KR20160105782A - 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 - Google Patents
프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160105782A KR20160105782A KR1020167015950A KR20167015950A KR20160105782A KR 20160105782 A KR20160105782 A KR 20160105782A KR 1020167015950 A KR1020167015950 A KR 1020167015950A KR 20167015950 A KR20167015950 A KR 20167015950A KR 20160105782 A KR20160105782 A KR 20160105782A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- insulating layer
- formula
- alkenyl
- compound
- Prior art date
Links
- -1 maleimide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 79
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims abstract description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 claims abstract description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 49
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 35
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 18
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 4
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000654 isopropylidene group Chemical group C(C)(C)=* 0.000 claims description 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 3
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 20
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 13
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 14
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 12
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 12
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 7
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 7
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 0 CC(C[C@](C1C(N2*N(C(C3C4C5C(CC(*)=C)=C(*)C3C5)=O)C4=O)=O)C(CC(*)=C)=*C)C1C2=O Chemical compound CC(C[C@](C1C(N2*N(C(C3C4C5C(CC(*)=C)=C(*)C3C5)=O)C4=O)=O)C(CC(*)=C)=*C)C1C2=O 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N alpha-naphthol Natural products C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N cyanic acid Chemical compound OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000013003 hot bending Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical class 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N O=C=Nc1ccccc1 Chemical compound O=C=Nc1ccccc1 DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- ZBFVJRBOKDTSMO-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarbonitrile Chemical compound C1=C(C#N)C=CC2=CC(C#N)=CC=C21 ZBFVJRBOKDTSMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFKLQICEQCIWNE-UHFFFAOYSA-N (3,5-dicyanatophenyl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 UFKLQICEQCIWNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDCUTCGACVVRIQ-UHFFFAOYSA-N (3,6-dicyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC(OC#N)=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 YDCUTCGACVVRIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMDBGQBQDICTJC-UHFFFAOYSA-N (3-cyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OC#N)=CC(OC#N)=C21 UMDBGQBQDICTJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZZMAPJAKOSNG-UHFFFAOYSA-N (3-cyanatophenyl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC=CC(OC#N)=C1 QQZZMAPJAKOSNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUYRCFRAGLLTPO-UHFFFAOYSA-N (4-cyanatonaphthalen-1-yl) cyanate Chemical compound C1=CC=C2C(OC#N)=CC=C(OC#N)C2=C1 KUYRCFRAGLLTPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQXJSKSVSXZXRU-UHFFFAOYSA-N (5-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound N#COC1=CC=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 CQXJSKSVSXZXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRMQZYWARKKEQH-UHFFFAOYSA-N (6-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound C1=C(OC#N)C=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 IRMQZYWARKKEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFIWROJVVHYHLQ-UHFFFAOYSA-N (7-cyanatonaphthalen-2-yl) cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC2=CC(OC#N)=CC=C21 OFIWROJVVHYHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L (z)-but-2-enedioate;dibutyltin(2+) Chemical compound [O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L 0.000 description 1
- QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N (z)-octadec-9-enoic acid;tin Chemical compound [Sn].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O QMTFKWDCWOTPGJ-KVVVOXFISA-N 0.000 description 1
- RUORVEVRVBXRIO-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)-3,5-dimethylphenyl]methyl]-2,6-dimethylphenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound C=1C(C)=C(N2C(C=CC2=O)=O)C(C)=CC=1CC(C=C1C)=CC(C)=C1N1C(=O)C=CC1=O RUORVEVRVBXRIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHVCCCZZVQMAMT-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-3-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1N(O)C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 HHVCCCZZVQMAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetramethylbutane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)C(C)CCN(C)C AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 2-(n-ethylanilino)ethanol Chemical compound OCCN(CC)C1=CC=CC=C1 HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGKZTVMAHRVFR-UHFFFAOYSA-N 4-(phenoxazine-10-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1C2=CC=CC=C2OC2=CC=CC=C21 LVGKZTVMAHRVFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxynaphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRJHDDRDCFDEAF-MLQKXRJWSA-N C/C=C\C=C(\C=CC=C1)/C1=C Chemical compound C/C=C\C=C(\C=CC=C1)/C1=C PRJHDDRDCFDEAF-MLQKXRJWSA-N 0.000 description 1
- SFKNDRPKDNKQCQ-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C(C1)(C)C)OC#N Chemical compound CC1=CC=C(C(C1)(C)C)OC#N SFKNDRPKDNKQCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000271 Kevlar® Polymers 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000508 Vectran Polymers 0.000 description 1
- 239000004979 Vectran Substances 0.000 description 1
- CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)sulfanylphenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1SC1=CC=C(OC#N)C=C1 CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUPOATPDNYBPMR-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)sulfonylphenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=C(OC#N)C=C1 BUPOATPDNYBPMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUYQDAWLRQFANO-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanatophenyl)methyl]phenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1CC1=CC=C(OC#N)C=C1 AUYQDAWLRQFANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 238000009960 carding Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N cyanogen chloride Chemical compound ClC#N QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L di(octadecanoyloxy)lead Chemical compound [Pb+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- LQRUPWUPINJLMU-UHFFFAOYSA-N dioctyl(oxo)tin Chemical compound CCCCCCCC[Sn](=O)CCCCCCCC LQRUPWUPINJLMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N iron;pentane-2,4-dione Chemical compound [Fe].CC(=O)CC(C)=O DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004761 kevlar Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L lead(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Pb+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNPWYAMBOPRTHW-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=CC2=C(C#N)C(C#N)=CC=C21 ZNPWYAMBOPRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBENBKUMYAUPFF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,8-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC(C#N)=C2C(C#N)=CC=CC2=C1 XBENBKUMYAUPFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
- C08J5/0405—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres
- C08J5/043—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres with glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
- C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
- C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2465/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2479/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2461/00 - C08J2477/00
- C08J2479/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09136—Means for correcting warpage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
반도체 플라스틱 패키지 제조시의 휨을 저감시킬 수 있는 프린트 배선판용 절연층을 제공하는 것을 목적으로 한다. 절연층이 수지 조성물을 함유하고, 그 수지 조성물이, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하고, 그 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량이, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로서, 그 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 그 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 이고, 25 ℃ 의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이내이다.
Description
본 발명은 프린트 배선판용 절연층에 관한 것이다.
최근 전자 기기나 통신기, 퍼스널 컴퓨터 등에 널리 사용되고 있는 반도체 패키지의 고기능화, 소형화가 진행됨에 따라, 반도체 패키지용 각 부품의 고집적화나 고밀도 실장화가 최근 더욱 가속되고 있다. 그에 따라, 반도체 소자와 반도체 플라스틱 패키지용 프린트 배선판의 열팽창률의 차에 의해 발생하는 반도체 플라스틱 패키지의 휨이 문제가 되고 있어, 여러 가지 대책이 강구되어 오고 있다.
그 대책의 하나로서, 프린트 배선판에 사용되는 절연층의 저열팽창화를 들 수 있다. 이것은 프린트 배선판의 열팽창률을 반도체 소자의 열팽창률에 가깝게 함으로써 휨을 억제하는 수법으로, 현재 활발히 실행되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 3 참조).
반도체 플라스틱 패키지의 휨을 억제하는 수법으로는, 프린트 배선판의 저열팽창화 이외에도, 적층판의 강성을 높이는 것 (고강성화) 이나 적층판의 유리 전이 온도를 높이는 것 (고 Tg 화) 이 검토되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 및 5 참조).
그러나, 특허문헌 1 ∼ 3 에 기재된 종래의 수법에 의한 프린트 배선판의 저열팽창화는 이미 한계가 가까워지고 있어, 추가적인 저열팽창화가 곤란해지고 있다.
적층판의 고강성화는 적층판에 사용하는 수지 조성물 중에 필러를 고충전시키는 것이나, 알루미나 등의 고탄성률의 무기 충전재를 사용함으로써 달성된다. 그러나, 필러의 고충전화는 적층판의 성형성을 악화시키고, 알루미나 등의 무기 충전재의 사용은 적층판의 열팽창률을 악화시키는 문제가 있다. 따라서, 적층판의 고강성화는 반도체 플라스틱 패키지의 휨의 억제가 충분히 달성되지 않았다.
