TW201943019A - 一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及保護方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及保護方法。其中，基底邊緣保護裝置包含底座，設置在底座工作側邊緣的抓取零件，用於抓取及固定基底邊緣保護環，設置在底座工作側翹曲處理機構，翹曲處理機構的工作面上有多個吹氣孔，以及與吹氣孔連通的進氣孔，藉由吹氣孔吹氣以對基底進行整平。本發明實施型態提供的基底邊緣保護裝置，在底座工作側設置翹曲處理機構，藉由翹曲處理機構向工件臺上的翹曲基底吹正壓氣體，將翹曲基底整平，使基底完全吸附在吸盤上，實現對大翹曲量基底的整平，提高基底曝光品質及良率；此外，基底整形及基底邊緣保護環的放置皆可藉由該基底邊緣保護裝置實現，簡化曝光流程，從而提高生產效率。

Description

一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及保護方法

本發明實施型態關於半導體製造領域，尤其關於一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及基底邊緣保護方法。

光刻設備主要用於積體電路IC或其他微型器件的製造。藉由光刻設備，可將光罩的圖案成像到塗覆有光刻膠的基底上，基底通常為矽片。基底通常由工件臺上的吸盤藉由真空吸附的方式固定，工件臺帶動吸附有矽片的吸盤移動，按照預定的路線及速度到達正確的位置，完成光刻過程。

隨著穿過矽片通道(Through Silicon Vias，TSV)技術的發展，矽片的不斷減薄以及矽片鍵合工藝，導致矽片自身存在不確定的翹曲，在矽片翹曲處及吸盤表面形成間隙，當吸盤打開真空時，吸盤與矽片之間便會出現真空洩露，無法滿足正常情況下的真空閾值，導致矽片吸附的可靠性降低，甚至出現據片的情況，影響生產效率甚鉅。此外，矽片吸附可靠性降低將影響光刻設備的焦深(focus)及套刻精度(overlay)，體現在其上下表面的面型精度以及自身的夾持變形量，從而影響矽片曝光品質及矽片良率。

現有技術無法對大翹曲量的矽片進行曝光，此外，必須額外設置矽片邊緣保護裝置，傳送保護環，完成對矽片邊緣的上環遮蓋，保護矽片邊緣在曝光過程中不會被曝光，其中，保護環係一種中央部分鏤空，邊緣為實體的遮光遮罩物件。此無疑增加整個曝光工藝的流程及時間，降低生產效率。

本發明提供一種基底邊緣保護裝置、光刻設備及保護方法，以實現對大翹曲量基底的整平，提高基底曝光品質及良率；簡化曝光流程，從而提高生產效率。

第一態樣，本發明實施型態提供一種基底邊緣保護裝置，其特徵係該基底邊緣保護裝置包含：底座；設置在底座工作側邊緣的抓取零件，抓取零件用於抓取及固定基底邊緣保護環；設置在底座工作側翹曲處理機構，翹曲處理機構包含形成在工作面上的多個吹氣孔，以及與吹氣孔連通的進氣孔，翹曲處理機構用於藉由吹氣孔吹氣以對基底進行整平。

可選的，翹曲處理機構為與基底邊緣保護環固定區域同心 的環狀結構，且翹曲處理機構位於基底邊緣保護環固定區域內側。

可選的，多個吹氣孔以翹曲處理機構工作面所在的圓心形成同心圓排布。

可選的，翹曲處理機構上的多個吹氣孔中至少部分連通。

可選的，進氣孔為一個或多個。

可選的，底座內形成送氣管道，送氣管道的出氣孔與翹曲處理機構的進氣孔連通。

可選的，抓取零件包含至少3個沿底座工作側邊緣等距排布的卡爪。

第二態樣，本發明實施型態亦提供一種光刻設備，其特徵係該光刻設備包含第一態樣所述之基底邊緣保護裝置，亦包含工件臺，工件臺用於放置基底。

可選的，該光刻設備亦包含置環盒，置環盒至少設有2個置環空間，用於存放不同規格的基底邊緣保護環。

可選的，置環盒的每一個置環空間內設有定位機構，用於對基底邊緣保護環進行定位。

可選的，定位機構包含2個靠銷及1個活動的氣缸頂針。

可選的，該光刻設備亦包含機械手及檢測元件；機械手，用於傳送基底邊緣保護環及基底；檢測元件，用於檢測傳送過程中，基底邊緣保護環在機械手上的位置是否正確。

第三態樣，本發明實施型態亦提供一種基底邊緣保護裝置 的保護方法，其係該基底邊緣保護裝置位於光刻設備內，該光刻設備亦包含機械手及工件臺，其特徵係該方法包含：機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置；基底邊緣保護裝置移動至交接位，翹曲處理機構藉由吹氣孔向工件臺上的基底吹氣，將基底整平；翹曲處理機構停止吹氣，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋；對基底曝光後，基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環。

可選的，該光刻設備亦包含置環盒，該置環盒至少設有2個置環空間，用於存放不同規格的基底邊緣保護環，該方法亦包含：在機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手從置環盒對應的置環空間中取出與基底規格匹配的基底邊緣保護環，並將基底邊緣保護環傳送至工件臺上預定位置；基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環；在對基底曝光後，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環之後，機械手移動至基底邊緣保護裝置下方，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在機械手上；機械手將基底邊緣保護環送回置環盒對應的置環空間內。

可選的，置環盒每個置環空間設有定位機構，定位機構包含2個靠銷及1個活動的氣缸頂針，該方法亦包含： 在機械手從置環盒中取出基底邊緣保護環之前，氣缸頂針鬆開，機械手從置環空間中取出基底邊緣保護環；在機械手將基底邊緣保護環送回置環盒對應的置環空間內後，氣缸頂針鎖緊，固定基底邊緣保護環。

可選的，光刻設備亦包含檢測元件，該方法亦包含：在機械手將基底邊緣保護環傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手將基底邊緣保護環傳送至檢測元件的下方，檢測元件檢測基底邊緣保護環在機械手上的位置是否正確，若是，機械手將基底邊緣保護環傳送至工件臺上的預定位置。

本發明實施型態的技術手段，在基底邊緣保護裝置的底座工作側設置翹曲處理機構，藉由翹曲處理機構向工件臺上的翹曲基底吹正壓氣體，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，使基底完全吸附在吸盤上，實現對大翹曲量基底的整平，吸附可靠性高，提高基底曝光品質及良率；此外，基底整形及基底邊緣保護環的放置皆可藉由該基底邊緣保護裝置實現，簡化曝光流程，從而提高生產效率。

100‧‧‧基底邊緣保護裝置

110‧‧‧底座

120‧‧‧抓取零件

130‧‧‧基底邊緣保護環

140‧‧‧翹曲處理機構

200‧‧‧機械手

300‧‧‧置環盒

301‧‧‧靠銷

302‧‧‧氣缸頂針

400‧‧‧檢測元件

【圖1】係本發明實施例一提供的基底邊緣保護裝置的立體圖；【圖2】係本發明實施例一中提供的基底邊緣保護裝置中翹曲處理機 構的結構示意圖；【圖3】係本發明實施例二提供的光刻設備的各部分結構的示意圖；【圖4】係本發明實施例二提供的光刻設備中置環盒其中一層的內部結構示意圖；【圖5】係本發明實施例三提供的一種基底邊緣保護裝置的保護方法的流程圖；【圖6】係本發明實施例三提供的另一種基底邊緣保護裝置的保護方法的流程圖。

以下結合所添附之圖式及實施例對本發明作進一步的詳細說明。可理解者係，此處所描述的具體實施例僅用於解釋本發明，而非對本發明的限定。又，亦須說明者係，為便於描述，所添附之圖式中僅示出與本發明相關的部分而非全部結構。

實施例一

本發明實施例一提供一種基底邊緣保護裝置，圖1係本發明實施例一提供的基底邊緣保護裝置的立體圖，圖2係本發明實施例一中提供的基底邊緣保護裝置中翹曲處理機構的結構示意圖。如圖1所示，該基底邊緣保護裝置100包含底座110，設置在底座110工作側邊緣的抓取零件120。抓取零件120用於抓取及安放基底邊緣保護環130。

如圖2所示，翹曲處理機構140包含形成在工作面上的多個吹氣孔，以及與吹氣孔連通的進氣孔，翹曲處理機構140用於藉由吹氣 孔吹氣以對基底進行整平。

該基底邊緣保護裝置100位於光刻設備內，位於光刻設備的工件臺的正上方，可沿豎直方向移動；基底邊緣保護裝置100的工作側與工件臺的工作面正對，工件臺的工作面上設有吸盤，用於吸附基底。該基底邊緣保護裝置100的工作原理如下。

基底被傳送至工件臺上後，吸盤開始工作，從基底一側初步吸附基底。但由於基底可能存在翹曲量較大的情況，導致基底並未被吸盤完全吸附。夾持有基底邊緣保護環130的基底邊緣保護裝置100下降至交接位。當基底邊緣保護裝置100位於該交接位時，翹曲處理機構140的工作面比基底最高翹曲點稍高的位置，保證基底邊緣保護裝置100不與基底接觸，避免影響基底表面品質。基底邊緣保護裝置100藉由翹曲處理機構140上的進氣孔向翹曲處理機構140內吹入正壓氣體，翹曲處理機構140藉由工作面上的吹氣孔，對工件臺上的基底吹氣，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，翹曲基底被整平後，被完全吸附在吸盤上；抓取零件120釋放基底邊緣保護環130，將其放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋，同時基底邊緣保護環130亦被吸盤固持(吸附、加持、等)，避免在後續曝光過程中與基底發生相對移動。當基底邊緣保護環130亦被吸盤固持後，基底邊緣保護裝置100上升。在完成基底曝光後，工件臺吸盤解除對基底的吸附作用及對基底邊緣保護環130固持作用；基底邊緣保護裝置100再次下降至交接位，抓取零件120從工件臺上抓取基底邊緣保護環130。

本發明實施例提供的基底邊緣保護裝置，在底座工作側設 置翹曲處理機構，藉由翹曲處理機構向工件臺上的翹曲基底吹正壓氣體，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，使基底完全吸附在吸盤上，實現對大翹曲量基底的整平，吸附可靠性高，提高基底曝光品質及良率；此外，基底整形及基底邊緣保護環的放置皆可藉由該基底邊緣保護裝置實現，簡化曝光流程，從而提高生產效率。

可選的，如圖1及圖2所示，翹曲處理機構140為與基底邊緣保護環130固定區域同心的環狀結構，環狀結構的邊緣設有進氣孔，工作面設有多個吹氣孔，且翹曲處理機構140位於基底邊緣保護環130固定區域內側。即翹曲處理機構140的外徑小於基底邊緣保護環130的內徑，翹曲處理機構140不會對基底邊緣保護環130的抓取及釋放造成干擾。翹曲處理機構140的內徑可以根據基底的翹曲形狀進行設定，須說明者係，翹曲處理機構140亦可為半徑小於基底邊緣保護環130內徑的圓盤結構。

接續參照圖2，可選的，翹曲處理機構140為環狀結構，多個吹氣孔以翹曲處理機構140工作面所在的圓心形成同心圓排布。示例性的，多個吹氣孔的孔徑大小相等，工作時藉由調整進氣孔輸入的氣體氣壓，對不同翹曲量的基底進行整平。在其他實施例中，亦可控制進氣孔輸入的氣體氣壓不變，吹氣孔的孔徑大小不相等，對不同翹曲形狀的基底進行整平。例如基底翹曲量大的位置，翹曲處理機構140上對應位置的孔徑較大。

可選的，翹曲處理機構140上的多個吹氣孔中至少部分連通，進氣孔為一個或多個。示例性的，翹曲處理機構140為環狀結構，多 個吹氣孔以翹曲處理機構140工作面所在的圓心形成同心圓排布，翹曲處理機構140設有多個進氣孔。位於同一圓上的多個吹氣孔互相連通，同一圓上的多個吹氣孔與一個進氣孔相連。在基底整平時，分別控制輸入每個進氣孔的氣體氣壓，對不同翹曲形狀的基底進行整平。

可選的，底座110內形成送氣管道，送氣管道的出氣孔與翹曲處理機構140的進氣孔連通，用於向翹曲處理機構140輸入正壓氣體。

接續參照圖1，可選的，抓取零件120包含至少3個沿底座110工作側邊緣等距排布的卡爪，卡爪可沿基底邊緣保護裝置100的底座110工作側的徑向運動，用於抓取或釋放基底邊緣保護環130。基底邊緣保護環130的邊緣上對應的位置設有與卡爪匹配的凹槽，便於卡爪抓取基底邊緣保護環130。

實施例二

本發明實施例二提供一種光刻設備，該光刻設備包含實施例一所述之基底邊緣保護裝置100，如圖1所示，該基底邊緣保護裝置100包含底座110，設置在底座110工作側邊緣的抓取零件120，抓取零件120用於抓取及固定基底邊緣保護環130；設置在底座110工作側的翹曲處理機構140，翹曲處理機構140包含形成在工作面上的多個吹氣孔，以及與吹氣孔連通的進氣孔，翹曲處理機構140用於藉由吹氣孔吹氣以對基底進行整平。

該光刻設備亦包含工件臺，基底邊緣保護裝置100位於光刻設備的工件臺的正上方，可沿豎直方向移動；基底邊緣保護裝置100的 工作側與工件臺的工作面正對，工件臺的工作面上設有吸盤，用於吸附基底。

本發明實施例提供的光刻設備，在工件臺的正上方設置基底邊緣保護裝置，基底邊緣保護裝置的底座工作側設置翹曲處理機構，藉由翹曲處理機構向工件臺上的翹曲基底吹正壓氣體，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，使基底完全吸附在吸盤上，實現對大翹曲量基底的整平，吸附可靠性高，提高基底曝光品質及良率；此外，基底整形及基底邊緣保護環的放置皆可藉由該基底邊緣保護裝置實現，簡化曝光流程，從而提高生產效率。

圖3係本發明實施例二提供的光刻設備的各部分結構的示意圖，如圖3所示，該光刻設備包含基底邊緣保護裝置100、用於傳送基底及基底邊緣保護環130的機械手200及置環盒300，置環盒300設有若干個置環空間，用於存放不同規格的基底邊緣保護環130。示例性的，在本實施例中，置環盒300設置成多層的結構，每層中存放有一種規格的基底邊緣保護環130。

具體的，機械手200從置環盒300對應的一層中取出與基底尺寸相匹配的基底邊緣保護環130，並將其傳送至工件臺上預定位置；基底邊緣保護裝置100下降至交接位，抓取零件120抓取基底邊緣保護環130，並上升至空閒位置；機械手200將基底傳送至工件臺上預定位置，工件臺上的吸盤吸附基底；基底邊緣保護裝置100下降至交接位，翹曲處理機構140對工件臺上的基底吹氣，將翹曲基底整平，翹曲基底被整平後，被完全吸附在吸盤上；抓取零件120釋放基底邊緣保護環130，將其 放置在基底邊緣保護環130上，基底邊緣保護環130被吸盤固持，對基底邊緣進行遮蓋；基底曝光後，工件臺的吸盤對基底解除吸附及對基底邊緣保護環130解除固持，基底邊緣保護裝置100下降至交接位，抓取零件120從工件臺上抓取基底邊緣保護環130，並上升至空閒位置；機械手200移動至基底邊緣保護裝置100的下方，抓取零件120釋放基底邊緣保護環130，將其放置在機械手200上；機械手200將基底邊緣保護環130送入置環盒300對應的一層中。

基底邊緣保護環的內徑尺寸，即為基底邊緣須被遮擋的尺寸，一個基底邊緣保護環對應一個遮擋規格尺寸。對於基底不同的曝光遮邊尺寸要求，必須更換多個規格的基底邊緣保護環。現有的光刻設備更換基底邊緣保護環皆係藉由人工取出及替換，矽片邊緣保護裝置沒有自動更換保護環功能，且在替換時必須手工對準位置。此無疑降低產品的生產效率，同時提高人工成本。而本實施例提供的光刻設備，在實現對大翹曲量基底的整平，提高基底曝光品質及良率，簡化曝光流程，提高生產效率的同時，藉由在光刻設備內設置環盒，存放不同規格的基底邊緣保護環，配合機械手，完成對基底的上環遮蓋及基底邊緣保護環的更換及對準的自動化，提高生產效率、節省人力成本。

可選的，置環盒300的每一個置環空間內設有定位機構，用於對基底邊緣保護環130進行定位。在本實施例中，置環盒300每一層中皆設有定位機構，確保基底邊緣保護環130在置環盒每層中的位置正確，從而確保機械手200在傳送基底邊緣保護環130時，基底邊緣保護環130在機械手200上的位置正確，進而確保基底邊緣保護環130被傳送到 工件臺上預定位置，並能被抓取零件120準確地抓取，進而確保基底邊緣保護環130能精確地對基底邊緣進行遮蓋。

圖4係本發明實施例二提供的光刻設備中置環盒其中一層的內部結構示意圖，可選的，定位機構包含2個靠銷301及1個活動的氣缸頂針302。示例性的2個靠銷301及1個活動的氣缸頂針302沿基底邊緣保護環130的外沿等距排布，靠銷301固定在置環盒300內，氣缸頂針302可藉由氣缸推動，鎖緊或鬆開基底邊緣保護環130。具體的，在機械手200從置環盒300中取出基底邊緣保護環130之前，氣缸頂針302鬆開，機械手200從置環盒中取出基底邊緣保護環130；在機械手200將基底邊緣保護環130送回置環盒300後，氣缸頂針鎖緊，固定基底邊緣保護環130。

可選的，該光刻設備亦包含檢測元件400，用於檢測傳送過程中，基底邊緣保護130在機械手200上的位置是否正確，從而進一步確保基底邊緣保護環130能精確地對基底邊緣進行遮蓋。

本發明實施例中，藉由增加置環盒內的定位機構，及傳輸時的檢測元件，避免人工更換基底邊緣保護環，手工對準時的位置誤差，提高遮邊精度。

實施例三

本發明實施例三提供一種基底邊緣保護裝置的保護方法，圖5係本發明實施例三提供的一種基底邊緣保護裝置的保護方法的流程圖。參照圖1，該基底邊緣保護裝置100包含底座110，設置在底座110工作側邊緣的抓取零件120，抓取零件120用於抓取及固定基底邊緣保護環130；設置 在底座110工作側的翹曲處理機構140，翹曲處理機構140包含形成在工作面上的多個吹氣孔，以及與吹氣孔連通的進氣孔，翹曲處理機構用於藉由吹氣孔吹氣以對基底進行整平。該基底邊緣保護裝置100位於光刻設備內，該光刻設備亦包含機械手200及工件臺。如圖5所示，該方法包含步驟S11至S14。

S11：機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置。

機械手200將基底傳送至工件臺上後，吸盤開始工作，從基底一側初步吸附基底，但由於基底可能存在翹曲量較大的情況，基底並未被吸盤完全吸附。

S12：基底邊緣保護裝置移動至交接位，翹曲處理機構藉由吹氣孔向工件臺上的基底吹氣，將基底整平。

夾持有基底邊緣保護環130的基底邊緣保護裝置100下降至交接位，翹曲處理機構140藉由工作面上的吹氣孔，向工件臺上的基底吹氣，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，翹曲基底被整平後，被完全吸附在吸盤上。

S13：翹曲處理機構停止吹氣，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋。

在基底被吸盤完全吸附後，抓取零件120釋放基底邊緣保護環130，將其放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋，同時基底邊緣保護環130亦被吸盤固持，避免在後續曝光過程中與基底發生相對移動；基底邊緣保護裝置100上升至空閒位置。

S14：對基底曝光後，基底邊緣保護裝置移動至交接位， 抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環。

在完成基底曝光後，工件臺的吸盤解除對基底的吸附作用及對基底邊緣保護環130的固持作用，基底邊緣保護裝置100下降至交接位，抓取零件120從工件臺上抓取基底邊緣保護環130。

本發明實施例提供的基底邊緣保護裝置的保護方法，藉由翹曲處理機構向工件臺上的翹曲基底吹正壓氣體，在基底上方形成一層氣膜，藉由氣膜的壓力將翹曲基底整平，使基底完全吸附在吸盤上，實現對大翹曲量基底的整平，吸附可靠性高，提高基底曝光品質及良率；此外，基底整形及基底邊緣保護環的放置皆可藉由該方法實現，簡化曝光流程，從而提高生產效率。

可選的，參照圖3光刻設備亦包含置環盒300，該置環盒300設有若干個置環空間，示例性的，置環盒300設置成多層的結構，用於存放不同規格的基底邊緣保護環130，該方法亦包含：在機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手從置環盒的置環空間中取出與基底規格匹配的基底邊緣保護環，並將基底邊緣保護環傳送至工件臺上預定位置；基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環；在基底曝光，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環之後，機械手移動至基底邊緣保護裝置下方，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將保護環放置在機械手上；機械手將基底邊緣保護環送回置環盒的置環空間內。

圖6係本發明實施例三提供的另一種基底邊緣保護裝置的保護方法的流程圖。如圖6所示，該方法包含：

S21：機械手從置環盒對應的置環空間中取出與基底規格匹配的基底邊緣保護環，並將基底邊緣保護環傳送至工件臺上預定位置。

S22：基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環，並上升至空閒位置。

S23：機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置。

S24：基底邊緣保護裝置移動至交接位，翹曲處理機構藉由吹氣孔向工件臺上的基底吹氣，將基底整平。

S25：翹曲處理機構停止吹氣，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋。

S26：對基底曝光後，基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環。

S27：機械手移動至基底邊緣保護裝置下方，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將保護環放置在機械手上。

S28：機械手將基底邊緣保護環送回置環盒對應的置環空間內。

本實施例提供的基底邊緣保護裝置的保護方法，在實現對大翹曲量基底的整平，提高基底曝光品質及良率，簡化曝光流程，提高生產效率的同時，藉由在光刻設備內設置環盒，配合機械手，完成基底的上環遮蓋及更換基底邊緣保護環的自動化，提高生產效率、節省人工上環或更換基底邊緣保護環的人力成本。

可選的，參照圖4，置環盒300每個置環空間設有定位機構，定位機構包含2個靠銷301及1個活動的氣缸頂針302，該方法亦包含：在機械手200從置環盒300中取出基底邊緣保護環130之前，氣缸頂針302鬆開，機械手200從置環空間中取出基底邊緣保護環130。

在機械手200將基底邊緣保護環130送回置環盒300對應的置環空間內後，氣缸頂針302鎖緊，固定基底邊緣保護環130。

可選的，參照圖5，光刻設備亦包含檢測元件400，該方法亦包含：在機械手200將基底邊緣保護環130傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手200將基底邊緣保護環130傳送至檢測元件400的下方，檢測元件400檢測基底邊緣保護環130在機械手200上的位置是否正確，若是，機械手200將基底邊緣保護環130傳送至工件臺上的預定位置。

本發明實施例中，藉由增加置環盒內的定位機構，及傳輸時的檢測元件，避免人工更換基底邊緣保護環，手工對準時的位置誤差，提高遮邊精度。

注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。所屬技術領域中具有通常知識者會理解，本發明不限於在此所述之特定實施例，對所屬技術領域中具有通常知識者而言能夠進行各種明顯的變化、重新調整及替代而不會脫離本發明的保護範圍。故，雖藉由上述實施例對 本發明進行較為詳細的說明，但本發明不僅限於上述實施例，於不脫離本發明構思的情況下，亦可包含更多其他等效實施例，而本發明的範圍由所添附之申請專利範圍決定。

Claims (16)

1. 一種基底邊緣保護裝置，其特徵係其包含：底座；設置在前述底座工作側邊緣的抓取零件，前述抓取零件用於抓取及固定基底邊緣保護環；設置在底座工作側的翹曲處理機構，前述翹曲處理機構包含形成在工作面上的多個吹氣孔，以及與前述吹氣孔連通的進氣孔，前述翹曲處理機構用於藉由吹氣孔吹氣以對基底進行整平。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述翹曲處理機構為與前述基底邊緣保護環固定區域同心的環狀結構，且前述翹曲處理機構位於前述基底邊緣保護環固定區域內側。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述多個吹氣孔以翹曲處理機構工作面所在的圓心形成同心圓排布。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述翹曲處理機構上的多個吹氣孔中至少部分連通。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述進氣孔為一個或多個。
6. 如申請專利範圍第1項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述底座內形成送氣管道，前述送氣管道的出氣孔與前述翹曲處理機構的進氣孔連通。
7. 如申請專利範圍第1項所記載之基底邊緣保護裝置，其中，前述抓取零 件包含至少3個沿前述底座工作側邊緣等距排布的卡爪。
8. 一種光刻設備，其特徵係其包含申請專利範圍第1至7項中任一項所記載之基底邊緣保護裝置，亦包含工件臺，前述工件臺用於放置基底。
9. 如申請專利範圍第8項所記載之光刻設備，其中，亦包含置環盒，前述置環盒至少設有2個置環空間，用於存放不同規格的基底邊緣保護環。
10. 如申請專利範圍第9項所記載之光刻設備，其中，前述置環盒的每一個置環空間內設有定位機構，用於對基底邊緣保護環進行定位。
11. 如申請專利範圍第10項所記載之光刻設備，其中，前述定位機構包含2個靠銷及1個活動的氣缸頂針。
12. 如申請專利範圍第8項所記載之光刻設備，其中，前述光刻設備亦包含機械手及檢測元件；前述機械手，用於傳送前述基底邊緣保護環及前述基底；前述檢測元件，用於檢測傳送過程中，基底邊緣保護環在機械手上的位置是否正確。
13. 一種基底邊緣保護裝置的保護方法，其係前述基底邊緣保護裝置位於光刻設備內，前述光刻設備亦包含機械手及工件臺，其特徵係前述方法包含：機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置；基底邊緣保護裝置移動至交接位，翹曲處理機構藉由吹氣孔向工件臺上的基底吹氣，將基底整平；翹曲處理機構停止吹氣，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在基底上，對基底邊緣進行遮蓋； 對基底曝光後，基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環。
14. 如申請專利範圍第13項所記載之基底邊緣保護裝置的保護方法，其中，前述光刻設備亦包含置環盒，前述置環盒至少設有2個置環空間，用於存放不同規格的基底邊緣保護環，前述方法亦包含：在前述機械手將基底傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手從置環盒對應的置環空間中取出與基底規格匹配的基底邊緣保護環，並將基底邊緣保護環傳送至工件臺上預定位置；基底邊緣保護裝置移動至交接位，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環；在前述對基底曝光後，抓取零件從工件臺上抓取基底邊緣保護環之後，機械手移動至基底邊緣保護裝置下方，抓取零件釋放基底邊緣保護環，將基底邊緣保護環放置在機械手上；機械手將基底邊緣保護環送回置環盒對應的置環空間內。
15. 如申請專利範圍第14項所記載之基底邊緣保護裝置的保護方法，其中，前述置環盒每個置環空間設有定位機構，前述定位機構包含2個靠銷及1個活動的氣缸頂針，前述方法亦包含：在前述機械手從置環盒中取出基底邊緣保護環之前，氣缸頂針鬆開，機械手從置環空間中取出基底邊緣保護環；在前述機械手將基底邊緣保護環送回置環盒對應的置環空間內後，氣缸頂針鎖緊，固定前述基底邊緣保護環。
16. 如申請專利範圍第14項所記載之基底邊緣保護裝置的保護方法，其中， 前述光刻設備亦包含檢測元件，前述方法亦包含：在前述機械手將基底邊緣保護環傳送至工件臺上的預定位置之前，機械手將基底邊緣保護環傳送至檢測元件的下方，檢測元件檢測基底邊緣保護環在機械手上的位置是否正確，若是，機械手將基底邊緣保護環傳送至工件臺上的預定位置。