KR20160130399A - 접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법 및 회로 접속 재료 - Google Patents

Abstract

제 1 단자 (12a) 가 배열된 제 1 단자부 (12) 와, 제 1 단자부 (12) 의 주변에 형성되고, 제 1 단자 (12a) 의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트 (13) 를 구비하는 제 1 회로 부재 (10) 와, 제 1 단자 (12a) 보다 높이가 낮은 제 2 단자 (22a) 가 배열된 제 2 단자부 (22) 를 구비하는 제 2 회로 부재 (20) 를, 막 형성 수지와, 중합성 화합물을 함유하고, 제 1 회로 부재 (10) 에 접하는 제 1 층 (31) 과, 막 형성 수지와, 중합성 화합물과, 중합 개시제와, 도전성 입자를 함유하고, 제 2 회로 부재 (20) 에 접하는 제 2 층 (32) 을 갖는 회로 접속 재료 (30) 를 개재시켜 배치하는 배치 공정과, 제 1 회로 부재 (10) 와 제 2 회로 부재 (20) 를 소정 온도에서 열압착하여, 접속 구조체를 얻는 압착 공정을 갖는 접속 구조체의 제조 방법이다.

Description

접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법 및 회로 접속 재료{CONNECTING STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD FOR CONNECTING STRUCTURE, AND CIRCUIT CONNECTING MATERIAL}

본 발명은, 이방성 도전 필름 등의 회로 접속 재료를 사용하는 접속 구조체 및 그 제조 방법, 그리고 회로 접속 재료에 관한 것이다.

종래, 이방성 도전 필름 (ACF : Anisortropic Conductive Film) 은, 땜납 접속에는 적합하지 않은 미세 배선의 접속에 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그러나, 저온 접속이 가능한 것 등의 이점에서, 단자 폭이 300 ㎛ 이상인 비교적 러프한 배선의 접속에도 사용되어 오고 있다.

일반적인 미세 배선용으로 설계된 이방성 도전 필름은, 접착층을 형성하는 바인더가 눌러 찌부러뜨리는 힘에 대하여 단자역 외로 유동하여 배제되고, 단자부의 접착층의 두께가 도전성 입자의 직경보다 얇아짐으로써, 도전성 입자가 찌부러지고, 양호한 도전성을 얻는 설계로 되어 있다. 그러나, 비교적 넓은 면적의 단자역을 접속하고자 한 경우에는, 단자 사이의 바인더를 적당히 배제하는 것이 곤란해지고, 배제가 부족한 경우, 남은 바인더가 도통을 방해한다. 바인더의 배제 부족은, 복수의 단자가 배열된 단자부 주변이 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 솔더 레지스트 등으로 덮여 있는 회로 부재를 저온 압착하는 경우에 특히 현저하였다.

일본 공개특허공보 2011-32491호

본 발명은, 전술한 종래 기술에 있어서의 과제를 해결하는 것이며, 단자부 주변이, 단자 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 접속 구조체 및 그 제조 방법, 그리고 회로 접속 재료를 제공한다.

전술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 관련된 접속 구조체의 제조 방법은, 제 1 단자가 배열된 제 1 단자부와, 상기 제 1 단자부의 주변에 형성되고 상기 제 1 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재와, 상기 제 1 단자보다 높이가 낮은 제 2 단자가 배열된 제 2 단자부를 구비하는 제 2 회로 부재를, 막 형성 수지와 중합성 화합물을 함유하고 상기 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과, 막 형성 수지와 중합성 화합물과 중합 개시제와 도전성 입자를 함유하고 상기 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖는 회로 접속 재료를 개재시켜 배치하는 배치 공정과, 상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착하여, 접속 구조체를 얻는 압착 공정을 갖고, 상기 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 상기 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 상기 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명에 관련된 접속 구조체는, 상기 접속 구조체의 제조 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명에 관련된 회로 접속 재료는, 제 1 단자가 배열된 제 1 단자부와, 상기 제 1 단자부의 주변에 형성되고 상기 제 1 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재와, 상기 제 1 회로 부재의 단자보다 높이가 낮은 제 2 단자가 배열된 제 2 단자부를 구비하는 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착시키는 회로 접속 재료에 있어서, 막 형성 수지와 중합성 화합물을 함유하고 상기 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과, 막 형성 수지와 중합성 화합물과 중합 개시제와 도전성 입자를 함유하고 상기 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖고, 상기 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 상기 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 상기 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명은, 회로 접속 재료의 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착시의 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상이기 때문에, 단자부 주변이, 단자 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