또, 적층판의 고 Tg 화에 의한 수법은 리플로시의 탄성률을 향상시키기 때문에, 반도체 플라스틱 패키지의 휨 저감에 효과를 나타낸다. 그러나, 고 Tg 화에 의한 수법은, 가교 밀도의 상승에 의한 흡습 내열성의 악화나, 성형성의 악화 에 의한 보이드의 발생을 일으키기 때문에, 매우 높은 신뢰성이 필요시되는 전자 재료 분야에서는 실용상 문제가 되는 경우가 많다. 따라서, 이들 문제를 해결하는 수법이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은, 종래와는 상이한 수법을 사용하여, 예를 들어, 반도체 플라스틱 패키지 제조시의 휨을 저감시킬 수 있는 프린트 배선판용 절연층을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은, 성형성이 양호하고, 또한 내열성이나 열시 탄성률이 우수한 프린트 배선판용 절연층을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 예의 검토한 결과, 25 ℃ 의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이내가 되는 프린트 배선판용 절연층 (예를 들어, 금속박 피복 적층판) 이, 예를 들어, 반도체 플라스틱 패키지의 휨을 효과적으로 억제하는 것을 알아내어, 본 발명에 도달하였다.
또, 특히, 프린트 배선판용 절연층에 사용하는 수지 조성물로서, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하고, 그 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량이, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로서, 그 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 그 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 인 수지 조성물을 사용함으로써, 성형성이 양호하고, 또한 내열성이나 열시 탄성률이 우수한 프린트 배선판용 절연층을 제공할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 이하에 관한 것이다.
[1] 25 ℃ 에 있어서의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 에 있어서의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이하인 프린트 배선판용 절연층.
[2] 상기 절연층이 수지 조성물을 함유하고,
그 수지 조성물이, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하고, 그 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량이, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로서, 그 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 그 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 인, [1] 에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[3] 상기 알케닐 치환 나디이미드 (A) 가 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물인, [2] 에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[화학식 1]
(식 (1) 중, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 하기 일반식 (2) 혹은 (3) 으로 나타내는 기를 나타낸다)
[화학식 2]
(식 (2) 중, R3 은 메틸렌기, 이소프로필리덴기, CO, O, S, 또는 SO2 로 나타내는 치환기를 나타낸다)
[화학식 3]
(식 (3) 중, R4 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알킬렌기를 나타낸다)
[4] 상기 알케닐 치환 나디이미드 (A) 가, 하기 식 (4) 및/또는 (5) 로 나타내는 화합물인, [2] 에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[화학식 4]
[화학식 5]
[5] 상기 말레이미드 화합물 (B) 가, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 및 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [2] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[화학식 6]
(식 (6) 중, R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은 1 이상의 정수를 나타낸다)
[6] 상기 시안산에스테르 화합물 (C) 가, 하기 일반식 (7) 및/또는 식 (8) 로 나타내는 화합물인, [2] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[화학식 7]
(식 (7) 중, R6 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n2 는 1 이상의 정수를 나타낸다)
[화학식 8]
(식 (8) 중, R7 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n3 은 1 이상의 정수를 나타낸다)
[7] 상기 절연층이, 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포한 프리프레그인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[8] 상기 기재가, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [7] 에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[9] 상기 절연층이, 수지 조성물을 지지체에 도포한 레진 시트인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[10] 상기 절연층이, 레진 시트 및 프리프레그로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻어지는 적층판인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[11] 상기 절연층이, 레진 시트 및 프리프레그로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종과, 금속박을 적층하여 경화시켜 얻어지는 금속박 피복 적층판인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층.
[12] [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층을 사용한 프린트 배선판.
[13] [1] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 절연층과, 상기 절연층의 표면에 형성된 도체층을 포함하는 프린트 배선판.
본 발명에 의하면, 예를 들어, 반도체 플라스틱 패키지에 사용되는 프린트 배선판 재료에, 25 ℃ 의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이내가 되는 절연층을 사용함으로써, 반도체 플라스틱 패키지의 휨이 억제되어, 제조시의 수율 및 신뢰성이 우수한 반도체 플라스틱 패키지의 제조가 가능해진다.
또, 본 발명에 의하면, 성형성이 양호하고, 또한 내열성이나 열시 탄성률이 우수한 프린트 배선판용 절연층 (예를 들어, 적층판, 구리 피복 적층판) 을 제공할 수 있다. 또한, 이와 같은 프린트 배선판용 절연층은, 성형성이 양호하여, 반도체 실장시의 리플로 온도에 가까운 250 ℃ 의 고온하에 있어서도 우수한 탄성률을 유지한 프린트 배선판을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태 (이하 「본 실시형태」라고도 기재한다) 에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 실시형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시로, 본 발명은 그 실시형태에만 한정되지 않는다.
본 실시형태의 프린트 배선판용 절연층 (이하, 간단히 「절연층」이라고도 기재한다) 은, 25 ℃ 에 있어서의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 에 있어서의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이하이고, 0 ∼ 20 % 인 것이 바람직하고, 0 ∼ 15 % 인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 프린트 배선판용 절연층의 형태로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 유리 섬유포, 유기 섬유포, 유리 섬유 부직포, 유기 섬유 부직포 등의 프린트 배선판용 절연층에 사용되는 주지의 기재에, 임의의 열경화성 수지나 열가소성 수지 등을 함침시킨 프리프레그 및 이것과 금속박을 적층하여 제조되는 금속박 피복 적층판, 이들 절연성 수지를 금속박이나 필름에 도포한 형태의 매립 시트, 폴리이미드를 비롯한 수지 시트 및 필름, 그리고 이들 시트, 필름과 금속박을 적층하여 제조되는 금속박 피복 적층판을 들 수 있다. 매립 시트로는, 구체적으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, CRS (구리박에 수지를 도포, 건조시켜 얻어지는 시트) 나 FRS (아지노모토 ABF : 필름에 수지를 도포, 건조시켜 얻어지는 시트) 등을 들 수 있다. 또, 수지 시트 및 필름으로는, 구체적으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필름이나 수지에 직접 도금하여 배선하는, 플렉시블 기판을 들 수 있다.
본 실시형태의 절연층의 25 ℃ 의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 차를 20 % 이내로 하기 위한 수법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 절연층에 사용되는 수지 조성물의 각 성분의 종류 및 함유량을 적절히 조정하는 수법을 들 수 있다.
당해 수법 이외에도 본 발명의 목적을 저해하지 않으면 기존의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 나노 필러의 도입에 의해 분자 운동을 구속하는 수법이나, 절연층에 사용되는 수지의 가교점에 졸-겔법에 의해 나노 실리카를 하이블릿화하는 수법, 또는 절연층에 사용되는 수지 자체의 고 Tg 화나 400 ℃ 이하의 영역에서의 Tg 레스화 등의 수법을 들 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어서, 종래부터 사용되는 휨 저감의 기술을 병용하는 것이 추가적인 휨 억제의 관점에서 바람직하다. 이와 같은 기술로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 무기 충전재나 응력 완화 성분의 첨가에 의해 저열팽창성이나 고탄성률을 부여하는 기술 등을 들 수 있다. 이들 기술을 1 종 내지 2 종 이상 조합하여 사용함으로써, 더욱 효과적으로 반도체 플라스틱 패키지의 휨을 저감시킬 수 있다.
