JP4974858B2 - 成膜装置、薄膜形成方法 - Google Patents
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Description
しかし、その効果は不十分である。特に、有機EL素子の技術分野においては、母材となるホスト材料と発色材料等のドーパント材料を一緒に蒸発させ有機発色層を形成する際に、ホスト材料とドーパント材料の有機発色層中の含有比率(ドーパント比率)を正確に制御する技術は非常に重要であるが、ドーパントの蒸発量は非常に少ないため、付着量を正確に測定する技術が求められている。
また、本発明は、前記冷却装置は、前記冷媒体を−80℃以下に冷却して前記膜厚センサに供給する成膜装置である。
また、本発明は、前記昇温装置は、前記加熱媒体を室温よりも高温に加熱して前記膜厚センサに供給する成膜装置である。
また、本発明は、真空槽内に配置された成膜源から成膜材料粒子を放出させ、成膜対象物表面に前記成膜材料粒子を付着させ、前記成膜対象物表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記成膜材料粒子が到達する位置に膜厚センサを配置しておき、前記真空槽内を真空雰囲気にして前記膜厚センサに設けられた流路に液体窒素を含有する冷媒体を供給しながら前記成膜材料粒子を放出させ、前記膜厚センサに設けられ、前記冷媒体によって冷却された水晶振動子表面に前記成膜材料粒子を付着させ、前記水晶振動子の共振周波数の変化を測定し、前記成膜対象物表面の前記薄膜の膜厚を求め、前記真空層内に大気を導入する際には、前記大気を導入する前に、前記冷媒体が供給された前記流路に室温以上の温度の加熱媒体を供給し、前記冷媒体が流れた前記流路を昇温させる薄膜形成方法である。
低温の部材を室温よりも高温に昇温させてから真空槽内に大気を導入できるので、膜厚センサや配管に結露が生じない。
この成膜装置1は、真空槽11を有しており、真空槽11の内部には成膜源14が配置されており、真空槽11内部の成膜源14と対面する位置には、基板ホルダ19が配置されている。
基板ホルダ19には基板15が保持されており、成膜源14から、成膜材料の微小粒子を放出させると、基板15表面に薄膜が形成されるようになっている。
真空槽11内の、成膜源14から放出された微小粒子が到達する測定位置には、本発明の一例の膜厚センサ10が配置されている。
熱媒体流路23の他端は排気管22によって排ガス処理装置18に接続されている。図4は、熱媒体流路23と供給管21と排気管22を説明するための模式図である。
冷媒体は0℃よりも低温にしても流動性を維持する物質であり(例えば、フッ素化合物)、好ましくは、−80℃以下の温度に冷却しても流動性を失わない物質(例えば液体窒素)である。
昇温装置6の内部には、加熱媒体(気体、液体のどちらでも良い、例えば室温以上に加熱された窒素ガスが用いられる。)が充填されたガスボンベと加熱装置が配置されている。
膜厚センサ10の内部を流れた冷却媒体や加熱媒体は排出管を通って排ガス処理装置18に導かれ、安全に処理される。
真空槽11には真空排気系17が接続されており、真空排気系17を動作させ、真空槽11内を真空排気しておく。
切替装置8によって膜厚センサ10と冷却装置5を接続しておき、真空槽11内が所定圧力に低下するまで真空排気した後、真空排気しながら冷却装置5から0℃よりも低温に冷却した冷却媒体を膜厚センサ10に供給し、膜厚センサ10内部の水晶振動子32を冷却媒体と同じ温度に冷却しておく。
スパッタリングの際には膜厚センサ10にもスパッタリング粒子が到達し、水晶振動子32表面に薄膜が形成される。
膜厚センサに一般的に用いられる冷却水(約20℃)を流している時(グラフ中の0〜10分)は約0.06Åの熱雑音(ノイズ)が観察される。時刻tで冷却媒体を切り替え、−80℃の冷却媒体を供給すると、熱雑音は温度低下に伴って漸減し、観測されなくなった。
基板15表面の膜厚が予め設定された膜厚値に到達したら、スパッタリングを停止し、基板15を真空槽11の外部に搬出する。
このように、多数の基板15表面に薄膜を形成すると、成膜源14内のターゲットが消耗するため、ターゲットを交換する必要がある。
上記第一例の成膜装置1は、スパッタリング装置であったが、本発明はそれに限定されるものではなく、無機材料、有機材料の蒸着装置等にも用いることができる。
この成膜装置2は有機薄膜形成装置であり、成膜源12には、有機化合物から成るホスト材料が配置された母材蒸着源13aと、有機化合物から成るドーパント材料が配置された添加材蒸着源13bが設けられている。各蒸着源13a、13bには加熱装置26a、26bがそれぞれ接続されており、各加熱装置26a、26bを動作させ蒸着源13a,13b内部のホスト材料とドーパント材料を加熱すると、真空槽11の内部に母材蒸着源13aからホスト材料の蒸気が放出され、添加材蒸着源13bからドーパント材料の蒸気が放出される。
ホスト材料の蒸気が到達しドーパント材料の蒸気が到達しない位置(到達するドーパント材料の蒸気が無視できる程少量である位置)には、ホスト材料用の膜厚センサ10aが配置されており、ドーパント材料の蒸気が到達しホスト材料の蒸気が到達しない位置(到達するホスト材料の蒸気が無視できる程少量である位置)には、ドーパント材料用の膜厚センサ10bが配置されている。
各膜厚センサ10a、10bは、切替装置8によって冷却装置5か、又は昇温装置6のいずれか一方に一緒に切り替えられるように構成されており、真空槽11の内部の真空排気を開始した後、各膜厚センサ10a、10bを冷却装置5に接続し、真空槽11内が所定圧力まで真空排気された後、各膜厚センサ10a、10bに冷却した冷却媒体をそれぞれ供給すると、各膜厚センサ10a、10b内部に配置された水晶振動子がそれぞれ冷却媒体の温度まで冷却される。
このとき、ドーパント用の膜厚センサ10b内の水晶振動子32は0℃よりも低温に冷却されており、ドーパント材料の蒸気はその水晶振動子32の表面に付着して共振周波数を変化させると、変化量と補正係数から基板15表面の付着量が正確に求められる。
この成膜装置2の膜厚センサ10a、10bでも、昇温装置6によって加熱媒体が供給され、室温以上の温度に昇温された後、真空槽11が開けられる。
4……測定装置
5……冷却装置
6……昇温装置
10、10a、10b……膜厚センサ
12……成膜源
32……水晶振動子
Claims (4)
- 真空槽内に配置された成膜源を有し、前記成膜源から放出された成膜材料粒子を成膜対象物表面に到達させ、前記成膜対象物表面に薄膜を形成する成膜装置であって、
前記成膜材料粒子が到達する位置に配置された膜厚センサと、
前記膜厚センサ内に設けられ前記成膜材料粒子が表面に付着する水晶振動子と、
前記膜厚センサに接続され、前記水晶振動子の共振周波数の変化から前記基板表面の薄膜の膜厚を算出する測定装置と、
前記膜厚センサに設けられた流路と、
前記流路に0℃よりも低温に冷却した冷媒体を供給する冷却装置と、
前記流路に室温以上の加熱媒体を供給する昇温装置と、
前記流路と、前記冷却装置もしくは前記昇温装置との接続を切り替える切替装置と、
を有する成膜装置。 - 前記冷却装置は、前記冷媒体を−80℃以下に冷却して前記膜厚センサに供給する請求項1記載の成膜装置。
- 前記昇温装置は、前記加熱媒体を室温よりも高温に加熱して前記膜厚センサに供給する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。
- 真空槽内に配置された成膜源から成膜材料粒子を放出させ、成膜対象物表面に前記成膜材料粒子を付着させ、前記成膜対象物表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記成膜材料粒子が到達する位置に膜厚センサを配置しておき、
前記真空槽内を真空雰囲気にして前記膜厚センサに設けられた流路に液体窒素を含有する冷媒体を供給しながら前記成膜材料粒子を放出させ、
前記膜厚センサに設けられ、前記冷媒体によって冷却された水晶振動子表面に前記成膜材料粒子を付着させ、前記水晶振動子の共振周波数の変化を測定し、前記成膜対象物表面の前記薄膜の膜厚を求め、
前記真空層内に大気を導入する際には、前記大気を導入する前に、前記冷媒体が供給された前記流路に室温以上の温度の加熱媒体を供給し、前記冷媒体が流れた前記流路を昇温させる薄膜形成方法。
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