도 1 은, 제 1 회로 부재, 제 2 회로 부재, 및 회로 접속 재료의 배치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 단자부의 주변에 형성된 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3 은, 도 2 중 A-A 에 있어서의 단자부의 일부를 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 하기 순서에 따라 상세하게 설명한다.

1. 접속 구조체의 제조 방법

2. 실시예

＜1. 접속 구조체의 제조 방법＞

본 실시형태에 관련된 접속 구조체의 제조 방법은, 배치 공정과 압착 공정을 적어도 갖고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 공정을 갖는다.

상기 배치 공정에 있어서는, 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를, 회로 접속 재료를 개재시켜 배치한다.

상기 압착 공정에 있어서는, 상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착하여, 접속 구조체를 얻는다.

상기 제 1 회로 부재는, 제 1 단자가 배열된 제 1 단자부와, 상기 제 1 단자부의 주변에 형성되고, 상기 제 1 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트를 구비한다.

상기 제 2 회로 부재는, 상기 제 1 단자의 높이보다 낮은 제 2 단자가 배열된 제 2 단자부를 구비한다.

상기 회로 접속 재료는, 상기 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과, 상기 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖는다.

이하, 각 공정에 대하여 상세하게 설명한다.

[배치 공정]

도 1 은, 제 1 회로 부재, 제 2 회로 부재 및 회로 접속 재료의 배치를 나타내는 단면도이다. 배치 공정에서는, 제 1 회로 부재 (10) 와 제 2 회로 부재 (20) 를 제 1 회로 부재 (10) 에 접하는 제 1 층 (31) 과 제 2 회로 부재 (20) 에 접하는 제 2 층 (32) 을 갖는 회로 접속 재료 (30) 를 개재시켜 배치한다.

도 2 는, 단자부의 주변에 형성된 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재의 일례를 나타내는 평면도이고, 도 3 은, 도 2 중 A-A 에 있어서의 단자부의 일부를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 은, 도 2 중 B-B 에 있어서의 단자부의 일부를 나타내는 단면도이다.

제 1 회로 부재 (10) 는, 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 기재 (11) 와, 제 1 단자부 (12) 와, 레지스트 (13) 를 구비한다.

제 1 단자부 (12) 에는, 제 1 단자 (12a) 가 배열되어 있다.

레지스트 (13) 는, 제 1 단자부 (12) 의 주변에 형성되어 있다. 레지스트 (13) 는, 제 1 단자 (12a) 의 높이 (h) 보다 큰 두께 (t) 를 갖는다.

제 1 기재 (11) 는, 전자 회로 기판 재료로서 사용되고 있는 기재, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 유리 기판 등을 사용할 수 있다. 제 1 단자부 (12) 는, 제 1 기재 (11) 상에 배열된 복수의 제 1 단자 (12a) 를 갖는다. 제 1 단자 (12a) 의 높이 (h) 는, 예를 들어 25 ㎛ ∼ 45 ㎛ 이다. 제 1 단자 (12a) 의 폭은, 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, 300 ㎛ 이상의 폭넓은 단자에서도 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

레지스트 (13) 는, 제 1 기재 (11) 의 표면을 덮고, 회로 패턴을 보호하는 절연막이 되는 솔더 레지스트이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 (13) 는, 제 1 단자부 (12) 의 주변을 덮고 있고, 또 도 3 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 (13) 는, 제 1 단자 (12a) 의 높이 (h) 보다 큰 두께 (t) 를 갖는다.

