JP4728143B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4728143B2 JP4728143B2 JP2006050674A JP2006050674A JP4728143B2 JP 4728143 B2 JP4728143 B2 JP 4728143B2 JP 2006050674 A JP2006050674 A JP 2006050674A JP 2006050674 A JP2006050674 A JP 2006050674A JP 4728143 B2 JP4728143 B2 JP 4728143B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- film
- raw material
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 175
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 732
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 219
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 152
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 117
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 43
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 description 79
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 73
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 description 71
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 58
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 41
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 12
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009500 colour coating Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、特許文献1及び特許文献2のいずれの装置においても、基板表面に形成される薄膜を直接測定するため、基板の表面に実際に形成される薄膜を測定できるという利点があるが、基板表面に形成される薄膜の膜厚がごく薄い場合には膜厚測定用センサの出力値が小さくなるため、正確な膜厚測定を行うことが困難になるという不都合があった。
特にこの場合、前記比率は、基体保持手段の半径をR、前記基体保持手段の膜原料物質が付着する領域の外周長をLとしたとき、略L/2πRの割合であると好適である。
従って、この相関関係(比率)に基づいて、膜厚測定部に付着した膜原料物質の付着量から基体に実際に形成された薄膜の膜厚を間接的に取得することが可能となる。すなわち、実際に基体に形成される薄膜の膜厚をこの比率の分だけ高い感度で測定することが可能となる。
また、このように構成することで、膜厚測定手段により測定された膜厚に基づいて基体に形成される薄膜の膜厚をフィードバック制御により調整することが可能となる。これにより、所望の膜厚を有する光学製品を得ることが可能となる。
さらに、本発明の薄膜形成装置は、膜厚補正板とこの膜厚補正板を移動可能な補正板移動手段を備えており、膜厚測定手段により測定された膜厚に基づいて膜厚補正板の位置をフィードバック制御により調整することが可能となっている。従って、所望の膜厚を有する光学製品を得ることが可能となる。
前記膜厚演算部は、前記複数の膜厚測定部のそれぞれに付着した前記膜原料物質の付着量に基づいて前記基体に形成された薄膜の膜厚分布を演算する膜厚分布演算部であると好ましい。
従って、ごく薄い薄膜を形成する場合にあっても、高い精度で膜厚を測定することが可能な薄膜形成装置を提供することができる。
以下に、本発明の成膜プロセス領域20Aについて説明する。この成膜プロセス領域20Aは本発明の膜原料物質供給手段に相当する。図3は図1の成膜プロセス領域20Aを拡大して示した説明図、図4は図1の成膜プロセス領域20Aを基板側から見た状態を示す説明図である。なお、図3では、回転ドラム13については一部のみ示してその他の部分については省略して記載してある。また、図4では、シールド上での水晶膜厚センサ43a,43bの位置をわかりやすく表示するため、本来は見えない位置にある各水晶膜厚センサ43a,43bの位置を点線で示してある。
そこで、水晶膜厚センサ43a,43bの値と基板Sの膜厚との間の比率を相関関係データとして事前に実際に成膜した結果に基づいて経験的に決定しておき、その相関関係を膜厚相関関係データとして膜厚演算コンピュータ42のハードディスク等に記憶している。また、水晶膜厚センサ43a,43bから入力された付着量とこの膜厚相関関係データから基板Sに形成される薄膜の膜厚を演算する膜厚演算プログラムを記憶している。
続いて、図7を用いて反応プロセス領域60Aについて説明する。上述したように、反応プロセス領域60Aでは、成膜プロセス領域20Aで基板Sの表面に付着した膜原料物質をプラズマ発生手段60でプラズマ処理して、膜原料物質の完全反応物や不完全反応物からなる中間薄膜を形成している。
次に、本発明の薄膜形成装置を用いて実際に成膜試験を行った参考例について説明する。
図16は成膜試験で用いた薄膜形成装置を横方向から見た状態を示す説明図である。この参考例で使用した薄膜形成装置の全体図は、図1に示すとおりである。基板として石英ガラスを用い、基板Sの表面にニオブ(Nb)を成膜した場合と(参考例1)、五酸化ニオブ(Nb2O5)を成膜した場合(参考例2)の2種類の条件で成膜試験を行った。
図16に示すように、水晶膜厚センサ43aを、回転ドラム13の上方に位置する真空容器11の壁面に固定した。ターゲット22a,22bと基板Sの間の距離は90mm、ターゲット22a,22bと水晶膜厚センサ43aの間の距離は74mmである。
その他の成膜条件は以下の通りである。
参考例1(ニオブ)の成膜条件は以下のとおりである。成膜レートは0.4nm/sであった。なお、参考例2とは異なり、参考例1では反応プロセス領域60Aでプラズマ処理を行っていない。
<成膜プロセス領域>
ターゲット:ニオブ
スパッタ電力:4.0kW
交流電源の周波数:40kHz
アルゴンガスの流量:100sccm
参考例2(五酸化ニオブを成膜)の成膜条件は以下のとおりである。成膜レートは0.4nm/sであった。この参考例2では、成膜プロセス領域20Aで基板上にニオブを成膜し、反応プロセス領域でニオブと酸素を反応させて五酸化ニオブを成膜している。
<成膜プロセス領域>
ターゲット:ニオブ
スパッタ電力:4.0kW
交流電源の周波数:40kHz
アルゴンガス流量:100sccm
<反応プロセス領域>
アンテナに印加される電力:4kW
高周波電源の周波数:13.56MHz
酸素ガスの流量:120sccm
図17は参考例1(ニオブ)および参考例2(五酸化ニオブ)を基板上に成膜した成膜試験の結果を示すグラフである。
グラフの縦軸は、実際に基板表面に形成された薄膜の膜厚(基板膜厚)と、水晶膜厚センサで検出された膜厚の値との比である。グラフの横軸は成膜時間である。
このことから、水晶膜厚センサで検出された膜厚は実際に形成された膜厚の約1.6倍の感度で膜厚測定が可能であることがわかる。この1.6という数値は、水晶膜厚センサに付着した膜原料物質の付着量と基板に実際に形成された薄膜の膜厚との比率である。
なお、参考例2の感度(約1.6倍)が、参考例1の感度(約3.3倍)よりも低いのは、参考例2では成膜プロセス領域20Aで基板表面にニオブを成膜した後に、反応プロセス領域60Aでニオブを酸化して五酸化ニオブに変換するが、この変換の際に薄膜が膨張して膜厚が増加するためである。
11 真空容器
11a 開口
11A 薄膜形成室
11B ロードロック室
11C 扉
11D 扉
12 仕切壁
13 回転ドラム(基体保持手段)
13a 基板保持板
13b フレーム
13c 締結具
14 仕切壁
15a 真空ポンプ
15b 真空ポンプ
16a−1 配管
16a−2 配管
16b 配管
17 回転ドラム駆動モータ
18a モータ回転軸
18b ドラム回転軸
20 スパッタ手段(膜原料物質供給手段)
20A 成膜プロセス領域
21a マグネトロンスパッタ電極
21b マグネトロンスパッタ電極
22a ターゲット
22b ターゲット
23 トランス
24 交流電源
30 スパッタガス供給手段
31 マスフローコントローラ
32 スパッタガスボンベ
33 マスフローコントローラ
34 反応性ガスボンベ
35 配管
35a 導入口
41a シールド
41b シールド
42 膜厚演算コンピュータ(膜厚演算部)
43a 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
43b 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
44 ケース
45 センサ素子
46 シャッタ
46a 透孔
47 シャッタ駆動モータ
48 A/D変換回路
51a 膜厚補正板
51b 膜厚補正板
51c 膜厚補正板
52a 螺旋棒(補正板移動手段)
52b 螺旋棒(補正板移動手段)
53a 原動軸(補正板移動手段)
53b 原動軸(補正板移動手段)
54a 補正板駆動モータ(補正板移動手段)
54b 補正板駆動モータ(補正板移動手段)
60 プラズマ発生手段
60A 反応プロセス領域
61 ケース体
61A アンテナ収容室
62 誘電体板
63 アンテナ
64 マッチングボックス
65 高周波電源
70 反応性ガス供給手段
71 酸素ガスボンベ
72 マスフローコントローラ
73 アルゴンガスボンベ
74 マスフローコントローラ
75 配管
75a 導入口
90 膜厚制御装置(膜厚調整手段・膜厚分布調整手段)
142 膜厚分布演算コンピュータ(膜厚分布演算部)
143a−1〜143a−5 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
143b−1〜143b−5 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
143c−1〜143c−5 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
143d−1〜143d−5 水晶膜厚センサ(膜厚測定部)
151a−1〜151a−5 補正小片
151b−1〜151b−5 補正小片
152a−1〜152a−5 螺旋棒(補正板移動手段)
152b−1〜152b−5 螺旋棒(補正板移動手段)
153a−1〜153a−5 原動軸(補正板移動手段)
153b−1〜153b−5 原動軸(補正板移動手段)
154a−1〜154a−5 補正板駆動モータ(補正板移動手段)
154b−1〜154b−5 補正板駆動モータ(補正板移動手段)
S 基板(基体)
V1 バルブ
V2 バルブ
V3 バルブ
Claims (8)
- 内部を真空状態に維持する真空容器と、
該真空容器の内部に回転自在に設置され基体を保持可能な基体保持手段と、
該基体保持手段の一部の領域に向けて膜原料物質を供給することで、前記基体保持手段の回転毎に間欠的に前記基体の表面に前記膜原料物質を付着させる膜原料物質供給手段と、
前記基体の表面に形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定手段と、
該膜厚測定手段により測定された膜厚に基づいて前記基体に形成される薄膜の膜厚を調整する膜厚調整手段と、
前記膜原料物質供給手段と前記基体保持手段との間に配設される膜厚補正板と、
前記膜原料物質供給手段から前記基体保持手段へ供給される膜原料物質の一部を遮断する第一の位置と、前記第一の位置よりも膜原料物質の遮断量が少ない第二の位置との間で前記膜厚補正板を移動可能な補正板移動手段と、
を備えた薄膜形成装置であって、
前記膜厚測定手段は、
前記膜原料物質供給手段から供給される前記膜原料物質が常時付着する位置に固定された膜厚測定部と、
該膜厚測定部に付着する前記膜原料物質の付着量と前記基体の表面に間欠的に付着する前記膜原料物質の付着量との間の相関関係に基づいて、前記基体の表面に形成される薄膜の膜厚を演算する膜厚演算部と、
を備え、
前記膜厚調整手段は、前記膜厚測定手段により測定された膜厚に基づいて前記補正板移動手段による前記膜厚補正板の位置を調整することを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記膜厚演算部は、
膜厚測定部に付着する膜原料物質の付着量と実際に基体の表面に形成される薄膜の膜厚との間の比率を相関関係として予め記憶した膜厚相関関係データを備え、
前記膜厚測定部に付着した膜原料物質の付着量と前記膜厚相関関係データに記憶された前記相関関係に基づいて、前記基体に形成される薄膜の膜厚を演算することを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。 - 前記比率は、基体保持手段の半径をR、前記基体保持手段の膜原料物質が付着する領域の外周長をLとしたとき、略L/2πRの割合であることを特徴とする請求項2記載の薄膜形成装置。
- 前記膜原料物質供給手段と前記基体保持手段との間には、前記基体保持手段のうち前記一部の領域以外の領域に向けて移動する膜原料物質を遮断するシールドが配設され、
前記膜厚測定部は、前記シールドに固定されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。 - 前記膜厚測定部は、前記膜厚補正板に固定されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。
- 前記膜厚測定部は、前記膜原料物質供給手段と前記基体保持手段との間であって且つ前記膜原料物質供給手段から供給される前記膜原料物質が付着可能な位置に複数固定され、
前記膜厚演算部は、前記複数の膜厚測定部のそれぞれに付着した前記膜原料物質の付着量に基づいて前記基体に形成された薄膜の膜厚分布を演算する膜厚分布演算部であることを特徴とする請求項1記載の薄膜形成装置。 - 前記膜厚補正板は、前記膜原料物質供給手段と前記基体との間であって前記複数の膜厚測定部に対応する位置に配設された複数の補正小片であり、
前記補正板移動手段は、前記膜原料物質供給手段から前記基体保持手段へ供給される膜原料物質の一部を遮断する第一の位置と、前記第一の位置よりも膜原料物質の遮断量が少ない第二の位置との間で前記複数の補正小片をそれぞれ独立して移動可能な補正小片移動手段であり、
前記膜厚分布調整手段は、前記膜厚測定手段により測定された膜厚分布に基づいて前記補正小片移動手段による前記複数の補正小片の位置をそれぞれ独立して調整することを特徴とする請求項6記載の薄膜形成装置。 - 前記膜厚測定手段は、
前記膜厚測定部と前記膜原料物質供給手段との間に配設されたシャッタと、
前記膜厚測定部に前記膜原料物質が付着可能な第一の位置と、前記膜原料物質が実質的に付着しない第二の位置との間で前記シャッタを移動させるシャッタ移動手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006050674A JP4728143B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006050674A JP4728143B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007231303A JP2007231303A (ja) | 2007-09-13 |
JP4728143B2 true JP4728143B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=38552196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006050674A Active JP4728143B2 (ja) | 2006-02-27 | 2006-02-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4728143B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009091603A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Ulvac Japan Ltd | 光学薄膜の成膜装置及びその制御方法 |
JP5047125B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2012-10-10 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び装置 |
DE102008056125A1 (de) * | 2008-11-06 | 2010-05-12 | Leybold Optics Gmbh | Testglaswechselsystem zur selektiven Beschichtung und optischen Messung von Schichteigenschaften in einer Vakuumbeschichtungsanlage |
KR101108151B1 (ko) | 2009-04-30 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치 |
JP6224677B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2017-11-01 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | スパッタリング装置 |