본 실시형태의 절연층의 25 ℃ 의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 차를 20 % 이내로 하기 위한 수법으로서, 절연층에 사용되는 수지 자체의 고 Tg 화나 400 ℃ 이하의 영역에서의 Tg 레스화의 수법을 취하는 경우에 있어서, 절연층에 사용되는 수지는 특별히 제한되지 않지만, 절연 신뢰성, 내열성, 내약품성, 밀착성의 관점에서, 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 에폭시 수지, 벤조옥사진, 알케닐 치환 나디이미드, BT 수지, 아민 화합물, 비닐 화합물 등으로 이루어지는 열경화성 수지가 바람직하다. 이들 수지는 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 절연층에는, 상기 수지 이외에, 필요에 따라 무기 충전재 및 유기 충전재를 함유하는 수지 조성물을 사용해도 된다. 무기 충전재 및 유기 충전재의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 천연 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 중공 (中空) 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 베이마이트, 산화몰리브덴, 산화티탄, 실리콘 고무, 실리콘 복합 파우더, 붕산아연, 주석산아연, 클레이, 카올린, 탤크, 소성 클레이, 소성 카올린, 소성 탤크, 마이카, 유리 단섬유 (E 유리나 D 유리 등의 유리 미 (微) 분말류), 중공 유리, 구상 유리 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 저열팽창의 관점에서 실리카를 사용하는 것이 바람직하고, 고열 전도성의 관점에서 알루미나나 질화알루미늄을 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 절연층에 사용되는 수지 조성물에 있어서, 충전재의 분산성, 수지와 충전재나 유리 클로스의 접착 강도를 향상시키기 위해, 실란 커플링제나 습윤 분산제를 첨가해도 된다. 이들 실란 커플링제로는, 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 실란 커플링제이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 실란 커플링제의 구체예로는, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란계, γ-메타아크릴록시프로필트리메톡시실란 등의 비닐실란계, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란염산염 등의 카티오닉실란계, 페닐실란계 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수도 있다. 또 습윤 분산제로는, 도료용으로 사용되고 있는 분산 안정제이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 빅케미·재팬 (주) 제조의 Disperbyk-110, 111, 118, 180, 161, BYK-W996, W9010, W903 등의 습윤 분산제를 들 수 있다.
그 중에서도, 본 실시형태의 절연층에 사용되는 수지 조성물로는, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하고, 그 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량이, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로서, 그 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 그 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 인, 수지 조성물인 것이 바람직하다. 이하, 당해 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 실시형태에 사용하는 알케닐 치환 나디이미드 (A) 는, 분자 중에 1 개 이상의 알케닐 치환 나디이미드기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체예로는 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 9]
식 (1) 중, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 하기 일반식 (2) 혹은 (3) 으로 나타내는 기를 나타낸다.
[화학식 10]
식 (2) 중, R3 은 메틸렌기, 이소프로필리덴기, CO, O, S, 또는 SO2 로 나타내는 치환기를 나타낸다.
[화학식 11]
식 (3) 중, R4 는 각각 독립적으로 선택된 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알킬렌기를 나타낸다.
또, 식 (1) 로 나타내는 알케닐 치환 나디이미드 (A) 는, 시판되는 것을 사용할 수도 있다. 시판되고 있는 것으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 하기 식 (4) 로 나타내는 화합물 (BANI-M (마루젠 석유 화학 (주) 제조)), 하기 식 (5) 로 나타내는 화합물 (BANI-X (마루젠 석유 화학 (주) 제조)) 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
[화학식 12]
[화학식 13]
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 함유량은, 후술하는 바와 같이 그 관능기의 하나인 알케닐기와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기의 관능기 수의 비에 따라 결정되지만, 수지 조성물의 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 25 ∼ 45 질량부로 하는 것이 바람직하다. 성분 (A) 의 함유량을 이와 같은 범위로 함으로써, 필러 충전시에 있어서도 성형성이 우수하고, 경화성, 열시 탄성률, 내디스미어성, 내약품성이 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 사용하는 말레이미드 화합물 (B) 는, 분자 중에 1 개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체예로는, N-페닐말레이미드, N-하이드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 하기 식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 이들 말레이미드 화합물의 프레폴리머, 혹은 말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프레폴리머 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수도 있다.
그 중에서도, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물이 바람직하고, 특히 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 말레이미드 화합물이 바람직하다.
[화학식 14]
식 (6) 중, R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자가 바람직하다.
식 중, n1 은 1 이상의 정수를 나타낸다. n1 의 상한값은 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 7 이다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량은, 후술하는 바와 같이 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 관능기의 하나인 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 관능기 수의 비 ([β/α]) 에 따라 결정되지만, 수지 조성물의 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 45 ∼ 70 질량부로 하는 것이 바람직하다. 성분 (B) 의 함유량을 이와 같은 범위로 함으로써, 필러 충전시에 있어서도 성형성이 우수하고, 경화성, 열시 탄성률, 내디스미어성, 내약품성이 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 알케닐 치환 나디이미드 (A) 및 말레이미드 화합물 (B) 의 함유량은 각각에 지정되는 관능기 수의 비에 따라 규정된다. 여기서 지정되는 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 관능기는 분자 말단에 결합되어 있는 알케닐기이고, 말레이미드 화합물 (B) 의 관능기는 말레이미드기이다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서는, 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 인 것이 바람직하고, 1.5 ∼ 4.0 인 것이 보다 바람직하다. 당해 관능기의 비 ([β/α]) 를 이와 같은 범위로 함으로써, 저열팽창, 열시 탄성률, 내열성, 흡습 내열성, 내디스미어성, 내약품성, 경화 용이성이 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 사용하는 시안산에스테르 화합물 (C) 의 종류로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 하기 일반식 (7) 로 나타내는 나프톨아르알킬형 시안산에스테르, 하기 일반식 (8) 로 나타내는 노볼락형 시안산에스테르, 비페닐아르알킬 형 시안산에스테르, 비스(3,3-디메틸-4-시아나토페닐)메탄, 비스(4-시아나토페닐)메탄, 1,3-디시아나토벤젠, 1,4-디시아나토벤젠, 1,3,5-트리시아나토벤젠, 1,3-디시아나토나프탈렌, 1,4-디시아나토나프탈렌, 1,6-디시아나토나프탈렌, 1,8-디시아나토나프탈렌, 2,6-디시아나토나프탈렌, 2,7-디시아나토나프탈렌, 1,3,6-트리시아나토나프탈렌, 4,4'-디시아나토비페닐, 비스(4-시아나토페닐)에테르, 비스(4-시아나토페닐)티오에테르, 비스(4-시아나토페닐)술폰, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판 등을 들 수 있다.
그 중에서도 하기 일반식 (7) 로 나타내는 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 화합물, 하기 일반식 (8) 로 나타내는 노볼락형 시안산에스테르, 비페닐아르알킬형 시안산에스테르가 난연성이 우수하고, 경화성이 높고, 또한 경화물의 열팽창 계수가 낮은 점에서 특히 바람직하다.
[화학식 15]
식 (7) 중, R6 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자가 바람직하다.
식 (7) 중, n2 는 1 이상의 정수를 나타낸다. n2 의 상한값은 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 6 이다.
[화학식 16]
식 (8) 중, R7 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자가 바람직하다.
식 (8) 중, n3 은 1 이상의 정수를 나타낸다. n3 의 상한값은 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 7 이다.
이들 시안산에스테르 화합물의 제법은 특별히 한정되지 않고, 시안산에스테르 합성법으로서 현존하는 어떠한 방법으로 제조해도 된다. 구체적으로 예시하면, 하기 일반식 (9) 로 나타내는 나프톨아르알킬형 페놀 수지와 할로겐화 시안을 불활성 유기 용매 중에서, 염기성 화합물 존재하 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 또, 동일한 나프톨아르알킬형 페놀 수지와 염기성 화합물에 의한 염을, 물을 함유하는 용액 중에서 형성시키고, 그 후, 할로겐화 시안과 2 상계 계면 반응을 실시하여, 합성하는 방법을 취할 수도 있다.
[화학식 17]
식 (9) 중, R8 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 그 중에서도 수소 원자가 바람직하다.
식 (9) 중, n4 는 1 이상의 정수를 나타낸다. n4 의 상한값은 바람직하게는 10, 보다 바람직하게는 6 이다.
또, 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 화합물은, α-나프톨 혹은 β-나프톨 등의 나프톨류와 p-자일릴렌글리콜, α,α'-디메톡시-p-자일렌, 1,4-디(2-하이드록시-2-프로필)벤젠 등과의 반응에 의해 얻어지는 나프톨아르알킬 수지와 시안산을 축합시켜 얻어지는 것에서 선택할 수 있다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량은, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로 하는 것이 바람직하다. 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량을 이와 같은 범위 내로 함으로써, 필러 충전시에 있어서도 성형성이 우수하고, 열시 탄성률, 내디스미어성, 내약품성이 우수한 프린트 배선판을 얻을 수 있다.
또 본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 상기 성분 (A) ∼ (C) 에 더하여, 다른 수지를 첨가할 수도 있다. 당해 다른 수지의 종류에 대해서는 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 벤조옥사진 화합물, 페놀 수지, 열가소성 수지 등의 수지를 들 수 있다. 이들 수지를 적절히 병용함으로써, 금속 밀착성이나 응력 완화성과 같은 특성을 부여할 수 있다.
본 실시형태에 사용하는 무기 충전재 (D) 는 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 천연 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 중공 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 베이마이트, 산화몰리브덴, 산화티탄, 실리콘 고무, 실리콘 복합 파우더, 붕산아연, 주석산아연, 클레이, 카올린, 탤크, 소성 클레이, 소성 카올린, 소성 탤크, 마이카, 유리 단섬유 (E 유리나 D 유리 등의 유리 미분말류), 중공 유리, 구상 유리 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 저열팽창의 관점에서 실리카, 고열 전도성의 관점에서 알루미나나 질화알루미늄을 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재 (D) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 100 ∼ 1000 질량부인 것이, 저열팽창이나, 고열 전도와 같은 특성의 관점에서 바람직하고, 그 중에서도 200 ∼ 800 질량부인 것이 특히 바람직하다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에는, 미립자의 분산성, 수지와 미립자나 유리 클로스의 접착 강도를 향상시키기 위해, 실란 커플링제나 습윤 분산제를 병용할 수도 있다. 이들 실란 커플링제로는, 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 실란 커플링제이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체예로는, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란계, γ-아크릴록시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴실란계, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란염산염 등의 카티오닉실란계, 페닐실란계 등을 들 수 있고, 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수도 있다. 또 습윤 분산제로는, 도료용으로 사용되고 있는 분산 안정제이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 빅케미·재팬 (주) 제조의 DISPER-110, 111, 118, 180, 161, BYK-W996, W9010, W903 등의 습윤 분산제를 들 수 있다.
또 본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물에 있어서는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 경화 촉진제를 병용할 수도 있다. 예를 들어, 과산화벤조일, 라우로일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 파라클로로벤조일퍼옥사이드, 디-tert-부틸-디-퍼프탈레이트 등으로 예시되는 유기 과산화물 ; 아조비스니트릴당의 아조 화합물 ; N,N-디메틸벤질아민, N,N-디메틸아닐린, N,N-디메틸톨루이딘, 2-N-에틸아닐리노에탄올, 트리-n-부틸아민, 피리딘, 퀴놀린, N-메틸모르폴린, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 테트라메틸부탄디아민, N-메틸피페리딘 등의 제 3 급 아민류 ; 페놀, 자일레놀, 크레졸, 레조르신, 카테콜 등의 페놀류 ; 나프텐산납, 스테아르산납, 나프텐산아연, 옥틸산아연, 올레산주석, 디부틸주석말레이트, 나프텐산망간, 나프텐산코발트, 아세틸아세톤철 등의 유기 금속염 ; 이들 유기 금속염을 페놀, 비스페놀 등의 수산기 함유 화합물에 용해되어 이루어지는 것 ; 염화주석, 염화아연, 염화알루미늄 등의 무기 금속염 ; 디옥틸주석옥사이드, 그 밖의 알킬주석, 알킬주석옥사이드 등의 유기 주석 화합물 등을 들 수 있다.
또한 본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물은 필요에 따라 용제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 유기 용제를 사용하면, 수지 조성물의 조제시에 있어서의 점도가 내려가, 핸들링성이 향상됨과 함께 유리 클로스에 대한 함침성을 높일 수 있다. 용제의 종류는, 수지 조성물 중의 수지의 일부 또는 전부를 용해시킬 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀루솔브 등의 케톤류, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드 등의 아미드류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 그 아세테이트 등을 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다. 용제는 1 종을 단독으로 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물은, 통상적인 방법에 따라 조제할 수 있다. 예를 들어, 상기 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 수지 (C) 및 무기 충전재 (D) 및 상기 서술한 그 밖의 임의 성분을 균일하게 함유하는 수지 조성물이 얻어지는 방법이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 수지 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 순차 용제에 배합하고, 충분히 교반함으로써 본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물을 용이하게 조제할 수 있다.
본 실시형태의 절연층에 사용하는 수지 조성물의 조제시에 있어서, 필요에 따라 유기 용제를 사용할 수 있다. 유기 용제의 종류는, 수지 조성물 중의 수지를 용해시킬 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예는 상기 서술한 바와 같다.
또한, 수지 조성물의 조제시에, 각 성분을 균일하게 용해 혹은 분산시키기 위한 공지된 처리 (교반, 혼합, 혼련 처리 등) 를 실시할 수 있다. 예를 들어, 무기 충전재 (D) 의 균일 분산에 있어서, 적절한 교반 능력을 갖는 교반기를 부설한 교반조를 사용하여 교반 분산 처리를 실시함으로써, 수지 조성물에 대한 분산성을 높일 수 있다. 상기 교반, 혼합, 혼련 처리는, 예를 들어, 볼 밀, 비즈 밀 등의 혼합을 목적으로 한 장치, 또는 공전 또는 자전형 혼합 장치 등의 공지된 장치를 사용하여 적절히 실시할 수 있다.
한편, 본 실시형태의 절연층은, 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포한 프리프레그여도 된다. 당해 프리프레그는, 예를 들어, 상기 수지 조성물을 기재와 조합하는, 구체적으로는 상기 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포시킴으로써 얻을 수 있다. 프리프레그의 제조 방법은, 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포시킨 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 건조기 중에서 1 ∼ 30 분 가열하거나 하여 반 경화 (B 스테이지화) 시킴으로써, 프리프레그를 제조할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 프리프레그의 총량에 대한 상기 수지 조성물 (무기 충전제를 함유한다) 의 양은 특별히 한정되지 않지만, 30 ∼ 90 질량% 의 범위인 것이 바람직하다.
프리프레그로 사용되는 기재로는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 각종 프린트 배선판 재료에 사용되고 있는 공지된 것을, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 구체예로는, 예를 들어, E 유리, D 유리, S 유리, Q 유리, 구상 유리, NE 유리, T 유리 등의 유리 섬유, 쿼츠 등의 유리 이외의 무기 섬유, 폴리파라페닐렌테레프탈라미드 (케블러 (등록 상표), 듀퐁 주식회사 제조), 코폴리파라페닐렌·3,4'옥시디페닐렌·테레프탈아미드 (테크노라 (등록 상표), 테이진 테크노 프로덕트 주식회사 제조) 등의 전체 방향족 폴리아미드, 2,6-하이드록시나프토산·파라하이드록시벤조산 (벡트란 (등록 상표), 주식회사 쿠라레 제조) 등의 폴리에스테르, 폴리파라페닐렌벤즈옥사졸 (자이론 (등록 상표), 토요 방적 주식회사 제조), 폴리이미드 등의 유기 섬유를 들 수 있지만, 이들에 특별히 한정되지 않는다.
이들 중에서도 저열팽창성의 관점에서, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유가 바람직하다.
이들 기재는 1 종을 단독으로 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
기재의 형상으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 직포, 부직포, 로빙, ?드 스트랜드 매트, 서피싱 매트 등을 들 수 있다. 직포를 짜는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 평직, 어자직, 능직 등이 알려져 있으며, 이들 공지된 것으로부터 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또, 이들을 개섬 처리한 것이나 실란 커플링제 등으로 표면 처리한 유리 직포가 바람직하게 사용된다. 기재의 두께나 질량은 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로는 0.01 ∼ 0.3 ㎜ 정도의 것이 바람직하게 사용된다. 특히 강도와 흡수성의 관점에서, 기재는 두께 200 ㎛ 이하, 질량 250 g/㎡ 이하의 유리 직포가 바람직하고, E 유리, S 유리, 및 T 유리의 유리 섬유로 이루어지는 유리 직포가 보다 바람직하다.
한편, 본 실시형태의 절연층은, 프리프레그를 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻어지는 적층판이어도 되고, 프리프레그와 금속박을 적층하여 경화시켜 얻어지는 금속박 피복 적층판인 것이 바람직하다. 당해 금속박 피복 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 프리프레그를 적어도 1 장 이상 중첩하여, 그 편면 혹은 양면에 금속박을 배치하여 적층 성형함으로써 얻을 수 있다. 구체적으로는, 전술한 프리프레그를 1 장 혹은 복수 장 이상을 중첩하여, 원하는 바에 따라 그 편면 혹은 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치한 구성으로 하고, 이것을 필요에 따라 적층 성형함으로써, 금속박 피복 적층판을 제조할 수 있다. 여기서 사용하는 금속박은, 프린트 배선판 재료에 사용되는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 압연 구리박이나 전해 구리박 등의 공지된 구리박이 바람직하다. 또, 금속박의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 70 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 ∼ 35 ㎛ 이다. 금속박 피복 적층판의 성형 방법 및 그 성형 조건에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 일반적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법 및 조건을 적용할 수 있다. 예를 들어, 금속박 피복 적층판의 성형시에는 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기, 연속 성형기, 오토클레이브 성형기 등을 사용할 수 있다. 또, 금속박 피복 적층판의 성형에 있어서, 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 면압 2 ∼ 100 kgf/㎠, 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또한, 필요에 따라 150 ∼ 300 ℃ 의 온도에서 후경화를 실시할 수도 있다. 또, 상기 서술한 프리프레그와 별도 제조한 내층용 배선판을 조합하여 적층 성형함으로써, 다층판으로 할 수도 있다.
상기 금속박 피복 적층판은, 소정의 배선 패턴을 형성함으로써, 프린트 배선판으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고, 상기 금속박 피복 적층판은, 낮은 열팽창률, 양호한 성형성 및 내약품성을 갖고, 그러한 성능이 요구되는 반도체 패키지용 프린트 배선판으로서 특히 유효하게 사용할 수 있다.
또, 본 실시형태의 절연층은, 상기 서술한 프리프레그의 형태 이외에, 수지 조성물을 금속박이나 필름에 도포한 형태의 매립 시트의 형태로서 사용할 수도 있다.
본 실시형태의 절연층은, 수지 조성물을 지지체의 편면 또는 양면에 도포한 레진 시트여도 된다. 당해 레진 시트란, 박엽화의 하나의 수단으로서 사용되는 것으로, 예를 들어, 금속박이나 필름 등의 지지체에 직접 프리프레그 등에 사용되는 열경화성 수지 (무기 충전재를 함유한다) 를 도포 및 건조시켜 제조할 수 있다.
레진 시트를 제조할 때에 사용되는 지지체는 특별히 한정되지 않지만, 각종 프린트 배선판 재료에 사용되고 있는 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT) 필름, 폴리프로필렌 (PP) 필름, 폴리에틸렌 (PE) 필름, 알루미늄박, 구리박, 금박 등을 들 수 있다. 그 중에서도 전해 구리박, PET 필름이 바람직하다.
레진 시트는, 특히 상기 서술한 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하는 수지 조성물을 지지체에 도포 후, 반경화 (B 스테이지화) 시킨 것인 것이 바람직하다. 이 레진 시트의 제조 방법은 일반적으로 B 스테이지 수지 및 지지체의 복합체를 제조하는 방법이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 상기 수지 조성물을 구리박 등의 지지체에 도포한 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 건조기 중에서, 1 ∼ 60 분 가열시키는 방법 등에 의해 반경화시켜, 레진 시트를 제조하는 방법 등을 들 수 있다. 지지체에 대한 수지 조성물의 부착량은, 레진 시트의 수지 두께로 1 ∼ 300 ㎛ 의 범위가 바람직하다.
본 실시형태의 절연층은, 레진 시트를 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻어지는 적층판이어도 되고, 레진 시트와 금속박을 적층하여 경화시켜 얻어지는 금속박 피복 적층판인 것이 바람직하다. 당해 금속박 피복 적층판은, 예를 들어, 상기 서술한 레진 시트를 사용하여, 그 편면 혹은 양면에 금속박을 배치하여 적층 형성함으로써 얻을 수 있다. 예를 들어, 전술한 레진 시트를 1 장 혹은 원하는 바에 따라 그 지지체를 박리한 것을 복수 장 중첩하여, 그 편면 혹은 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치한 구성으로 하고, 이것을 필요에 따라 적층 성형함으로써, 금속박 피복 적층판을 제조할 수 있다. 여기서 사용하는 금속박은, 프린트 배선판 재료에 사용되는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 압연 구리박이나 전해 구리박 등의 공지된 구리박이 바람직하다. 금속박 피복 적층판의 성형 방법 및 그 성형 조건에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 일반적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법 및 조건을 적용할 수 있다. 예를 들어, 금속박 피복 적층판의 성형시에는 다단 프레스기, 다단 진공 프레스기, 연속 성형기, 오토클레이브 성형기 등을 사용할 수 있다. 또, 금속박 피복 적층판의 성형시에 있어서, 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 면압 2 ∼ 100 kgf/㎠ , 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또한, 필요에 따라 150 ∼ 300 ℃ 의 온도에서 후경화를 실시할 수도 있다.
상기 레진 시트는 프린트 배선판의 빌드업 재료로서 사용할 수 있다.
또, 본 실시형태의 절연층은, 레진 시트와 프리프레그를 각각 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻어지는 적층판이어도 되고, 레진 시트와 프리프레그와 금속박을 적층하여 경화시켜 얻어지는 금속박 피복 적층판이어도 된다.
본 실시형태의 절연층이 금속박 피복 적층판의 형태를 취하지 않는 경우, 회로가 되는 도체층을 형성하여 프린트 배선판을 제조할 때, 무전해 도금의 수법을 사용할 수도 있다.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 상기 서술한 절연층을 사용한 프린트 배선판으로, 예를 들어, 상기 서술한 절연층과, 그 절연층의 표면에 형성된 도체층을 포함하는 프린트 배선판인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 예를 들어, 상기 서술한 절연층에 금속박이나 무전해 도금에 의해 회로가 되는 도체층이 형성되어 제조된다. 도체층은 일반적으로 구리나 알루미늄으로 구성된다. 도체층이 형성된 프린트 배선판용 절연층은, 소정의 배선 패턴을 형성함으로써, 프린트 배선판에 바람직하게 사용할 수 있다. 그리고 본 실시형태의 프린트 배선판은, 상기 서술한 절연층이 반도체 실장시의 리플로 온도하에 있어서도 우수한 탄성률을 유지함으로써, 반도체 플라스틱 패키지의 휨을 효과적으로 억제하기 때문에, 반도체 패키지용 프린트 배선판으로서 특히 유효하게 사용할 수 있다.
본 실시형태의 프린트 배선판은, 구체적으로는, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 제조할 수 있다. 먼저, 상기 서술한 금속박 피복 적층판 (구리 피복 적층판 등) 을 준비한다. 금속박 피복 적층판의 표면에 에칭 처리를 실시하여 내층 회로의 형성을 실시하여 내층 기판을 제조한다. 이 내층 기판의 내층 회로 표면에, 필요에 따라 접착 강도를 높이기 위한 표면 처리를 실시하고, 이어서 그 내층 회로 표면에 상기 서술한 프리프레그를 소요 장 수 중첩하고, 또한 그 외측에 외층 회로용 금속박을 적층하고, 가열 가압하여 일체 성형한다. 이와 같이 하여, 내층 회로와 외층 회로용 금속박 사이에, 기재 및 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 절연층이 형성된 다층 적층판이 제조된다. 이어서, 이 다층 적층판에 스루홀이나 비어홀용 구멍내기 가공을 실시한 후, 경화물층에 함유되어 있는 수지 성분에서 유래하는 수지의 잔류물인 스미어를 제거하기 위해 디스미어 처리가 실시된다. 그 후 이 구멍의 벽면에 내층 회로와 외층 회로용 금속박을 도통시키는 도금 금속 피막을 형성하고, 또한 외층 회로용 금속박에 에칭 처리를 실시하여 외층 회로를 형성하고, 프린트 배선판이 제조된다.
예를 들어, 상기 서술한 프리프레그 (기재 및 이것에 첨착된 상기 서술한 수지 조성물), 금속박 피복 적층판의 수지 조성물층 (상기 서술한 수지 조성물로 이루어지는 층) 이, 상기 서술한 수지 조성물을 함유하는 절연층을 구성하게 된다.
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 10 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 55 질량부 및 비스알릴나디이미드 (BANI-M, 마루젠 석유 화학 (주) 제조) 35 질량부에 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 150 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 1 부를 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 E 유리 직포에 함침 도공하고, 160 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 46 질량% 의 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 2.42 가 되었다. 또, [β/α] 는 하기 계산식으로 나타낸다.
[β/α] = ((B) 의 질량부 수/(B) 의 관능기 당량)/((A) 의 질량부 수/(A) 의 관능기 당량)
또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 2
α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 10 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 65 질량부 및 비스알릴나디이미드 (BANI-M, 마루젠 석유 화학 (주) 제조) 25 질량부에 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 150 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 1 부를 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 E 유리 직포에 함침 도공하고, 160 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 46 질량% 의 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 4.00 이 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
비교예 1
α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 35 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 30 질량부 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지 (HP-6000, DIC (주) 제조) 35 질량부에 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 150 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 1 부를 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 E 유리 직포에 함침 도공하고, 160 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 46 질량% 의 프리프레그를 얻었다.
비교예 2
α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 35 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 35 질량부 및 페놀노볼락형 에폭시 수지 (N-770, DIC (주) 제조) 25 질량부, 나프틸메탄형 에폭시 수지 (HP-4710, DIC (주) 제조) 5 질량부에 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 150 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 1 부를 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 E 유리 직포에 함침 도공하고, 160 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 46 질량% 의 프리프레그를 얻었다.
비교예 3
α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 제조) 35 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 40 질량부 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지 (HP-4710, DIC (주) 제조) 10 질량부, 나프틸메탄형 에폭시 수지 (HP-4710, DIC (주) 제조) 5 질량부, 비스알릴나디이미드 (BANI-M, 마루젠 석유 화학 (주) 제조) 10 질량부에 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 150 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 1 부를 혼합하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 바니시를 얻었다. 이 바니시를 E 유리 직포에 함침 도공하고, 160 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 46 질량% 의 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 6.15 가 되었다.
금속박 피복 적층판의 제조
실시예 1 ∼ 2 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 프리프레그를, 각각 1 장 또는 8 장 중첩하여 12 ㎛ 두께의 전해 구리박 (3EC-Ⅲ, 미츠이 금속 광업 (주) 제조) 을 상하에 배치하고, 압력 30 kgf/㎠, 온도 220 ℃ 에서 120 분간의 적층 성형을 실시하여, 절연층 두께 0.1 ㎜ 또는 0.8 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
얻어진 구리 피복 적층판을 사용하여, 선열팽창 계수, 굽힘 탄성률의 측정을 실시한 결과를 표 1 에 나타낸다.
구리 피복 적층판의 물성 평가 방법
선열팽창 계수 : 구리 피복 적층판의 구리박을 에칭에 의해 제거한 후에, 열기계 분석 장치 (TA 인스툴먼트 제조) 로 40 ℃ 에서 340 ℃ 까지 매분 10 ℃ 로 승온시켜, 60 ℃ 내지 120 ℃ 에서의 면방향의 선열팽창 계수를 측정하였다. 측정 방향은 적층판의 유리 클로스의 세로 방향 (Warp) 을 측정하였다.
굽힘 탄성률 : 50 ㎜ × 25 ㎜ × 0.8 ㎜ 의 샘플을 사용하여 JIS 규격 C6481 에 준하여, 오토 그래프 ((주) 시마즈 제작소 제조 AG-Xplus) 로 각각 25 ℃, 250 ℃ 에서 측정을 실시하였다.
탄성률 손실률 : 상기 수법에 의해 측정된 25 ℃ 의 굽힘 탄성률 (a) 과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 탄성률 (b) 의 차를 하기 식에 의해 산출하였다.
탄성률 손실률 = {(a) - (b)}/(a) × 100
휨 평가 : AKROMETRIX 사 제조 서모레이 PS200L 섀도우 모아레 분석을 사용하여 기판의 휨량을 평가하였다. 기판의 샘플 사이즈는 40 ㎜ × 40 ㎜ 로 하고, 측정 에어리어는 36 ㎜ × 36 ㎜ 로 하였다. 기판의 샘플을, 실온으로부터 260 ℃ 까지 가열하고, 그 후 50 ℃ 까지 냉각시켰을 때의 휨량을 측정하였다. 비교예 1 에 대해 휨이 15 % 이상 개선된 것을 ○ 로 하고, 5 % 이상 15 % 미만 개선된 것을 △ 로 판정하였다.
합성예 1 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지의 합성
온도계, 교반기, 적하 깔때기 및 환류 냉각기를 구비한 반응기를 미리 브라인에 의해 0 ∼ 5 ℃ 로 냉각시켜 두고, 거기에 염화시안 7.47 g (0.122 ㏖), 35 % 염산 9.75 g (0.0935 ㏖), 물 76 ㎖, 및 염화메틸렌 44 ㎖ 를 주입하였다.
이 반응기 내의 온도를 -5 ∼ +5 ℃, pH 를 1 이하를 유지하면서, 교반하, 식 (9) 에 있어서의 R8 이 모두 수소 원자인 α-나프톨아르알킬형 페놀 수지 (SN485, OH 기 당량 : 214 g/eq. 연화점 : 86 ℃, 신닛테츠 화학 (주) 제조) 20 g (0.0935 ㏖), 및 트리에틸아민 14.16 g (0.14 ㏖) 을 염화메틸렌 92 ㎖ 에 용해시킨 용액을 적하 깔때기에 의해 1 시간에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후, 추가로 트리에틸아민 4.72 g (0.047 ㏖) 을 15 분간에 걸쳐 적하하였다.
적하 종료 후, 동 온도에서 15 분간 교반 후, 반응액을 분액하고, 유기층을 분취하였다. 얻어진 유기층을 물 100 ㎖ 로 2 회 세정한 후, 이베포레이터에 의해 감압하에서 염화메틸렌을 증류 제거하고, 최종적으로 80 ℃ 에서 1 시간 농축 건고 (乾固) 시켜, α-나프톨아르알킬형 페놀 수지의 시안산에스테르화물 (α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지) 이 23.5 g 얻어졌다.
실시예 3
합성예 1 에서 얻어진 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 (시아네이트 당량 : 261 g/eq.) 10 질량부, 식 (6) 에 있어서의 R5 가 모두 수소 원자이고, n1 이 1 ∼ 3 인 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 오와 화성 공업 (주) 제조) 35 질량부, 식 (4) 로 나타내는 알케닐 치환 나디이미드 화합물 (BANI-M, 마루젠 석유 화학 (주) 제조) 55 질량부, 슬러리 실리카 (SC-5050MOB, 평균 입자 직경 : 1.5 ㎛, 아도마테크 (주) 제조) 100 질량부, 습윤 분산제 (DISPERBYK-161, 빅케미 재팬 (주) 제조) 를 1 질량부, 실란 커플링제 (Z6040, 토오레·다우코닝 (주) 제조) 5 질량부를 혼합하여 바니시를 얻었다. 이 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석하여, E 유리 직포에 함침 도공하고, 140 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켜, 수지 조성물 함유량 44 질량% 의 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 0.98 이 되었다. 또, [β/α] 는 하기 계산식으로 나타낸다.
[β/α] = ((B) 의 질량부 수/(B) 의 관능기 당량)/((A) 의 질량부 수/(A) 의 관능기 당량)
또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 4
실시예 3 에서 사용한 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 65 질량부, 25 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 4.00 이 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 5
실시예 3 에서 사용한 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 55 질량부, 35 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 2.42 가 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 6
실시예 3 에서 사용한 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 45 질량부, 45 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (a) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (b) 의 비로 나타내는 [b/a] 는 1.54 가 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 7
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 11 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300) 을 47 질량부로 하고, 식 (4) 로 나타내는 알케닐 치환 나디이미드 화합물 (BANI-M) 대신에 식 (5) 로 나타내는 알케닐 치환 나디이미드 화합물 (BANI-X, 마루젠 석유 화학 (주) 제조) 을 42 질량부 사용한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 1.53 이 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
실시예 8
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 사용하지 않고, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 50 질량부, 50 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 1.54 가 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
비교예 4
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 30 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 55 질량부, 15 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 5.64 가 되었다.
