KR20170096646A - 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 적어도 하나의 홀이 배치되며, 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 구비한 발광부, 복수의 절연층을 포함하는 디스플레이 기판;과, 디스플레이 기판 상에 배치된 박막 봉지층;을 포함하되, 디스플레이 기판은 활성 영역 및 활성 영역과 상기 홀이 위치한 홀 영역 사이에 배치되며, 적어도 한 층으로 된 복수의 절연 댐이 배치된 비활성 영역을 포함하며, 비활성 영역은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.

Description

유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법{Organic light emitting display device and the fabrication method thereof}
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 디스플레이 장치는 스마트 폰, 랩 탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기, 태블릿 퍼스널 컴퓨터와 같은 모바일 장치나, 데스크 탑 컴퓨터, 텔레비전, 옥외 광고판, 전시용 디스플레이 장치, 자동차용 계기판, 헤드 업 디스플레이(head up display, HUD)와 같은 전자 장치에 이용할 수 있다.
최근 들어서는, 보다 슬림화된 디스플레이 장치가 출시되고 있다.
플렉서블 디스플레이 장치(flexible display device)는 휴대하기가 용이하고, 다양한 형상의 장치에 적용할 수 있다. 이중에서, 유기 발광 디스플레이 기술을 기반으로 하는 플렉서블 디스플레이 장치가 가장 유력한 플렉서블 디스플레이 장치이다.
한편, 디스플레이 장치는 소비자 요구를 충족시키기 위하여 다양한 형상으로 설계되고 있다.
본 발명의 실시예들은 외부의 수분 및 산소의 침투를 방지한 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 적어도 하나의 홀이 배치되며, 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 구비한 발광부와, 복수의 절연층을 포함하는 디스플레이 기판;과, 상기 디스플레이 기판 상에 배치된 박막 봉지층;을 포함하되, 상기 디스플레이 기판은 활성 영역 및 상기 활성 영역과 상기 홀이 위치한 홀 영역 사이에 배치되며, 적어도 한 층으로 된 복수의 절연 댐이 배치된 비활성 영역을 포함하며, 상기 비활성 영역은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐은 상기 활성 영역을 둘러싸며, 서로 이격되게 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐이 배치된 영역은 상기 제 1 영역에 대응되며, 상기 중간층은 각각의 절연 댐의 외면 상에 배치되며, 이웃하는 절연 댐 사이의 영역 및 복수의 절연 댐의 최외곽 영역은 상기 제 2 영역에 대응되며, 상기 중간층은 상기 제 2 영역에 배치되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극은 각각의 절연 댐의 외면에 배치된 중간층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐 사이의 영역은 상기 제 1 영역에 대응되며, 상기 중간층은 각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치되며, 복수의 절연 댐의 최외곽 영역은 상기 제 2 영역에 대응되며, 상기 중간층은 상기 제 2 영역에 배치되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치된 중간층은 서로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극은 각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치된 중간층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중간층은 각 서브 픽셀에 배치된 유기 발광층, 및 상기 활성 영역과 비활성 영역에 걸쳐서 배치된 공통층을 포함하며, 상기 공통층은 상기 활성 영역 및 비활성 영역에 서로 분리될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 활성 영역과 비활성 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 서로 분리될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 절연층은 상기 활성 영역과, 비활성 영역에 걸쳐서 연장되고, 상기 디스플레이 기판의 수직 방향으로 적어도 한층이 적층되며, 복수의 절연 댐은 상기 절연층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 절연층을 사이에 두고, 반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 절연댐은 상기 박막 트랜지스터를 덮는 패시베이션, 상기 발광부가 배치된 서브 픽셀을 한정하는 픽셀 정의막, 및 상기 제 2 전극 상에 배치된 스페이서중 적어도 어느 한 층을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 비활성 영역에는 레이저 에칭되는 영역에 대응되는 적어도 하나의 절연층 상에 복수의 레이저 차단층이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 복수의 레이저 차단층은 서로 다른 절연층 상에 각각 배치되며, 적어도 일부가 서로 중첩될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 차단층은 반사층을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 홀 영역은 상기 활성 영역 내에 배치되며, 상기 활성 영역에 둘러쌀 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 적어도 하나의 홀이 배치되며, 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 구비한 유기 발광 소자와, 복수의 절연층을 포함하는 디스플레이 기판을 준비하는 단계;와, 활성 영역과, 상기 활성 영역 및 홀 영역 사이에 배치된 비활성 영역을 가지는 디스플레이 기판의 비활성 영역에 적어도 한 층으로 된 복수의 절연댐을 형성하는 단계;와, 상기 활성 영역과, 상기 비활성 영역에 걸쳐서 중간층을 형성하는 단계;와, 상기 활성 영역과, 상기 비활성 영역에 걸쳐서 제 2 전극을 선택적으로 형성하는 단계;와, 상기 비활성 영역에서 상기 절연댐이 배치된 영역 이외의 영역에 레이저 에칭하는 단계;와, 상기 디스플레이 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 빔은 이웃하는 절연 댐 사이 영역이나, 복수의 절연 댐의 최외곽 영역중 적어도 어느 한 영역에 조사되어서 상기 중간층을 제거하며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 배치된 중간층을 서로 분리시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 에칭 동안에 상기 중간층이 제거되는 영역 상에 배치된 제 2 전극은 상기 중간층과 함께 제거되며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 배치된 제 2 전극을 서로 분리시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중간층이 형성된 다음에는, 상기 제 2 전극의 형성을 차단하는 제 2 전극 차단층을 상기 비활성 영역에 선택적으로 형성하고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극 차단층이 존재하는 영역에는 형성되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 에칭되는 영역에 대응되는 적어도 하나의 절연층 상에는 복수의 레이저 차단층을 더 형성하고, 레이저 빔은 상기 레이저 차단층에서 반사될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법은 홀 영역에 인접한 비활성 영역에서 레이저 에칭을 선택적으로 수행하여서, 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절개한 것을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치가 설치된 구조체를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 B-B선을 따라 절개한 것을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 일부 절제하여 도시한 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 기판 상에 레이저 에칭하는 상태를 도시한 부분 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 디스플레이 기판 상에 레이저 에칭 공정이 완료된 이후의 상태를 도시한 부분 단면도이다.
도 7c는 도 7b의 디스플레이 기판 상에 박막 봉지층을 형성한 이후의 상태를 도시한 부분 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 일부 절제하여 도시한 부분 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 일부 절제하여 도시한 부분 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 도시한 평면도이며, 도 2는 도 1의 A-A 선을 따라 절개한 것을 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(100)는 유기 발광 디스플레이(organic light emitting display)일 수 있다. 상기 디스플레이 장치(100)는 활성 영역(active area, AA)을 포함한다. 상기 활성 영역(AA) 내에는 홀 영역(hole area, HA)이 배치될 수 있다. 상기 홀 영역(HA)은 상기 활성 영역(AA)에 둘러싸일 수 있다.
상기 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 기판(101)을 포함한다. 상기 디스플레이 기판(101) 상에는 적어도 하나의 디스플레이부(102)(103)가 배치될 수 있다. 상기 디스플레이부(102)(103) 상에는 박막 봉지층(thin film encapsulation, TFE, 112)이 배치될 수 있다.
상기 디스플레이 기판(101) 상에는 제 1 표시 영역(DA1) 및 제 2 표시 영역(DA2)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 표시 영역(DA1) 및 제 2 표시 영역(DA2)은 서로 연결될 수 있다. 상기 제 1 표시 영역(DA1) 및 제 2 표시 영역(DA2)가 둘러싸는 영역 내에는 홀 영역(HA)이 배치될 수 있다.
상기 제 1 표시 영역(DA1) 상에는 제 1 디스플레이부(102)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 디스플레이부(102) 상에는 제 1 박막 봉지층(104)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 박막 봉지층(104)은 제 1 무기막(105)과, 상기 제 1 무기막(105) 상에 배치된 제 1 유기막(106)과, 상기 제 1 유기막(106) 상에 배치된 제 2 무기막(107)을 포함한다.
제 2 표시 영역(DA2) 상에는 제 2 디스플레이부(103)가 배치될 수 있다. 상기 제 2 디스플레이부(103) 상에는 제 2 박막 봉지층(108)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 박막 봉지층(108)은 제 1 무기막(109)과, 상기 제 1 무기막(109) 상에 배치된 제 1 유기막(110)과, 상기 제 1 유기막(110) 상에 배치된 제 2 무기막(111)을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 디스플레이부(102)와, 제 2 디스플레이부(103)는 서로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 박막봉지층(104)과, 제 2 박막 봉지층(108)은 서로 연결될 수 있다.
상기 홀 영역(HA)은 상기 디스플레이 기판(101)과, 박막 봉지층(112)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 홀 영역(HA)은 제 1 표시 영역(DA1) 및 제 2 표시 영역(DA2)을 구비하는 활성 영역(AA) 내에 배치될 수 있다. 상기 홀 영역(HA)에는 소형 카메라나, 스피커나, 조도 센서와 같은 센서나, 홈 버튼 등을 구비하는 전자 부품(113)이 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 홀 영역(HA) 상에는 터치 스크린이나, 편광판이나, 커버 윈도우가 배치될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)를 도시한 평면도이다.
일 실시예에 있어서, 도 1의 홀 영역(HA)에 대응되는 홀 영역(HA)이 배치된 부분을 주로 설명하며, 홀 영역(HA)이 배치된 부분을 제외하고 디스플레이 장치(300)의 구조는 도 1의 디스플레이 장치(100)의 구조에 대응될 수 있다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(300)는 디스플레이 패널(301)을 포함한다. 도시되어 있지 않지만, 상기 디스플레이 패널(301)은 디스플레이 기판과, 디스플레이 기판을 덮는 박막 봉지층을 포함한다.
상기 디스플레이 패널(301)에는 활성 영역(AA)이 배치될 수 있다.
상기 디스플레이 패널(301)에는 적어도 일 부분을 절단한 컷부(cut portion, 302)가 배치될 수 있다. 상기 컷부(302)는 상기 디스플레이 패널(301)의 상단 및 하단의 일부 영역을 절개한 부분일 수 있다.
상기 컷부(302)에 의하여 상기 디스플레이 패널(301)의 상단 및 하단에는 홀 영역(HA)이 배치될 수 있다. 상기 홀 영역(HA)은 상기 컷부(302)에 의하여 절단된 영역일 수 있다. 상기 홀 영역(HA)은 도 2에서처럼 디스플레이 기판과 박막 봉지층을 관통하여 형성될 수 있다.
상기 홀 영역(HA)은 상기 활성 영역(AA) 내에 배치되며, 적어도 일부가 상기 활성 영역(AA)에 둘러싸일 수 있다. 상기 홀 영역(HA)에는 소형 카메라나, 스피커나, 센서나, 버튼과 같은 전자 부품이 배치될 수 있음은 물론이다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 홀 영역(HA) 상에는 터치 스크린이나, 편광판이나, 커버 윈도우가 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(410)가 설치된 구조체(400)를 도시한 평면도이며, 도 5는 도 4의 B-B 선을 따라 절개한 것을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 구조체(400)는 디스플레이 장치(410) 및 기계 부품(460)을 포함한다. 상기 디스플레이 장치(410)는 상부에 위치하고, 상기 기계 부품(460)은 하부에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 기계 부품(460)은 와치(watch)일 수 있다.
상기 디스플레이 장치(410)는 디스플레이 기판(411)을 포함한다. 상기 디스플레이 기판(411) 상에는 디스플레이부(412)가 배치될 수 있다. 상기 디스플레이 기판(411)의 중앙에는 홀(413)이 배치될 수 있다. 상기 홀(413)은 상기 디스플레이 장치(410)를 관통할 수 있다. 상기 홀(413)은 원형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 있어서, 상기 홀(413)은 디스플레이 장치(410)의 중앙에 1개만 배치된 것을 예를 들어 설명하나, 상기 홀(413)은 상기 디스플레이 장치(410)에 복수개 배치될 수 있다.
상기 디스플레이부(412)와 홀(413) 사이에는 비활성 영역(inactive area, IAA, 414)이 배치될 수 있다. 상기 디스플레이부(412)는 상기 홀(413)을 둘러싸고 있다. 상기 비활성 영역(414)은 상기 디스플레이 기판(411) 상에 복수의 소자를 형성하는 동안에 상기 디스플레이 장치(410)의 구조적 안정성을 위하여 필요한 영역일 수 있다. 상기 디스플레이 기판(411)의 최외곽에도 비활성 영역(415)이 더 배치될 수 있다.
상기 기계 부품(460)은 와치 본체(461)를 포함한다. 상기 디스플레이 기판(411)과, 상기 와치 본체(461)는 서로 접촉할 수 있다. 와치 축(462)은 상기 디스플레이 기판(411)의 관통홀을 통하여 삽입될 수 있다.
상기 와치 축(462) 상에는 아버(arbor, 463)가 설치될 수 있다. 상기 아버(463)에는 시침, 분침과 같은 바늘 지침(464)이 설치될 수 있다. 상기 와치 축(462) 상에 설치된 바늘 지침(464)은 상기 디스플레이 기판(411)의 상부에 위치할 수 있다.
상기 구조체(400)는 디스플레이 장치(410)를 이용하여 소망하는 화면을 구현할 수 있고, 또한, 상기 기계 부품(460)을 이용하여 고부가가치의 와치를 구현할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(600)를 일부 절제하여 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(600)는 디스플레이 기판(601)과, 상기 디스플레이 기판(601)을 커버하는 박막 봉지층(632)을 포함한다.
상기 디스플레이 기판(601)은 화상을 표시하는 활성 영역(AA), 및 상기 활성 영역(AA)의 바깥으로 연장된 비활성 영역(IAA)을 포함한다. 상기 활성 영역(AA)은 회로 영역(circuit area, CA)을 포함할 수 있다. 상기 비활성 영역(IAA)은 상기 활성 영역(AA)을 둘러싸고 있다.
상기 비활성 영역(IAA)의 바깥에는 홀 영역(HA)이 배치될 수 있다. 상기 홀 영역(HA)은 도 1 내지 도 5에 도시된 홀이 배치된 홀 영역(HA)에 대응될 수 있다. 상기 비활성 영역(IAA)은 상기 활성 영역(AA)과 홀 영역(HA) 사이에 배치될 수 있다.
상기 디스플레이 기판(601)은 글래스 기판이나, 폴리머 기판이나, 플렉서블 필름이나, 금속 기판이나, 이들의 복합 기판일 수 있다. 상기 디스플레이 기판(601)은 투명하거나, 불투명하거나, 반투명할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 기판(601)은 폴리이미드(polyimide, PI)나, 폴리 카보네이트(polycarbonate, PC)나, 폴리 에테르 설폰(polyethersulphone, PES)이나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET)나, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN)나, 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR)나, 유리섬유 강화플라스틱(fiber glass reinforced plastic, FRP) 중에서 선택된 어느 하나의 고분자 물질일 수 있다.
상기 디스플레이 기판(601) 상에는 배리어층(602)이 배치될 수 있다. 상기 배리어층(602)은 상기 디스플레이 기판(601)의 윗면을 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 배리어층(602)은 무기물, 또는, 유기물로 형성될 수 있다. 상기 배리어층(602)은 단일막, 또는, 다층막을 포함한다.
상기 활성 영역(AA)에 있어서, 상기 배리어층(602) 상에 복수의 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 화상을 표시하는 영역과, 회로 패턴이 형성된 영역 등에 복수개 배치될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)는 디스플레이 기판(601) 상에 2개 배치된 것을 예를 들어 설명하지만, 박막 트랜지스터(TFT)의 개수와 구조는 이에 한정되지 않는다.
제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 제 1 반도체 활성층(603), 제 1 게이트 전극(612), 제 1 소스 전극(616), 및 제 1 드레인 전극(617)을 포함한다. 상기 반도체 활성층(603)은 N형 불순물 이온, 또는, P형 불순물 이온을 도핑하는 것에 의하여 배치되는 소스 영역(604)과, 드레인 영역(605)을 포함한다. 상기 소스 영역(604)과, 드레인 영역(605) 사이는 불순물이 도핑되지 않는 채널 영역(606)일 수 있다. 상기 제 1 반도체 활성층(603)과 제 1 게이트 전극(612) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제 1 게이트 절연막(611)이 배치될 수 있다.
제 2 박막 트랜지스터(TFT2)는 제 2 반도체 활성층(607), 제 2 게이트 전극(614), 제 2 소스 전극(618), 및 제 2 드레인 전극(619)을 포함한다. 상기 반도체 활성층(607)은 소스 영역(608), 드레인 영역(605), 및 채널 영역(610)을 포함한다. 상기 제 2 반도체 활성층(607)과, 제 2 게이트 전극(614) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제 1 게이트 절연막(611) 및 제 2 게이트 절연막(613)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 게이트 절연막(611) 및 제 2 게이트 절연막(613)은 상기 디스플레이 기판(601)의 수직 방향으로 적층될 수 있다.
상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 상기 제 1 게이트 절연막(611) 및 제 2 게이트 절연막(613)에 의하여 동일한 층에 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)와, 제 2 박막 트랜지스터(TFT2)가 인접하게 배치되더라도, 상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 상호 간섭을 줄일 수 있으며, 디스플레이 기판(601) 상의 동일한 면적에 보다 많은 소자를 배치할 수 있다.
상기 제 1 게이트 절연막(611) 및 제 2 게이트 절연막(613)은 동일한 물질일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 게이트 절연막(611) 및 제 2 게이트 절연막(613)은 무기막일 수 있다.
상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 동일한 물질일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 도전성이 우수한 금속재를 포함한다. 예컨대, 상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr 등과 같은 금속 물질로 형성할 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 Al:Nd, Mo:W와 같은 합금으로 형성할 수 있다. 상기 제 1 게이트 전극(612)과, 제 2 게이트 전극(614)은 단일막, 또는, 다층막을 포함한다.
상기 제 2 게이트 전극(614) 상에는 층간 절연막(615)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(615)은 무기물, 또는, 유기물로 형성할 수 있다.
상기 층간 절연막(615) 상에는 제 1 소스 전극(616)과, 제 1 드레인 전극(617)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 소스 전극(616)과, 제 1 드레인 전극(617)은 컨택 홀을 통하여 제 1 반도체 활성층(603)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(615) 상에는 제 2 소스 전극(618)과, 제 2 드레인 전극(619)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 소스 전극(618)과, 제 2 드레인 전극(619)은 컨택 홀을 통하여 제 2 반도체 활성층(607)에 연결될 수 있다.
상기 제 1 소스 전극(616), 제 1 드레인 전극(617), 제 2 소스 전극(618), 및 제 2 드레인 전극(619)은 동일한 물질로 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 소스 전극(616), 제 1 드레인 전극(617), 제 2 소스 전극(618), 및 제 2 드레인 전극(619)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등으로 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 기판(601) 상에는 커패시터(620)가 배치될 수 있다. 상기 커패시터(620)는 복수개 배치될 수 있다. 상기 커패시터(620)는 제 1 커패시터 전극(621), 제 2 커패시터 전극(622), 및 이들 사이에 개재되는 제 2 게이트 절연막(613)을 포함한다. 상기 제 1 커패시터 전극(621)은 제 1 게이트 전극(612)과 동일한 물질일 수 있으며, 상기 제 2 커패시터 전극(622)은 제 2 게이트 전극(614)과 동일한 물질일 수 있다.
패시베이션(passivation, 623)은 상기 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 및 커패시터(620)를 덮을 수 있다. 상기 패시베이션(623)은 층간 절연막(615) 상에 배치될 수 있다. 상기 패시베이션(623)은 무기물, 또는, 유기물로 형성할 수 있다.
상기 제 1 박막 트랜지스터(TFT1)는 화상을 표시하는 발광부인 유기 발광 소자(organic light emitting device, OLED, 625)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 유기 발광 소자(625)는 상기 패시베이션(623) 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(625)는 제 1 전극(626), 중간층(627), 및 제 2 전극(628)을 포함한다.
상기 제 1 전극(626)은 애노우드로 기능하며, 다양한 도전성 소재를 포함한다. 상기 제 1 전극(626)은 투명 전극, 또는, 반사형 전극을 포함한다. 이를테면, 상기 제 1 전극(626)이 투명 전극으로 사용시, 상기 제 1 전극(626)은 투명 도전막을 포함한다. 상기 제 1 전극(626)이 반사형 전극으로 사용시, 상기 제 1 전극(626)은 반사막과, 상기 반사막 상에 배치된 투명 도전막을 포함한다.
상기 패시베이션(623) 상에는 픽셀 정의막(624)이 배치될 수 있다. 상기 픽셀 정의막(624)은 제 1 전극(626)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 픽셀 정의막(624)은 상기 제 1 전극(626)의 가장자리를 둘러싸는 것에 의하여 각 서브 픽셀의 발광 영역을 한정한다. 상기 제 1 전극(626)은 서브 픽셀마다 패터닝될 수있다.
상기 픽셀 정의막(624)은 유기물, 또는, 무기물로 형성할 수 있다. 상기 픽셀 정의막(624)은 단일막, 또는, 다중막을 포함한다.
상기 중간층(627)은 상기 픽셀 정의막(624)의 일부를 에칭하여 상기 제 1 전극(626)이 노출되는 영역에 배치될 수 있다.
상기 중간층(627)은 유기 발광층(emissive layer, 627a) 및 공통층(627b)을 포함한다. 상기 유기 발광층(627a)은 각 서브 픽셀에 배치될 수 있다. 상기 공통층(627b)은 상기 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 상기 공통층(627b)은 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 전자 주입층(electron injection layer, EIL)중 적어도 어느 한 층을 구비할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중간층(627)은 유기 발광층(627a)을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.
상기 제 2 전극(628)은 캐소우드로 기능할 수 있다. 상기 제 2 전극(628)은 상기 활성 영역(AA)과, 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(628)은 투명 전극, 또는, 반사형 전극을 포함한다. 예컨대, 상기 제 2 전극(628)이 투명 전극으로 사용시, 상기 제 2 전극(628)은 일함수가 작은 금속 및 이들의 화합물로 형성된 도전층과, 상기 도전층 상에 배치된 투명 도전막을 포함한다. 상기 제 2 전극(628)이 반사형 전극으로 사용시, 상기 제 2 전극(628)은 금속 및 이들의 화합물로 형성된 도전층을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 픽셀 정의막(624) 상에는 서브 픽셀의 둘레를 따라 스페이서(631)가 배치될 수 있다. 상기 스페이서(631)는 이웃하는 서브 픽셀 사이에 위치할 수 있다. 상기 스페이서(631)의 외면에는 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)이 적층될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 기판(601) 상에는 복수의 서브 픽셀이 배치될 수 있다. 예컨대, 각 서브 픽셀별로 적색, 녹색, 청색, 또는, 백색의 색을 구현할 수 있다. 그러나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다.
상기 회로 영역(CA)에는 다양한 회로 패턴이 배치될 수 있다. 예컨대, 전원 공급 패턴, 정전기 방지 패턴 및 다양한 회로 패턴이 배치될 수 있다.
전원 배선(629)은 층간 절연막(615) 상에 배치될 수 있다. 상기 전원 배선(629)은 외부로부터 전원이 인가되는 배선일 수 있다. 상기 전원 배선(629)은 상기 제 1 소스 전극(616), 제 1 드레인 전극(617), 제 2 소스 전극(618), 및 제 2 드레인 전극(619)과 동일한 물질일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 전원 배선(629)은 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)으로 된 삼층 구조일 수 있다.
회로 배선(630)은 상기 패시베이션(623) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 배선(630)은 상기 제 1 전극(626)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 전원 배선(629)과, 회로 배선(630)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 상기 회로 배선(630)의 일단은 상기 전원 배선(629)에 접촉될 수 있다. 상기 회로 배선(630)의 적어도 일부는 상기 전원 배선(629)에 중첩될 수 있다. 상기 회로 배선(630) 상에는 상기 공통층(627b)의 일단이 배치될 수 있다. 상기 공통층(627b)의 일단 상에는 제 2 전극(628)의 일단이 배치될 수 있다.
박막 봉지층(632)은 상기 디스플레이 기판(601) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(632)은 상기 활성 영역(AA)을 덮을 수 있다. 상기 박막 봉지층(632)은 상기 비활성 영역(IAA)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
상기 박막 봉지층(632)은 복수의 무기막(633)과, 복수의 유기막(634)이 교대로 적층될 수 있다. 예컨대, 상기 무기막(633)은 제 1 무기막(635), 제 2 무기막(636), 및 제 3 무기막(637)을 포함한다. 상기 유기막(634)은 제 1 유기막(638), 및 제 2 유기막(639)을 포함한다.
상기 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 디스플레이 기판(601) 상에는 배리어층(602)이 배치될 수 있다. 상기 배리어층(602)은 활성 영역(AA)과, 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 연장될 수 있다. 상기 배리어층(603) 상에는 상기 디스플레이 기판(601)의 수직 방향으로 적어도 한 층을 가지는 절연층(645 내지 647)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(645 내지 647)은 상기 디스플레이 기판(601)의 수직 방향으로 적층될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 절연층(645 내지 647)은 상기 활성 영역(AA)과 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
상기 제 1 배리어층(602) 상에는 제 1 절연층(645)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 절연층(645)은 상기 제 1 게이트 절연막(611)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 1 절연층(645)은 상기 제 1 게이트 절연막(611)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 상기 제 1 절연층(645)은 상기 제 1 게이트 절연막(611)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 제 1 절연층(645) 상에는 제 2 절연층(646)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 절연층(646)은 상기 제 2 게이트 절연막(613)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 2 절연층(646)은 상기 제 2 게이트 절연막(613)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 상기 제 2 절연층(646)은 상기 제 2 게이트 절연막(613)과 동일한 물질일 수 있다.
제 2 절연층(646) 상에는 제 3 절연층(647)이 배치될 수 있다. 상기 제 3 절연층(647)은 상기 층간 절연막(615)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 3 절연층(647)은 상기 층간 절연막(615)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 상기 제 3 절연층(647)은 상기 층간 절연막(615)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 디스플레이 기판(601) 상에 박막 봉지층(632)에 구비된 유기막(634)을 형성시, 액상의 유기물이 디스플레이 기판(601)의 소망하지 않는 영역으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 상기 비활성 영역(IAA)에는 적어도 한 층으로 된 절연 댐(640)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(640)은 상기 활성 영역(AA)을 둘러쌀 수 있다. 복수의 절연 댐(640)은 소정 간격 이격되게 배치될 수 있다.
상기 절연 댐(640)은 단층, 또는, 복층일 수 있다. 상기 절연 댐(640)은 제 1 절연 댐(641), 상기 제 1 절연 댐(641) 상의 제 2 절연 댐(642), 및 상기 제 2 절연 댐(642) 상의 제 3 절연 댐(643)을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐(630)은 3층 구조를 예를 들어 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 절연 댐(641)은 상기 제 3 절연층(647) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 절연 댐(641)은 상기 패시베이션(623)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 1 절연 댐(641)은 상기 패시베이션(623)과 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 상기 제 1 절연 댐(641)은 상기 패시베이션(623)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 2 절연 댐(642)은 상기 제 1 절연 댐(642) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 절연 댐(642)은 상기 픽셀 정의막(624)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 2 절연 댐(642)은 상기 픽셀 정의막(624)과 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 상기 제 2 절연 댐(642)은 상기 픽셀 정의막(624)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 제 3 절연 댐(643)은 상기 제 2 절연 댐(642) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 3 절연 댐(643)은 상기 스페이서(631)와 동일한 공정에서 형성할 수 있다. 상기 제 3 절연 댐(643)은 상기 스페이서(631)와 동일한 물질일 수 있다.
상기 디스플레이 장치(600)를 제조하는 동안, 상기 유기 발광 소자(625)에 구비된 중간층(627), 예컨대, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL)과 같은 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)은 증착 마스크의 특성에 따라 활성 영역(AA)으로부터 비활성 영역(IAA)까지 전면(entire surface) 증착하게 된다. 이때, 비활성 영역(IAA) 상에 배치된 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)은 상기 박막 봉지층(632)을 형성하기 이전에 제거될 수 있다. 이것은 유기물을 포함한 공통층(627b) 및 금속층을 포함한 제 2 전극(628)이 수분 및 산소에 비교적 취약하기 때문이다.
상기 제 3 절연층(647)의 윗면에 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)이 직접적으로 존재한다면, 상기 홀 영역(HA)의 형성시, 수분 및 산소가 상기 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)을 통하여 상기 활성 영역(AA)으로 침투할 수 있다. 이에 따라, 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)을 제거하고, 이후, 상기 디스플레이 기판(601) 상에 박막 봉지층(643)을 형성할 수 있다.
상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)은 레이저 장치로부터 레이저 빔을 조사하여 제거할 수 있다. 레이저 에칭(laser etching) 공정을 진행하면, 상기 공통층(627b) 및 제 2 전극(628)은 용이하게 제거될 수 있다.
한편, 상기 절연 댐(640)은 레이저 빔에 의하여 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 절연 댐(640)이 형성된 영역을 제외하고, 선택적으로 비활성 영역(IAA)에 레이저 에칭을 진행할 필요가 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비활성 영역(IAA)은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
상기 제 1 영역은 각각의 절연 댐(640)이 배치된 영역에 대응될 수 있다. 각각의 절연 댐(640)의 외면에는 공통층(627b)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(640)의 외면에 배치된 공통층(627b)은 상기 공통층(627b)이 상기 제 3 절연층(647)의 윗면에 직접적으로 접촉하지 않으므로, 레이저 에칭 공정의 공정 효율을 향상시키기 위하여 제거되지 않을 수 있다.
상기 제 2 영역은 이웃하는 절연 댐(640) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(640)의 최외곽 영역에 대응될 수 있다. 이웃하는 절연 댐(640) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(640)의 최외곽 영역에는 레이저 빔이 조사되어서 공통층(627b)이 배치되지 않을 수 있다.
박막 봉지 공정 이후, 이웃하는 절연 댐(640) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(640)의 최외곽 영역에는 공통층(627b)이 배치되지 않으므로, 수분 및 산소가 상기 공통층(627b)을 통하여 활성 영역(AA)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각각의 절연 댐(640)의 외면에는 제 2 전극(628)이 더 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(628)은 상기 공통층(627b) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각각의 절연 댐(640)의 외면에는 도 7a 내지 도 7c에 설명될 제 2 전극 차단층(751)이 더 배치될 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 기판(701) 상의 비활성 영역(IAA)에서 레이저 에칭 공정을 수행하는 것을 단계별로 도시한 것이다.
도 7a를 참조하면, 디스플레이 기판(701)을 준비하게 된다.
상기 디스플레이 기판(701) 상에는 배리어층(702), 제 1 절연층(745), 제 2 절연층(746), 제 3 절연층(747)이 순차적으로 형성된다.
상기 제 3 절연층(747) 상에는 절연 댐(740)이 형성된다. 구체적으로, 상기 제 3 절연층(747) 상에 제 1 절연 댐(741)이 형성되고, 상기 제 1 절연 댐(741) 상에 제 2 절연 댐(742)이 형성되고, 상기 제 2 절연 댐(742) 상에 제 3 절연 댐(743)이 형성된다. 상기 절연 댐(740)은 상기 디스플레이 기판(701) 상에 이격되게 배치된다.
다음으로, 활성 영역(AA)과 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 중간층에 구비된 공통층(727b)을 형성하게 된다. 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 공통층(727b)은 제 3 절연층(747)의 윗면과, 상기 절연 댐(740)의 외면에 다같이 형성된다. 일 실시예에 있어서, 중간층에 구비된 유기 발광층(미도시)은 활성 영역(AA)에 배치된 각 서브 픽셀에 패턴화될 수 있다.
이어서, 상기 공통층(727b) 상에는 제 2 전극 차단층(751)을 선택적으로 형성하게 된다. 상기 제 2 전극 차단층(751)은 제 2 전극(도 6의 628 참조)에 대한 마스크 역할을 하게 된다. 상기 제 2 전극 차단층(751)은 상기 제 2 전극(628)의 형성을 차단하기 위한 다양한 물질로 형성할 수 있다. 상기 제 2 전극 차단층(751)은 상기 제 2 전극(628)과 섞이지 않은 물질, 예컨대, 유기물을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극 차단층(751)은 중간층(도 6의 627)에 사용되는 청색 호스트일 수 있다.
다음으로, 상기 활성 영역(AA)과, 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 제 2 전극(628)을 선택적으로 형성하게 된다. 상기 제 2 전극(628)은 상기 제 2 전극 차단층(751)이 형성된 영역 이외의 영역에 형성된다. 구체적으로, 상기 제 2 전극(628)은 상기 제 2 전극 차단층(751)이 존재하지 않는 활성 영역(AA)에는 전체적으로 형성되는 반면에, 상기 제 2 전극 차단층(751)이 존재하는 비활성 영역(IAA)에는 형성되지 않는다.
이어서, 상기 절연 댐(740)이 배치된 영역 이외의 영역, 즉, 이웃하는 절연 댐(740) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(740)의 최외곽 영역에 레이저 빔(L)을 조사하게 된다. 이처럼, 레이저 에칭하는 것에 의하여 상기 공통층(727b)을 제거하게 된다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극 차단층(751)은 상기 공통층(727b)을 제거시 동시에 제거할 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극 차단층(751)은 공통층(727b)의 제거전 히팅 수단에 의하여 별도로 제거할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 디스플레이 기판(751) 상에는 복수의 절연 댐(740)이 형성된 영역을 제외한 이웃하는 절연 댐(740) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(740)의 최외곽 영역에는 상기 공통층(727b)이 형성되지 않는다.
또한, 상기 활성 영역(AA)과 비활성 영역(IAA)에 배치된 상기 공통층(727b)은 도 6에 도시된 바와 같이 상기 활성 영역(IAA)으로 수분 및 산소의 침투를 막기 위하여 서로 분리될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 디스플레이 기판(701) 상에는 제 1 무기막(735), 제 1 유기막(738), 제 2 무기막(736), 제 2 유기막(739), 및 제 3 무기막(737) 순으로 적층하게 된다.
한편, 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 제 2 전극 차단층(751)이 존재하지 않을 경우, 상기 제 2 전극(628)은 상기 공통층(727b) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2 전극(628)은 레이저 에칭에 의하여 상기 공통층(727b)과 함께 선택적으로 제거될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(800)를 일부 절제하여 도시한 부분 단면도이다.
이하, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 명칭은 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리키며, 각 실시예의 주된 특징부를 주로 설명하기로 한다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(800)는 디스플레이 기판(801)을 포함한다. 상기 디스플레이 기판(801)은 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)을 포함한다. 도시되어 있지 않지만, 상기 디스플레이 기판(801) 상에는 홀 영역(HA)이 배치될 수 있음은 물론이다.
상기 디스플레이 기판(801) 상에는 배리어층(802)이 배치될 수 있다. 상기 배리어층(802) 상에는 제 1 절연층(845)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 절연층(845) 상에는 제 2 절연층(846)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 절연층(846) 상에는 제 3 절연층(847)이 배치될 수 있다. 상기 배리어층(802), 제 1 절연층(845), 제 2 절연층(846), 및 제 3 절연층(847)은 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
상기 활성 영역(AA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(847) 상에는 전원 배선(829)이 배치될 수 있다. 상기 전원 배선(829) 상에는 회로 배선(830)이 배치될 수 있다. 상기 회로 배선(830) 상에는 중간층에 구비된 공통층(827a)이 배치될 수 있다. 상기 공통층(827a) 상에는 제 2 전극(831)이 배치될 수 있다.
상기 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(847) 상에는 절연 댐(840)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(840)은 제 1 절연 댐(841), 상기 제 1 절연 댐(841) 상의 제 2 절연 댐(842), 및 상기 제 2 절연 댐(842) 상의 제 3 절연 댐(843)을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐(840)은 3층 구조를 예를 들어 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 비활성 영역(IAA)은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역과, 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
상기 제 1 영역은 각각의 절연 댐(840)이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐(840) 사이의 영역에 대응될 수 있다. 각각의 절연 댐(840)의 외면 및 이웃하는 절연 댐(840) 사이에는 공통층(827b)이 배치될 수 있다. 각각의 절연 댐(840)의 외면 및 이웃하는 절연 댐(840) 사이에 배치된 공통층(827b)은 서로 연결될 수 있다.
상기 제 2 영역은 복수의 절연 댐(840)의 최외곽 영역에 대응될 수 있다. 복수의 절연 댐(840)의 최외곽 영역은 레이저 에칭에 의하여 상기 공통층(827b)이 형성되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 공통층(827a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(827b)은 서로 분리될 수 있다.
한편, 상기 비활성 영역(IAA)에는 제 2 전극(831)이 형성되지 않을 수 있다.
이처럼, 비활성 영역(IAA)에 있어서, 레이저 에칭되지 않는 절연 댐(840)이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐(840) 사이의 영역을 제외하고, 레이저 에칭되는 복수의 절연 댐(840)의 최외곽 영역에는 공통층(827a) 및 제 2 전극(831)이 존재하지 않으므로, 수분 및 산소가 활성 영역(AA)으로 침투하는 것을 차단할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(900)를 일부 절제하여 도시한 부분 단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(900)는 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)을 가지는 디스플레이 기판(901)을 포함한다.
상기 디스플레이 기판(901) 상에는 배리어층(902), 제 1 절연층(945), 제 2 절연층(946), 및 제 3 절연층(947)이 적층될 수 있다. 상기 배리어층(902), 제 1 절연층(945), 제 2 절연층(946), 및 제 3 절연층(947)은 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
상기 활성 영역(AA)에 있어서, 디스플레이 기판(901) 상에는 전원 배선(929), 회로 배선(930), 공통층(927a), 제 2 전극(931a)이 적층될 수 있다. 상기 적층된 부분은 회로 영역에 대응될 수 있다.
비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(947) 상에는 복수의 절연 댐(940)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(940)은 제 1 절연 댐(941), 상기 제 1 절연 댐(941) 상의 제 2 절연 댐(942), 및 상기 제 2 절연 댐(942) 상의 제 3 절연 댐(943)을 포함한다.
상기 비활성 영역(IAA)은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
상기 제 1 영역은 각각의 절연 댐(940)이 배치된 영역에 대응될 수 있다. 각각의 절연 댐(940)의 외면에는 공통층(927b)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 공통층(927b) 상에는 제 2 전극(931b)이 배치될 수 있다.
상기 제 2 영역은 이웃하는 절연 댐(940) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(940)의 최외곽 영역에 대응될 수 있다. 이웃하는 절연 댐(940) 사이 및 복수의 절연 댐(940)의 최외곽 영역은 레이저 에칭에 의하여 상기 공통층(927b) 및 제 2 전극(931b)이 형성되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 공통층(927a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(927b)은 서로 분리될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 제 2 전극(931a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 제 2 전극(931b)은 서로 분리될 수 있다.
이처럼, 비활성 영역(IAA)에 있어서, 레이저 에칭되지 않는 절연 댐(840)이 배치된 영역을 제외하고, 레이저 에칭되는 이웃하는 절연 댐(940) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(940)의 최외곽 영역에는 공통층(927b) 및 제 2 전극(931b)이 형성되지 않으므로, 수분 및 산소가 활성 영역(AA)으로 침투하는 것을 차단할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1000)를 일부 절제하여 도시한 부분 단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(1000)는 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)을 가지는 디스플레이 기판(1001)을 포함한다. 도시되어 있지 않지만, 상기 디스플레이 장치(1000)은 홀 영역(HA)을 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 기판(1001) 상에는 배리어층(1002), 제 1 절연층(1045), 제 2 절연층(1046), 제 3 절연층(1047)이 적층될 수 있다. 상기 배리어층(1002), 제 1 절연층(1045), 제 2 절연층(1046), 및 제 3 절연층(1047)은 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
상기 활성 영역(AA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(1047) 상에는 전원 배선(1029), 회로 배선(1030), 중간층에 구비된 공통층(1027a), 제 2 전극(1031a)이 적층될 수 있다. 적층된 구조는 전원이 공급되는 회로 영역에 배치될 수 있다.
상기 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(1047) 상에는 절연 댐(1040)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(1040)은 제 1 절연 댐(1041), 상기 제 1 절연 댐(1041) 상의 제 2 절연 댐(1042), 및 상기 제 2 절연 댐(1042) 상의 제 3 절연 댐(1043)을 포함한다.
상기 비활성 영역(IAA)은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
제 1 영역은 각각의 절연 댐(1040)이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐(1040) 사이의 영역에 대응될 수 있다. 각각의 절연 댐(1040)의 외면 및 이웃하는 절연 댐(1040) 사이에는 공통층(1027b)이 배치될 수 있다. 각각의 절연 댐(1040)의 외면 및 이웃하는 절연 댐(1040) 사이에 배치된 공통층(1027b)은 서로 연결될 수 있다.
상기 공통층(1027b) 상에는 제 2 전극(1031b)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(1031b)은 복수의 절연 댐(104)의 외면 및 이웃하는 절연 댐(1030) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제 2 영역은 복수의 절연 댐(1040)의 최외곽 영역에 대응될 수 있다. 복수의 절연 댐(1040)의 최외곽 영역에는 레이저 에칭에 의하여 공통층(1027b) 및 제 2 전극(1031b)이 형성되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 공통층(1027a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(1027b)은 서로 분리될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 제 2 전극(1031a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(1031b)은 서로 분리될 수 있다.
이처럼, 비활성 영역(IAA)에 있어서, 레이저 에칭되지 않는 절연 댐(1040)이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐(1040) 사이의 영역을 제외하고, 레이저 에칭되는 복수의 절연 댐(1040)의 최외곽 영역에는 공통층(1027a) 및 제 2 전극(1031b)이 형성하지 않으므로, 수분 및 산소가 활성 영역(AA)으로 침투하는 것을 차단할 수 있다.
한편, 레이저 에칭 공정동안, 레이저 빔은 디스플레이 기판에 악영향을 끼칠 수 있다. 디스플레이 기판(601 내지 1001)은 레이저 빔으로부터 보호할 필요가 있다. 이에 따라, 비활성 영역(IAA)에 있어서, 이웃하는 절연 댐 사이에 대응되는 적어도 하나의 절연층 상에 복수의 레이저 차단층이 배치될 수 있다.
도 11을 참조하면, 디스플레이 장치(1100)는 활성 영역(AA) 및 비활성 영역(IAA)을 가지는 디스플레이 기판(1101)을 포함한다. 상기 디스플레이 기판(1101) 상에는 배리어층(1102), 제 1 절연층(1145), 제 2 절연층(1146), 제 3 절연층(1147)이 배치될 수 있다.
상기 활성 영역(AA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(1147) 상에는 전원 배선(1129), 회로 배선(1130), 중간층에 구비된 공통층(1127a), 제 2 전극(1131)이 적층될 수 있다. 상기 적층된 구조는 회로 영역에 배치될 수 있다.
상기 비활성 영역(IAA)에 있어서, 상기 제 3 절연층(1147) 상에는 절연 댐(1140)이 배치될 수 있다. 상기 절연 댐(1140)은 제 1 절연 댐(1141), 상기 제 1 절연 댐(1141) 상의 제 2 절연 댐(1142), 및 상기 제 2 절연 댐(1142) 상의 제 3 절연 댐(1143)을 포함한다.
상기 비활성 영역(IAA)은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함한다.
상기 제 1 영역은 상기 각각의 절연 댐(1140)이 배치된 영역에 대응될 수 있다. 각각의 절연 댐(1140)의 외면에는 공통층(1127b)이 배치될 수 있다.
상기 제 2 영역은 이웃하는 절연 댐(1140) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(1140)의 최외곽 영역에 대응될 수 있다. 이웃하는 절연 댐(1140) 사이의 영역 및 복수의 절연 댐(1140)의 최외곽 영역에는 레이저 에칭에 의하여 상기 공통층(1127b)이 형성되지 않을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)에 배치된 공통층(1127a)과, 상기 비활성 영역(IAA)에 배치된 공통층(1127b)은 서로 분리될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 비활성 영역(IAA)에는 제 2 전극(1131)이 형성되지 않을 수 있다.
상기 비활성 영역(IAA)에는 복수의 레이저 차단층(1150)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 레이저 차단층(1150)은 레이저 에칭되는 영역에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 레이저 차단층(1150)은 이웃하는 절연 댐(1140) 사이의 영역 및 복수의 절연댐(1140)의 최외곽 영역에 대응되는 적어도 하나의 절연층(1145 내지 1146) 상에 배치될 수 있다.
구체적으로, 상기 제 1 절연층(1145) 상에는 복수의 제 1 레이저 차단층(1151)이 서로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제 1 레이저 차단층(1151)은 이웃하는 절연 댐(1140) 사이에 대응되게 배치될 수 있다.
상기 제 1 레이저 차단층(1151)은 도 6의 제 1 게이트 전극(612)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 1 레이저 차단층(1151)은 상기 제 1 게이트 전극(612)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 상기 제 1 레이저 차단층(1151)은 상기 제 1 게이트 전극(612)과 동일한 물질일 수 있다.
상기 제 2 절연층(1146) 상에는 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 레이저 차단층(1152)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제 2 레이저 차단층(1152)은 이웃하는 절연 댐(1140) 사이에 대응되게 배치될 수 있다.
상기 제 2 레이저 차단층(1152)은 도 6의 제 2 게이트 전극(614)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 2 레이저 차단층(1152)은 상기 제 2 게이트 전극(614)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 상기 제 2 레이저 차단층(1152)은 제 2 게이트 전극(614)과 동일한 물질일 수 있다.
복수의 제 1 레이저 차단층(1151) 및 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 레이저 에칭 공정동안 레이저 빔에 의한 디스플레이 기판(1101)의 손상을 방지하기 위하여 반사 물질을 포함한다. 예컨대, 복수의 제 1 레이저 차단층(1151)) 및 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 얇은 두께를 가지는 금속 물질로 된 반사층일 수 있다.
복수의 제 1 레이저 차단층(1151) 및 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 상기 활성 영역(AA)에 전기적으로 접속되지 않을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 제 1 레이저 차단층(1151) 및 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)에는 소정의 전원이 인가되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 복수의 제 1 레이저 차단층(1151) 및 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 서로 중첩될 수 있다.
복수의 제 1 레이저 차단층(1151)은 상기 제 1 절연층(1145) 상에 이격되게 배치될 수 있다. 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 상기 제 2 절연층(1146) 상에 이격되게 배치될 수 있다. 복수의 제 1 레이저 차단층(1151)과, 복수의 제 2 레이저 차단층(1152)은 상기 디스플레이 기판(601)의 수직 방향으로 적어도 일부가 겹치게 배치될 수 있다.
따라서, 레이저 에칭 공정동안, 상기 디스플레이 기판(1101) 상에 레이저 빔이 조사되더라도, 레이저 빔은 중첩된 제 1 레이저 차단층(1151) 및 제 2 레이저 차단층(1152)에 의하여 반사되고, 상기 디스플레이 기판(601)까지 침투할 수 없다.
다른 일 실시예에 있어서, 상기 절연 댐(1140)의 외면에도 절연 댐(1140)의 손상을 방지하기 위하여 레이저 차단층이 형성될 수 있는등 레이저 빔이 조사되는 영역에 선택적으로 레이저 차단층을 형성시킬 수 있다.
600...디스플레이 장치 601...디스플레이 기판
602...배리어층 625...유기 발광 소자
626...제 1 전극 627...중간층
627a...유기 발광층 627b...공통층
628...제 2 전극 632...박막 봉지층
640...절연 댐 641...제 1 절연 댐
642...제 2 절연 댐 643...제 3 절연 댐

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 홀이 배치되며, 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 구비한 발광부와, 복수의 절연층을 포함하는 디스플레이 기판; 및
    상기 디스플레이 기판 상에 배치된 박막 봉지층;을 포함하되,
    상기 디스플레이 기판은 활성 영역 및 상기 활성 영역과 상기 홀이 위치한 홀 영역 사이에 배치되며, 적어도 한 층으로 된 복수의 절연 댐이 배치된 비활성 영역을 포함하며, 상기 비활성 영역은 레이저 에칭되지 않는 제 1 영역 및 레이저 에칭되는 제 2 영역을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연 댐은 상기 활성 영역을 둘러싸며, 서로 이격되게 배치된 유기 발광 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연 댐이 배치된 영역은 상기 제 1 영역에 대응되며, 상기 중간층은 각각의 절연 댐의 외면 상에 배치되며, 이웃하는 절연 댐 사이의 영역 및 복수의 절연 댐의 최외곽 영역은 상기 제 2 영역에 대응되며, 상기 중간층은 상기 제 2 영역에 배치되지 않은 유기 발광 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 각각의 절연 댐의 외면에 배치된 중간층 상에 배치된 유기 발광 디스플레이 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연 댐이 배치된 영역 및 이웃하는 절연 댐 사이의 영역은 상기 제 1 영역에 대응되며, 상기 중간층은 각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치되며, 복수의 절연 댐의 최외곽 영역은 상기 제 2 영역에 대응되며, 상기 중간층은 상기 제 2 영역에 배치되지 않은 유기 발광 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치된 중간층은 서로 연결된 유기 발광 디스플레이 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 각각의 절연 댐의 외면 및 이웃하는 절연 댐 사이에 배치된 중간층 상에 배치된 유기 발광 디스플레이 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 중간층은 각 서브 픽셀에 배치된 유기 발광층, 및 상기 활성 영역과 비활성 영역에 걸쳐서 배치된 공통층을 포함하며, 상기 공통층은 상기 활성 영역 및 비활성 영역에 서로 분리된 유기 발광 디스플레이 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 활성 영역과 비활성 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 서로 분리된 유기 발광 디스플레이 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 활성 영역과, 비활성 영역에 걸쳐서 연장되고, 상기 디스플레이 기판의 수직 방향으로 적어도 한층이 적층되며, 복수의 절연 댐은 상기 절연층 상에 배치된 유기 발광 디스플레이 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 절연층을 사이에 두고, 반도체 활성층, 적어도 하나의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고,
    상기 절연댐은 상기 박막 트랜지스터를 덮는 패시베이션, 상기 발광부가 배치된 서브 픽셀을 한정하는 픽셀 정의막, 및 상기 제 2 전극 상에 배치된 스페이서중 적어도 어느 한 층을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 비활성 영역에는 레이저 에칭되는 영역에 대응되는 적어도 하나의 절연층 상에 복수의 레이저 차단층이 배치된 유기 발광 디스플레이 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    복수의 레이저 차단층은 서로 다른 절연층 상에 각각 배치되며, 적어도 일부가 서로 중첩된 유기 발광 디스플레이 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 레이저 차단층은 반사층을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀 영역은 상기 활성 영역 내에 배치되며, 상기 활성 영역에 둘러싸인 유기 발광 디스플레이 장치.
  16. 적어도 하나의 홀이 배치되며, 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 중간층, 및 제 2 전극을 구비한 유기 발광 소자와, 복수의 절연층을 포함하는 디스플레이 기판을 준비하는 단계;
    활성 영역과, 상기 활성 영역 및 홀 영역 사이에 배치된 비활성 영역을 가지는 디스플레이 기판의 비활성 영역에 적어도 한 층으로 된 복수의 절연댐을 형성하는 단계;
    상기 활성 영역과, 상기 비활성 영역에 걸쳐서 중간층을 형성하는 단계;
    상기 활성 영역과, 상기 비활성 영역에 걸쳐서 제 2 전극을 선택적으로 형성하는 단계;
    상기 비활성 영역에서 상기 절연댐이 배치된 영역 이외의 영역에 레이저 에칭하는 단계; 및
    상기 디스플레이 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 이웃하는 절연 댐 사이 영역이나, 복수의 절연 댐의 최외곽 영역중 적어도 어느 한 영역에 조사되어서 상기 중간층을 제거하며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 배치된 중간층을 서로 분리시키는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 레이저 에칭 동안에 상기 중간층이 제거되는 영역 상에 배치된 제 2 전극은 상기 중간층과 함께 제거되며, 상기 활성 영역과 비활성 영역에 배치된 제 2 전극을 서로 분리시키는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 중간층이 형성된 다음에는,
    상기 제 2 전극의 형성을 차단하는 제 2 전극 차단층을 상기 비활성 영역에 선택적으로 형성하고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극 차단층이 존재하는 영역에는 형성되지 않는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 레이저 에칭되는 영역에 대응되는 적어도 하나의 절연층 상에는 복수의 레이저 차단층을 더 형성하고, 레이저 빔은 상기 레이저 차단층에서 반사되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
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US16/734,275 US10714707B2 (en) 2016-02-16 2020-01-03 Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof
US16/927,872 US11251401B2 (en) 2016-02-16 2020-07-13 Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190027003A (ko) * 2017-09-04 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190076093A (ko) * 2017-12-21 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20190083176A (ko) * 2018-01-03 2019-07-11 엘지전자 주식회사 이동 단말기
KR20190085202A (ko) * 2018-01-08 2019-07-18 삼성디스플레이 주식회사 윈도우를 갖는 전계 발광 장치
KR20200013819A (ko) * 2018-07-30 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 전계 발광 장치
KR20200023585A (ko) * 2018-08-24 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200025916A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200030163A (ko) * 2018-09-11 2020-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200036681A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 얼라인된 카메라가 결합된 표시 패널 및 이를 포함하는 표시장치
CN110992823A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
KR20200051102A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10903293B2 (en) 2018-03-13 2021-01-26 Samsung Display Co., Ltd Method of manufacturing display panel and display apparatus including the display panel
US10930867B2 (en) 2019-03-27 2021-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11239302B2 (en) 2018-11-30 2022-02-01 Samsung Display Co., Ltd. Display panel including a non-display area within a display area
US11387432B2 (en) 2019-03-21 2022-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device with groove overlapped by metal layer
US11844232B2 (en) 2018-11-02 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic device including the same
US11925052B2 (en) 2020-07-27 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic apparatus including the same
US11930659B2 (en) 2020-12-17 2024-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
US11943969B2 (en) 2020-09-04 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the display device

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102615113B1 (ko) * 2016-05-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
US11527589B2 (en) * 2017-07-24 2022-12-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Encapsulation structure, display panel and manufacturing method thereof each having edge encapsulation member on edge of encapsulation film
WO2019030858A1 (ja) * 2017-08-09 2019-02-14 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
KR102515630B1 (ko) * 2017-12-20 2023-03-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110021640A (zh) 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 电致发光装置
KR102520016B1 (ko) * 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN108364987B (zh) * 2018-02-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2019167113A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 シャープ株式会社 表示パネル
CN108666347B (zh) * 2018-04-26 2021-07-30 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108666352A (zh) * 2018-05-14 2018-10-16 云谷（固安）科技有限公司 显示面板母板、显示面板及其制作方法
KR102610254B1 (ko) 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
KR102548987B1 (ko) 2018-08-09 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109148525B (zh) * 2018-08-13 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
CN208848933U (zh) * 2018-08-29 2019-05-10 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置
KR20200029678A (ko) * 2018-09-10 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020065837A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102612036B1 (ko) 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR20200039866A (ko) * 2018-10-05 2020-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200043563A (ko) * 2018-10-17 2020-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
JP2022516588A (ja) * 2018-11-01 2022-03-01 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示パネル、その製造方法、及び表示装置
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20200060002A (ko) * 2018-11-22 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109585680B (zh) * 2018-12-03 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板
KR20200071194A (ko) * 2018-12-10 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111384285B (zh) * 2018-12-29 2021-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN109742117B (zh) * 2019-01-08 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN113508641A (zh) * 2019-02-27 2021-10-15 夏普株式会社 显示装置
CN109904346B (zh) * 2019-02-28 2021-03-26 云谷（固安）科技有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
CN109742133B (zh) * 2019-02-28 2021-04-30 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
US20220149121A1 (en) * 2019-03-01 2022-05-12 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN109801956A (zh) * 2019-03-13 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
WO2020194427A1 (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
EP3951881A4 (en) 2019-03-26 2022-10-26 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
WO2020202247A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
KR20200120845A (ko) * 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110120462B (zh) * 2019-05-07 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子装置
CN110224004B (zh) * 2019-05-08 2021-09-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110120464B (zh) * 2019-05-27 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20200144628A (ko) 2019-06-18 2020-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200145902A (ko) 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN110491913B (zh) * 2019-07-31 2021-11-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US20210225992A1 (en) * 2019-08-01 2021-07-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
CN112602198A (zh) * 2019-08-01 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR102637057B1 (ko) * 2019-09-24 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210037352A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110600526B (zh) * 2019-09-30 2021-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210038782A (ko) * 2019-09-30 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20210040230A (ko) * 2019-10-02 2021-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210049253A (ko) * 2019-10-24 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210052636A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110752314B (zh) * 2019-10-31 2022-02-22 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20210070667A (ko) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR20210103614A (ko) * 2020-02-13 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111312798A (zh) * 2020-04-09 2020-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
KR20220027448A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN114122279B (zh) * 2020-08-31 2022-12-16 荣耀终端有限公司 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN112086577A (zh) * 2020-09-08 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
KR20220045756A (ko) * 2020-10-06 2022-04-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220061416A (ko) * 2020-11-06 2022-05-13 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN112466918B (zh) * 2020-11-24 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20220399412A1 (en) * 2020-12-23 2022-12-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
US20220399524A1 (en) * 2020-12-25 2022-12-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device, and display panel and method of manufacturing the same
CN117979742A (zh) * 2021-08-05 2024-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20230081854A (ko) * 2021-11-30 2023-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040024505A (ko) * 2002-09-13 2004-03-20 소니 가부시끼 가이샤 표시 장치
JP2008091237A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
KR20080045637A (ko) * 2006-11-20 2008-05-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 회로 기판 및 표시 장치
KR20080062168A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 제조 장치 및 방법
KR20130121452A (ko) * 2012-04-27 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR20150042622A (ko) * 2013-10-11 2015-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150046646A (ko) * 2013-10-22 2015-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160000853A (ko) * 2014-06-25 2016-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160000980A (ko) * 2014-06-25 2016-01-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20160017273A (ko) * 2014-08-01 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW465122B (en) * 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP2004014981A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20080225216A1 (en) 2007-03-15 2008-09-18 Seiko Epson Corporation Active matrix circuit substrate and display device
JP4974858B2 (ja) 2007-11-19 2012-07-11 株式会社アルバック 成膜装置、薄膜形成方法
JP5092741B2 (ja) 2007-12-28 2012-12-05 カシオ計算機株式会社 指針盤の製造方法
JP2010165570A (ja) 2009-01-16 2010-07-29 Canon Inc 膜厚センサー及び成膜装置
JP5854731B2 (ja) 2010-11-04 2016-02-09 キヤノン株式会社 成膜装置及びこれを用いた成膜方法
KR101881083B1 (ko) * 2011-11-09 2018-07-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP2731138B1 (fr) 2012-11-09 2020-06-17 EM Microelectronic-Marin SA Procédé de fabrication d'un affichage OLED, affichage OLED résultant et pièce d'horlogerie comprenant un tel affichage
KR102071330B1 (ko) * 2012-12-27 2020-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102027289B1 (ko) 2012-12-28 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR20150006726A (ko) 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102094143B1 (ko) 2013-10-30 2020-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
KR102169862B1 (ko) 2013-12-19 2020-10-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법
EP2960962B1 (en) 2014-06-25 2020-04-01 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102391361B1 (ko) * 2015-01-14 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102323242B1 (ko) * 2015-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102326069B1 (ko) 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102427249B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102421577B1 (ko) * 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040024505A (ko) * 2002-09-13 2004-03-20 소니 가부시끼 가이샤 표시 장치
JP2008091237A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
KR20080045637A (ko) * 2006-11-20 2008-05-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 회로 기판 및 표시 장치
KR20080062168A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 제조 장치 및 방법
KR20130121452A (ko) * 2012-04-27 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR20150042622A (ko) * 2013-10-11 2015-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150046646A (ko) * 2013-10-22 2015-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160000853A (ko) * 2014-06-25 2016-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160000980A (ko) * 2014-06-25 2016-01-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20160017273A (ko) * 2014-08-01 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190027003A (ko) * 2017-09-04 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11778852B2 (en) 2017-09-04 2023-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR20190076093A (ko) * 2017-12-21 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20190083176A (ko) * 2018-01-03 2019-07-11 엘지전자 주식회사 이동 단말기
KR20190085202A (ko) * 2018-01-08 2019-07-18 삼성디스플레이 주식회사 윈도우를 갖는 전계 발광 장치
US10903293B2 (en) 2018-03-13 2021-01-26 Samsung Display Co., Ltd Method of manufacturing display panel and display apparatus including the display panel
US11574973B2 (en) 2018-03-13 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display panel and display apparatus including the display panel
KR20200013819A (ko) * 2018-07-30 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 전계 발광 장치
KR20200023585A (ko) * 2018-08-24 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200025916A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11394006B2 (en) 2018-09-11 2022-07-19 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
KR20200030163A (ko) * 2018-09-11 2020-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200036681A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 얼라인된 카메라가 결합된 표시 패널 및 이를 포함하는 표시장치
US11844232B2 (en) 2018-11-02 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic device including the same
KR20200051102A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11239302B2 (en) 2018-11-30 2022-02-01 Samsung Display Co., Ltd. Display panel including a non-display area within a display area
US11387432B2 (en) 2019-03-21 2022-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device with groove overlapped by metal layer
US11956990B2 (en) 2019-03-21 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device with metal tip protruding toward groove center
US10930867B2 (en) 2019-03-27 2021-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11611050B2 (en) 2019-03-27 2023-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110992823A (zh) * 2019-11-29 2020-04-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
US11925052B2 (en) 2020-07-27 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic apparatus including the same
US11943969B2 (en) 2020-09-04 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the display device
US11930659B2 (en) 2020-12-17 2024-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Display panel

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