CN110320758A - 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 - Google Patents
一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110320758A CN110320758A CN201810293658.4A CN201810293658A CN110320758A CN 110320758 A CN110320758 A CN 110320758A CN 201810293658 A CN201810293658 A CN 201810293658A CN 110320758 A CN110320758 A CN 110320758A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- basal edge
- substrate
- protection ring
- protective device
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。其中,基底边缘保护装置包括底座,设置在底座工作侧边缘的抓取部件,用于抓取和固定基底边缘保护环,设置在底座工作侧翘曲处理机构,翘曲处理机构的工作面上有多个吹气孔,以及与吹气孔联连通的进气孔,通过吹气孔吹气以对基底进行整平。本发明实施例提供的基底边缘保护装置,在底座工作侧设置翘曲处理机构,通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体,将翘曲基底整平,使基底完全吸附在吸盘上,实现了对大翘曲量基底的整平,提高了基底曝光质量和良率;此外,基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现,简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。
背景技术
光刻设备主要用于集成电路IC或其他微型器件的制造。通过光刻设备,可将掩膜版图案成像到涂覆有光刻胶的基底上,基底通常为硅片。基底通常由工件台上的吸盘通过真空吸附的方式固定,工件台带动吸附有硅片的吸盘移动,按照预定的路线和速度到达正确的位置,完成光刻过程。
随着穿过硅片通道(Through Silicon Vias,TSV)技术的发展,硅片的不断减薄以及硅片键合工艺,导致硅片自身存在不确定的翘曲,在硅片翘曲处和吸盘表面形成了间隙,当吸盘打开真空时,吸盘与硅片之间就会出现真空泄露,无法满足正常情况下的真空阈值,导致硅片吸附的可靠性降低,甚至出现据片的情况,大大影响了生产效率。此外,硅片吸附可靠性降低将影响光刻设备的焦深(focus)和套刻精度(overlay),体现在其上下表面的面型精度以及自身的夹持变形量,从而影响硅片曝光质量和硅片良率。
现有技术无法对大翘曲量的硅片进行曝光,此外,需要额外设置硅片边缘保护装置,传送保护环,完成对硅片边缘的上环遮盖,保护硅片边缘在曝光过程中不会被曝光,其中,保护环是一种中央部分镂空,边缘为实体的遮光屏蔽物件。这无疑增加了整个曝光工艺的流程和时间,降低了生产效率。
发明内容
本发明提供一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法,以实现对大翘曲量基底的整平,提高了基底曝光质量和良率;简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种基底边缘保护装置,该基底边缘保护装置包括:
底座;
设置在底座工作侧边缘的抓取部件,抓取部件用于抓取和固定基底边缘保护环;
设置在底座工作侧翘曲处理机构,翘曲处理机构包括形成在工作面上的多个吹气孔,以及与吹气孔联连通的进气孔,翘曲处理机构用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。
可选的,翘曲处理机构为与基底边缘保护环固定区域同心的环状结构,且翘曲处理机构位于基底边缘保护环固定区域内侧。
可选的,多个吹气孔以翘曲处理机构工作面所在的圆心形成同心圆排布。
可选的,翘曲处理机构上的多个吹气孔中至少部分连通。
可选的,进气孔为一个或多个。
可选的,底座内形成送气管道,送气管道的出气孔与翘曲处理机构的进气孔连通。
可选的,抓取部件包括至少3个沿底座工作侧边缘等距排布的卡爪。
第二方面,本发明实施例还提供了一种光刻设备,该光刻设备包括第一方面所述的基底边缘保护装置,还包括工件台,工件台用于放置基底。
可选的,该光刻设备还包括置环盒,置环盒至少设有2个置环空间,用于存放不同规格的基底边缘保护环。
可选的,置环盒的每一个置环空间内设有定位机构,用于对基底边缘保护环进行定位。
可选的,定位机构包括2个靠销和1个活动的气缸顶针。
可选的,该光刻设备还包括机械手和检测元件;
机械手,用于传送基底边缘保护环和基底;
检测元件,用于检测传送过程中,基底边缘保护环在机械手上的位置是否正确。
第三方面,本发明实施例还提供了一种基底边缘保护装置的保护方法,该基底边缘保护装置位于光刻设备内,该光刻设备还包括机械手和工件台,该方法包括:
机械手将基底传送至工件台上的预定位置;
基底边缘保护装置移动至交接位,翘曲处理机构通过吹气孔向工件台上的基底吹气,将基底整平;
翘曲处理机构停止吹气,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在基底上,对基底边缘进行遮盖;
对基底曝光后,基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环。
可选的,该光刻设备还包括置环盒,该置环盒至少设有2个置环空间,用于存放不同规格的基底边缘保护环,该方法还包括:
在机械手将基底传送至工件台上的预定位置之前,
机械手从置环盒对应的置环空间中取出与基底规格匹配的基底边缘保护环,并将基底边缘保护环传送至工件台上预定位置;