비교예 5
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 25 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 55 질량부, 20 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 4.23 이 되었다.
실시예 9
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 20 질량부 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 55 질량부, 25 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 3.38 이 되었다. 또, 얻어진 프리프레그는 400 ℃ 이하의 영역에서 유리 전이 온도 (Tg) 가 없었다.
비교예 6
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 30 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 45 질량부, 25 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 2.77 이 되었다.
비교예 7
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 20 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 45 질량부, 35 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 1.98 이 되었다.
비교예 8
실시예 3 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지를 10 질량부, 말레이미드 화합물 (BMI-2300), 알케닐 치환 나디이미드 (BANI-M) 를 각각 35 질량부, 65 질량부로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 프리프레그를 얻었다. 이 때 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비로 나타내는 [β/α] 는 0.83 이 되었다.
금속박 피복 적층판의 제조
실시예 3 ∼ 9 및 비교예 4 ∼ 8 에서 얻어진 프리프레그를, 각각 1 장, 4 장, 또는 8 장 중첩하여 12 ㎛ 두께의 전해 구리박 (3EC-Ⅲ, 미츠이 금속 광업 (주) 제조) 을 상하에 배치하고, 압력 30 kgf/㎠, 온도 220 ℃ 에서 120 분간의 적층 성형을 실시하여, 절연층 두께 0.1 ㎜, 0.4 ㎜ 또는 0.8 ㎜ 의 구리 피복 적층판을 얻었다.
얻어진 구리 피복 적층판을 사용하여, 성형성, 내약품성, 내디스미어성, 굽힘 탄성률의 평가를 실시한 결과를 표 2, 표 3 에 나타낸다.
금속박 피복 적층판의 물성 평가 방법
성형성 : 구리 피복 적층판의 구리박을 에칭에 의해 제거한 후에, 표면을 관찰하여 보이드의 유무를 평가하였다.
○ : 보이드 없음, 양호한 외관 × : 보이드 있음
내약품성 : 50 ㎜ × 50 ㎜ × 0.4 ㎜ 의 샘플을, 1 N 으로 조정한 70 ℃ 의 수산화나트륨 수용액에 2 시간 침지하고, 샘플을 건조 후의 중량 감소량 (질량%) 을 측정하였다. 중량 감소율이 -0.2 이하인 것을 ◎, 중량 감소율이 -0.2 % 보다 크고 -0.3 % 이하인 것을 ○, 중량 감소율이 -0.3 % 보다 큰 것을 × 로 기재하였다.
내디스미어성 : 디스미어 공정에서의 내약품성을 평가하기 위해, 구리 피복 적층판의 구리박을 에칭에 의해 제거한 후에, 팽윤액인, 아토텍 재팬 (주) 의 스웰링 딥 세큐리간트 P 에 80 ℃ 에서 10 분간 침지하고, 다음으로 조화액으로서, 아토텍 재팬 (주) 의 콘센트 레이트 컴팩트 CP 에 80 ℃ 에서 5 분간 침지, 마지막으로 중화액으로서, 아토텍 재팬 (주) 의 리덕션 컨디셔너 세큐리간트 P500 에 45 ℃ 에서 10 분간 침지하켰다. 이 처리를 3 회 실시한 후의 질량 감소량 (질량%) 을 평가하였다. 중량 감소율이 -0.3 이하인 것을 ◎, 중량 감소율이 -0.3 % 보다 크고 -0.5 % 이하인 것을 ○, 중량 감소율이 -0.5 % 보다 큰 것을 × 로 기재하였다.
굽힘 탄성률 : 50 ㎜ × 25 ㎜ × 0.8 ㎜ 의 샘플을 사용하여 JIS 규격 C6481 에 준하여, 오토 그래프 ((주) 시마즈 제작소 제조 AG-Xplus) 로, 각각 25 ℃, 250 ℃ 에서 측정을 실시하였다.
탄성률 손실률 : 상기 수법에 의해 측정된 25 ℃ 의 굽힘 탄성률 (a) 과 250 ℃ 의 열시 굽힘 탄성률의 탄성률 (b) 의 차를 하기 식에 의해 산출하였다.
탄성률 손실률 = [{(a) - (b)}/(a)] × 100
또, 탄성률 손실률이 20 % 보다 큰 것을 ×, 탄성률 손실률이 20 % 이상 내지 10 % 이하인 것을 ○, 탄성률 손실률이 10 % 미만인 것을 ◎ 로 하였다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 종래와 상이한 요소에 의해 휨이 적고, 제조 수율 및 신뢰성이 우수한 반도체 플라스틱 패키지를 제조할 수 있다.
Claims (13)
- 25 ℃ 에 있어서의 굽힘 탄성률과 250 ℃ 에 있어서의 열시 굽힘 탄성률의 차가 20 % 이하인, 프린트 배선판용 절연층.
- 제 1 항에 있어서,
상기 절연층이 수지 조성물을 함유하고,
그 수지 조성물이, 알케닐 치환 나디이미드 (A), 말레이미드 화합물 (B), 시안산에스테르 화합물 (C) 및 무기 충전재 (D) 를 함유하고, 그 시안산에스테르 화합물 (C) 의 함유량이, 성분 (A) ∼ (C) 의 합계 100 질량부에 대해 5 ∼ 15 질량부로서, 그 알케닐 치환 나디이미드 (A) 의 알케닐기 수 (α) 와 그 말레이미드 화합물 (B) 의 말레이미드기 수 (β) 의 비 ([β/α]) 가, 0.9 ∼ 4.3 인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 2 항에 있어서,
상기 알케닐 치환 나디이미드 (A) 가 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물인, 프린트 배선판용 절연층.
[화학식 1]
(식 (1) 중, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프틸렌기, 또는 하기 일반식 (2) 혹은 (3) 으로 나타내는 기를 나타낸다)
[화학식 2]
(식 (2) 중, R3 은 메틸렌기, 이소프로필리덴기, CO, O, S, 또는 SO2 로 나타내는 치환기를 나타낸다)
[화학식 3]
(식 (3) 중, R4 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알킬렌기를 나타낸다) - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층이, 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포한 프리프레그인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 7 항에 있어서,
상기 기재가, E 유리 클로스, T 유리 클로스, S 유리 클로스, Q 유리 클로스 및 유기 섬유로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층이, 수지 조성물을 지지체에 도포한 레진 시트인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층이, 레진 시트 및 프리프레그로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 1 장 이상 중첩하여 경화시켜 얻어지는 적층판인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층이, 레진 시트 및 프리프레그로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종과, 금속박을 적층하여 경화시켜 얻어지는 금속박 피복 적층판인, 프린트 배선판용 절연층. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 프린트 배선판용 절연층을 사용한, 프린트 배선판.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 프린트 배선판용 절연층과, 상기 절연층의 표면에 형성된 도체층을 포함하는, 프린트 배선판.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020207003041A KR102278716B1 (ko) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2014-001046 | 2014-01-07 | ||
JP2014001046 | 2014-01-07 | ||
JPJP-P-2014-010653 | 2014-01-23 | ||
JP2014010653 | 2014-01-23 | ||
PCT/JP2015/050188 WO2015105109A1 (ja) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | プリント配線板用絶縁層及びプリント配線板 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207003041A Division KR102278716B1 (ko) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160105782A true KR20160105782A (ko) | 2016-09-07 |
KR102075195B1 KR102075195B1 (ko) | 2020-02-07 |
Family
ID=53523934
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207003041A KR102278716B1 (ko) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 |
KR1020167015950A KR102075195B1 (ko) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207003041A KR102278716B1 (ko) | 2014-01-07 | 2015-01-06 | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10292260B2 (ko) |
EP (1) | EP3094162B1 (ko) |
JP (1) | JP6504462B2 (ko) |
KR (2) | KR102278716B1 (ko) |
CN (1) | CN105900535B (ko) |
SG (2) | SG10201805388PA (ko) |
TW (1) | TWI642718B (ko) |
WO (1) | WO2015105109A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190095923A (ko) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 프린트 배선판용 수지 조성물, 프리프레그, 레진 시트, 적층판, 금속박 피복 적층판, 프린트 배선판, 및 다층 프린트 배선판 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107849334B (zh) * | 2015-07-06 | 2020-06-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、使用其的预浸料、树脂片、层叠板和印刷电路板 |
JP6774032B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2020-10-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたプリプレグ又はレジンシート並びにそれらを用いた積層板及びプリント配線板 |
KR102262624B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2021-06-08 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 프리프레그, 금속박 피복 적층판, 및 프린트 배선판 |
CN107735417B (zh) * | 2015-07-06 | 2020-06-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、使用该树脂组合物的预浸料或树脂片以及使用它们的层叠板和印刷电路板 |
JP6819921B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2021-01-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板 |
JP6850548B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2021-03-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板用樹脂組成物、プリプレグ、レジンシート、積層板、金属箔張積層板、及びプリント配線板 |
CN114196204B (zh) * | 2016-12-28 | 2024-07-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 预浸料、层叠板、覆金属箔层叠板、印刷电路板、及多层印刷电路板 |
TWI673307B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-10-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 樹脂組成物、預浸體、疊層板、覆金屬箔疊層板、印刷配線板、及多層印刷配線板 |
CN110121530B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-02-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 树脂组合物、预浸料、层叠板、覆金属箔层叠板、印刷电路板、及多层印刷电路板 |
WO2019098043A1 (ja) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体 |
WO2019111416A1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 日立化成株式会社 | プリプレグ、積層板、及びそれらの製造方法、並びにプリント配線板及び半導体パッケージ |
KR102258616B1 (ko) * | 2018-01-10 | 2021-05-28 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 패키지용 절연층 제조방법 및 이에 의해 형성된 반도체 패키지용 절연층 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009035728A (ja) | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | プリプレグ及び積層板 |
JP2011178992A (ja) | 2010-02-05 | 2011-09-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリプレグ、積層板、プリント配線板、および半導体装置 |
JP3173332U (ja) | 2011-11-17 | 2012-02-02 | 奇▲こう▼科技股▲ふん▼有限公司 | 含油軸受ファン構造 |
JP2012197336A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | イミド樹脂組成物およびその製造方法、プリプレグ、金属張積層板並びにプリント配線板 |
WO2012165423A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
WO2012165240A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、および積層板 |
JP2013001807A (ja) | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | 電子回路基板材料用樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
WO2013008667A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いた硬化物の製造方法 |
JP2013216884A (ja) | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3173332B2 (ja) | 1995-03-13 | 2001-06-04 | 新神戸電機株式会社 | 金属箔張り積層板の製造法 |
JPH1072752A (ja) | 1996-05-15 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板用不織布基材とこれを用いたプリプレグ |
JP2004335661A (ja) | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Risho Kogyo Co Ltd | プリント配線用プリプレグ及び積層板 |
TWI391424B (zh) * | 2005-01-12 | 2013-04-01 | Taiyo Holdings Co Ltd | A hardened resin composition for inkjet and a hardened product thereof, and a printed circuit board using the same |
CN100540577C (zh) * | 2007-08-02 | 2009-09-16 | 华东理工大学 | 含硅芳炔改性树脂 |
JP5685533B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2015-03-18 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 低温硬化組成物 |
US8754337B2 (en) | 2009-04-01 | 2014-06-17 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Printed wiring board fabrication method, printed wiring board, multilayer printed wiring board, and semiconductor package |
JP5696302B2 (ja) | 2009-09-25 | 2015-04-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | インターポーザ用の金属張積層板とそれを用いた半導体パッケージ |
FR2977382A1 (fr) | 2011-06-29 | 2013-01-04 | Thomson Licensing | Filtre stop bande a rejection elevee et duplexeur utilisant de tels filtres |
CN103650649B (zh) * | 2011-07-07 | 2017-09-29 | 日立化成株式会社 | 粘接膜、使用了该粘接膜的多层印制电路板、及该多层印制电路板的制造方法 |
SG189246A1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-05-31 | Mitsui Chemicals Inc | Polyimide resin composition and laminate including same |
-
2015
- 2015-01-06 KR KR1020207003041A patent/KR102278716B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-06 US US15/101,128 patent/US10292260B2/en active Active
- 2015-01-06 EP EP15735428.3A patent/EP3094162B1/en active Active
- 2015-01-06 WO PCT/JP2015/050188 patent/WO2015105109A1/ja active Application Filing
- 2015-01-06 JP JP2015556810A patent/JP6504462B2/ja active Active
- 2015-01-06 SG SG10201805388PA patent/SG10201805388PA/en unknown
- 2015-01-06 SG SG11201604511UA patent/SG11201604511UA/en unknown
- 2015-01-06 KR KR1020167015950A patent/KR102075195B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-06 CN CN201580003920.1A patent/CN105900535B/zh active Active
- 2015-01-07 TW TW104100354A patent/TWI642718B/zh active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009035728A (ja) | 2007-07-12 | 2009-02-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | プリプレグ及び積層板 |
JP2011178992A (ja) | 2010-02-05 | 2011-09-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリプレグ、積層板、プリント配線板、および半導体装置 |
JP2012197336A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | イミド樹脂組成物およびその製造方法、プリプレグ、金属張積層板並びにプリント配線板 |
WO2012165240A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、および積層板 |
WO2012165423A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
US20140227531A1 (en) * | 2011-05-31 | 2014-08-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, prepreg, and laminate |
JP2013001807A (ja) | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | 電子回路基板材料用樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
WO2013008667A1 (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いた硬化物の製造方法 |
US20140242394A1 (en) * | 2011-07-11 | 2014-08-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Curable resin composition and method for manufacturing cured product using the same |
JP3173332U (ja) | 2011-11-17 | 2012-02-02 | 奇▲こう▼科技股▲ふん▼有限公司 | 含油軸受ファン構造 |
JP2013216884A (ja) | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190095923A (ko) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 프린트 배선판용 수지 조성물, 프리프레그, 레진 시트, 적층판, 금속박 피복 적층판, 프린트 배선판, 및 다층 프린트 배선판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200014946A (ko) | 2020-02-11 |
JPWO2015105109A1 (ja) | 2017-03-23 |
CN105900535A (zh) | 2016-08-24 |
KR102075195B1 (ko) | 2020-02-07 |
EP3094162A1 (en) | 2016-11-16 |
SG10201805388PA (en) | 2018-07-30 |
SG11201604511UA (en) | 2016-07-28 |
EP3094162A4 (en) | 2017-09-06 |
US20160309582A1 (en) | 2016-10-20 |
TWI642718B (zh) | 2018-12-01 |
KR102278716B1 (ko) | 2021-07-16 |
US10292260B2 (en) | 2019-05-14 |
TW201533137A (zh) | 2015-09-01 |
EP3094162B1 (en) | 2023-08-09 |
CN105900535B (zh) | 2019-06-07 |
JP6504462B2 (ja) | 2019-04-24 |
WO2015105109A1 (ja) | 2015-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20160105782A (ko) | 프린트 배선판용 절연층 및 프린트 배선판 | |
KR102418675B1 (ko) | 수지 조성물, 프리프레그, 수지 시트, 적층 수지 시트, 적층판, 금속박 피복 적층판, 및 프린트 배선판 | |
KR102572390B1 (ko) | 수지 조성물, 프리프레그, 레진 시트, 금속박 피복 적층판 및 프린트 배선판 | |
TWI698481B (zh) | 樹脂組成物、預浸體、覆金屬箔疊層板及印刷電路板 | |
KR20180026391A (ko) | 수지 조성물, 프리프레그, 금속박 피복 적층판, 및 프린트 배선판 | |
JP7116370B2 (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ、レジンシート、積層板、及びプリント配線板 | |
KR102605760B1 (ko) | 수지 조성물, 그 수지 조성물을 사용한 프리프레그 또는 레진 시트 그리고 그것들을 사용한 적층판 및 프린트 배선판 | |
CN107849361B (zh) | 树脂组合物、预浸料、树脂片、覆金属箔层叠板和印刷电路板 | |
KR20180026379A (ko) | 프린트 배선판의 제조 방법, 및 수지 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |