KR20150103153A - 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치 및 흡착 방법 - Google Patents

와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치 및 흡착 방법 Download PDF

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Abstract

와핑(warped)된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치 및 그 흡착 방법으로서, 상기 장치는, 실리콘 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 척(chuck; 100) 및 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리(200)를 가지며, 척(100)은 적어도 3개의 개구(101)를 구비하고, 각 개구(101)는 하나의 흡착 헤드 어셈블리(200)에 대응되며, 여기서 각 흡착 헤드 어셈블리(200)는 척(100)에 고정 연결된 실린더(230), 및 실린더(230)에 활성 연결된 노즐(210)을 포함하고, 노즐(210)은 실린더(230)의 구동 하에 전부 개구(101) 내에 위치하거나 또는 적어도 일부분이 척(100)의 표면 상부에 위치한다. 척(100) 상에 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리(200)를 증가하는 것을 통해, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)을 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 하부 표면 및 척(100)의 상부 표면이 접합될 때까지 흡착 헤드 어셈블리(200)로 흡착하고 연장할 수 있어 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 흡착이 완성된다.

Description

와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치 및 흡착 방법{WARPED SILICON-CHIP ADSORPTION DEVICE AND ADSORPTION METHOD THEREOF}
본 발명은 리소그래피 장치 분야에 관한 것이며, 특히 와핑된 실리콘 웨이퍼 장치 및 그 흡착 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 주로 IC(집적회로기판) 또는 기타 마이크로 장치 제조에 사용된다. 리소그래피 장치를 통해, 다수의 정확하게 정렬된 마스크에 형성된 서로 다른 마스크 패턴은, 포토레지스트로 코팅된 실리콘 웨이퍼, 예를 들어 반도체 실리콘 웨이퍼, LED(발광 다이오드, 영문 명칭: Light Emitting Diode) 액정 패널 상에 노광하여 차례로 이미지가 형성된다.
이미 알려진 리소그래피 장치는 스텝 앤드 리피트 리소그래피 장치 및 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치를 포함한다. 이들 리소그래피 장치 모두 상응하는 장치를 마스크 플레이트 및 실리콘 칩으로 하는 캐리어를 구비한다. 마스크 플레이트 또는 실리콘 칩이 내장된 캐리어는 정확한 상호 운동을 통해 리소그래피의 요구를 충족시킨다. 상기 마스크 플레이트의 캐리어는 플레이트 지지대로 불리며, 실리콘 웨이퍼의 캐리어는 웨이퍼 지지대로 불린다. 플레이트 지지대 및 웨이퍼 지지대는 각각 리소그래피 장치의 마스크 스테이지 서브시스템 및 워크 스테이지 서브시스템에 위치하여 상기 서브시스템의 핵심 모듈로서 작용한다. 플레이트 지지대 및 웨이퍼 지지대의 상호 운동 중에, 마스크 플레이트 및 실리콘 웨이퍼가 최종적으로 확실하게 포지셔닝되는지에 대해 반드시 보장되어야 하며, 즉 마스크 플레이트 및 실리콘 웨이퍼의 6개의 자유도가 모두 한정되는 것을 의미한다.
종래의 웨이퍼 지지대 중에, 실리콘 웨이퍼를 흡착 고정하는데 사용되는 장치는 척(chuck)이라고 불리며, 척은 또한 웨이퍼 지지대의 핵심 부품인 사각 거울의 상부 표면 상에 흡착 및 유지되어, 리소그래피 과정에서 실리콘 웨이퍼가 워크 스테이지를 따라 이동할 수 있고, 예정된 노선 및 속력에 따라 정확한 위치에 도달 할 수 있도록 보장한다. 실리콘 웨이퍼의 표면은 포토레지스트 코팅을 필요로 하기 때문에 척은 흡착 방식을 많이 사용한다. 사각 거울은 일련의 구동장치로 구동되고 다수의 자유도 운동을 생성할 수 있어 웨이퍼 지지대에 대한 위치 조정을 완성하며, 실리콘 웨이퍼가 초점 및 수평 조절에 대한 요구를 완성하도록 한다. 척의 정밀도는 리소그래피 장치의 초점 깊이(focus) 및 오버레이 정확도(overlay)에 큰 영향을 미치며, 이는 해당 상하 표면의 표면 정밀도 및 자체의 클램핑 변형량에서 나타날 수 있다.
TSV(실리콘 관통 전극, 영문 명칭: Through Silicon Vias) 기술의 발전에 따라, 실리콘 웨이퍼의 끊임없는 두께 감소 및 실리콘 웨이퍼 결합 기술은 실리콘 웨이퍼 자체에 불확정적인 와핑이 존재하는 것을 초래한다. 실리콘 웨이퍼 와핑 부위 및 척 표면에 간극이 형성되고, 척이 진공을 개방할 때 공기가 새어 정상적인 환경에서의 진공 역치를 만족시킬 수 없게 되고, 진공 역치의 감소는 실리콘 웨이퍼 흡착의 신뢰성의 감소를 초래하며, 종래의 진공 척이 와핑된 실리콘 웨이퍼를 이상적으로 흡착할 수 없게 한다.
종래기술은 대부분 진공 척을 사용하며, 진공 흡착력을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 고정 클램핑, 즉 진공 흡착의 방식을 이용하여 실리콘 웨이퍼가 척의 상부 표면에 포지셔닝되게 하고, 일부 형태의 분포를 척의 상부 표면에 제안하여 진공 흡착 시 실리콘 웨이퍼에 생성된 변형, 열응력 등 영향력에 대해 최적화한다. 하지만, 이러한 유형의 척은 모두 와핑된 실리콘 웨이퍼의 흡착 문제를 해결할 수 없다.
본 발명은 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치 및 그 흡착 방법을 제공하며, 종래기술에서의 실리콘 웨이퍼 흡착 장치가 와핑된 실리콘 웨이퍼를 흡착할 수 없는 문제를 해결하고자 한다.
상기 기술적 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 실리콘 웨이퍼 흡착 장치를 제공하며, 실리콘 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 척 및 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리를 포함한다. 상기 척은 적어도 3개의 개구를 구비하고, 각각의 개구는 상기 흡착 헤드 어셈블리에 대응되며, 여기서 각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리는, 상기 척에 고정 연결된 실린더, 및 상기 실린더에 이동 가능하게 연결되는 노즐을 포함한다. 상기 노즐은 실린더의 구동 하에서 노즐 전체가 개구 내에 위치하는 제1위치 및 노즐의 적어도 일부가 상기 척의 표면 상부에 위치하는 제2위치 사이에서 이동할 수 있다.
바람직하게, 상기 실린더는 실린더 바디, 피스톤 및 가이드 포스트를 포함하고, 상기 실린더 바디는 개구 하부에 배치되어 상기 척의 저부에 고정된다. 상기 가이드 포스트는 상기 실린더 바디 내에 위치하고, 일단이 상기 실린더 바디의 저부에 고정되고, 타단이 상기 피스톤 내에 삽입된다. 상기 피스톤의 하부는 상기 실린더 바디 내에 위치하고, 상부는 상기 노즐에 대하여 이동 가능하게 연결된다.
바람직하게, 상기 피스톤의 상부는 볼 헤드를 통해 상기 노즐에 대하여 이동 가능하게 연결된다.
바람직하게, 상기 실린더는, 상기 피스톤의 하단부 및 상기 실린더 바디의 저부 사이에서 상기 가이드 포스트에 배치된 스프링을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 피스톤은 상기 실린더 바디를, 밀폐된 제1 가스 챔버 및 제2 가스 챔버로 나누고, 상기 제1 가스 챔버는 정압원(positive pressure source)에 연결되고, 상기 제2 가스 챔버는 부압원(negative pressure source)에 연결된다.
바람직하게, 상기 가이드 포스트는 관통홀을 구비하고, 상기 노즐은 상기 가이드 포스트의 관통홀을 통해 상기 제2 가스 챔버와 연통하는 캐비티를 구비한다.
바람직하게, 상기 실린더 및 상기 척의 저부는 나사를 통해 연결된다.
바람직하게, 각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리는, 상기 실린더 내에 배열되고 상기 노즐의 상부 표면이 상기 척의 상부 표면과 동일 평면으로 탐지되면 척의 진공 흡착을 개시하도록 구성되는 위치 센서를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 척의 상부 표면은 실리콘 웨이퍼가 상기 척에 의해 진공 흡착되는지 여부를 탐지하기 위한 진공 센서를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리는 상기 척의 중심을 원심으로 하는 원주 상에 고르게 분포된다.
바람직하게, 각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리의 원심과 척의 중심 사이의 거리 및 척의 직경의 비는 1:3 내지 2:5이다.
바람직하게, 각각의 상기 노즐의 직경은 5mm 내지 100mm이다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼 흡착 방법을 더 제공하며, 이는 상술한 바와 같은 실리콘 웨이퍼 흡착 장치를 이용하여 하기와 같은 공정으로 수행된다:
실린더는 노즐을 제1 위치로 구동하고, 실리콘 웨이퍼를 척 위에 로딩하고, 실리콘 웨이퍼에 진공 흡착을 개시하는 제1단계;
실리콘 웨이퍼가 상기 척 위에 흡착되었는지 여부를 탐지하고, 흡착되었을 경우에는 흡착이 완성되고, 흡착되지 않았을 경우에는 제3 단계를 진행하는 제2단계;
실린더는 노즐을 제2 위치로 구동하여, 노즐의 상부 표면이 실리콘 웨이퍼에 접촉되도록 하고, 실리콘 웨이퍼를 척의 상부 표면으로 끌어올리기 위해 노즐의 흡착을 개시하는 제3단계;
척의 진공 흡착을 개시하는 제4단계;
노즐의 진공 흡착을 중단하고, 실린더는 노즐을 움직여 제1 위치로 복귀시키는 제5단계.
종래기술과 비교하여, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 흡착 장치는 척 상에 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리를 추가적으로 포함하며, 와핑된 실리콘 웨이퍼가 상기 척에 의해 흡착되지 못할 경우, 상기 흡착 헤드 어셈블리는 노즐 및 실린더를 통해 와핑된 실리콘 웨이퍼의 하부 표면 및 상기 척의 상부 표면이 접합될 때까지 와핑된 실리콘 웨이퍼를 흡착하고 연장하여 와핑된 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착을 완성한다.
도 1은 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 측면도(부분 단면도)이다.
도 3은 도 2의 I부분의 확대도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치의 공정 과정을 나타내는 도면이다.
도 7은 진공 센서를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 흡착 장치의 공정 흐름도이다.
본 발명의 상기 목적, 특징 및 장점을 더욱 분명하고 용이하게 하기 위하여, 하기에서는 도면을 결합하여 본 발명의 구체적 실시 방식에 대해 상세하게 설명한다. 주의할 점은, 본 발명의 도면은 모두 간략화된 형식 및 비표준 비율을 사용하였으며, 이는 단지 간편하고 명확하게 본 발명의 실시예의 목적을 보충 설명하기 위함이다.
본 발명은 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치를 제공하며, 도 1의 도시 및 도 2 내지 도 6을 참고하면, 척(100) 및 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리(200)를 포함하고, 척은 적어도 3개의 개구(101)를 구비하고, 각각의 개구(101)는 하나의 흡착 헤드 어셈블리(200)와 대응된다. 바람직하게는, 상기 흡착 헤드 어셈블리(200)는 상기 척(100)의 중심(O)를 원심으로 하는 원주 상에 고르게 분포된다. 구체적으로, 상기 흡착 헤드 어셈블리(200)의 원심(O')과 척(100)의 원심(O)의 거리(a) 및 척(100)의 직경(d)의 비율은 1:3 내지 2:5이다. 여기서, 상기 척(100)의 구조 및 종래의 통상적인 척의 원리는 동일하며, 상기 흡착 헤드 어셈블리(200)는, 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(210), 볼 헤드(220), 실린더(230) 및 위치 센서(240)를 포함하고, 상기 노즐(210)은 척(100)의 개구(100)에 완전히 수용될 수 있고, 해당 직경은 5mm 내지100mm일 수 있다. 상기 노즐(210) 및 상기 실린더(230)는 볼 헤드(220)를 통해 이동 가능하게 연결될 수 있고(도 4 내지 도 6 의 화살표 A에 도시한 바와 같이), 상기 실린더(230)의 작용 하에 척(100) 표면에 대해 승강 운동을 한다(도 4 내지 도 6 의 화살표 B에 도시한 바와 같이). 구체적으로, 상기 노즐(210)은 실린더(230)의 구동 하에 전체가 개구(101) 내에 위치하거나, 또는 적어도 일부분이 척(100)의 표면 상부에 위치할 수 있다. 상기 위치 센서(240)는 상기 실린더(230) 내에 설치된다. 본 발명은 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리(200)를 더 포함하며, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)와 척(100) 사이에 밀봉이 형성되지 못하여 진공이 새어나가면서 상기 척(100)에 의하여 흡착될 수 없는 상황이 초래될 경우, 상기 흡착 헤드 어셈블리(200) 내의 노즐(210)은 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 평면과 근사한 작은 면적에서 진공을 형성하고, 상기 노즐(210)은 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)를 흡착한 후, 상기 실린더(230)는 상기 노즐(210)을 이끌고 아래로 운동하게 하여, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)을 척(100)의 상부 표면으로 견인하고, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300) 및 척(100) 사이의 간극을 감소시킨다. 위치 센서(240)가 노즐(210)의 상부 표면 및 척(100)의 상부 표면이 동일 평면 상인 것으로 탐지할 경우, 상기 위치 센서(240)는 척(100)에 신호를 발송하고, 척(100)의 진공이 개방되어, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)이 척(100) 상에 흡착되도록 한다.
바람직하게는, 도 3을 중점적으로 참고하면, 상기 실린더(230)는 실린더 바디(231), 피스톤(232), 가이드 포스트(233) 및 스프링(234)을 포함하고, 상기 가이드 포스트(233)은 상기 실린더 바디(231) 내에 고정되고, 상기 피스톤(232)은 상기 실린더 바디(231) 내에 위치하고, 일단은 상기 실린더 바디(231)를 통과하여 상기 볼 헤드(220)에 의해 상기 노즐(210)과 활성 연결되고, 상기 가이드 포스트(233)은 상기 피스톤(232) 내에 삽입되고, 상기 스프링(234)은 상기 피스톤(232) 및 실린더 바디(231)의 저부 사이의 가이드 포스트(233) 상에 설치된다. 바람직하게는, 상기 피스톤(232)은 상기 실린더 바디(231)를 밀폐된 제1 가스 챔버(235)및 제2 가스 챔버(236)로 나누고, 상기 제1 가스 챔버(235)는 정압원(positive pressure source)에 연결되고, 상기 제2 가스 챔버 236는 부압원(negative pressure source)에 연결된다. 구체적으로, 노즐(210)의 캐비티 및 상기 제2 가스 챔버(236)는 상기 가이드 포스트(233) 상의 관통홀을 통해 연통된다. 제1 가스 챔버(235)가 연결된 정압원이 개방될 경우, 제1 가스 챔버(235) 내의 압력은 증대되며, 상기 노즐(210)은 척(100)의 상부 표면 이하에 위치하고, 제 2 가스 챔버(236)가 연결된 부압원이 개방될 경우, 제2 가스 챔버(236) 및 노즐(210)의 캐비티가 연통되므로, 상기 노즐(210)은 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)에 대해 흡착을 진행하며, 진공을 형성한 후, 제2 가스 챔버(236) 내의 압력은 계속적으로 감소되고, 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300) 및 상기 척(100) 의 상부 표면이 긴밀하게 접촉할 때까지 상기 피스톤(232) 및 노즐(210)을 이끌고 아래로 운동하게 한다.
바람직하게, 도 3을 계속 참고하면, 상기 실린더 바디(231) 및 상기 척(100)은 나사(237)를 통해 연결된다. 각 부품의 분해 및 교환에 편리하다.
바람직하게, 상기 척(100)의 상부 표면은 진공 센서(401)가 더 설치되며(도 7 참고), 실리콘 웨이퍼(300)이 척(100)에 의해 진공 흡착되었는지 여부를 탐지하도록 한다. 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)가 상기 노즐(210)에 의해 상기 척(100)의 상부 표면과 긴밀하게 접촉할 때까지 견인된 후, 척(100)의 진공이 개방되어 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)를 흡착하고, 상기 진공 센서(401)는 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)가 척(100)에 의하여 진공 흡착된 것을 탐지한 후, 해당 정보를 상기 흡착 헤드 어셈블리(200)에 전달하여, 흡착 헤드 어셈블리(200)를 최초 위치로 복귀시키며, 즉, 제1 가스 챔버(235)가 연통된 정압원이 개방되면, 제2 가스 챔버(236)가 연통된 부압원은 봉쇄되고, 상기 노즐(210)은 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)를 느슨하게 하고, 척(100)의 상부 표면 이하로 하강시킨다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼 흡착 방법을 더 제공하고, 상술한 와핑된 실리콘 웨이퍼 흡착 장치를 이용하며, 도 8을 참조하고, 도 4 내지 7을 결합하여, 하기와 같은 공정으로 수행된다.
실린더(230)는 노즐(210)을 이끌어 위치를 척(100)의 상부 표면까지 하강하도록 하고(도 4에 도시된 바와 같은 위치), 실리콘 웨이퍼의 상부 칩을 실행하고, 척(100)의 진공을 개방하여 실리콘 웨이퍼를 흡착하는 제1단계;
진공 센서(401)는 실리콘 웨이퍼가 척(100)에 의해 흡착되었는지 여부를 탐지하고, 흡착되었을 경우에는 흡착이 완성되고, 흡착되지 않았을 경우에는 제3 단계를 진행하는 제2단계;
제1 가스 챔버(235)가 연결된 정압원이 봉쇄되고, 노즐(210)이 상승하는 것을 이끌며, 구체적으로 노즐(210)이 상승한 높이는 통상적으로 사용되는 실리콘 웨이퍼의 와핑된 정도를 통해 확정하고, 본 실시예에서, 상기 노즐(210)은 척(100)의 상부 표면보다 0.2 내지 5mm 높은 위치로 상승하고, 실린더(230)는 노즐(210)이 상승하여 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)에 접합되도록 이끌며, 해당 과정에서, 상기 노즐(210)과 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)이 접촉된 후, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 중량 작용 하에 상기 볼 헤드(220)를 축으로 하여 회전을 발생시켜 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 와핑도에 적용시키고, 최종적으로 노즐(210)과 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)이 접합되고, 밀봉되도록 하며(도 5에 도시된 바와 같은 형태), 제2 가스 챔버(236)가 연결된 부압원이 개방된 후, 노즐(210)과 와핑된 실리콘 웨이퍼 300은 서로 흡착되고, 와핑된 실리콘 웨이퍼 300을 상기 척 100의 상부 표면으로 견인(도 6에 도시된 바와 같은 형태)하는 제3단계;
위치 센서 240는 노즐 210의 상부 표면 및 척 100의 상부 표면이 동일 평면 상에 있는 것을 탐지하고, 신호를 발송하여 척(100)의 진공이 개방되도록 하며, 척(100)은 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)에 대해 흡착을 진행하는 제4단계;
진공 센서(401)는 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)이 척(100)에 의하여 진공 흡착된 것을 탐지한 후, 흡착 헤드 어셈블리(200)에 신호를 전달하여, 노즐(210)의 진공 흡착을 정지시키고, 실린더(230)는 노즐(210)을 이끌어 최초 위치로 복귀시키며, 구체적으로, 제2 가스 챔버(236)가 연결된 부압원은 봉쇄되고, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)에 대한 노즐(210)의 흡착을 차단하며, 제1 가스 챔버(235)가 연결된 정압원이 개방되고, 노즐(210)은 척(100)의 상부 표면 이하로 하강하는 제5단계.
바람직하게, 상기 실린더(230)는 제1 가스 챔버(235) 및 제2 가스 챔버(236)의 개방 및 봉쇄를 통해 상기 노즐(210)의 승강을 제어하고, 상기 스프링(234)은 완충 작용을 하여, 실리콘 웨이퍼에 대한 보호를 수행한다.
결론적으로, 본 발명은 척(100) 상에 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리(200)를 더 포함하며, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)가 상기 척(100)에 의해 흡착되지 못할 경우, 상기 흡착 헤드 어셈블리(200)가 노즐(210) 및 실린더(230)를 통해 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)을 상기 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)의 하부 표면 및 상기 척(100)의 상부 표면이 접합될 때까지 흡착하고 연장하여, 와핑된 실리콘 웨이퍼(300)에 대한 흡착이 완성되도록 한다.
명백하게, 본 분야의 당업자는 본 발명에 대해 각종 변경 및 변형을 할 수 있으며, 이는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는다. 따라서, 본 발명의 이러한 변경 및 변형이 본 발명의 청구 범위 및 균등한 기술 범위 내에 있을 경우, 본 발명 또한 이러한 변경 및 변형을 포함하고자 한다.
100: 척 101: 개구
200: 흡착 헤드 어셈블리 210: 노즐
220: 볼 헤드 230: 실린더
231: 실린더 바디 232: 피스톤
233: 가이드 포스트 234: 스프링
235: 제1 가스 챔버 236: 제2 가스 챔버
237: 나사 240: 위치 센서
300: 와핑된 실리콘 웨이퍼 401: 진공 센서

Claims (13)

  1. 실리콘 웨이퍼 흡착 장치로서,
    실리콘 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 척 및 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리를 포함하고, 상기 척은 적어도 3개의 개구를 구비하고, 각각의 개구는 상기 흡착 헤드 어셈블리에 대응되며,
    각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리는,
    상기 척에 고정 연결된 실린더; 및
    상기 실린더에 이동 가능하게 연결되는 노즐로서, 상기 실린더의 구동 하에서, 노즐 전체가 개구 내에 위치하는 제1위치 및 노즐의 적어도 일부가 상기 척의 표면 상부에 위치하는 제2위치 사이에서 이동할 수 있는, 노즐;
    을 포함하는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실린더는, 실린더 바디, 피스톤 및 가이드 포스트를 포함하고,
    상기 실린더 바디는 개구 하부에 배치되어 상기 척의 저부에 고정되고,
    상기 가이드 포스트는 상기 실린더 바디 내에 위치하고, 일단이 상기 실린더 바디의 저부에 고정되고, 타단이 상기 피스톤 내에 삽입되며,
    상기 피스톤의 하단부는 상기 실린더 바디 내에 위치하고, 상단부는 상기 노즐에 대하여 이동 가능하게 연결되는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 피스톤의 상단부는 볼 헤드를 통해 상기 노즐에 대하여 이동 가능하게 연결되는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 실린더는, 상기 피스톤의 하단부 및 상기 실린더 바디의 저부 사이에서 상기 가이드 포스트에 배치된 스프링을 더 포함하는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 피스톤은 상기 실린더 바디를, 밀폐된 제1 가스 챔버 및 제2 가스 챔버로 나누고, 상기 제1 가스 챔버는 정압원(positive pressure source)에 연결되고, 상기 제2 가스 챔버는 부압원(negative pressure source)에 연결되는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 포스트는 관통홀을 구비하고, 상기 노즐은 상기 가이드 포스트의 관통홀을 통해 상기 제2 가스 챔버와 연통하는 캐비티를 구비하는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 실린더 및 상기 척의 저부는 나사를 통해 연결되는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리는, 상기 실린더 내에 배열되고 상기 노즐의 상부 표면이 상기 척의 상부 표면과 동일 평면으로 탐측되면 척의 진공 흡착을 개시하도록 구성되는 위치 센서를 더 포함하는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 척의 상부 표면은 실리콘 웨이퍼가 상기 척에 의해 진공 흡착되는지 여부를 검측하기 위한 진공 센서를 더 포함하는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 3개의 흡착 헤드 어셈블리는 상기 척의 중심을 원심으로 하는 원주 상에 고르게 분포되는, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 흡착 헤드 어셈블리의 원심과 척의 중심 사이의 거리 및 척의 직경의 비는 1:3 내지 2:5인, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 노즐의 직경은 5mm 내지 100mm인, 실리콘 웨이퍼 흡착 장치.
  13. 제1항에 따른 실리콘 웨이퍼 흡착 장치를 이용한 실리콘 웨이퍼 흡착 방법으로서,
    실린더는 노즐을 제1 위치로 구동하고, 실리콘 웨이퍼를 척 위에 로딩하고, 실리콘 웨이퍼에 진공 흡착을 개시하는 제1단계;
    실리콘 웨이퍼가 상기 척 위에 흡착되었는지 여부를 검측하고, 흡착되었을 경우에는 흡착이 완성되고, 흡착되지 않았을 경우에는 제3 단계를 진행하는 제2단계;
    실린더는 노즐을 제2 위치로 구동하여, 노즐의 상부 표면이 실리콘 웨이퍼에 접촉되도록 하고, 실리콘 웨이퍼를 척의 상부 표면으로 끌어올리기 위해 노즐의 흡착을 개시하는 제3단계;
    척의 진공 흡착을 개시하는 제4단계;
    노즐의 진공 흡착을 중단하고, 실린더는 노즐을 움직여 제1 위치로 복귀시키는 제5단계를 포함하는,
    실리콘 웨이퍼 흡착 방법.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6316181B2 (ja) * 2014-12-18 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板保持ステージ
US10381256B2 (en) * 2015-03-12 2019-08-13 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for chucking warped wafers
CN106252791B (zh) * 2015-06-12 2019-02-19 睿励科学仪器（上海）有限公司 硅片吸盘
CN104992921B (zh) * 2015-07-16 2017-09-01 北京工业大学 一种大尺寸超薄晶圆的夹持装置
CN106887401A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 浙江鸿禧能源股份有限公司 一种新型的分类检测机台矫正器吸盘
TWI630059B (zh) * 2015-12-25 2018-07-21 日商三星鑽石工業股份有限公司 Substrate adsorption device and workbench
CN105842996B (zh) * 2016-05-30 2017-12-08 上海华力微电子有限公司 一种光刻机的晶圆承载吸附压力优化方法
CN107452643B (zh) * 2016-05-31 2020-11-13 弘塑科技股份有限公司 基板压平设备与使用所述基板压平设备的半导体制造方法
TWI584408B (zh) * 2016-09-06 2017-05-21 Long turn nozzle device
CN108242418A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种基底吸附机构、基底交接装置及方法
CN109427640B (zh) * 2017-08-22 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 吸附装置及吸附方法
CN108305849B (zh) * 2018-01-31 2020-08-04 徐州诚凯知识产权服务有限公司 一种芯片与安装衬底的对位装置和对位安装方法
CN108435714B (zh) * 2018-04-12 2023-08-29 环维电子(上海)有限公司 一种新型干冰清洗底座及其清洗方法
CN109244028B (zh) * 2018-09-28 2022-11-18 上海微松工业自动化有限公司 一种晶圆平整固定方法
CN109484069B (zh) * 2018-10-30 2020-12-08 周菊青 一种间断进水同步研磨的新型砚台研墨装置
TWI701090B (zh) * 2019-01-17 2020-08-11 日月光半導體製造股份有限公司 面板處理設備與方法及多段吸附裝置
CN110620067B (zh) * 2019-09-24 2022-03-25 中国科学院微电子研究所 调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法
CN111085954A (zh) * 2019-12-24 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板吸附装置
TWI810445B (zh) * 2020-03-27 2023-08-01 由田新技股份有限公司 半導體料片之整平裝置及其整平方法
CN114454023B (zh) * 2021-03-01 2022-12-16 华中科技大学 基于标准气缸的晶圆磨削吸附平台
CN113078094A (zh) * 2021-03-25 2021-07-06 深圳中科飞测科技股份有限公司 翘曲校正方法、承载装置及承载系统
CN113066751A (zh) * 2021-03-25 2021-07-02 深圳中科飞测科技股份有限公司 承载装置及承载系统
CN113650045B (zh) * 2021-09-17 2022-12-20 长江存储科技有限责任公司 用于拾取晶圆的机械手
CN113983286A (zh) * 2021-09-25 2022-01-28 安徽和邦纺织科技有限公司 一种纱网绣花进料监控装置
CN113859968B (zh) * 2021-09-26 2022-12-30 博众精工科技股份有限公司 一种取料模组
CN114211520B (zh) * 2022-02-21 2022-05-17 鹰星精密工业（深圳）有限公司 一种高精度直线机械手及应用方法
CN115352877A (zh) * 2022-08-31 2022-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种屏幕固定装置及其控制方法、设备
CN115338802B (zh) * 2022-09-06 2023-10-10 无锡福田包装制品有限公司 一种电动车外壳表面贴花定位夹具
CN116331845B (zh) * 2023-05-30 2023-08-15 泰州恒润玻璃有限公司 钢化玻璃搬运装置
CN116588683B (zh) * 2023-07-19 2023-09-12 常州协创智联电子有限公司 一种电芯搬运用吸嘴组件及使用其的搬运机构、搬运方法
CN118092090A (zh) * 2024-04-29 2024-05-28 广东科视光学技术股份有限公司 曝光机

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2198765A (en) * 1938-08-05 1940-04-30 Merritt Engineering & Sales Co Vacuum cup and vacuum cup system
US3460822A (en) * 1965-10-23 1969-08-12 E & E Eng Co Vacuum workholder
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3484093A (en) * 1967-07-03 1969-12-16 Sylvania Electric Prod Article holding apparatus
US3804397A (en) * 1971-08-19 1974-04-16 Gco Automatic positioning vacuum cup
CH546691A (fr) * 1972-03-29 1974-03-15 Bobst Fils Sa J Ventouse telescopique pour la manutention de materiaux en feuille.
US3800741A (en) * 1973-02-12 1974-04-02 Grace W R & Co Chuck for crown closure lining apparatus
US3910620A (en) * 1974-04-15 1975-10-07 American Chain & Cable Co High temperature vacuum pad lift
US4470585A (en) * 1981-04-14 1984-09-11 Z. Bavelloni S.P.A. Holding device for glass panes, marble slabs, and like bodies
US4530635A (en) * 1983-06-15 1985-07-23 The Perkin-Elmer Corporation Wafer transferring chuck assembly
JPS61214937A (ja) * 1985-03-15 1986-09-24 Canon Inc 吸着保持装置
US4723766A (en) * 1986-10-01 1988-02-09 Ekstrom, Carlson & Co. Programmable vacuum pod system for chucking workpieces
JPS63131535A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Canon Inc 基板支持装置
JPS63144925A (ja) * 1986-12-05 1988-06-17 Nippei Toyama Corp 切断面加工用クランプリフタ−装置
IT1210376B (it) * 1987-06-04 1989-09-14 Jobs Spa Apparecchiatura e metodo per il fissaggio di lastre curve da sottoporre a lavorazione
JP2691299B2 (ja) * 1989-06-12 1997-12-17 株式会社ニコン 基板ホルダ
JP2501366B2 (ja) * 1990-05-17 1996-05-29 株式会社 エフエスケー 物体の保持装置
US5177857A (en) * 1990-05-17 1993-01-12 Fsk Inc. Method for holding an object to a surface using valve controlled vacuum force
US5457868A (en) * 1991-03-26 1995-10-17 Gfm Gesellschaft Fur Fertigungstechnik Und Maschinenbau Aktiengesellschaft Work supporting method using a deck for use in machine tools, particularly in cutting machines
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
US5572785A (en) * 1994-07-27 1996-11-12 Eastman Kodak Company Apparatus and method for automated assembly of precision components
US5937993A (en) * 1997-01-14 1999-08-17 Tamarac Scientific Co., Inc. Apparatus and method for automatically handling and holding panels near and at the exact plane of exposure
US6182955B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-06 Alvin Jay Kimble Grid-lock vacuum clamping system
JP4513145B2 (ja) * 1999-09-07 2010-07-28 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法および研磨方法
CH695405A5 (de) * 1999-12-14 2006-04-28 Esec Trading Sa Die Bonder und Wire Bonder mit einer Ansaugvorrichtung zum Flachziehen und Niederhalten eines gewölbten Substrats.
CN101474771B (zh) * 2003-02-10 2012-07-11 株式会社荏原制作所 用于衬底保持装置中的弹性部件以及衬底抛光装置和方法
JP4470199B2 (ja) * 2003-09-25 2010-06-02 Ｓｍｃ株式会社 半導体基板の温度調節装置
CN2840620Y (zh) * 2005-10-20 2006-11-22 天津科技大学 移送电子器件的摆盘装置
WO2008153086A1 (ja) * 2007-06-12 2008-12-18 Nikon Corporation 基板検出装置、基板位置決め装置、これらを有する基板貼り合わせ装置、ウェハ外形検出装置、ウェハ位置決め装置、及び、ウェハ外形検出装置及びウェハ外形検出装置を有するウェハ貼り合せ装置
CN201350632Y (zh) * 2008-12-23 2009-11-25 晶彩科技股份有限公司 基板吸附装置
CN102569147B (zh) * 2010-12-28 2015-11-25 上海微电子装备有限公司 硅片吸附机构及其使用方法
CN202417858U (zh) * 2011-12-01 2012-09-05 刘永祯 气推柱塞泵
TWM432639U (en) * 2012-02-24 2012-07-01 Highlight Tech Corp Shock absorbing unit improvement of thin-body carrying device

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