이와 같은 제 1 회로 부재 (10) 로서, 예를 들어, IC (Integrated Circuit) 탑재 용도의 유리 에폭시 기판, LCD (Liquid Crystal Display) 패널 용도의 유리 기판, 터치 패널 용도의 시클로올레핀 (COP) 등의 플라스틱 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다.

제 2 회로 부재 (20) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 기재 (21) 와, 제 2 단자 (22a) 가 배열된 제 2 단자부 (22) 를 구비한다. 제 2 기재 (21) 는, 전자 회로 기판 재료로서 사용되고 있는 기재, 예를 들어, 폴리이미드 등을 사용할 수 있다. 제 2 단자부 (22) 는, 제 2 기재 (21) 상에 배열된 복수의 제 2 단자 (22a) 를 갖는다. 제 2 단자 (22a) 의 높이는, 예를 들어 5 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이다. 제 2 단자 (22a) 의 폭은, 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, 300 ㎛ 이상에서도 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

이와 같은 제 2 회로 부재 (20) 로서, 예를 들어, COF (Chip On Film), TCP (Tape Carrier Package) 등의 플렉시블 기판 (FPC : Flexible Printed Circuits), IC 등을 들 수 있다.

회로 접속 재료 (30) 는, 제 1 층 (31) 과 제 2 층 (32) 을 갖는다.

제 1 층 (31) 은, 막 형성 수지와 중합성 화합물을 함유한다. 제 1 층 (31) 은, 제 1 회로 부재 (10) 에 접한다.

제 2 층 (32) 은, 막 형성 수지와, 중합성 화합물과, 중합 개시제와, 도전성 입자를 함유한다. 제 2 층 (32) 은, 제 2 회로 부재 (20) 에 접한다.

제 1 층 (31) 의 막 형성 수지 및 제 2 층 (32) 의 막 형성 수지는, 제 1 층 (31) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착 공정에 있어서의 압착 온도의 －50 ℃ 이상 및 제 2 층 (32) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상이 되도록 선택된다. 이것에 의해, 제 1 층 (31) 의 바인더가 단자 사이에 적당히 배제된 후, 도전성 입자를 함유하는 제 2 층 (32) 이, 좌우의 단자 사이에 그다지 배제되지 않고, 상하의 단자 사이에 남기 때문에, 적당한 도통 성능이 얻어진다.

제 1 층 (31) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착 온도의 －50 ℃ 미만인 경우, 유동성이 과다가 되고, 단자 사이에 배제된 바인더가 단자부 외에까지 유실되어, 단자 사이를 충전할 수 없다. 이 때문에, 신뢰성 시험에서 들뜸이 발생하여 도통 성능이 저하된다. 또, 제 1 층 (31) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가 압착 온도보다 높은 경우, 단자 상의 바인더를 완전히 배제할 수 없는 경우가 있다. 그 때문에, 제 1 층 (31) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도는, 압착 온도 이하인 것이 바람직하다. 또, 제 1 층 (31) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 제 2 층 (32) 의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 미만인 경우, 제 1 층 (31) 및 제 2 층 (32) 의 바인더가 동일하게 유동되어, 도통 성능이 저하된다.

막 형성 수지의 유리 전이 온도는, 하기 (1) 식 (FOX 식) 으로 나타내는 이론 유리 전이 온도로서 산출할 수 있다.

1/Tg ＝ W1/T1 ＋ W2/T2 ＋ … Wn/Tn … (1)

(1) 식 중, W1, W2 … Wn 은 각 모노머의 질량분율이며, T1, T2 … Tn 은 각 모노머의 유리 전이 온도 (K) 이다.

막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아미드, EVA 등의 열가소성 엘라스토머 등을 사용할 수 있다. 이것들 중에서도, 내열성, 접착성을 위하여, 비스페놀 A 와 에피클로르하이드린으로부터 합성되는 비스페놀 A 형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 제 1 층 (31) 의 두께는, 제 1 단자 (12a) 의 높이의 10 ％ ∼ 75 ％ 인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제 1 단자부 (12) 주변이, 제 1 단자 (12a) 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트 (13) 로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

또, 제 1 층 (31) 의 중합성 화합물 및 제 2 층 (32) 의 중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물이며, 제 2 층 (32) 의 중합 개시제는, 유기 과산화물인 것이 바람직하다. 막 형성 수지와 라디칼 중합성 화합물이 비상용인 것에 의해, 적당한 유동성을 얻을 수 있다.

라디칼 중합성 화합물로는, 우레탄아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 인산에스테르형 아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트트리아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트, o-프탈산디글리시딜에테르아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 비스페놀 A 형 에폭시아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 및 이것들에 상당하는 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 도통 신뢰성의 향상, 접착성의 향상 등의 관점에서, 우레탄아크릴레이트와 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트를 병용하는 것이 바람직하다.

유기 과산화물로는, 디라우로일퍼옥사이드 (1 분간 반감기 온도 116.4 ℃), 디벤조일퍼옥사이드 (1 분간 반감기 온도 130.0 ℃), 디(4-메틸벤조일)퍼옥사이드 (1 분간 반감기 온도 128.2 ℃), 디(3-메틸벤조일)퍼옥사이드 (1 분간 반감기 온도 131.1 ℃), t-헥실퍼옥시벤조에이트 (1 분간 반감기 온도 160.3 ℃), t-부틸퍼옥시벤조에이트 (1 분간 반감기 온도 166.8 ℃), 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 (1 분간 반감기 온도 124.3 ℃), 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드 (1 분간 반감기 온도 112.6 ℃), t-부틸퍼옥시피발레이트 (1 분간 반감기 온도 110.3 ℃) 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 도통 신뢰성의 향상, 접착성의 향상 등의 관점에서, 디라우로일퍼옥사이드와 디벤조일퍼옥사이드를 병용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 층 (31) 은, 중합 개시제의 배합이 필수는 아니지만, 발명의 효과를 저해하지 않을 정도로 소량 배합해도 된다.

또, 제 2 층 (32) 의 도전성 입자로는, 이방성 도전 필름 (ACF : Anisortropic Conductive Film) 에 있어서 사용되고 있는 공지된 도전성 입자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자를 들 수 있다. 또, 금속 산화물, 카본, 그라파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코트한 것, 이들 입자의 표면에 추가로 절연 박막을 코트한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 Ni, Au 등의 금속을 코트한 것인 경우, 수지 입자로는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌 (AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 사용할 수 있다. 또한, 제 1 층 (31) 은, 도전성 입자의 배합이 필수는 아니지만, 발명의 효과를 저해하지 않을 정도로 소량 배합해도 된다.

또, 제 1 층 (31) 및 제 2 층 (32) 에는, 다른 첨가물로서, 필요에 따라 아크릴산에스테르계 공중합 수지 (아크릴 고무), 실란 커플링제, 각종 아크릴 모노머 등의 희석용 모노머, 충전제, 연화제, 착색제, 난연화제, 틱소트로픽제 등을 배합해도 된다.

이와 같은 구성으로 이루어지는 회로 접속 재료 (30) 에 의하면, 제 1 단자부 (12) 주변이, 제 1 단자 (12a) 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트 (13) 로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

[압착 공정]

압착 공정에서는, 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착하여, 접속 구조체를 얻는다. 압착 공정에서는, 예를 들어 히트 툴 등의 압착 툴을 사용하여, 제 2 회로 부재를 가압함으로써 실시된다. 여기서, 소정 온도는, 압착시에 있어서의 회로 접속 재료의 온도를 말한다. 또, 소정 온도는, 100 ℃ 이상 180 ℃ 이하인 것이 바람직하다.

또, 열압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는, 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 단자부 영역이 바인더로 적당히 메워져, 신뢰성 시험에서의 들뜸의 발생을 억제할 수 있고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

또, 압착 툴과 제 2 회로 부재 사이에 완충재를 개재 장착하여 압착해도 된다. 완충재를 개재 장착함으로써, 가압 편차를 저감시킬 수 있음과 함께, 압착 툴이 오염되는 것을 방지할 수 있다.

압착 툴로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 가압 대상보다 대면적인 가압 부재를 사용하여 가압을 1 회로 실시해도 되고, 또 가압 대상보다 소면적인 가압 부재를 사용하여 가압을 수 회로 나누어 실시해도 된다.

압착 툴의 선단 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 평면상, 곡면상 등을 들 수 있다. 또한, 선단 형상이 곡면상인 경우, 곡면상을 따라 가압하는 것이 바람직하다.

이와 같은 접속 구조체의 제조 방법에 의하면, 회로 접속 재료의 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착시의 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상이기 때문에, 단자부 주변이, 단자 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

실시예

＜2. 실시예＞

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖고, 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 가 소정값인 이방성 도전 필름 (ACF) 을 제조하였다. 그리고, ACF 를 사용하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 열압착하여 접속 구조체를 제조하고, 접속 구조체의 도통 저항, 필 강도, 및 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께에 대하여 측정, 평가하였다. 또한, 본 발명은, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

ACF 의 제조, 접속 구조체의 제조, 접속 구조체의 도통 저항, 필 강도, 및 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는, 다음과 같이 측정, 평가를 실시하였다.

＜ACF 의 제조＞

표 1 에, 각 층의 조성을 나타낸다. 표 1 에 나타내는 각 층의 배합 조성 (질량부) 과, 고형분이 50 질량％ 가 되도록 아세트산에틸과 톨루엔의 혼합 용액을, 각각 통상적인 방법에 의해 균일하게 혼합하고, 제 1 층으로서 조성물 A1 ∼ A6, 및 제 2 층으로서 조성물 B 를 조정하였다. 또한, 막 형성 수지의 유리 전이 온도는, 하기 (1) 식 (FOX 식) 으로 나타내는 이론 유리 전이 온도로서 산출하였다.

1/Tg ＝ W1/T1 ＋ W2/T2 ＋ … Wn/Tn … (1)

(1) 식 중, W1, W2 … Wn 은 각 모노머의 질량분율이며, T1, T2 … Tn 은 각 모노머의 유리 전이 온도 (K) 이다.

조성물 A1 은, 페녹시 수지 (상품명 : jER4256, 미츠비시 화학 (주)) 54 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 65 ℃ 이다.

조성물 A2 는, 페녹시 수지 (상품명 : jER1256, 미츠비시 화학 (주)) 54 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 98 ℃ 이다.

조성물 A3 은, 페녹시 수지 (상품명 : YX8100, 미츠비시 화학 (주)) 54 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 150 ℃ 이다.

조성물 A4 는, 페녹시 수지 (상품명 : jER4256, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 페녹시 수지 (상품명 : jER1256, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 81 ℃ 이다.

조성물 A5 는, 페녹시 수지 (상품명 : jER4256, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 페녹시 수지 (상품명 : YX8100, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 103 ℃ 이다.

조성물 A6 은, 페녹시 수지 (상품명 : jER1256, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 페녹시 수지 (상품명 : YX8100, 미츠비시 화학 (주)) 27 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 122 ℃ 이다.

조성물 B 는, 페녹시 수지 (상품명 : jER4256, 미츠비시 화학 (주)) 46 질량부와, 우레탄아크릴레이트 (상품명 : U-2PPA, 신나카무라 화학 (주)) 25 질량부와, 2 관능 아크릴레이트 (상품명 : A-200, 신나카무라 화학 (주)) 20 질량부와, 인산에스테르형 아크릴레이트 (상품명 : PM-2, 닛폰 화약 (주)) 1 질량부와, Ni 입자 (니켈 파우더, 평균 입경 3 ㎛, 발레인코 (주)) 2 질량부와, 디라우로일퍼옥사이드 3 질량부와, 디벤조일퍼옥사이드 3 질량부를 함유한다. 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는, 65 ℃ 이다.

표 1 에 나타낸 조성물 A1 ∼ A6, B 를 층마다 박리 폴리에스테르 필름에 도포하고, 70 ℃ 의 열풍을 5 분간 내뿜어 건조시킴으로써 층마다 접착 필름을 제조하고, 조성물 A 로 이루어지는 층과 조성물 B 로 이루어지는 층을 적층하여, 2 층 구조의 ACF 를 제조하였다.

＜접속 구조체의 제조＞

전술한 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재의 접합을 실시하여, 접속 구조체를 제조하였다.

제 1 회로 부재로서, 단자부의 주변에 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트가 형성된 프린트 배선판 (유리 에폭시 기판, Cu 두께 35 ㎛, 200 ㎛P (피치) (라인 : 스페이스 ＝ 1 : 1), Au 플래시 도금품) 을 사용하였다. 레지스트는, 다음과 같이 형성하였다. 타이요 잉크 제조 주식회사 제조 솔더 레지스트 (PSR-4000) 를 스크린 인쇄나 스프레이 코팅에 의해 건조 후 막두께가 40 ㎛ 가 되도록 프린트 배선판 (PWB) 상에 도포하고, 80 ℃, 30 min 의 조건에서 임시 건조를 실시하였다. 건조 후, 포토마스크를 개재하여 노광 부분을 광경화하고, 1 ％ 탄산소다 수용액으로 미노광 부분을 제거하였다. 그리고, 노광 부분을 150 ℃, 60 min 의 조건에서 가열 건조를 실시하여 경화시키고, 단자부의 개구 범위가 2.0 ㎜ × 40 ㎜ 인 레지스트를 갖는 평가 기재를 제조하였다. 또, 300 ㎛P (피치) (라인 : 스페이스 ＝ 1 : 1) 의 평가 기재도 동일하게 제조하였다. 즉, 평가 기재는, 도 3 에 나타내는 제 1 회로 부재 (10) 에 있어서, 단자 높이 (h) 가 35 ㎛ 이고, 레지스트 두께 (t) 가 40 ㎛ 이다.

또, 제 2 회로 부재로서, COF 기판 (폴리이미드 필름 두께 38 ㎛, Cu 두께 8 ㎛, 200 ㎛P (피치) (라인 : 스페이스 ＝ 1 : 1), Sn 도금품) 을 사용하였다. 또, 300 ㎛P (피치) (라인 : 스페이스 ＝ 1 : 1) 의 COF 기재도 사용하였다.

PWB 와 COF 의 접속은, 이하의 압착 조건에 의해 실시하였다.

·ACF 폭 : 2.0 ㎜

·툴 폭 : 2.0 ㎜

·완충재 : 실리콘 러버 두께 200 ㎛

·가열 가압 : 140 ℃ ∼ 170 ℃/2 ㎫/3 sec

또, 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 ACF 의 제 1 층의 두께를 단면 관찰에 의해 측정하였다.

＜도통 저항의 측정, 평가＞

200 ㎛P 및 300 ㎛P 의 접속 구조체를, 테스터를 사용하여 1 ㎃ 의 정전류를 인가했을 때의 전압을 사단자법으로 도통 저항 [초기의 도통 저항 (Ω), 및 환경 시험 (85 ℃, 85 ％RH, 1000 h) 후의 도통 저항 (Ω)] 을 측정하고, 하기 기준으로 평가하였다.

[초기의 도통 저항의 평가 기준]

○ : 도통 저항이 0.070 Ω 미만

△ : 도통 저항이 0.070 Ω 이상 0.100 Ω 미만

× : 도통 저항이 0.100 Ω 이상

[환경 시험 후의 도통 저항의 평가 기준]

○ : (초기의 도통 저항/환경 시험 후의 도통 저항) 이 5 배 미만

△ : (환경 시험 후의 도통 저항/초기의 도통 저항) 이 5 배 이상 11 배 미만

× : (환경 시험 후의 도통 저항/초기의 도통 저항) 이 11 배 이상

＜필 강도의 측정, 평가＞

200 ㎛P 의 접속 구조체에 대하여, 인장 속도 50 ㎜/min 으로 90 °Y 축 방향 필 강도를 측정하고, 하기 기준으로 평가하였다. 또한, 결과는 필 강도의 최대값 (N/㎝) 으로 나타냈다.

[평가 기준]

○ : 필 강도가 10 N/㎝ 이상

△ : 필 강도가 8 N/㎝ 이상 10 N/㎝ 미만

× : 필 강도가 8 N/㎝ 미만

＜실시예 1＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A3 으로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 150 ℃ 였다.

실시예 1 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 △ 였다.

＜실시예 2＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A5 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 103 ℃ 였다.

실시예 2 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 140 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜실시예 3＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A6 으로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 122 ℃ 였다.

실시예 3 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 150 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜실시예 4＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A5 로 이루어지는 두께 10 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 30 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 103 ℃ 였다.

실시예 4 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 150 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 3 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜실시예 5＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A5 로 이루어지는 두께 5 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 35 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 103 ℃ 였다.

실시예 4 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 140 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 1 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 △ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜실시예 6＞

표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A5 로 이루어지는 두께 25 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 15 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 103 ℃ 였다.

실시예 4 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 140 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 15 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 △ 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜비교예 1＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A1 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 65 ℃ 였다.

비교예 1 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜비교예 2＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A2 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 98 ℃ 였다.

비교예 2 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜비교예 3＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A4 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 81 ℃ 였다

비교예 3 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜비교예 4＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 A3 으로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 65 ℃ 였다.

비교예 4 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 3 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 × 였다.

＜비교예 5＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 A5 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 65 ℃ 였다.

비교예 5 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 3 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 × 였다.

＜비교예 6＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 A6 으로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 65 ℃ 였다.

비교예 6 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 3 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 × 였다.

＜비교예 7＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 조성물 B 로 이루어지는 두께 40 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 비교예 7 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 170 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 △ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

＜비교예 8＞

표 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 층을 조성물 A3 으로 이루어지는 두께 20 ㎛, 제 2 층을 조성물 B 로 이루어지는 두께 20 ㎛ 로 한 ACF 를 제조하였다. 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도 Tg 는 150 ℃ 였다.

비교예 8 의 ACF 를 개재하여 제 1 회로 부재와 제 2 회로 부재를 140 ℃ 에서 압착하고, 접속 구조체를 제조하였다. 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께는 10 ㎛ 미만이었다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 ○ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 초기 저항의 평가는 △ 였다.

200 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 △ 였다.

300 ㎛P 의 접속 구조체의 신뢰성 시험 후의 저항의 평가는 × 였다.

접속 구조체의 필 강도의 평가는 ○ 였다.

표 3 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 ∼ 3 의 ACF 는, 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착 온도의 －50 ℃ 이상이 아니고, 또한 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상이 아니기 때문에, 비교적 넓은 300 ㎛ 피치의 회로 부재를 접속하고자 한 경우, 유동성이 과다가 되어, 단자 사이를 충분히 충전할 수 없고, 그 때문에 신뢰성 시험에서 들뜸이 발생하여, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 없었다.

또, 비교예 4 ∼ 6 의 ACF 는, 실시예 1 ∼ 3 의 제 1 층의 조성물 및 제 2 층의 조성물을 각각 제 2 층 및 제 1 층으로 한 것이지만, 도전성 입자의 보충률이 나쁘고, 초기의 도통 저항이 높았다. 또, 필 강도도 낮았다.

또, 비교예 7 의 ACF 는, 조성물 B 로 이루어지는 1 층 구조이기 때문에, 단자 사이의 바인더의 배제가 부족하고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 없었다. 또, 비교예 8 은, 압착 온도가 낮고, 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착 온도의 －50 ℃ 이상이 아니기 때문에, 단자 사이의 바인더의 배제가 부족하고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 없었다.

한편, 실시예 1 ∼ 6 의 ACF 는, 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 압착 온도의 －50 ℃ 이상 및 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상이기 때문에, 단자 사이의 바인더를 적당히 배제할 수 있고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있었다.

또, 실시예 5 및 실시예 6 으로부터, 제 1 층의 두께가 제 1 단자의 높이의 약 10 ％ ∼ 75 ％ 인 것에 의해, 단자부 주변이, 단자 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트로 덮여 있는 경우에도, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 것을 알았다.

또, 실시예 1 ∼ 6 으로부터, 압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 제 1 층의 두께가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만인 것에 의해, 단자부 영역이 바인더로 적당히 메워져, 신뢰성 시험에서의 들뜸의 발생을 억제할 수 있고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 것을 알았다.

10 : 제 1 회로 부재
11 : 제 1 기재
12 : 제 1 단자부
12a : 제 1 단자
13 : 레지스트
20 : 제 2 회로 부재
21 : 제 2 기재
22 : 제 2 단자부
22a : 제 2 단자
30 : 회로 접속 재료
31 : 제 1 층
32 : 제 2 층

Claims (7)

1. 제 1 단자가 배열된 제 1 단자부와, 상기 제 1 단자부의 주변에 형성되고 상기 제 1 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재와, 상기 제 1 단자보다 높이가 낮은 제 2 단자가 배열된 제 2 단자부를 구비하는 제 2 회로 부재를, 막 형성 수지와 중합성 화합물을 함유하고 상기 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과, 막 형성 수지와 중합성 화합물과 중합 개시제와 도전성 입자를 함유하고 상기 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖는 회로 접속 재료를 개재시켜 배치하는 배치 공정과,
   상기 제 1 회로 부재와 상기 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착하여, 접속 구조체를 얻는 압착 공정을 갖고,
   상기 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 상기 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 상기 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상인, 접속 구조체의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 층의 두께가 상기 제 1 단자의 높이의 10 ％ ∼ 75 ％ 인, 접속 구조체의 제조 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 층의 중합성 화합물이 라디칼 중합성 화합물이고,
   상기 제 2 층의 중합성 화합물이 라디칼 중합성 화합물이고,
   상기 제 2 층의 중합 개시제가 유기 과산화물인, 접속 구조체의 제조 방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제 1 단자의 폭이 300 ㎛ 이상인, 접속 구조체의 제조 방법.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   열압착 후의 인접 단자 사이에 있어서의 상기 제 1 층의 두께가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만인, 접속 구조체의 제조 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 접속 구조체의 제조 방법에 의해 얻어지는 접속 구조체.
7. 제 1 단자가 배열된 제 1 단자부와, 상기 제 1 단자부의 주변에 형성되고 상기 제 1 단자의 높이보다 큰 두께를 갖는 레지스트를 구비하는 제 1 회로 부재와, 상기 제 1 회로 부재의 단자보다 높이가 낮은 제 2 단자가 배열된 제 2 단자부를 구비하는 제 2 회로 부재를 소정 온도에서 열압착시키는 회로 접속 재료에 있어서,
   막 형성 수지와 중합성 화합물을 함유하고 상기 제 1 회로 부재에 접하는 제 1 층과,
   막 형성 수지와 중합성 화합물과 중합 개시제와 도전성 입자를 함유하고 상기 제 2 회로 부재에 접하는 제 2 층을 갖고,
   상기 제 1 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도가, 상기 소정 온도의 －50 ℃ 이상 및 상기 제 2 층의 막 형성 수지의 유리 전이 온도의 ＋35 ℃ 이상인, 회로 접속 재료.

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