KR20160068986A - 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리 - Google Patents

원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리 Download PDF

Info

Publication number
KR20160068986A
KR20160068986A KR1020167014672A KR20167014672A KR20160068986A KR 20160068986 A KR20160068986 A KR 20160068986A KR 1020167014672 A KR1020167014672 A KR 1020167014672A KR 20167014672 A KR20167014672 A KR 20167014672A KR 20160068986 A KR20160068986 A KR 20160068986A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
radical
inert gas
exposing
precursor
Prior art date
Application number
KR1020167014672A
Other languages
English (en)
Inventor
이상인
Original Assignee
비코 에이엘디 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비코 에이엘디 인코포레이티드 filed Critical 비코 에이엘디 인코포레이티드
Publication of KR20160068986A publication Critical patent/KR20160068986A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Abstract

원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 이용하여 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하되, 기판이 추가적인 층 증착을 거치기 전에 기판의 표면이 불활성 기체의 라디칼(radical)에 의하여 처리된다. 불활성 기체의 라디칼에 의하여 증착된 층의 표면 상태가 후속하는 원료전구체(source precursor) 분자와 흡착하기 더 쉬운 상태로 바뀌는 것으로 확인된다. 불활성 기체의 라디칼은 기판의 표면상의 분자들의 결합을 끊고, 표면상의 분자들이 불포화 결합(dangling bond)을 갖게 한다. 불포화 결합은 이어서 표면에 주입된 원료전구체 분자들의 흡착을 용이하게 한다. 따라서, 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, 증착율이 증가되고 증착된 층의 특성이 향상된다.