JP5882934B2 (ja) | 2012-05-09 | 2016-03-09 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | スパッタリング装置 |
JP6131145B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-05-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置 |
CN105573218B (zh) * | 2016-01-30 | 2019-09-10 | 辽东学院 | 输液膜厚度测控系统 |
CN109154071B (zh) * | 2016-05-06 | 2020-10-27 | 株式会社爱发科 | 薄膜制造装置、薄膜制造方法 |
CN108690963B (zh) * | 2017-04-10 | 2020-06-23 | 株式会社新柯隆 | 成膜装置 |
JP7171092B1 (ja) | 2021-11-08 | 2022-11-15 | 株式会社シンクロン | 成膜制御装置、成膜装置及び成膜方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002030420A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2004115852A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Canon Inc | スパッタリング成膜方法 |
JP2005264250A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
-
2006
- 2006-02-27 JP JP2006050674A patent/JP4728143B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002030420A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2004115852A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Canon Inc | スパッタリング成膜方法 |
JP2005264250A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007231303A (ja) | 2007-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4728143B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
US5911856A (en) | Method for forming thin film | |
CN1737190B (zh) | 磁控溅镀装置 | |
EP1640474B1 (en) | Thin film forming device | |
JP4753973B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4806268B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
WO2006013968A1 (ja) | 薄膜形成装置 | |
KR20130080000A (ko) | 박막 형성방법 및 박막 형성장치 | |
JPH0772307A (ja) | 薄膜形成方法及び装置 | |
EP1630248B1 (en) | Thin film forming method | |
US20180135160A1 (en) | Method for controlling a gas supply to a process chamber, controller for controlling a gas supply to a process chamber, and apparatus | |
WO2019164422A1 (ru) | Вакуумная ионно-плазменная установка для нанесения покрытий оксинитрида титана на поверхность металлических внутрисосудистых стентов | |
TW201712136A (zh) | 成膜裝置及層疊體 | |
JP4809613B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2011102436A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2010065264A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP4993628B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
JPS596376A (ja) | スパツタ装置 | |
JP2002004033A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP4942725B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2004027264A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
JP2006124778A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP2000107587A (ja) | ベルジャ(真空成膜チャンバ又は容器)内のガス圧を校正する方法と装置 | |
JP2006131973A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4728143 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |