TW201639800A - 選擇透光型玻璃及積層基板 - Google Patents

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Abstract

本發明實現一種光學濾光片，其可實現相機模組之小型化、低高度化，與半導體基板積層時之應變較小，光學特性之均勻性優異，且生產性較高。本發明之選擇透光型玻璃10包括玻璃基板12與位於玻璃基板12之至少一主面之選擇透光層11，玻璃基板12於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，且鹼金屬氧化物之含量為0%~0.1%。

Description

選擇透光型玻璃及積層基板
本發明係關於一種選擇透光型玻璃及積層基板。
使用固體攝像元件之攝像裝置(代表性而言為相機模組)中使用有可使特定範圍之波長之光穿透或將其遮斷之光學濾光片(例如選擇透光型玻璃)。例如可列舉用以生成彩色圖像之彩色濾光片、或可使可見光穿透且將近紅外光遮斷之感度修正用光學濾光片等攝像裝置用光學濾光片。
作為感度修正用光學濾光片，已知例如於氟磷酸鹽系玻璃或磷酸鹽系玻璃等中添加CuO等而選擇性地遮斷近紅外線之光學濾光片(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2014/034386號公報
隨著對攝像裝置之小型化、低高度化要求，亦對攝像裝置中之光學零件要求薄型化或零件數量削減。作為實現攝像裝置小型化之方法，研究將固體攝像元件與光學濾光片一體化。
固體攝像元件具有由數十萬~數百萬個1~4μm見方尺寸之像素呈二維狀排列而成之CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)或CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)構造之光檢測器陣列。進而，為了生成彩色圖像，固體攝像元件於光檢測器之入射側針對每一個像素均具有RGB馬賽克彩色濾光片，並且針對每一個像素均具有將入射光聚光至光檢測器之受光面之樹脂微透鏡。
例如於將固體攝像元件與選擇透光型玻璃一體化之情形時，若針對選擇透光型玻璃之小片逐個進行一體化步驟，則生產性較低。相對於此，若於矽基板之狀態下，作為對每一個固體攝像元件形成RGB馬賽克彩色濾光片與樹脂微透鏡之基板製程之一環，與基板(晶圓)狀態之選擇透光型玻璃進行一體化，則可提高生產性。
於對矽基板貼合構成選擇透光型玻璃之玻璃基板之情形時，多使用熱塑性樹脂作為接著層。於該情形時，使矽基板與玻璃基板於高溫下接著，但於將高溫下固著之玻璃基板與矽基板加以冷卻時，若玻璃基板與矽基板之間存在熱膨脹係數之差，則玻璃基板、矽基板分別產生應力。其結果存在如下擔憂：矽基板及選擇透光型玻璃產生機械應變，所獲得之積層基板發生翹曲，積層基板製造製程中出現不良情況，或選擇透光型玻璃產生光學應變。
又，於對覆蓋玻璃形成RGB馬賽克彩色濾光片之情形時，存在彩色濾光片與光檢測器陣列之間發生圖案偏移之擔憂。尤其是近年來，為了提高生產性，矽基板之尺寸存在直徑超過200mm之情況，由熱膨脹係數之失諧所引起之機械應變、或由此引起之光學應變有進一步變大之虞。
本發明之目的在於提供一種選擇透光型玻璃，其能夠抑制使之與矽基板積層所獲得之積層基板產生變形或光學應變。又，本發明之目的在於提供一種變形或應變之產生得到抑制之積層基板。
本發明係關於一種選擇透光型玻璃，其特徵在於：具備玻璃基板；及選擇透光層，其位於上述玻璃基板之至少一主面，選擇性地使近紅外線及可見光線中之選自近紅外線、可見光線、藍色波長區域之可見光線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線之群中之至少一者穿透；上述玻璃基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示為0%~0.1%。
又，本發明提供一種積層基板，其具有設置於矽基板上之固體攝像元件與上述選擇透光型玻璃。
本說明書中，表示數值範圍之所謂「~」係以包括其前後所記載之數值作為下限值及上限值之含義來使用。只要無特別說明，以下本說明書中之「~」以相同之含義來使用。
又，本說明書中，只要無特別說明，玻璃基板及其製造方法中之各成分之含量之說明中所使用之“%”係指氧化物基準之莫耳百分率表示(莫耳%)。
本發明可提供一種選擇透光型玻璃，其於與矽基板積層而製成積層基板之情形時，能夠抑制變形或應變之產生。又，本發明可提供一種變形或應變之產生得到抑制之積層基板。
10‧‧‧選擇透光型玻璃
11、11a、11b‧‧‧選擇透光層
12‧‧‧玻璃基板
15‧‧‧矽基板
16‧‧‧光檢測器陣列
17‧‧‧RGB馬賽克彩色濾光片
18‧‧‧樹脂微透鏡
19‧‧‧固體攝像元件
20‧‧‧選擇透光型玻璃
21‧‧‧接著劑
30‧‧‧選擇透光型玻璃
31‧‧‧攝像透鏡
32‧‧‧透鏡單元
33‧‧‧殼體
40、50‧‧‧積層基板
60‧‧‧固體攝像裝置(相機模組)
111‧‧‧吸收層
112、112a、112b、112c‧‧‧反射層
圖1A係概略地表示選擇透光型玻璃之例的剖視圖。
圖1B係概略地表示選擇透光型玻璃之另一例的剖視圖。
圖1C係概略地表示選擇透光型玻璃之另一例的剖視圖。
圖2係概略地表示積層基板之例的立體圖。
圖3A係概略地表示積層基板之例的剖面之放大圖。
圖3B係概略地表示積層基板之另一例的剖面之放大圖。
圖4係表示包含介電多層膜之反射層之分光穿透率的曲線圖(入射角：0°)。
圖5係概略地表示相機模組之例之主要部分的剖視圖。
圖6係表示顯示鹼金屬氧化物之含量之影響之SIMS測定結果的圖。
使用圖1A~圖1C，對本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃進行說明。本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃之用途無特別限定，例如可列舉：遮斷近紅外線且選擇性地使可見光線穿透之近紅外線截止濾光片、遮斷可見光線且使近紅外線穿透之近紅外線穿透濾光片、選擇性地使選自藍色波長區域之可見光線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線之群中之至少一者穿透的彩色濾光片等。
圖1A表示於平行平面形狀之玻璃基板12之單面具有選擇透光層11的選擇透光型玻璃10。
(玻璃基板)
玻璃基板12包含至少對波長380nm~780nm之可見光而言透明之玻璃材料。進而，玻璃基板12之表面只要具有如能夠使會引起固體攝像元件之解像度劣化之散射光之產生或穿透波面像差得到抑制的表面平坦性即可，亦可對單面或雙面進行鏡面加工。
玻璃基板12於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃。α50/100較佳為2.80ppm/℃以上，更佳為2.90ppm/℃以上，進而較佳為2.91ppm/℃以上，尤佳為2.92ppm/℃以上。又，α50/100較佳為3.10ppm/℃以下，更佳為3.00ppm/℃以下，進而較佳為2.96ppm/℃以下，尤佳為2.94ppm/℃以下。
若α50/100為上述範圍，則玻璃基板與矽基板之熱膨脹係數之差較小，因此製程範圍得到確保，且可減小於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變。
此處，所謂50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100係藉由JIS R3102(1995年)所規定之方法進行測定之測定熱膨脹係數之溫度範圍為50℃~100℃的平均熱膨脹係數。
又，玻璃基板12於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃。α200/300較佳為3.55ppm/℃以上，更佳為3.65ppm/℃以上，尤佳為3.66ppm/℃以上，最佳為3.68ppm/℃以上。α200/300較佳為3.85ppm/℃以下，更佳為3.75ppm/℃以下，尤佳為3.73ppm/℃以下，最佳為3.71ppm/℃以下。
若α200/300為上述範圍，則將玻璃基板與矽基板貼合時之製程範圍得到確保，且可顯著抑制因與矽基板之熱膨脹係數之差導致產生之殘留應變等不良。又，若α200/300為3.55ppm/℃~3.85ppm/℃，則與矽基板之熱膨脹係數之差充分變小，因此可進一步抑制因熱膨脹係數之差所引起之不良。
此處，所謂200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300係藉由JIS R3102(1995年)所規定之方法進行測定之測定熱膨脹係數之溫度範圍為200℃~300℃的平均熱膨脹係數。
玻璃基板12於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~ 1.30。若為上述範圍，則與矽基板之熱膨脹係數之差較小，因此於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變較小。α200/300/α50/100較佳為1.24~1.27。
玻璃基板12中之鹼金屬氧化物之含量為0%~0.1%。此處，鹼金屬氧化物係Li2O、Na2O、K2O等。若鹼金屬氧化物之含量為0.1%以下，則於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，鹼金屬離子不易向矽基板擴散。鹼金屬氧化物之含量較佳為0.05%以下，更佳為0.02%以下，進而較佳為實質上不含。此處，所謂實質上不含鹼金屬氧化物，意指完全不含鹼金屬氧化物、或可包含作為製造上不可避免所混入之雜質的鹼金屬氧化物。
玻璃基板12較佳為下述組成。
SiO2：50%~75%
Al2O3：6%~16%
B2O3：0%~15%
MgO：0%~15%
CaO：0%~13%
SrO：0%~11%
BaO：0%~9.5%
SiO2係形成玻璃骨架之成分。若SiO2之含量為50%以上，則耐熱性、化學耐久性、耐候性良好。若SiO2之含量為75%以下，則玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好。SiO2之含量較佳為60%以上，更佳為64%以上。又，SiO2之含量較佳為70%以下，更佳為68%以下。
若Al2O3之含量為6%以上，則耐候性、耐熱性、化學耐久性良好，楊氏模數變高。若Al2O3之含量為16%以下，則玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，不易失透。Al2O3之含量較佳為8%以上，更佳為11%以上。又，Al2O3之含量較佳為14%以下。
B2O3並非必須成分，但藉由含有該B2O3，玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，不易失透。若B2O3之含量為15%以下，則可提高玻璃轉移溫度，楊氏模數變高。B2O3之含量更佳為3%以上。又，B2O3之含量較佳為12%以下，更佳為6%以下。
MgO並非必須成分，但藉由含有該MgO，玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，耐候性提高，楊氏模數變高。若MgO之含量為15%以下，則不易失透。MgO之含量較佳為4%以上，更佳為6%以上。又，MgO之含量較佳為10%以下，更佳為9.5%以下，進而較佳為9%以下。
CaO並非必須成分，但藉由含有該CaO，玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，耐候性提高。若CaO之含量為13%以下，則不易失透。CaO之含量較佳為4%以上。又，CaO之含量較佳為10%以下，更佳為8%以下。
SrO並非必須成分，但藉由含有該SrO，玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，耐候性提高。若SrO之含量為11%以下，則不易失透。SrO之含量較佳為0.5%以上。又，SrO之含量較佳為8%以下，更佳為3%以下。
BaO並非必須成分，但藉由含有該BaO，玻璃熔解時之黏性不會過高而熔融性良好，耐候性提高。若BaO之含量為9.5%以下，則不易失透。BaO之含量較佳為3%以下，更佳為2%以下。
玻璃基板12較佳為CaO、SrO及BaO之合計含量為7%以上。若CaO、SrO及BaO之合計含量為7%以上，則不易失透。CaO、SrO及BaO之合計含量更佳為7.5%以上，進而較佳為8.0%以上。
玻璃基板12較佳為(Al2O3之含量)≧(MgO之含量)。若(Al2O3之含量)≧(MgO之含量)，則容易使玻璃基板之平均熱膨脹係數變得與矽基板之平均熱膨脹係數一致，於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟 中，矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變較小。
玻璃基板12較佳為失透黏性(ηTL)為103.8d．Pa．s以上。若失透黏性為103.8d．Pa．s以上，則能夠穩定地成形。失透黏性更佳為104.0d．Pa．s以上，進而較佳為104.2d．Pa．s以上。
玻璃基板12於用作CMOS感測器之光學濾光片之基板的情形時，較佳為穿透率較高以進一步提高所拍攝圖像之色再現性，因此Fe2O3之含量以氧化物基準之質量百萬分率表示，較佳為200ppm以下。Fe2O3之含量更佳為150ppm以下，進而較佳為100ppm以下，尤佳為50ppm以下。
玻璃基板12為了提高導熱率、優化熔融性，較佳為含有以氧化物基準之質量百萬分率表示超過200ppm且為1000ppm以下之Fe2O3。若Fe2O3之含量超過200ppm，則可提高玻璃基板之導熱率，優化熔融性。若Fe2O3之含量為1000ppm以下，則對可見光之吸收不會過強。
Fe2O3之含量更佳為300ppm以上，進而較佳為400ppm以上，尤佳為500ppm以上。Fe2O3之含量更佳為800ppm以下，進而較佳為700ppm以下，尤佳為600ppm以下。
玻璃基板12亦可含有例如SnO2、SO3、Cl及F等作為澄清劑。
為了改善耐候性、熔解性、失透性、紫外線遮蔽、紅外線遮蔽、紫外線穿透、紅外線穿透等，玻璃基板12亦可含有例如ZnO、Li2O、WO3、Nb2O5、V2O5、Bi2O3、MoO3、P2O5、Ga2O3、I2O5、In2O5、Ge2O5等。
為了提高玻璃之化學耐久性，玻璃基板12亦可於玻璃中含有合量2%以下之ZrO2、Y2O3、La2O3、TiO2、SnO2，較佳為含有1%以下、更佳為0.5%以下。該等中之Y2O3、La2O3及TiO2亦有助於提高玻璃之楊氏模數。
考慮到環境負荷，玻璃基板12較佳為實質上不含As2O3、Sb2O3。 又，考慮到浮式法成形之穩定進行，較佳為實質上不含ZnO。
玻璃基板12於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數α100/200較佳為3.13ppm/℃~3.63ppm/℃，更佳為3.23ppm/℃~3.53ppm/℃。若α100/200為上述範圍，則與矽基板之熱膨脹係數之差較小，因此製程範圍得到確保，且可減小於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中矽基板及玻璃基板所產生之殘留應力。
α100/200進而較佳為3.33ppm/℃以上，尤佳為3.34ppm/℃以上，最佳為3.35ppm/℃以上。又，α100/200進而較佳為3.43ppm/℃以下，尤佳為3.41ppm/℃以下，最佳為3.38ppm/℃以下。
此處，所謂100℃~200℃下之平均熱膨脹係數α100/200係藉由JIS R3102(1995年)所規定之方法進行測定之測定熱膨脹係數之溫度範圍為100℃~200℃的平均熱膨脹係數。
玻璃基板12較佳為楊氏模數為80GPa以上。若楊氏模數為80GPa以上，則可抑制於製造玻璃基板時之緩冷步驟中玻璃基板產生翹曲或破裂。又，可抑制因與矽基板或周邊構件等接觸而產生破損。楊氏模數更佳為81GPa以上，進而較佳為82GPa以上，尤佳為84GPa以上。
又，楊氏模數較佳為100GPa以下。若楊氏模數為100GPa以下，則可抑制玻璃變脆，可抑制玻璃基板於切削、切割時產生破損。楊氏模數更佳為90GPa以下，進而較佳為87GPa以下。
玻璃基板12較佳為厚度為1.0mm以下。若厚度為1.0mm以下，則可實現影像感測器之小型化。厚度更佳為0.8mm以下，進而較佳為0.7mm以下，尤佳為0.5mm以下。
又，厚度較佳為0.1mm以上。若厚度為0.1mm以上，則可抑制因與矽基板或周邊構件等接觸而產生破損。又，可抑制選擇透光型玻璃之自重撓曲。厚度更佳為0.2mm以上，進而較佳為0.3mm以上。
玻璃基板12較佳為面積為0.01m2以上。若面積為0.01m2以上， 則可使用較大之矽基板，可製成複數個影像感測器。面積亦可為0.02m2以上，亦可為0.03m2以上，亦可為0.04m2以上，亦可為0.05m2以上。
又，本發明之一實施形態之玻璃基板12由於α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，且α200/300/α50/100為1.20~1.30，故而即便面積為0.01m2以上，於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中矽基板及玻璃基板所產生之殘留應力亦較小。面積較佳為0.1m2以下。若面積為0.1m2以下，則選擇透光型玻璃易於操作，可抑制因與矽基板或周邊構件等接觸而產生破損。面積更佳為0.08m2以下，進而較佳為0.06m2以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為密度為2.60g/cm3以下。若密度為2.60g/cm3以下，則選擇透光型玻璃較輕量。又，可減輕選擇透光型玻璃之自重撓曲。密度更佳為2.55g/cm3以下，進而較佳為2.50g/cm3以下。
密度較佳為2.20g/cm3以上。若密度為2.20g/cm3以上，則玻璃之維氏硬度變高，能夠使玻璃表面不易受傷。密度更佳為2.30g/cm3以上，進而較佳為2.40g/cm3以上，尤佳為2.45g/cm3以上。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為玻璃基板所含之缺陷之密度為1個/cm2以下。所謂玻璃基板所含之缺陷係存在於玻璃基板之表面或內部之氣泡、傷痕、鉑等金屬異物及未熔融原料等，且係指大小為0.5μm以上且1mm以下者。若缺陷大於1mm，則可藉由目視容易地判別，容易剔除有缺陷之基板。若缺陷小於0.5μm，則缺陷足夠小，因此即便於用作CMOS感測器或LCOS之覆蓋玻璃之情形時亦無需擔憂會影響元件特性。
先前之半導體組裝步驟中，將選擇透光型玻璃切斷後進行組裝步驟，因此於玻璃基板存在缺陷之情形時，能夠於組裝步驟之初期剔 除有缺陷之基板。另一方面，於晶圓級封裝時，於組裝步驟之最後進行積層基板之單片化，因此於玻璃基板存在缺陷之情形時，可剔除有缺陷之玻璃基板者為組裝步驟之最後。如此，於晶圓級封裝時，玻璃基板之缺陷之密度增加之情形時成本之增加變大，因此要求高品質之缺陷管理。缺陷之密度更佳為0.1個/cm2以下，進而較佳為0.01個/cm2以下。
若玻璃基板中存在以脈理為代表之折射率之不均勻，則會導致所拍攝圖像或所投影圖像發生變形，照片或影像之品質下降。因此，玻璃基板中較佳為無折射率之不均勻。又，於玻璃基板中存在脈理之情形時，折射率差較佳為10-4以內，更佳為10-5以內。
玻璃基板之形狀可為圓形或橢圓形或矩形等任意形狀。為了配合所要貼合之矽基板之形狀，玻璃基板之端可具有槽口(notch)，於玻璃基板為圓形之情形時，玻璃基板之外周之一部分可為直線。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為玻璃轉移點(Tg)為700℃以上。若玻璃轉移點(Tg)為700℃以上，則可將玻璃基板於熱處理步驟中之尺寸變化抑製得較小。玻璃轉移點(Tg)更佳為720℃以上，進而較佳為740℃以上。
玻璃基板較佳為假想黏度為1011.0d．Pa．s~1014.1d．Pa．s。為了使玻璃基板之假想黏度成為1011.0d．Pa．s~1014.1d．Pa．s，相當於必須使玻璃板於成形後之冷卻速度成為1℃/min~1200℃/min。若假想黏度為1011.0d．Pa．s~1014.1d．Pa．s，則玻璃基板之平均熱膨脹係數變得接近矽基板之平均熱膨脹係數，於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板及玻璃基板所產生之殘留應力較小。玻璃基板之假想黏度較佳為1012.1d．Pa．s~1013.1d．Pa．s(相當於冷卻速度10℃/min~100℃/min)。
玻璃之假想黏度(η)可根據下述(式4)(G.W.Scherer,Relaxation in Glass and Composites,Wiley,New York(1986),p.159)而算出。
[數1]log10 η=12.3-log10|q| (式4)
此處，η之單位為d．Pa．s，q為假定冷卻速度，單位為℃/s。
假定冷卻速度q係藉由下述方法由玻璃基板求出。自厚度1mm以下之一片玻璃基板切出複數個玻璃板小片。例如切出1厘米見方之小片作為玻璃板小片。對所切出之複數個玻璃板小片分別於各種冷卻速度V下進行熱處理後加以冷卻，測定各玻璃板單片之物性值。冷卻開始溫度較佳為不受冷卻速度影響之足夠高之溫度。典型而言，較佳為Tg+50℃~+150℃左右。
實施測定之物性值並無特別限制，較佳為密度或與密度密切相關之物性值(例如折射率)等。x軸取冷卻速度(log10V)，y軸取各實施過熱處理之玻璃板單片之物性值，製作校準曲線A。由未實施熱處理之玻璃板單片之物性值根據所製作之校準曲線A求出該玻璃基板之假定冷卻速度q。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為黏度成為102d．Pa．s時之溫度(T2)為1800℃以下。T2更佳為1750℃以下，進而較佳為1700℃以下，尤佳為1650℃以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為黏度成為104d．Pa．s時之溫度(T4)為1350℃以下。T4更佳為1300℃以下，進而較佳為1275℃以下，尤佳為1250℃以下。再者，考慮到其他物性之易確保性，黏度成為104d．Pa．s時之溫度(T4)為1100℃以上。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為失透溫度為1325℃以下。更佳為1300℃以下，進而較佳為1275℃以下，尤佳為1250℃以下。所謂玻璃失透溫度係指將經粉碎之玻璃粒子裝於鉑製皿內，在控制於一定溫度之電爐中進行17小時之熱處理，熱處理後藉由光學顯微 鏡觀察到於玻璃內部析出結晶時之最高溫度與未析出結晶時之最低溫度的平均值。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為滿足0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)為2.70~3.20、0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)為3.13~3.63、0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)為3.45~3.95、及0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)為1.20~1.30。
此處，SiO2之含量、Al2O3之含量、B2O3之含量、MgO之含量、CaO之含量、SrO之含量及BaO之含量係所獲得之玻璃中含有之各成分之含量，η為假想黏度(單位：d．Pa．s)。
若滿足該等條件，則製程範圍得到確保，且容易減小於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變。
0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之 含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)更佳為2.80以上，進而較佳為2.90以上，尤佳為2.91以上，最佳為2.92以上。
又，0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)更佳為3.10以下，進而較佳為3.00以下，尤佳為2.96以下，最佳為2.94以下。
0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)更佳為3.23以上，進而較佳為3.33以上，尤佳為3.34以上，最佳為3.35以上。
又，0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)更佳為3.53以下，進而較佳為3.43以下，尤佳為3.41以下，最佳為3.38以下。
0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)更佳為3.55以上，進而較佳為3.65以上，尤佳為3.66以上，最佳為3.68以上。
又，0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+ 0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)更佳為3.85以下，進而較佳為3.73以下，尤佳為3.65以下，最佳為3.71以下。
進而，0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)更佳為1.24以上。
又，0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)更佳為1.27以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為於氫氟酸水溶液(HF)中之重量減少量(以下亦記為HF重量減少量)為0.05(mg/cm2)/min以上且0.20(mg/cm2)/min以下。此處，所謂HF重量減少量係將玻璃基板浸漬於25℃、5質量%氫氟酸水溶液中時每單位面積及單位時間之減少量((mg/cm2)/min)。
本發明之一實施形態之玻璃基板12於與矽基板貼合後作為光學濾光片而組入至裝置中。於此種情形時，為了使裝置小型化，較佳為將玻璃基板減薄。因此，玻璃基板較佳為減薄率較高。作為玻璃基板之減薄率之指標，可採用HF重量減少量。
若HF重量減少量為0.05(mg/cm2)/min以上，則減薄步驟之生產性良好，從而較佳。若HF重量減少量為0.20(mg/cm2)/min以下，則可防止於減薄步驟中玻璃基板所產生之蝕刻深度不均勻而有損玻璃基板表面之平滑性等不良情況，因此較佳。
HF重量減少量更佳為0.07(mg/cm2)/min以上，進而較佳為0.09(mg/cm2)/min以上，尤佳為0.11(mg/cm2)/min以上。又，HF重量減少 量更佳為0.18(mg/cm2)/min以下，進而較佳為0.16(mg/cm2)/min以下，尤佳為0.14(mg/cm2)/min以下。
又，本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃可用作投影用途之顯示裝置、例如LCOS之光學濾光片。於此種情形時，若玻璃基板之光彈性常數較高，則因於裝置之封裝步驟或裝置使用時產生之應力而導致玻璃基板具有雙折射性。其結果存在入射至裝置內之光產生色變化而引起色不均等畫質不良之虞。
為了防止此種畫質不良，本發明之一實施形態之玻璃基板12較佳為光彈性常數為31nm/(MPa．cm)以下，更佳為30.5nm/(MPa．cm)以下，進而較佳為30nm/(MPa．cm)以下，尤佳為29.5nm/(MPa．cm)以下。
又，玻璃基板之α射線放出量較佳為0.5C/cm2．h以下，更佳為0.3C/cm2．h以下，尤佳為0.1C/cm2．h以下，最佳為0.05C/cm2．h以下。再者，單位之C意指計數數值。
例如將本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃用作固體攝像元件之覆蓋玻璃。於該情形時，若自玻璃基板產生之α射線入射至固體攝像元件內，則存在因α射線之能量而誘導形成電洞-電子對，從而導致產生圖像瞬間出現亮點或白點之軟性誤差之虞。因此，藉由使用α射線放出量較少之玻璃基板，容易防止此種不良情況。再者，若使用放射性同位元素之含量較少、α射線放出量較少之高純度原料作為玻璃基板之原料，則可減少α射線放出量。又，若於玻璃之熔融-澄清步驟中避免放射性同位元素自玻璃製造設備之爐材等混入至熔融玻璃中，則可有效減少α射線放出量。又，「α射線放出量」可利用氣流比例計數管測定裝置等進行測定。
其次，對本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。
於製造玻璃基板之情形時，經過如下步驟：加熱玻璃原料而獲得熔融玻璃之熔解步驟、自熔融玻璃中去除氣泡之澄清步驟、將熔融玻璃製成板狀而獲得玻璃帶之成形步驟、及將玻璃帶緩冷至室溫狀態之緩冷步驟。
關於熔解步驟，以成為所獲得之玻璃板之組成的方式調配原料，將原料連續地投入至熔解爐內，加熱至較佳為1450℃~1650℃左右而獲得熔融玻璃。
原料中亦可使用氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、氯化物等鹵化物等。若於熔解或澄清步驟中存在熔融玻璃接觸鉑之程序，則有微小鉑粒子向熔融玻璃中溶出而作為異物混入所獲得之玻璃板中的情況，但若於原料中使用硝酸鹽，則具有防止該鉑異物溶出之效果。
作為硝酸鹽，可使用硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣等。更佳為使用硝酸鍶。可適當使用無未熔解者殘留之程度之數百微米之較大粒徑至原料搬送時不會發生飛散且成為二次粒子時不會產生凝集之程度之數微米左右之較小粒徑的粒度範圍內之原料。亦可使用造粒體。為了防止原料飛散，亦可適當調整原料含水量。亦可適當調整β-OH、Fe之氧化還原度或氧化還原勢(redox)[Fe2+/(Fe2++Fe3+)]等熔解條件而使用。
其次，澄清步驟係自上述熔解步驟中所獲得之熔融玻璃中去除氣泡之步驟。作為澄清步驟，亦可採用減壓脫泡法。又，玻璃基板可使用SO3或SnO2作為澄清劑。作為SO3源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種元素之硫酸鹽，更佳為鹼土金屬之硫酸鹽，其中，尤佳為CaSO4．2H2O、SrSO4及BaSO4，該等增大氣泡之作用顯著。
作為減壓脫泡法中之澄清劑，較佳為使用Cl或F等鹵素。作為Cl源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種元素之氯化物，更 佳為鹼土金屬之氯化物，其中，SrCl2．6H2O及BaCl2．2H2O由於增大氣泡之作用顯著、且潮解性較小，故而尤佳。作為F源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種元素之氟化物，更佳為鹼土金屬之氟化物，其中，更佳為CaF2，其增強玻璃原料之熔解性之作用顯著。
其次，成形步驟係將經過上述澄清步驟而去除了氣泡之熔融玻璃製成板狀而獲得玻璃帶之步驟。成形步驟採用浮式法，即，使熔融玻璃流延於熔融金屬上而成形為板狀，從而獲得玻璃帶。
其次，緩冷步驟係將上述成形步驟中所獲得之玻璃帶緩冷至室溫狀態之步驟。作為緩冷步驟，將玻璃帶以自黏度成為1013d．Pa．s之溫度至成為1014.5d．Pa．s之溫度之平均冷卻速度成為R的方式緩冷至室溫狀態。將緩冷後之玻璃帶切斷而獲得玻璃基板。
玻璃基板之製造方法中，所獲得之玻璃基板之組成與緩冷步驟中玻璃帶之平均冷卻速度R(單位：℃/min)滿足以下之條件(1)~條件(4)。
條件(1)：0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×log10R為2.70~3.20
條件(2)：0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×log10R為3.13~3.63
條件(3)：0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×log10R為3.45~3.95
條件(4)：0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×log10R為1.20~1.30
較佳為滿足以下之條件(1)~條件(4)。
條件(1)：0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×log10R為2.80~3.10
條件(2)：0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×log10R為3.23~3.53
條件(3)：0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×log10R為3.55~3.85
條件(4)：0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×log10R為1.24~1.27
此處，SiO2之含量、Al2O3之含量、B2O3之含量、MgO之含量、CaO之含量、SrO之含量及BaO之含量係所獲得之玻璃中含有之各成分之含量。藉由滿足條件(1)~條件(4)，可製造能夠使熱處理步驟中矽基板及玻璃基板本身所產生之殘留應變減小的玻璃基板。
以上所說明之本發明之一實施形態之玻璃基板中，鹼金屬氧化 物之含量為0.1%以下，因此於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，鹼金屬離子不易向矽基板擴散。又，50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，因此與矽基板之熱膨脹係數之差較小，矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變較小。
本發明並不限定於上述實施形態。可達成本發明之目的之範圍內之變化或改良等包括於本發明中。
例如於製造本發明之玻璃基板之情形時，關於成形步驟，亦可採用熔融法或加壓成形法等而將熔融玻璃製成板狀。
又，於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，亦可使用鉑坩堝。於使用鉑坩堝之情形時，關於熔解步驟，以成為所獲得之玻璃基板之組成的方式調配原料，將裝有原料之鉑坩堝投入至電爐中，加熱至較佳為1450℃~1650℃左右，插入鉑攪拌器攪拌1小時~3小時而獲得熔融玻璃。
成形步驟係使熔融玻璃流延成例如碳板狀而製成板狀。緩冷步驟係將板狀之玻璃緩冷至室溫狀態後進行切斷而獲得玻璃基板。
又，亦可將經切斷而獲得之玻璃基板加熱至例如Tg+50℃左右後緩冷至室溫狀態。藉由進行如上操作，可調節假想黏度η。
(選擇透光層)
選擇透光層11係選擇性地使近紅外線及可見光線中之選自近紅外線、可見光線、藍色波長區域之可見光線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線之群中之至少一者穿透的層。選擇透光層11較佳為選擇性地使選自上述群中之三者以下穿透之層。
具體而言，選擇透光層11只要選擇性地使(1)近紅外線、(2)可見 光線、(3)藍色波長區域之可見光線、(4)紅色波長區域之可見光線、(5)綠色波長區域之可見光線、(6)近紅外線及藍色波長區域之可見光線、(7)近紅外線、藍色波長區域之可見光線及紅色波長區域之可見光線、(8)近紅外線、藍色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線、(9)近紅外線及紅色波長區域之可見光線、(10)近紅外線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線、(11)近紅外線及綠色波長區域之可見光線、(12)藍色波長區域之可見光線及紅色波長區域之可見光線、(13)藍色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線、或(14)紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線穿透即可。
此處，各光之波長係設為近紅外線：780nm~1200nm、可見光線：380nm~780nm、紅色波長區域之可見光線：600nm~780nm、綠色波長區域之可見光線：500nm~600nm、藍色波長區域之可見光線：380nm~50011m。
又，所謂「選擇性穿透」意指於各波長範圍下就外部穿透率而言最大可穿透80%以上。外部穿透率係入射光中因反射或吸收而未穿透之成分以外之穿透光之穿透率，可使用市售之雙光束型近紅外可見分光光度計等進行測定。又，微細區域之外部穿透率亦可使用附帶顯微鏡之顯微分光光度計進行測定。
選擇透光層11於近紅外線截止濾光片用途或近紅外線穿透濾光片用途之情形時，較佳為由吸收層及/或反射層構成。於彩色濾光片用途之情形時，較佳為由吸收層構成。
吸收層只要由例如含有吸收色素與透明樹脂之層形成即可，上述吸收色素吸收不欲使之穿透之波長之光。吸收色素可包括多種。
反射層只要由例如積層有折射率不同之2種以上之介電薄膜的介電多層膜形成即可。利用反射層之反射作用、具體而言介電多層膜之 干涉作用，而使不欲使之穿透之波長之光發生反射。反射層可賦予憑藉吸收層難以實現之更敏銳之選擇透光性。例如於近紅外線截止濾光片用途之情形時，藉由以反射層構成選擇透光層11，與以吸收層構成之情形相比，可提高可見光穿透率。
選擇透光層11可被分割成矩形或多角形等。分割出之選擇透光層11各自之光吸收特性可不同，例如分別對應於紅光、綠光、藍光。又，選擇透光層11可由黑矩陣等遮光部進行分割。
圖1B表示於玻璃基板12之兩面分別形成有選擇透光層11a、11b之選擇透光型玻璃20。圖1B中，選擇透光層11a、11b各自之選擇透光特性可相同亦可不同。
又，於近紅外線截止濾光片或近紅外線穿透濾光片用途之情形時，選擇透光型玻璃可為除吸收層以外亦具備包含介電多層膜之反射層之構成。例如於近紅外線截止濾光片用途之情形時，藉由除吸收層以外亦具備反射層，可利用反射作用來遮斷僅藉由吸收層111無法充分遮斷之近紫外光及近紅外光。同樣地，於近紅外線穿透濾光片用途之情形時，可遮斷近紫外線及可見光線。
圖1C表示除包含吸收層111之選擇透光層以外亦形成有反射層112a、112b、112c之選擇透光型玻璃30。選擇透光型玻璃30可於玻璃基板12之單面或/及兩面具備上述反射層112a、112b，或者於包含吸收層111之選擇透光層之表面具備反射層112c。
再者，選擇透光型玻璃30亦可具備抗反射膜，又，亦可藉由矽烷偶合劑實施表面處理以提高選擇透光層之密接性或可靠性，或者亦可具備介電膜。位於選擇透光型玻璃30之表面之112a、112c中之一者係經由接著劑而與矽基板接合，因此較佳為於設計時考慮到接著劑之折射率。
再者，選擇透光型玻璃30係與形成有固體攝像元件之矽基板接 合，並配置於接近像素之位置。因此，若反射層112a、112b、112c中存在異物或微小缺陷，則該等有可能直接成為像素缺陷，因此對其大小或產生數之容許程度大多較非接合型光學濾光片中之反射層更嚴格。因此，選擇透光型玻璃30較佳為根據品質等級而具備反射層112a、112b、112c。
又，本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃若亦將保護固體攝像元件之覆蓋玻璃之功能包括在內，則可期待攝像裝置之小型化、薄型化。再者，玻璃基板若包含作為雜質之α射線放出性元素(放射性同位元素)，則存在放出α射線而導致固體攝像元件產生軟性誤差之虞，因此較佳為使用α射線放出性元素含量較少之高純度之玻璃原料。玻璃原料較佳為α射線放出性元素中之U、Th之含量為20ppb以下，更佳為5ppb以下。又，選擇透光型玻璃亦可於接近固體攝像元件之單面設置遮蔽α射線之膜。
(選擇透光層之具體例)
揭示構成選擇透光層11之吸收層及反射層之具體例。
作為一例，對由吸收近紅外線且使可見光線穿透之吸收層構成選擇透光層11之例進行說明。
構成選擇透光層11之吸收層係含有作為吸收色素之近紅外線吸收色素(A)(以下亦稱為「色素(A)」)與透明樹脂(B)的層，典型而言係使色素(A)均勻地溶解或分散於透明樹脂(B)中而成之層。選擇透光層11較佳為進而含有近紫外線吸收色素(U)(以下亦稱為「色素(U)」)。
再者，圖1A~圖1C之選擇透光型玻璃中，選擇透光層11(吸收層111)於進而含有色素(U)之情形時亦圖示成由1層構成，但並不限於該構成。例如於選擇透光層11含有色素(A)與透明樹脂(B)但不含色素(U)之情形時，亦可為另外設置有圖1A~圖1C中未圖示之近紫外線吸收層之構成。即，可以含有色素(U)與透明樹脂之獨立層之形態設置 近紫外線吸收層。
於該情形時，近紫外線吸收層可設置於玻璃基板12之兩主面中之選擇透光層11側，亦可設置於與選擇透光層11側相對向之側，其等之位置關係無限制。其中，本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃即便為另外設置近紫外線吸收層之構成，亦獲得與選擇透光層11進而含有色素(U)之構成時之光學特性相同之光學特性。又，即便於選擇透光層11含有色素(A)與透明樹脂(B)且進而含有色素(U)之情形時，亦可另外設置含有色素(U)與透明樹脂(B)之近紫外線吸收層。以下，關於本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃含有色素(U)之情形，以選擇透光層11含有色素(U)之構成為例進行說明。
<近紅外線吸收色素(A)>
色素(A)只要具有使可見光區域(波長380nm~780nm)之光穿透、並吸收近紅外線區域(波長780nm~1200nm)之光的能力，則無特別限制。再者，本發明中之色素可為顏料，即呈分子凝集狀態。
作為色素(A)，例如可列舉：花青系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、二硫醇金屬錯合物系化合物、二亞銨系化合物、聚次甲基系化合物、酞內酯化合物、萘醌系化合物、蒽醌系化合物、靛酚系化合物、方酸鎓系化合物等。
<近紫外線吸收色素(U)>
近紫外線吸收色素(U)只要具有吸收波長430nm以下之光之能力，則無特別限制。
作為色素(U)之具體例，可列舉：唑系、部花青系、花青系、萘二甲醯亞胺系、二唑系、系、唑啶系、萘二甲酸系、苯乙烯基系、蒽系、環狀羰基系、三唑系等。
再者，關於選擇透光層11中之色素(A)之含量，相對於透明樹脂(B)100質量份，較佳為含有0.1~30質量份，更佳為含有0.5~25質量 份，尤佳為含有1~20質量份。
關於選擇透光層11中之色素(U)之含量，相對於透明樹脂(B)100質量份，較佳為含有0.01~30質量份，更佳為含有0.05~25質量份，尤佳為含有0.1~20質量份。
又，選擇透光層11中除色素(A)及透明樹脂(B)、任意成分之色素(U)以外，亦可含有光吸收劑、色調修正色素、近紫外線吸收劑、調平劑、抗靜電劑、熱穩定劑、光穩定劑、抗氧化劑、分散劑、阻燃劑、潤滑劑、塑化劑等。又，可列舉後述形成選擇透光層11時所使用之塗佈液中添加之成分，例如矽烷偶合劑、熱或光聚合起始劑、源自聚合觸媒之成分等。關於吸收層中之該等其他任意成分之含量，較佳為相對於透明樹脂(B)100質量份而分別含有15質量份以下。
選擇透光層11之膜厚較佳為0.1μm~10μm。若膜厚未達0.1μm，則存在無法充分展現出光吸收能力之虞。又，若膜厚超過10μm，則存在膜之平坦性下降、吸收率產生不均之虞。膜厚更佳為1μm~10μm。若處於該範圍，則可兼具充分之光吸收能力與膜厚之平坦性。再者，於另外設置近紫外線吸收層之情形時，近紫外線吸收層之膜厚亦只要滿足上述範圍即可。
選擇透光層11可藉由如下方式製造，例如使色素(A)、透明樹脂(B)或透明樹脂(B)之原料成分、進而任意之色素(U)分散於溶劑中，使之溶解而製備塗佈液，將該塗佈液塗佈於玻璃基板12上，加以乾燥，進而視需要進行硬化。藉由利用如上方法成膜選擇透光層11，可以所需膜厚均勻地製造。於選擇透光層11含有上述任意成分之情形時，塗佈液含有該任意成分。
於玻璃基板12上塗佈上述塗佈液後，加以乾燥，藉此於該玻璃基板12上形成選擇透光層11。於塗佈液含有透明樹脂(B)之原料成分之情形時，進而進行硬化處理。於反應為熱硬化之情形時，可同時進 行乾燥與硬化，於反應為光硬化之情形時，將乾燥與硬化處理分開進行。
<透明樹脂(B)>
關於透明樹脂(B)，具體而言，可列舉：丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、烯-硫醇樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚樹脂、聚芳酯樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯樹脂、聚伸芳基醚氧化膦樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、環狀烯烴樹脂及聚酯樹脂。作為透明樹脂(B)，可單獨使用該等樹脂中之1種，亦可將2種以上混合使用。
作為另一例，對選擇透光層11係由使近紅外線發生反射、並使可見光線穿透之反射層構成的例進行說明。
構成選擇透光層11之反射層如上所述係由介電多層膜形成。例如由具有折射率為2.0以上之高折射率層及折射率為1.7以下之低折射率層的介電多層膜形成。關於高折射率層，可自TiO2、Nb2O5、Ta2O5或該等之複合氧化物中選擇。關於低折射率層，可自SiO2、MgF2、Al2O3或該等之複合氧化物中選擇。
選擇透光層11(反射層)如圖1B所示，可設置於玻璃基板之兩面。由介電多層膜構成之選擇透光層11會於玻璃基板上積層多達數十層之光學薄膜，因此尤其於玻璃基板之厚度較薄之情形時，存在玻璃基板於膜應力之作用下發生翹曲之情況，但藉由於玻璃基板之兩面成膜介電多層膜以使玻璃基板兩面之膜應力大致相等，可緩和翹曲。
作為構成選擇透光層11(反射層)之介電多層膜之膜厚之基本設計，一般而言具有使相同光學膜厚之高折射率層與低折射率層交替地重複積層而成之重複交替層。重複交替層表示為(1H、1L)S。此處，將所欲截止之波長之中心附近之波長設為設計波長λ，關於高折射率層(H)之膜厚，將光學膜厚nd=1/4λ之值記為1H，同樣地，關於低折 射率層(L)之膜厚，記為1L。S係稱為堆疊數之重複次數，表示週期性地重複括弧內之構成。
藉由該重複交替層而決定所要截止之特定波長。若S之值變大，則自吸收變為穿透之滾降特性(急遽度)變得急速，因此例如關於感度修正用光學濾光片(近紅外線截止濾光片)，為了緩和滾降特性，較佳為於2~7左右之範圍內選定S之值，並且逐層少量地改變通常之基本設計之重複交替層之厚度而積層。
為了提高通帶之穿透率，使稱為紋波(ripple)之透光率之凹凸成為平坦(flat)之特性，而改變重複交替層中接近玻璃基板之數層與接近介質之數層各自之膜厚來進行最佳設計。因此，例如表示為“基板|0.5L、1H．．．HL(HL)sHL．．．H、0.5L”。又，於高折射率層中使用TiO2等之情形時，相較於以高折射率層作為最外層來結束設計，更多情況下於最外層追加設計耐環境特性更優異之SiO2。接觸玻璃基板之層亦存在TiO2與玻璃基板發生反應而導致特性劣化之情況，因此有時亦對第1層追加化學性質穩定之SiO2。關於此種由多層膜構成之選擇透光層11之設計，可使用市售之軟體來進行理論設計(參考文獻：OPTRONICS雜誌，1999年，No.5，p.175~190)。
若揭示近紅外線截止濾光片之具體構造，則於選定SiO2(n=1.46)作為低折射率層、選定Ta2O5(n=2.1)作為高折射率層、設計波長λ設為755nm之情形時，可例示如下40層之積層構造。
1.17H、1.13L、(0.95H、0.99L)4、(1.05H、1.1L)4、(1.18H、1.22L)2、(1.25H、1.28L)3、(1.33H、1.34L)5、1.16H、0.59L。
於玻璃基板上交替地成膜高折射率層與低折射率層時一般採用物理成膜法，亦可為通常之真空蒸鍍法，但較佳為離子輔助蒸鍍或離子鍍覆法、濺鍍法，該等方法能夠穩定地控制膜之折射率，可製成分光特性隨保管．使用環境變化所產生之經時變化較少的膜。
(積層基板)
進而，本發明提供一種將矽基板與選擇透光型玻璃接合而成之積層基板。例如提供一種用以製造相機模組之將形成有複數個固體攝像元件之矽基板與選擇透光型玻璃接合而成之積層基板。圖2係概略地表示將本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃基板10(20、30)與形成有複數個固體攝像元件19之矽基板15接合而成之積層基板40(50)之例的立體圖。
圖3A、圖3B係將由本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃10(20、30)與固體攝像元件19一體化而成之積層基板40(50)之固體攝像元件19周邊放大所得的剖面模式圖。固體攝像元件19係於矽基板15之單面形成Si半導體(CMOS、CCD)光檢測器陣列16、並且於每個像素形成RGB馬賽克彩色濾光片17及樹脂微透鏡18而成。固體攝像元件19之矽基板15係與選擇透光型玻璃10(20、30)經由接著劑21一體化而形成積層基板40(50)。
圖3A之積層基板40係於選擇透光型玻璃10(20、30)之選擇透光層11側經由接著劑21與固體攝像元件19一體化之構成。另一方面，圖3B之積層基板50係選擇透光層11面向空氣側，於與選擇透光層11對向之側經由接著劑21一體化之構成。接著劑21只要為對可見光透明之材料即可。積層基板中，選擇透光層11之配置可為固體攝像元件19側(圖3A)，亦可為空氣側(圖3B)。與玻璃基板相比，吸收層較柔軟，因此表面易受損，故而於選擇透光層11由單層構成之情形時，若將其配置於固體攝像元件19之接合面側，則於其後之製造步驟中不易產生損傷。
積層基板50之構成亦可藉由將玻璃基板12接合於矽基板15後，於玻璃基板12之表面形成選擇透光層11之步驟而獲得。即，不論選擇透光層11之形成、玻璃基板與固體攝像元件之接合的順序如何，積層 基板50均可獲得相同構成。
固體攝像元件19中，樹脂微透鏡18發揮將入射光聚光至光檢測器陣列16之受光面的凸透鏡功能。因此，樹脂微透鏡18所使用之透明樹脂之折射率nML與接著劑21之折射率nG滿足nML>nG，折射率差(nML-nG)越大越佳。具體而言，較佳為nML≧1.8，更佳為nML≧1.9。又，較佳為nG≦1.5，更佳為nG≦1.45。
接著劑21可為紫外線硬化型或熱硬化型之任一者，就短時間內獲得接著強度之方面而言，較佳為紫外線硬化型。紫外線硬化型接著劑可使樹脂微透鏡18面與選擇透光型玻璃10(20、30)之玻璃面或吸收層面獲得充分之接著強度。接著劑21較佳為硬化時之聚合收縮率為3%以下，因高溫高濕下或急遽溫度變化等周圍環境條件所引起之位置偏移或接著力下降較小，且鹵素含量較少，由硬化後之未反應成分所產生之釋氣較少。
藉由接著劑21進行之接合係於選擇透光型玻璃10(20、30)塗佈硬化前之接著劑，以於選擇透光型玻璃與固體攝像元件19之間形成厚度10μm以下且均勻之膜厚之方式進行一體化，獲得積層基板40(50)。於使用紫外線硬化型接著劑之情形時，自選擇透光型玻璃10(20、30)側對接著劑21照射紫外線而進行聚合硬化即可。又，於使用熱硬化型接著劑之情形時，對積層基板50整體進行加熱而進行聚合硬化即可。
再者，於選擇透光層11於接著劑21之硬化製程中無法使紫外線穿透或會因熱處理而變質之情形時，於玻璃基板12與固體攝像元件19之接著後於玻璃基板12之表面形成選擇透光層11即可。
又，圖3A及圖3B之積層基板中省略了固體攝像元件19之電壓施加及電氣訊號取出用之電氣配線。實際上於能夠抑制因像素小型化引起之感度降低之背面照射型CMOS固體攝像元件之情形時，可列舉將電氣配線配置於矽基板15之與光檢測器陣列16相對向之側，並藉由矽 基板15之貫通電極等技術而將電極引出至固體攝像元件背面之例。
積層基板40(50)係使用切割裝置等切割成固體攝像元件19之尺寸並搭載於固體攝像裝置。圖5係概略地表示固體攝像裝置60之主要部分的剖視圖，具有：接合有選擇透光型玻璃10(20)之固體攝像元件19、位於其前方之反射層112與攝像透鏡31、及將該等固定之殼體33。攝像透鏡31係藉由設置於殼體33之內側之透鏡單元32而固定。反射層112於透明基板之單面或兩面具有介電多層膜，配置於自透鏡單元32之光入射側至固體攝像元件19之間之光路中。圖5之固體攝像裝置60表示將反射層112配置於透鏡單元32與選擇透光型玻璃10(20)之間之例，但並不限於該例，亦可為將反射層112之介電多層膜形成於攝像透鏡31之表面之構成。
如此，本發明之一實施形態之積層基板40(50)由於可在固體攝像元件19中以晶圓級組入光學濾光片功能，故而生產性提高且可獲得特性之穩定化。進而，藉由將先前之光學濾光片功能集成於固體攝像元件19或攝像透鏡31，能夠藉由削減光學濾光片零件數量而使相機模組之組裝調整變得簡單化，且能夠實現固體攝像裝置之小型化。
又，本發明之一實施形態之積層基板係將選擇透光型玻璃與矽基板積層而成，且玻璃基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100與矽基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數αSi50/100的差△α50/100(=α50/100-αSi50/100)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃。
又，玻璃基板於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300與矽基板於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數αSi200/300的差△α200/300(=α200/300-αSi200/300)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃。由於矽基板與玻璃基板之熱膨脹係數之差較小，故而於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板所產生之殘留應變較小。
△α50/100更佳為-0.15ppm/℃以上，進而較佳為-0.10ppm/℃以 上，尤佳為-0.05ppm/℃以上，最佳為-0.03ppm/℃以上。△α50/100更佳為0.15ppm/℃以下，進而較佳為0.10ppm/℃以下，尤佳為0.05ppm/℃以下，最佳為0.03ppm/℃以下。
△α200/300更佳為-0.15ppm/℃以上，進而較佳為-0.10ppm/℃以上，尤佳為-0.05ppm/℃以上，最佳為-0.03ppm/℃以上。△α200/300更佳為0.15ppm/℃以下，進而較佳為0.10ppm/℃以下，尤佳為0.05ppm/℃以下，最佳為0.03ppm/℃以下。
又，△α200/300與△α50/100之差(△α200/300-△α50/100)為-0.16ppm/℃~0.16ppm/℃。若△α200/300-△α50/100為-0.16ppm/℃~0.16ppm/℃，則與矽基板之熱膨脹係數之差較小，因此於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板所產生之殘留應變較小。△α200/300-△α50/100較佳為-0.12ppm/℃以上，更佳為-0.08ppm/℃以上。又，△α50/100-△α200/300較佳為0.12ppm/℃以下，更佳為0.08ppm/℃以下。
又，玻璃基板之鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示為0%~0.1%。
本發明之一實施形態之積層基板較佳為玻璃基板於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數α100/200與矽基板於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數αSi100/200的差△α100/200(=α100/200-αSi100/200)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃。若△α100/200為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃，則矽基板與玻璃基板之熱膨脹係數之差較小，因此於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板所產生之殘留應變較小。
△α100/200更佳為-0.15ppm/℃以上，進而較佳為-0.10ppm/℃以上，尤佳為-0.05ppm/℃以上，最佳為-0.03ppm/℃以上。△α100/200更佳為0.15ppm/℃以下，進而較佳為0.10ppm/℃以下，尤佳為0.05ppm/℃以下，最佳為0.03ppm/℃以下。
實施例
以下藉由實施例而更詳細地說明本發明。
[試驗例1]
表1~7中揭示本發明之一實施形態之玻璃基板的較佳玻璃組成。再者，只要表現出本發明之功能，則並不限定於本實施例之組成。
以成為表1~7所示之玻璃組成之方式調配矽砂等各種玻璃原料，相對於該目標組成之原料100%，以氧化物基準之質量百分率表示，添加以SO3換算計0.1%~1%之硫酸鹽、0.16%之F及1%之Cl，使用鉑坩堝於1550℃~1650℃之溫度下加熱3小時而熔融。熔融時，插入鉑攪拌器攪拌1小時而進行玻璃之均質化。繼而，使熔融玻璃流出，成形為板狀後，將板狀之玻璃放入至Tg+50℃左右之溫度之電爐內，以冷卻速度R(℃/min)使電爐降溫，而使玻璃冷卻至室溫。
測定所獲得之玻璃之密度(單位：g/cm3)、平均熱膨脹係數(單位：ppm/℃)、玻璃轉移點Tg(單位：℃)、楊氏模數(單位：GPa)、T2(單位：℃)、T4(單位：℃)、失透溫度(單位：℃)、失透黏性log10ηTL(單位：dPa．sec)及假想黏度log10η(單位：dPa．sec)，示於表1~7。又，表1~7中所示之(1)~(4)如下所述。
(1)：0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×(12.3+log1060-log10η)
(2)：0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)
(3)：0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+ 0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)
(4)：0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)
再者，表中括號內之數值係藉由計算所求出者。以氧化物基準之質量百萬分率表示，玻璃中之Fe2O3殘存量為50ppm~200ppm，SO3殘存量為10ppm~100ppm。以下揭示各物性之測定方法。
(平均熱膨脹係數)
依據JIS R3102(1995年)所規定之方法，使用示差熱膨脹計(TMA)進行測定。α50/100之測定溫度範圍為50℃~100℃，α100/200之測定溫度範圍為100℃~200℃，α200/300之測定溫度範圍為200℃~300℃。以單位ppm/℃表示。
(與矽基板之平均熱膨脹係數之差)
測定矽基板(信越化學工業製造)之平均熱膨脹係數αSi50/100、αSi100/200及αSi200/300，求出與各玻璃基板之平均熱膨脹係數的差△α50/100、△α100/200、△α200/300。此處，△α50/100=α50/100-αSi50/100
△α100/200=α100/200-αSi100/200
△α200/300=α200/300-αSi200/300
矽基板之平均熱膨脹係數αSi50/100為2.94ppm/℃、αSi100/200為3.37ppm/℃、αSi200/300為3.69ppm/℃。
(玻璃轉移點Tg)
依據JIS R3103-3(2001年)所規定之方法，使用TMA進行測定。
(密度)
藉由阿基米德法對不含氣泡之約20g之玻璃塊進行測定。
(楊氏模數)
藉由超音波脈衝法對厚度0.5mm~10mm之玻璃進行測定。
(T2)
使用旋轉黏度計測定黏度，測定黏度成為102d．Pa．s時之溫度T2(℃)。
(T4)
使用旋轉黏度計測定黏度，測定黏度成為104d．Pa．s時之溫度T4(℃)。
(玻璃失透溫度)
玻璃失透溫度係指將經粉碎之玻璃粒子裝於鉑製皿內，在控制於一定溫度之電爐中進行17小時之熱處理，熱處理後藉由光學顯微鏡觀察到於玻璃內部析出結晶時之最高溫度與未析出結晶時之最低溫度的平均值。
(失透黏性)
使用旋轉黏度計測定熔融玻璃於高溫(1000℃~1600℃)時之玻璃黏度，根據該測定結果，求出Fulcher式之係數，藉由使用該係數之Fulcher式而求出玻璃失透溫度下之玻璃黏度。
(HF重量減少量)
HF重量減少量係以如下方式測定。將如上所述般獲得之玻璃板切斷，對兩面進行鏡面研磨，而獲得40mm見方、厚度1mm之玻璃樣品。將該玻璃樣品洗淨後，使之乾燥，測定重量。繼而，將玻璃樣品在保持於25℃之5質量%氫氟酸中浸漬20分鐘後，將其洗淨並使之乾燥，測定浸漬後之重量，算出相較於浸漬前之重量減少量。浸漬過程中若攪拌試液則會改變蝕刻速度，因此不實施攪拌。根據樣品尺寸而 算出表面積，用重量減少量除以表面積，進而除以浸漬時間，藉此求出每單位面積及單位時間之重量減少量(HF重量減少量)。
(光彈性常數)
藉由圓板壓縮法(「藉由圓板壓縮法進行之化學強化用玻璃之光彈性常數之測定」，橫田良助，窯業協會誌，87[10]，1979年，p.519~522)進行測定。
例1~60、66~87為實施例，例61~65為比較例。
作為實施例之例1~60、66~87之玻璃基板由於鹼金屬氧化物之含量為0.1%以下，故而於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，鹼金屬離子不會向矽基板擴散。又，由於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，α200/300除以α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，故而於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板及玻璃基板所產生之殘留應變容易變小。
關於作為比較例之例61~65之玻璃基板，α50/100、α200/300或α200/300/α50/100中之任一者或一者以上之範圍脫離本發明之一實施形態之玻璃基板之範圍。又，關於例61~65之玻璃基板，△α50/100、△α200/300或△α200/300-△α50/100之範圍脫離本案發明之一實施形態之玻璃基板之相關範圍。又，關於例61~65之玻璃基板，所獲得之玻璃基板之組成、或(1)~(4)之範圍脫離本案發明之一實施形態之玻璃基板之相關範圍。因此，於將矽基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，矽基板所產生之殘留應力變容易變大。
其次，圖6中揭示藉由二次離子質譜法(SIMS)對使例88之玻璃基板及例89之玻璃基板分別接觸矽基板而進行熱處理時鹼金屬氧化物向矽基板之擴散量進行測定所得之結果。例88之玻璃基板中之鹼金屬氧化物(Na2O)之含量為0.1%以下，例89之玻璃基板中之鹼金屬氧化物之含量多於0.1%。再者，圖6中亦顯示參照用之未處理矽基板之SIMS測定結果。
SIMS測定時使用ULVAC PHI公司之ADEPT1010。SIMS分析之一次離子係使用Cs離子。作為二次離子種類，進行28Si+與23Na+之測定。對與玻璃基板接觸之矽基板實施之熱處理係以如下方式進行：歷時10分鐘自室溫升溫至200℃，於200℃下保持1小時後，歷時10分鐘 冷卻至室溫。將例88、89之組成示於表8。
例88係於例6中以0.03%之比率添加作為鹼金屬氧化物之Na2O所得者，乃實施例。例89係於例61中以0.32%之比率添加作為鹼金屬氧化物之Na2O所得者，乃比較例。圖6之橫軸顯示距離矽基板中之與玻璃基板接觸之側之表面的深度，縱軸顯示用一秒內23Na+之檢測數除以28Si+之檢測數所得之數值。由圖6可知，與鹼金屬氧化物之含量多於0.1%之例89之玻璃基板接觸的矽基板中，自表層至距離表層100nm附近均擴散有Na離子。再者，關於參照用之矽基板，其測定結果之曲線幾乎與例88之曲線重合。鹼金屬離子由於帶有電荷，故而於矽基板中產生相當於載體之作用，而導致半導體特性發生變化。相對於此，與鹼金屬氧化物之含量為0.1%以下之例88之玻璃基板接觸的矽基板中，和未處理矽基板同樣地未檢測到Na離子，從而表示未發生自玻璃基板向矽基板之Na離子擴散。
[試驗例2]
對圖1A所示之選擇透光型玻璃10之製造例進行說明。選擇透光型玻璃10於直徑15cm之圓形且厚度0.2mm之玻璃基板12之單面具備選擇透光層11。
玻璃基板12係使用表1中記載之例6之玻璃。此處，鹼金屬氧化 物(Li2O、Na2O、K2O等)之含量設為0.1%以下。玻璃基板12係對上述玻璃之兩面實施研磨加工而成。
繼而，於聚醯亞胺樹脂(NEOPRIM(註冊商標)C3450)之15質量%環己酮溶液中混合色素(U)及色素(A)，充分攪拌使之溶解而製備塗佈液。將該塗佈液藉由旋轉塗佈法塗佈於上述玻璃基板12之一主面，進行加熱而使溶劑乾燥後，形成Φ15cm面內之平均厚度t0=2.7μm之選擇透光層11，而製造選擇透光型玻璃10。
此處，色素(A)係使用吸收最大波長λ(Tmin)為705nm之方酸鎓系化合物，以添加量3(相對於透明樹脂(B)100質量份之質量份)進行混合。又，色素(U)係使用吸收最大波長λ(Tmin)為396nm之唑系之Uvitex(商標)OB，以添加量5(相對於透明樹脂(B)100質量份之質量份)進行混合。
圖4係與選擇透光型玻璃10併用之包含介電多層膜之反射層之分光穿透率曲線(入射角：0°)。關於反射層，於配置於相機模組內之光學元件中，係使用使折射率1.45之SiO2膜與折射率2.41之TiO2膜交替地積層40層而成者。
測定分光穿透率，結果於波長350nm~400nm之近紫外光下之平均穿透率為0.3%，於波長430nm~600nm之可見光下之平均穿透率為92%，於波長700nm~1150nm之近紅外光下之平均穿透率為0.9%，從而可知於波長600nm~700nm下顯現出近似於視感度之分光穿透率變化。
[產業上之可利用性]
將本發明之一實施形態之選擇透光型玻璃基板及矽基板積層而成之積層基板可用於使用固體攝像元件之數位靜態相機、行動電話之相機等攝像裝置。
使用特定態樣而詳細地說明了本發明，但作為業者應明瞭可於 不超出本發明之主旨與範圍之情況下施加各種變更及變化。再者，本申請案係基於2015年2月6日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-022719)及2015年12月10日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-241303)，將其等整體以引用之形式援用至此。
10‧‧‧選擇透光型玻璃
11‧‧‧選擇透光層
12‧‧‧玻璃基板

Claims (21)

  1. 一種選擇透光型玻璃，其包括：玻璃基板；及選擇透光層，其位於上述玻璃基板之至少一主面，選擇性地使近紅外線及可見光線中之選自近紅外線、可見光線、藍色波長區域之可見光線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線之群中之至少一者穿透；上述玻璃基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100為2.70ppm/℃~3.20ppm/℃，於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.45ppm/℃~3.95ppm/℃，200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300除以50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100所得之值α200/300/α50/100為1.20~1.30，且鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示為0%~0.1%。
  2. 如請求項1之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300為3.55ppm/℃~3.85ppm/℃。
  3. 如請求項1或2之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之組成以氧化物基準之莫耳百分率表示如下：SiO2：50%~75% Al2O3：6%~16% B2O3：0%~15% MgO：0%~15% CaO：0%~13% SrO：0%~11% BaO：0%~9.5%。
  4. 如請求項1至3中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之組成以氧化物基準之莫耳百分率表示，CaO、SrO及BaO之合計含量為7%以上，且(Al2O3之含量)≧(MgO之含量)，失透黏性為103.8d．Pa．s以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數α100/200為3.13ppm/℃~3.63ppm/℃。
  6. 如請求項1至5中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板中之Fe2O3之含量以氧化物基準之質量百萬分率表示為200ppm以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之楊氏模數為80GPa以上。
  8. 如請求項1至7中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之厚度為1.0mm以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之面積為0.03m2以上。
  10. 如請求項1至9中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板所包含之0.5μm以上且1mm以下之缺陷之密度為1個/cm2以下。
  11. 如請求項1至10中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之假想黏度為1011.0d．Pa．s~1014.1d．Pa．s。
  12. 如請求項1至11中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板滿足0.0177×(SiO2之含量)-0.0173×(Al2O3之含量)+0.0377×(B2O3之含量)+0.0771×(MgO之含量)+0.1543×(CaO之含量)+0.1808×(SrO之含量)+0.2082×(BaO之含量)+0.0344×(12.3+ log1060-log10η)為2.70~3.20、0.0181×(SiO2之含量)+0.0004×(Al2O3之含量)+0.0387×(B2O3之含量)+0.0913×(MgO之含量)+0.1621×(CaO之含量)+0.1900×(SrO之含量)+0.2180×(BaO之含量)+0.0391×(12.3+log1060-log10η)為3.13~3.63、0.0177×(SiO2之含量)+0.0195×(Al2O3之含量)+0.0323×(B2O3之含量)+0.1015×(MgO之含量)+0.1686×(CaO之含量)+0.1990×(SrO之含量)+0.2179×(BaO之含量)+0.0312×(12.3+log1060-log10η)為3.45~3.95、及0.0111×(SiO2之含量)+0.0250×(Al2O3之含量)+0.0078×(B2O3之含量)+0.0144×(MgO之含量)+0.0053×(CaO之含量)+0.0052×(SrO之含量)+0.0013×(BaO之含量)-0.0041×(12.3+log1060-log10η)為1.20~1.30(此處，SiO2之含量、Al2O3之含量、B2O3之含量、MgO之含量、CaO之含量及SrO之含量係所獲得之玻璃中含有之以氧化物基準之莫耳百分率表示之含量，η為假想黏度(單位：d．Pa．s))。
  13. 如請求項1至12中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板於25℃、5質量%之氫氟酸水溶液中之重量減少量為0.05(mg/cm2)/min以上且0.20(mg/cm2)/min以下。
  14. 如請求項1至13中任一項之選擇透光型玻璃，其中上述玻璃基板之光彈性常數為31nm/(MPa．cm)以下。
  15. 如請求項1至14中任一項之選擇透光型玻璃，其具備吸收層作為上述選擇透光層，且上述吸收層含有透明樹脂與吸收色素。
  16. 如請求項15之選擇透光型玻璃，其中上述吸收色素包含近紅外 線吸收色素。
  17. 如請求項15或16之選擇透光型玻璃，其中上述吸收色素包含近紫外線吸收色素。
  18. 如請求項1至17中任一項之選擇透光型玻璃，其於上述玻璃基板之至少一主面具備具有介電多層膜之反射層。
  19. 一種積層基板，其包括設置於矽基板上之固體攝像元件及如請求項1至18中任一項之選擇透光型玻璃。
  20. 一種積層基板，其係將選擇透光型玻璃與矽基板積層而成，上述選擇透光型玻璃包括：玻璃基板；及選擇透光層，其位於上述玻璃基板之至少一主面，選擇性地使近紅外線及可見光線中之選自近紅外線、可見光線、藍色波長區域之可見光線、紅色波長區域之可見光線及綠色波長區域之可見光線之群中之至少一者穿透；上述玻璃基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數α50/100與上述矽基板於50℃~100℃下之平均熱膨脹係數αSi50/100的差△α50/100(=α50/100-αSi50/100)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃，上述玻璃基板於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數α200/300與上述矽基板於200℃~300℃下之平均熱膨脹係數αSi200/300的差△α200/300(=α200/300-αSi200/300)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃，△α200/300-△α50/100為-0.16ppm/℃~0.16ppm/℃，且上述玻璃基板之鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示為0%~0.1%。
  21. 如請求項20之積層基板，其中上述玻璃基板於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數α100/200與上述矽基板於100℃~200℃下之平均熱膨脹係數αSi100/200的差△α100/200(=α100/200-αSi100/200)為-0.25ppm/℃~0.25ppm/℃。
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