Description

원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리{TREATING SURFACE OF SUBSTRATE USING INERT GAS PLASMA IN ATOMIC LAYER DEPOSITION}
본 발명은 기판의 표면을 불활성 기체의 라디칼(radical)로 처리함으로써 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 수행하는 공정의 증착율을 증가시키는 것에 대한 것이다.
일반적으로, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 위한 반응기는 원료전구체(source precursor) 및 반응전구체(reactant precursor)를 교대로 기판상에 주입한다. ALD는 화학흡착층(chemisorbed layer)의 결합력이 물리흡착층(physisorbed layer )의 결합력과 상이한 것을 이용한다. ALD에서는, 전구체가 기판의 표면상에 흡착되고 불활성 기체로 퍼지(purge)된다. 그 결과, (반 데르 발스(Van der Waals) 힘에 의하여 결합된) 전구체의 물리흡착 분자들은 기판으로부터 탈착된다. 그러나, 전구체의 화학흡착 분자들은 공유 결합되며, 따라서, 이들 분자들은 기판에 강하게 흡착되어 기판으로부터 탈착되지 않는다. ALD는 (기판에 흡착된) 전구체의 화학흡착 분자가 반응전구체에 의하여 반응 및/또는 치환되는 특성을 이용하여 수행된다.
보다 구체적으로는, 원료전구체가 챔버 내로 주입되어 원료전구체가 기판상에 과잉 흡착된다. 다음으로, 퍼지 기체의 주입 및/또는 챔버의 펌핑(pumping)에 의하여 과잉 전구체 또는 물리흡착 분자가 제거되어, 기판상에는 화학흡착 분자만이 남게 된다. 화학흡착 분자는 단일 분자층이 된다. 이후, 반응전구체(또는 치환제)가 챔버 내로 주입된다. 다음으로, 퍼지 기체의 주입 및/또는 챔버의 펌핑에 의하여 과잉 전구체 또는 물리흡착 분자가 제거되어, 최종 원자층이 얻어진다.
ALD에서, 이들 4개의 공정(즉, 원료전구체의 주입, 퍼지, 반응전구체의 주입 및 또 한번의 퍼지)으로 이루어지는 기본 단위 공정이 통상 사이클(cycle)로 지칭된다. 포화 상태의 화학흡착층이 얻어지는 경우, 사이클 당 약 1Å의 증착율이 얻어진다. 그러나, 전구체가 포화 상태로 기판상에 흡착되지 않을 경우, 증착율은 사이클 당 약 1Å 보다 느려지게 된다. 물리흡착 분자가 완전히 제거되지 않고 물리흡착 분자의 일부가 기판상에 남아 있을 경우, 증착율은 증가된다.
단일 사이클당 하나의 얇은 층만이 얻어지므로, 필요한 두께의 층을 얻기 위해서는 여러 번의 ALD 사이클이 수행되어야 한다. 여러 번의 ALD 사이클을 반복하는 것은 관련 제조 시간을 증가시킬 수 있으며, 따라서 제조되는 기판의 전반적인 수율을 감소시킬 수 있다. 그러므로, 단일 ALD 사이클에서 증착되는 층의 두께를 증가시키는 공정의 개발이 요구된다.
공개특허공보 제10-2008-0067042호 공개특허공보 제10-2006-0117607호 등록특허공보 제10-0771926호
기판의 표면을 후속 물질에 노출시키기 전에 표면을 불활성 기체의 라디칼(radical)에 노출시키는 물질 층의 증착이 개시된다.
실시예들은, 기판의 표면을 후속 물질에 노출시키기에 앞서 불활성 기체의 라디칼(radical)에 노출시킴으로써, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 것에 대한 것이다. 표면을 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, 표면은 표면이 노출된 후속 물질을 끌어당기고 결합하기 쉬운 특성을 나타내게 된다. 따라서, 기판을 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써 증착율이 증가된다.
일 실시예에서, 기판이 제1 물질에 노출되고 이후 제2 물질에 노출되어 막이 형성된다. 제1 물질은 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)의 원료전구체(source precursor)일 수 있다. 제2 물질은 ALD의 반응전구체(reactant precursor)일 수 있다. 기판은 불활성 기체의 라디칼에 노출되고 이후 제3 물질에 노출된다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 불활성 기체의 라디칼의 적어도 일부는 기판상에 주입된 후 불활성 상태로 되돌아간다. 이와 같이 되돌아간 기체는, 과잉의 제2 물질을 기판의 표면으로부터 제거하는 퍼지(purge) 기체의 기능을 한다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 물질은 트리메틸알루미늄(trimethylaluminium)을 포함하고, 제2 물질은 O* 라디칼을 포함한다. 트리메틸알루미늄 및 O* 라디칼에 대한 노출의 결과, 표면상에 Al2O3 막이 형성된다.
일 실시예에서, 기판의 표면이 원료전구체에 노출된 후 반응전구체에 노출되기 전에, 기판의 표면은 표면상의 과잉 원료전구체를 제거하기 위한 퍼지 기체에 노출된다. 또한, 기판의 표면이 반응전구체에 노출된 후 불활성 기체의 라디칼에 노출되기 전에, 기판의 표면은 표면상의 과잉 반응전구체를 제거하기 위해 퍼지 기체에 노출된다.
일 실시예에서, 기판의 표면은 불활성 기체의 라디칼에 노출된 후 6초 내에 제3 물질에 노출된다.
일 실시예에서, 기판은 서셉터(susceptor)상에 위치되며, 제1 물질, 제2 물질, 불활성 기체의 라디칼 및 제3 물질에 노출되도록 진공 챔버 내에서 이동된다.
일 실시예에서, 표면이 후속 물질에 노출되기 전에 불활성 기체의 라디칼에 노출되면서 하나 이상의 물질 층을 증착함으로써 제조물품(article)이 제조된다.
실시예들은 또한, 기판의 표면을 후속 물질에 노출시키기 전에 표면을 불활성 기체의 라디칼에 노출시키는, 하나 이상의 물질 층을 증착하기 위한 장치에 대한 것이다. 후속 물질은 ALD 공정을 수행하기 위한 원료전구체일 수 있다.
기판의 표면을 불활성 기체의 라디칼(radical)로 처리함으로써 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 수행하는 공정의 증착율을 증가시킨다.
도 1은, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마(remote plasma) 보조(assisted) 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)을 수행하는 방법을 도시하는 순서도이다.
도 2는, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 보조 ALD를 수행하기 위한 장치를 도시하는 개략도이다.
도 3은, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 생성기를 포함하는 주입기의 단면도이다.
도 4는, 일 실시예에 따른, 동축(coaxial) 원격 플라즈마 생성기 및 퍼지(purge) 기체 주입기를 포함하는 주입기의 단면도이다.
도 5는, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 생성기 및 퍼지 기체 주입기를 포함하는 주입기의 단면도이다.
도 6은, 일 실시예에 따른, 주입기들의 배치를 도시하는 도면이다.
본 명세서의 실시예들은 첨부된 도면을 참조로 설명된다. 그러나, 본 명세서에서 기술되는 원칙들은 많은 상이한 형태로 구현될 수 있으며 본 명세서에서 기재된 실시예들에 한정되지 않는다. 명세서에서, 실시예들의 특징을 명확하게 하기 위하여 잘 알려진 특징 및 기술에 대한 불필요한 설명은 생략한다.
도면에서 유사한 참조 번호는 유사한 구성요소들을 나타낸다. 도면의 형상, 크기 및 영역 등은 알기 쉽도록 과장될 수 있다.
실시예들은, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD)에서 기판에 원자층이 증착되기에 앞서 기판의 표면을 불활성 기체(inert gas)의 라디칼(radical)에 의하여 처리하는, 기판상에 하나 이상의 원자층을 증착하는 것에 대한 것이다. 표면을 불활성 기체의 라디칼에 노출시키면, 증착된 층의 표면 상태가 후속하는 원료전구체(source precursor) 분자를 끌어들여 결합하기 쉬운 상태로 바뀌는 것으로 확인된다. 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, 증착율이 증가되고 증착된 층의 특성이 향상될 수 있다.
본 명세서에서 원자층 증착(ALD)이란, 표면을 기체 상태의 일련의 화학 물질에 노출시킴으로써 표면상에 얇은 층을 증착하는 공정을 지칭한다.
본 명세서에서 원료전구체란, ALD를 이용하여 층을 형성하기 위해 다른 화학 물질(즉, 반응전구체(reactant precursor))에 앞서 표면에 주입되는 화학 물질을 지칭한다.
본 명세서에서 반응전구체란, ALD를 이용하여 층을 형성하기 위해 다른 화학 물질(즉, 원료전구체) 후에 표면에 주입되는 화학 물질을 지칭한다.
본 명세서에서 기판이란, 물질의 층이 증착되기 위한 노출된 표면을 갖는 물체를 지칭한다. 기판은 평평한 표면 또는 비평탄면(예컨대, 곡면)을 가질 수 있다. 기판은 견고하거나(예컨대, 반도체 웨이퍼(wafer)) 또는 유연할(예컨대, 직물(textile)) 수 있다. 기판은 다양한 형상 및 구성(예컨대, 원 형상 또는 튜브형상)을 가질 수 있다.
도 1은, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마(remote plasma) 보조 ALD를 수행하기 위한 방법을 도시하는 순서도이다. 먼저, 원료전구체가 기판의 표면상에 주입되어(110) 기판의 표면상에 전구체의 층을 형성한다. 다음으로 퍼지(purge) 기체(예컨대, 불활성 기체)가 기판의 표면상에 주입되어, 물리흡착된 원료전구체 분자를 표면으로부터 제거하고 화학흡착된 원료전구체 분자를 기판상에 남긴다.
이후 반응전구체가 기판의 표면상에 주입된다(118). 기판은 다시 퍼지 기체(예컨대, 불활성 기체)에 노출되어 여분의 반응전구체가 표면으로부터 제거된다(122). 반응전구체의 분자는 원료전구체 분자와 반응 및/또는 치환하여 증착된 물질의 층을 형성한다. 퍼지 기체는 물리흡착된 반응전구체 분자를 표면으로부터 제거하고 증착된 물질의 층만을 남긴다.
이후 기판이 불활성 기체(예컨대, Ar)의 라디칼을 거쳐 표면 처리가 수행된다(128). 라디칼은 기판으로부터 떨어진 플라즈마 생성기에서 생성된다(따라서, 상기 공정은 "원격 플라즈마 보조 ALD"로 지칭된다). 기판으로부터 떨어진 위치에서 라디칼을 생성하는 것은, 다른 점들 중에서도, 기판이 기판상에 형성된 다른 장치를 손상시키거나 이에 영향을 미칠 수 있는 전류에 노출되지 않는 점에서 이점이 있다.
표면을 불활성 기체의 라디칼에 의하여 처리함으로써 기판 표면상의 증착 층의 분자들은, 불활성 기체의 라디칼에 노출되지 않은 증착 층과 비교하여, 더 많은 원료전구체 분자를 끌어당기고 결합하는 불포화 결합(dangling bond)을 갖게 되는 것으로 나타난다. 불포화 결합은 뒤이어 표면에 주입된 원료전구체 분자의 흡착을 용이하게 하며, 따라서, ALD의 후속 사이클의 증착율을 증가시킨다.
증착 층의 두께가 목적하는 것보다 얇을 경우, 공정은 기판 표면에 원료전구체를 주입하는 단계(110)로 되돌아간다. 기판 표면에 주입하는 단계(110)로부터 불활성 기체의 라디칼을 이용한 표면 처리를 수행하는 단계(126)까지의 단계들은 목적하는 두께의 증착 층이 얻어질 때까지 다수의 사이클만큼 반복될 수 있다. 최종 층이 증착된 후 마지막 사이클에서 불활성 기체의 라디칼을 이용하여 표면 처리를 수행하는 단계(126)는 생략될 수 있다.
불활성 기체의 라디칼에 의해 처리된 기판의 표면은 조속히 원료전구체에 노출시키는 것이 유리하다. 불활성 기체의 라디칼에 노출된 후 라디칼에 의하여 처리된 기판의 특성은 이전(라디칼에 노출되기 전) 상태로 되돌아가기 시작한다.
표면이 이전 상태로 되돌아가는 시간과, 이러한 회귀(reversal) 공정이 일어나는 속도는 공정 챔버 내의 잔여 불순물의 정도와 같은 요인들에 의존한다. 공정 챔버가 높은 진공 상태에 있을 경우, 처리된 표면과 상호작용할 잔여 불순물이 적으므로 표면 처리가 오랜 기간 지속되며 느린 속도로 되돌아가는 경향이 있다. 반면, 반응 챔버가 낮은 진공 상태에 있을 경우, 더 많은 잔여 불순물들이 처리된 표면과 반응할 수 있으므로, 처리된 표면이 높은 속도로 더 빨리 이전 상태로 되돌아가게 된다. 하나 이상의 실시예에서, 공정 챔버는 1mTorr 이하의 진공 상태로 유지된다. 이러한 진공 상태의 정도에서, 불활성 기체의 라디칼에 의해 처리된 표면이 10초 내에 원료전구체에 노출된다. 몇몇 실시예에서, 라디칼에 의하여 처리된 표면은 3초 내에 원료전구체를 거치게 된다.
일 실시예에서, 불활성 기체의 라디칼을 이용한 표면 처리를 수행하는 단계(126) 전에, 원료전구체를 주입하는 단계(110)로부터 반응전구체를 제거하는 단계(122)까지의 단계들이 여러 번 반복된다. 기판상에 원료전구체를 여러 번 주입함으로써, 기판에서 원료전구체의 보다 복합적인 흡착이 이루어질 수 있다. 이와 같은 여러 번의 주입은 TiCl4와 같이 기판에 잘 흡착되지 않는 물질에 있어 더욱 유리하다.
기판을 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, (i) 증착율을 증가시키고, (ii) 증착된 막의 밀도를 증가시키며, (iii) 증착된 막의 질을 향상시키고(예컨대, 증착된 막의 굴절율 향상), (iv) 증착된 막의 어닐링(annealing) 효과를 달성할 수 있는 이점이 있으나, 이점들이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에 도시된 공정은 도 2에 도시된 장치(200)에서 수행될 수 있다. 도 2는, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 보조 ALD를 수행하기 위한 장치(200)의 개략도이다. 장치(200)는, 비 한정적인 구성 요소로서, 제1 주입기(210), 제2 주입기(220), 진공 게이지(vacuum gauge)(214), 서셉터(susceptor)(230), 및 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma; ICP)형 원격 플라즈마 생성기(250)를 포함한다. 이들 구성요소들은 적어도 부분적으로 챔버(228)에 의하여 둘러싸여 있다. 서셉터(230)는 하나 이상의 기판(270)을 고정하기 위한 리세스(recess)를 갖는다. 일 실시예에서, 2인치 기판 및/또는 3인치 기판을 수용하기 위해 각각의 리세스의 깊이는 0.5 mm이다. 서셉터(230)는 서셉터(230) 아래에 위치하는 모터(234)(및 기어)를 이용하여 회전된다. 서셉터(270)는 원 형상일 수도 있으며 또는 다른 형상(예컨대, 사각형)을 가질 수도 있다.
장치(200)에서, 기판이 주입기(210, 220)를 통과함에 따라 기판(270)은 상이한 화학 물질(예컨대, 원료전구체, 반응전구체, 퍼지 기체 및 불활성 기체의 라디칼)에 노출된다. 전체 챔버(228)를 펌핑하여 비우고 상이한 화학 물질을 주입하는 것과 비교하면, 기판(270)과 주입기(210, 220)의 상대적인 이동에 의하여 층들을 더 빠르게 증착할 수 있으며 증착된 층의 높은 균일도의 품질을 유지하면서 공정에 사용되는 화학 물질을 줄일 수 있다.
제1 주입기(210)는 제1 주입기(210) 아래를 통과하는 기판(270)상에 하나 이상의 원료전구체, 반응전구체 및 불활성 기체의 라디칼을 주입하여 기판(270)상에 하나 이상의 분자 층을 증착할 수 있다. 제2 주입기(220) 또한 기판(270)상에 하나 이상의 원료전구체, 반응전구체 및 불활성 기체의 라디칼을 주입한다. 일 실시예에서, 제2 주입기(220)는 불활성 기체의 라디칼을 주입함으로써 도 1의 단계(126)을 수행한다. 이를 위하여, 제2 주입기는 도 3을 참조하여 후술하는 것과 같은 원격 플라즈마 생성기를 포함한다. 주입기(210, 220)는 챔버(228) 내에 에워싸여 위치하며 챔버(228)는 챔버(228) 내의 기체를 외부로 펌핑함으로써 진공 상태로 유지된다. 진공 게이지(214)가 챔버(228) 내의 압력을 측정한다.
ICP 원격 플라즈마 생성기(250)는, 비 한정적인 구성 요소로서, 석영 튜브(254) 및 플라즈마를 생성하기 위해 석영 튜브(254) 주위에 감겨진 코일(258)을 포함할 수 있다. ICP 원격 플라즈마 생성기(250)는 기체를 수용하며 코일에 전류를 인가함으로써 플라즈마를 생성한다. ICP 원격 플라즈마 생성기 외에 다양한 다른 형태의 플라즈마 생성기가 사용될 수도 있다.
서셉터(230)가 회전함에 따라, 기판(270)은 제1 주입기(210) 및 제2 주입기(220)의 아래를 차례로 통과하고 최종적으로 라디칼 처리를 위한 석영 튜브(63)의 아래를 통과한다. 기판(270)이 주입기(210)의 아래를 통과함에 따라, 기판(270)은 먼저 원료전구체에 노출된다. 원료전구체의 일부는 기판(270)의 표면 또는 기판(270)에 사전에 증착된 층상에 흡착된다. 이후, 기판(270)이 퍼지 기체(예컨대, 아르곤)에 노출되어 과잉 원료전구체 분자가 표면으로부터 제거된다. 과잉 원료전구체란 기판(270) 또는 증착된 층상에 (화학흡착되지 않고)물리흡착된 원료전구체 분자를 지칭한다. 기판(270)이 더 회전함에 따라, 기판(270)이 반응전구체에 노출되어 기판상에 원자층이 형성된다.
기판(270)에는 과잉 반응전구체 분자를 기판(270) 표면으로부터 제거하기 위한 퍼지 기체가 더 주입될 수 있다. 과잉 반응전구체란, 기판(270) 또는 증착된 층상에 (화학흡착되지 않고)물리흡착된 반응전구체 분자를 지칭한다.
또는, 반응전구체가 제1 주입기(210) 대신 제2 주입기(220)에 의하여 제공될 수도 있다. 서셉터(270)는 도 1에 화살표로 지시된 방향으로 회전할 수 있으나, 이의 역 방향으로 회전하거나 또는 회전 방향을 교대하면서 기판을 상이한 물질에 노출시킬 수도 있다. 일 실시예에서, 제1 주입기(210)는 도 1에 도시된 단계(110) 내지 단계(122)를 수행한다.
서셉터(230)가 더 회전함에 따라, 기판(270)은 제1 주입기(220) 아래를 통과한다. 제2 주입기(220)는 불활성 기체(예컨대, Ar)의 라디칼 및/또는 반응제를 기판(270)의 표면상에 주입한다. 반응제는 기판상에 증착된 원료전구체 물질과 반응하거나 또는 원료전구체 물질을 치환하여 증착된 물질의 층을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 주입기(220)는 불활성 기체의 라디칼을 생성하기 위해 동축(coaxial) 용량형(capacitive type) 플라즈마 생성기를 포함하며, 이는 도 3을 참조하여 상세히 후술한다. 동축 용량형 플라즈마 생성기 대신 유도 결합 플라즈마(induction coupled plasma; ICP)와 같은 다른 형태의 플라즈마 생성기가 사용될 수도 있다. 이어서, 기판(270)은 ICP 원격 플라즈마 생성기에 의하여 생성된 플라즈마에 의하여 처리되거나 또는 처리되지 않을 수 있다. 다음으로, 기판(230)이 더 회전함에 따라, 기판(270)은 다시 제1 주입기(210)의 아래를 통과하여 ALD의 또 다른 사이클을 거치게 된다.
상기 공정은 다른 형태의 장치에서 수행될 수도 있다. 회전하는 서셉터를 사용하는 대신, 서셉터가 전후로 선형 이동하면서 물질의 여러 층이 증착될 수도 있다. 또는, 주입기는 곡면상에 물질 층을 증착하도록 적용되는 튜브형(tubular form)일 수도 있다.
도 3은, 일 실시예에 따른, 도 2의 주입기(220)의 단면도이다. 주입기(220)는, 비 한정적인 구성 요소로서, 몸체(310), 외부 전극(320) 및 내부 전극(330)을 포함할 수 있다. 외부 전극(320) 및 내부 전극(330) 사이에는 밸브(V1, V2, V3)를 통해 기체가 주입되는 공동(cavity)(340)이 형성된다. 공동(120)에 공급되는 기체는 밸브(V1, V2)를 열고 닫음으로써 변화될 수 있으며, 불활성 기체(Ar)나, O2, H2 또는 NH3와 같은 반응제 기체를 포함할 수 있다. 밸브(V3)는 공동(340) 내로의 기체의 유량(flow rate)을 제어한다.
양 전극(320, 330)은 주입기(220)의 길이 방향을 따라 연장된다. 각각의 전극(320, 330)은 고압 소스의 상이한 단자에 결합되어 있다. 일 실시예에서, 외부 전극(320)과 내부 전극(330) 사이에 500V 내지 1500V의 전압이 인가되어 공동(340) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마는 슬릿(350)을 통과하여 주입 공동(360) 내로 주입된다. 슬릿(350)의 폭은 2mm 이상일 수 있다. 공동(340)의 하단과 제2 주입기(220) 아래를 통과하는 기판(270) 사이의 거리는 대략 15mm 내지 20 mm일 수 있다. 외부 전극(320)의 직경은 약 10 내지 20 mm이다.
주입기(220)는 공동(340) 내에 불활성 기체(예컨대, Ar)를 수용할 수 있다. 내부 및 외부 전극(320, 330) 사이에 전압이 인가될 경우, 불활성 기체의 라디칼(예컨대, Ar*)이 공동(340) 내에 생성된다. 이후 불활성 기체의 라디칼이 슬릿(350)을 통해 주입되어 기판의 표면을 처리한다.
주입기(220)는 불활성 기체 대신 O2, H2 또는 NH3와 같은 반응제 기체를 수용하여 반응제 기체의 라디칼(예컨대, O* 라디칼, H* 라디칼 또는 N* 라디칼)을 생성할 수도 있다.
기판(270)의 일부가 주입 공동(360)을 통과하는 동안, 상기 기판(270)의 일부는 불활성 기체 또는 반응제 기체의 라디칼에 노출된다. 라디칼이 공동(340)을 통해 기판상에 주입된 후, 라디칼은 협착(constriction) 영역(364)을 통과한 후 주입기(220)의 몸체(310)에 형성된 배기 영역(368)을 통해 배기된다. 이때 짧은 수명을 갖는 라디칼(예컨대, Ar* 라디칼, H* 라디칼 또는 N* 라디칼)은 이들 라디칼이 불활성 상태로 돌아간 후 퍼지 기체의 기능을 할 수도 있다. 기판의 표면에 흡착된 반응제 분자 또는 라디칼의 적어도 일부는, 협착 영역(364)을 통과하는 라디칼에 의하여 기판으로부터 탈착된다. 즉, 기판의 표면상에 주입된 후, 라디칼들은 짧은 기간 후에 불활성 상태로 돌아갈 수 있다. 이후 불활성 기체는 기판의 표면으로부터 과잉 반응제를 제거하는 퍼지 기체의 기능을 할 수 있다.
도 4는, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 생성기(414) 및 기체 주입기(450)를 갖는 주입기(400)를 도시하는 단면도이다. 불활성 기체(예컨대, Ar 또는 He)가 밸브(V2)를 통해 원격 플라즈마 생성기(414) 내로 주입되는 동안, O2, N2O, H2 및 NH3와 같은 불활성 기체 반응전구체 기체가 밸브(V1)를 통해 원격 플라즈마 생성기(414) 내로 주입된다. 일 실시예에서, 원격 플라즈마 생성기(414)로 공급되는 기체는 밸브(V1) 및 밸브(V2)를 켜거나 끄도록 제어함으로써 교대된다. 원격 플라즈마 생성기(414)는 내부 전극(410) 및 외부 전극(420)을 포함한다. 내부 전극(410) 및 외부 전극(420) 사이에는, 밸브(V3)를 통해 주입된 기체를 수용하기 위한 공동(cavity)(430)이 형성된다. 밸브(V3)는 반응전구체 및 불활성 기체가 혼합된 기체의 공동(430) 내로의 공급을 제어한다.
반응전구체의 라디칼이 원격 플라즈마 생성기(414)에서 생성될 경우, 반응전구체 기체의 라디칼이 슬릿(440)을 통해 기판상에 공급되어 공동(462)을 통해 기판(270)에 흡착된다. 반응전구체 기체가 협착 영역(464)을 통과함에 따라, 기판(270)에 흡착된 반응전구체 분자 또는 라디칼의 일부가 벗겨져 배기부(466)를 통해 배출된다. 도 3을 참조하여 상세히 전술한 것과 같이, 불활성 기체의 라디칼이 원격 플라즈마 생성기(414)에서 생성되면, 라디칼은 표면 처리를 수행한 후 불활성 상태로 돌아가 퍼지 기체의 기능을 할 수 있다.
기체 주입기(450)는 퍼지 기체 또는 다른 기체를 기판(270)의 표면상에 주입한다. 밸브(V4) 및 밸브(V5)는 기체 주입기(450)에 특정 종류의 기체를 제공하도록 켜지거나 꺼진다. 기체 주입기(450)에 제공되는 기체의 양은 밸브(V6)에 의하여 제어될 수 있다. 기체 주입기(450)에 제공되는 기체는, 예컨대, 원료전구체, 반응전구체 또는 퍼지 기체를 포함한다. 기체 주입기(450)는 길이 방향으로 연장되고 다수의 홀 또는 슬릿(476)을 통해 공동(470) 내로 기체를 제공하기 위한 기체 채널(474)을 갖는다. 기판(270)의 표면상에 주입된 퍼지 기체는 원격 플라즈마 생성기(414)에 의하여 제거되지 않은 과잉 원료전구체, 반응전구체 또는 라디칼을 더 제거한다.
퍼지 기체가 기체 주입기(450)에 제공되면, 기체 주입기(450)는 퍼지 동작을 수행하여 기판(270) 부분이 협착 영역(468)을 통과하는 동안 기판(270) 부분으로부터 반응전구체 분자 또는 원료전구체 분자를 제거할 수 있다. 과잉 기체는 배기 영역(466)을 통해 배출된다.
도 5는, 일 실시예에 따른, 원격 플라즈마 생성기(510) 및 퍼지 기체 주입기(520)를 갖는 주입기(500)를 도시하는 단면도이다. 주입기(500)는 배기부(544)가 주입기의 끝에 제공되며 협착 영역이 도 3a의 실시예에서에 비해 더 큰 점을 제외하면 주입기(400)와 유사하다. 주입기(500)는, 비 한정적인 구성요소로서, 서로 인접한 플라즈마 생성기(510) 및 기체 주입기(520)를 포함할 수 있다. 주입기(500) 내에는, 공동(532), 협착 영역(536, 538), 공동(540), 협착 영역(542) 및 배기부(544)가 주입기의 아래 부분에 순차적으로 형성된다.
원격 플라즈마 생성기(510)는 불활성 기체의 라디칼을 생성하고 기판(270)이 도 5의 좌측으로부터 우측으로 이동하는 동안 공동(532) 아래를 통과하는 기판(270) 부분의 표면 처리를 수행한다. 불활성 기체의 라디칼은 불활성 기체가 협착 영역(536, 538)을 통과하는 시간 정도에 불활성 상태로 되돌아가, 협착 영역(536, 538)의 아래를 통과하는 기판(270) 부분으로부터 과잉 라디칼을 제거한다. 기체 주입기(520)는 기판(270)의 표면에 추가적인 불활성 기체를 제공하여 기판(270) 표면으로부터 과잉 분자 또는 라디칼을 더 제거한다.
일 실시예에서, 공동(532) 내의 압력은 공동(540) 내의 압력보다 커 기체가 다시 공동(532) 내로 흘러들어오는 것을 방지한다. 또는, 홀(440)을 통한 기체의 유량이 홀(476)을 통한 기체의 유량보다 커야 한다.
도 6은, 일 실시예에 따른, 기판상에 증착 층을 형성하기 위한 주입기(600, 610)를 도시하는 도면이다. 주입기(600)는 두 개의 기체 주입기(602, 606)를 포함하며, 이들 각각은 기체 채널 및 다수의 슬릿을 갖는 몸체를 갖는다. 기판이 기체 주입기(602) 아래를 통과함에 따라, 원료전구체(예컨대, 트리메틸알루미늄(Trimethylaluminium; TMA))이 기판(270)상에 주입된다. 그 결과 원료전구체는 부분적으로 기판(270)에 흡착된다. 일 실시예에서, 원료전구체(예컨대, TMA)를 주입하기 위한 캐리어 기체로 아르곤이 사용된다. 아르곤 기체는 10 sccm으로 제공되며, 3℃ 온도의 캐니스터(canister)에 저장된다. 기판이 기체 주입기(606) 아래를 통과함에 따라, 기판(270)은 퍼지 기체(예컨대, Ar)를 거쳐 과잉 원료전구체가 기판(270)으로부터 제거된다.
주입기(610)의 원격 플라즈마 생성기(612)에는, 원격 플라즈마 생성기(612)의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 라디칼(예컨대, O* 라디칼)을 생성하기 위한 기체(예컨대, O2)가 제공된다. 주입기(612)에서 생성된 라디칼은 반응전구체의 기능을 한다. 일 실시예에서, 50W 내지 200W에서 1000V의 전압이 원격 플라즈마 생성기(612)의 전극 사이에 인가된다. 라디칼은 원격 플라즈마 생성기(612) 내에서 형성되어 기판(270)상에 주입된다. 원격 플라즈마 생성기(612)로부터의 라디칼이 기판(270)상의 원료전구체 분자와 반응하거나 이를 치환함으로써, 증착 층(예컨대, Al2O3)이 기판(270)상에 형성된다.
이후 증착 층을 갖는 기판(270)은 주입기(610)의 제2 원격 플라즈마 생성기(616)를 거친다. 제2 원격 플라즈마 생성기(616)는 제2 플라즈마 생성기(616)의 두 전극 사이에 전압을 인가함으로써 불활성 기체(예컨대, Ar)의 플라즈마를 생성한다. 기판(270)을 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써, 기판의 표면 상태가 변화하며, 예컨대, 결합을 끊고 이들 분자들이 불포화 결합(dangling bond)을 갖도록 한다. 증착 층으로서 Al2O3의 예를 들면, 불활성 기체의 라디칼에 노출시킴으로써 Al-O 결합이 끊어진다. 따라서, 다음 사이클에서 기판(270)에 다시 주입기(602)에 의하여 원료전구체가 주입될 경우, 표면의 흡착 계수 및 반응 계수가 증가한다. 흡착 계수 및 반응 계수의 증가는 ALD의 증착율의 증가로 이어진다. 또한, 기판(270)의 표면을 처리함으로써 형성된 층들은 더 우수한 품질(예컨대, 밀도)을 갖는다.
하나 이상의 실시예에서, 불활성 기체의 라디칼에 의해 표면이 처리된 후 기판(270)에는 6초 내에 원료전구체가 주입된다. 몇몇 실시예에서, 불활성 기체의 라디칼에 의해 표면이 처리된 후 기판(270)에는 3초 내에 원료전구체가 주입된다. 짧은 시간 내에 기판(270)을 원료전구체에 노출시킴으로써, 기판(270)의 표면이 높은 흡착 계수 및 반응 계수를 유지하는 동안 기판(270)의 표면이 원료전구체에 노출된다. 증가된 흡착 계수 및 반응 계수는 높은 증착율에 기여한다.
나아가, 표면을 불활성 기체의 라디칼로 처리함으로써 형성된 ALD 층은, 불활성 기체의 라디칼에 의한 표면 처리 없이 형성된 ALD 층과 비교하여 다른 유리한 특성을 나타낸다. 예를 들어, Ar 기체의 라디칼에 의해 표면을 처리하여 형성된 Al2O3는, Ar 기체의 라디칼에 의한 표면 처리 없이 형성된 Al2O3와 비교하여 더 높은 밀도 및 더 높은 광학 굴절률을 갖는다.
본 발명은 몇몇 실시예와 관련하여 기술되었으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술은 본 발명의 범위를 단지 예시적으로 나타내고 이를 한정하는 것으로 의도되지 않으며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 기술된다.

Claims (13)

  1. 기판의 표면의 부분을 제1 물질에 노출시키는 단계;
    상기 제1 물질에 노출시킨 후 상기 기판의 표면의 상기 부분을 제2 물질에 노출시키는 단계;
    주입기에 형성되며 상기 기판의 표면으로부터 이격되어 위치한 챔버 내에, Ar* 라디칼 및 H* 라디칼 중 하나 이상을 포함하는, 불활성 기체의 라디칼을 생성하는 단계;
    상기 기판의 표면의 상기 부분을 상기 제1 물질 및 상기 제2 물질에 노출시킨 후 상기 챔버에 연결된 상기 주입기의 주입 공동을 통해 상기 불활성 기체의 라디칼을 상기 기판의 표면의 상기 부분상에 주입하는 단계로서, 상기 주입 공동 아래의 처리 영역에 위치하는 상기 기판의 표면의 상기 부분을 처리하기 위한, 상기 불활성 기체의 라디칼을 상기 기판의 표면의 상기 부분상에 주입하는 단계;
    상기 불활성 기체의 라디칼로부터 불활성 상태로 되돌아간 퍼지 기체를 상기 기판의 표면 위의 상기 퍼지 기체의 흐름이 협착되는 크기를 갖는 협착 영역에 통과시킴으로써 상기 기판의 표면으로부터 과잉 제2 물질을 제거하는 단계로서, 상기 협착 영역은 상기 챔버로부터 상기 처리 영역보다 더 멀리 위치하는, 상기 기판의 표면으로부터 과잉 제2 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 기판의 상기 부분을 상기 불활성 기체의 라디칼에 노출시킨 후, 처리된 상기 기판의 표면을 제3 물질에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 물질은 상기 제1 물질과 동일한 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 물질 및 상기 제3 물질은 원자층 증착을 위한 원료전구체이며,
    상기 제2 물질은 원자층 증착을 위한 반응전구체인 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 물질은 원료전구체를 포함하며,
    상기 제2 물질은 상기 원료전구체와 반응하여 박막을 형성하는 라디칼을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 표면을 상기 제1 물질에 노출시킨 후 상기 표면을 상기 제2 물질에 노출시키기 전에, 상기 표면상의 과잉 제1 물질을 제거하기 위해 상기 기판의 표면을 제2 퍼지 기체에 노출시키는 단계; 및
    상기 표면을 상기 제2 물질에 노출시킨 후 상기 표면을 불활성 기체의 라디칼에 노출시키기 전에, 상기 표면상의 과잉 제2 물질을 제거하기 위해 상기 표면을 제3 퍼지 기체에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 표면은 상기 불활성 기체의 라디칼에 노출된 후 6초 내에 상기 제3 물질에 노출되는 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    진공 챔버 내에서 상기 기판이 장착된 서셉터를 회전시키는 단계를 더 포함하되,
    상기 서셉터가 상기 기판과 함께 회전하는 동안 상기 기판의 표면이 상기 제1 물질, 상기 제2 물질, 상기 불활성 기체의 라디칼 및 상기 제3 물질에 노출되는 것을 특징으로 하는, 기판상에 하나 이상의 물질 층을 증착하는 방법.
  8. 기판의 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품으로서, 상기 하나 이상의 물질 층은,
    상기 기판의 표면의 부분을 제1 물질에 노출시키는 단계;
    상기 제1 물질에 노출시킨 후, 상기 기판의 표면의 상기 부분을 제2 물질에 노출시키는 단계;
    주입기에 형성되며 상기 기판의 표면으로부터 이격되어 위치한 챔버 내에, Ar* 라디칼 및 H* 라디칼 중 하나 이상을 포함하는, 불활성 기체의 라디칼을 생성하는 단계;
    상기 기판의 표면의 상기 부분을 상기 제1 물질 및 상기 제2 물질에 노출시킨 후 상기 챔버에 연결된 상기 주입기의 주입 공동을 통해 상기 불활성 기체의 라디칼을 상기 기판의 표면의 상기 부분상에 주입하는 단계로서, 상기 주입 공동 아래의 처리 영역에 위치하는 상기 기판의 표면의 상기 부분을 처리하기 위한, 상기 불활성 기체의 라디칼을 상기 기판의 표면의 상기 부분상에 주입하는 단계;
    상기 불활성 기체의 라디칼로부터 불활성 상태로 되돌아간 퍼지 기체를 상기 기판의 표면 위의 상기 퍼지 기체의 흐름이 협착되는 크기를 갖는 협착 영역에 통과시킴으로써 상기 기판의 표면으로부터 과잉 제2 물질을 제거하는 단계로서, 상기 협착 영역은 상기 챔버로부터 상기 처리 영역보다 더 멀리 위치하는, 상기 기판의 표면으로부터 과잉 제2 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 기판의 상기 부분을 상기 불활성 기체의 라디칼에 노출시킨 후, 처리된 상기 기판의 표면을 제3 물질에 노출시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제3 물질은 상기 제1 물질과 동일한 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 물질 및 상기 제3 물질은 원자층 증착을 위한 원료전구체이며,
    상기 제2 물질은 원자층 증착을 위한 반응전구체인 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 물질은 원료전구체를 포함하며,
    상기 제2 물질은 상기 원료전구체와 반응하여 박막을 형성하는 라디칼을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 기판의 표면을 상기 제1 물질에 노출시킨 후 상기 표면을 상기 제2 물질에 노출시키기 전에, 상기 표면상의 과잉 제1 물질을 제거하기 위해 상기 표면을 제2 퍼지 기체에 노출시키는 단계; 및
    상기 표면을 상기 제2 물질에 노출시킨 후 상기 표면을 상기 불활성 기체의 라디칼에 노출시키기 전에, 상기 표면상의 과잉 제2 물질을 제거하기 위해 상기 표면을 제3 퍼지 기체에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 표면은 상기 불활성 기체의 라디칼에 노출된 후 6초 내에 상기 제3 물질에 노출되는 것을 특징으로 하는, 표면상에 증착된 하나 이상의 물질 층을 포함하는 제조 물품.
KR1020167014672A 2010-07-22 2011-07-19 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리 KR20160068986A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36690610P 2010-07-22 2010-07-22
US61/366,906 2010-07-22
PCT/US2011/044470 WO2012012381A1 (en) 2010-07-22 2011-07-19 Treating surface of substrate using inert gas plasma in atomic layer deposition

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137004108A Division KR20130062980A (ko) 2010-07-22 2011-07-19 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160068986A true KR20160068986A (ko) 2016-06-15

Family

ID=45493873

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167014672A KR20160068986A (ko) 2010-07-22 2011-07-19 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리
KR1020137004108A KR20130062980A (ko) 2010-07-22 2011-07-19 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137004108A KR20130062980A (ko) 2010-07-22 2011-07-19 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120021252A1 (ko)
KR (2) KR20160068986A (ko)
TW (1) TWI498448B (ko)
WO (1) WO2012012381A1 (ko)

Families Citing this family (245)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100037824A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Plasma Reactor Having Injector
US8470718B2 (en) 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US8851012B2 (en) * 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8770142B2 (en) * 2008-09-17 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Electrode for generating plasma and plasma generator
US8871628B2 (en) * 2009-01-21 2014-10-28 Veeco Ald Inc. Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
WO2010095901A2 (en) 2009-02-23 2010-08-26 Synos Technology, Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
JP5870568B2 (ja) 2011-05-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5644719B2 (ja) * 2011-08-24 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置
JP5712874B2 (ja) 2011-09-05 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5803714B2 (ja) * 2012-02-09 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN104428444B (zh) * 2012-07-13 2016-09-21 盖列姆企业私人有限公司 膜形成装置及方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
SG2013083654A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Methods for depositing films on sensitive substrates
JP5939147B2 (ja) 2012-12-14 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR102195139B1 (ko) 2014-02-20 2020-12-24 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US9133546B1 (en) * 2014-03-05 2015-09-15 Lotus Applied Technology, Llc Electrically- and chemically-active adlayers for plasma electrodes
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6221932B2 (ja) * 2014-05-16 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
FI126315B (en) * 2014-07-07 2016-09-30 Beneq Oy A nozzle head, apparatus and method for subjecting a substrate surface to successive surface reactions
GB201413496D0 (en) * 2014-07-30 2014-09-10 Innovation Ulster Ltd A secondary/downstream or ion free plasma based surface augmentation method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
WO2017171709A1 (en) * 2016-03-28 2017-10-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Dividing printer spits into bursts
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060117607A (ko) 2005-05-13 2006-11-17 오재응 기상 증착 반응기
KR100771926B1 (ko) 2006-03-23 2007-11-01 삼성전자주식회사 플라즈마 화학기상증착을 이용한 카본 폴리머 필름 형성방법
KR20080067042A (ko) 2007-01-15 2008-07-18 최대규 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US6200893B1 (en) * 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
US6416822B1 (en) * 2000-12-06 2002-07-09 Angstrom Systems, Inc. Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
US20040129212A1 (en) * 2002-05-20 2004-07-08 Gadgil Pradad N. Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated
US6972055B2 (en) * 2003-03-28 2005-12-06 Finens Corporation Continuous flow deposition system
US20070087579A1 (en) * 2004-03-31 2007-04-19 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device manufacturing method
US20060019033A1 (en) * 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
KR100773755B1 (ko) * 2004-11-18 2007-11-09 주식회사 아이피에스 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법
US8974868B2 (en) * 2005-03-21 2015-03-10 Tokyo Electron Limited Post deposition plasma cleaning system and method
US8187679B2 (en) * 2006-07-29 2012-05-29 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
US20080260963A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Hyungsuk Alexander Yoon Apparatus and method for pre and post treatment of atomic layer deposition
US11136667B2 (en) * 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US7943527B2 (en) * 2008-05-30 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Surface preparation for thin film growth by enhanced nucleation
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8647722B2 (en) * 2008-11-14 2014-02-11 Asm Japan K.K. Method of forming insulation film using plasma treatment cycles

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060117607A (ko) 2005-05-13 2006-11-17 오재응 기상 증착 반응기
KR100771926B1 (ko) 2006-03-23 2007-11-01 삼성전자주식회사 플라즈마 화학기상증착을 이용한 카본 폴리머 필름 형성방법
KR20080067042A (ko) 2007-01-15 2008-07-18 최대규 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기

Also Published As

Publication number Publication date
US20120021252A1 (en) 2012-01-26
WO2012012381A1 (en) 2012-01-26
TWI498448B (zh) 2015-09-01
KR20130062980A (ko) 2013-06-13
TW201209218A (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160068986A (ko) 원자층 증착에서 불활성 기체 플라즈마를 이용한 기판 표면의 처리
KR101394820B1 (ko) 자기장 보조 증착법
KR101529985B1 (ko) 원자층 증착을 이용한 투과성 기판상의 항균 특성 물질의 증착
US8877300B2 (en) Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US8691669B2 (en) Vapor deposition reactor for forming thin film
JP5674794B2 (ja) 曲面上に薄膜を形成するための蒸着反応器
US8257799B2 (en) Method for forming thin film using radicals generated by plasma
TWI476296B (zh) 在基板上使用自由基之增進的層沈積法
KR101511457B1 (ko) 왕복 서셉터를 갖는 증착 장치를 이용한 층의 증착
US20100037820A1 (en) Vapor Deposition Reactor
US20140030447A1 (en) Deposition of Graphene or Conjugated Carbons Using Radical Reactor
US20150104574A1 (en) Fast atomic layer deposition process using seed precursor
US20120213947A1 (en) Depositing thin layer of material on permeable substrate
US20170107614A1 (en) Multi-Step Atomic Layer Deposition Process for Silicon Nitride Film Formation
KR20210096256A (ko) 펄스형 박막 증착 방법
KR101076172B1 (ko) 기상 증착 반응기
US20080305646A1 (en) Atomic layer deposition
US20160032452A1 (en) Atomic Layer Deposition Method Using Source Precursor Transformed by Hydrogen Radical Exposure
CN114651087A (zh) 成膜方法及成膜装置
KR100941109B1 (ko) 자기조립 다층 분자막의 제조방법
KR100512938B1 (ko) 플라즈마 강화 순환 증착기술을 사용하여 박막을 형성하는방법
KR102600517B1 (ko) 인히비터 패턴을 포함하는 박막 구조체 및 그 제조 방법
KR102536289B1 (ko) 금속 표면 상의 헤테로사이클릭 패시베이션 막의 선택적 증착
KR20240026531A (ko) 실리콘 질화막의 증착방법 및 이를 포함하는 3d 적층형 메모리 소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application