JP2002030420A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極上にはんだ層を真空蒸着により形成する
際、被蒸着物の昇温を抑制する。 【解決手段】 真空蒸着法により被蒸着物４１０ｂ表面
に蒸着物質の膜を形成する際に、気化又は昇華した蒸着
物質４０９の輻射熱を遮蔽機構４１４により遮ること
で、蒸着エリア外の被蒸着物４１０ａの昇温を抑制す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着により成膜す
る成膜装置及び成膜方法と、光導波路デバイスの製造方
法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パソコンやインターネットの普及
に伴って情報伝送需要が急激に増大しており、伝送速度
の速い光伝送をパソコン等の末端の情報処理装置にまで
普及させることが望まれている。これを実現するには、
光インターコネクション用に、高性能な光導波路デバイ
スを、安価かつ大量に製造する必要がある。

【０００３】光導波路デバイスは、基板上に電極と光導
波路積層体とを形成した後、電極表面に、受光素子等を
搭載するためのはんだ層を形成することにより作製され
る。はんだ層の形成は、通常、真空蒸着法により行われ
る。なお、真空蒸着法は、１０^-2Ｐａ以下の圧力に排気
された真空チャンバ内で、物質を加熱して気化又は昇華
させ、これを被蒸着物に付着させることにより、蒸着物
質の薄膜を形成する成膜方法である。この真空蒸着法に
よるはんだ層の成膜は、基板上に、電極が露出するよう
に窓が設けられたレジスト層を形成した後、はんだ材料
を蒸着させ、レジスト層を剥離することにより行われ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】通常、気化又は昇華し
た蒸着物質は高温になっているため、はんだ層を真空蒸
着法により形成すると、基板自体が加熱されてしまう。
例えば、５μｍ程度の膜厚のＡｕ・Ｓｎはんだ層を形成
する場合、５時間程度の蒸着時間を要するため、基板温
度は１００℃を超えてしまう。これに対して、レジスト
層の軟化温度は、通常１１０〜１２０℃程度であり、１
００℃以上の温度では、軟化・変形・収縮等が生じてし
まう。したがって、従来の成膜装置及び成膜方法では、
電極表面に精度よく平滑なはんだ層を形成することがで
きなかった。

【０００５】そこで、本発明は、被蒸着物の温度が上が
り過ぎるのを回避することができる成膜装置及び成膜方
法とそれを用いた光導波路デバイスとを提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、チャンバと、チャンバ内部を減圧する
ための減圧機構と、チャンバ内に設けられた、蒸着物質
を気化又は昇華させる気化／昇華機構、及び、被蒸着物
を保持するためのホルダと、気化又は昇華した蒸着物質
の輻射熱を遮るための遮蔽機構とを備える成膜装置が提
供される。

【０００７】本発明の成膜装置は、遮蔽機構を冷却する
ための冷却機構をさらに備えることが望ましい。また、
本発明の成膜装置は、気化／昇華機構を複数設けること
ができる。このようにする場合には、作動させる（すな
わち、蒸着源の蒸着物質を気化又は昇華させる）気化／
昇華機構を選択するための切替機構を、さらに備えるこ
とが望ましい。

【０００８】さらに、本発明では、減圧されたチャンバ
の内部で蒸着物質を気化又は昇華させて、蒸着エリア内
の被蒸着物の表面に付着させることにより、被蒸着物表
面に蒸着物質の膜を形成する成膜方法であって、気化又
は昇華した蒸着物質の輻射熱を遮ることにより、蒸着エ
リア外の被蒸着物の昇温を抑制する成膜方法と、この方
法を用いて電極表面に導体膜を形成する工程を備える光
導波路デバイスの製造方法とが提供される。

【０００９】なお、本発明の成膜装置及び成膜方法は、
レジストが高温になって変形するのを回避することがで
きるため、蒸着に時間を要する比較的厚い膜であって
も、精度良く形成することができる。このため、本発明
の成膜装置及び成膜方法は、特に光導波路デバイスの電
極表面に導体膜を形成する工程に適しているが、本発明
の適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、
半導体素子等の電子部品の配線導体膜又は絶縁膜の形成
など、蒸着により成膜する薄膜形成工程であれば、適用
可能である。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例につい
て、図面を用いて説明する。

【００１１】Ａ．光導波路デバイスの構成 まず、本実施例により製造される光導波路デバイス１０
０の構成を、図３を用いて説明する。光導波路デバイス
１００は、Ｓｉ基板１の上に、光導波路積層体１０を備
え、光導波路積層体１０が配置されていない領域に電極
部７が配置された構成である。

【００１２】光導波路積層体１０は、シリコンなどの基
板１の上に配置された下部クラッド層３と、その上に搭
載された光導波路４と、光導波路４を埋め込む上部クラ
ッド層５とを含んでいる。

【００１３】下部クラッド層３及び上部クラッド層５
は、いずれも、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ１０
０５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜からな
る。下部クラッド層３の膜厚は、約６μｍ、上部クラッ
ド層５の膜厚は、下部クラッド層表面から約１２μｍで
ある。光導波路４は、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−
Ｎ３２０５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜か
らなり、その膜厚は約６μｍで、光導波路４の幅は約６
μｍである。

【００１４】電極部７は、シリコン基板１の上に配置さ
れている。電極は発光素子、発光素子の出力をモニタす
る受光素子、受光素子等を搭載するための電極であり、
電極は、Ｔｉ／Ａｕ積層膜からなり、さらにその表面に
Ａｕ・Ｓｎはんだ層が形成されている。

【００１５】Ｂ．光導波路デバイスの製造方法 つぎに、本実施例における光導波路デバイスの製造方法
について説明する。本実施例では、基板１として直径７
６ｍｍのシリコンウエハを用意し、この基板１の上に図
３の構造を備える構成単位を多数配列して形成した後、
当該構成単位毎にダイシングにより切り離すことで、多
数の図３の光導波路デバイス１００を一度に製造した。
本実施例では、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基
板１全体で一度に行った。なお、図１（ａ）〜（ｃ）及
び図２（ｄ），（ｅ）は、図示の都合上、ウエハ状の基
板１のうち、一つの光導波路デバイス１００となる上記
構成単位のみを切り出した状態で図示している。

【００１６】（１）電極形成工程 まず、ウエハ状の基板１の上面にＴｉ層及びＡｕ層をこ
の順で積層してパターニングすることにより、図１
（ａ）のように電極７を形成した。

【００１７】（２）下部クラッド層形成工程 基板１の上面全体に前述のＯＰＩ−Ｎ１００５をスピン
塗布して材料溶液膜を形成した。その後、乾燥器を用い
１００℃で３０分間、次いで２００℃で３０分間加熱す
ることにより溶媒を蒸発させ、続けて３７０℃で６０分
加熱することにより樹脂を硬化させて、厚さ６μｍの下
部クラッド層３を形成した（図１（ｂ））。

【００１８】（３）光導波路形成工程 この下部クラッド層３の上に、前述のＯＰＩ−Ｎ３２０
５をスピン塗布して材料溶液膜を形成した。その後、乾
燥器を用い１００℃で３０分間、次いで２００℃で３０
分間加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３５０
℃で６０分加熱することにより樹脂を硬化させて、光導
波路４となる厚さ６μｍのポリイミド膜を形成した。

【００１９】得られたポリイミド膜は、フォトリソグラ
フィにより光導波路４の形状にパターニングした。具体
的には、光導波路４となるポリイミド層の上にレジスト
をスピン塗布し、１００℃で乾燥後、水銀ランプでマス
ク像を露光させ、現像して、レジストパターン層を形成
した。このレジストパターン層は、前述のポリイミド膜
を光導波路４の形状に加工するためのマスクとして、前
述のポリイミド層を酸素でリアクティブイオンエッチン
グ（Ｏ₂−Ｒ１Ｅ）することにより、光導波路４を基板
１上に多数配列して形成することができた（図１
（ｃ））。その後、レジストパターン層を剥離した。

【００２０】（４）上部クラッド層形成工程 次に、光導波路４及び下部クラッド層３を覆うように、
ＯＰＩ−Ｎ１００５をスピン塗布した。得られた材料溶
液膜を、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃
で３０分加熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、３５
０℃で６０分加熱することによりポリイミド膜の上部ク
ラッド層５を形成した（図２（ｄ））。

【００２１】（５）はんだ層形成工程 次に、上部クラッド層５、光導波路４、下部クラッド層
３の積層膜に対してダイシングにより積層方向に切り込
みを入れ、電極部７の領域に形成されている上部クラッ
ド層５から下部クラッド層３までを、基板１上から剥が
して除去した。これにより、光導波路積層体１０は図２
（ｅ）の形状となり、基板１上の電極部７の領域では、
電極部７とシリコン基板１が露出した。

【００２２】続いて、露出した電極７の表面に、成膜装
置を用いて所望の形状のＡｕ・Ｓｎはんだ層を形成し
た。

【００２３】（６）切出し工程 その後、ウエハ状の基板１をダイシングにより図３の形
状に切り出し光導波路デバイス１００を完成させた。

【００２４】Ｃ．成膜装置 （１）本実施例の成膜装置の構成 つぎに、本実施例の第２の電極形成工程において用いた
成膜装置について説明する。本実施例の成膜装置４００
は、真空蒸着法により成膜するための装置であり、図４
に示すように、内部で蒸着を行うための真空チャンバ４
０１と、この真空チャンバ４０１内を減圧するための減
圧機構（油拡散ポンプ４０２及び液体窒素トラップ４０
３）と、ヘルムホルツコイル等の磁場を発生させるため
の機構（図示せず）とを備える。

【００２５】真空チャンバ４０１内には、処理対象基板
４１０（直径７６ｍｍ）を保持するための基板ホルダ４
１１が設けられている。基板ホルダ４１１は、水平にな
るように取り付けられた板状の円盤状部材４１１ａ（直
径３００ｍｍ）と、この円盤状部材４１１ａの外周部及
び中心部に設けられた押さえ部材４１１ｂとを備え、基
板４１０は、これらの部材４１１ａ及び４１１ｂの間に
挟持される。円盤状部材４１１ａ裏面（基板４１０を挟
持する側とは反対の面）には、冷却パイプ４１２が設け
られている。また、円盤状部材４１１ａは、軸部材（図
示せず）を介して回転モータ４１３に接続されており、
円盤の中心を中心軸として、所望の速度で水平に回転さ
せることができるようになっている。

【００２６】さらに、真空チャンバ４０１内には、蒸着
物質を気化又は昇華させる気化／昇華機構４１５と、膜
厚モニタ４１８とが設けられている。気化／昇華機構４
１５は、蒸着源４０４を入れるためのるつぼ４０５と、
蒸着源４０４に電子線４０６を照射するための電子線源
４０７とを備える。電子線源４０７には高圧電源４０８
が接続されており、るつぼ４０５内に保持された蒸着源
４０４に、電子線４０６を照射することにより、蒸着物
質を加熱して気化又は昇華させることができる。なお、
本実施例の気化／昇華機構４１５は、電子線４０６によ
り加熱を行うものであるが、抵抗加熱法など他の方法に
より加熱するようにしてもよい。また、イオンビームに
よるスパッタリングによって蒸着物質の原子を飛び出さ
せるようにしてもよい。

【００２７】気化又は昇華した蒸着物質は、基板ホルダ
４１１に保持された基板４１０の表面に付着し、薄膜を
形成する。図４では、この気化又は昇華した蒸着物質の
流れを、破線の矢印４０９により示した。膜厚モニタ４
１８は、蒸着により形成された薄膜の厚さを監視するた
めの機構であり、膜厚検出のための水晶振動子を取り付
けて使用される。

【００２８】また、真空チャンバ４０１内には、蒸着物
質による輻射熱を遮断して、蒸着を行わない基板４１０
ａが輻射熱により加熱されるのを防ぐための遮蔽機構で
ある遮蔽板４１４（縦３３０ｍｍ、横３７０ｍｍ）が設
けられている。本実施例では、この遮蔽板４１４は円盤
状部材４１１ａの直径部分の下に、鉛直方向に立てられ
て取り付けられているが、必要に応じて、気化／昇華機
構４１５に近い位置又は遠い位置に取り付けてもよく、
傾けて取り付けてもよい。なお、図４では、遮蔽板４１
４の取り付けられている基部の図示は省略した。

【００２９】この遮蔽板４１４の材質は、輻射熱を遮る
ものであればよく、特に限定されるものではないが、熱
線を遮断するものであることが望ましい。また、遮蔽板
４１４の大きさも、輻射熱を遮るものであればよく、特
に限定されるものではないが、縦の長さは、るつぼ４０
５と被蒸着物４１０表面との間の距離（本実施例では３
００ｍｍ）よりも長いことが望ましく、横の長さは、円
盤状部材４１１ａの直径（本実施例では３００ｍｍ）よ
りも長いことが望ましい。

【００３０】本実施例では、この遮蔽板４１４により遮
蔽されていない側の基板４１０ｂに対してのみ、蒸着が
行われる。本実施例の遮蔽板４１４の、図４におけるＡ
−Ａ’間の断面を図５に示す。なお、図５では、押さえ
部材４１１ｂの図示は省略した。

【００３１】さらに、本実施例の成膜装置４００は、冷
却パイプ４１２へ冷媒を供給する水供給機構や、るつぼ
４０４の冷却機構といった、周知の真空蒸着装置に通常
設けられている機構を備えるが、図４ではこれらの図示
は省略した。

【００３２】（２）遮蔽板の他の態様 上述の構成に加えて、さらに遮蔽板４１４を冷却する機
構を設けてもよい。例えば、図９に示す成膜装置９００
のように、遮蔽板４１４内部に冷媒を通すための冷却パ
イプ４１６を設け、この冷却パイプ４１６に冷媒を流す
ことにより、遮蔽板４１４を冷却するようにすれば、さ
らに効果的に輻射熱を遮断することができる。なお、成
膜装置９００のこれ以外の構成は、本実施例の成膜装置
４００と同様であるので、説明を省略する。

【００３３】また、本実施例では、遮蔽板４１４として
平板な円盤状部材を用いたが、遮蔽板４１４の形状はこ
れに限定されるものではなく、必要に応じて適宜決定す
ることができる。例えば、図１０（ａ）に示すように折
れ曲がっていてもよい。なお、本実施例では、輻射熱が
遮断されるエリアと遮断されないエリアとの面積比はほ
ぼ１：１であるため、蒸着時間と冷却時間との比はほぼ
１：１となるが、必要とされる蒸着時間と冷却時間との
比に応じて、遮蔽板４１４の形状、サイズ、設置位置は
適宜決定することができる。なお、蒸着時間と冷却時間
との比は、蒸着物質やレジスト層６３材料などに応じて
適宜定めることができる。なお、図１０（ａ）及び
（ｂ）は、遮蔽板の、図４におけるＡ−Ａ’間に相当す
る部分の断面を図示したものである。この図１０におい
ても、図５と同様、押さえ部材４１１ｂの図示は省略し
た。

【００３４】図１０（ａ）に示した遮蔽板４１４ａを用
い、この遮蔽板４１４ａにより区切られる２つのエリア
１２０のうち、狭い方１２０ａに気化／昇華機構４１５
を設ければ、蒸着時間と冷却時間との比をほぼ１：３に
することができ、基板温度を本実施例より低く抑えるこ
とができる。この場合、エリア１２０ａが蒸着エリア、
エリア１２０ｂが冷却エリアとなる。

【００３５】一方、図１０（ａ）に示した遮蔽板４１４
ａを用い、広いほうのエリア１２０ａに気化／昇華機構
４１５を設ければ、蒸着時間と冷却時間との比をほぼ
３：１にすることができ、本実施例より短時間で蒸着を
完了することができる。この場合、エリア１２０ａが冷
却エリア、エリア１２０ｂが蒸着エリアとなる。

【００３６】また、本実施例では、基板ホルダ上の領域
を、遮蔽板４１４により２つのエリア（蒸着エリア及び
冷却エリア）に区切ったが、本発明はこれに限られるも
のではなく、例えば図１０（ｂ）に示すように、３つ以
上のエリア１２０に区切るようにしてもよい。

【００３７】図１０（ｂ）に示す遮蔽板４１４ｂを用い
る場合には、３つのエリア１２０のうち、いずれか一つ
又は２つを冷却エリアとし、残りを蒸着エリアとするこ
とができる。また、４つのエリア１２０に区切り、互い
に隣接しない２つのエリア１２０を冷却エリアに、残り
のエリアを蒸着エリアにするようにしてもよい。このよ
うに、蒸着エリアを２つ以上設けるには、図１１に示す
ように、気化／昇華機構４１５を複数設ければよい。

【００３８】（３）気化／昇華機構４１５を複数設ける
場合 本実施例では、第２の電極形成工程において、Ａｕ・Ｓ
ｎの材料による成膜を行った。しかし、本実施例とは異
なり、それぞれ異なる材料からなる膜を複数枚成膜する
場合には、図１１に示すように、気化／昇華機構４１５
を複数備える成膜装置１１０を用いると、蒸着物質を変
更する都度、真空チャンバ４０１の減圧を解除しなくて
済むため、便利である。なお、気化／昇華機構４１５を
複数設ける場合には、切替機構である切り替え器４１７
により、加熱する蒸着源４０４を選択できるようにする
ことが望ましい。また、図１１に示した例では、気化／
昇華機構４１５はいずれも電子線加熱法により加熱を行
うものであるが、一方又は両方を、抵抗加熱法など、他
の方法により加熱する機構にしてもよい。なお、気化／
昇華機構４１５を２つ備えることを除いて、成膜装置１
１０の構成は、本実施例の成膜装置４００と同様である
ので、説明を省略する。

【００３９】Ｄ．はんだ層の形成 次に、本実施例では、電極部７表面に、上述の成膜装置
４００を用い、つぎの工程（１）〜（３）により、Ａｕ
・Ｓｎはんだ層を形成した。

【００４０】（１）レジスト層６２の形成 図６（ａ）に示すように、電極部７及びシリコン基板１
を露出させた基板６１の表面に、ポジ型のノボラックフ
ェノール樹脂を用いてレジスト層６２を形成し、これを
フォトリソグラフィにより所定のパターン（電極部７を
露出させ、他の基板表面を覆うパターン）になるように
パターニングした。

【００４１】（２）積層膜６３の形成 次に、レジスト層６２を形成した基板６１を成膜装置４
００の基板ホルダ４１１にセットした後、高圧電源４０
８により発生させた電子線４０６を蒸着源（Ａｕ・Ｓ
ｎ）に照射して、Ａｕ・Ｓｎ層を電極部７及びレジスト
層６２の表面に蒸着させ、厚さ５μｍの積層膜（Ａｕ・
Ｓｎはんだ膜）６３を形成した。なお、本実施例では、
積層膜６３の蒸着に５時間を要した。

【００４２】本実施例の成膜装置４００によれば、基板
ホルダの円盤状部材４１１ａを所望の速度で回転させる
ことで、蒸着による一定時間の加熱を経た後、処理対象
基板６１（図４では４１０として図示）は輻射熱が遮蔽
されるエリアへ入ることによって冷却される。本実施例
では、図７に実線ａで示すように、このような一定時間
の加熱と冷却とを繰り返すことによって、基板６１の温
度を６０℃以下に押さえることができた。

【００４３】これに対して、従来の成膜装置を用いて同
様の成膜を行った場合には、遮蔽板４１４がないため
に、図７に一点鎖線ｂで示すように、輻射熱により蒸着
が行われていない基板６１までも加熱されてしまうた
め、基板温度が１００℃を超えてしまった。

【００４４】（３）レジスト層６２の剥離 続いて、レジスト層６２を剥離することにより、電極部
７表面のみに、表面が平滑な積層膜６３が形成された基
板６１（図６（ｂ））を得ることができた。

【００４５】一方、従来の成膜装置を用いた場合には、
基板温度が１００℃を超えてしまったため、図８（ａ）
に示すようにレジスト膜６２の蒸着側が収縮してしま
い、電極部に設けられた窓６４の開口部６５が底部６６
よりも広くなってしまったため、窓６４内壁にまで蒸着
膜が形成されてしまった。このため、レジスト層６２を
剥離して得られた積層膜６３は、図８（ｂ）に示すよう
に、窓６４内壁に形成された部分が残ってしまい、平滑
な積層膜６３を得ることはできなかった。

【００４６】Ｅ．本実施例の効果 本実施例によれば、成膜装置に輻射熱を遮断する遮蔽機
構を設けたことにより、長時間の蒸着を要する比較的厚
い蒸着膜を形成する場合であっても、被蒸着物が高温に
なるのを抑制することができる。したがって、本実施例
によれば、レジスト層の軟化、変形、収縮を回避するこ
とができ、平滑な蒸着膜を精度よく効率的に得ることが
できる。このため、本実施例によれば、高性能な光導波
路デバイス及び光通信装置を、安価に製造することがで
きる。

【００４７】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、蒸着
により電極上にはんだ層を形成する際、基板の昇温を効
率的に抑制して冷却することができる。このため、本発
明によれば、精度よく平滑なはんだ層を形成することが
でき、高性能な光導波路デバイスを安価に製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例における模式化された光導波路デバイ
スの製造方法を示す切り欠き斜視図である。

【図２】 実施例における模式化された光導波路デバイ
スの製造方法を示す切り欠き斜視図である。

【図３】 模式化された光導波路デバイスの構造例を示
す斜視図である。

【図４】 成膜装置の構造例を示す模式図である。

【図５】 実施例における遮蔽板の形状を示す断面図で
ある。

【図６】 はんだ層の成膜工程を示す説明図である。

【図７】 蒸着工程における基板の温度プロフィールを
示すグラフである。

【図８】 従来の成膜装置を用いたはんだ層の成膜工程
を示す説明図である。

【図９】 遮蔽板に冷却機構を備える成膜装置の構造例
を示す模式図である。

【図１０】 遮蔽板の形状例を示す断面図である。

【図１１】 気化／昇華機構を複数備える成膜装置の構
造例を示す模式図である。

【符号の説明】

１…シリコン基板 ３…下部クラッド層 ４…光導波路 ５…上部クラッド層 ７…電極部 １０…光導波路積層体 ６１…被蒸着物（電極等が形成された基板） ６２…レジスト層 ６３…蒸着膜の積層膜 ６４…レジスト層のはんだ層形成用窓 ６５…窓開口部 ６６…窓底部 １００…光導波路デバイス １１０…成膜装置 １２０，１２０ａ，１２０ｂ…蒸着／冷却エリア ４００…成膜装置 ４０１…真空チャンバ ４０２…油拡散ポンプ ４０３…液体窒素トラップ ４０４…蒸着源 ４０５…るつぼ ４０６…電子線 ４０７…電子線源 ４０８…高圧電源 ４０９…気化／昇華した蒸着物質 ４１０…被蒸着物（処理対象基板） ４１１…基板ホルダ ４１１ａ…基板ホルダの円盤状部材 ４１１ｂ…押さえ部材 ４１２…冷却パイプ ４１３…回転モータ ４１４…遮蔽機構（遮蔽板） ４１５…気化／昇華機構 ４１６…遮蔽板冷却パイプ ４１７…気化／昇華機構切り替え部 ４１８…膜厚モニタ ９００…成膜装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮寺 信生 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 PA03 PA28 QA01 QA05 4K029 AA06 BA22 BD02 CA01 DA10 DB21 4M104 DD34 DD68 HH20 5F103 AA01 BB14 BB16 BB21 BB23 BB27 BB32 BB34 BB38 BB41 BB47 BB53 DD28 HH03 HH07 LL20 NN01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チャンバと、 上記チャンバ内部を減圧するための減圧機構と、 上記チャンバ内に設けられた、蒸着物質を気化又は昇華
   させる気化／昇華機構、及び、被蒸着物を保持するため
   のホルダと、 気化又は昇華した上記蒸着物質の輻射熱を遮るための遮
   蔽機構とを備えることを特徴とする成膜装置。
2. 【請求項２】 上記遮蔽機構を冷却するための冷却機構
   をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の成膜装
   置。
3. 【請求項３】 上記気化／昇華機構は複数設けられてお
   り、作動させる上記気化／昇華機構を選択するための切
   替機構を、さらに備えることを特徴とする請求項１又は
   ２記載の成膜装置。
4. 【請求項４】 減圧されたチャンバの内部で蒸着物質を
   気化又は昇華させて、蒸着エリア内の被蒸着物の表面に
   付着させることにより、上記被蒸着物表面に上記蒸着物
   質の膜を形成する成膜方法であって、 気化又は昇華した上記蒸着物質の輻射熱を遮ることによ
   り、上記蒸着エリア外の被蒸着物の昇温を抑制すること
   を特徴とする成膜方法。
5. 【請求項５】 電極表面に、請求項４記載の成膜方法に
   より導体膜を形成する工程を備えることを特徴とする光
   導波路デバイスの製造方法。