基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环;
在对基底曝光后,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环之后,
机械手移动至基底边缘保护装置下方,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在机械手上;
机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内。
可选的,置环盒每个置环空间设有定位机构,定位机构包括2个靠销和1个活动的气缸顶针,该方法还包括:
在机械手从置环盒中取出基底边缘保护环之前,气缸顶针松开,机械手从置环空间中取出基底边缘保护环;
在机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内后,气缸顶针锁紧,固定基底边缘保护环。
可选的,光刻设备还包括检测元件,该方法还包括:
在机械手将基底边缘保护环传送至工件台上的预定位置之前,
机械手将基底边缘保护环传送至检测元件的下方,检测元件检测基底边缘保护环在机械手上的位置是否正确,若是,机械手将基底边缘保护环传送至工件台上的预定位置。
本发明实施例的技术方案,在基底边缘保护装置的底座工作侧设置翘曲处理机构,通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,使基底完全吸附在吸盘上,实现了对大翘曲量基底的整平,吸附可靠性高,提高了基底曝光质量和良率;此外,基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现,简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的基底边缘保护装置的立体图;
图2是本发明实施例一中提供的基底边缘保护装置中翘曲处理机构的结构示意图;
图3是本发明实施例二提供的光刻设备的各部分结构的示意图;
图4是本发明实施例二提供的光刻设备中置环盒其中一层的内部结构示意图;
图5是本发明实施例三提供的一种基底边缘保护装置的保护方法的流程图;
图6是本发明实施例三提供的另一种基底边缘保护装置的保护方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
本发明实施例一提供一种基底边缘保护装置,图1是本发明实施例一提供的基底边缘保护装置的立体图,图2是本发明实施例一中提供的基底边缘保护装置中翘曲处理机构的结构示意图。如图1所示,该基底边缘保护装置100包括底座110,设置在底座110工作侧边缘的抓取部件120,抓取部件120用于抓取和安放基底边缘保护环130;
设置在底座110工作侧的翘曲处理机构140,如图2所示,翘曲处理机构140包括形成在工作面上的多个吹气孔,以及与吹气孔联连通的进气孔,翘曲处理机构140用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。
该基底边缘保护装置100位于光刻设备内,位于光刻设备的工件台的正上方,可沿竖直方向移动;基底边缘保护装置100的工作侧与工件台的工作面正对,工件台的工作面上设有吸盘,用于吸附基底。该基底边缘保护装置100的工作原理如下:
基底被传送至工件台上后,吸盘开始工作,从基底一侧初步吸附基底,但由于基底可能存在翘曲量较大的情况,导致基底并未被吸盘完全吸附;夹持有基底边缘保护环130的基底边缘保护装置100下降至交接位,该交接位为翘曲处理机构140的工作面比基底最高翘曲点稍高的位置,保证基底边缘保护装置100不与基底接触,避免影响基底表面质量;基底边缘保护装置100通过翘曲处理机构140上的进气孔向翘曲处理机构140内吹入正压气体,翘曲处理机构140通过工作面上的吹气孔,对工件台上的基底吹气,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,翘曲基底被整平后,被完全吸附在吸盘上;抓取部件120释放基底边缘保护环130,将其放置在基底上,对基底边缘进行遮盖,同时基底边缘保护环130也被吸盘固持(吸附、加持、等),避免在后续曝光过程中与基底发生相对移动;在完成基底曝光后,工件台吸盘解除对基底的吸附作用和对基底边缘保护环130固持作用;基底边缘保护装置100下降至交接位,抓取部件120从工件台上抓取基底边缘保护环130。
本发明实施例提供的基底边缘保护装置,在底座工作侧设置翘曲处理机构,通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,使基底完全吸附在吸盘上,实现了对大翘曲量基底的整平,吸附可靠性高,提高了基底曝光质量和良率;此外,基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现,简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
可选的,如图1和图2所示,翘曲处理机构140为与基底边缘保护环130固定区域同心的环状结构,环状结构的边缘设有进气孔,工作面设有多个吹气孔,且翘曲处理机构140位于基底边缘保护环130固定区域内侧。即翘曲处理机构140的外径小于基底边缘保护环130的内径,翘曲处理机构140不会对基底边缘保护环130的抓取和释放造成干扰。翘曲处理机构140的内径可以根据基底的翘曲形状进行设定,需要说明的是,翘曲处理机构140也可以是半径小于基底边缘保护环130内径的圆盘结构。
继续参考图2,可选的,翘曲处理机构140为环状结构,多个吹气孔以翘曲处理机构140工作面所在的圆心形成同心圆排布。示例性的,多个吹气孔的孔径大小相等,工作时通过调整进气孔输入的气体气压,对不同翘曲量的基底进行整平。在其他实施例中,也可以控制进气孔输入的气体气压不变,吹气孔的孔径大小不相等,对不同翘曲形状的基底进行整平。例如基底翘曲量大的位置,翘曲处理机构140上对应位置的孔径较大。
可选的,翘曲处理机构140上的多个吹气孔中至少部分连通,进气孔为一个或多个。示例性的,翘曲处理机构140为环状结构,多个吹气孔以翘曲处理机构140工作面所在的圆心形成同心圆排布,翘曲处理机构140设有多个进气孔。位于同一圆上的多个吹气孔互相连通,同一圆上的多个吹气孔与一个进气孔相连。在基底整平时,分别控制输入每个进气孔的气体气压,对不同翘曲形状的基底进行整平。
可选的,底座110内形成送气管道,送气管道的出气孔与翘曲处理机构140的进气孔连通,用于向翘曲处理机构140输入正压气体。
继续参考图1,可选的,抓取部件120包括至少3个沿底座110工作侧边缘等距排布的卡爪,卡爪可沿基底边缘保护装置100的底座110工作侧的径向运动,用于抓取或释放基底边缘保护环130。基底边缘保护环130的边缘上对应的位置设有与卡爪匹配的凹槽,便于卡爪抓取基底边缘保护环130。
实施例二
本发明实施例二提供一种光刻设备,该光刻设备包括实施例一所述的基底边缘保护装置100,如图1所示,该基底边缘保护装置100包括底座110,设置在底座110工作侧边缘的抓取部件120,抓取部件120用于抓取和固定基底边缘保护环130;设置在底座110工作侧的翘曲处理机构140,翘曲处理机构140包括形成在工作面上的多个吹气孔,以及与吹气孔联连通的进气孔,翘曲处理机构140用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。
该光刻设备还包括工件台,基底边缘保护装置100位于光刻设备的工件台的正上方,可沿竖直方向移动;基底边缘保护装置100的工作侧与工件台的工作面正对,工件台的工作面上设有吸盘,用于吸附基底。
本发明实施例提供的光刻设备,在工件台的正上方设置基底边缘保护装置,基底边缘保护装置的底座工作侧设置翘曲处理机构,通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,使基底完全吸附在吸盘上,实现了对大翘曲量基底的整平,吸附可靠性高,提高了基底曝光质量和良率;此外,基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现,简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
图3是本发明实施例二提供的光刻设备的各部分结构的示意图,如图3所示,该光刻设备包括基底边缘保护装置100、用于传送基底和基底边缘保护环130的机械手200及置环盒300,置环盒300设有若干个置环空间,用于存放不同规格的基底边缘保护环130。示例性的,在本实施例中,置环盒300设置成多层的结构,每层中存放有一种规格的基底边缘保护环130。
具体的,机械手200从置环盒300对应的一层中取出与基底尺寸相匹配的基底边缘保护环130,并将其传送至工件台上预定位置;基底边缘保护装置100下降至交接位,抓取部件120抓取基底边缘保护环130,并上升至空闲位置;机械手200将基底传送至工件台上预定位置,工件台上的吸盘吸附基底;基底边缘保护装置100下降至交接位,翘曲处理机构140对工件台上的基底吹气,将翘曲基底整平,翘曲基底被整平后,被完全吸附在吸盘上;抓取部件120释放基底边缘保护环130,将其放置在基底边缘保护环130上,基底边缘保护环130被吸盘固持,对基底边缘进行遮盖;基底曝光后,工件台的吸盘对基底解除吸附和对基底边缘保护环130解除固持,基底边缘保护装置100下降至交接位,抓取部件120从工件台上抓取基底边缘保护环130,并上升至空闲位置;机械手200移动至基底边缘保护装置100的下方,抓取部件120释放基底边缘保护环130,将其放置在机械手200上;机械手200将基底边缘保护环130送入置环盒300对应的一层中。
基底边缘保护环的内径尺寸,即为基底边缘需要被遮挡的尺寸,一个基底边缘保护环对应一个遮挡规格尺寸。对于基底不同的曝光遮边尺寸要求,需要更换多个规格的基底边缘保护环。现有的光刻设备更换基底边缘保护环都是通过人工取出和替换,硅片边缘保护装置没有自动更换保护环功能,且在替换时需要手工对准位置。这无疑降低了产品的生产效率,同时提高了人工成本。而本实施例提供的光刻设备,在实现对大翘曲量基底的整平,提高了基底曝光质量和良率,简化曝光流程,提高生产效率的同时,通过在光刻设备内设置环盒,存放不同规格的基底边缘保护环,配合机械手,完成对基底的上环遮盖及基底边缘保护环的更换和对准的自动化,提高了生产效率、节省了人力成本。
可选的,置环盒300的每一个置环空间内设有定位机构,用于对基底边缘保护环130进行定位。在本实施例中,置环盒300每一层中都设有定位机构,确保基底边缘保护环130在置环盒每层中的位置正确,从而确保机械手200在传送基底边缘保护环130时,基底边缘保护环130在机械手200上的位置正确,进而确保基底边缘保护环130被传送到工件台上预定位置,并能被抓取部件120准确地抓取,进而确保基底边缘保护环130能精确地对基底边缘进行遮盖。
图4是本发明实施例二提供的光刻设备中置环盒其中一层的内部结构示意图,可选的,定位机构包括2个靠销301和1个活动的气缸顶针302。示例性的2个靠销301和1个活动的气缸顶针302沿基底边缘保护环130的外沿等距排布,靠销301固定在置环盒300内,气缸顶针302可通过气缸推动,锁紧或松开基底边缘保护环130。具体的,在机械手200从置环盒300中取出基底边缘保护环130之前,气缸顶针302松开,机械手200从置环盒中取出基底边缘保护环130;在机械手200将基底边缘保护环130送回置环盒300后,气缸顶针锁紧,固定基底边缘保护环130。
可选的,该光刻设备还包括检测元件400,用于检测传送过程中,基底边缘保护130在机械手200上的位置是否正确,从而进一步确保基底边缘保护环130能精确地对基底边缘进行遮盖。
本发明实施例中,通过增加置环盒内的定位机构,和传输时的检测元件,避免了人工更换基底边缘保护环,手工对准时的位置误差,提高了遮边精度。
实施例三
本发明实施例三提供一种基底边缘保护装置的保护方法,图5是本发明实施例三提供的一种基底边缘保护装置的保护方法的流程图。参考图1,该基底边缘保护装置100包括底座110,设置在底座110工作侧边缘的抓取部件120,抓取部件120用于抓取和固定基底边缘保护环130;设置在底座110工作侧的翘曲处理机构140,翘曲处理机构140包括形成在工作面上的多个吹气孔,以及与吹气孔联连通的进气孔,翘曲处理机构用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。该基底边缘保护装置100位于光刻设备内,该光刻设备还包括机械手200和工件台。如图5所示,该方法包括:
S11:机械手将基底传送至工件台上的预定位置。
机械手200将基底传送至工件台上后,吸盘开始工作,从基底一侧初步吸附基底,但由于基底可能存在翘曲量较大的情况,基底并未被吸盘完全吸附;
S12:基底边缘保护装置移动至交接位,翘曲处理机构通过吹气孔向工件台上的基底吹气,将基底整平。
夹持有基底边缘保护环130的基底边缘保护装置100下降至交接位,翘曲处理机构140通过工作面上的吹气孔,向工件台上的基底吹气,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,翘曲基底被整平后,被完全吸附在吸盘上;
S13:翘曲处理机构停止吹气,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在基底上,对基底边缘进行遮盖。
在基底被吸盘完全吸附后,抓取部件120释放基底边缘保护环130,将其放置在基底上,对基底边缘进行遮盖,同时基底边缘保护环130也被吸盘固持,避免在后续曝光过程中与基底发生相对移动;基底边缘保护装置100上升至空闲位置。
S14:对基底曝光后,基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环。
在完成基底曝光后,工件台的吸盘解除对基底的吸附作用和对基底边缘保护环130的固持作用,基底边缘保护装置100下降至交接位,抓取部件120从工件台上抓取基底边缘保护环130。
本发明实施例提供的基底边缘保护装置的保护方法,通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体,在基底上方形成一层气膜,通过气膜的压力将翘曲基底整平,使基底完全吸附在吸盘上,实现了对大翘曲量基底的整平,吸附可靠性高,提高了基底曝光质量和良率;此外,基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该方法实现,简化了曝光流程,从而提高了生产效率。
图6是本发明实施例三提供的另一种基底边缘保护装置的保护方法的流程图,可选的,参考图3光刻设备还包括置环盒300,该置环盒300设有若干个置环空间,示例性的,置环盒300设置成多层的结构,用于存放不同规格的基底边缘保护环130,该方法还包括:
在机械手将基底传送至工件台上的预定位置之前,
机械手从置环盒对应的置环空间中取出与基底规格匹配的基底边缘保护环,并将基底边缘保护环传送至工件台上预定位置;
基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环;
在基底曝光,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环之后,
机械手移动至基底边缘保护装置下方,抓取部件释放基底边缘保护环,将保护环放置在机械手上;
机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内。
如图6所示,该方法包括:
S21:机械手从置环盒对应的置环空间中取出与基底规格匹配的基底边缘保护环,并将基底边缘保护环传送至工件台上预定位置。
S22:基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环,并上升至空闲位置。
S23:机械手将基底传送至工件台上的预定位置。
S24:基底边缘保护装置移动至交接位,翘曲处理机构通过吹气孔向工件台上的基底吹气,将基底整平。
S25:翘曲处理机构停止吹气,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在基底上,对基底边缘进行遮盖。
S26:对基底曝光后,基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环。
S27:机械手移动至基底边缘保护装置下方,抓取部件释放基底边缘保护环,将保护环放置在机械手上。
S28:机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内。
本实施例提供的基底边缘保护装置的保护方法,在实现对大翘曲量基底的整平,提高了基底曝光质量和良率,简化曝光流程,提高生产效率的同时,通过在光刻设备内设置环盒,配合机械手,完成基底的上环遮盖及更换基底边缘保护环的自动化,提高了生产效率、节省了人工上环或更换基底边缘保护环的人力成本。
可选的,参考图4,置环盒300每个置环空间设有定位机构,定位机构包括2个靠销301和1个活动的气缸顶针302,该方法还包括:
在机械手200从置环盒300中取出基底边缘保护环130之前,气缸顶针302松开,机械手200从置环空间中取出基底边缘保护环130。
在机械手200将基底边缘保护环130送回置环盒300对应的置环空间内后,气缸顶针302锁紧,固定基底边缘保护环130。
可选的,参考图5,光刻设备还包括检测元400,该方法还包括:
在机械手200将基底边缘保护环130传送至工件台上的预定位置之前,
机械手200将基底边缘保护环130传送至检测元件400的下方,检测元件400检测基底边缘保护环130在机械手200上的位置是否正确,若是,机械手200将基底边缘保护环130传送至工件台上的预定位置。
本发明实施例中,通过增加置环盒内的定位机构,和传输时的检测元件,避免了人工更换基底边缘保护环,手工对准时的位置误差,提高了遮边精度。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种基底边缘保护装置,其特征在于,包括:
底座;
设置在所述底座工作侧边缘的抓取部件,所述抓取部件用于抓取和固定基底边缘保护环;
设置在底座工作侧翘曲处理机构,所述翘曲处理机构包括形成在工作面上的多个吹气孔,以及与所述吹气孔联连通的进气孔,所述翘曲处理机构用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。
2.根据权利要求1所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述翘曲处理机构为与所述基底边缘保护环固定区域同心的环状结构,且所述翘曲处理机构位于所述基底边缘保护环固定区域内侧。
3.根据权利要求2所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述多个吹气孔以翘曲处理机构工作面所在的圆心形成同心圆排布。
4.根据权利要求1所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述翘曲处理机构上的多个吹气孔中至少部分连通。
5.根据权利要求4所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述进气孔为一个或多个。
6.根据权利要求1所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述底座内形成送气管道,所述送气管道的出气孔与所述翘曲处理机构的进气孔连通。
7.根据权利要求1所述的基底边缘保护装置,其特征在于,所述抓取部件包括至少3个沿所述底座工作侧边缘等距排布的卡爪。
8.一种光刻设备,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的基底边缘保护装置,还包括工件台,所述工件台用于放置基底。
9.根据权利要求8所述的光刻设备,其特征在于,还包括置环盒,所述置环盒至少设有2个置环空间,用于存放不同规格的基底边缘保护环。
10.根据权利要求9所述的光刻设备,其特征在于,所述置环盒的每一个置环空间内设有定位机构,用于对基底边缘保护环进行定位。
11.根据权利要求10所述的光刻设备,其特征在于,所述定位机构包括2个靠销和1个活动的气缸顶针。
12.根据权利要求8所述的光刻设备,其特征在于,所述光刻设备还包括机械手和检测元件;
所述机械手,用于传送所述基底边缘保护环和所述基底;
所述检测元件,用于检测传送过程中,基底边缘保护环在机械手上的位置是否正确。
13.一种基底边缘保护装置的保护方法,其特征在于,所述基底边缘保护装置位于光刻设备内,所述光刻设备还包括机械手和工件台,所述方法包括:
机械手将基底传送至工件台上的预定位置;
基底边缘保护装置移动至交接位,翘曲处理机构通过吹气孔向工件台上的基底吹气,将基底整平;
翘曲处理机构停止吹气,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在基底上,对基底边缘进行遮盖;
对基底曝光后,基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环。
14.根据权利要求13所述的基底边缘保护装置的保护方法,其特征在于,所述光刻设备还包括置环盒,所述置环盒至少设有2个置环空间,用于存放不同规格的基底边缘保护环,所述方法还包括:
在所述机械手将基底传送至工件台上的预定位置之前,
机械手从置环盒对应的置环空间中取出与基底规格匹配的基底边缘保护环,并将基底边缘保护环传送至工件台上预定位置;
基底边缘保护装置移动至交接位,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环;
在所述对基底曝光后,抓取部件从工件台上抓取基底边缘保护环之后,
机械手移动至基底边缘保护装置下方,抓取部件释放基底边缘保护环,将基底边缘保护环放置在机械手上;
机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内。
15.根据权利要求14所述的基底边缘保护装置的保护方法,其特征在于,所述置环盒每个置环空间设有定位机构,所述定位机构包括2个靠销和1个活动的气缸顶针,所述方法还包括:
在所述机械手从置环盒中取出基底边缘保护环之前,气缸顶针松开,机械手从置环空间中取出基底边缘保护环;
在所述机械手将基底边缘保护环送回置环盒对应的置环空间内后,气缸顶针锁紧,固定所述基底边缘保护环。
16.根据权利要求14所述的基底边缘保护装置的保护方法,其特征在于,所述光刻设备还包括检测元件,所述方法还包括:
在所述机械手将基底边缘保护环传送至工件台上的预定位置之前,
机械手将基底边缘保护环传送至检测元件的下方,检测元件检测基底边缘保护环在机械手上的位置是否正确,若是,机械手将基底边缘保护环传送至工件台上的预定位置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810293658.4A CN110320758B (zh) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 |
PCT/CN2019/080394 WO2019185012A1 (zh) | 2018-03-30 | 2019-03-29 | 基底边缘保护装置、光刻设备及基底边缘保护方法 |
TW108111388A TWI715953B (zh) | 2018-03-30 | 2019-03-29 | 一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810293658.4A CN110320758B (zh) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110320758A true CN110320758A (zh) | 2019-10-11 |
CN110320758B CN110320758B (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=68058577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810293658.4A Active CN110320758B (zh) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110320758B (zh) |
TW (1) | TWI715953B (zh) |
WO (1) | WO2019185012A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112105166A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-18 | 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 | 一种fpc翘曲修复装置 |
CN113031401A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-25 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 光刻机整平装置和具有其的光刻机 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4283926B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2009-06-24 | 株式会社アルバック | ウエハカセットのウエハ保持システム |
CN102012639A (zh) * | 2009-09-04 | 2011-04-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种硅片边缘保护方法与装置 |
CN104538331A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-22 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
CN105742222A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附辅助构件和基板输送装置 |
CN106483771A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-08 | 上海微电子装备有限公司 | 一种可实现硅片边缘保护的工件台及方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000260727A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Asahi Kasei Microsystems Kk | ウェーハ保持装置 |
JP2005101226A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Hoya Corp | 基板保持装置,基板処理装置,基板検査装置及び基板保持方法 |
JP5126091B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2013-01-23 | ウシオ電機株式会社 | ワークステージ及び該ワークステージを使用した露光装置 |
US20150234281A1 (en) * | 2012-10-05 | 2015-08-20 | Rudolph Technologies, Inc. | Blade for Substrate Edge Protection During Photolithography |
CN103984208B (zh) * | 2013-02-07 | 2016-03-02 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模版传输系统 |
CN104749891B (zh) * | 2013-12-27 | 2017-03-29 | 上海微电子装备有限公司 | 一种抓手自锁的硅片边缘保护装置 |
CN205906720U (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 芜湖东旭光电科技有限公司 | 支撑装置和传送系统 |
-
2018
- 2018-03-30 CN CN201810293658.4A patent/CN110320758B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-29 TW TW108111388A patent/TWI715953B/zh active
- 2019-03-29 WO PCT/CN2019/080394 patent/WO2019185012A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4283926B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2009-06-24 | 株式会社アルバック | ウエハカセットのウエハ保持システム |
CN102012639A (zh) * | 2009-09-04 | 2011-04-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种硅片边缘保护方法与装置 |
CN104538331A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-22 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
CN105742222A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板吸附辅助构件和基板输送装置 |
CN106483771A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-08 | 上海微电子装备有限公司 | 一种可实现硅片边缘保护的工件台及方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112105166A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-18 | 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 | 一种fpc翘曲修复装置 |
CN112105166B (zh) * | 2020-09-02 | 2024-03-29 | 深圳市鑫达辉软性电路科技有限公司 | 一种fpc翘曲修复装置 |
CN113031401A (zh) * | 2021-03-03 | 2021-06-25 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 光刻机整平装置和具有其的光刻机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201943019A (zh) | 2019-11-01 |
TWI715953B (zh) | 2021-01-11 |
CN110320758B (zh) | 2021-06-29 |
WO2019185012A1 (zh) | 2019-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5324232B2 (ja) | 半導体ウエハのアライメント装置 | |
JP2010186863A (ja) | 位置合わせ機構、加工装置および位置合わせ方法 | |
JP2009123790A (ja) | 研削装置 | |
KR20150052183A (ko) | 다기능 웨이퍼 및 필름 프레임 조작 시스템 | |
KR20100082312A (ko) | 반도체 웨이퍼의 얼라인먼트 장치 | |
JP6568986B1 (ja) | アライメント装置、半導体ウエハ処理装置、およびアライメント方法 | |
KR102654506B1 (ko) | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 | |
CN110320758A (zh) | 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 | |
TWI702682B (zh) | 搬運機構、電子零件製造裝置及電子零件的製造方法 | |
JP2008103703A (ja) | 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法 | |
US20180350652A1 (en) | Conveyance hand, conveyance apparatus, lithography apparatus, manufacturing method of article, and holding mechanism | |
JP2016153154A (ja) | ウェーハの位置合わせ方法 | |
JP6087669B2 (ja) | 基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法 | |
JP4302284B2 (ja) | 半導体ウェハの移載装置 | |
KR101214970B1 (ko) | Led 웨이퍼의 정밀 탑재 장치 및 방법 | |
TW201843799A (zh) | 半導體封裝體配置裝置、製造裝置、半導體封裝體的配置方法以及電子零件的製造方法 | |
JP4091338B2 (ja) | 半導体チップの移送装置 | |
US20090163120A1 (en) | Wafer grinding machine and wafer grinding method | |
KR101854880B1 (ko) | 실리콘 기판 직접 접합 방법, 그 장치, 및 실리콘 기판 직접 접합 장치의 정렬부 검증 방법 | |
KR102561376B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 및 웨이퍼의 가공에 사용하는 보조구 | |
JP5115363B2 (ja) | ウェハのアライメント装置、それを備えた搬送装置、半導体製造装置、および半導体ウェハのアライメント方法 | |
JP6486230B2 (ja) | アライメント方法 | |
JP3949511B2 (ja) | 物品認識装置、ペレットボンディング装置 | |
JP2005064139A (ja) | 基板保持装置及び露光装置 | |
JPS6074527A (ja) | マスク装着方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |