내지 3.85
조건 (4):
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×log10R이 1.24 내지 1.27
여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량, SrO의 함유량 및 BaO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 각 성분의 함유량이다. 조건 (1) 내지 조건 (4)를 충족함으로써, 열처리 공정에서 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형을 작게 할 수 있는 유리 기판을 제조할 수 있다.
이상 설명한 본 실시 형태의 유리 기판에 있어서는, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％ 이하이기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판으로 확산되기 어렵다. 또한, 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이고, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고, 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50/100으로 나눈 값 α200 /300/α50 /100이 1.20 내지 1.30이기 때문에, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작고, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작다.
본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형이나 개량 등은 본 발명에 포함된다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 성형 공정에서, 퓨전법이나 프레스 성형법 등을 적용하여 용융 유리를 판형으로 해도 된다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유리 기판을 제조하는 경우, 백금 도가니를 사용해도 된다. 백금 도가니를 사용한 경우, 용해 공정은, 얻어지는 유리 기판의 조성이 되도록 원료를 조제하고, 원료를 넣은 백금 도가니를 전기로에 투입하고, 바람직하게는 1450℃ 내지 1650℃ 정도로 가열하여 백금 교반기를 삽입하고 1시간 내지 3시간 교반하여 용융 유리를 얻는다.
성형 공정은, 용융 유리를 예를 들어 카본 판형으로 흘려내 판형으로 한다. 서랭 공정은, 판형의 유리를 실온 상태까지 서랭하여 절단한 후, 유리 기판을 얻는다.
또한, 절단하여 얻어진 유리 기판을, 예를 들어 Tg+50℃ 정도가 되도록 가열한 후, 실온 상태까지 서랭해도 된다. 이와 같이 함으로써, 가상 점도 η를 조절할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에는, 이하의 형태도 포함된다.
(부기 1)
50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.80ppm/℃ 내지 3.10ppm/℃이고,
200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.55ppm/℃ 내지 3.85ppm/℃이고,
200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50/100으로 나눈 값 α200/300/α50/100이 1.20 내지 1.30이고,
알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인 유리 기판.
(부기 2)
산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 하기의 조성인 부기 1에 기재된 유리 기판.
SiO2: 50％ 내지 75％,
Al2O3: 6％ 내지 16％,
B2O3: 0％ 내지 15％,
MgO: 0％ 내지 15％,
CaO: 0％ 내지 13％,
SrO: 0％ 내지 11％,
BaO: 0％ 내지 9.5％.
(부기 3)
산화물 기준의 몰 백분율 표시로, CaO, SrO 및 BaO의 합계 함유량이 7％ 이상이고, 또한 (Al2O3의 함유량)≥(MgO의 함유량)이고, 실투 점성이 103.8dㆍPaㆍs 이상인 부기 1 또는 2에 기재된 유리 기판.
(부기 4)
100℃ 내지 200℃에서의 평균 열팽창 계수 α100 /200이 3.23ppm/℃ 내지 3.53ppm/℃인 부기 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 5)
산화물 기준의 질량 백만분율 표시로, Fe2O3의 함유량이 200ppm 이하인 부기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 6)
영률이 80GPa 이상인 부기 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 7)
두께가 1.0mm 이하인 부기 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 8)
면적이 0.03m2 이상인 부기 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 9)
가상 점도가 1011.0 내지 1014.1dㆍPaㆍs인 부기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
(부기 10)
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)가 2.80 내지 3.10,
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)가 3.23 내지 3.53,
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)가 3.55 내지 3.85, 및
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)가 1.24 내지 1.27
을 충족하는 부기 1 내지 10 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.
여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량 및 SrO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 나타낸 함유량이고, η는 가상 점도(단위: dㆍPaㆍs)이다.
(부기 11)
부기 1 내지 10 중 어느 하나에 기재된 유리 기판과, 실리콘 기판이 적층된 적층 기판.
(부기 12)
유리 기판과 실리콘 기판이 적층되고, 상기 유리 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50 /100과, 상기 실리콘 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 αSi50/100의 차 Δα50/100(=α50/100-αSi50/100)이 -0.15ppm/℃ 내지 0.15ppm/℃이고,
상기 유리 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300과, 상기 실리콘 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 αSi200 /300의 차 Δα200 /300(=α200/300-αSi200/300)이 -0.15ppm/℃ 내지 0.15ppm/℃이고,
Δα200 /300-Δα50 /100이 -0.12ppm/℃ 내지 0.12ppm/℃이고,
상기 유리 기판의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인 적층 기판.
(부기 13)
상기 유리 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 α100 /200과, 상기 실리콘 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 αSi100 /200의 차 Δα100 /200(=α100 /200-αSi100/200)이 -0.15ppm/℃ 내지 0.15ppm/℃인 부기 12에 기재된 적층 기판.
(부기 14)
유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,
상기 용융 유리로부터 기포를 제거하는 청징 공정과,
상기 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
상기 유리 리본을 실온 상태까지 서랭하는 서랭 공정을 포함하고,
산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 얻어지는 유리 기판의 조성이 하기의 조성이고,
SiO2: 50％ 내지 75％,
Al2O3: 6％ 내지 16％,
B2O3: 0％ 내지 15％,
MgO: 0％ 내지 15％,
CaO: 0％ 내지 13％,
SrO: 0％ 내지 11％,
BaO: 0％ 내지 9.5％,
알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％,
상기 얻어지는 유리 기판의 조성과, 상기 서랭 공정에 있어서의 상기 유리 리본의 점도가 1013dㆍPaㆍs로 되는 온도로부터 1014.5dㆍPaㆍs로 되는 온도로 될 때까지의 평균 냉각 속도 R(단위: ℃/분)이, 다음의 조건 (1), 조건 (2), 조건 (3) 및 조건 (4)를 충족하는 유리 기판의 제조 방법.
조건 (1):
0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×log10R이 2.80 내지 3.10
조건 (2):
0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×log10R이 3.23 내지 3.53
조건 (3):
0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×log10R이 3.55 내지 3.85
조건 (4):
0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×log10R이 1.24 내지 1.27
여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량, SrO의 함유량 및 BaO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 각 성분의 함유량이다.
부기에 기재된 유리 기판, 유리 기판의 제조 방법으로 얻어지는 유리 기판, 및 유리 기판을 사용한 적층 기판은, 유리 기판과 실리콘 기판의 열팽창 계수의 차가 충분히 작기 때문에, 열팽창 계수의 차에 기인하는 불량을 보다 억제할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 한정되지 않는다.
표 1 내지 표 7에 나타내는 유리 조성이 되도록 규사 등의 각종 유리 원료를 조합하고, 해당 목표 조성의 원료 100％에 대하여, 산화물 기준의 질량 백분율 표시로, 황산염을 SO3 환산으로 0.1％ 내지 1％, F를 0.16％, Cl을 1％ 첨가하고, 백금 도가니를 사용하여 1550℃ 내지 1650℃의 온도에서 3시간 가열하여 용융하였다. 용융 시에는, 백금 교반기를 삽입하고 1시간 교반하여 유리의 균질화를 행하였다. 이어서 용융 유리를 흘려내고, 판형으로 성형한 후, 판형의 유리를 Tg+50℃ 정도의 온도의 전기로에 넣고, 냉각 속도 R(℃/분)로 전기로를 강온시켜, 유리가 실온이 될 때까지 냉각하였다.
얻어진 유리의 밀도(단위: g/㎤), 평균 열팽창 계수(단위: ppm/℃), 유리 전이점 Tg(단위: ℃), 영률(단위: GPa), T2(단위: ℃), T4(단위: ℃), 실투 온도(단위: ℃), 실투 점성 log10ηTL(단위: dPaㆍsec) 및 가상 점도 log10η(단위: dPaㆍsec)를 측정하고, 표 1 내지 표 7에 나타내었다. 또한, 표 1 내지 표 7에 나타낸 (1) 내지 (4)는,
(1): 0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)
(2): 0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)
(3): 0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)
(4) 0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)이다.
또한, 표 중의 괄호에 기재한 값은, 계산에 의해 구한 것이다. 유리 중의 Fe2O3 잔존량은 산화물 기준의 질량 백만분율 표시로 50ppm 내지 200ppm, SO3 잔존량은 산화물 기준의 질량 백만분율 표시로 10ppm 내지 100ppm이었다. 이하에 각 물성의 측정 방법을 나타낸다.
(평균 열팽창 계수)
JIS R3102(1995년)에 규정되어 있는 방법에 따라, 시차열 팽창계(TMA)를 사용하여 측정하였다. α50 /100은 측정 온도 범위가 50℃ 내지 100℃, α100 /200은 100℃ 내지 200℃, 및 α200/300은 200℃ 내지 300℃이다.
(실리콘 기판과의 평균 열팽창 계수의 차)
실리콘 기판(신에츠 가가쿠 고교제)의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100, αSi100 /200 및 αSi200 /300을 측정하고, 각각의 유리 기판의 평균 열팽창 계수와의 차 Δα50 /100, Δα100/200, Δα200/300을 구하였다. 여기서,
Δα50 /100=α50 /100-αSi50 /100
Δα100 /200=α100 /200-αSi100 /200
Δα200 /300=α200 /300-αSi200 /300
이다. 실리콘 기판의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100은 2.94ppm/℃, αSi100/200은 3.37ppm/℃, αSi200 /300은 3.69ppm/℃였다.
(유리 전이점 Tg)
JIS R3103-3(2001년)에 규정되어 있는 방법에 따라, TMA를 사용하여 측정하였다.
(밀도)
기포를 포함하지 않는 약 20g의 유리 덩어리를 아르키메데스법에 의해 측정하였다.
(영률)
두께 0.5mm 내지 10mm의 유리에 대하여, 초음파 펄스법에 의해 측정하였다.
(T2)
회전 점도계를 사용하여 점도를 측정하고, 102dㆍPaㆍs로 될 때의 온도 T2(℃)를 측정하였다.
(T4)
회전 점도계를 사용하여 점도를 측정하고, 104dㆍPaㆍs로 될 때의 온도 T4(℃)를 측정하였다.
(유리 실투 온도)
유리 실투 온도는, 백금제 접시에 분쇄된 유리 입자를 넣고, 일정 온도로 제어된 전기로 내에서 17시간 열처리를 행하여, 열처리 후의 광학 현미경 관찰에 의해, 유리의 내부에 결정이 석출되는 최고 온도와 결정이 석출되지 않는 최저 온도의 평균값이다.
(실투 점성)
용융 유리의 고온(1000℃ 내지 1600℃)에 있어서의 회전 점도계를 사용한 유리 점도의 측정 결과로부터, 풀처의 식의 계수를 구하고, 해당 계수를 사용한 풀처의 식에 의해, 유리 실투 온도에 있어서의 유리 점도를 구하였다.
(HF 중량 감소량)
HF 중량 감소량은, 다음과 같이 하여 측정하였다. 상술한 바와 같이 하여 얻어진 유리판을 절단하고, 양면을 경면 연마하여, 한 변이 40mm인 정사각형, 두께 1mm의 유리 샘플을 얻었다. 이 유리 샘플을 세정한 후, 건조시켜, 중량을 측정하였다. 이어서, 유리 샘플을 25℃로 유지한 5질량％ 불산에 20분간 침지하고, 세정, 건조시키고, 침지 후의 중량을 측정하여, 침지 전으로부터의 중량 감소량을 산출하였다. 침지 중에 약액을 교반하면 에칭 속도가 변동되기 때문에, 교반은 실시하지 않았다. 샘플 치수로부터 표면적을 산출하고, 중량 감소량을 표면적으로 나눈 후, 침지 시간으로 또 나눔으로써, 단위 면적 및 단위 시간당 중량 감소량(HF 중량 감소량)을 구하였다.
(광탄성 상수)
원판 압축법(「원판 압축법에 의한 화학 강화용 유리의 광탄성 상수의 측정」, 요코타 료스케, 요업 협회지, 87[10], 1979년, p.519-522)에 의해 측정하였다.
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
예 1 내지 예 60, 예 66 내지 예 87은 실시예이며, 예 61 내지 예 65는 비교예이다.
실시예인 예 1 내지 예 60, 예 66 내지 예 87의 본 발명의 유리 기판은, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％ 이하이기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 알칼리 이온이 실리콘 기판으로 확산되지 않는다. 또한, 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이고, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고, α200 /300을 α50 /100으로 나눈 값 α200 /300/α50 /100이 1.20 내지 1.30이기 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 작아지기 쉽다.
비교예인 예 61 내지 예 65의 유리 기판은, α50 /100, α200 /300 또는 α200 /300/α50/100 중 어느 하나 이상의 범위가 본원 발명의 일 실시 형태의 유리 기판에 관한 범위를 일탈한다. 또는, 예 61 내지 예 65의 유리 기판은, Δα50 /100, Δα200 /300, 또는 Δα200 /300-Δα50 / 100 중 어느 하나 이상의 범위가 본원 발명의 일 실시 형태의 유리 기판에 관한 범위를 일탈한다. 또는, 예 61 내지 예 65의 유리 기판은, 얻어지는 유리 기판의 조성, (1) 내지 (4) 중 어느 하나 이상의 범위가 본원 발명의 일 실시 형태의 유리 기판에 관한 범위를 일탈한다. 그 때문에, 실리콘 기판과 유리 기판을 접합하는 열처리 공정에 있어서, 실리콘 기판에 발생하는 잔류 변형이 커지기 쉽다.
이어서, 도 2에, 예 88의 유리 기판 및 예 89의 유리 기판 각각에 대하여, 실리콘 기판을 접촉시켜 열처리를 시켰을 때의, 실리콘 기판에 대한 알칼리 금속 산화물의 확산량을, 2차 이온 질량 분석법(SIMS)으로 측정을 행한 결과를 나타낸다. 예 88의 유리 기판은 알칼리 금속 산화물(Na2O)의 함유량이 0.1％ 이하이고, 예 89의 유리 기판은 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％보다 많다. 또한, 도 2 중에, 참조용으로 미처리의 실리콘 기판의 SIMS 측정 결과도 나타낸다.
SIMS 측정에는, 알박ㆍ파이사의 ADEPT1010을 사용하였다. SIMS 분석의 1차 이온으로는 Cs 이온을 사용하였다. 2차 이온종으로서는, 28Si+와 23Na+의 측정을 행하였다. 유리 기판과 접촉시킨 실리콘 기판의 열처리는, 실온에서부터 200℃까지 10분간 승온하고, 200℃에서 1시간 유지한 후, 실온까지 10분간 냉각을 행하였다. 예 88, 예 89의 조성을 표 8에 나타낸다.
Figure pct00009
예 88은 예 6에 알칼리 금속 산화물인 Na2O를 0.03％ 외할로 첨가한 것이며, 실시예이다. 예 89는 예 61에 알칼리 금속 산화물인 Na2O를 0.32％ 외할로 첨가한 것이며, 비교예이다. 도 2의 횡축은, 실리콘 기판 중, 유리 기판과 접촉하고 있던 측의 표면으로부터의 깊이를 나타내고 있고, 종축은, 1초간에 있어서의 23Na+의 검출수를 28Si+로 나눈 값을 나타내고 있다.
도 2로부터, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％보다 많은 예 89의 유리 기판과 접촉하고 있던 실리콘 기판으로부터는, 표층에서부터 100nm 부근까지 Na 이온이 확산되어 있음을 알 수 있다. 또한, 참조용의 실리콘 기판의 측정 결과는, 예 88의 플롯과 거의 겹쳐 있다. 알칼리 이온은 전하를 갖기 때문에, 실리콘 기판 중에서 캐리어로서 작용하여, 반도체 특성을 변화시켜 버린다. 그에 비해, 알칼리 금속 산화물의 함유량이 0.1％ 이하인 예 88의 유리 기판과 접촉하고 있던 실리콘 기판은, 미처리의 실리콘 기판과 마찬가지로 Na 이온은 검출되지 않고, 유리 기판으로부터 실리콘 기판으로의 Na 이온의 확산이 발생하지 않았음을 나타내고 있다.
<산업상 이용가능성>
본 발명에 관한 유리 기판은, 실리콘 기판과의 열팽창 계수의 차가 작기 때문에, 실리콘 기판과 접합하는 열처리 공정이나 그 후의 열처리 공정에 있어서, 열팽창 계수의 차에 기인하는 잔류 변형의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼 레벨 패키지에 의한 소자의 소형화가 유효한 MEMS, CMOS, CIS 등의 이미지 센서용의 유리 기판으로서 적합하다.
또한, 프로젝션 용도의 디스플레이 디바이스용의 커버 유리, 예를 들어 LCOS(Liquid Cristyal ON Silicon)의 커버 유리로서 적합하다. 예를 들어 LCOS나 이미지 센서에서는, 실리콘 기판 상에 전자 회로를 형성한 후, 접착재로서 수지나 유리 프릿을 사용하여, 실리콘 기판에 커버 유리가 접착된다. 본 발명에 관한 유리 기판은 실리콘 기판과 커버 유리의 열팽창 계수의 차가 작으므로, 디바이스 제조 시나 사용 시에 온도가 변화하였을 때 접착 계면에 발생하는 응력이 저감된다. 이에 의해, 광탄성 변형에 기인하는 색 불균일의 저감이나, 장기 신뢰성의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 유리 기판은, 유리 인터포저(GIP)의 구멍 뚫기 기판이나, 반도체 백그라인드용의 서포트 유리로서 적합하다. 또한, 본 발명의 유리 기판은, 실리콘 기판과 접합하여 사용하는 유리 기판 용도라면 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명을 특정한 형태를 사용하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 의도와 범위를 이탈하지 않고 여러 가지 변경 및 변형이 가능하다는 것은, 당업자에게 있어서 명확하다. 또한, 본 출원은 2015년 2월 6일자로 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2015-022719호) 및 2015년 12월 10일자로 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2015-241303호)에 기초하고 있고, 그 전체가 인용에 의해 원용된다.
10: 실리콘 기판
20: 수지
30: 적층 기판
G1: 유리 기판

Claims (18)

  1. 50℃ 내지 100℃에서의 평균 열팽창 계수 α50 /100이 2.70ppm/℃ 내지 3.20ppm/℃이고,
    200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.45ppm/℃ 내지 3.95ppm/℃이고,
    200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300을 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50/100으로 나눈 값 α200/300/α50/100이 1.20 내지 1.30이고,
    알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인, 유리 기판.
  2. 제1항에 있어서, 200℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수 α200 /300이 3.55ppm/℃ 내지 3.85ppm/℃인, 유리 기판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 하기의 조성인, 유리 기판.
    SiO2: 50％ 내지 75％,
    Al2O3: 6％ 내지 16％,
    B2O3: 0％ 내지 15％,
    MgO: 0％ 내지 15％,
    CaO: 0％ 내지 13％,
    SrO: 0％ 내지 11％,
    BaO: 0％ 내지 9.5％
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, CaO, SrO 및 BaO의 합계 함유량이 7％ 이상이고, 또한 (Al2O3의 함유량)≥(MgO의 함유량)이고, 실투 점성이 103.8dㆍPaㆍs 이상인, 유리 기판.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 100℃ 내지 200℃에서의 평균 열팽창 계수 α100 /200이 3.13ppm/℃ 내지 3.63ppm/℃인, 유리 기판.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 기준의 질량 백만분율 표시로, Fe2O3의 함유량이 200ppm 이하인, 유리 기판.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 영률이 80GPa 이상인, 유리 기판.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 두께가 1.0mm 이하인, 유리 기판.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 면적이 0.03m2 이상인, 유리 기판.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 기판에 포함되는 0.5㎛ 이상 1mm 이하의 결점의 밀도가 1개/㎠ 이하인, 유리 기판.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 가상 점도가 1011.0dㆍPaㆍs 내지 1014.1dㆍPaㆍs인, 유리 기판.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)가 2.70 내지 3.20,
    0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)가 3.13 내지 3.63,
    0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)가 3.45 내지 3.95, 및
    0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)가 1.20 내지 1.30을 충족하는, 유리 기판.
    (여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량 및 SrO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 나타낸 함유량이고, η는 가상 점도(단위: dㆍPaㆍs)임)
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 25℃, 5질량％의 불산 수용액에 대한 중량 감소량이 0.05(mg/㎠)/분 이상, 0.20(mg/㎠)/분 이하인, 유리 기판.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 광탄성 상수가 31nm/(MPaㆍ㎝) 이하인, 유리 기판.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판과, 실리콘 기판이 적층된, 적층 기판.
  16. 유리 기판과 실리콘 기판이 적층되고,
    상기 유리 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 α50 /100과, 상기 실리콘 기판의 50℃ 내지 100℃의 평균 열팽창 계수 αSi50 /100의 차 Δα50 /100(=α50 /100-αSi50 /100)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이고,
    상기 유리 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 α200 /300과, 상기 실리콘 기판의 200℃ 내지 300℃의 평균 열팽창 계수 αSi200 /300의 차 Δα200 /300(=α200 /300-αSi200/300)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃이고,
    Δα200 /300-Δα50 /100이 -0.16ppm/℃ 내지 0.16ppm/℃이고,
    상기 유리 기판의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％인, 적층 기판.
  17. 제16항에 있어서, 상기 유리 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 α100/200과, 상기 실리콘 기판의 100℃ 내지 200℃의 평균 열팽창 계수 αSi100 /200의 차 Δα100 /200(=α100 /200-αSi100 / 200)이 -0.25ppm/℃ 내지 0.25ppm/℃인, 적층 기판.
  18. 유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,
    상기 용융 유리로부터 기포를 제거하는 청징 공정과,
    상기 용융 유리를 판형으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
    상기 유리 리본을 실온 상태까지 서랭하는 서랭 공정을 포함하고,
    산화물 기준의 몰 백분율 표시로, 얻어지는 유리 기판의 조성이 하기의 조성이고,
    SiO2: 50％ 내지 75％,
    Al2O3: 6％ 내지 16％,
    B2O3: 0％ 내지 15％,
    MgO: 0％ 내지 15％,
    CaO: 0％ 내지 13％,
    SrO: 0％ 내지 11％,
    BaO: 0％ 내지 9.5％,
    알칼리 금속 산화물의 함유량이 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 0％ 내지 0.1％,
    상기 얻어지는 유리 기판의 조성과, 상기 서랭 공정에 있어서의 상기 유리 리본의 점도가 1013dㆍPaㆍs로 되는 온도로부터 1014.5dㆍPaㆍs로 되는 온도로 될 때까지의 평균 냉각 속도 R(단위: ℃/분)이, 다음의 조건 (1), 조건 (2), 조건 (3) 및 조건 (4)를 충족하는, 유리 기판의 제조 방법.
    조건 (1):
    0.0177×(SiO2의 함유량)-0.0173×(Al2O3의 함유량)+0.0377×(B2O3의 함유량)+0.0771×(MgO의 함유량)+0.1543×(CaO의 함유량)+0.1808×(SrO의 함유량)+0.2082×(BaO의 함유량)+0.0344×log10R이 2.70 내지 3.20
    조건 (2):
    0.0181×(SiO2의 함유량)+0.0004×(Al2O3의 함유량)+0.0387×(B2O3의 함유량)+0.0913×(MgO의 함유량)+0.1621×(CaO의 함유량)+0.1900×(SrO의 함유량)+0.2180×(BaO의 함유량)+0.0391×log10R이 3.13 내지 3.63
    조건 (3):
    0.0177×(SiO2의 함유량)+0.0195×(Al2O3의 함유량)+0.0323×(B2O3의 함유량)+0.1015×(MgO의 함유량)+0.1686×(CaO의 함유량)+0.1990×(SrO의 함유량)+0.2179×(BaO의 함유량)+0.0312×log10R이 3.45 내지 3.95
    조건 (4):
    0.0111×(SiO2의 함유량)+0.0250×(Al2O3의 함유량)+0.0078×(B2O3의 함유량)+0.0144×(MgO의 함유량)+0.0053×(CaO의 함유량)+0.0052×(SrO의 함유량)+0.0013×(BaO의 함유량)-0.0041×log10R이 1.20 내지 1.30
    (여기서, SiO2의 함유량, Al2O3의 함유량, B2O3의 함유량, MgO의 함유량, CaO의 함유량, SrO의 함유량 및 BaO의 함유량은, 얻어진 유리에 함유되는 산화물 기준의 몰 백분율 표시로 나타낸 함유량임)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200070245A (ko) * 2017-10-25 2020-06-17 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 유리 조성물

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6645497B2 (ja) * 2015-05-15 2020-02-14 日本電気硝子株式会社 強化ガラス板の製造方法、強化用ガラス板及び強化ガラス板
CN109716176B (zh) * 2016-06-07 2021-09-17 艾瑞3D 有限公司 用于深度采集和三维成像的光场成像装置和方法
WO2018025727A1 (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
CN109715572B (zh) * 2016-09-16 2022-06-14 Ａｇｃ株式会社 玻璃基板及层叠基板
WO2018135189A1 (ja) 2017-01-20 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
JP6770915B2 (ja) * 2017-03-08 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
CN108663736A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 白金光学科技（苏州）有限公司 滤光片
JP6497407B2 (ja) * 2017-03-31 2019-04-10 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス基板
US11401199B2 (en) * 2017-04-17 2022-08-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass plate
JP2018188336A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 Ａｇｃ株式会社 積層ガラス、積層基板および積層基板の製造方法
JP7077554B2 (ja) * 2017-09-21 2022-05-31 日本電気硝子株式会社 ホルダ付き赤外線吸収ガラス
DE102017127579B3 (de) * 2017-11-22 2019-02-07 Schott Ag Substrat für einen optischen Filter und optischer Filter
CN115894740A (zh) * 2017-11-24 2023-04-04 迪睿合株式会社 光固化性树脂组合物及图像显示装置的制造方法
US11554984B2 (en) * 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
KR101924174B1 (ko) * 2018-04-04 2019-02-22 (주)유티아이 근적외선 필터 및 그 필터의 제조방법
CN108614318B (zh) * 2018-04-23 2019-12-24 安徽帝显电子有限公司 一种车载用导光膜及其制备方法
JP7269957B2 (ja) * 2018-04-25 2023-05-09 成都光明光▲電▼股▲分▼有限公司 ガラス組成物
TWI676853B (zh) * 2018-07-25 2019-11-11 白金科技股份有限公司 濾光片
KR102205956B1 (ko) * 2018-08-01 2021-01-21 인하공업전문대학산학협력단 유연성 소자 제조용 유리기판-금속기판 접합체의 제조방법
US11114483B2 (en) * 2018-08-10 2021-09-07 Omnivision Technologies, Inc. Cavityless chip-scale image-sensor package
WO2020056753A1 (en) * 2018-09-21 2020-03-26 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. Collimating system for providing highly efficient parallel light
CN111338171A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 青岛海信激光显示股份有限公司 一种投影屏幕及激光投影装置
WO2020125317A1 (zh) * 2018-12-19 2020-06-25 青岛海信激光显示股份有限公司 一种投影屏幕及激光投影装置
WO2020209271A1 (ja) * 2019-04-12 2020-10-15 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス及びガラス板
US11070786B2 (en) * 2019-05-02 2021-07-20 Disney Enterprises, Inc. Illumination-based system for distributing immersive experience content in a multi-user environment
JPWO2021009587A1 (ko) 2019-07-12 2021-01-21
KR20220043118A (ko) 2019-07-29 2022-04-05 에이지씨 가부시키가이샤 지지 유리 기판
US11161109B2 (en) 2019-09-19 2021-11-02 Invidx Corp. Point-of-care testing cartridge with sliding cap
US11327084B2 (en) * 2019-09-19 2022-05-10 Invidx Corp. Joint hematology and biochemistry point-of-care testing system
JPWO2021069999A1 (ko) 2019-10-11 2021-04-15
WO2021192700A1 (ja) * 2020-03-23 2021-09-30 Ａｇｃ株式会社 接合体
US20220107449A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-07 Viavi Solutions Inc. Composite optical filter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3153710B2 (ja) 1994-01-21 2001-04-09 ホーヤ株式会社 シリコン台座用ガラス及びシリコン基材型センサー
KR20050109929A (ko) * 2003-03-31 2005-11-22 아사히 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리
WO2010107111A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
WO2013099970A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
JP2014005199A (ja) * 2007-06-08 2014-01-16 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラスおよび無アルカリガラス基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004315354A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Asahi Glass Co Ltd 無アルカリガラス
RU2010154445A (ru) 2008-05-30 2012-07-10 Фостер Вилер Энергия Ой (Fi) Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде
JP3153710U (ja) 2009-07-03 2009-09-17 モリト株式会社 折畳み式包装箱
JP5375385B2 (ja) * 2009-07-13 2013-12-25 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
WO2011152414A1 (ja) 2010-06-03 2011-12-08 旭硝子株式会社 ガラス基板およびその製造方法
US9227295B2 (en) 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
CN103608705B (zh) 2011-06-06 2016-10-12 旭硝子株式会社 滤光片、固体摄像元件、摄像装置用透镜和摄像装置
TWI633342B (zh) * 2012-03-22 2018-08-21 日本觸媒股份有限公司 Light selective transmission filter, resin sheet and solid-state imaging element
JP6317067B2 (ja) * 2012-03-22 2018-04-25 株式会社日本触媒 光選択透過フィルター、樹脂シート及び固体撮像素子
KR20150030653A (ko) * 2012-06-07 2015-03-20 아사히 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 이것을 사용한 무알칼리 유리판
JP6206410B2 (ja) 2012-08-29 2017-10-04 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3153710B2 (ja) 1994-01-21 2001-04-09 ホーヤ株式会社 シリコン台座用ガラス及びシリコン基材型センサー
KR20050109929A (ko) * 2003-03-31 2005-11-22 아사히 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리
JP2014005199A (ja) * 2007-06-08 2014-01-16 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラスおよび無アルカリガラス基板
WO2010107111A1 (ja) * 2009-03-19 2010-09-23 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
WO2013099970A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200070245A (ko) * 2017-10-25 2020-06-17 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 유리 조성물

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